KR20060024792A - Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes - Google Patents
Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060024792A KR20060024792A KR1020057023444A KR20057023444A KR20060024792A KR 20060024792 A KR20060024792 A KR 20060024792A KR 1020057023444 A KR1020057023444 A KR 1020057023444A KR 20057023444 A KR20057023444 A KR 20057023444A KR 20060024792 A KR20060024792 A KR 20060024792A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- stirrer
- processing
- workpiece
- support
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/007—Current directing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/008—Current shielding devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
Description
본 출원은 2003년 7월 1일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/484,603호, 2003년 7월 1일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/484,604호, 2003년 6월 6일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/476,786호, 2003년 12월 11일자로 출원된 계류중인 미국 출원 제10/734,098호, 및 2003년 12월 11일자로 출원된 계류중인 미국 출원 제10/734,100호에 대한 우선권을 주장하며, 이들 모두는 그 전문이 본 명세서에 참조문헌으로 포함되어 있다. This application is pending US Provisional Application No. 60 / 484,603, filed July 1, 2003, pending US Provisional Application No. 60 / 484,604, filed July 1, 2003, filed June 6, 2003. For pending U.S. Provisional Application No. 60 / 476,786, pending U.S. Application No. 10 / 734,098, filed December 11, 2003, and pending U.S. Application No. 10 / 734,100, filed December 11, 2003. Priority claims, all of which are incorporated herein by reference in their entirety.
본 발명은 다수의 전극들 및/또는 수납된 왕복 교반기들을 가지는 툴들 및 반응기들을 포함하는, 흐름 교반기들 및 다수의 전극들을 구비한 마이크로피쳐 작업편들을 처리하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.The present invention relates to systems and methods for treating microfeature workpieces with flow stirrers and a plurality of electrodes, including tools and reactors with a plurality of electrodes and / or housed reciprocating agitators.
마이크로디바이스들은 많은 수의 개별 디바이스들을 생성하기 위해 단일 기판상에 재료들의 몇몇 층을 가공 및 증착시킴으로서 제조된다. 예로서, 포토레지스트(photoresist), 도전성 재료들 및 유전 재료들의 층들이 증착, 패턴화, 현상, 에칭, 평탄화 및 기타의 방식으로 조작되어 기판내에 및/또는 기판상에 피쳐들을 형 성한다. 피쳐들은 집적 회로들, 마이크로-유동성 시스템들, 및 기타 구조체들을 형성하도록 배열된다.Microdevices are manufactured by processing and depositing several layers of materials on a single substrate to create a large number of individual devices. By way of example, layers of photoresist, conductive materials and dielectric materials may be fabricated, deposited, patterned, developed, etched, planarized, and otherwise manipulated to form features in and / or on the substrate. The features are arranged to form integrated circuits, micro-flowable systems, and other structures.
마이크로피쳐 작업편들상에 피쳐들을 형성하기 위해 일반적으로 습식 화학 처리가 사용된다. 습식 화학 처리는 일반적으로 습식 화학 처리 툴에서 수행되며, 이 툴은 세정, 에칭, 재료들의 전자화학적 증착을 위해, 또는, 이들 처리들의 조합들을 수행하기 위해 복수의 개별 처리 챔버들을 갖는다. 각 챔버는 통상적으로 습식 처리 유체들이 수용되는 용기 및 처리 동안 용기내에서 작업편을 유지하는 작업편 지지부(예로서, 부양-회전 유닛)를 갖는다. 로봇이 챔버의 내외로 작업편을 이동시킨다.Wet chemical processing is generally used to form features on microfeature workpieces. Wet chemical processing is generally performed in a wet chemical processing tool, which has a plurality of individual processing chambers for cleaning, etching, electrochemical deposition of materials, or for performing combinations of these processes. Each chamber typically has a vessel in which wet processing fluids are received and a workpiece support (eg, a flotation-rotating unit) that holds the workpiece within the vessel during processing. The robot moves the workpiece into and out of the chamber.
통합형 습식 화학 처리 툴들에 관한 한가지 고려사항은 처리 챔버들이 주기적으로 정비 및/또는 수리되어야 한다는 것이다. 전자화학 증착 챔버들에서, 예로서, 소모성 전극들은 시간에 걸쳐 열화하며, 그 이유는 전극들 및 전해액 사이의 반응이 전극들을 분해시키기 때문이다. 따라서, 소모성 전극들의 형상들은 변화하여 전기장의 변동들을 유발한다. 결과적으로, 소모성 전극들은 작업편을 가로질러 원하는 증착 파라미터들을 유지하기 위해 주기적으로 교체되어야만 한다. 작업편에 접촉하는 전기 접점들도 주기적으로 세정 또는 교체될 필요가 있을 수 있다. 전자화학 증착 챔버들을 정비 및 수리하기 위해, 통상적으로 이들은 툴로부터 제거되고 여분의 챔버로 교체된다.One consideration with integrated wet chemical processing tools is that the processing chambers must be serviced and / or repaired periodically. In electrochemical deposition chambers, for example, consumable electrodes deteriorate over time because the reaction between the electrodes and the electrolyte degrades the electrodes. Thus, the shapes of the consumable electrodes change to cause variations in the electric field. As a result, the consumable electrodes must be replaced periodically to maintain the desired deposition parameters across the workpiece. Electrical contacts in contact with the workpiece may also need to be cleaned or replaced periodically. To service and repair the electrochemical deposition chambers, they are typically removed from the tool and replaced with a spare chamber.
현존하는 습식 화학 처리 챔버들의 수리 또는 정비와 관련한 한가지 문제점은, 처리 챔버를 제거 및 교체하기 위한 연장된 시간 기간 동안 툴이 가동중단되어 야 한다는 것이다. 처리 챔버가 툴로부터 제거될 때, 사전에 정비된 처리 챔버가 그 자리에 장착된다. 로봇 및 부양-회전 유닛은 그후 새로운 처리 챔버를 사용하여 동작하기 위해 재캘리브레이팅(recalibrating)된다. 로봇 및 부양-회전 유닛을 재캘리브레이팅하는 것은 시간 소모적 프로세스이며, 이는 처리 챔버들을 수리 또는 정비하기 위한 가동중단시간(downtime)을 증가시킨다. 결과적으로, 툴의 단 하나의 처리 챔버가 제원들을 충족시키지 못할 때, 보다 많은 처리 챔버들이 성능 제원들을 충족시키지 못하게 될 때까지 하나의 처리 챔버를 수리하기 위해 정지시키지 않고 툴을 계속 동작시키는 것이 보다 효율적인 경우가 많다. 따라서, 단일 처리 챔버의 처리량의 손실은 처리 챔버들 중 단 하나를 수리 또는 정비하기 위해 툴을 가동중단시키는 것에 의해 유발되는 처리량의 손실 보다 덜 심하다. One problem with the repair or maintenance of existing wet chemical processing chambers is that the tool must be shut down for an extended period of time to remove and replace the processing chamber. When the process chamber is removed from the tool, a previously serviced process chamber is mounted in place. The robot and flotation-rotating unit are then recalibrated to operate using the new processing chamber. Recalibrating the robot and flotation-rotating unit is a time consuming process, which increases downtime for repairing or servicing the processing chambers. As a result, when only one processing chamber of the tool does not meet the specifications, it is better to continue to operate the tool without stopping to repair one processing chamber until more processing chambers fail to meet the performance specifications. It is often efficient. Thus, the loss of throughput of a single processing chamber is less severe than the loss of throughput caused by bringing down the tool to repair or service only one of the processing chambers.
적어도 두개의 처리 챔버들이 제원들을 충족시키지 못할 때까지 툴을 동작시키는 관행은 툴의 처리량에 심각한 영향을 준다. 예로서, 적어도 둘 또는 세 개의 처리 챔버들이 제원들을 벗어날때까지 툴이 수리 또는 정비되지 않는 경우, 툴은 정비를 위해 가동중단되기 이전의 시간 기간 동안 그 전체 기능의 일부만으로 동작한다. 이는 툴의 동작 비용을 증가시키며, 그 이유는 툴이 습식 처리 챔버들을 교체하고 로봇을 재캘리브레이팅하기 위해 가동중단되는 동안에 처리량이 손실을 입을 뿐만 아니라, 툴이 가동중인 동안에도 단지 그 전체 기능 중 일부만으로 동작하기 때문에 처리량이 감소되기 때문이다. 또한, 처리된 작업편의 피쳐 크기들이 감소할 때, 전자화학 증착 챔버는 일관성있게 매우 보다 높은 성능 제원들을 충족시키야만 한다. 이는 처리 챔버들이 보다 빨리 제원을 벗어나게 하며, 이는 보다 빈 번히 툴의 가동 중단을 초래한다. 따라서, 전자화학 증착 챔버들 및 습식 화학 처리 챔버들의 다른 유형들을 수리 및/또는 정비하는 것과 연계된 가동중단시간은 습식 화학 처리 툴들의 작동 비용을 현저히 증가시킨다.The practice of operating the tool until at least two processing chambers do not meet the specifications has a significant impact on the throughput of the tool. For example, if a tool is not repaired or serviced until at least two or three processing chambers are out of specification, the tool operates only as part of its overall function for a time period before it is shut down for maintenance. This increases the operating cost of the tool, because not only will the throughput be lost while the tool is shut down to replace the wet processing chambers and recalibrate the robot, but only its full function while the tool is running. This is because throughput is reduced because only a part of the operation is performed. In addition, as feature sizes of the processed workpiece decrease, the electrochemical deposition chamber must consistently meet much higher performance specifications. This causes the processing chambers to leave the specification more quickly, which results in more frequent tool downtime. Thus, the downtime associated with repairing and / or servicing other types of electrochemical deposition chambers and wet chemical processing chambers significantly increases the operating cost of wet chemical processing tools.
툴에 수납된 전자화학 증착 챔버들은 또한 다수의 단점들을 가질 수 있다. 예로서, 이들 챔버들내에서의 전해 처리 동안, 확산 층이 전해액과 접촉하는 작업편의 표면에 발생한다. 작업편에 적용되는 또는 작업편으로부터 제거되는 재료의 농도는 확산층의 두께에 걸쳐 변한다. 다수의 경우들에서, 작업편에 재료가 추가되는 또는 작업편으로부터 재료가 제거되는 속도를 증가시키기 위해서 확산층의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다. 다른 경우들에서, 작업편의 표면에서의 재료 전달을 다른 방식으로 제어하는 것, 예로서, 표면상에 증착되는 합금의 조성을 제어하는 것 또는 서로 다른 형상비들을 갖는 표면 오목부들내에 재료들을 보다 균일하게 증착시키는 것이 바람직하다.Electrochemical deposition chambers housed in a tool can also have a number of disadvantages. For example, during the electrolytic treatment in these chambers, a diffusion layer occurs on the surface of the workpiece in contact with the electrolyte. The concentration of material applied to or removed from the workpiece varies over the thickness of the diffusion layer. In many cases, it is desirable to reduce the thickness of the diffusion layer to increase the rate at which material is added to or removed from the workpiece. In other cases, controlling material transfer at the surface of the workpiece in another way, such as controlling the composition of the alloy deposited on the surface, or depositing materials more uniformly in surface recesses having different aspect ratios It is preferable to make it.
확산층 두께를 감소시키기 위한 한가지 접근법은 작업편의 표면에서 전해질의 흐름 속도를 증가시키는 것이다. 예로서, 일부 용기는 작업편의 표면에서 고속의 교반된 흐름을 생성하기 위해 작업편에 인접하게 회전 또는 병진하는 패들(paddle)을 포함한다. 한가지 특정 배열에서, 작업편은 처리 동안 제1 축(일반적으로, 작업편의 표면에 수직)을 따라 제1 거리 만큼 아노드(anode)로부터 이격 배치된다. 제1 축을 따라 제1 거리의 약 25%의 높이를 갖는 패들이 제1 축을 횡단하는 제2 축을 따라 아노드내의 작업편 사이에서 진동한다. 다른 배열들에서, 패들은 작업편에 대하여 회전한다. 또 다른 배열들에서, 작업편 표면에서의 흐름을 교반시키 기 위해 유체 제트들이 작업편으로 안내된다. One approach to reducing the diffusion layer thickness is to increase the flow rate of the electrolyte at the surface of the workpiece. By way of example, some containers include paddles that rotate or translate adjacent to the workpiece to produce a high speed, agitated flow at the surface of the workpiece. In one particular arrangement, the workpiece is spaced apart from the anode by a first distance along the first axis (generally, perpendicular to the surface of the workpiece) during processing. A paddle having a height of about 25% of the first distance along the first axis vibrates between the workpieces in the anode along a second axis traversing the first axis. In other arrangements, the paddle rotates relative to the workpiece. In still other arrangements, fluid jets are directed to the workpiece to agitate the flow at the workpiece surface.
상기 배열들은 다수의 단점들을 가지고 있다. 예로서, 하나 이상의 패들들 또는 유체 제트들로도 작업편의 표면에서 확산층 두께를 충분히 감소시키기 위해 필요한 흐름 속도들을 달성하기 곤란한 경우가 많다. 또한, 마이크로피쳐 작업편에 인접한 흐름을 교반하기 위해 패들이 사용될 때, 이는 전해질내의 전기장에 "샤도우들(shadows)"을 생성할 수 있으며, 이는 마이크로피쳐 작업편으로부터의 재료의 제거 또는 증착의 바람직하지 못한 비균일성들을 유발한다. 또한, 회전하는 패들들과 연계된 잠재적인 단점은 이들이 재료 적용/제거 프로세스의 반경방향 변동들을 정확하게 제어할 수 없을 수 있다는 것이며, 그 이유는 작업편에 대한 패들의 속도가 반경의 함수로서 변하며, 작업편의 중심에서 특이성(singularity)을 갖기 때문이다.The arrangements have a number of disadvantages. As an example, even one or more paddles or fluid jets are often difficult to achieve the flow rates necessary to sufficiently reduce the diffusion layer thickness at the surface of the workpiece. In addition, when a paddle is used to agitate the flow adjacent to the microfeature workpiece, it may create "shadows" in the electric field in the electrolyte, which is desirable for the removal or deposition of material from the microfeature workpiece. Cause inhomogeneities that do not occur. In addition, a potential disadvantage associated with rotating paddles is that they may not be able to accurately control the radial variations of the material application / removal process, because the speed of the paddle relative to the workpiece changes as a function of radius, This is because it has singularity in the center of the workpiece.
이런 패들들이 배치되어 있는 반응기들은 또한 다수의 단점들을 가질 수 있다. 예로서, 반응기내의 전극은 공간적으로 균일한 방식으로 작업편에 재료를 적용하거나 작업편으로부터 재료를 제거할 수 없어서 작업편의 일부 영역들에서 나머지들에서 보다 큰 속도로 재료를 얻거나 잃게 할 수 있다. 또한, 현존하는 디바이스들은 그 동안 디바이스들을 재구성(예로서, 전해질내의 전기장을 조절하기 위해 전극 및/또는 차폐부(shield)를 이동시킴으로써)하게 되는, 처리 기간들 사이의 길고, 비생산적인 시간 간격들을 필요로하지 않고는 작업편들의 서로다른 유형들에 및/또는 그들로부터 재료를 전달하도록 구성되지 않는다. 다른 단점은 패들들이 전극에 의해 생성되는 전기장의 균일성을 교란시킬 수 있으며, 이는 추가로 재료가 작업편에 적용되는 또는 작업편으로부터 제거되는 균일성에 영향을 준다는 것이다. 상기 배열들의 또 다른 단점은 용기가 또한 작업편에 적용된 재료의 자기 배향을 제어하기 위해 작업편 인근에 위치된 자석을 포함할 수 있다는 것이다. 전극이 서비스 또는 교체를 위해 용기로부터 제거될 때, 자석과 간섭 및/또는 자석을 손상시키지 않고, 이를 수행하는 것이 곤란하다. Reactors in which such paddles are placed can also have a number of disadvantages. As an example, an electrode in a reactor may not be able to apply material to or remove material from a workpiece in a spatially uniform manner, resulting in loss or loss of material at a greater rate than others in some areas of the workpiece. . In addition, existing devices require long, unproductive time intervals between processing periods, during which time the devices are reconfigured (eg, by moving the electrode and / or shield to adjust the electric field in the electrolyte). It is not configured to transfer the material to and / or from the different types of workpieces without. Another disadvantage is that the paddles can disturb the uniformity of the electric field generated by the electrodes, which further affects the uniformity that the material is applied to or removed from the workpiece. Another disadvantage of the arrangements is that the container may also include a magnet located near the workpiece to control the magnetic orientation of the material applied to the workpiece. When the electrode is removed from the container for service or replacement, it is difficult to do this without interfering with the magnet and / or damaging the magnet.
본 발명은 교반기를 가지는 처리 챔버와, 처리 챔버로 그리고 처리 챔버로부터 작업편을 이동시키기 위한 작업편 수송부 및 처리 챔버와 수송부를 서로에 대하여 위치설정하기 위한 정합 시스템을 포함하는 툴이다. 툴은 장착 모듈을 포함하며, 장착 모듈은 챔버와 수송부를 결합시키기 위한 부착 요소들과 위치설정 요소들을 구비한다. 위치설정 요소들은 처리 챔버가 제거되고 다른 처리 챔버와 교체될 때, 수송부가 재캘리브레이팅될 필요가 없도록 그 상대 위치들을 유지한다. The present invention is a tool comprising a processing chamber having an agitator, a workpiece transport for moving the workpiece into and out of the processing chamber and a mating system for positioning the processing chamber and the transport with respect to each other. The tool includes a mounting module, the mounting module having attachment elements and positioning elements for engaging the chamber and the transport. The positioning elements maintain their relative positions so that the transport does not need to be recalibrated when the processing chamber is removed and replaced with another processing chamber.
툴의 특히 유용한 실시예에서, 장착 모듈은 데크(deck)를 포함하고, 데크는 강성 외부 부재, 강성 내부 부재 및 외부 부재와 내부 부재 사이의 브레이싱(bracing)을 구비한다. 처리 챔버는 그후 데크에 부착된다. 모듈은 수송부를 배치하기 위한 위치설정 요소를 갖는 플랫폼을 추가로 포함한다.In a particularly useful embodiment of the tool, the mounting module comprises a deck, the deck having a rigid outer member, a rigid inner member and a bracing between the outer member and the inner member. The processing chamber is then attached to the deck. The module further includes a platform having a positioning element for placing the transport.
다른 유용한 실시예들에서, 처리 챔버내의 교반기는 유체 교반을 증가시키도록 교반기 둘레에 긴밀한 간격으로 교반기 챔버내에 위치되며, 따라서, 작업편의 표면에서 질량 전달 효과들을 향상시킨다. 교반기는 다수의 교반기 요소들을 포함할 수 있으며, 작업편을 전기적으로 세도우잉(shadowing)할 가능성을 감소시키기 위해 시간에 걸쳐 위치가 변하는 행정을 통해 왕복할 수 있다. 다수의 전극들(예로서, 디빙(thieving) 전극 포함)은 작업편의 표면에서 전류 밀도에 대한 공간적 및 시간적 제어를 제공한다. 전기장 제어 요소는 처리 위치의 서로 다른 부분에서 처리 유체내의 전류 밀도를 원주방향으로 변화시키기 위해 처리 위치와 챔버의 전극들 사이에 위치될 수 있으며, 그에 의해 작업편에 대하여 이들이 왕복할 때 패들에 의해 발생되는 잠재적 3차원 영향들을 상쇄한다. 자석은 작업편이 처리되는 위치에 인접하게(예로서, 자기적 지향성 재료의 적용을 제어하기 위해), 그러나 설치 또는 제거시 전극이 그를 따라 이동하는 경로에 인접하지 않게 배치될 수 있다.In other useful embodiments, the stirrer in the processing chamber is located in the stirrer chamber at tight intervals around the stirrer to increase fluid agitation, thus improving mass transfer effects at the surface of the workpiece. The stirrer may include a number of stirrer elements and may reciprocate through a stroke that changes position over time to reduce the likelihood of electrically shadowing the workpiece. Multiple electrodes (including, for example, thieving electrodes) provide spatial and temporal control over the current density at the surface of the workpiece. The electric field control element may be located between the processing position and the electrodes of the chamber to circumferentially change the current density in the processing fluid at different parts of the processing position, thereby allowing the paddles as they reciprocate with respect to the workpiece. Offsets potential three-dimensional effects that occur. The magnet may be arranged adjacent to the location where the workpiece is to be treated (eg, to control the application of the magnetic directional material) but not adjacent to the path that the electrode moves along upon installation or removal.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴의 개략적인 상면도.1 is a schematic top view of a wet chemical treatment tool in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2a는 본 발명의 실시예에 다른 습식 화학 처리 툴의 일부를 예시하는 등각도.2A is an isometric view illustrating a portion of a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 배열된 습식 화학 처리 툴의 상면도.2B is a top view of a wet chemical treatment tool arranged in accordance with an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴에 사용하기 위한 장착 모듈의 등각도.3 is an isometric view of a mounting module for use in a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴을 사용하기 위한 장착 모듈의 도 3의 선 4-4를 따른 단면도.4 is a cross-sectional view along line 4-4 of FIG. 3 of a mounting module for using a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.
도 5는 장착 모듈의 데크의 일부를 보다 상세히 도시하는 단면도. 5 is a cross-sectional view illustrating in more detail a portion of the deck of the mounting module.
도 6a는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 피쳐들을 가지는 처리 스테이션의 부분 개략 등각도.6A is a partial schematic isometric view of a processing station having features constructed in accordance with an embodiment of the present invention.
도 6b는 도 6a에 도시된 처리 스테이션의 등각 상면도.6B is an isometric top view of the processing station shown in FIG. 6A.
도 6c 및 도 6d는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 전극들 및 교반기들을 가지는 반응기의 개략도.6C and 6D are schematic views of a reactor having electrodes and agitators constructed in accordance with an embodiment of the present invention.
도 6e는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 자동식 교반기의 부분 개략 등각도.6E is a partial schematic isometric view of an automatic stirrer constructed in accordance with an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버에 대하여 위치된 자석 및 전극들을 가지는 반응기의 부분 파단 등각도.7 is a partially broken isometric view of a reactor having magnets and electrodes positioned relative to an agitator chamber in accordance with another embodiment of the present invention.
도 8은 도 7에 도시된 반응기의 부분 개략 단면도.8 is a partial schematic cross-sectional view of the reactor shown in FIG. 7.
도 9는 본 발명의 실시예에 다른 전극의 영향을 원주방향으로 변호시키도록 구성된 전기장 제어 요소의 개략도.9 is a schematic diagram of an electric field control element configured to circumferentially influence the influence of another electrode in an embodiment of the invention.
도 10은 전기장 제어 요소의 다른 실시예의 부분 개략도.10 is a partial schematic view of another embodiment of an electric field control element.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 개스킷으로서도 기능하는 전기장 제어 요소의 부분 개략 등각도.11 is a partial schematic isometric view of an electric field control element that also functions as a gasket according to an embodiment of the invention.
도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 형상들 및 구성들을 가지는 교반기들을 예시하는 도면.12A-12G illustrate agitators having shapes and configurations in accordance with another embodiment of the present invention.
도 13은 격자 구조를 가지는 교반기의 등각도.13 is an isometric view of a stirrer having a lattice structure.
도 14는 본 발명의 실시예에 따라 교반기 챔버의 내외로의 흐름을 개략적으로 예시하는 도면.14 schematically illustrates the flow into and out of an agitator chamber in accordance with an embodiment of the present invention.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버를 가지는 반응기의 부분 개략도.15 is a partial schematic view of a reactor having a stirrer chamber in accordance with another embodiment of the present invention.
도 16a 및 도 16b는 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 서로 다른 크기들로 이루어진 교반기 요소들을 가지는 교반기 챔버의 일부의 저면도 및 단면도. 16A and 16B are bottom and cross-sectional views, respectively, of a portion of an agitator chamber having agitator elements of different sizes in accordance with yet another embodiment of the present invention.
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 외피내에서 왕복하는 복수의 교반기의 단면도.17 is a cross-sectional view of a plurality of stirrers reciprocating in an envelope according to another embodiment of the present invention.
도 18은 그 길이에 걸쳐 변하는 높이를 가지는 교반기 요소의 부분 개략 등각도.18 is a partial schematic isometric view of an agitator element having a height varying over its length.
도 19a 내지 도 19f는 본 발명의 실시예에 따른 교반기 요소들의 왕복 행정을 변위시키기 위한 패턴을 개략적으로 예시하는 도면.19A-19F schematically illustrate a pattern for displacing a reciprocating stroke of agitator elements according to an embodiment of the invention.
본 명세서에서 사용시, 용어 "마이크로피쳐 작업편(microfeature workpiece)" 또는 "작업편"은 마이크로전자 디바이스들이 그 위에 및/또는 그 내부에 일체로 형성되는 기판들을 지칭한다. 통상적인 마이크로디바이스들은 마이크로전자 회로들 또는 콤포넌트들, 박막 기록 헤드들, 데이터 저장 요소들, 마이크로유동성 디바이스들 및 기타 제품들을 포함한다. 마이크로기계들 또는 마이크로기계적 디바이스들이 이 정의내에 포함되며, 이들은 집적 회로들의 제조에 사용되는 것과 매우 동일한 기술을 사용하여 제조되기 때문이다. 기판들은 반전도성 단편들(예로서, 도핑된 실리콘 웨이퍼들 또는 갈륨(gallium) 비화물 웨이퍼들), 비전도성 단편들(예로서, 다양한 세라믹 기판들) 또는 전도성 단편들일 수 있다. 일부 경우들에서, 작업편들은 실질적으로 라운드형이며, 다른 경우들에서, 작업편들은 직선형 형상들을 포함하는 다른 형상들을 가진다.As used herein, the term “microfeature workpiece” or “workpiece” refers to substrates on which microelectronic devices are integrally formed thereon and / or inside thereof. Typical microdevices include microelectronic circuits or components, thin film write heads, data storage elements, microfluidic devices and other products. Micromechanicals or micromechanical devices are included within this definition because they are manufactured using the very same technology used to manufacture integrated circuits. Substrates may be semiconducting fragments (eg, doped silicon wafers or gallium arsenide wafers), nonconductive fragments (eg, various ceramic substrates) or conductive fragments. In some cases, the workpieces are substantially rounded, and in other cases, the workpieces have other shapes, including straight shapes.
마이크로피쳐 작업편들의 습식 화학 처리를 위한 통합형 툴들의 다수의 실시예들이 작업편들의 구조체들내에 떠는 그 위에 전기영동 레지스터 또는 금속들을 증착시키는 것에 관하여 설명된다. 그러나, 본 발명에 따른 통합형 툴들은 반도체 기판들 또는 다른 유형의 작업편들내에 및/또는 그 위에 마이크로피쳐들의 제조시의 에칭, 헹굼 또는 다른 유형의 습식 화학 처리들에 사용될 수도 있다. 본 발명의 특정 실시예에 대한 전반적 이해를 제공하기 위해, 본 발명에 따른 툴들 및 챔버들의 다수의 예들이 도 1 내지 19f 및 하기의 설명에 기술되어 있다. 설명은 하기의 장들로 나뉘어진다 : (A) 장착 모듈들을 가지는 통합형 툴들의 실시예들, (B) 치수적으로 안정한 장착 모듈들의 실시예들, (C) 다수의 전극들 및 수납된 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들, (D) 전기장을 원주방향으로 변화시키기 위한 전기장 제어 요소들을 가지는 반응기들의 실시예들, (E) 교반기 챔버들을 위한 교반기들의 실시예들 및 (F) 전기장 차폐부를 감소시키기 위한 왕복 스케줄들 및 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들. 그러나, 본 기술의 숙련자는 본 발명이 부가적인 실시예들을 가질 수 있다는 것 및 본 발명이 도 1 내지 도 19f에 도시된 실시예들의 다수의 세부사항들을 구비하지 않고도 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다.Numerous embodiments of integrated tools for wet chemical processing of microfeature workpieces are described with respect to depositing electrophoretic resistors or metals thereon floating within the structures of the workpieces. However, integrated tools according to the present invention may be used for etching, rinsing or other types of wet chemical processes in the manufacture of microfeatures in and / or on semiconductor substrates or other types of workpieces. In order to provide a general understanding of a particular embodiment of the present invention, numerous examples of tools and chambers according to the present invention are described in FIGS. 1 to 19F and the description below. The description is divided into the following chapters: (A) embodiments of integrated tools with mounting modules, (B) embodiments of dimensionally stable mounting modules, (C) having a plurality of electrodes and housed agitators Embodiments of the reactors, (D) embodiments of the reactors having electric field control elements for circumferentially changing the electric field, (E) embodiments of the agitators for the agitator chambers, and (F) for reducing the electric field shield Embodiments of reactors with round trip schedules and agitators. However, those skilled in the art will understand that the present invention may have additional embodiments and that the present invention may be practiced without having many of the details of the embodiments shown in FIGS.
A. 장착 모듈들을 가지는 통합형 툴들의 실시예들 A. Embodiments of integrated tools with mounting modules
도 1은 하나 이상의 습식 화학 처리들을 수행할 수 있는 통합형 툴(100)을 개략적으로 예시한다. 툴(100)은 데크(164)를 수납하는 하우징 또는 캐비넷(102), 복수의 습식 화학 처리 스테이션들(101) 및 작업편 수송부 또는 수송 시스템(105)을 포함한다. 각 처리 스테이션(101)은 용기, 챔버 또는 반응기(110)와 반응기 (110)의 내외로 마이크로피쳐 작업편들(W)을 전달하기 위한 작업편 지지부(예로서, 부양-회전 유닛)(113)를 포함한다. 스테이션(101)은 헹굼/건조 챔버들, 세정 캡슐들, 에칭 캡슐들, 전자화학 증착 챔버들 또는 기타 유형의 습식 화학 처리 용기들을 포함할 수 있다. 수송 시스템(105)은 선형 트랙(104) 및 로봇(103)을 포함하며, 로봇은 트랙(104)을 따라 이동하여 툴(100)내에서 개별 작업편들(W)을 수송한다. 통합형 툴(100)은 작업편 로드/언로드 유닛(108)을 추가로 포함하며, 이는 작업편들(W)을 유지하기 위한 복수의 컨테이너들(107)을 구비한다. 동작시, 로봇(103)은 툴(100)내에서 사전결정된 작업흐름 스케줄에 따라서 작업편들(W)을 컨테이너들(107) 및 처리 스테이션들(101)로 및 그로부터 수송한다.1 schematically illustrates an
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 통합형 툴(100)의 일부를 도시하는 등각도이다. 통합형 툴(100)은 프레임(162), 프레임(162)에 장착된 치수적으로 안정한 장착 모듈(160), 복수의 습식 화학 처리 챔버들(110) 및 복수의 작업편 지지부들(113)을 포함한다. 장착 모듈(160)은 처리 챔버들(110) 및 작업편 지지부들(113)과, 수송 시스템(105)을 포함한다.2A is an isometric view of a portion of an
프레임(162)은 본 기술에 공지된 방식으로 함께 용접된 복수의 포스트들(163) 및 크로스바아들(161)을 갖는다. 복수의 외부 패널들 및 도어들(도 2a에는 미도시)은 일반적으로 프레임(162)에 부착되어 수납된 캐비넷(102)에 부착된다(도 1). 장착 모듈(160)은 적어도 부분적으로 프레임(162)내에 수납된다. 일 실시예에서, 장착 모듈(160)은 프레임(162)의 크로스바아들(161)에 의해 지지되지만, 장착 모듈(160)은 대안적으로, 설비의 플로어 또는 다른 구조체들상에 직접적으로 세워 질 수 있다.
장착 모듈(160)은 강성적인 안정한 구조체이며, 이는 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105) 사이의 상대 위치들을 유지한다. 장착 모듈(160)의 일 양태는 매우 보다 강성적이며, 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105) 사이의 상대 위치들이 시간에 걸쳐 변하지 않도록 프레임(162) 보다 현저히 큰 구조적 완전성을 갖는다는 것이다. 장착 모듈(160)의 다른 양태는 데크(164)상의 알려진 위치들에서 작업편 지지부들(113)과, 처리 챔버들(110)을 위치설정하기 위해 정확한 위치들에 위치설정 요소들을 갖는 치수적으로 안정한 데크(164)를 포함한다는 것이다. 일 실시예(미도시)에서, 수송 시스템(105)은 데크(164)에 직접적으로 장착된다. 도 2a에 도시된 배열에서, 장착 모듈(160)은 또한, 치수적으로 안정한 플랫폼(165)을 가지고, 수송 시스템(105)은 플랫폼(165)에 장착된다. 데크(164) 및 플랫폼(165)은 서로에 대하여 고정적으로 위치되고, 그래서, 데크(164)상의 위치설정 요소들 및 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들은 서로에 대하여 이동하지 않는다. 따라서, 장착 모듈(module)(160)은 데크(164)상의 정확한 위치들에 대체 콤포넌트들을 정확하게 위치시키는 방식으로, 습식 화학 처리 챔버들(110) 및 작업편 지지부(113)가 제거 및 교체가능한 콤포넌트들로 교체될 수 있는 시스템을 제공한다.The mounting
툴(100)은 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부(113) 또는 수송 시스템(105)의 빈번한 정비를 필요로 하는 요구 제원들을 갖는 응용처들을 위해 특히 적합하다. 습식 화학 처리 챔버(110)는 처리 데크(164)로부터 챔버를 간단히 분리 하고, 데크(164)상의 위치설정 요소들과 인터페이스(interface) 연결되도록 구성된 장착 하드웨어를 갖는 교체가능한 챔버와 챔버를 교체함으로써 수리 또는 정비될 수 있다. 장착 모듈(160)이 치수적으로 안정하고, 교체 처리 챔버(110)의 장착 하드웨어가 데크(164)와 결부되기 때문에, 챔버(110)는 수송 시스템(105)을 재캘리브레이팅하지 않고 데크(164)상에서 교체될 수 있다. 이는 툴(100)이 엄격한 성능 제원들을 갖는 응용처들에서 높은 처리량을 유지할 수 있도록 처리 챔버들(110)을 수리 또는 정비하는 것과 연계된 가동중단 시간(downtime)을 현저히 감소시키는 것으로 기대된다. The
도 2b는 장착 모듈(160)에 부착된 로드/언로드 유닛(108)과 수송 시스템(105)을 예시하는 툴(100)의 상면도이다. 도 2a 및 도 2b를 함께 참조하면, 트랙(104)은 플랫폼(165)에 장착되며, 특히, 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들과 결부되고, 그래서, 이는 데크(164)에 부착된 작업편 지지부들(113) 및 챔버들(110)에 대하여 정확하게 위치설정된다. 로봇(103)(작업편(W)을 파지하기 위한 엔드-이펙터들(end-effectors)(106) 포함)은 따라서, 장착 모듈(160)에 의해 형성된 고정식의 치수적으로 안정한 기준 프레임에서 작업편(W)을 이동시킬 수 있다. 도 2B를 참조하면, 툴(100)은 장착 모듈(160), 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105)을 캐비넷(102)내에 수납하기 위해 프레임(162)에 부착된 복수의 패널(166)을 추가로 포함할 수 있다. 대안적으로, 개방 툴을 제공하도록 처리 데크(164) 위의 영역에서 툴(100)의 일 측부 또는 양 측부들상의 패널(166)이 제거될 수 있다. 2B is a top view of the
B. 치수적으로 안정한 장착 모듈들의 실시예들 B. Embodiments of Dimensionally Stable Mounting Modules
도 3은 툴(100)(도 1 내지 도 2b)에 사용하기 위한 본 발명의 실시예에 따라 구성된 장착 모듈(160)의 등각도이다. 데크(164)는 강성적인 제1 패널(166a)과 제1 패널(166a) 아래에 중첩된 강성적인 제2 패널(166b)을 포함한다. 제1 패널(166a)은 외부 부재이고, 제2 패널(166b)은 외부 부재와 병치된 내부 부재이다. 대안적으로, 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)은 도 3에 도시된 것과 다른 구조들을 가질 수 있다. 복수의 챔버 리셉터클들(receptacles)(167)이 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)내에 배치되어 습식 화학 처리 챔버들(110)(도 2a)을 수용한다.3 is an isometric view of mounting
데크(164)는 제1 패널(166a)을 가로질러 정밀한 패턴으로 배열된 복수의 위치설정 요소들(168) 및 부착 요소들(169)을 추가로 포함한다. 위치설정 요소들(168)은 정확한 위치들에서 제1 패널(166a)내에 기계가공된 구멍들 및/또는 구멍들내에 수용된 못(dowel)들 또는 핀들을 포함한다. 또한, 못들은 습식 화학 처리 챔버들(110)(도 2A)과 결부되도록 구성된다. 예로서, 못들은 처리 챔버들(110)의 다른 인터페이스 부재들 또는 대응 구멍들에 수용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 위치설정 요소들(168)은 제1 패널(166a)내의 구멍들내에 위치되지 않고, 제1 패널(166a)로부터 상향으로 돌출하는 원통형 핀들 또는 원추형 핀들 같은 핀들을 포함한다. 데크(164)는 장착 모듈(160)상의 정밀한 위치들에서 개별 습식 화학 처리 챔버들을 정확하게 위치시키기 위해, 각 챔버 리셉터클(167)에 위치된 제1 챔버 위치설정 요소들(168a)의 세트를 구비한다. 또한, 데크(164)는 장착 모듈(160)상의 정확한 위치들에 정확하게 개별 작업편 지지부들(113)(도 2a)을 위치설정하기 위해 각 리셉터클(167) 부근에 제1 지지부 위치설정 요소들(168b)의 세트를 포함할 수도 있다. 제1 지지부 위치설정 요소들(168b)은 작업편 지지부들(113)의 대응 위치설정 요소들과 정합하도록 위치설정 및 구성된다. 부착 요소들(169)은 데크(164)에 작업편 지지부들(113) 및 챔버들(110)을 고정하기 위해 볼트들을 수용하는 제1 패널(166a)내의 나선식 구멍일 수 있다.
또한, 장착 모듈(160)은 데크(164)의 종방향 외부 에지들을 따른 외부 측부판들(170a), 데크(16)의 종방향 내부 에지들을 따른 내부 측부판들(170b) 및 데크(164)의 단부들에 부착된 단부판들(170c)을 포함한다. 수송 플랫폼(165)은 내부 측부판들(170b) 및 단부판들(170c)에 부착된다. 수송 플랫폼(165)은 장착 모듈(160)상에 수송 시스템(105)(도 2a 및 도 2b)의 트랙(104)(도 2a 및 도 2b)을 정확하게 위치설정하기 위한 트랙 위치설정 요소들(168c)을 포함한다. 예로서, 트랙 위치설정 요소들(168c)은 대응 구멍들, 핀들 또는 트랙(104의 다른 인터페이스 부재들과 정합하는 구멍들 또는 핀들을 포함할 수 있다. 수송 플랫폼(165)은 플랫폼(165)에 트랙(104)을 고정하기 위해 볼트들을 수용하는 탭형(tapped) 구멍들 같은 부착 요소들(169)을 추가로 포함할 수 있다. Furthermore, mounting
도 4는 데크(164)의 내부 구조체의 한가지 적절한 실시예를 예시하는 단면도이며, 도 5는 도 4에 도시된 데크(164)의 일부의 상세도이다. 데크(164)는 내부 측부판들(170b) 및 외부 측부판들(170a) 사이에서 측방향으로 연장하는 조이스트들(joists) 같은 브레이싱(171)을 포함한다. 제1 패널(166a)은 브레이싱(171)의 상부측에 부착되고, 제2 패널(166b)은 브레이싱(171)의 하부측에 부착된다. 데크(164) 는 복수의 관통볼트들(172) 및 너트들(173)을 추가로 포함할 수 있으며, 이들은 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)을 브레이싱(171)에 고정한다. 도 5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 브레이싱(171)은 복수의 구멍들(174)을 가지며, 이를 통해 관통볼트들(172)이 연장한다. 너트들(173)은 이들 콤포넌트들 사이의 연결을 향상시키도록 볼트들(172)에 용접될 수 있다.4 is a cross-sectional view illustrating one suitable embodiment of the internal structure of
데크(164)의 브레이싱 및 패널들은 스테인레스 강, 다른 금속 합금들, 솔리드 캐스트 재료들 또는 섬유 보강 합성물들로 이루어질 수 있다. 예로서, 패널들 및 판들은 Nitronic 50 스테인레스 강, Hastelloy 625 강 합금들 또는 마이카(mica)로 충전된 솔리드 캐스트 에폭시로 이루어질 수 있다. 섬유 보강 합성물들은 경화된 수지내에 탄소-섬유 또는 Kevlar® 메시를 포함할 수 있다. 패널들(166a 및 166b)을 위한 재료는 매우 강성적이어야 하며, 습식 화학 처리들에서 사용되는 화학제들과 공존할 수 있어야 한다. 스테인레스 강은 다수의 용례들에 매우 적합하며, 그 이유는 이는 강하지만, 습식 화학 처리들에서 사용되는 다수의 전해액들 또는 세정액들에 의해 영향을 받지 않기 때문이다. 일 실시예에서, 패널들 및 판들(166a-b 및 170a-c)은 0.125 내지 0.375in 두께의 스테인레스 강이며, 보다 구체적으로, 이들은 0.250in 두께 스테인레스 강일 수 있다. 그러나, 패널들 및 판들은 다른 실시예들에서 서로 다른 두께들을 가질 수 있다.The bracing and panels of
브레이싱(171)은 또한 스테인레스 강, 섬유 보강 합성 재료들, 기타 금속 합금들 및/또는 솔리드 캐스트 재료들일 수 있다. 일 실시예에서, 브레이싱은 0.5 내지 2.0in 넓이 스테인레스 강 조이스트들일 수 있으며, 보다 구체적으로 1.0in 높 이 x 2.0in 높이 스테인레스 강 조이스트들일 수 있다. 다른 실시예들에서, 브레이싱(171)은 금속(예로서, 스테인레스 강, 알루미늄, 티타늄 등), 폴리머들, 섬유 유리(fiber glass) 또는 다른 재료들로 이루어진 허니콤 코어 또는 다른 구조체들일 수 있다.The bracing 171 may also be stainless steel, fiber reinforced synthetic materials, other metal alloys and / or solid cast materials. In one embodiment, the bracing may be 0.5 to 2.0 in wide stainless steel joists, and more specifically 1.0 in high x 2.0 in high stainless steel joists. In other embodiments, the bracing 171 may be a honeycomb core or other structures made of metal (eg, stainless steel, aluminum, titanium, etc.), polymers, fiber glass, or other materials.
장착 모듈(160)은 데크(164)의 섹션들을 조립하고, 그후, 용접 또는 다른 방식으로 단부판들(170c)을 데크(164)의 섹션들에 부착함으로써 구성된다. 데크(164)의 콤포넌트들은 일반적으로, 용접부들 없이 관통볼트들(172)에 의해 함께 고정된다. 외부 측부판들(170a) 및 내부 측부판들(170b)은 용접부들 및/또는 패스너들을 사용하여 데크(164) 및 단부판들(170c)에 부착된다. 그후, 플랫폼(165)은 단부판들(170c) 및 내부 측부판들(170b)에 견고히 부착된다. 장착 모듈(160)이 조립되는 순서는 변할 수 있으며, 상술한 절차에 제한되지 않는다.Mounting
도 3으로 돌아가면, 장착 모듈(160)은 교체 처리 챔버(110) 또는 작업편 지지부(113)가 데크(164)에 장착되는 각 시기 마다 수송 시스템(105)이 재캘리브레이팅될 필요가 없는 범위 이내로, 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들(168c)과 데크(164)상의 위치설정 요소들(168a-b) 사이의 상대 위치들을 유지하는 헤비-듀티 치수 안정성 구조체를 제공한다. 장착 모듈(160)은 일반적으로, 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105)이 장착 모듈(160)에 장착될 때, 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 유지하기에 충분히 강한 강성 구조체이다. 다수의 실시예들에서, 장착 모듈(160)은 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 0.025in 이내로 유지하도록 구성된다. 다 른 실시예들에서, 장착 모듈은 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 약 0.005 내지 0.015in 이내로 유지하도록 구성된다. 이와 같이, 데크(164)는 종종 약 0.025in 이내로, 보다 특정한 실시예들에서는 약 0.005 내지 0.015in 이내로 균일하게 평탄한 표면을 유지한다. Returning to FIG. 3, the mounting
C. 다수의 전극들 및 수납된 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들 C. Embodiments of Reactors with Multiple Electrodes and Receiving Stirrer
도 6a는 본 발명의 실시예에 따른 피쳐들을 가지는 처리 스테이션(101)의 등각도이다. 스테이션(101)은 전자화학 처리 유체를 담도록 구성된 용기(112), 처리 유체와 접촉하여 마이크로피쳐 작업편(W)을 해제가능하게 지지하도록 위치된 작업편 지지부(113) 및 마이크로피쳐 작업편(W)의 표면에 인접한 처리 유체를 교반하도록 위치된 교반기(140) 또는 다른 유체 제어 디바이스를 포함한다. 교반기(140)는 하나 이상의 교반기 요소들(141)(예로서, 패들들 또는 패들 요소들)을 포함할 수 있다. 본 실시예의 특정 양태에서, 작업편 지지부(113)는 트랙(187)을 따라 용기(112)에 대하여 상향 및 하향으로 이동하는 헤드 지지부(186)에 의해 지지되는 헤드(185)를 포함한다. 도관들(188)은 제1 커넥터(189a)(작업편 지지부(113)에 부착됨) 및 제2 커넥터(189b)(툴(100)에 부착됨)를 경유하여 툴(100)(도 1)의 잔여부와 작업편 지지부(113) 사이의 유체 및 전기 소통을 제공한다.6A is an isometric view of
헤드(185)는 상향 대면 위치(마이크로피쳐 작업편(W)을 로드 및 언로드하기 위해) 및 하향 대면 위치(처리를 위해) 사이에서 회전한다. 작업편(W)이 하향 대면 위치에 있을 때, 헤드(185)는 작업편(W)이 용기(112)내의 처리 유체와 접촉하게 하도록 하강한다. 또한, 헤드(185)는 작업편(W)의 하향 표면에 실질적으로 수직인 축 둘레에서 작업편(W)을 스피닝할 수 있다. 본 실시예의 일 양태에서, 헤드(185)는 처리 이전에 작업편(W)을 선택된 배향으로 스피닝(spining)한다(예로서, 자기 응답성 재료들의 증착 동안을 포함하여, 처리가 작업편(W)의 배향에 민감할 때). 또 다른 실시예들에서, 헤드(185)는 예로서, 처리 이전, 도중 또는 이후의 스피닝이 수행되는 처리에 유리하지 않을 때, 스피닝하지 않는다. 이들 실시예들 중 임의의 실시예에서, 헤드(185)는 처리 이후 상승하고, 그후, 처리 스테이션(101)으로부터 작업편(W)을 언로딩하기 위해 반전한다.The
도 6a에 도시된 실시예의 특정 양태에서, 처리 스테이션(101)은 용기(112) 둘레에 배치된 실질적인 편자형 자석(195)을 포함한다. 자석(195)은 특정 방향으로 작업편(W)에 적용되는 재료의 분자들을 배향하도록 위치된 전자석 및/또는 영구 자석을 포함한다. 예로서, 이런 배열은 작업편(W)에 퍼멀로이(permalloy) 및/또는 다른 자기적 지향성 재료들을 적용하기 위해 사용된다. 다른 실시예들에서, 자석(195)은 제거된다.In a particular aspect of the embodiment shown in FIG. 6A, the
도 6b는 예시를 위해 작업편 지지부(113)가 제거되어 있는, 도 6a를 참조로 상술된 처리 스테이션(101)의 일 실시예의 등각 상면도이다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 교반기 요소들(141)은 마이크로피쳐 작업편(W)(도 6b에 가상선들로 도시됨) 바로 아래에서 챔버(130)(예로서, 교반기 챔버 또는 흐름 제어 챔버)내에 배치된다. 따라서, 마이크로피쳐 작업편(W)은 교반기 챔버(130)를 위한 상단면의 일부를 형성한다. 본 실시예의 특정 양태에서, 처리 유체는 교반기 챔버(130)를 횡단하여 수집 포트들(139a)(화살표들 B로 표시된 바와 같이)을 통해 작업편(W) 아래로부터 출현하도록 측방향으로(화살표 A로 표시된 바와 같이) 교반기 챔버(130)내로 도입된다. 그후 처리 유체는 화살표들 C로 표시된 바와 같이 교반기 챔버(130) 둘레로 이동하고, 제거 또는 재순환을 위해 일련의 드레인 포트들(drain ports)(139b)내에 수집된다(화살표 D로 표시된 바와 같이). 따라서, 일 실시예에서, 드레인 포트들(139b)은 용기내의 처리 유체의 최대 높이에서 유체 평면을 형성한다. 교반기 챔버(130)의 적어도 일부(그리고, 도 6B에 도시된 바와 같이, 교반기 챔버(130)의 전체)는 유체 평면 아래의 처리 유체 내에 침지된다. 처리 유체가 교반기 챔버(130)를 통해 이동하는 동안, 작업편(W) 바로 아래에 위치된 교반기 요소들(141)은 실질적인 선형 운동 경로(화살표 E로 표시됨)를 따라 전후로 왕복하여 작업편(W)의 표면에서 질량 전달 프로세스를 향상시킨다.6B is an isometric top view of one embodiment of the
도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로피쳐 작업편들을 처리하도록 구성된 반응기(110)의 개략도이다. 반응기(110)는 외부 용기(111)내에 배치된 내부 용기(112)를 포함한다. 처리 유체(예로서, 전해질)는 입구(116)에서 내부 용기(112)에 공급되고, 둑(118) 위로 외부 용기(111)로 상향 유동한다. 처리 유체는 드레인(117)에서 반응기(110)를 벗어난다. 전극(121)은 내부 용기(112)내에 배치되고, 교반기 챔버(130)는 전극(121)의 하류에 배치된다. 교반기 챔버(130)는 화살표 R로 표시된 바와 같이 중심 위치(180)에 대하여 전후로 왕복하는 교반기 요소들(141)(예로서, 패들들)을 구비하는 교반기(140)(예로서, 패들 디바이스)를 포함한다. 또한, 챔버(130)는 처리 위치(P)를 형성하는 개구(131)를 갖는다. 마이크로피쳐 작업편(W)은 작업편 지지부(113)에 의해 처리 위치(P)에서 지지되며, 그래서, 작업편(W)의 하향 대면 처리면(109)은 처리 유체와 접촉한다. 작업편 지지부(113)는 작업편(W)상에 수행되는 처리의 특성에 따라 회전하거나 회전하지 않을 수 있다. 또한, 작업편 지지부(113)는 작업편(W)의 전방면 또는 후방면에 전류를 공급하는 작업편 접촉부(115)(예로서, 링 접촉부)를 포함한다. 밀봉부(seal)(114)가 작업편 접촉부(115) 둘레로 연장하여 처리 유체에 대한 노출로부터 보호한다. 다른 배열에서, 밀봉부(114)가 제거될 수 있다.6C is a schematic diagram of a
전해 증착(electrolytic deposition) 동안, 작업편 접촉부(115) 및 작업편(W)은 캐소드(cathode)로서 기능하고, 전극(121)은 아노드(anode)로서 기능한다. 처리 유체는 전극(121)을 지나, 패들 챔버(130)를 통해, 작업편(W)의 처리면(109)에 이온들을 공급하도록 흐른다. 전해에칭 동안, 작업편(W)은 아노드로서 기능하고, 전극(121)은 캐소드로서 기능하여 처리 표면(109)으로부터 재료를 제거한다. 다른 실시예들에서, 질량 전달 프로세스는 다른 증착 처리들(예로서, 무전해 증착) 또는 다른 재료 제거 처리들을 포함한다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 교반기 요소들(141)이 작업편(W)에 인접하게 왕복하여, 처리 표면(109)에서 발생하는 질량 전달 프로세스를 향상시키는 동안 처리 유체는 교반기 챔버(130)를 통해 흐른다. 교반기 요소들(141)의 크기들, 형상들 및 구성들, 그들이 왕복하는 방식 및, 교반기 챔버(130)의 한정된 체적은 반응기(110)내의 전기장에 대한 교반기 요소들(141)의 영향을 감소시키고, 질량 전달 프로세스를 추가로 향상시킨다. 이들 피쳐들의 다른 양태들을 도 7 내지 도 19f를 참조로 후술한다.During electrolytic deposition, the
도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 전극 지지부(120)를 갖는 반 응기(110)의 개략도이다. 전극 지지부(120)는 격실 벽(123)에 의해 분리된 복수의 일반적인 환형 전극 격실들(122)을 포함한다. 대응하는 복수의 환형 전극들(121)이 전극 격실들(122)내에 배치된다. 격실벽들(123)은 유전 재료로 형성되며, 격실벽들(123)의 에지들 사이의 간격들은 교반기 챔버(130) 바로 아래에 합성 가상 아노드 위치(V)를 형성한다. 여기서 사용시, 용어 "가상 아노드 위치" 및 "가상 전극 위치"는 하나 이상의 전극들 또는 아노드들을 위한 모든 전류 플럭스(current flux)가 통과하는 물리적 아노드들 또는 전극들로부터 이격된 평면을 지칭한다. 전극들(121) 각각을 통해 흐르는 전류 및/또는 각 전극들(121)에 인가된 전위의 극성은 처리 위치(P)에서 작업편(W)으로부터 재료가 추가 또는 제거되는 방식을 제어하도록 선택될 수 있다. 대안적으로, 반응기(110)가 교반기(140)에 의해 제공되는 처리 표면(109)에서의 향상된 질량 전달 효과들로부터 여전히 이득을 얻는 처리들(무전해 증착 처리들 같은)을 수행하기 위해 사용될 때, 전극들(121)은 제거될 수 있다.6D is a schematic diagram of a
도 6e는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 교반기(140)를 가지는 교반기 시스템(142)의 부분 개략 등각도이다. 교반기(140)는 복수의 교반기 요소들(141)(도 3에는 6개가 도시됨)을 포함하며, 이들 각각은 외향 지향 교반기 표면들(147)을 갖는다. 따라서, 이웃 교반기 요소들(141)의 교반기 표면들(147)은 서로 이격 배치된다. 교반기(140)는 화살표 R로 표시된 바와 같이 선형적인 왕복식으로 교반기(140)를 이동시키도록 모터(143)에 의해 구동되는 지지부(144)를 추가로 포함한다. 모터(143)는 커플러(145)(예로서, 리드 스크류)로 지지부(144)에 결합된다. 벨로우즈(bellows)(146)가 커플러(145) 둘레에 배치되어 커플러(145)를 상술된 처리 유체에 대한 노출로부터 보호한다. 콘트롤러(152)는 교반기(140)의 운동을 도입한다. 세장형 흐름 규제기들이 교반기 요소들(141)을 횡단하고 연장하여 교반기 챔버(130)(도 2) 외측으로 직접적으로 유체가 탈출하는 것을 규제 및/또는 방지한다. 후술된 바와 같이(예로서, 도 12a 내지 도 13을 참조로), 교반기 요소들(141)은 국지적 전기장에 대한 현저한 영향을 생성하지 않고, 그들이 그 내부에서 왕복하는 처리 유체를 교반하도록 성형되어 있다.6E is a partial schematic isometric view of a
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 반응기(710)의 부분 개략 단면도이다. 반응기(710)는 하부 부분(719a), 하부 부분(719a) 위의 상부 부분(719b) 및 상부 부분(719b) 위의 교반기 챔버(730)를 포함한다. 하부 부분(719a)은 전극 지지부 또는 팩(720)을 수납하고, 이는 순차적으로, 복수의 환형 전극들(721)(도 7에 전극들 721a 내지 721d로 도시)을 수납한다. 하부 부분(719a)은 클램프(726)로 상부 부분(719b)에 결합된다. 하부 부분(719a) 및 상부 부분(719b) 위에 배치된 천공형 개스킷(727)은 이들 두 부분들 사이의 유체 및 전기 소통을 가능하게 한다.7 is a partial schematic cross-sectional view of a
교반기 챔버(730)는 베이스(733) 및 처리 위치(P)에서 개구(731)를 가지는 상단부(734)를 포함할 수 있다. 교반기 챔버(730)는 처리 위치(P)에서 작업편(W)(도 7에 가상선들로 도시) 아래에서 전후로 왕복하는 다수의 교반기 요소들(741(을 구비하는 교반기(740)를 수납한다. 자석(795)은 처리 위치(P)에 인접 배치되어, 처리 유체에 의해 작업편(W)상에 증착되는 자기 지향성 재료들의 배향을 제어한다. 처리 위치(P) 위에 위치된 상부 링 부분(796)은 전자화학 처리 동안 배기 가스들을 수집하고, 헹굼 동안 헹굼 유체를 수집한다. 헹굼 유체는 하나 이상의 노즐들(798) 에 의해 제공된다. 일 실시예에서, 노즐(798)은 상부 링 부분(796)의 벽으로부터 돌출한다. 다른 실시예들에서, 노즐 또는 노즐들(798)은 벽과 표면이 일치하거나, 벽으로부터 오목하게 형성되어 있다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 노즐 또는 노즐들(798)은 처리 위치(P) 위로 작업편(W)이 상승될 때, 그리고, 선택적으로, 작업편(W)이 스피닝되는 동안, 작업편(W)을 향해 유체의 스트림(예로서, 헹굼 유체)을 안내하도록 배치된다. 따라서, 노즐(들)(798)은 선택된 처리 시간이 경과한 이후 작업편(W)으로부터 처리 유체를 신속히 헹구어내도록 현장 헹굼 기능을 제공한다. 이는 화학적으로 활성적인 유체들이 헹굼 이전의 비교적 짧은 처리후 시간 동안 작업편(W)과 접촉하여 남아있는 경우에 발생할 수 있는, 경과된 시간 이후의 비의도적 처리를 감소시킨다.
처리 유체는 입구(716)를 통해 반응기(710)에 들어간다. 입구(716)를 통해 진행하는 유체는 하부 부분(719a) 및 상부 부분(719b)을 충전하고, 베이스부(733)의 투과성 부분(733a) 및 베이스(733)내의 간격들을 통해 교반기 챔버(730)에 들어간다. 처리 유체 중 일부는 제1 및 제2 흐름 수집기들(717a, 717b)을 통해 반응기(710)를 벗어난다. 부가적인 처리 유체가 입구 포트(716a)로부터 직접적으로 교반기 챔버(730)에 도입되고, 제1 벽(732a)내의 간격을 통해, 교반기 챔버(730)를 측방향으로 가로질러 제2 벽(732b)내의 간격으로 진행한다. 교반기 챔버(730)내의 처리 유체의 적어도 일부는 처리 위치(P) 위로 상승하고, 드레인 포트들(797)을 통해 배출된다.Process fluid enters
반응기(710)는 도 2a 내지 도 5를 참조로 상술된 바와 실질적으로 유사한 방 식으로, 강성 데크(764)에 장착된다. 따라서, 데크(764)는 패스너들 및 브레이싱(도 7에는 도시되지 않음)에 의해 제2 패널(766b)에 대하여 지지된 제1 패널(766a)을 포함한다. 챔버 위치설정 요소들(768a)(예로서, 못 핀들)은 제1 패널(766a)로부터 상향 돌출하며, 반응기(710)의 베이스판(777)내에 정확하게 위치된 구멍들내에 수용된다. 베이스판(777)은 패스너들(도 7에는 미도시), 예로서, 너트들 및 볼트들로 데크(764)에 부착된다. 베이스판(777)은 또한 부가적인 못들 및 패스너들로 반응기(710)의 나머지에 정렬 및 고정된다. 따라서, 반응기(710)(그리고, 임의의 교체 반응기(710))는 데크(764), 대응 작업편 지지부(113)(도 1) 및 대응 수송 시스템(105)(도 1)에 대하여 정확하게 위치된다.
도 7에 도시된 배열의 한가지 특징은 하부 부분(719a)(전극 지지부(720)를 수납하는)이 화살표 F로 표시된 바와 같이 설치/제거 축(A)을 따라 전극 지지부(720)를 이동시킴으로써 상부 부분(719b)에 결합 및 그로부터 분리된다는 것이다. 따라서, 전극 지지부(720)는 설치 및 제거 동안 자석(795)의 개방 중심을 통과할 필요가 없다. 이 피쳐의 장점은 전극 지지부(720) 및/또는 전극(721)(강자성 재료 같은 자기 응답성 재료를 포함할 수 있음)이 설치 및/또는 제거 동안 자석(795)을 향해 당겨질 가능성이 낮다는 것이다. 이 피쳐는 전극 지지부(720)의 설치를 실질적으로 보다 단순하게 한다. 예로서, 이 피쳐는 자석(745)의 설치 및/또는 제거를 취급하기 위해 특수화된 호이스트 장비에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 이 피쳐는 또한 전극 지지부(720) 또는 반응기(710)의 다른 부분들(자석(795) 포함) 중 어느 하나에 대한 손상 가능성을 감소시킬 수 있다. 이런 손상은 전극 지지부(720) 또는 전극들(721)과 자석(795) 사이의 인력들에 의해 유발되는 충격으로부터 초래할 수 있다.One feature of the arrangement shown in FIG. 7 is that the
도 8은 실질적으로 도 7의 선 8-8을 따라 취해진 반응기(710)의 실시예의 단면 측면도이다. 하부 및 상부 부분들(719a, 719b)은 다수의 격실벽들(823)(도 8에는 격실벽들(823a 내지 823d)로 4개가 도시됨)을 포함하고, 이들은 이들 부분들내의 체적을 대응하는 복수의 환형 격실들(822)(도 8에는 격실들(822a 내지 822d)로서 4개가 도시됨)로 분할하며, 이들 각각은 전극들(721) 중하나를 수납한다. 인접 격실벽들(823) 사이의 간격들(예로서, 격실벽들(823)의 상단부들에서)은 이들 위치들에서 "가상 전극들"을 제공한다. 투과성 베이스부(733a)는 또한 가상 전극 위치를 제공할 수 있다.FIG. 8 is a cross-sectional side view of an embodiment of the
전극들(721a 내지 721d)은 파워 서플라이(828) 및 콘트롤러(829)에 결합된다. 파워 서플라이(828) 및 콘트롤러(829)는 함께 작업편(W) 및 전극들(721a 내지 721d) 각각에 인가되는 전류 및 전위를 제어한다. 따라서, 조작자는 공간적 및/또는 시간적으로 변하는 방식으로, 작업편(W)에 재료가 적용되는 및/또는 작업편(W)으로부터 재료가 제거되는 속도를 제어할 수 있다. 특히, 조작자는 최외부 전극(721d)을 전류 디프(current thief)로서 동작하도록 선택할 수 있다. 따라서, 증착 처리 동안, 최외부 전극(721d)은 그렇지 않으면 작업편(W)에 부착되게 될 이온들을 당긴다. 이는 터미널 효과, 예로서, 작업편 접촉부(115)(도 6)가 작업편(W)의 외주와 접촉할 때, 그 중심에서 보다 그 외주에서 보다 급속하게 도금되도록하는 작업편(W)의 경향을 상쇄할 수 있다. 대안적으로, 조작자는 적용된 재료의 원하는 두께 분포(예로서, 평탄, 에지 후육화(thick) 또는 에지 박화)를 생성하기 위해, 작업편(W)을 가로지른 전류 분포를 시간적 및/또는 공간적으로 제어할 수 있다.
상술한 배열의 장점은 다수의 전극들이 조작자에게 작업편(W)에 재료가 적용되는 또는 작업편(W)으로부터 재료가 제거되는 방식 및 속도에 대한 증가된 제어를 제공한다는 것이다. 다른 장점은 조작자가 반응기(710)의 물리적 조절 파라미터들이 아닌 각 전극에 인가되는 전류 및/또는 전위를 조절함으로써, 연속적으로 처리되는 작업편들 또는 작업편 배치들 사이의 편차들을 고려할 수 있다는 것이다. An advantage of the arrangement described above is that the multiple electrodes provide the operator with increased control over the speed and the manner in which material is applied to or removed from the workpiece W. FIG. Another advantage is that the operator can take into account variations between workpieces or workpiece batches that are processed continuously by adjusting the current and / or potential applied to each electrode rather than the physical control parameters of the
최외부 전극(721d)이 전류 디프로서 동작할 때, 한편으로는 최외부 전극(721d)과 다른 한편으로는 최내부 전극들(721a 내지 721c) 사이의 전기적 격리를 유지하는 것이 바람직하다. 따라서, 반응기(710)는 제1 반환 흐름 수집기(717a) 및 제2 반환 흐름 수집기(717b)를 포함한다. 제1 반환 흐름 수집기(717a)는 최내부 3개 전극 격실들(822a 내지 822c)로부터의 흐름을 수집하고, 제2 반환 흐름 수집기(717b)는 최외부 전극 격실(822d)로부터의 처리 유체를 수집하여, 최외부 전극(721d)을 위한 전기적 격리를 유지한다. 처리 유체를 전극들(721)을 향해 하향으로 배수함으로써, 이 배열은 또한 미립자들(예로서, 소모성 전극들로부터의 박편들)이 교반기 챔버(730)에 들어갈 가능성을 감소시킬 수도 있다. 최외부 전극(721d)을 처리 위치(P)로부터 이격 배치함으로써, 이는 처리 위치(P)에 인접한 구조체들을 교란하지 않고 쉽게 제거 및 설치될 수 있다. 이는 처리 위치에 바로 인접하게 배치된 전류 디프들을 가지는 소정의 현존하는 배열들과는 다르다.When the
도 7 및 도 8을 참조로 상술된 반응기(710)의 실시예의 일 특징은 전극들 (721)이 처리 위치(P)로부터 원격 배치된다는 것이다. 이 피쳐의 장점은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서의 전류 밀도의 원하는 분포가 전극들(721)이 형상이 변할 때에도 유지될 수 있다는 것이다. 예로서, 전극들(721)이 소모성 전극들을 포함하고, 도금 처리들 동안 형상이 변할 때, 전극들(721)과 처리 위치(P) 사이의 증가된 거리는 처리 위치(P)에 근접 배치된 전극들의 영향에 비해, 처리 표면(109)에서의 전류 밀도에 대한 형상 변경의 영향을 감소시킨다. 이 장점은 전류 디프로서 동작하면서, 전도성 재료를 잃는 대신 얻음으로써 형상이 변하는 전극들에도 마찬가지로 적용된다. 다른 장점은 전극들(721)과 작업편(W) 사이의 유동 경로내의 피쳐들(예로서, 개스킷(727))에 의해 도입되는 세도우잉 효과들이 처리 위치(P)와 전극들(721) 사이의 증가된 간격으로 인해 감소될 수 있다는 것이다.One feature of the embodiment of the
다른 배열들에서, 전극들(721)은 다른 위치들 및/또는 구성들을 갖는다. 예로서, 일 배열에서, 챔버 베이스(733)는 하나 이상의 전극들(721)을 수납한다. 따라서, 챔버 베이스(733)는 복수의 동심, 환형, 다공성 전극들(예로서, 소결된 금속으로 형성된)을 포함하여, (a) 처리 위치(P)에서의 공간적 및/또는 시간적으로 제어가능한 전기장들 및 (b) 교반기 챔버(730)내로의 흐름 경로를 제공할 수 있다. 대안적으로, 교반기 요소들(741) 자체는 특히, 비 소모성 재료로 형성될 때, 전극들로서 기능하도록 전기장에 결합될 수 있다. 또 다른 배열들에서, 반응기(710)는 4개 보다 많거나 작은 전극들을 포함 할 수 있으며, 및/또는 전극들은 처리 위치(P)로부터 보다 떨어져 배치될 수 있고, 도관들을 경유하여 처리 위치(P)와 유체 및 전기 소통을 유지할 수 있다.In other arrangements, the electrodes 721 have other positions and / or configurations. As an example, in one arrangement,
D. 원주방향으로 변하는 전기장을 위한 전기장 제어 요소들을 가지는 반응기들의 실시예 D. Embodiments of Reactors with Electric Field Control Elements for Circumferentially Changing Electric Fields
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 교반기 챔버(930)내에 배치된 교반기(940)를 가지는 반응기(910) 위에서 아래로 본 부분 개략도이다. 교반기 챔버(930) 및 교반기(940)는 도 6 내지 도 8을 참조로 상술된 교반기들 및 교반기 챔버들과 일반적으로 유사하게 배열되어 있다. 따라서, 교반기(940)는 교반기 운동축(991)을 따라 작업편(W)에 대하여 이동가능한(도 9에 가상선들로 도시), 그리고, 교반기 축(990)에 평행하게 세장형인 복수의 교반기 요소들(941)을 포함한다.9 is a partial schematic view from above of the
세장형 교반기 요소들(941)은 원주방향으로 변하는 방식으로 원형 작업편(W)에 인접한 전기장의 균일성에 잠재적인 영향을 준다. 따라서, 반응기(910)는 이 전류 분포의 잠재적 원주방향 변화를 고려하도록 디빙 전극(도 9에는 미도시)의 영향을 원주방향으로 변화시키기 위한 피쳐들을 포함한다. The
도 9에 도시된 교반기 챔버(930)는 아래의 전극 챔버들을 분리시키는 벽들(932)의 상부 에지들에 의해(도 9에서 제3 벽(923c) 및 제4 또는 외부벽(923d)을 볼 수 있음), 그리고, 투과성 베이스부(933a)에 의해 형성된 베이스(933)를 포함한다. 제3 벽(923c)은 제3 벽 간격(925c)에 의해 투과성 베이스부(933a)로부터 이격 배치되고, 제3 벽(923d)은 원주방향으로 변하는 제4 벽 간격(925d)에 의해 제3 벽(923c)으로부터 이격 배치된다. 간격들(925c 및 925d)은 예시를 위해 양자 모두 음영처리되어 있다. 음영처리된 개구들은 또한 본 실시예의 일 양태에서, 최외부 2개 전극들을 위한 가상 아노드 위치들을 나타낸다.The
제4 벽 간격(925d)은 도 9에 도시된 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 좁은 부분(999a) 및 도 9에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접한 넓은 부분들(999b)을 갖는다. 예시의 목적으로, 좁은 부분들(999a)과 넓은 부분들(999b) 사이의 불균형들은 도 9에 과장되어 있다. 특정 예에서, 좁은 부분들(999a)은 약 0.16in의 폭을 가지며, 넓은 부분들(999b)은 약 0.18in 내지 약 0.22in의 폭을 갖는다. 좁은 부분들(999a) 및 넓은 부분들(999b)은 3:00 및 9:00 위치들 보다 12:00 및 6:00 위치들에서 보다 강한 디프 전류의 원주방향으로 변화하는 분포를 생성한다(제4 벽 간격(925d) 아래에 위치된 전류 디프에 의해 제공됨). 특히, 디프 전류는 작업편(W) 및/또는 처리 위치(P)의 중심으로부터 대략 동일한 반경방향 거리인 서로 다른 원주방향 위치들에서 서로 다른 값을 갖는다. 대안적으로, 원주방향으로 변하는 제4 벽 간격(925d) 또는 원주방향으로 변하는 제3 벽 간격(925c) 또는 다른 간격은 예로서, 원주방향으로 변하는 도금 또는 디플레이팅(deplating) 요구들을 갖는 작업편(W)상에 3차원 효과를 고의적으로 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이런 작업편(W)의 한가지 예는 원주방향 방식으로 변하는 개구 면적(예로서, 도금을 위해 억세스할 수 있는)을 갖는 패턴화된 웨이퍼를 포함한다. 다른 실시예들에서, 간격 폭 또는 반응기(910)의 기타 특성들은 반응기(910)내의 전해질의 전도성을 고려하여 맞춤화될 수 있다.The
도 10은 제3 벽(923c)과 제4 벽(923d) 사이의 영역이 간격이 아닌 복수의 구멍들(1025)에 의해 점유되는 배열을 예시한다. 구멍들(1025)의 간격 및/또는 크기는 구멍들(1025) 아래에 위치된 전류 디프가 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 것 보 다 12:00 및 6:00에 인접해서 보다 강한 영향을 갖도록 원주방향 방식으로 변한다. FIG. 10 illustrates an arrangement in which the area between the
도 11은 교반기 챔버의 일부가 아닌 전기장 제어 요소(1192)를 갖는 반응기(1110)의 일부의 부분 단면 등각도이다. 반응기(1110)는 도 7에 도시된 상부 부분(719b)을 대체하는 상부 부분(1119b)을 포함한다. 전기장 제어 요소(1192)는 상부 부분(1119b)의 하부 단부에 위치되며, 원주방향으로 변하는 개구 면적을 제공하도록 배열된 개구들(1189)을 갖는다. 개구들(1189)은 3:00 및 9:00 위치들에서 보다 12:00 및 6:00 위치들에서 크다. 대안적으로, 상대적인 개구들(1189)의 수(개구들(1189)의 크기에 부가하여, 또는 그 대신)가 도 10을 참조로 상술된 것과 일반적으로 유사한 방식으로 12:00과 6:00 위치들에서 보다 커질 수 있다. 또한, 상부 부분(1119b)은 처리 위치(P)에서 상향 연장하는 방향으로 전기장 제어 요소(1192)에 의해 유발되는 원주방향으로 변하는 전기적 특성들을 유지하는 상향 연장 베인들(vanes)(1188)을 포함할 수도 있다. 반응기(1110)는 12개의 수직 연장 베인들(1188) 또는 예로서, 개구 면적이 원주방향으로 변하는 정도에 따라, 다른 수의 베인들(1188)을 포함할 수 있다.11 is a partial cross-sectional isometric view of a portion of a
또한, 전기장 제어 요소(1192)는 반응기(1110)의 하부 부분(1119a) 및 상부 부분(1119b) 사이의 개스킷으로서 기능하며, 원하는 원주방향 전기장 변화를 달성하기 위해 도 7을 참조로 상술된 개스킷(727)을 대체할 수 있다. 대안적으로, 전기장 제어 요소(1192)가 개스킷(727)에 부가하여, 예로서, 도 7에 도시된 개스킷(727) 아래의 위치에 제공될 수 있다. 어느 한 경우에, 조작자는 반응기(1110)의 상부 부분(1119b)을 교란시키지 않고, 특정 작업편(또는 작업편들의 배치)을 위해 구성된 개구 면적들을 갖는 전기장 제어 요소(1192)를 선택 및 설치할 수 있다. 이 배열의 장점은 반응기(1110)를 운용하기 위해 조작자에게 필요한 시간을 감소시키며, 및/또는 반응기(1110)의 전기장 특성들을 작업편(W)의 특정 유형에 맞춤화할 수 있다는 것이다.In addition, the electric
E. 교반기 챔버들을 위한 교반기들의 실시예들 E. Embodiments of Agitators for Agitator Chambers
도 12a 내지 도 12g는 상술된 반응기들(110, 710, 1110) 같은 반응기들에 설치하기에 적합한, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 형상들 및 다른 피쳐들을 가지는 교반기 요소들(1241a 내지 1241g)을 각각 도시한다. 각 교반기 요소들(총체적으로 교반기 요소들(1241)이라 지칭됨)은 처리 위치(P)에 수직으로 연장하는 선에 대하여 예각으로 경사진 대향 교반기 표면들(1247)(교반기 표면들(1247a 내지 1247g)로 도시됨)을 갖는다. 이는 패들들의 구조적 완전성을 유지하면서, 세도우잉 또는 전극 또는 전극들(121)(도 12a)에 의해 생성되는 전기장에 다른 방향으로 부정적인 영향을 줄 가능성을 감소시키는 하향 테이퍼형 형상을 갖는 교반기 요소들(1241)을 제공한다. 예로서, 교반기 요소(1241a)(도 12a)는 평탄한 교반기 표면들(1247a)을 갖는 실질적인 다이아몬드형 단면 구조를 갖는다. 교반기 요소(1241b)(도 12b)는 오목형 교반기 표면들(1247b)을 갖는다. 교반기 요소(1241c)(도 12c)는 볼록형 교반기 표면들(1247c)을 가지며, 교반기 요소들(1241d)(도 12d)은 실질적인 삼각형 형상을 형성하도록 배치된 평탄한 교반기 표면들(1247d)을 갖는다. 다른 실시예들에서, 교반기 표면들(1241)은 역시, 처리 위치(P)에서의 흐름을 교반하는 다른 형상을 가지며, 인근 전극 또는 전극들(121)에 의해 생성되는 전기장을 세도우잉하는 범위를 제거한다.12A-12G illustrate
교반기 요소들(1241)에 의해 제공되는 교반은 또한 유체 제트들에 의해 보완될 수도 있다. 예로서, 교반기 요소(1241e)(도 12e)는 제트 개구들(1248)을 수납하는 경사진 교반기 표면들(1247e)을 갖는다. 제트 개구들(1248)은 처리 위치(P)(도 12E에 도시된 바와 같이)에 실질적인 수직으로 지향될 수 있거나, 대안적으로, 제트 개구들(1248)은 처리 위치(P)에 대하여 다른 각도로 지향될 수 있다. 처리 유체는 교반기 요소(1241e)내부의 매니폴드(1249)를 경유하여 제트 개구들(1248)에 제공된다. 제트 개구들(1248)을 벗어나는 처리 유체의 제트들은 처리 위치(P)에서의 교반을 증가시키며, 작업편(W)(도 6)의 처리 표면에서 발생하는 질량 전달 프로세스를 향상시킨다. Agitation provided by agitator elements 1241 may also be complemented by fluid jets. As an example, stirrer element 1241e (FIG. 12E) has sloped stirrer surfaces 1247e that receive
도 12f 및 도 12g는 처리 유체에 대하여 교반기 요소들이 이동할 때, 일 측부로부터 나머지로 교반기 요소들을 통해 처리 유체가 흐를 수 있게 하는 관통부들 또는 다른 개구들을 갖는 교반기 요소들을 예시한다. 예로서, 도 12f를 참조하면, 교반기 요소(1241f)는 각각 공극들(1250f)을 갖는 대향 교반기 표면들(1247f)을 구비한다. 대향 교반기 표면들(1247f) 사이의 교반기 요소(1241f)의 체적은 또한 일 측부면(1247f)으로부터 나머지로 교반기 요소(1241f)를 처리 유체가 통과할 수 있게 하도록 다공성이다. 교반기 요소(1241f)는 다공성 금속(예로서 티타늄) 또는 다공성 세라믹 재료들 같은 다른 재료들로 형성될 수 있다. 도 12G는 본 발명의 다른 실시예에 따라 배열된 관통 구멍들(1250g)을 갖는 교반기 표면들(1247g)을 구비한 교반기 요소(1241g)를 예시한다. 관통 구멍들(1250g) 각각은 일 교반기 표면 (1247g)으로부터 대향 교반기 표면(1247g)으로 구멍 축(1251)을 따라 교반기 요소(1241g)를 통해 전체적으로 연장한다. 12F and 12G illustrate stirrer elements having penetrations or other openings that allow processing fluid to flow through the stirrer elements from one side to the other as the stirrer elements move relative to the processing fluid. For example, referring to FIG. 12F,
도 12f 및 도 12g를 참조로 상술된 교반기 요소들의 한가지 피쳐는 구멍들 또는 공극들(pores)이 인접 처리 유체내의 전기장에 대한 교반기 요소들의 투과성을 증가시키는 효과를 갖는다는 것이다. 공극들 또는 구멍들이 교반기 요소들이 작업편(W)에 인접한 전기장들에 3차원 성분을 추가하는 정도 및/또는 교반기 요소들이 인접 작업편(W)을 세도우잉하는 정도를 감소시킨다는 것이 이 배열의 장점이다. 게다가, 교반기 요소들은 여전히 그곳의 흐름을 교반시킴으로써 작업편(W)의 표면에서의 질량 전달 특성들을 향상시킨다. 예로서, 교반기 요소들내의 구멍들 또는 공극들은 교반기 요소들을 통한 흐름의 점성 영향들이 강하도록, 그리고, 통과 흐름에 대한 교반기 요소들에 의한 대응하는 규제가 비교적 높도록 크기설정된다. 따라서, 교반기 요소들의 공극도는 원하는 레벨의 유체 교반을 유지하면서, 필요한 전기장 투과성 레벨을 제공하도록 선택될 수 있다.One feature of the agitator elements described above with reference to FIGS. 12F and 12G is that the holes or pores have the effect of increasing the permeability of the agitator elements to the electric field in the adjacent processing fluid. The advantage of this arrangement is that the voids or holes reduce the extent to which the stirrer elements add a three-dimensional component to the electric fields adjacent to the workpiece W and / or the extent to which the stirrer elements are shadowing the adjacent workpiece W. to be. In addition, the stirrer elements still improve mass transfer characteristics at the surface of the workpiece W by stirring the flow there. By way of example, the holes or voids in the stirrer elements are sized such that the viscous effects of the flow through the stirrer elements are strong, and that the corresponding restriction by the stirrer elements to the passage flow is relatively high. Thus, the porosity of the stirrer elements can be selected to provide the required electric field permeability level while maintaining the desired level of fluid agitation.
도 13은 교반기 요소들(1341)(제1 교반기 요소들(1341a) 및 제2 교반기 요소들(1341b)로서 도 13에 도시됨)의 3차원 배열을 갖는 교반기(1340)의 부분 개략도이다. 교반기 요소들(1341a, 1341b)은 격자를 형성하도록 배열되며, 각 교반기 요소들(1341a, 1341b)은 운동 방향(R)에 대하여 예각으로 배향된다(운동 방향(R)의 법선에 대향하여). 따라서, 교반기 요소들(1341)의 격자 배열은 교반기(1340)에 의해 생성되는 교반을 증가시킬 수 있으며, 보다 균일한 전기장을 생성할 수 있다.FIG. 13 is a partial schematic diagram of a
본 발명의 일 양태는 교반기 요소들의 형상 및 구성이 어떠하든, 이들은 긴 밀하게 끼워진 교반기 챔버의 한계들내에서 이들이 왕복한다는 것이다. 교반기 챔버들의 제한된 체적은 작업편(W)의 표면에서의 질량 전달 효과들을 추가로 향상시킬 수 있다. 교반기 챔버 및 교반기 요소들이 교반기 챔버에 통합되는 방식의 부가적인 세부사항들을 도 14 내지 도 19f를 참조로 후술한다. One aspect of the invention is that whatever the shape and configuration of the stirrer elements, they reciprocate within the limits of a tightly fitted stirrer chamber. The limited volume of the agitator chambers can further enhance mass transfer effects at the surface of the workpiece W. Additional details of how the stirrer chamber and the stirrer elements are integrated into the stirrer chamber are described below with reference to FIGS. 14-19F.
F. 전기장 차폐를 감소시키고, 질량 전달 균일성을 향상시키기 위한 왕복 스케줄들 및 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들 F. Embodiments of Reactors with Reciprocating Schedules and Agitators to Reduce Electric Field Shielding and Improve Mass Transfer Uniformity
도 14는 봄 발명의 실시예에 따른 긴밀하게 제한된 교반기 챔버(1430)내에 배치된 교반기(1440)를 가지는 반응기(1410)의 상부 부분의 개략도이다. 챔버(1430)는 처리 위치(P)에서 작업편(W)을 수용하기 위한 개구(1431)를 가지는 상단부(1434)를 포함한다. 대향 챔버 벽들(1432)(좌측벽(1432a) 및 우측벽(1432b)으로서 도시됨)은 상단부(1434)로부터 멀어지는 방향으로 처리 위치(P)를 향해 대면한 베이스(1433)로 하향 연장한다.14 is a schematic diagram of an upper portion of a
교반기(1440)는 처리 위치(P)와 챔버 베이스(1433) 사이에 위치된 복수의 교반기 요소들(1441)을 포함한다. 교반기(1430)는 처리 위치(P)와 챔버 베이스(1433) 사이에서 높이(H1)를 가지며, 교반기 요소들(1441)은 높이(H2)를 갖는다. 교반기 요소들(1441)의 상단부들은 간격 거리(D1) 만큼 처리 위치(P)로부터 이격 배치되며, 교반기 요소들(1441)의 저면부들은 간격 거리(D2) 만큼 챔버 베이스(1433)로부터 이격 배치된다. 특히, 처리 위치(P)에서, 교반기 챔버(1430)내의 교반 레벨을 증가시키기 위해, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1)의 현저한 분율이고, 간격 거리들(D1 및 D2)은 비교적 작다. 특정 실시예에서, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1) 의 적어도 30%이다. 다른 특정 실시예들에서, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1)의 적어도 70%, 80%, 90% 또는 그 이상과 같다. 챔버 높이(H1)는 30mm 이하, 예로서, 약 10mm으로부터 약 15mm이다. 챔버 높이(H1)가 약 15mm일 때, 교반기 높이(H2)는 약 10mm일 수 있고, 간격 거리들(D1 및 D2)은 약 1mm 이하 내지 약 5mm의 범위이다. 또 다른 특정 실시예에서, 챔버 높이(H1)는 15mm이고, 교반기 높이(H2)는 약 11.6mm이며, D1은 약 2.4mm이고, D2는 약 1mm이다. 다른 배열들은 이들 치수들에 대하여 서로 다른 값들을 가진다. 임의의 이들 배열들에서, 교반기 챔버(1430)내의 흐름 교반의 양은 일반적으로 교반기 챔버(1430)의 높이(H1)에 대한 교반기 요소들(1441)의 높이(H2)와 상관되며, 모든 다른 변수들은 동일하면, 상대적 교반기 요소 높이가 보다 크면, 일반적으로, 증가된 교반을 초래한다.The
복수의 교반기 요소들(1441)은 작업편(W)의 처리 표면에서의 질량 전달을 향상시키기 위해, 교반기 챔버(1430)(단일 교반기 요소(1441)에 비해)내의 흐름을 보다 균일하고 보다 완전하게 교반한다. 교반기 챔버(1430)의 범위내에서, 교반기 요소들(1441)의 에지와, (a) 작업편(W) 위 및 (b) 챔버 베이스(1433) 아래들 사이의 좁은 간극들은 또한 처리 표면(109)에서의 교반 레벨을 증가시킨다. 특히, 교반기 챔버(1430)의 작은 체적내에서의 다수의 교반기 요소들(1441)의 이동은 교반기 요소들(1441)과 작업편(W)(위) 및 챔버 베이스(1433)(아래) 사이의 좁은 간격들을 통해 처리 유체를 강제 이송한다. 교반기 챔버(1430)의 제한된 체적은 또한 처리 표면(109)에 인접한 교반된 흐름을 유지한다.The plurality of
상술한 배열의 장점은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서의 질량 전달 프로세 스가 향상된다는 것이다. 예로서, 재료가 작업편(W)으로부터 제거 또는 작업편(W)에 적용되는 전체 속도가 증가한다. 다른 실시예에서, 처리 표면(109)상에 증착된 합금들의 조성은 목표 레벨들로 보다 정확하게 제어 및/또는 유지된다. 또 다른 실시예에서, 상술한 배열은 다른 치수들(예로서, 서로 다른 깊이들 및/또는 서로 다른 형상비들을 가지는 오목부들) 및/또는 유사한 치수들을 가지는 피쳐들상에 재료가 증착되는 균일성을 증가시킨다. 상술한 결과들은 처리 유체의 증가된 교반으로부터 초래하는 다른 질량 전달 개선들 및/또는 감소된 확산 층 두께에 기여할 수 있다.An advantage of the above arrangement is that the mass transfer process at the
처리 유체는 두 개의 흐름 경로들 중 하나 또는 양자 모두에 의해 교반기 챔버(1430)에 진입한다. 제1 경로를 흐르는 처리 유체는 아래로부터 교반기 챔버(1430)에 들어간다. 따라서, 처리 유체는 교반기 챔버(1430) 아래에 위치된 전극 지지부(1420)의 전극 격실들(1422)을 통과한다. 처리 유체는 격실벽들(1423) 및 챔버 베이스(1433) 사이의 간격을 통해 측방향 외향으로 통과한다. 챔버 베이스(1433)는 처리 유체의 적어도 일부가 그를 통해 교반기 챔버(1440)내로 상향 통과하는 투과성(permeable) 베이스부(1433a)를 포함한다. 투과성 베이스부(1433a)는 다공성 매체, 예로서, 10미크론 공극 개구들과 약 50% 개구 면적을 갖는 다공성 알루미늄 세라믹을 포함한다. 대안적으로, 투과성 베이스부(1433a)는 일련의 관통 구멍들 또는 천공부들을 포함할 수 있다. 예로서, 투과성 베이스부(1433a)는 천공된 플라스틱 시트를 포함할 수 있다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 처리 유체는 처리 유체를 교반기 챔버(1430)에 공급하도록 투과성 베이스부(1433a)를 통과할 수 있거나, (투과성 베이스부(1433a)가 고 유동 저항성인 경우에) 처리 유체는 높은 속도로 투과성 베이스부(1433a)를 통해 유동하지 않고, 전극 지지부(1420)에 수납된 환형 전극들(1421)과 처리 위치(P) 사이에 유체 및 전기적 소통 링크를 제공하도록 투과성 베이스부(1433a)를 단순히 포화시킬 수 있다. 대안적으로(예로서, 투과성 베이스부(1433a)가 균일한 유체 흐름 및/또는 전류 분포와 간섭하는 기포들을 포획하고 있는 경우), 투과성 베이스부(1433a)는 제거될 수 있으며, (a) 중실체 베이스부로 교체되거나, (b) 통상적으로 점유하는 체적이 개방 상태로 남겨질 수 있다.The processing fluid enters the
제2 흐름 경로를 흐르는 처리 유체는 흐름 입구(1435a)를 경유하여 교반기 챔버(1430)에 진입한다. 처리 유체는 교반기 챔버(1430)를 통해 측방향으로 흐르며, 흐름 출구(1435b)에서 배출된다. 제1 및 제2 흐름 경로들을 따라 진행하는 처리 유체의 상대적 체적들은 (a) 전극(1421)과의 전기 소통을 유지하도록, 그리고, (b) 작업편(W)이 처리될 때, 교반기 챔버(1430)내에 처리 유체를 재보급하도록 디자인에 의해 제어될 수 있다. Process fluid flowing through the second flow path enters the
도 15는 C 및 D장들에서 상술된 반응기(710)의 추가 세부사항들을 예시한다. 교반기 챔버(730)는 상향 경사진 원추형 하부면(1536)을 갖는 투과성 베이스부(733a)를 갖는다. 따라서, 베이스(733) 아래의 처리 유체에 기포들이 존재하는 경우에, 이들은 베이스(733)내의 베이스 간격들(1538)을 통해 그들이 교반기 챔버(730)에 진입할 때까지 하부면(1536)을 따라 반경방향 외향으로 이동하는 경향을 갖는다. 기포들이 교반기 챔버(730)내에 들어가고 나면, 교반기(740)의 교반기 요 소들(741)은 그들이 제거되는 배출 간격(1535b)을 향해 기포들을 이동시키는 경향을 갖는다. 결과적으로, 처리 유체내의 기포들은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서 발생하는 적용 또는 제거 처리와 간섭할 가능성이 보다 적다.15 illustrates additional details of
작업편(W)(예로서, 150mm, 300mm 또는 다른 값들의 직경을 갖는 둥근 작업편(W))은 작업편(W)의 외주 둘레로 연장하는 작업편 밀봉부(1514)를 갖는 작업편 지지부(1513)에 의해 지지된다. 작업편 지지부(1513)가 처리 위치(P)로 작업편(W)을 하강시킬 때, 지지부 밀봉부(1514)는 교반기 챔버(730)의 상단부에 위치된 챔버 밀봉부(1537)에 대하여 밀봉할 수 있다. 대안적으로, 지지부 밀봉부(1514)는 교반기 챔버(730) 외부로 유체 및/또는 가스 기포들이 통과할 수 있게 하도록, 및/또는 작업편(W)을 회전 또는 스피닝시킬 수 있게 하도록 챔버 밀봉부(1537)로부터 이격 배치될 수 있다. 출구 간격(1535b)을 통해 교반기 챔버(730)를 벗어나는 처리 유체는 반응기(710)를 벗어나기 이전에, 챔버 밀봉부(1537)의 레벨 위로 상승한다. 따라서, 챔버 밀봉부(1537)는 건조되지 않는 경향이 있으며, 그 동작과 간섭할 수 있는 결정 침전물들을 형성할 가능성이 보다 작다. 작업편 지지부(1513)가 처리 위치(P)(도 15에 도시된 바와 같이)로부터 상향 이동될 때, 그리고, 선택적으로, 작업편 지지부(1513)가 작업편(W)을 처리 위치(P)에서 지지할 때, 챔버 밀봉부(1537)는 젖은 상태로 남아있는다. The workpiece W (eg, a round workpiece W having a diameter of 150 mm, 300 mm or other values) is a workpiece support having a
자기 지향성 재료가 그에 적용될 때(예로서, 자석(795)의 사용과 연계하여), 통상적으로 작업편(W)이 회전하지 않기 때문에, 복수의 교반기 요소들(741)의 선형 왕복 운동은 정합을 위해 매우 높은 작업편 스피닝 속도를 요구하지 않게되는 양 만큼 확산 층 두께를 감소시키는 특히 의미있는 방법이다. 예로서, 0.2m/s로 이동하는 6개 교반기 요소들(741)을 갖는 패들 디바이스는 퍼멀로이 욕조내에서 18미크론 미만의 강철 확산층 두께를 달성할 수 있다. 교반기 요소들이 없으면, 작업편(W)은 이렇게 낮은 확산층 두께를 달성하기 위해 500rpm으로 스피닝되어야 하며, 이는 자기 응답성 재료들의 증착시 불가능한 것이다.When a magnetic directional material is applied thereto (eg, in connection with the use of magnet 795), since the workpiece W typically does not rotate, linear reciprocation of the plurality of
상술된 선형의 세장형 교반기 요소(741)가 원형 작업편(W) 아래에서 횡단방향으로 왕복할 때, 이들은 작업편(W)에 인접한 흐름 필드내에 3차원 영향들을 생성하는 경향을 가질 수 있다. 도 16a 내지 도 18을 참조로 후술된 본 발명의 실시예들은 이들 영향들을 다룬다. 예로서, 도 16a는 교반기 챔버(1630)내에 수납된 교반기(1640) 바로 위에 배치된 작업편(W)에서 상방으로 돈 부분 개략도이다. 도 16b는 실질적으로 도 16A의 16B-16B 선을 따라 취해진, 교반기(1630)의 챔버 베이스(1633) 위에 배치된, 도 16A에 도시된 교반기(1640) 및 작업편(W)의 일부의 부분 개략 단면도이다. 후술된 바와 같이, 교반기(1640)는 전술한 3차원 영향들을 고려하기 위해 서로 다른 형상들을 갖는다.When the linear
먼저, 도 16a를 참조하면, 교반기(1640)는 복수의 교반기 요소들(1641)(두개의 외부 교반기 요소들(1641b) 사이에 위치된 4개의 내부 교반기 요소들(1641a)로서 도시됨)을 포함한다. 교반기 요소들(1641)은 교반기 장축(1690)에 실질적으로 평행한 세장형 형상이며, 전술된 바와 실질적으로 유사한 방식으로 교반기 운동 축(1691)을 따라 전후로 왕복한다. 작업편(W)은 전기 접촉부 조립체(1615)를 밀봉하기 위해 작업편(W)의 하향 대면 처리 표면(109)의 외주 둘레 및 아래에서 연장하는 지지부 밀봉부(1614)를 포함하는 작업편 지지부(1613)에 의해 지지된다.First, referring to FIG. 16A,
지지부 밀봉부(1614)가 작업편(W)의 처리 표면(109)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 돌출하기 때문에(즉, 도 16A의 평면으로부터 외향으로), 교반기 요소들(1641)은 처리 표면(109)에 대하여 보다 지지부 밀봉부(1614)에 대하여 보다 근접하게 이격 배치되어 있다. 교반기 요소들(1641)이 지지부 밀봉부(1614) 바로 아래를 전후로 통과 이동할 때, 이들은 흐름이 교반기 요소들(1641)과 지지부 밀봉부(1614) 사이의 비교적 좁은 간격을 통해 가속되기 때문에 고속 제트들 및/또는 와류들(vortices)(1692)을 형성할 수 있다. 예로서, 와류들(1692)은 지지부 밀봉부(1614)를 초과하여, 아래로 교반기 요소들(1641)이 통과할 때 형성되거나, 와류들(1692)은 교반기 요소들(1641)이 지지부 밀봉부(1614)와 정렬되고, 그후, 작업편(W)의 처리 표면(109) 위로 다시 통과할 때 형성될 수 있다. 이들 와류들(1692)은 지지부 밀봉부(1614)가 교반기 운동 축(1691)에 실질적으로 평행한(예로서, 도 16a에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접한) 처리 표면(109)에서 질량 전달에 현저한 영향을 갖지 않을 수 있지만, 그러나, 지지부 밀봉부(1614)가 교반기 운동 축(1691)에 횡단하는 위치(예로서, 도 16a의 3:00 및 9:00 위치들에 인접한)에서는 보다 현저한 영향들을 갖는다. 도 16b를 참조로 보다 상세히 후술된 바와 같이, 외부 교반기 요소들(1641b)(처리 위치(P) 및 작업편(W)의 외부 영역들과 정렬됨)은 이 영향을 상쇄하도록 내부 교반기 요소들(1641a)(처리 위치(P)와 작업편(W)의 내부 영역들과 정렬된)과는 다른 크기를 가질 수 있다.Since the
도 16b는 도 16a에 도시된 최좌측 내부 교반기 요소(1641a) 및 좌외측 교반 기 요소(1641b)를 예시한다. 내부 교반기 요소(1641a)는 간격 거리(D1) 만큼 작업편(W)으로부터 이격 배치되고, 간격 거리(D2) 만큼 챔버 베이스(1633)로부터 이격 배치된다. 내부 교반기 요소(1641a)가 9:00 위치에서 지지부 밀봉부(1614) 아래에서 전후로 왕복하는 경우에, 내부 교반기 요소(1641a)의 대부분들은 간격 거리(D1) 보다 현저히 작은 간격 거리(D3) 만큼 지지부 밀봉부(1614)로부터 이격 배치된다. 상술된 바와 같이, 이는 와류들(1692)(도 16A)이 형성되게 할 수 있으며, 이런 와류들은 다른 위치들(예로서, 12:00 또는 6:00 위치들)에서 보다 이 위치에서 작업편(W)의 처리 표면(109)에서 질량 전달 특성들을 보다 현저히 향상시킬 수 있다. 대안적으로, 와류들은 전체 처리 표면(109)을 가로질러 형성되지만, 12:00(및 6:00) 위치들에서 보다 9:00(및 3:00) 위치들에서 보다 강할 수 있다. FIG. 16B illustrates the leftmost
상술한 영향을 상쇄시키기 위해, 외부 교반기 요소(1641b)는 내부 교반기 요소(1641a)와 다른(예로서, 보다 작은) 크기를 가지며, 그래서, 작업편(W)과 내부 교반기 요소(1641a) 사이의 간격 거리(D1)와 거의 같은 간격 거리(D4) 만큼 지지부 밀봉부(1614)로부터 이격 배치될 수 있다. 따라서, 작업편(W)의 외주(그리고, 특히, 도 16A에 도시된 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 외주)에서 향상된 질량 전달 효과는 작업편(W)의 잔여부에 걸친 향상된 질량 전달 효과들과 적어도 거의 동일해질 수 있다.In order to counteract the aforementioned effects, the
도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버(1730)내에 배치된 교반기(1740)의 단면도이다. 교반기(1740)는 작업편(W)의 내부 및 외주에서의 질량 전달 특성들 사이의 불균일성을 또한 감소시키는 방식으로 교반기 챔버(1730)내에서 이동하도록 구성된 교반기 요소들(1741)을 포함한다. 특히, 교반기 요소들(1741)은 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 지지부 밀봉부(1714) 위에서 연장하지 않는 인벨로프(envelope)(1781)내에서 전후로 이동한다. 따라서, 교반기 요소들(1741)은 와류들(또는 불균일한 강한 와류들)이나, 3:00 및 6:00 위치들에 인접한 작업편(W)에 근접한 다른 흐름 필드 불균일성들을 형성할 가능성이 작다.17 is a cross-sectional view of a
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 교반기 요소(1841)의 등각도이다. 교반기 요소(1841)는 그 단부들에 인접하게 높이(H3)를 가지며, 단부들 사이의 위치에서 H3 보다 큰 높이(H4)를 갖는다. 보다 일반적으로, 교반기 요소(1841)는 장축(1890)을 따라 서로 다른 위치들에서, 서로 다른 단면 형상들 및/또는 크기들을 가질 수 있다. 특정 실시예에서, 도 16a를 참조로 상술된 내부 교반기 요소들(1641a)은 도 16a에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접하게 예로서, 불균일하게 향상된 전달 효과들을 생성할 가능성을 감소시키기 위해서, 도 18에 도시된 교반기 요소(1841)의 것과 실질적으로 유사한 형상을 가질 수 있다.18 is an isometric view of
도 6 내지 도 18을 참조로 상술된 임의의 교반기들은 변하는 반복가능한 패턴으로 왕복할 수 있다. 예로서, 도 19a 내지 도 19f에 도시된 일 배열에서, 교반기(140)는 중심 위치(180)로부터 1회 이상 왕복하고, 그후, 측방향으로 변위하며, 그래서, 다음 왕복(또는 일련의 왕복들)의 중심 위치(180)는 이전 왕복을 위한 중심 위치와 다르다. 도 19a 내지 도 19f에 도시된 특정 실시예에서, 중심 위치(180)는 그 원래 위치로의 복귀 이전에 5 지점들로 변위한다. 각 지점에서, 교반기(140)는 다음 지점으로 변위하기 이전에, 인벨로프(181)내에서 왕복한다. 다른 특정 실 시예들에서, 중심 위치(181)는 2 내지 12개 이상 지점들로 변위한다. 중심 위치(181)가 12개 지점들로 변위할 때, 각 지점에서, 교반기(140)는 최외부 교반기 요소들(141)을 초과하여 그로부터 약 15 내지 75mm(그리고, 또한 특히, 약 30mm) 연장하는 인벨로프(181)내에서 왕복하며, 중심 위치(180)는 일 지점으로부터 다음 지점으로 약 15mm 만큼 변위한다. 다른 배열들에서, 중심 위치(180)는 그 원래 위치로 복귀하기 이전에 다른 수의 지점들로 변위한다.Any stirrer described above with reference to FIGS. 6-18 can reciprocate in varying repeatable patterns. For example, in one arrangement shown in FIGS. 19A-19F, the
교반기(140)가 그 둘레로 왕복하는 지점을 변위시키는 것은 작업편(W)상의 세도우잉 또는 다른 바람직하지 못한 패턴들을 형성할 가능성을 감소시킨다. 이 효과는 적어도 두 개의 인자들로부터 초래한다. 먼저, 중심 위치(180)를 변위시키는 것은 교반기 요소들(141)의 물리적 구조에 의해 생성되는 전기장 세도우잉을 감소시킨다. 두 번째로, 중심 위치(180)를 변위시키는 것은 이동에 따라, 각 교반기 요소(141)로부터 발생할 수 있는 와류들의 패턴을 변위시킬 수 있다. 이는 순차적으로 작업편(W)의 처리 표면(109)에 걸쳐 보다 균일하게 와류들(또는 기타 흐름 구조들)을 분포시킨다. 교반기 요소(140)는 세도우잉의 가능성을 추가로 감소시키기 위해 신속히(예로서, 약 8m/s2로)가속 및 감속될 수 있다. 교반기 요소들(141)의 속도를 제어하는 것은 또한 확산 층 두께에 영향을 준다. 예로서, 교반기 요소들(141)의 속도를 0.2m/s로부터 2.0m/s로 증가시키는 것은 약 3의 인자 만큼 확산층 두께를 감소시키는 것으로 예상된다.Displacing the point at which
교반기 요소들(141)의 수는 인접 교반기 요소들 사이의 간격을 감소시키고, 각 교반기 요소(141)가 그에 걸쳐 왕복하는 최소 행정 길이를 감소시키도록 선택될 수 있다. 예로서, 교반기(140)내에 포함된 교반기 요소들(141)의 수를 증가시키는 것은 이웃 교반기 요소들(141) 사이의 간격을 감소시키고, 각 교반기 요소(141)를 위한 최소 행정 길이를 감소시킨다. 각 교반기 요소(141)는 따라서, 작업편(W)의 전체 직경을 따라 스캐닝하는 대신, 작업편(W)의 단지 일부에 인접하게 이동한다. 다른 특정 실시예에서, 각 패들(141)을 위한 최소 행정 거리는 이웃 교반기 요소들(141) 사이의 거리 이상이다. 임의의 이들 배열들에 대하여, 증가된 수의 교반기 요소들(141)은 극도로 높은 속도들로 교반기 요소들(141)을 이동시킬 필요 없이, 작업편(W)의 임의의 한 부분이 갖는 교반기 요소(141)가 그를 통과하는 빈도수를 증가시킨다. 교반기 요소들(141)(그리고, 따라서, 패들 디바이스(140))의 행정 길이를 감소시키는 것은 또한 교반기 요소들(141)을 이동시키는 구동 시스템의 기계적 복잡성을 감소시킨다.The number of
상술한 바로부터, 본 발명의 특정 실시예들을 예시를 위해 여기서 설명하였지만, 다양한 변형들이 본 발명의 개념 및 범주로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예로서, 전해 처리 반응기들에 관하여 상술된 교반기들 및 교반기 챔버들의 피쳐들은 무전해 처리 반응기들을 포함하는 다른 반응기들에도 적용가능하다. 다른 실시예에서, 작업편(W)은 교반기에 대하여 왕복한다. 또 다른 실시예에서, 작업편(W) 및 교반기는 서로에 대해 이동할 필요가 없다. 특히, 교반기로부터 분출되는 유체 제트들은 질량 전달 프로세스를 향상시키는 유체 교반을 제공할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 작업편(W) 및/또는 교반기의 적어 도 일부 양태는 유체 교반 및 작업편(W)의 표면에서 대응하는 질량 전달 개선을 제공하도록 활성화될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의한 바를 제외하고는 제한되지 않는다. From the foregoing, while specific embodiments of the invention have been described herein for purposes of illustration, it will be understood that various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. By way of example, the features of the agitators and agitator chambers described above with respect to electrolytic treatment reactors are applicable to other reactors, including electroless treatment reactors. In another embodiment, the workpiece W reciprocates with respect to the stirrer. In another embodiment, the workpiece W and the stirrer do not need to move relative to each other. In particular, fluid jets ejected from the stirrer may provide fluid agitation that enhances the mass transfer process. Nevertheless, at least some aspects of the workpiece W and / or the stirrer may be activated to provide fluid agitation and a corresponding mass transfer improvement at the surface of the workpiece W. FIG. Accordingly, the invention is not limited except as by the appended claims.
Claims (126)
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47678603P | 2003-06-06 | 2003-06-06 | |
US60/476,786 | 2003-06-06 | ||
US48460303P | 2003-07-01 | 2003-07-01 | |
US48460403P | 2003-07-01 | 2003-07-01 | |
US60/484,604 | 2003-07-01 | ||
US60/484,603 | 2003-07-01 | ||
US10/733,807 US7393439B2 (en) | 2003-06-06 | 2003-12-11 | Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors |
US10/734,098 US7390383B2 (en) | 2003-07-01 | 2003-12-11 | Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces |
US10/734,100 | 2003-12-11 | ||
US10/734,100 US7390382B2 (en) | 2003-07-01 | 2003-12-11 | Reactors having multiple electrodes and/or enclosed reciprocating paddles, and associated methods |
US10/733,807 | 2003-12-11 | ||
US10/734,098 | 2003-12-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060024792A true KR20060024792A (en) | 2006-03-17 |
Family
ID=33556803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057023444A KR20060024792A (en) | 2003-06-06 | 2004-06-03 | Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1638732A4 (en) |
JP (1) | JP2007527948A (en) |
KR (1) | KR20060024792A (en) |
WO (1) | WO2004110698A2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012104A (en) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Electroplating apparatus with electrolyte agitation |
KR20180031791A (en) * | 2015-08-18 | 2018-03-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Adaptive electric field shielding in electroplating processors using agitator geometry and motion control |
KR20190072423A (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Wave absorbing member attachable to paddle and plating apparatus including wave absorbing member |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6747734B1 (en) | 2000-07-08 | 2004-06-08 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for processing a microelectronic workpiece using metrology |
US7390382B2 (en) | 2003-07-01 | 2008-06-24 | Semitool, Inc. | Reactors having multiple electrodes and/or enclosed reciprocating paddles, and associated methods |
JP2009517543A (en) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | セミトゥール・インコーポレイテッド | Apparatus and method for vibrating liquids during wet chemical processing of microstructured workpieces |
US7842173B2 (en) | 2007-01-29 | 2010-11-30 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microfeature wafers |
JP5038024B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-10-03 | 上村工業株式会社 | Work surface treatment system |
JP5184308B2 (en) * | 2007-12-04 | 2013-04-17 | 株式会社荏原製作所 | Plating apparatus and plating method |
US8177944B2 (en) | 2007-12-04 | 2012-05-15 | Ebara Corporation | Plating apparatus and plating method |
FR2966282B1 (en) * | 2010-10-18 | 2013-02-15 | Nexcis | CONTROL OF LAYER I-III-VI STOICHIOMETRY FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS FROM IMPROVED ELECTROLYSIS CONDITIONS. |
JP6100049B2 (en) * | 2013-03-25 | 2017-03-22 | 株式会社荏原製作所 | Plating equipment |
KR102194716B1 (en) * | 2014-03-06 | 2020-12-23 | 삼성전기주식회사 | Plating apparatus |
JP6411943B2 (en) * | 2014-05-26 | 2018-10-24 | 株式会社荏原製作所 | Substrate electrolytic treatment apparatus and paddle used for the substrate electrolytic treatment apparatus |
JP6790016B2 (en) * | 2018-04-10 | 2020-11-25 | 上村工業株式会社 | Surface treatment equipment, surface treatment method and paddle |
TWI671435B (en) * | 2018-06-08 | 2019-09-11 | 台灣創智成功科技有限公司 | Plating device |
GB201905138D0 (en) * | 2019-04-11 | 2019-05-29 | Spts Technologies Ltd | Apparatus and method for processing a substrate |
WO2024134741A1 (en) * | 2022-12-20 | 2024-06-27 | 株式会社荏原製作所 | Plating device and plating device operation method |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3477051A (en) * | 1967-12-26 | 1969-11-04 | Ibm | Die casting of core windings |
US4749601A (en) * | 1985-04-25 | 1988-06-07 | Hillinger Brad O | Composite structure |
US5516412A (en) * | 1995-05-16 | 1996-05-14 | International Business Machines Corporation | Vertical paddle plating cell |
US6099702A (en) * | 1998-06-10 | 2000-08-08 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating chamber with rotatable wafer holder and pre-wetting and rinsing capability |
US6136163A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
US6454918B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-09-24 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Cup type plating apparatus |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US6379511B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Paddle design for plating bath |
US6231743B1 (en) * | 2000-01-03 | 2001-05-15 | Motorola, Inc. | Method for forming a semiconductor device |
-
2004
- 2004-06-03 KR KR1020057023444A patent/KR20060024792A/en not_active Application Discontinuation
- 2004-06-03 WO PCT/US2004/017670 patent/WO2004110698A2/en active Application Filing
- 2004-06-03 EP EP04754300A patent/EP1638732A4/en not_active Withdrawn
- 2004-06-04 JP JP2006515180A patent/JP2007527948A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012104A (en) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Electroplating apparatus with electrolyte agitation |
KR20180031791A (en) * | 2015-08-18 | 2018-03-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Adaptive electric field shielding in electroplating processors using agitator geometry and motion control |
KR20190072423A (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | Wave absorbing member attachable to paddle and plating apparatus including wave absorbing member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1638732A2 (en) | 2006-03-29 |
JP2007527948A (en) | 2007-10-04 |
WO2004110698A2 (en) | 2004-12-23 |
EP1638732A4 (en) | 2007-06-06 |
WO2004110698A3 (en) | 2006-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7393439B2 (en) | Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors | |
KR20060024792A (en) | Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes | |
US7390382B2 (en) | Reactors having multiple electrodes and/or enclosed reciprocating paddles, and associated methods | |
US7150816B2 (en) | Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion | |
US6251250B1 (en) | Method of and apparatus for controlling fluid flow and electric fields involved in the electroplating of substantially flat workpieces and the like and more generally controlling fluid flow in the processing of other work piece surfaces as well | |
JP2007527948A6 (en) | Method and system for processing microfeature workpieces using a flow stirrer and / or multiple electrodes | |
US7585398B2 (en) | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces | |
US7351314B2 (en) | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces | |
US20040055877A1 (en) | Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow | |
US20080217165A9 (en) | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces | |
US20050121326A1 (en) | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces | |
JP2008510889A (en) | Dynamic shape anode | |
US20070144912A1 (en) | Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods | |
US20040256222A1 (en) | Apparatus and method for highly controlled electrodeposition | |
KR20180002897A (en) | Electroplating device | |
TWI415968B (en) | Apparatus and method for agitating liquids in wet chemical processing of microfeature workpieces | |
US20040035712A1 (en) | Plating | |
CN1960799A (en) | Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes | |
US7108776B2 (en) | Plating apparatus and plating method | |
JP2022167917A (en) | Electrochemical deposition system | |
US6319386B1 (en) | Submerged array megasonic plating | |
US6217735B1 (en) | Electroplating bath with megasonic transducer | |
WO2002083995A1 (en) | Method of and apparatus for controlling fluid flow |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |