KR20060024792A - Methods and systems for processing microfeature workpieces with flow agitators and/or multiple electrodes - Google Patents

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KR20060024792A
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electrode
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폴 알. 맥휴
그레고리 제이. 윌슨
다니엘 제이. 우드러프
놀란 짐머만
제임스 제이. 에릭슨
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세미툴,인크
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Abstract

Tools having mounting modules with registration systems are disclosed. The mounting includes positioning elements for precisely locating a reactor and a workpiece transport that moves workpieces to and for the reactor. The relative positions between positioning elements of the reactor are fixed so that the workpiece transport does not need to be recalibrated when the reactor is removed and replaced with another reactor. The reactor includes an agitator for agitating processing fluid at a process surface of the workpiece. The agitator, the reactor, and electrodes within the reactor are configured to reduce the likelihood for electrical shadowing created by the agitator at the surface of the workpiece, and to account for three-dimensional effects on the electrical field as the agitator and/or the workpiece reciprocate relative to each other.

Description

흐름 교반기들 및/또는 다수의 전극들을 가지는 마이크로피쳐 작업편들을 처리하기 위한 방법들 및 시스템들{METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING MICROFEATURE WORKPIECES WITH FLOW AGITATORS AND/OR MULTIPLE ELECTRODES}METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING MICROFEATURE WORKPIECES WITH FLOW AGITATORS AND / OR MULTIPLE ELECTRODES

본 출원은 2003년 7월 1일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/484,603호, 2003년 7월 1일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/484,604호, 2003년 6월 6일자로 출원된 계류중인 미국 가출원 제60/476,786호, 2003년 12월 11일자로 출원된 계류중인 미국 출원 제10/734,098호, 및 2003년 12월 11일자로 출원된 계류중인 미국 출원 제10/734,100호에 대한 우선권을 주장하며, 이들 모두는 그 전문이 본 명세서에 참조문헌으로 포함되어 있다. This application is pending US Provisional Application No. 60 / 484,603, filed July 1, 2003, pending US Provisional Application No. 60 / 484,604, filed July 1, 2003, filed June 6, 2003. For pending U.S. Provisional Application No. 60 / 476,786, pending U.S. Application No. 10 / 734,098, filed December 11, 2003, and pending U.S. Application No. 10 / 734,100, filed December 11, 2003. Priority claims, all of which are incorporated herein by reference in their entirety.

본 발명은 다수의 전극들 및/또는 수납된 왕복 교반기들을 가지는 툴들 및 반응기들을 포함하는, 흐름 교반기들 및 다수의 전극들을 구비한 마이크로피쳐 작업편들을 처리하기 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다.The present invention relates to systems and methods for treating microfeature workpieces with flow stirrers and a plurality of electrodes, including tools and reactors with a plurality of electrodes and / or housed reciprocating agitators.

마이크로디바이스들은 많은 수의 개별 디바이스들을 생성하기 위해 단일 기판상에 재료들의 몇몇 층을 가공 및 증착시킴으로서 제조된다. 예로서, 포토레지스트(photoresist), 도전성 재료들 및 유전 재료들의 층들이 증착, 패턴화, 현상, 에칭, 평탄화 및 기타의 방식으로 조작되어 기판내에 및/또는 기판상에 피쳐들을 형 성한다. 피쳐들은 집적 회로들, 마이크로-유동성 시스템들, 및 기타 구조체들을 형성하도록 배열된다.Microdevices are manufactured by processing and depositing several layers of materials on a single substrate to create a large number of individual devices. By way of example, layers of photoresist, conductive materials and dielectric materials may be fabricated, deposited, patterned, developed, etched, planarized, and otherwise manipulated to form features in and / or on the substrate. The features are arranged to form integrated circuits, micro-flowable systems, and other structures.

마이크로피쳐 작업편들상에 피쳐들을 형성하기 위해 일반적으로 습식 화학 처리가 사용된다. 습식 화학 처리는 일반적으로 습식 화학 처리 툴에서 수행되며, 이 툴은 세정, 에칭, 재료들의 전자화학적 증착을 위해, 또는, 이들 처리들의 조합들을 수행하기 위해 복수의 개별 처리 챔버들을 갖는다. 각 챔버는 통상적으로 습식 처리 유체들이 수용되는 용기 및 처리 동안 용기내에서 작업편을 유지하는 작업편 지지부(예로서, 부양-회전 유닛)를 갖는다. 로봇이 챔버의 내외로 작업편을 이동시킨다.Wet chemical processing is generally used to form features on microfeature workpieces. Wet chemical processing is generally performed in a wet chemical processing tool, which has a plurality of individual processing chambers for cleaning, etching, electrochemical deposition of materials, or for performing combinations of these processes. Each chamber typically has a vessel in which wet processing fluids are received and a workpiece support (eg, a flotation-rotating unit) that holds the workpiece within the vessel during processing. The robot moves the workpiece into and out of the chamber.

통합형 습식 화학 처리 툴들에 관한 한가지 고려사항은 처리 챔버들이 주기적으로 정비 및/또는 수리되어야 한다는 것이다. 전자화학 증착 챔버들에서, 예로서, 소모성 전극들은 시간에 걸쳐 열화하며, 그 이유는 전극들 및 전해액 사이의 반응이 전극들을 분해시키기 때문이다. 따라서, 소모성 전극들의 형상들은 변화하여 전기장의 변동들을 유발한다. 결과적으로, 소모성 전극들은 작업편을 가로질러 원하는 증착 파라미터들을 유지하기 위해 주기적으로 교체되어야만 한다. 작업편에 접촉하는 전기 접점들도 주기적으로 세정 또는 교체될 필요가 있을 수 있다. 전자화학 증착 챔버들을 정비 및 수리하기 위해, 통상적으로 이들은 툴로부터 제거되고 여분의 챔버로 교체된다.One consideration with integrated wet chemical processing tools is that the processing chambers must be serviced and / or repaired periodically. In electrochemical deposition chambers, for example, consumable electrodes deteriorate over time because the reaction between the electrodes and the electrolyte degrades the electrodes. Thus, the shapes of the consumable electrodes change to cause variations in the electric field. As a result, the consumable electrodes must be replaced periodically to maintain the desired deposition parameters across the workpiece. Electrical contacts in contact with the workpiece may also need to be cleaned or replaced periodically. To service and repair the electrochemical deposition chambers, they are typically removed from the tool and replaced with a spare chamber.

현존하는 습식 화학 처리 챔버들의 수리 또는 정비와 관련한 한가지 문제점은, 처리 챔버를 제거 및 교체하기 위한 연장된 시간 기간 동안 툴이 가동중단되어 야 한다는 것이다. 처리 챔버가 툴로부터 제거될 때, 사전에 정비된 처리 챔버가 그 자리에 장착된다. 로봇 및 부양-회전 유닛은 그후 새로운 처리 챔버를 사용하여 동작하기 위해 재캘리브레이팅(recalibrating)된다. 로봇 및 부양-회전 유닛을 재캘리브레이팅하는 것은 시간 소모적 프로세스이며, 이는 처리 챔버들을 수리 또는 정비하기 위한 가동중단시간(downtime)을 증가시킨다. 결과적으로, 툴의 단 하나의 처리 챔버가 제원들을 충족시키지 못할 때, 보다 많은 처리 챔버들이 성능 제원들을 충족시키지 못하게 될 때까지 하나의 처리 챔버를 수리하기 위해 정지시키지 않고 툴을 계속 동작시키는 것이 보다 효율적인 경우가 많다. 따라서, 단일 처리 챔버의 처리량의 손실은 처리 챔버들 중 단 하나를 수리 또는 정비하기 위해 툴을 가동중단시키는 것에 의해 유발되는 처리량의 손실 보다 덜 심하다. One problem with the repair or maintenance of existing wet chemical processing chambers is that the tool must be shut down for an extended period of time to remove and replace the processing chamber. When the process chamber is removed from the tool, a previously serviced process chamber is mounted in place. The robot and flotation-rotating unit are then recalibrated to operate using the new processing chamber. Recalibrating the robot and flotation-rotating unit is a time consuming process, which increases downtime for repairing or servicing the processing chambers. As a result, when only one processing chamber of the tool does not meet the specifications, it is better to continue to operate the tool without stopping to repair one processing chamber until more processing chambers fail to meet the performance specifications. It is often efficient. Thus, the loss of throughput of a single processing chamber is less severe than the loss of throughput caused by bringing down the tool to repair or service only one of the processing chambers.

적어도 두개의 처리 챔버들이 제원들을 충족시키지 못할 때까지 툴을 동작시키는 관행은 툴의 처리량에 심각한 영향을 준다. 예로서, 적어도 둘 또는 세 개의 처리 챔버들이 제원들을 벗어날때까지 툴이 수리 또는 정비되지 않는 경우, 툴은 정비를 위해 가동중단되기 이전의 시간 기간 동안 그 전체 기능의 일부만으로 동작한다. 이는 툴의 동작 비용을 증가시키며, 그 이유는 툴이 습식 처리 챔버들을 교체하고 로봇을 재캘리브레이팅하기 위해 가동중단되는 동안에 처리량이 손실을 입을 뿐만 아니라, 툴이 가동중인 동안에도 단지 그 전체 기능 중 일부만으로 동작하기 때문에 처리량이 감소되기 때문이다. 또한, 처리된 작업편의 피쳐 크기들이 감소할 때, 전자화학 증착 챔버는 일관성있게 매우 보다 높은 성능 제원들을 충족시키야만 한다. 이는 처리 챔버들이 보다 빨리 제원을 벗어나게 하며, 이는 보다 빈 번히 툴의 가동 중단을 초래한다. 따라서, 전자화학 증착 챔버들 및 습식 화학 처리 챔버들의 다른 유형들을 수리 및/또는 정비하는 것과 연계된 가동중단시간은 습식 화학 처리 툴들의 작동 비용을 현저히 증가시킨다.The practice of operating the tool until at least two processing chambers do not meet the specifications has a significant impact on the throughput of the tool. For example, if a tool is not repaired or serviced until at least two or three processing chambers are out of specification, the tool operates only as part of its overall function for a time period before it is shut down for maintenance. This increases the operating cost of the tool, because not only will the throughput be lost while the tool is shut down to replace the wet processing chambers and recalibrate the robot, but only its full function while the tool is running. This is because throughput is reduced because only a part of the operation is performed. In addition, as feature sizes of the processed workpiece decrease, the electrochemical deposition chamber must consistently meet much higher performance specifications. This causes the processing chambers to leave the specification more quickly, which results in more frequent tool downtime. Thus, the downtime associated with repairing and / or servicing other types of electrochemical deposition chambers and wet chemical processing chambers significantly increases the operating cost of wet chemical processing tools.

툴에 수납된 전자화학 증착 챔버들은 또한 다수의 단점들을 가질 수 있다. 예로서, 이들 챔버들내에서의 전해 처리 동안, 확산 층이 전해액과 접촉하는 작업편의 표면에 발생한다. 작업편에 적용되는 또는 작업편으로부터 제거되는 재료의 농도는 확산층의 두께에 걸쳐 변한다. 다수의 경우들에서, 작업편에 재료가 추가되는 또는 작업편으로부터 재료가 제거되는 속도를 증가시키기 위해서 확산층의 두께를 감소시키는 것이 바람직하다. 다른 경우들에서, 작업편의 표면에서의 재료 전달을 다른 방식으로 제어하는 것, 예로서, 표면상에 증착되는 합금의 조성을 제어하는 것 또는 서로 다른 형상비들을 갖는 표면 오목부들내에 재료들을 보다 균일하게 증착시키는 것이 바람직하다.Electrochemical deposition chambers housed in a tool can also have a number of disadvantages. For example, during the electrolytic treatment in these chambers, a diffusion layer occurs on the surface of the workpiece in contact with the electrolyte. The concentration of material applied to or removed from the workpiece varies over the thickness of the diffusion layer. In many cases, it is desirable to reduce the thickness of the diffusion layer to increase the rate at which material is added to or removed from the workpiece. In other cases, controlling material transfer at the surface of the workpiece in another way, such as controlling the composition of the alloy deposited on the surface, or depositing materials more uniformly in surface recesses having different aspect ratios It is preferable to make it.

확산층 두께를 감소시키기 위한 한가지 접근법은 작업편의 표면에서 전해질의 흐름 속도를 증가시키는 것이다. 예로서, 일부 용기는 작업편의 표면에서 고속의 교반된 흐름을 생성하기 위해 작업편에 인접하게 회전 또는 병진하는 패들(paddle)을 포함한다. 한가지 특정 배열에서, 작업편은 처리 동안 제1 축(일반적으로, 작업편의 표면에 수직)을 따라 제1 거리 만큼 아노드(anode)로부터 이격 배치된다. 제1 축을 따라 제1 거리의 약 25%의 높이를 갖는 패들이 제1 축을 횡단하는 제2 축을 따라 아노드내의 작업편 사이에서 진동한다. 다른 배열들에서, 패들은 작업편에 대하여 회전한다. 또 다른 배열들에서, 작업편 표면에서의 흐름을 교반시키 기 위해 유체 제트들이 작업편으로 안내된다. One approach to reducing the diffusion layer thickness is to increase the flow rate of the electrolyte at the surface of the workpiece. By way of example, some containers include paddles that rotate or translate adjacent to the workpiece to produce a high speed, agitated flow at the surface of the workpiece. In one particular arrangement, the workpiece is spaced apart from the anode by a first distance along the first axis (generally, perpendicular to the surface of the workpiece) during processing. A paddle having a height of about 25% of the first distance along the first axis vibrates between the workpieces in the anode along a second axis traversing the first axis. In other arrangements, the paddle rotates relative to the workpiece. In still other arrangements, fluid jets are directed to the workpiece to agitate the flow at the workpiece surface.

상기 배열들은 다수의 단점들을 가지고 있다. 예로서, 하나 이상의 패들들 또는 유체 제트들로도 작업편의 표면에서 확산층 두께를 충분히 감소시키기 위해 필요한 흐름 속도들을 달성하기 곤란한 경우가 많다. 또한, 마이크로피쳐 작업편에 인접한 흐름을 교반하기 위해 패들이 사용될 때, 이는 전해질내의 전기장에 "샤도우들(shadows)"을 생성할 수 있으며, 이는 마이크로피쳐 작업편으로부터의 재료의 제거 또는 증착의 바람직하지 못한 비균일성들을 유발한다. 또한, 회전하는 패들들과 연계된 잠재적인 단점은 이들이 재료 적용/제거 프로세스의 반경방향 변동들을 정확하게 제어할 수 없을 수 있다는 것이며, 그 이유는 작업편에 대한 패들의 속도가 반경의 함수로서 변하며, 작업편의 중심에서 특이성(singularity)을 갖기 때문이다.The arrangements have a number of disadvantages. As an example, even one or more paddles or fluid jets are often difficult to achieve the flow rates necessary to sufficiently reduce the diffusion layer thickness at the surface of the workpiece. In addition, when a paddle is used to agitate the flow adjacent to the microfeature workpiece, it may create "shadows" in the electric field in the electrolyte, which is desirable for the removal or deposition of material from the microfeature workpiece. Cause inhomogeneities that do not occur. In addition, a potential disadvantage associated with rotating paddles is that they may not be able to accurately control the radial variations of the material application / removal process, because the speed of the paddle relative to the workpiece changes as a function of radius, This is because it has singularity in the center of the workpiece.

이런 패들들이 배치되어 있는 반응기들은 또한 다수의 단점들을 가질 수 있다. 예로서, 반응기내의 전극은 공간적으로 균일한 방식으로 작업편에 재료를 적용하거나 작업편으로부터 재료를 제거할 수 없어서 작업편의 일부 영역들에서 나머지들에서 보다 큰 속도로 재료를 얻거나 잃게 할 수 있다. 또한, 현존하는 디바이스들은 그 동안 디바이스들을 재구성(예로서, 전해질내의 전기장을 조절하기 위해 전극 및/또는 차폐부(shield)를 이동시킴으로써)하게 되는, 처리 기간들 사이의 길고, 비생산적인 시간 간격들을 필요로하지 않고는 작업편들의 서로다른 유형들에 및/또는 그들로부터 재료를 전달하도록 구성되지 않는다. 다른 단점은 패들들이 전극에 의해 생성되는 전기장의 균일성을 교란시킬 수 있으며, 이는 추가로 재료가 작업편에 적용되는 또는 작업편으로부터 제거되는 균일성에 영향을 준다는 것이다. 상기 배열들의 또 다른 단점은 용기가 또한 작업편에 적용된 재료의 자기 배향을 제어하기 위해 작업편 인근에 위치된 자석을 포함할 수 있다는 것이다. 전극이 서비스 또는 교체를 위해 용기로부터 제거될 때, 자석과 간섭 및/또는 자석을 손상시키지 않고, 이를 수행하는 것이 곤란하다. Reactors in which such paddles are placed can also have a number of disadvantages. As an example, an electrode in a reactor may not be able to apply material to or remove material from a workpiece in a spatially uniform manner, resulting in loss or loss of material at a greater rate than others in some areas of the workpiece. . In addition, existing devices require long, unproductive time intervals between processing periods, during which time the devices are reconfigured (eg, by moving the electrode and / or shield to adjust the electric field in the electrolyte). It is not configured to transfer the material to and / or from the different types of workpieces without. Another disadvantage is that the paddles can disturb the uniformity of the electric field generated by the electrodes, which further affects the uniformity that the material is applied to or removed from the workpiece. Another disadvantage of the arrangements is that the container may also include a magnet located near the workpiece to control the magnetic orientation of the material applied to the workpiece. When the electrode is removed from the container for service or replacement, it is difficult to do this without interfering with the magnet and / or damaging the magnet.

본 발명은 교반기를 가지는 처리 챔버와, 처리 챔버로 그리고 처리 챔버로부터 작업편을 이동시키기 위한 작업편 수송부 및 처리 챔버와 수송부를 서로에 대하여 위치설정하기 위한 정합 시스템을 포함하는 툴이다. 툴은 장착 모듈을 포함하며, 장착 모듈은 챔버와 수송부를 결합시키기 위한 부착 요소들과 위치설정 요소들을 구비한다. 위치설정 요소들은 처리 챔버가 제거되고 다른 처리 챔버와 교체될 때, 수송부가 재캘리브레이팅될 필요가 없도록 그 상대 위치들을 유지한다. The present invention is a tool comprising a processing chamber having an agitator, a workpiece transport for moving the workpiece into and out of the processing chamber and a mating system for positioning the processing chamber and the transport with respect to each other. The tool includes a mounting module, the mounting module having attachment elements and positioning elements for engaging the chamber and the transport. The positioning elements maintain their relative positions so that the transport does not need to be recalibrated when the processing chamber is removed and replaced with another processing chamber.

툴의 특히 유용한 실시예에서, 장착 모듈은 데크(deck)를 포함하고, 데크는 강성 외부 부재, 강성 내부 부재 및 외부 부재와 내부 부재 사이의 브레이싱(bracing)을 구비한다. 처리 챔버는 그후 데크에 부착된다. 모듈은 수송부를 배치하기 위한 위치설정 요소를 갖는 플랫폼을 추가로 포함한다.In a particularly useful embodiment of the tool, the mounting module comprises a deck, the deck having a rigid outer member, a rigid inner member and a bracing between the outer member and the inner member. The processing chamber is then attached to the deck. The module further includes a platform having a positioning element for placing the transport.

다른 유용한 실시예들에서, 처리 챔버내의 교반기는 유체 교반을 증가시키도록 교반기 둘레에 긴밀한 간격으로 교반기 챔버내에 위치되며, 따라서, 작업편의 표면에서 질량 전달 효과들을 향상시킨다. 교반기는 다수의 교반기 요소들을 포함할 수 있으며, 작업편을 전기적으로 세도우잉(shadowing)할 가능성을 감소시키기 위해 시간에 걸쳐 위치가 변하는 행정을 통해 왕복할 수 있다. 다수의 전극들(예로서, 디빙(thieving) 전극 포함)은 작업편의 표면에서 전류 밀도에 대한 공간적 및 시간적 제어를 제공한다. 전기장 제어 요소는 처리 위치의 서로 다른 부분에서 처리 유체내의 전류 밀도를 원주방향으로 변화시키기 위해 처리 위치와 챔버의 전극들 사이에 위치될 수 있으며, 그에 의해 작업편에 대하여 이들이 왕복할 때 패들에 의해 발생되는 잠재적 3차원 영향들을 상쇄한다. 자석은 작업편이 처리되는 위치에 인접하게(예로서, 자기적 지향성 재료의 적용을 제어하기 위해), 그러나 설치 또는 제거시 전극이 그를 따라 이동하는 경로에 인접하지 않게 배치될 수 있다.In other useful embodiments, the stirrer in the processing chamber is located in the stirrer chamber at tight intervals around the stirrer to increase fluid agitation, thus improving mass transfer effects at the surface of the workpiece. The stirrer may include a number of stirrer elements and may reciprocate through a stroke that changes position over time to reduce the likelihood of electrically shadowing the workpiece. Multiple electrodes (including, for example, thieving electrodes) provide spatial and temporal control over the current density at the surface of the workpiece. The electric field control element may be located between the processing position and the electrodes of the chamber to circumferentially change the current density in the processing fluid at different parts of the processing position, thereby allowing the paddles as they reciprocate with respect to the workpiece. Offsets potential three-dimensional effects that occur. The magnet may be arranged adjacent to the location where the workpiece is to be treated (eg, to control the application of the magnetic directional material) but not adjacent to the path that the electrode moves along upon installation or removal.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴의 개략적인 상면도.1 is a schematic top view of a wet chemical treatment tool in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 실시예에 다른 습식 화학 처리 툴의 일부를 예시하는 등각도.2A is an isometric view illustrating a portion of a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 배열된 습식 화학 처리 툴의 상면도.2B is a top view of a wet chemical treatment tool arranged in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴에 사용하기 위한 장착 모듈의 등각도.3 is an isometric view of a mounting module for use in a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 습식 화학 처리 툴을 사용하기 위한 장착 모듈의 도 3의 선 4-4를 따른 단면도.4 is a cross-sectional view along line 4-4 of FIG. 3 of a mounting module for using a wet chemical processing tool in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5는 장착 모듈의 데크의 일부를 보다 상세히 도시하는 단면도. 5 is a cross-sectional view illustrating in more detail a portion of the deck of the mounting module.

도 6a는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 피쳐들을 가지는 처리 스테이션의 부분 개략 등각도.6A is a partial schematic isometric view of a processing station having features constructed in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6b는 도 6a에 도시된 처리 스테이션의 등각 상면도.6B is an isometric top view of the processing station shown in FIG. 6A.

도 6c 및 도 6d는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 전극들 및 교반기들을 가지는 반응기의 개략도.6C and 6D are schematic views of a reactor having electrodes and agitators constructed in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6e는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 자동식 교반기의 부분 개략 등각도.6E is a partial schematic isometric view of an automatic stirrer constructed in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버에 대하여 위치된 자석 및 전극들을 가지는 반응기의 부분 파단 등각도.7 is a partially broken isometric view of a reactor having magnets and electrodes positioned relative to an agitator chamber in accordance with another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 반응기의 부분 개략 단면도.8 is a partial schematic cross-sectional view of the reactor shown in FIG. 7.

도 9는 본 발명의 실시예에 다른 전극의 영향을 원주방향으로 변호시키도록 구성된 전기장 제어 요소의 개략도.9 is a schematic diagram of an electric field control element configured to circumferentially influence the influence of another electrode in an embodiment of the invention.

도 10은 전기장 제어 요소의 다른 실시예의 부분 개략도.10 is a partial schematic view of another embodiment of an electric field control element.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 개스킷으로서도 기능하는 전기장 제어 요소의 부분 개략 등각도.11 is a partial schematic isometric view of an electric field control element that also functions as a gasket according to an embodiment of the invention.

도 12a 내지 도 12g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 형상들 및 구성들을 가지는 교반기들을 예시하는 도면.12A-12G illustrate agitators having shapes and configurations in accordance with another embodiment of the present invention.

도 13은 격자 구조를 가지는 교반기의 등각도.13 is an isometric view of a stirrer having a lattice structure.

도 14는 본 발명의 실시예에 따라 교반기 챔버의 내외로의 흐름을 개략적으로 예시하는 도면.14 schematically illustrates the flow into and out of an agitator chamber in accordance with an embodiment of the present invention.

도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버를 가지는 반응기의 부분 개략도.15 is a partial schematic view of a reactor having a stirrer chamber in accordance with another embodiment of the present invention.

도 16a 및 도 16b는 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 서로 다른 크기들로 이루어진 교반기 요소들을 가지는 교반기 챔버의 일부의 저면도 및 단면도. 16A and 16B are bottom and cross-sectional views, respectively, of a portion of an agitator chamber having agitator elements of different sizes in accordance with yet another embodiment of the present invention.

도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 외피내에서 왕복하는 복수의 교반기의 단면도.17 is a cross-sectional view of a plurality of stirrers reciprocating in an envelope according to another embodiment of the present invention.

도 18은 그 길이에 걸쳐 변하는 높이를 가지는 교반기 요소의 부분 개략 등각도.18 is a partial schematic isometric view of an agitator element having a height varying over its length.

도 19a 내지 도 19f는 본 발명의 실시예에 따른 교반기 요소들의 왕복 행정을 변위시키기 위한 패턴을 개략적으로 예시하는 도면.19A-19F schematically illustrate a pattern for displacing a reciprocating stroke of agitator elements according to an embodiment of the invention.

본 명세서에서 사용시, 용어 "마이크로피쳐 작업편(microfeature workpiece)" 또는 "작업편"은 마이크로전자 디바이스들이 그 위에 및/또는 그 내부에 일체로 형성되는 기판들을 지칭한다. 통상적인 마이크로디바이스들은 마이크로전자 회로들 또는 콤포넌트들, 박막 기록 헤드들, 데이터 저장 요소들, 마이크로유동성 디바이스들 및 기타 제품들을 포함한다. 마이크로기계들 또는 마이크로기계적 디바이스들이 이 정의내에 포함되며, 이들은 집적 회로들의 제조에 사용되는 것과 매우 동일한 기술을 사용하여 제조되기 때문이다. 기판들은 반전도성 단편들(예로서, 도핑된 실리콘 웨이퍼들 또는 갈륨(gallium) 비화물 웨이퍼들), 비전도성 단편들(예로서, 다양한 세라믹 기판들) 또는 전도성 단편들일 수 있다. 일부 경우들에서, 작업편들은 실질적으로 라운드형이며, 다른 경우들에서, 작업편들은 직선형 형상들을 포함하는 다른 형상들을 가진다.As used herein, the term “microfeature workpiece” or “workpiece” refers to substrates on which microelectronic devices are integrally formed thereon and / or inside thereof. Typical microdevices include microelectronic circuits or components, thin film write heads, data storage elements, microfluidic devices and other products. Micromechanicals or micromechanical devices are included within this definition because they are manufactured using the very same technology used to manufacture integrated circuits. Substrates may be semiconducting fragments (eg, doped silicon wafers or gallium arsenide wafers), nonconductive fragments (eg, various ceramic substrates) or conductive fragments. In some cases, the workpieces are substantially rounded, and in other cases, the workpieces have other shapes, including straight shapes.

마이크로피쳐 작업편들의 습식 화학 처리를 위한 통합형 툴들의 다수의 실시예들이 작업편들의 구조체들내에 떠는 그 위에 전기영동 레지스터 또는 금속들을 증착시키는 것에 관하여 설명된다. 그러나, 본 발명에 따른 통합형 툴들은 반도체 기판들 또는 다른 유형의 작업편들내에 및/또는 그 위에 마이크로피쳐들의 제조시의 에칭, 헹굼 또는 다른 유형의 습식 화학 처리들에 사용될 수도 있다. 본 발명의 특정 실시예에 대한 전반적 이해를 제공하기 위해, 본 발명에 따른 툴들 및 챔버들의 다수의 예들이 도 1 내지 19f 및 하기의 설명에 기술되어 있다. 설명은 하기의 장들로 나뉘어진다 : (A) 장착 모듈들을 가지는 통합형 툴들의 실시예들, (B) 치수적으로 안정한 장착 모듈들의 실시예들, (C) 다수의 전극들 및 수납된 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들, (D) 전기장을 원주방향으로 변화시키기 위한 전기장 제어 요소들을 가지는 반응기들의 실시예들, (E) 교반기 챔버들을 위한 교반기들의 실시예들 및 (F) 전기장 차폐부를 감소시키기 위한 왕복 스케줄들 및 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들. 그러나, 본 기술의 숙련자는 본 발명이 부가적인 실시예들을 가질 수 있다는 것 및 본 발명이 도 1 내지 도 19f에 도시된 실시예들의 다수의 세부사항들을 구비하지 않고도 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다.Numerous embodiments of integrated tools for wet chemical processing of microfeature workpieces are described with respect to depositing electrophoretic resistors or metals thereon floating within the structures of the workpieces. However, integrated tools according to the present invention may be used for etching, rinsing or other types of wet chemical processes in the manufacture of microfeatures in and / or on semiconductor substrates or other types of workpieces. In order to provide a general understanding of a particular embodiment of the present invention, numerous examples of tools and chambers according to the present invention are described in FIGS. 1 to 19F and the description below. The description is divided into the following chapters: (A) embodiments of integrated tools with mounting modules, (B) embodiments of dimensionally stable mounting modules, (C) having a plurality of electrodes and housed agitators Embodiments of the reactors, (D) embodiments of the reactors having electric field control elements for circumferentially changing the electric field, (E) embodiments of the agitators for the agitator chambers, and (F) for reducing the electric field shield Embodiments of reactors with round trip schedules and agitators. However, those skilled in the art will understand that the present invention may have additional embodiments and that the present invention may be practiced without having many of the details of the embodiments shown in FIGS.

A. 장착 모듈들을 가지는 통합형 툴들의 실시예들 A. Embodiments of integrated tools with mounting modules

도 1은 하나 이상의 습식 화학 처리들을 수행할 수 있는 통합형 툴(100)을 개략적으로 예시한다. 툴(100)은 데크(164)를 수납하는 하우징 또는 캐비넷(102), 복수의 습식 화학 처리 스테이션들(101) 및 작업편 수송부 또는 수송 시스템(105)을 포함한다. 각 처리 스테이션(101)은 용기, 챔버 또는 반응기(110)와 반응기 (110)의 내외로 마이크로피쳐 작업편들(W)을 전달하기 위한 작업편 지지부(예로서, 부양-회전 유닛)(113)를 포함한다. 스테이션(101)은 헹굼/건조 챔버들, 세정 캡슐들, 에칭 캡슐들, 전자화학 증착 챔버들 또는 기타 유형의 습식 화학 처리 용기들을 포함할 수 있다. 수송 시스템(105)은 선형 트랙(104) 및 로봇(103)을 포함하며, 로봇은 트랙(104)을 따라 이동하여 툴(100)내에서 개별 작업편들(W)을 수송한다. 통합형 툴(100)은 작업편 로드/언로드 유닛(108)을 추가로 포함하며, 이는 작업편들(W)을 유지하기 위한 복수의 컨테이너들(107)을 구비한다. 동작시, 로봇(103)은 툴(100)내에서 사전결정된 작업흐름 스케줄에 따라서 작업편들(W)을 컨테이너들(107) 및 처리 스테이션들(101)로 및 그로부터 수송한다.1 schematically illustrates an integrated tool 100 that may perform one or more wet chemical processes. Tool 100 includes a housing or cabinet 102 that houses deck 164, a plurality of wet chemical processing stations 101, and a workpiece transporter or transport system 105. Each processing station 101 is a workpiece support (eg, flotation-rotating unit) 113 for delivering microfeature workpieces W into and out of the vessel, chamber or reactor 110 and reactor 110. It includes. Station 101 may include rinse / dry chambers, cleaning capsules, etch capsules, electrochemical deposition chambers or other types of wet chemical processing vessels. The transport system 105 includes a linear track 104 and a robot 103, which moves along the track 104 to transport the individual workpieces W within the tool 100. The integrated tool 100 further includes a workpiece load / unload unit 108, which has a plurality of containers 107 for holding the workpieces W. As shown in FIG. In operation, the robot 103 transports the workpieces W to and from the containers 107 and the processing stations 101 in accordance with a predetermined workflow schedule within the tool 100.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 통합형 툴(100)의 일부를 도시하는 등각도이다. 통합형 툴(100)은 프레임(162), 프레임(162)에 장착된 치수적으로 안정한 장착 모듈(160), 복수의 습식 화학 처리 챔버들(110) 및 복수의 작업편 지지부들(113)을 포함한다. 장착 모듈(160)은 처리 챔버들(110) 및 작업편 지지부들(113)과, 수송 시스템(105)을 포함한다.2A is an isometric view of a portion of an integrated tool 100 in accordance with an embodiment of the present invention. The integrated tool 100 includes a frame 162, a dimensionally stable mounting module 160 mounted to the frame 162, a plurality of wet chemical processing chambers 110 and a plurality of workpiece supports 113. do. Mounting module 160 includes processing chambers 110 and workpiece supports 113 and transport system 105.

프레임(162)은 본 기술에 공지된 방식으로 함께 용접된 복수의 포스트들(163) 및 크로스바아들(161)을 갖는다. 복수의 외부 패널들 및 도어들(도 2a에는 미도시)은 일반적으로 프레임(162)에 부착되어 수납된 캐비넷(102)에 부착된다(도 1). 장착 모듈(160)은 적어도 부분적으로 프레임(162)내에 수납된다. 일 실시예에서, 장착 모듈(160)은 프레임(162)의 크로스바아들(161)에 의해 지지되지만, 장착 모듈(160)은 대안적으로, 설비의 플로어 또는 다른 구조체들상에 직접적으로 세워 질 수 있다. Frame 162 has a plurality of posts 163 and crossbars 161 welded together in a manner known in the art. A plurality of exterior panels and doors (not shown in FIG. 2A) are generally attached to the cabinet 102 housed in the frame 162 (FIG. 1). Mounting module 160 is at least partially contained within frame 162. In one embodiment, the mounting module 160 is supported by the crossbars 161 of the frame 162, but the mounting module 160 may alternatively be erected directly on the floor or other structures of the installation. have.

장착 모듈(160)은 강성적인 안정한 구조체이며, 이는 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105) 사이의 상대 위치들을 유지한다. 장착 모듈(160)의 일 양태는 매우 보다 강성적이며, 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105) 사이의 상대 위치들이 시간에 걸쳐 변하지 않도록 프레임(162) 보다 현저히 큰 구조적 완전성을 갖는다는 것이다. 장착 모듈(160)의 다른 양태는 데크(164)상의 알려진 위치들에서 작업편 지지부들(113)과, 처리 챔버들(110)을 위치설정하기 위해 정확한 위치들에 위치설정 요소들을 갖는 치수적으로 안정한 데크(164)를 포함한다는 것이다. 일 실시예(미도시)에서, 수송 시스템(105)은 데크(164)에 직접적으로 장착된다. 도 2a에 도시된 배열에서, 장착 모듈(160)은 또한, 치수적으로 안정한 플랫폼(165)을 가지고, 수송 시스템(105)은 플랫폼(165)에 장착된다. 데크(164) 및 플랫폼(165)은 서로에 대하여 고정적으로 위치되고, 그래서, 데크(164)상의 위치설정 요소들 및 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들은 서로에 대하여 이동하지 않는다. 따라서, 장착 모듈(module)(160)은 데크(164)상의 정확한 위치들에 대체 콤포넌트들을 정확하게 위치시키는 방식으로, 습식 화학 처리 챔버들(110) 및 작업편 지지부(113)가 제거 및 교체가능한 콤포넌트들로 교체될 수 있는 시스템을 제공한다.The mounting module 160 is a rigid stable structure that maintains relative positions between the wet chemical processing chambers 110, the workpiece supports 113, and the transport system 105. One aspect of the mounting module 160 is much more rigid and the frame 162 such that the relative positions between the wet chemical processing chambers 110, the workpiece supports 113, and the transport system 105 do not change over time. ) Have significantly greater structural integrity. Another aspect of the mounting module 160 is dimensionally with the workpiece supports 113 at known locations on the deck 164 and positioning elements at the correct locations for positioning the processing chambers 110. It includes a stable deck 164. In one embodiment (not shown), the transportation system 105 is mounted directly to the deck 164. In the arrangement shown in FIG. 2A, the mounting module 160 also has a dimensionally stable platform 165, and the transport system 105 is mounted to the platform 165. Deck 164 and platform 165 are fixedly positioned relative to each other, so that positioning elements on deck 164 and positioning elements on platform 165 do not move relative to each other. Thus, the mounting module 160 allows components to be removed and replaced by the wet chemical processing chambers 110 and the workpiece support 113 in such a way that the replacement components are accurately positioned at the correct positions on the deck 164. It provides a system that can be replaced with.

툴(100)은 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부(113) 또는 수송 시스템(105)의 빈번한 정비를 필요로 하는 요구 제원들을 갖는 응용처들을 위해 특히 적합하다. 습식 화학 처리 챔버(110)는 처리 데크(164)로부터 챔버를 간단히 분리 하고, 데크(164)상의 위치설정 요소들과 인터페이스(interface) 연결되도록 구성된 장착 하드웨어를 갖는 교체가능한 챔버와 챔버를 교체함으로써 수리 또는 정비될 수 있다. 장착 모듈(160)이 치수적으로 안정하고, 교체 처리 챔버(110)의 장착 하드웨어가 데크(164)와 결부되기 때문에, 챔버(110)는 수송 시스템(105)을 재캘리브레이팅하지 않고 데크(164)상에서 교체될 수 있다. 이는 툴(100)이 엄격한 성능 제원들을 갖는 응용처들에서 높은 처리량을 유지할 수 있도록 처리 챔버들(110)을 수리 또는 정비하는 것과 연계된 가동중단 시간(downtime)을 현저히 감소시키는 것으로 기대된다. The tool 100 is particularly suitable for applications with the required specifications requiring frequent maintenance of the wet chemical processing chambers 110, the workpiece support 113, or the transportation system 105. The wet chemical processing chamber 110 is repaired by simply separating the chamber from the processing deck 164 and replacing the chamber with a replaceable chamber having mounting hardware configured to interface with the positioning elements on the deck 164. Or can be maintained. Because the mounting module 160 is dimensionally stable and the mounting hardware of the replacement processing chamber 110 is associated with the deck 164, the chamber 110 does not recalibrate the transportation system 105 but the deck ( 164) may be replaced. This is expected to significantly reduce the downtime associated with repairing or servicing the processing chambers 110 such that the tool 100 can maintain high throughput in applications with stringent performance specifications.

도 2b는 장착 모듈(160)에 부착된 로드/언로드 유닛(108)과 수송 시스템(105)을 예시하는 툴(100)의 상면도이다. 도 2a 및 도 2b를 함께 참조하면, 트랙(104)은 플랫폼(165)에 장착되며, 특히, 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들과 결부되고, 그래서, 이는 데크(164)에 부착된 작업편 지지부들(113) 및 챔버들(110)에 대하여 정확하게 위치설정된다. 로봇(103)(작업편(W)을 파지하기 위한 엔드-이펙터들(end-effectors)(106) 포함)은 따라서, 장착 모듈(160)에 의해 형성된 고정식의 치수적으로 안정한 기준 프레임에서 작업편(W)을 이동시킬 수 있다. 도 2B를 참조하면, 툴(100)은 장착 모듈(160), 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105)을 캐비넷(102)내에 수납하기 위해 프레임(162)에 부착된 복수의 패널(166)을 추가로 포함할 수 있다. 대안적으로, 개방 툴을 제공하도록 처리 데크(164) 위의 영역에서 툴(100)의 일 측부 또는 양 측부들상의 패널(166)이 제거될 수 있다. 2B is a top view of the tool 100 illustrating the load / unload unit 108 and the transport system 105 attached to the mounting module 160. Referring together to FIGS. 2A and 2B, the track 104 is mounted to the platform 165, in particular associated with positioning elements on the platform 165, so that a workpiece attached to the deck 164 is provided. It is precisely positioned relative to the supports 113 and the chambers 110. The robot 103 (including the end-effectors 106 for gripping the workpiece W) thus has the workpiece in a fixed, dimensionally stable reference frame formed by the mounting module 160. You can move (W). Referring to FIG. 2B, the tool 100 includes a frame for storing the mounting module 160, the wet chemical processing chambers 110, the workpiece supports 113, and the transport system 105 in the cabinet 102. It may further include a plurality of panels 166 attached to 162. Alternatively, the panel 166 on one or both sides of the tool 100 may be removed in the area above the treatment deck 164 to provide an open tool.

B. 치수적으로 안정한 장착 모듈들의 실시예들 B. Embodiments of Dimensionally Stable Mounting Modules

도 3은 툴(100)(도 1 내지 도 2b)에 사용하기 위한 본 발명의 실시예에 따라 구성된 장착 모듈(160)의 등각도이다. 데크(164)는 강성적인 제1 패널(166a)과 제1 패널(166a) 아래에 중첩된 강성적인 제2 패널(166b)을 포함한다. 제1 패널(166a)은 외부 부재이고, 제2 패널(166b)은 외부 부재와 병치된 내부 부재이다. 대안적으로, 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)은 도 3에 도시된 것과 다른 구조들을 가질 수 있다. 복수의 챔버 리셉터클들(receptacles)(167)이 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)내에 배치되어 습식 화학 처리 챔버들(110)(도 2a)을 수용한다.3 is an isometric view of mounting module 160 constructed in accordance with an embodiment of the present invention for use with tool 100 (FIGS. 1-2B). Deck 164 includes a rigid first panel 166a and a rigid second panel 166b superimposed beneath the first panel 166a. The first panel 166a is an outer member, and the second panel 166b is an inner member juxtaposed with the outer member. Alternatively, the first and second panels 166a and 166b may have structures other than those shown in FIG. 3. A plurality of chamber receptacles 167 are disposed within the first and second panels 166a and 166b to accommodate the wet chemical processing chambers 110 (FIG. 2A).

데크(164)는 제1 패널(166a)을 가로질러 정밀한 패턴으로 배열된 복수의 위치설정 요소들(168) 및 부착 요소들(169)을 추가로 포함한다. 위치설정 요소들(168)은 정확한 위치들에서 제1 패널(166a)내에 기계가공된 구멍들 및/또는 구멍들내에 수용된 못(dowel)들 또는 핀들을 포함한다. 또한, 못들은 습식 화학 처리 챔버들(110)(도 2A)과 결부되도록 구성된다. 예로서, 못들은 처리 챔버들(110)의 다른 인터페이스 부재들 또는 대응 구멍들에 수용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 위치설정 요소들(168)은 제1 패널(166a)내의 구멍들내에 위치되지 않고, 제1 패널(166a)로부터 상향으로 돌출하는 원통형 핀들 또는 원추형 핀들 같은 핀들을 포함한다. 데크(164)는 장착 모듈(160)상의 정밀한 위치들에서 개별 습식 화학 처리 챔버들을 정확하게 위치시키기 위해, 각 챔버 리셉터클(167)에 위치된 제1 챔버 위치설정 요소들(168a)의 세트를 구비한다. 또한, 데크(164)는 장착 모듈(160)상의 정확한 위치들에 정확하게 개별 작업편 지지부들(113)(도 2a)을 위치설정하기 위해 각 리셉터클(167) 부근에 제1 지지부 위치설정 요소들(168b)의 세트를 포함할 수도 있다. 제1 지지부 위치설정 요소들(168b)은 작업편 지지부들(113)의 대응 위치설정 요소들과 정합하도록 위치설정 및 구성된다. 부착 요소들(169)은 데크(164)에 작업편 지지부들(113) 및 챔버들(110)을 고정하기 위해 볼트들을 수용하는 제1 패널(166a)내의 나선식 구멍일 수 있다. Deck 164 further includes a plurality of positioning elements 168 and attachment elements 169 arranged in a precise pattern across first panel 166a. The positioning elements 168 include holes machined in the first panel 166a and / or dowels or pins received in the holes at the correct positions. The nails are also configured to engage wet chemical processing chambers 110 (FIG. 2A). By way of example, the nails may be received in other interface members or corresponding holes of the processing chambers 110. In other embodiments, the positioning elements 168 are not located in the holes in the first panel 166a and include pins such as cylindrical pins or conical pins that project upwardly from the first panel 166a. Deck 164 has a set of first chamber positioning elements 168a located in each chamber receptacle 167 to accurately position individual wet chemical processing chambers at precise locations on mounting module 160. . Deck 164 also includes first support positioning elements near each receptacle 167 to position the individual workpiece supports 113 (FIG. 2A) precisely at the correct positions on mounting module 160. 168b). The first support positioning elements 168b are positioned and configured to mate with corresponding positioning elements of the workpiece supports 113. Attachment elements 169 may be a spiral hole in first panel 166a that receives bolts to secure workpiece supports 113 and chambers 110 to deck 164.

또한, 장착 모듈(160)은 데크(164)의 종방향 외부 에지들을 따른 외부 측부판들(170a), 데크(16)의 종방향 내부 에지들을 따른 내부 측부판들(170b) 및 데크(164)의 단부들에 부착된 단부판들(170c)을 포함한다. 수송 플랫폼(165)은 내부 측부판들(170b) 및 단부판들(170c)에 부착된다. 수송 플랫폼(165)은 장착 모듈(160)상에 수송 시스템(105)(도 2a 및 도 2b)의 트랙(104)(도 2a 및 도 2b)을 정확하게 위치설정하기 위한 트랙 위치설정 요소들(168c)을 포함한다. 예로서, 트랙 위치설정 요소들(168c)은 대응 구멍들, 핀들 또는 트랙(104의 다른 인터페이스 부재들과 정합하는 구멍들 또는 핀들을 포함할 수 있다. 수송 플랫폼(165)은 플랫폼(165)에 트랙(104)을 고정하기 위해 볼트들을 수용하는 탭형(tapped) 구멍들 같은 부착 요소들(169)을 추가로 포함할 수 있다. Furthermore, mounting module 160 includes outer side plates 170a along the longitudinal outer edges of deck 164, inner side plates 170b along the longitudinal inner edges of deck 16, and deck 164. End plates 170c attached to the ends of the substrate. The transport platform 165 is attached to the inner side plates 170b and the end plates 170c. The transport platform 165 is provided with track positioning elements 168c for accurately positioning the track 104 (FIGS. 2A and 2B) of the transport system 105 (FIGS. 2A and 2B) on the mounting module 160. ). By way of example, the track positioning elements 168c may include holes or pins that mate with corresponding holes, pins or other interface members of the track 104. The transport platform 165 may be connected to the platform 165. Attachment elements 169, such as tapped holes, that receive bolts to secure the track 104 may be further included.

도 4는 데크(164)의 내부 구조체의 한가지 적절한 실시예를 예시하는 단면도이며, 도 5는 도 4에 도시된 데크(164)의 일부의 상세도이다. 데크(164)는 내부 측부판들(170b) 및 외부 측부판들(170a) 사이에서 측방향으로 연장하는 조이스트들(joists) 같은 브레이싱(171)을 포함한다. 제1 패널(166a)은 브레이싱(171)의 상부측에 부착되고, 제2 패널(166b)은 브레이싱(171)의 하부측에 부착된다. 데크(164) 는 복수의 관통볼트들(172) 및 너트들(173)을 추가로 포함할 수 있으며, 이들은 제1 및 제2 패널들(166a 및 166b)을 브레이싱(171)에 고정한다. 도 5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 브레이싱(171)은 복수의 구멍들(174)을 가지며, 이를 통해 관통볼트들(172)이 연장한다. 너트들(173)은 이들 콤포넌트들 사이의 연결을 향상시키도록 볼트들(172)에 용접될 수 있다.4 is a cross-sectional view illustrating one suitable embodiment of the internal structure of deck 164, and FIG. 5 is a detailed view of a portion of deck 164 shown in FIG. 4. Deck 164 includes a bracing 171 such as joists extending laterally between inner side plates 170b and outer side plates 170a. The first panel 166a is attached to the upper side of the bracing 171, and the second panel 166b is attached to the lower side of the bracing 171. Deck 164 may further include a plurality of through bolts 172 and nuts 173, which secure the first and second panels 166a and 166b to the bracing 171. As best shown in FIG. 5, the bracing 171 has a plurality of holes 174 through which the through bolts 172 extend. Nuts 173 may be welded to bolts 172 to enhance the connection between these components.

데크(164)의 브레이싱 및 패널들은 스테인레스 강, 다른 금속 합금들, 솔리드 캐스트 재료들 또는 섬유 보강 합성물들로 이루어질 수 있다. 예로서, 패널들 및 판들은 Nitronic 50 스테인레스 강, Hastelloy 625 강 합금들 또는 마이카(mica)로 충전된 솔리드 캐스트 에폭시로 이루어질 수 있다. 섬유 보강 합성물들은 경화된 수지내에 탄소-섬유 또는 Kevlar® 메시를 포함할 수 있다. 패널들(166a 및 166b)을 위한 재료는 매우 강성적이어야 하며, 습식 화학 처리들에서 사용되는 화학제들과 공존할 수 있어야 한다. 스테인레스 강은 다수의 용례들에 매우 적합하며, 그 이유는 이는 강하지만, 습식 화학 처리들에서 사용되는 다수의 전해액들 또는 세정액들에 의해 영향을 받지 않기 때문이다. 일 실시예에서, 패널들 및 판들(166a-b 및 170a-c)은 0.125 내지 0.375in 두께의 스테인레스 강이며, 보다 구체적으로, 이들은 0.250in 두께 스테인레스 강일 수 있다. 그러나, 패널들 및 판들은 다른 실시예들에서 서로 다른 두께들을 가질 수 있다.The bracing and panels of deck 164 may be made of stainless steel, other metal alloys, solid cast materials or fiber reinforced composites. By way of example, the panels and plates may be made of Nitronic 50 stainless steel, Hastelloy 625 steel alloys or solid cast epoxy filled with mica. Fiber reinforced composites can include carbon-fibers or Kevlar® mesh in the cured resin. The material for panels 166a and 166b must be very rigid and able to coexist with the chemicals used in wet chemical processes. Stainless steel is well suited for many applications because it is strong but is not affected by the many electrolytes or cleaning solutions used in wet chemical treatments. In one embodiment, panels and plates 166a-b and 170a-c are 0.125 to 0.375 in thick stainless steel, and more specifically, they may be 0.250 in thick stainless steel. However, the panels and plates may have different thicknesses in other embodiments.

브레이싱(171)은 또한 스테인레스 강, 섬유 보강 합성 재료들, 기타 금속 합금들 및/또는 솔리드 캐스트 재료들일 수 있다. 일 실시예에서, 브레이싱은 0.5 내지 2.0in 넓이 스테인레스 강 조이스트들일 수 있으며, 보다 구체적으로 1.0in 높 이 x 2.0in 높이 스테인레스 강 조이스트들일 수 있다. 다른 실시예들에서, 브레이싱(171)은 금속(예로서, 스테인레스 강, 알루미늄, 티타늄 등), 폴리머들, 섬유 유리(fiber glass) 또는 다른 재료들로 이루어진 허니콤 코어 또는 다른 구조체들일 수 있다.The bracing 171 may also be stainless steel, fiber reinforced synthetic materials, other metal alloys and / or solid cast materials. In one embodiment, the bracing may be 0.5 to 2.0 in wide stainless steel joists, and more specifically 1.0 in high x 2.0 in high stainless steel joists. In other embodiments, the bracing 171 may be a honeycomb core or other structures made of metal (eg, stainless steel, aluminum, titanium, etc.), polymers, fiber glass, or other materials.

장착 모듈(160)은 데크(164)의 섹션들을 조립하고, 그후, 용접 또는 다른 방식으로 단부판들(170c)을 데크(164)의 섹션들에 부착함으로써 구성된다. 데크(164)의 콤포넌트들은 일반적으로, 용접부들 없이 관통볼트들(172)에 의해 함께 고정된다. 외부 측부판들(170a) 및 내부 측부판들(170b)은 용접부들 및/또는 패스너들을 사용하여 데크(164) 및 단부판들(170c)에 부착된다. 그후, 플랫폼(165)은 단부판들(170c) 및 내부 측부판들(170b)에 견고히 부착된다. 장착 모듈(160)이 조립되는 순서는 변할 수 있으며, 상술한 절차에 제한되지 않는다.Mounting module 160 is constructed by assembling sections of deck 164 and then attaching end plates 170c to sections of deck 164 by welding or otherwise. The components of deck 164 are generally secured together by through bolts 172 without welds. Outer side plates 170a and inner side plates 170b are attached to deck 164 and end plates 170c using welds and / or fasteners. Thereafter, the platform 165 is firmly attached to the end plates 170c and the inner side plates 170b. The order in which the mounting module 160 is assembled may vary and is not limited to the above-described procedure.

도 3으로 돌아가면, 장착 모듈(160)은 교체 처리 챔버(110) 또는 작업편 지지부(113)가 데크(164)에 장착되는 각 시기 마다 수송 시스템(105)이 재캘리브레이팅될 필요가 없는 범위 이내로, 플랫폼(165)상의 위치설정 요소들(168c)과 데크(164)상의 위치설정 요소들(168a-b) 사이의 상대 위치들을 유지하는 헤비-듀티 치수 안정성 구조체를 제공한다. 장착 모듈(160)은 일반적으로, 습식 화학 처리 챔버들(110), 작업편 지지부들(113) 및 수송 시스템(105)이 장착 모듈(160)에 장착될 때, 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 유지하기에 충분히 강한 강성 구조체이다. 다수의 실시예들에서, 장착 모듈(160)은 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 0.025in 이내로 유지하도록 구성된다. 다 른 실시예들에서, 장착 모듈은 위치설정 요소들(168a-b 및 168c) 사이의 상대 위치들을 약 0.005 내지 0.015in 이내로 유지하도록 구성된다. 이와 같이, 데크(164)는 종종 약 0.025in 이내로, 보다 특정한 실시예들에서는 약 0.005 내지 0.015in 이내로 균일하게 평탄한 표면을 유지한다. Returning to FIG. 3, the mounting module 160 eliminates the need for the transport system 105 to be recalibrated each time the replacement processing chamber 110 or workpiece support 113 is mounted to the deck 164. Within range, a heavy-duty dimensional stability structure is provided that maintains relative positions between positioning elements 168c on platform 165 and positioning elements 168a-b on deck 164. Mounting module 160 generally includes positioning elements 168a-b when wet chemical processing chambers 110, workpiece supports 113, and transport system 105 are mounted to mounting module 160. And a rigid structure strong enough to maintain relative positions between and 168c). In many embodiments, mounting module 160 is configured to maintain relative positions between positioning elements 168a-b and 168c within 0.025in. In other embodiments, the mounting module is configured to maintain the relative positions between the positioning elements 168a-b and 168c within about 0.005 to 0.015in. As such, deck 164 often maintains a uniformly flat surface within about 0.025 inches, and in more specific embodiments within about 0.005 to 0.015 inches.

C. 다수의 전극들 및 수납된 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들 C. Embodiments of Reactors with Multiple Electrodes and Receiving Stirrer

도 6a는 본 발명의 실시예에 따른 피쳐들을 가지는 처리 스테이션(101)의 등각도이다. 스테이션(101)은 전자화학 처리 유체를 담도록 구성된 용기(112), 처리 유체와 접촉하여 마이크로피쳐 작업편(W)을 해제가능하게 지지하도록 위치된 작업편 지지부(113) 및 마이크로피쳐 작업편(W)의 표면에 인접한 처리 유체를 교반하도록 위치된 교반기(140) 또는 다른 유체 제어 디바이스를 포함한다. 교반기(140)는 하나 이상의 교반기 요소들(141)(예로서, 패들들 또는 패들 요소들)을 포함할 수 있다. 본 실시예의 특정 양태에서, 작업편 지지부(113)는 트랙(187)을 따라 용기(112)에 대하여 상향 및 하향으로 이동하는 헤드 지지부(186)에 의해 지지되는 헤드(185)를 포함한다. 도관들(188)은 제1 커넥터(189a)(작업편 지지부(113)에 부착됨) 및 제2 커넥터(189b)(툴(100)에 부착됨)를 경유하여 툴(100)(도 1)의 잔여부와 작업편 지지부(113) 사이의 유체 및 전기 소통을 제공한다.6A is an isometric view of processing station 101 having features in accordance with an embodiment of the present invention. The station 101 includes a container 112 configured to contain an electrochemical treatment fluid, a workpiece support 113 and a microfeature workpiece positioned to releasably support the microfeature workpiece W in contact with the treatment fluid. An agitator 140 or other fluid control device positioned to agitate the processing fluid adjacent the surface of W). Stirrer 140 may include one or more stirrer elements 141 (eg, paddles or paddle elements). In a particular aspect of this embodiment, the workpiece support 113 includes a head 185 supported by a head support 186 that moves up and down relative to the container 112 along the track 187. Conduits 188 are attached to tool 100 (FIG. 1) via first connector 189a (attached to workpiece support 113) and second connector 189b (attached to tool 100). Fluid and electrical communication between the remainder of the workpiece support and the workpiece support 113.

헤드(185)는 상향 대면 위치(마이크로피쳐 작업편(W)을 로드 및 언로드하기 위해) 및 하향 대면 위치(처리를 위해) 사이에서 회전한다. 작업편(W)이 하향 대면 위치에 있을 때, 헤드(185)는 작업편(W)이 용기(112)내의 처리 유체와 접촉하게 하도록 하강한다. 또한, 헤드(185)는 작업편(W)의 하향 표면에 실질적으로 수직인 축 둘레에서 작업편(W)을 스피닝할 수 있다. 본 실시예의 일 양태에서, 헤드(185)는 처리 이전에 작업편(W)을 선택된 배향으로 스피닝(spining)한다(예로서, 자기 응답성 재료들의 증착 동안을 포함하여, 처리가 작업편(W)의 배향에 민감할 때). 또 다른 실시예들에서, 헤드(185)는 예로서, 처리 이전, 도중 또는 이후의 스피닝이 수행되는 처리에 유리하지 않을 때, 스피닝하지 않는다. 이들 실시예들 중 임의의 실시예에서, 헤드(185)는 처리 이후 상승하고, 그후, 처리 스테이션(101)으로부터 작업편(W)을 언로딩하기 위해 반전한다.The head 185 rotates between an upward facing position (to load and unload the microfeature workpiece W) and a downward facing position (for processing). When the workpiece W is in the downward facing position, the head 185 is lowered to bring the workpiece W into contact with the processing fluid in the container 112. In addition, the head 185 may spin the workpiece W around an axis substantially perpendicular to the downward surface of the workpiece W. As shown in FIG. In one aspect of this embodiment, the head 185 spins the workpiece W in a selected orientation prior to processing (eg, during the deposition of magnetically responsive materials, such that the treatment is performed on the workpiece W). Sensitive to the orientation of). In still other embodiments, the head 185 does not spin, for example, when it is not advantageous for the processing to be performed before, during or after the processing. In any of these embodiments, head 185 is raised after processing, and then inverted to unload workpiece W from processing station 101.

도 6a에 도시된 실시예의 특정 양태에서, 처리 스테이션(101)은 용기(112) 둘레에 배치된 실질적인 편자형 자석(195)을 포함한다. 자석(195)은 특정 방향으로 작업편(W)에 적용되는 재료의 분자들을 배향하도록 위치된 전자석 및/또는 영구 자석을 포함한다. 예로서, 이런 배열은 작업편(W)에 퍼멀로이(permalloy) 및/또는 다른 자기적 지향성 재료들을 적용하기 위해 사용된다. 다른 실시예들에서, 자석(195)은 제거된다.In a particular aspect of the embodiment shown in FIG. 6A, the processing station 101 includes a substantially horseshoe magnet 195 disposed around the vessel 112. The magnet 195 includes an electromagnet and / or a permanent magnet positioned to orient molecules of the material applied to the workpiece W in a particular direction. As an example, this arrangement is used to apply permalloy and / or other magnetically directional materials to the workpiece W. In other embodiments, the magnet 195 is removed.

도 6b는 예시를 위해 작업편 지지부(113)가 제거되어 있는, 도 6a를 참조로 상술된 처리 스테이션(101)의 일 실시예의 등각 상면도이다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 교반기 요소들(141)은 마이크로피쳐 작업편(W)(도 6b에 가상선들로 도시됨) 바로 아래에서 챔버(130)(예로서, 교반기 챔버 또는 흐름 제어 챔버)내에 배치된다. 따라서, 마이크로피쳐 작업편(W)은 교반기 챔버(130)를 위한 상단면의 일부를 형성한다. 본 실시예의 특정 양태에서, 처리 유체는 교반기 챔버(130)를 횡단하여 수집 포트들(139a)(화살표들 B로 표시된 바와 같이)을 통해 작업편(W) 아래로부터 출현하도록 측방향으로(화살표 A로 표시된 바와 같이) 교반기 챔버(130)내로 도입된다. 그후 처리 유체는 화살표들 C로 표시된 바와 같이 교반기 챔버(130) 둘레로 이동하고, 제거 또는 재순환을 위해 일련의 드레인 포트들(drain ports)(139b)내에 수집된다(화살표 D로 표시된 바와 같이). 따라서, 일 실시예에서, 드레인 포트들(139b)은 용기내의 처리 유체의 최대 높이에서 유체 평면을 형성한다. 교반기 챔버(130)의 적어도 일부(그리고, 도 6B에 도시된 바와 같이, 교반기 챔버(130)의 전체)는 유체 평면 아래의 처리 유체 내에 침지된다. 처리 유체가 교반기 챔버(130)를 통해 이동하는 동안, 작업편(W) 바로 아래에 위치된 교반기 요소들(141)은 실질적인 선형 운동 경로(화살표 E로 표시됨)를 따라 전후로 왕복하여 작업편(W)의 표면에서 질량 전달 프로세스를 향상시킨다.6B is an isometric top view of one embodiment of the processing station 101 described above with reference to FIG. 6A, with the workpiece support 113 removed for illustration. As shown in FIG. 6B, the agitator elements 141 are placed directly below the chamber 130 (eg, an agitator chamber or flow control chamber) under the microfeature workpiece W (shown in phantom lines in FIG. 6B). Disposed within. Thus, the microfeature workpiece W forms part of the top surface for the stirrer chamber 130. In a particular aspect of this embodiment, the processing fluid crosses the stirrer chamber 130 laterally (arrow A) to emerge from below the workpiece W through collection ports 139a (as indicated by arrows B). Is introduced into the stirrer chamber 130. The processing fluid then moves around the agitator chamber 130 as indicated by arrows C and is collected in a series of drain ports 139b for removal or recycle (as indicated by arrow D). Thus, in one embodiment, the drain ports 139b form a fluid plane at the maximum height of the processing fluid in the vessel. At least a portion of the stirrer chamber 130 (and the entirety of the stirrer chamber 130 as shown in FIG. 6B) is immersed in the processing fluid below the fluid plane. While the processing fluid is moving through the agitator chamber 130, the agitator elements 141 located directly below the workpiece W move back and forth along the substantially linear path of motion (indicated by arrow E) and the workpiece W Improve the mass transfer process at the surface of

도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로피쳐 작업편들을 처리하도록 구성된 반응기(110)의 개략도이다. 반응기(110)는 외부 용기(111)내에 배치된 내부 용기(112)를 포함한다. 처리 유체(예로서, 전해질)는 입구(116)에서 내부 용기(112)에 공급되고, 둑(118) 위로 외부 용기(111)로 상향 유동한다. 처리 유체는 드레인(117)에서 반응기(110)를 벗어난다. 전극(121)은 내부 용기(112)내에 배치되고, 교반기 챔버(130)는 전극(121)의 하류에 배치된다. 교반기 챔버(130)는 화살표 R로 표시된 바와 같이 중심 위치(180)에 대하여 전후로 왕복하는 교반기 요소들(141)(예로서, 패들들)을 구비하는 교반기(140)(예로서, 패들 디바이스)를 포함한다. 또한, 챔버(130)는 처리 위치(P)를 형성하는 개구(131)를 갖는다. 마이크로피쳐 작업편(W)은 작업편 지지부(113)에 의해 처리 위치(P)에서 지지되며, 그래서, 작업편(W)의 하향 대면 처리면(109)은 처리 유체와 접촉한다. 작업편 지지부(113)는 작업편(W)상에 수행되는 처리의 특성에 따라 회전하거나 회전하지 않을 수 있다. 또한, 작업편 지지부(113)는 작업편(W)의 전방면 또는 후방면에 전류를 공급하는 작업편 접촉부(115)(예로서, 링 접촉부)를 포함한다. 밀봉부(seal)(114)가 작업편 접촉부(115) 둘레로 연장하여 처리 유체에 대한 노출로부터 보호한다. 다른 배열에서, 밀봉부(114)가 제거될 수 있다.6C is a schematic diagram of a reactor 110 configured to process microfeature workpieces in accordance with one embodiment of the present invention. Reactor 110 includes an inner vessel 112 disposed within an outer vessel 111. Process fluid (eg, electrolyte) is supplied to the inner container 112 at the inlet 116 and flows upwardly to the outer container 111 over the weir 118. The processing fluid leaves reactor 110 at drain 117. The electrode 121 is disposed in the inner container 112, and the stirrer chamber 130 is disposed downstream of the electrode 121. The stirrer chamber 130 includes a stirrer 140 (eg paddle device) with stirrer elements 141 (eg paddle) reciprocating back and forth with respect to the central position 180 as indicated by arrow R. FIG. Include. The chamber 130 also has an opening 131 forming a processing position P. The microfeature workpiece W is supported at the processing position P by the workpiece support 113, so that the downward facing treatment surface 109 of the workpiece W is in contact with the processing fluid. The workpiece support 113 may or may not rotate depending on the nature of the processing performed on the workpiece W. FIG. The workpiece support 113 also includes a workpiece contact 115 (eg, ring contact) for supplying current to the front or rear face of the workpiece W. FIG. A seal 114 extends around the workpiece contact 115 to protect it from exposure to the processing fluid. In other arrangements, the seal 114 can be removed.

전해 증착(electrolytic deposition) 동안, 작업편 접촉부(115) 및 작업편(W)은 캐소드(cathode)로서 기능하고, 전극(121)은 아노드(anode)로서 기능한다. 처리 유체는 전극(121)을 지나, 패들 챔버(130)를 통해, 작업편(W)의 처리면(109)에 이온들을 공급하도록 흐른다. 전해에칭 동안, 작업편(W)은 아노드로서 기능하고, 전극(121)은 캐소드로서 기능하여 처리 표면(109)으로부터 재료를 제거한다. 다른 실시예들에서, 질량 전달 프로세스는 다른 증착 처리들(예로서, 무전해 증착) 또는 다른 재료 제거 처리들을 포함한다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 교반기 요소들(141)이 작업편(W)에 인접하게 왕복하여, 처리 표면(109)에서 발생하는 질량 전달 프로세스를 향상시키는 동안 처리 유체는 교반기 챔버(130)를 통해 흐른다. 교반기 요소들(141)의 크기들, 형상들 및 구성들, 그들이 왕복하는 방식 및, 교반기 챔버(130)의 한정된 체적은 반응기(110)내의 전기장에 대한 교반기 요소들(141)의 영향을 감소시키고, 질량 전달 프로세스를 추가로 향상시킨다. 이들 피쳐들의 다른 양태들을 도 7 내지 도 19f를 참조로 후술한다.During electrolytic deposition, the workpiece contact 115 and the workpiece W function as a cathode, and the electrode 121 functions as an anode. The processing fluid flows past the electrode 121 and through the paddle chamber 130 to supply ions to the processing surface 109 of the workpiece W. During electrolytic etching, the workpiece W functions as an anode and the electrode 121 functions as a cathode to remove material from the treatment surface 109. In other embodiments, the mass transfer process includes other deposition processes (eg, electroless deposition) or other material removal processes. In any of these arrangements, the treatment fluid may move the stirrer chamber 130 while the agitator elements 141 reciprocate adjacent to the workpiece W to enhance the mass transfer process occurring at the treatment surface 109. Flows through. The sizes, shapes and configurations of the stirrer elements 141, the way they reciprocate, and the limited volume of the stirrer chamber 130 reduce the effect of the stirrer elements 141 on the electric field in the reactor 110. Further improves the mass transfer process. Other aspects of these features are described below with reference to FIGS. 7-19F.

도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 전극 지지부(120)를 갖는 반 응기(110)의 개략도이다. 전극 지지부(120)는 격실 벽(123)에 의해 분리된 복수의 일반적인 환형 전극 격실들(122)을 포함한다. 대응하는 복수의 환형 전극들(121)이 전극 격실들(122)내에 배치된다. 격실벽들(123)은 유전 재료로 형성되며, 격실벽들(123)의 에지들 사이의 간격들은 교반기 챔버(130) 바로 아래에 합성 가상 아노드 위치(V)를 형성한다. 여기서 사용시, 용어 "가상 아노드 위치" 및 "가상 전극 위치"는 하나 이상의 전극들 또는 아노드들을 위한 모든 전류 플럭스(current flux)가 통과하는 물리적 아노드들 또는 전극들로부터 이격된 평면을 지칭한다. 전극들(121) 각각을 통해 흐르는 전류 및/또는 각 전극들(121)에 인가된 전위의 극성은 처리 위치(P)에서 작업편(W)으로부터 재료가 추가 또는 제거되는 방식을 제어하도록 선택될 수 있다. 대안적으로, 반응기(110)가 교반기(140)에 의해 제공되는 처리 표면(109)에서의 향상된 질량 전달 효과들로부터 여전히 이득을 얻는 처리들(무전해 증착 처리들 같은)을 수행하기 위해 사용될 때, 전극들(121)은 제거될 수 있다.6D is a schematic diagram of a reactor 110 having an electrode support 120 constructed in accordance with another embodiment of the present invention. Electrode support 120 includes a plurality of common annular electrode compartments 122 separated by compartment wall 123. Corresponding plurality of annular electrodes 121 are disposed in the electrode compartments 122. The compartment walls 123 are formed of a dielectric material, and the gaps between the edges of the compartment walls 123 form a synthetic virtual anode position V directly under the stirrer chamber 130. As used herein, the terms “virtual anode position” and “virtual electrode position” refer to a plane spaced apart from the physical anodes or electrodes through which all current flux for one or more electrodes or anodes passes. . The polarity of the current flowing through each of the electrodes 121 and / or the potential applied to each of the electrodes 121 may be selected to control the manner in which material is added or removed from the workpiece W at the processing position P. FIG. Can be. Alternatively, when reactor 110 is used to perform processes (such as electroless deposition processes) that still benefit from improved mass transfer effects at treatment surface 109 provided by stirrer 140. The electrodes 121 may be removed.

도 6e는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 교반기(140)를 가지는 교반기 시스템(142)의 부분 개략 등각도이다. 교반기(140)는 복수의 교반기 요소들(141)(도 3에는 6개가 도시됨)을 포함하며, 이들 각각은 외향 지향 교반기 표면들(147)을 갖는다. 따라서, 이웃 교반기 요소들(141)의 교반기 표면들(147)은 서로 이격 배치된다. 교반기(140)는 화살표 R로 표시된 바와 같이 선형적인 왕복식으로 교반기(140)를 이동시키도록 모터(143)에 의해 구동되는 지지부(144)를 추가로 포함한다. 모터(143)는 커플러(145)(예로서, 리드 스크류)로 지지부(144)에 결합된다. 벨로우즈(bellows)(146)가 커플러(145) 둘레에 배치되어 커플러(145)를 상술된 처리 유체에 대한 노출로부터 보호한다. 콘트롤러(152)는 교반기(140)의 운동을 도입한다. 세장형 흐름 규제기들이 교반기 요소들(141)을 횡단하고 연장하여 교반기 챔버(130)(도 2) 외측으로 직접적으로 유체가 탈출하는 것을 규제 및/또는 방지한다. 후술된 바와 같이(예로서, 도 12a 내지 도 13을 참조로), 교반기 요소들(141)은 국지적 전기장에 대한 현저한 영향을 생성하지 않고, 그들이 그 내부에서 왕복하는 처리 유체를 교반하도록 성형되어 있다.6E is a partial schematic isometric view of a stirrer system 142 having a stirrer 140 constructed in accordance with an embodiment of the present invention. Agitator 140 includes a plurality of agitator elements 141 (six are shown in FIG. 3), each of which has outwardly directed agitator surfaces 147. Thus, agitator surfaces 147 of neighboring agitator elements 141 are spaced apart from each other. The stirrer 140 further includes a support 144 driven by the motor 143 to move the stirrer 140 in a linear reciprocating manner, as indicated by arrow R. FIG. Motor 143 is coupled to support 144 with coupler 145 (eg, lead screw). Bellows 146 are disposed around coupler 145 to protect coupler 145 from exposure to the treatment fluid described above. The controller 152 introduces the motion of the stirrer 140. Elongated flow regulators traverse and extend stirrer elements 141 to restrict and / or prevent fluid escape directly outside stirrer chamber 130 (FIG. 2). As described below (see, eg, FIGS. 12A-13), the stirrer elements 141 are shaped to stir the processing fluid they reciprocate therein without creating a significant impact on the local electric field. .

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 반응기(710)의 부분 개략 단면도이다. 반응기(710)는 하부 부분(719a), 하부 부분(719a) 위의 상부 부분(719b) 및 상부 부분(719b) 위의 교반기 챔버(730)를 포함한다. 하부 부분(719a)은 전극 지지부 또는 팩(720)을 수납하고, 이는 순차적으로, 복수의 환형 전극들(721)(도 7에 전극들 721a 내지 721d로 도시)을 수납한다. 하부 부분(719a)은 클램프(726)로 상부 부분(719b)에 결합된다. 하부 부분(719a) 및 상부 부분(719b) 위에 배치된 천공형 개스킷(727)은 이들 두 부분들 사이의 유체 및 전기 소통을 가능하게 한다.7 is a partial schematic cross-sectional view of a reactor 710 constructed in accordance with another embodiment of the present invention. Reactor 710 includes a lower portion 719a, an upper portion 719b above the lower portion 719a and an agitator chamber 730 above the upper portion 719b. Lower portion 719a houses electrode support or pack 720, which in turn houses a plurality of annular electrodes 721 (shown as electrodes 721a through 721d in FIG. 7). Lower portion 719a is coupled to upper portion 719b with clamp 726. Perforated gasket 727 disposed above lower portion 719a and upper portion 719b enables fluid and electrical communication between these two portions.

교반기 챔버(730)는 베이스(733) 및 처리 위치(P)에서 개구(731)를 가지는 상단부(734)를 포함할 수 있다. 교반기 챔버(730)는 처리 위치(P)에서 작업편(W)(도 7에 가상선들로 도시) 아래에서 전후로 왕복하는 다수의 교반기 요소들(741(을 구비하는 교반기(740)를 수납한다. 자석(795)은 처리 위치(P)에 인접 배치되어, 처리 유체에 의해 작업편(W)상에 증착되는 자기 지향성 재료들의 배향을 제어한다. 처리 위치(P) 위에 위치된 상부 링 부분(796)은 전자화학 처리 동안 배기 가스들을 수집하고, 헹굼 동안 헹굼 유체를 수집한다. 헹굼 유체는 하나 이상의 노즐들(798) 에 의해 제공된다. 일 실시예에서, 노즐(798)은 상부 링 부분(796)의 벽으로부터 돌출한다. 다른 실시예들에서, 노즐 또는 노즐들(798)은 벽과 표면이 일치하거나, 벽으로부터 오목하게 형성되어 있다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 노즐 또는 노즐들(798)은 처리 위치(P) 위로 작업편(W)이 상승될 때, 그리고, 선택적으로, 작업편(W)이 스피닝되는 동안, 작업편(W)을 향해 유체의 스트림(예로서, 헹굼 유체)을 안내하도록 배치된다. 따라서, 노즐(들)(798)은 선택된 처리 시간이 경과한 이후 작업편(W)으로부터 처리 유체를 신속히 헹구어내도록 현장 헹굼 기능을 제공한다. 이는 화학적으로 활성적인 유체들이 헹굼 이전의 비교적 짧은 처리후 시간 동안 작업편(W)과 접촉하여 남아있는 경우에 발생할 수 있는, 경과된 시간 이후의 비의도적 처리를 감소시킨다.Stirrer chamber 730 may include a top portion 734 having an opening 731 at base 733 and processing position P. The stirrer chamber 730 houses a stirrer 740 having a plurality of stirrer elements 741 reciprocating back and forth under workpiece W (shown as phantom lines in FIG. 7) at processing position P. FIG. A magnet 795 is disposed adjacent to treatment position P to control the orientation of the self-directed materials deposited on the workpiece W by the treatment fluid P. Upper ring portion 796 positioned above treatment position P ) Collects the exhaust gases during the electrochemical treatment, and collects the rinsing fluid during the rinse, which is provided by one or more nozzles 798. In one embodiment, the nozzle 798 is an upper ring portion 796. In other embodiments, the nozzle or nozzles 798 are coincident with the wall or formed concave from the wall In any of these arrangements, the nozzle or nozzles 798 ) Is selected when the workpiece W is raised above the processing position P, and Alternatively, while workpiece W is spinning, it is arranged to direct a stream of fluid (eg, rinsing fluid) towards workpiece W. Thus, nozzle (s) 798 may be Provides an in situ rinsing function to quickly rinse off the processing fluid from the workpiece W after elapse of, if the chemically active fluids remain in contact with the workpiece W for a relatively short post treatment time prior to rinsing. Reduces unintentional processing after elapsed time that may occur.

처리 유체는 입구(716)를 통해 반응기(710)에 들어간다. 입구(716)를 통해 진행하는 유체는 하부 부분(719a) 및 상부 부분(719b)을 충전하고, 베이스부(733)의 투과성 부분(733a) 및 베이스(733)내의 간격들을 통해 교반기 챔버(730)에 들어간다. 처리 유체 중 일부는 제1 및 제2 흐름 수집기들(717a, 717b)을 통해 반응기(710)를 벗어난다. 부가적인 처리 유체가 입구 포트(716a)로부터 직접적으로 교반기 챔버(730)에 도입되고, 제1 벽(732a)내의 간격을 통해, 교반기 챔버(730)를 측방향으로 가로질러 제2 벽(732b)내의 간격으로 진행한다. 교반기 챔버(730)내의 처리 유체의 적어도 일부는 처리 위치(P) 위로 상승하고, 드레인 포트들(797)을 통해 배출된다.Process fluid enters reactor 710 through inlet 716. Fluid traveling through the inlet 716 fills the lower portion 719a and the upper portion 719b and through the gaps in the permeable portion 733a and the base 733 of the base portion 733 through the agitator chamber 730. Enter Some of the processing fluid leaves the reactor 710 through the first and second flow collectors 717a and 717b. Additional processing fluid is introduced into the stirrer chamber 730 directly from the inlet port 716a and through the gap in the first wall 732a, the second wall 732b laterally across the stirrer chamber 730. Proceed to the interval within. At least a portion of the processing fluid in stirrer chamber 730 rises above processing position P and is discharged through drain ports 797.

반응기(710)는 도 2a 내지 도 5를 참조로 상술된 바와 실질적으로 유사한 방 식으로, 강성 데크(764)에 장착된다. 따라서, 데크(764)는 패스너들 및 브레이싱(도 7에는 도시되지 않음)에 의해 제2 패널(766b)에 대하여 지지된 제1 패널(766a)을 포함한다. 챔버 위치설정 요소들(768a)(예로서, 못 핀들)은 제1 패널(766a)로부터 상향 돌출하며, 반응기(710)의 베이스판(777)내에 정확하게 위치된 구멍들내에 수용된다. 베이스판(777)은 패스너들(도 7에는 미도시), 예로서, 너트들 및 볼트들로 데크(764)에 부착된다. 베이스판(777)은 또한 부가적인 못들 및 패스너들로 반응기(710)의 나머지에 정렬 및 고정된다. 따라서, 반응기(710)(그리고, 임의의 교체 반응기(710))는 데크(764), 대응 작업편 지지부(113)(도 1) 및 대응 수송 시스템(105)(도 1)에 대하여 정확하게 위치된다.Reactor 710 is mounted to rigid deck 764 in a manner substantially similar to that described above with reference to FIGS. 2A-5. Thus, deck 764 includes a first panel 766a supported against second panel 766b by fasteners and bracing (not shown in FIG. 7). Chamber positioning elements 768a (eg, nail pins) project upwardly from the first panel 766a and are received in holes located precisely in the base plate 777 of the reactor 710. Base plate 777 is attached to deck 764 with fasteners (not shown in FIG. 7), such as nuts and bolts. Base plate 777 is also aligned and secured to the rest of reactor 710 with additional nails and fasteners. Thus, reactor 710 (and any replacement reactor 710) is accurately positioned relative to deck 764, corresponding workpiece support 113 (FIG. 1) and corresponding transport system 105 (FIG. 1). .

도 7에 도시된 배열의 한가지 특징은 하부 부분(719a)(전극 지지부(720)를 수납하는)이 화살표 F로 표시된 바와 같이 설치/제거 축(A)을 따라 전극 지지부(720)를 이동시킴으로써 상부 부분(719b)에 결합 및 그로부터 분리된다는 것이다. 따라서, 전극 지지부(720)는 설치 및 제거 동안 자석(795)의 개방 중심을 통과할 필요가 없다. 이 피쳐의 장점은 전극 지지부(720) 및/또는 전극(721)(강자성 재료 같은 자기 응답성 재료를 포함할 수 있음)이 설치 및/또는 제거 동안 자석(795)을 향해 당겨질 가능성이 낮다는 것이다. 이 피쳐는 전극 지지부(720)의 설치를 실질적으로 보다 단순하게 한다. 예로서, 이 피쳐는 자석(745)의 설치 및/또는 제거를 취급하기 위해 특수화된 호이스트 장비에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 이 피쳐는 또한 전극 지지부(720) 또는 반응기(710)의 다른 부분들(자석(795) 포함) 중 어느 하나에 대한 손상 가능성을 감소시킬 수 있다. 이런 손상은 전극 지지부(720) 또는 전극들(721)과 자석(795) 사이의 인력들에 의해 유발되는 충격으로부터 초래할 수 있다.One feature of the arrangement shown in FIG. 7 is that the lower portion 719a (which houses the electrode support 720) is moved upward by moving the electrode support 720 along the install / remove axis A as indicated by arrow F. FIG. Coupled to and separated from portion 719b. Thus, electrode support 720 need not pass through the open center of magnet 795 during installation and removal. The advantage of this feature is that electrode support 720 and / or electrode 721 (which may include a magnetically responsive material, such as a ferromagnetic material) is less likely to be pulled toward magnet 795 during installation and / or removal. . This feature substantially simplifies the installation of the electrode support 720. As an example, this feature may eliminate the need for specialized hoist equipment to handle the installation and / or removal of the magnet 745. This feature can also reduce the likelihood of damage to either the electrode support 720 or other portions of the reactor 710 (including the magnet 795). Such damage may result from the impact caused by the electrode support 720 or the attractive forces between the electrodes 721 and the magnet 795.

도 8은 실질적으로 도 7의 선 8-8을 따라 취해진 반응기(710)의 실시예의 단면 측면도이다. 하부 및 상부 부분들(719a, 719b)은 다수의 격실벽들(823)(도 8에는 격실벽들(823a 내지 823d)로 4개가 도시됨)을 포함하고, 이들은 이들 부분들내의 체적을 대응하는 복수의 환형 격실들(822)(도 8에는 격실들(822a 내지 822d)로서 4개가 도시됨)로 분할하며, 이들 각각은 전극들(721) 중하나를 수납한다. 인접 격실벽들(823) 사이의 간격들(예로서, 격실벽들(823)의 상단부들에서)은 이들 위치들에서 "가상 전극들"을 제공한다. 투과성 베이스부(733a)는 또한 가상 전극 위치를 제공할 수 있다.FIG. 8 is a cross-sectional side view of an embodiment of the reactor 710 substantially taken along lines 8-8 of FIG. Lower and upper portions 719a, 719b include a plurality of compartment walls 823 (four shown in compartments 823a through 823d in FIG. 8), which correspond to the volume within these portions. Split into a plurality of annular compartments 822 (four are shown as compartments 822a through 822d in FIG. 8), each containing one of the electrodes 721. The gaps between adjacent compartment walls 823 (eg, at the upper ends of compartment walls 823) provide “virtual electrodes” at these locations. The transparent base portion 733a may also provide a virtual electrode position.

전극들(721a 내지 721d)은 파워 서플라이(828) 및 콘트롤러(829)에 결합된다. 파워 서플라이(828) 및 콘트롤러(829)는 함께 작업편(W) 및 전극들(721a 내지 721d) 각각에 인가되는 전류 및 전위를 제어한다. 따라서, 조작자는 공간적 및/또는 시간적으로 변하는 방식으로, 작업편(W)에 재료가 적용되는 및/또는 작업편(W)으로부터 재료가 제거되는 속도를 제어할 수 있다. 특히, 조작자는 최외부 전극(721d)을 전류 디프(current thief)로서 동작하도록 선택할 수 있다. 따라서, 증착 처리 동안, 최외부 전극(721d)은 그렇지 않으면 작업편(W)에 부착되게 될 이온들을 당긴다. 이는 터미널 효과, 예로서, 작업편 접촉부(115)(도 6)가 작업편(W)의 외주와 접촉할 때, 그 중심에서 보다 그 외주에서 보다 급속하게 도금되도록하는 작업편(W)의 경향을 상쇄할 수 있다. 대안적으로, 조작자는 적용된 재료의 원하는 두께 분포(예로서, 평탄, 에지 후육화(thick) 또는 에지 박화)를 생성하기 위해, 작업편(W)을 가로지른 전류 분포를 시간적 및/또는 공간적으로 제어할 수 있다.Electrodes 721a-721d are coupled to power supply 828 and controller 829. The power supply 828 and controller 829 together control the current and potential applied to the workpiece W and the electrodes 721a-721d, respectively. Thus, the operator can control the rate at which the material is applied to the workpiece W and / or the material is removed from the workpiece W in a spatially and / or temporally varying manner. In particular, the operator may choose to operate the outermost electrode 721d as a current thief. Thus, during the deposition process, the outermost electrode 721d pulls ions that would otherwise be attached to the workpiece W. This is the tendency of the workpiece W to, for example, cause the workpiece contact 115 (FIG. 6) to be plated more rapidly at its periphery than at its center when in contact with the periphery of the workpiece W. FIG. Can be offset. Alternatively, the operator may temporally and / or spatially alter the current distribution across the workpiece W to produce a desired thickness distribution of the applied material (eg, flat, edge thick or edge thinning). Can be controlled.

상술한 배열의 장점은 다수의 전극들이 조작자에게 작업편(W)에 재료가 적용되는 또는 작업편(W)으로부터 재료가 제거되는 방식 및 속도에 대한 증가된 제어를 제공한다는 것이다. 다른 장점은 조작자가 반응기(710)의 물리적 조절 파라미터들이 아닌 각 전극에 인가되는 전류 및/또는 전위를 조절함으로써, 연속적으로 처리되는 작업편들 또는 작업편 배치들 사이의 편차들을 고려할 수 있다는 것이다. An advantage of the arrangement described above is that the multiple electrodes provide the operator with increased control over the speed and the manner in which material is applied to or removed from the workpiece W. FIG. Another advantage is that the operator can take into account variations between workpieces or workpiece batches that are processed continuously by adjusting the current and / or potential applied to each electrode rather than the physical control parameters of the reactor 710.

최외부 전극(721d)이 전류 디프로서 동작할 때, 한편으로는 최외부 전극(721d)과 다른 한편으로는 최내부 전극들(721a 내지 721c) 사이의 전기적 격리를 유지하는 것이 바람직하다. 따라서, 반응기(710)는 제1 반환 흐름 수집기(717a) 및 제2 반환 흐름 수집기(717b)를 포함한다. 제1 반환 흐름 수집기(717a)는 최내부 3개 전극 격실들(822a 내지 822c)로부터의 흐름을 수집하고, 제2 반환 흐름 수집기(717b)는 최외부 전극 격실(822d)로부터의 처리 유체를 수집하여, 최외부 전극(721d)을 위한 전기적 격리를 유지한다. 처리 유체를 전극들(721)을 향해 하향으로 배수함으로써, 이 배열은 또한 미립자들(예로서, 소모성 전극들로부터의 박편들)이 교반기 챔버(730)에 들어갈 가능성을 감소시킬 수도 있다. 최외부 전극(721d)을 처리 위치(P)로부터 이격 배치함으로써, 이는 처리 위치(P)에 인접한 구조체들을 교란하지 않고 쉽게 제거 및 설치될 수 있다. 이는 처리 위치에 바로 인접하게 배치된 전류 디프들을 가지는 소정의 현존하는 배열들과는 다르다.When the outermost electrode 721d operates as a current dip, it is desirable to maintain electrical isolation between the outermost electrode 721d on the one hand and the innermost electrodes 721a to 721c on the other. Thus, reactor 710 includes a first return flow collector 717a and a second return flow collector 717b. The first return flow collector 717a collects flow from the innermost three electrode compartments 822a-822c, and the second return flow collector 717b collects processing fluid from the outermost electrode compartment 822d. Thus, electrical isolation for the outermost electrode 721d is maintained. By draining the processing fluid downward toward the electrodes 721, this arrangement may also reduce the likelihood that particulates (eg, flakes from consumable electrodes) enter the stirrer chamber 730. By disposing the outermost electrode 721d away from the processing position P, it can be easily removed and installed without disturbing the structures adjacent to the processing position P. FIG. This is different from certain existing arrangements with current dips disposed immediately adjacent to the processing position.

도 7 및 도 8을 참조로 상술된 반응기(710)의 실시예의 일 특징은 전극들 (721)이 처리 위치(P)로부터 원격 배치된다는 것이다. 이 피쳐의 장점은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서의 전류 밀도의 원하는 분포가 전극들(721)이 형상이 변할 때에도 유지될 수 있다는 것이다. 예로서, 전극들(721)이 소모성 전극들을 포함하고, 도금 처리들 동안 형상이 변할 때, 전극들(721)과 처리 위치(P) 사이의 증가된 거리는 처리 위치(P)에 근접 배치된 전극들의 영향에 비해, 처리 표면(109)에서의 전류 밀도에 대한 형상 변경의 영향을 감소시킨다. 이 장점은 전류 디프로서 동작하면서, 전도성 재료를 잃는 대신 얻음으로써 형상이 변하는 전극들에도 마찬가지로 적용된다. 다른 장점은 전극들(721)과 작업편(W) 사이의 유동 경로내의 피쳐들(예로서, 개스킷(727))에 의해 도입되는 세도우잉 효과들이 처리 위치(P)와 전극들(721) 사이의 증가된 간격으로 인해 감소될 수 있다는 것이다.One feature of the embodiment of the reactor 710 described above with reference to FIGS. 7 and 8 is that the electrodes 721 are remotely located from the processing position P. FIG. The advantage of this feature is that the desired distribution of current density at the processing surface 109 of the workpiece W can be maintained even when the electrodes 721 change shape. For example, when the electrodes 721 include consumable electrodes, and the shape changes during the plating processes, the increased distance between the electrodes 721 and the processing position P is the electrode disposed close to the processing position P. FIG. Compared to these effects, the effect of shape change on the current density in the treatment surface 109 is reduced. This advantage applies equally to electrodes that change shape by operating instead of losing conductive material while operating as a current dip. Another advantage is that the shadowing effects introduced by the features in the flow path between the electrodes 721 and the workpiece W (eg, the gasket 727) are between the processing position P and the electrodes 721. It can be reduced due to the increased interval of.

다른 배열들에서, 전극들(721)은 다른 위치들 및/또는 구성들을 갖는다. 예로서, 일 배열에서, 챔버 베이스(733)는 하나 이상의 전극들(721)을 수납한다. 따라서, 챔버 베이스(733)는 복수의 동심, 환형, 다공성 전극들(예로서, 소결된 금속으로 형성된)을 포함하여, (a) 처리 위치(P)에서의 공간적 및/또는 시간적으로 제어가능한 전기장들 및 (b) 교반기 챔버(730)내로의 흐름 경로를 제공할 수 있다. 대안적으로, 교반기 요소들(741) 자체는 특히, 비 소모성 재료로 형성될 때, 전극들로서 기능하도록 전기장에 결합될 수 있다. 또 다른 배열들에서, 반응기(710)는 4개 보다 많거나 작은 전극들을 포함 할 수 있으며, 및/또는 전극들은 처리 위치(P)로부터 보다 떨어져 배치될 수 있고, 도관들을 경유하여 처리 위치(P)와 유체 및 전기 소통을 유지할 수 있다.In other arrangements, the electrodes 721 have other positions and / or configurations. As an example, in one arrangement, chamber base 733 houses one or more electrodes 721. Thus, chamber base 733 includes a plurality of concentric, annular, porous electrodes (eg, formed of sintered metal), so that (a) a spatially and / or temporally controllable electric field at treatment location P And (b) provide a flow path into the stirrer chamber 730. Alternatively, the stirrer elements 741 themselves may be coupled to the electric field to function as electrodes, especially when formed from a non-consumable material. In still other arrangements, the reactor 710 may include more or less than four electrodes, and / or the electrodes may be disposed further away from the treatment position P, and the treatment position P may be via conduits. ) And fluid and electrical communication can be maintained.

D. 원주방향으로 변하는 전기장을 위한 전기장 제어 요소들을 가지는 반응기들의 실시예 D. Embodiments of Reactors with Electric Field Control Elements for Circumferentially Changing Electric Fields

도 9는 본 발명의 실시예에 따라 교반기 챔버(930)내에 배치된 교반기(940)를 가지는 반응기(910) 위에서 아래로 본 부분 개략도이다. 교반기 챔버(930) 및 교반기(940)는 도 6 내지 도 8을 참조로 상술된 교반기들 및 교반기 챔버들과 일반적으로 유사하게 배열되어 있다. 따라서, 교반기(940)는 교반기 운동축(991)을 따라 작업편(W)에 대하여 이동가능한(도 9에 가상선들로 도시), 그리고, 교반기 축(990)에 평행하게 세장형인 복수의 교반기 요소들(941)을 포함한다.9 is a partial schematic view from above of the reactor 910 having a stirrer 940 disposed within the stirrer chamber 930 in accordance with an embodiment of the present invention. The stirrer chamber 930 and the stirrer 940 are arranged generally similarly to the stirrers and stirrer chambers described above with reference to FIGS. 6 to 8. Thus, the stirrer 940 is movable with respect to the workpiece W along the stirrer axis of motion 991 (shown in phantom lines in FIG. 9), and a plurality of stirrer elements elongate parallel to the stirrer axis 990. Ones 941.

세장형 교반기 요소들(941)은 원주방향으로 변하는 방식으로 원형 작업편(W)에 인접한 전기장의 균일성에 잠재적인 영향을 준다. 따라서, 반응기(910)는 이 전류 분포의 잠재적 원주방향 변화를 고려하도록 디빙 전극(도 9에는 미도시)의 영향을 원주방향으로 변화시키기 위한 피쳐들을 포함한다. The elongate stirrer elements 941 potentially affect the uniformity of the electric field adjacent to the circular workpiece W in a circumferentially varying manner. Thus, the reactor 910 includes features for circumferentially changing the effect of a diving electrode (not shown in FIG. 9) to account for potential circumferential changes in this current distribution.

도 9에 도시된 교반기 챔버(930)는 아래의 전극 챔버들을 분리시키는 벽들(932)의 상부 에지들에 의해(도 9에서 제3 벽(923c) 및 제4 또는 외부벽(923d)을 볼 수 있음), 그리고, 투과성 베이스부(933a)에 의해 형성된 베이스(933)를 포함한다. 제3 벽(923c)은 제3 벽 간격(925c)에 의해 투과성 베이스부(933a)로부터 이격 배치되고, 제3 벽(923d)은 원주방향으로 변하는 제4 벽 간격(925d)에 의해 제3 벽(923c)으로부터 이격 배치된다. 간격들(925c 및 925d)은 예시를 위해 양자 모두 음영처리되어 있다. 음영처리된 개구들은 또한 본 실시예의 일 양태에서, 최외부 2개 전극들을 위한 가상 아노드 위치들을 나타낸다.The agitator chamber 930 shown in FIG. 9 can be seen by the upper edges of the walls 932 separating the electrode chambers below (in FIG. 9 the third wall 923c and the fourth or outer wall 923d). And a base 933 formed by the transparent base portion 933a. The third wall 923c is spaced apart from the permeable base portion 933a by a third wall spacing 925c, and the third wall 923d is third wall by the fourth wall spacing 925d that changes in the circumferential direction. It is spaced apart from 923c. The gaps 925c and 925d are both shaded for illustrative purposes. The shaded openings also represent virtual anode positions for the outermost two electrodes in one aspect of this embodiment.

제4 벽 간격(925d)은 도 9에 도시된 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 좁은 부분(999a) 및 도 9에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접한 넓은 부분들(999b)을 갖는다. 예시의 목적으로, 좁은 부분들(999a)과 넓은 부분들(999b) 사이의 불균형들은 도 9에 과장되어 있다. 특정 예에서, 좁은 부분들(999a)은 약 0.16in의 폭을 가지며, 넓은 부분들(999b)은 약 0.18in 내지 약 0.22in의 폭을 갖는다. 좁은 부분들(999a) 및 넓은 부분들(999b)은 3:00 및 9:00 위치들 보다 12:00 및 6:00 위치들에서 보다 강한 디프 전류의 원주방향으로 변화하는 분포를 생성한다(제4 벽 간격(925d) 아래에 위치된 전류 디프에 의해 제공됨). 특히, 디프 전류는 작업편(W) 및/또는 처리 위치(P)의 중심으로부터 대략 동일한 반경방향 거리인 서로 다른 원주방향 위치들에서 서로 다른 값을 갖는다. 대안적으로, 원주방향으로 변하는 제4 벽 간격(925d) 또는 원주방향으로 변하는 제3 벽 간격(925c) 또는 다른 간격은 예로서, 원주방향으로 변하는 도금 또는 디플레이팅(deplating) 요구들을 갖는 작업편(W)상에 3차원 효과를 고의적으로 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이런 작업편(W)의 한가지 예는 원주방향 방식으로 변하는 개구 면적(예로서, 도금을 위해 억세스할 수 있는)을 갖는 패턴화된 웨이퍼를 포함한다. 다른 실시예들에서, 간격 폭 또는 반응기(910)의 기타 특성들은 반응기(910)내의 전해질의 전도성을 고려하여 맞춤화될 수 있다.The fourth wall spacing 925d is narrow portion 999a adjacent to the 3:00 and 9:00 positions shown in FIG. 9 and wide portions adjacent to the 12:00 and 6:00 positions shown in FIG. 999b). For purposes of illustration, imbalances between the narrow portions 999a and the wide portions 999b are exaggerated in FIG. 9. In a particular example, narrow portions 999a have a width of about 0.16 inches and wide portions 999b have a width of about 0.18 inches to about 0.22 inches. Narrow portions 999a and wide portions 999b produce a circumferentially varying distribution of stronger deep current at 12:00 and 6:00 positions than at 3:00 and 9:00 positions (first 4 provided by the current deep located below the wall gap 925d). In particular, the diff currents have different values at different circumferential positions, which are approximately the same radial distance from the center of the workpiece W and / or the processing position P. Alternatively, the fourth wall spacing 925d that changes in the circumferential direction or the third wall spacing 925c that changes in the circumferential direction, or another spacing, may be, for example, a workpiece having plating or deplating requirements that change in the circumferential direction. Can be used to deliberately create a three-dimensional effect on (W). One example of such a workpiece W includes a patterned wafer having an opening area (eg, accessible for plating) that varies in a circumferential manner. In other embodiments, the gap width or other characteristics of the reactor 910 may be customized to account for the conductivity of the electrolyte in the reactor 910.

도 10은 제3 벽(923c)과 제4 벽(923d) 사이의 영역이 간격이 아닌 복수의 구멍들(1025)에 의해 점유되는 배열을 예시한다. 구멍들(1025)의 간격 및/또는 크기는 구멍들(1025) 아래에 위치된 전류 디프가 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 것 보 다 12:00 및 6:00에 인접해서 보다 강한 영향을 갖도록 원주방향 방식으로 변한다. FIG. 10 illustrates an arrangement in which the area between the third wall 923c and the fourth wall 923d is occupied by a plurality of holes 1025 rather than a gap. The spacing and / or size of the holes 1025 is stronger in the vicinity of 12:00 and 6:00 than the current dip located below the holes 1025 is adjacent to the 3:00 and 9:00 positions. It changes in a circumferential manner to have an effect.

도 11은 교반기 챔버의 일부가 아닌 전기장 제어 요소(1192)를 갖는 반응기(1110)의 일부의 부분 단면 등각도이다. 반응기(1110)는 도 7에 도시된 상부 부분(719b)을 대체하는 상부 부분(1119b)을 포함한다. 전기장 제어 요소(1192)는 상부 부분(1119b)의 하부 단부에 위치되며, 원주방향으로 변하는 개구 면적을 제공하도록 배열된 개구들(1189)을 갖는다. 개구들(1189)은 3:00 및 9:00 위치들에서 보다 12:00 및 6:00 위치들에서 크다. 대안적으로, 상대적인 개구들(1189)의 수(개구들(1189)의 크기에 부가하여, 또는 그 대신)가 도 10을 참조로 상술된 것과 일반적으로 유사한 방식으로 12:00과 6:00 위치들에서 보다 커질 수 있다. 또한, 상부 부분(1119b)은 처리 위치(P)에서 상향 연장하는 방향으로 전기장 제어 요소(1192)에 의해 유발되는 원주방향으로 변하는 전기적 특성들을 유지하는 상향 연장 베인들(vanes)(1188)을 포함할 수도 있다. 반응기(1110)는 12개의 수직 연장 베인들(1188) 또는 예로서, 개구 면적이 원주방향으로 변하는 정도에 따라, 다른 수의 베인들(1188)을 포함할 수 있다.11 is a partial cross-sectional isometric view of a portion of a reactor 1110 having an electric field control element 1192 that is not part of an agitator chamber. The reactor 1110 includes an upper portion 1119b that replaces the upper portion 719b shown in FIG. 7. The electric field control element 1192 is located at the lower end of the upper portion 1119b and has openings 1187 arranged to provide a circumferentially varying opening area. Openings 1189 are larger at 12:00 and 6:00 positions than at 3:00 and 9:00 positions. Alternatively, the number of relative openings 1189 (in addition to or instead of the size of the openings 1187) is positioned at 12:00 and 6:00 in a manner generally similar to that described above with reference to FIG. 10. Can be larger than In addition, the upper portion 1119b includes upwardly extending vanes 1188 for maintaining the circumferentially varying electrical characteristics caused by the electric field control element 1192 in the upwardly extending direction at the processing position P. FIG. You may. The reactor 1110 may include twelve vertically extending vanes 1188 or other numbers of vanes 1188, for example, depending on the extent to which the opening area varies circumferentially.

또한, 전기장 제어 요소(1192)는 반응기(1110)의 하부 부분(1119a) 및 상부 부분(1119b) 사이의 개스킷으로서 기능하며, 원하는 원주방향 전기장 변화를 달성하기 위해 도 7을 참조로 상술된 개스킷(727)을 대체할 수 있다. 대안적으로, 전기장 제어 요소(1192)가 개스킷(727)에 부가하여, 예로서, 도 7에 도시된 개스킷(727) 아래의 위치에 제공될 수 있다. 어느 한 경우에, 조작자는 반응기(1110)의 상부 부분(1119b)을 교란시키지 않고, 특정 작업편(또는 작업편들의 배치)을 위해 구성된 개구 면적들을 갖는 전기장 제어 요소(1192)를 선택 및 설치할 수 있다. 이 배열의 장점은 반응기(1110)를 운용하기 위해 조작자에게 필요한 시간을 감소시키며, 및/또는 반응기(1110)의 전기장 특성들을 작업편(W)의 특정 유형에 맞춤화할 수 있다는 것이다.In addition, the electric field control element 1192 functions as a gasket between the lower portion 1119a and the upper portion 1119b of the reactor 1110, and the gasket described above with reference to FIG. 7 to achieve a desired circumferential electric field change. 727). Alternatively, electric field control element 1192 may be provided in addition to gasket 727, eg, at a location below gasket 727 shown in FIG. 7. In either case, the operator can select and install an electric field control element 1192 having opening areas configured for a particular workpiece (or arrangement of workpieces) without disturbing the upper portion 1119b of the reactor 1110. have. The advantage of this arrangement is that it reduces the time required for the operator to operate the reactor 1110, and / or can customize the electric field characteristics of the reactor 1110 to a particular type of workpiece W.

E. 교반기 챔버들을 위한 교반기들의 실시예들 E. Embodiments of Agitators for Agitator Chambers

도 12a 내지 도 12g는 상술된 반응기들(110, 710, 1110) 같은 반응기들에 설치하기에 적합한, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 형상들 및 다른 피쳐들을 가지는 교반기 요소들(1241a 내지 1241g)을 각각 도시한다. 각 교반기 요소들(총체적으로 교반기 요소들(1241)이라 지칭됨)은 처리 위치(P)에 수직으로 연장하는 선에 대하여 예각으로 경사진 대향 교반기 표면들(1247)(교반기 표면들(1247a 내지 1247g)로 도시됨)을 갖는다. 이는 패들들의 구조적 완전성을 유지하면서, 세도우잉 또는 전극 또는 전극들(121)(도 12a)에 의해 생성되는 전기장에 다른 방향으로 부정적인 영향을 줄 가능성을 감소시키는 하향 테이퍼형 형상을 갖는 교반기 요소들(1241)을 제공한다. 예로서, 교반기 요소(1241a)(도 12a)는 평탄한 교반기 표면들(1247a)을 갖는 실질적인 다이아몬드형 단면 구조를 갖는다. 교반기 요소(1241b)(도 12b)는 오목형 교반기 표면들(1247b)을 갖는다. 교반기 요소(1241c)(도 12c)는 볼록형 교반기 표면들(1247c)을 가지며, 교반기 요소들(1241d)(도 12d)은 실질적인 삼각형 형상을 형성하도록 배치된 평탄한 교반기 표면들(1247d)을 갖는다. 다른 실시예들에서, 교반기 표면들(1241)은 역시, 처리 위치(P)에서의 흐름을 교반하는 다른 형상을 가지며, 인근 전극 또는 전극들(121)에 의해 생성되는 전기장을 세도우잉하는 범위를 제거한다.12A-12G illustrate agitator elements 1241a-1241g having shapes and other features in accordance with other embodiments of the present invention, suitable for installation in reactors such as the reactors 110, 710, 1110 described above. Respectively. Each stirrer element (collectively referred to as stirrer elements 1241) has opposing stirrer surfaces 1247 (stirrer surfaces 1247a to 1247g) that are inclined at an acute angle with respect to a line extending perpendicular to the processing position P. Shown). This maintains the structural integrity of the paddles while maintaining the structural integrity of the paddles, with a stirrer element having a downward tapered shape that reduces the likelihood of negative effects in other directions on the shadowing or on the electric field produced by the electrodes 121 (FIG. 12A). 1241). As an example, the stirrer element 1241a (FIG. 12A) has a substantially diamond shaped cross-sectional structure with flat stirrer surfaces 1247a. Stirrer element 1241b (FIG. 12B) has concave stirrer surfaces 1247b. Stirrer element 1241c (FIG. 12C) has convex agitator surfaces 1247c and agitator elements 1241d (FIG. 12D) have flat agitator surfaces 1247d arranged to form a substantially triangular shape. In other embodiments, agitator surfaces 1241 also have another shape that agitates the flow at processing location P and ranges from shadowing the electric field generated by the nearby electrode or electrodes 121. Remove

교반기 요소들(1241)에 의해 제공되는 교반은 또한 유체 제트들에 의해 보완될 수도 있다. 예로서, 교반기 요소(1241e)(도 12e)는 제트 개구들(1248)을 수납하는 경사진 교반기 표면들(1247e)을 갖는다. 제트 개구들(1248)은 처리 위치(P)(도 12E에 도시된 바와 같이)에 실질적인 수직으로 지향될 수 있거나, 대안적으로, 제트 개구들(1248)은 처리 위치(P)에 대하여 다른 각도로 지향될 수 있다. 처리 유체는 교반기 요소(1241e)내부의 매니폴드(1249)를 경유하여 제트 개구들(1248)에 제공된다. 제트 개구들(1248)을 벗어나는 처리 유체의 제트들은 처리 위치(P)에서의 교반을 증가시키며, 작업편(W)(도 6)의 처리 표면에서 발생하는 질량 전달 프로세스를 향상시킨다. Agitation provided by agitator elements 1241 may also be complemented by fluid jets. As an example, stirrer element 1241e (FIG. 12E) has sloped stirrer surfaces 1247e that receive jet openings 1248. The jet openings 1248 may be oriented substantially perpendicular to the treatment position P (as shown in FIG. 12E), or alternatively, the jet openings 1248 may be at different angles with respect to the treatment position P. Can be directed to. Process fluid is provided to the jet openings 1248 via the manifold 1249 within the agitator element 1241e. Jets of treatment fluid leaving jet openings 1248 increase agitation at treatment location P and enhance the mass transfer process that occurs at the treatment surface of workpiece W (FIG. 6).

도 12f 및 도 12g는 처리 유체에 대하여 교반기 요소들이 이동할 때, 일 측부로부터 나머지로 교반기 요소들을 통해 처리 유체가 흐를 수 있게 하는 관통부들 또는 다른 개구들을 갖는 교반기 요소들을 예시한다. 예로서, 도 12f를 참조하면, 교반기 요소(1241f)는 각각 공극들(1250f)을 갖는 대향 교반기 표면들(1247f)을 구비한다. 대향 교반기 표면들(1247f) 사이의 교반기 요소(1241f)의 체적은 또한 일 측부면(1247f)으로부터 나머지로 교반기 요소(1241f)를 처리 유체가 통과할 수 있게 하도록 다공성이다. 교반기 요소(1241f)는 다공성 금속(예로서 티타늄) 또는 다공성 세라믹 재료들 같은 다른 재료들로 형성될 수 있다. 도 12G는 본 발명의 다른 실시예에 따라 배열된 관통 구멍들(1250g)을 갖는 교반기 표면들(1247g)을 구비한 교반기 요소(1241g)를 예시한다. 관통 구멍들(1250g) 각각은 일 교반기 표면 (1247g)으로부터 대향 교반기 표면(1247g)으로 구멍 축(1251)을 따라 교반기 요소(1241g)를 통해 전체적으로 연장한다. 12F and 12G illustrate stirrer elements having penetrations or other openings that allow processing fluid to flow through the stirrer elements from one side to the other as the stirrer elements move relative to the processing fluid. For example, referring to FIG. 12F, stirrer element 1241f has opposing stirrer surfaces 1247f, each having voids 1250f. The volume of the stirrer element 1241f between the opposing stirrer surfaces 1247f is also porous to allow processing fluid to pass through the stirrer element 1241f from one side face 1247f to the rest. Stirrer element 1241f may be formed of other materials, such as porous metal (eg titanium) or porous ceramic materials. 12G illustrates agitator element 1241g with agitator surfaces 1247g having through holes 1250g arranged in accordance with another embodiment of the present invention. Each of the through holes 1250g extends entirely through the stirrer element 1241g along the hole axis 1251 from one stirrer surface 1247g to the opposite stirrer surface 1247g.

도 12f 및 도 12g를 참조로 상술된 교반기 요소들의 한가지 피쳐는 구멍들 또는 공극들(pores)이 인접 처리 유체내의 전기장에 대한 교반기 요소들의 투과성을 증가시키는 효과를 갖는다는 것이다. 공극들 또는 구멍들이 교반기 요소들이 작업편(W)에 인접한 전기장들에 3차원 성분을 추가하는 정도 및/또는 교반기 요소들이 인접 작업편(W)을 세도우잉하는 정도를 감소시킨다는 것이 이 배열의 장점이다. 게다가, 교반기 요소들은 여전히 그곳의 흐름을 교반시킴으로써 작업편(W)의 표면에서의 질량 전달 특성들을 향상시킨다. 예로서, 교반기 요소들내의 구멍들 또는 공극들은 교반기 요소들을 통한 흐름의 점성 영향들이 강하도록, 그리고, 통과 흐름에 대한 교반기 요소들에 의한 대응하는 규제가 비교적 높도록 크기설정된다. 따라서, 교반기 요소들의 공극도는 원하는 레벨의 유체 교반을 유지하면서, 필요한 전기장 투과성 레벨을 제공하도록 선택될 수 있다.One feature of the agitator elements described above with reference to FIGS. 12F and 12G is that the holes or pores have the effect of increasing the permeability of the agitator elements to the electric field in the adjacent processing fluid. The advantage of this arrangement is that the voids or holes reduce the extent to which the stirrer elements add a three-dimensional component to the electric fields adjacent to the workpiece W and / or the extent to which the stirrer elements are shadowing the adjacent workpiece W. to be. In addition, the stirrer elements still improve mass transfer characteristics at the surface of the workpiece W by stirring the flow there. By way of example, the holes or voids in the stirrer elements are sized such that the viscous effects of the flow through the stirrer elements are strong, and that the corresponding restriction by the stirrer elements to the passage flow is relatively high. Thus, the porosity of the stirrer elements can be selected to provide the required electric field permeability level while maintaining the desired level of fluid agitation.

도 13은 교반기 요소들(1341)(제1 교반기 요소들(1341a) 및 제2 교반기 요소들(1341b)로서 도 13에 도시됨)의 3차원 배열을 갖는 교반기(1340)의 부분 개략도이다. 교반기 요소들(1341a, 1341b)은 격자를 형성하도록 배열되며, 각 교반기 요소들(1341a, 1341b)은 운동 방향(R)에 대하여 예각으로 배향된다(운동 방향(R)의 법선에 대향하여). 따라서, 교반기 요소들(1341)의 격자 배열은 교반기(1340)에 의해 생성되는 교반을 증가시킬 수 있으며, 보다 균일한 전기장을 생성할 수 있다.FIG. 13 is a partial schematic diagram of a stirrer 1340 having a three-dimensional arrangement of stirrer elements 1341 (shown as FIG. 13 as first stirrer elements 1341a and second stirrer elements 1341b). Stirrer elements 1341a and 1341b are arranged to form a lattice, and each stirrer elements 1341a and 1341b are oriented at an acute angle with respect to the direction of movement R (as opposed to the normal of the direction of movement R). Thus, the lattice arrangement of stirrer elements 1341 may increase the agitation generated by stirrer 1340 and may produce a more uniform electric field.

본 발명의 일 양태는 교반기 요소들의 형상 및 구성이 어떠하든, 이들은 긴 밀하게 끼워진 교반기 챔버의 한계들내에서 이들이 왕복한다는 것이다. 교반기 챔버들의 제한된 체적은 작업편(W)의 표면에서의 질량 전달 효과들을 추가로 향상시킬 수 있다. 교반기 챔버 및 교반기 요소들이 교반기 챔버에 통합되는 방식의 부가적인 세부사항들을 도 14 내지 도 19f를 참조로 후술한다. One aspect of the invention is that whatever the shape and configuration of the stirrer elements, they reciprocate within the limits of a tightly fitted stirrer chamber. The limited volume of the agitator chambers can further enhance mass transfer effects at the surface of the workpiece W. Additional details of how the stirrer chamber and the stirrer elements are integrated into the stirrer chamber are described below with reference to FIGS. 14-19F.

F. 전기장 차폐를 감소시키고, 질량 전달 균일성을 향상시키기 위한 왕복 스케줄들 및 교반기들을 가지는 반응기들의 실시예들 F. Embodiments of Reactors with Reciprocating Schedules and Agitators to Reduce Electric Field Shielding and Improve Mass Transfer Uniformity

도 14는 봄 발명의 실시예에 따른 긴밀하게 제한된 교반기 챔버(1430)내에 배치된 교반기(1440)를 가지는 반응기(1410)의 상부 부분의 개략도이다. 챔버(1430)는 처리 위치(P)에서 작업편(W)을 수용하기 위한 개구(1431)를 가지는 상단부(1434)를 포함한다. 대향 챔버 벽들(1432)(좌측벽(1432a) 및 우측벽(1432b)으로서 도시됨)은 상단부(1434)로부터 멀어지는 방향으로 처리 위치(P)를 향해 대면한 베이스(1433)로 하향 연장한다.14 is a schematic diagram of an upper portion of a reactor 1410 having a stirrer 1440 disposed in a tightly limited stirrer chamber 1430 in accordance with an embodiment of the spring invention. The chamber 1430 includes an upper end 1434 having an opening 1431 for receiving the workpiece W at the processing position P. FIG. Opposite chamber walls 1432 (shown as left wall 1432a and right wall 1432b) extend downward to facing base 1433 toward processing position P in a direction away from top 1434.

교반기(1440)는 처리 위치(P)와 챔버 베이스(1433) 사이에 위치된 복수의 교반기 요소들(1441)을 포함한다. 교반기(1430)는 처리 위치(P)와 챔버 베이스(1433) 사이에서 높이(H1)를 가지며, 교반기 요소들(1441)은 높이(H2)를 갖는다. 교반기 요소들(1441)의 상단부들은 간격 거리(D1) 만큼 처리 위치(P)로부터 이격 배치되며, 교반기 요소들(1441)의 저면부들은 간격 거리(D2) 만큼 챔버 베이스(1433)로부터 이격 배치된다. 특히, 처리 위치(P)에서, 교반기 챔버(1430)내의 교반 레벨을 증가시키기 위해, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1)의 현저한 분율이고, 간격 거리들(D1 및 D2)은 비교적 작다. 특정 실시예에서, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1) 의 적어도 30%이다. 다른 특정 실시예들에서, 교반기 높이(H2)는 챔버 높이(H1)의 적어도 70%, 80%, 90% 또는 그 이상과 같다. 챔버 높이(H1)는 30mm 이하, 예로서, 약 10mm으로부터 약 15mm이다. 챔버 높이(H1)가 약 15mm일 때, 교반기 높이(H2)는 약 10mm일 수 있고, 간격 거리들(D1 및 D2)은 약 1mm 이하 내지 약 5mm의 범위이다. 또 다른 특정 실시예에서, 챔버 높이(H1)는 15mm이고, 교반기 높이(H2)는 약 11.6mm이며, D1은 약 2.4mm이고, D2는 약 1mm이다. 다른 배열들은 이들 치수들에 대하여 서로 다른 값들을 가진다. 임의의 이들 배열들에서, 교반기 챔버(1430)내의 흐름 교반의 양은 일반적으로 교반기 챔버(1430)의 높이(H1)에 대한 교반기 요소들(1441)의 높이(H2)와 상관되며, 모든 다른 변수들은 동일하면, 상대적 교반기 요소 높이가 보다 크면, 일반적으로, 증가된 교반을 초래한다.The stirrer 1440 includes a plurality of stirrer elements 1442 located between the processing position P and the chamber base 1433. The stirrer 1430 has a height H1 between the processing position P and the chamber base 1433, and the stirrer elements 1441 have a height H2. The upper ends of the agitator elements 1442 are spaced apart from the processing position P by the spacing distance D1, and the bottom portions of the agitator elements 1441 are spaced apart from the chamber base 1433 by the spacing distance D2. . In particular, at processing position P, to increase the level of agitation in stirrer chamber 1430, stirrer height H2 is a significant fraction of chamber height H1 and the spacing distances D1 and D2 are relatively small. In certain embodiments, the stirrer height H2 is at least 30% of the chamber height H1. In other particular embodiments, the stirrer height H2 is equal to at least 70%, 80%, 90% or more of the chamber height H1. Chamber height H1 is 30 mm or less, for example from about 10 mm to about 15 mm. When the chamber height H1 is about 15 mm, the stirrer height H2 may be about 10 mm and the spacing distances D1 and D2 range from about 1 mm or less to about 5 mm. In another specific embodiment, the chamber height H1 is 15 mm, the stirrer height H2 is about 11.6 mm, D1 is about 2.4 mm, and D2 is about 1 mm. Different arrangements have different values for these dimensions. In any of these arrangements, the amount of flow agitation in the stirrer chamber 1430 is generally correlated with the height H2 of the stirrer elements 1441 relative to the height H1 of the stirrer chamber 1430, with all other variables If the same, higher relative stirrer element heights generally result in increased agitation.

복수의 교반기 요소들(1441)은 작업편(W)의 처리 표면에서의 질량 전달을 향상시키기 위해, 교반기 챔버(1430)(단일 교반기 요소(1441)에 비해)내의 흐름을 보다 균일하고 보다 완전하게 교반한다. 교반기 챔버(1430)의 범위내에서, 교반기 요소들(1441)의 에지와, (a) 작업편(W) 위 및 (b) 챔버 베이스(1433) 아래들 사이의 좁은 간극들은 또한 처리 표면(109)에서의 교반 레벨을 증가시킨다. 특히, 교반기 챔버(1430)의 작은 체적내에서의 다수의 교반기 요소들(1441)의 이동은 교반기 요소들(1441)과 작업편(W)(위) 및 챔버 베이스(1433)(아래) 사이의 좁은 간격들을 통해 처리 유체를 강제 이송한다. 교반기 챔버(1430)의 제한된 체적은 또한 처리 표면(109)에 인접한 교반된 흐름을 유지한다.The plurality of stirrer elements 1441 allow for more uniform and more complete flow in the stirrer chamber 1430 (compared to the single stirrer element 1441) to improve mass transfer at the treatment surface of the workpiece W. Stir. Within the scope of the stirrer chamber 1430, the narrow gaps between the edges of the stirrer elements 1442 and (a) above the workpiece W and (b) below the chamber base 1433 are also treated by the treatment surface 109. Increase the level of agitation). In particular, the movement of the plurality of stirrer elements 1421 in the small volume of the stirrer chamber 1430 is caused between the stirrer elements 1441 and the workpiece W (above) and the chamber base 1433 (below). Force the treatment fluid through narrow gaps. The limited volume of stirrer chamber 1430 also maintains a stirred flow adjacent to treatment surface 109.

상술한 배열의 장점은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서의 질량 전달 프로세 스가 향상된다는 것이다. 예로서, 재료가 작업편(W)으로부터 제거 또는 작업편(W)에 적용되는 전체 속도가 증가한다. 다른 실시예에서, 처리 표면(109)상에 증착된 합금들의 조성은 목표 레벨들로 보다 정확하게 제어 및/또는 유지된다. 또 다른 실시예에서, 상술한 배열은 다른 치수들(예로서, 서로 다른 깊이들 및/또는 서로 다른 형상비들을 가지는 오목부들) 및/또는 유사한 치수들을 가지는 피쳐들상에 재료가 증착되는 균일성을 증가시킨다. 상술한 결과들은 처리 유체의 증가된 교반으로부터 초래하는 다른 질량 전달 개선들 및/또는 감소된 확산 층 두께에 기여할 수 있다.An advantage of the above arrangement is that the mass transfer process at the treatment surface 109 of the workpiece W is improved. By way of example, the overall speed at which material is removed from or applied to the workpiece W is increased. In another embodiment, the composition of the alloys deposited on the treatment surface 109 is more accurately controlled and / or maintained at target levels. In another embodiment, the above-described arrangement provides uniformity in which the material is deposited on features having different dimensions (eg, recesses having different depths and / or different aspect ratios) and / or similar dimensions. Increase. The results described above may contribute to other mass transfer improvements and / or reduced diffusion layer thickness resulting from increased agitation of the processing fluid.

처리 유체는 두 개의 흐름 경로들 중 하나 또는 양자 모두에 의해 교반기 챔버(1430)에 진입한다. 제1 경로를 흐르는 처리 유체는 아래로부터 교반기 챔버(1430)에 들어간다. 따라서, 처리 유체는 교반기 챔버(1430) 아래에 위치된 전극 지지부(1420)의 전극 격실들(1422)을 통과한다. 처리 유체는 격실벽들(1423) 및 챔버 베이스(1433) 사이의 간격을 통해 측방향 외향으로 통과한다. 챔버 베이스(1433)는 처리 유체의 적어도 일부가 그를 통해 교반기 챔버(1440)내로 상향 통과하는 투과성(permeable) 베이스부(1433a)를 포함한다. 투과성 베이스부(1433a)는 다공성 매체, 예로서, 10미크론 공극 개구들과 약 50% 개구 면적을 갖는 다공성 알루미늄 세라믹을 포함한다. 대안적으로, 투과성 베이스부(1433a)는 일련의 관통 구멍들 또는 천공부들을 포함할 수 있다. 예로서, 투과성 베이스부(1433a)는 천공된 플라스틱 시트를 포함할 수 있다. 이들 배열들 중 임의의 것에서, 처리 유체는 처리 유체를 교반기 챔버(1430)에 공급하도록 투과성 베이스부(1433a)를 통과할 수 있거나, (투과성 베이스부(1433a)가 고 유동 저항성인 경우에) 처리 유체는 높은 속도로 투과성 베이스부(1433a)를 통해 유동하지 않고, 전극 지지부(1420)에 수납된 환형 전극들(1421)과 처리 위치(P) 사이에 유체 및 전기적 소통 링크를 제공하도록 투과성 베이스부(1433a)를 단순히 포화시킬 수 있다. 대안적으로(예로서, 투과성 베이스부(1433a)가 균일한 유체 흐름 및/또는 전류 분포와 간섭하는 기포들을 포획하고 있는 경우), 투과성 베이스부(1433a)는 제거될 수 있으며, (a) 중실체 베이스부로 교체되거나, (b) 통상적으로 점유하는 체적이 개방 상태로 남겨질 수 있다.The processing fluid enters the stirrer chamber 1430 by one or both of the two flow paths. The processing fluid flowing through the first path enters the stirrer chamber 1430 from below. Thus, the processing fluid passes through the electrode compartments 1422 of the electrode support 1420 located below the stirrer chamber 1430. The processing fluid passes laterally outward through the gap between the compartment walls 1423 and the chamber base 1433. The chamber base 1433 includes a permeable base portion 1433a through which at least a portion of the processing fluid passes upwardly into the stirrer chamber 1440. Permeable base portion 1433a comprises a porous medium, such as a porous aluminum ceramic having 10 micron pore openings and about 50% opening area. Alternatively, the permeable base portion 1433a may comprise a series of through holes or perforations. By way of example, the permeable base portion 1433a may comprise a perforated plastic sheet. In any of these arrangements, the processing fluid may pass through the permeable base portion 1433a to supply the processing fluid to the stirrer chamber 1430, or (if the permeable base portion 1433a is highly flow resistant). The fluid does not flow through the permeable base portion 1433a at a high rate, but the permeable base portion to provide a fluid and electrical communication link between the annular electrodes 1421 housed in the electrode support 1420 and the processing position P. FIG. It is possible to simply saturate 1433a. Alternatively (eg, when permeable base portion 1433a is trapping bubbles that interfere with uniform fluid flow and / or current distribution), permeable base portion 1433a may be removed and (a) of It may be replaced with an entity base, or (b) the normally occupying volume may be left open.

제2 흐름 경로를 흐르는 처리 유체는 흐름 입구(1435a)를 경유하여 교반기 챔버(1430)에 진입한다. 처리 유체는 교반기 챔버(1430)를 통해 측방향으로 흐르며, 흐름 출구(1435b)에서 배출된다. 제1 및 제2 흐름 경로들을 따라 진행하는 처리 유체의 상대적 체적들은 (a) 전극(1421)과의 전기 소통을 유지하도록, 그리고, (b) 작업편(W)이 처리될 때, 교반기 챔버(1430)내에 처리 유체를 재보급하도록 디자인에 의해 제어될 수 있다. Process fluid flowing through the second flow path enters the stirrer chamber 1430 via the flow inlet 1435a. The processing fluid flows laterally through the agitator chamber 1430 and exits the flow outlet 1435b. Relative volumes of processing fluid running along the first and second flow paths are (a) to maintain electrical communication with the electrode 1421, and (b) when the workpiece W is processed, the stirrer chamber ( Can be controlled by the design to replenish the processing fluid within 1430.

도 15는 C 및 D장들에서 상술된 반응기(710)의 추가 세부사항들을 예시한다. 교반기 챔버(730)는 상향 경사진 원추형 하부면(1536)을 갖는 투과성 베이스부(733a)를 갖는다. 따라서, 베이스(733) 아래의 처리 유체에 기포들이 존재하는 경우에, 이들은 베이스(733)내의 베이스 간격들(1538)을 통해 그들이 교반기 챔버(730)에 진입할 때까지 하부면(1536)을 따라 반경방향 외향으로 이동하는 경향을 갖는다. 기포들이 교반기 챔버(730)내에 들어가고 나면, 교반기(740)의 교반기 요 소들(741)은 그들이 제거되는 배출 간격(1535b)을 향해 기포들을 이동시키는 경향을 갖는다. 결과적으로, 처리 유체내의 기포들은 작업편(W)의 처리 표면(109)에서 발생하는 적용 또는 제거 처리와 간섭할 가능성이 보다 적다.15 illustrates additional details of reactor 710 described above in chapters C and D. FIG. The stirrer chamber 730 has a permeable base portion 733a with an upwardly inclined conical bottom surface 1536. Thus, when bubbles are present in the processing fluid below the base 733, they are along the lower surface 1536 through the base gaps 1538 in the base 733 until they enter the stirrer chamber 730. Tend to move radially outward. Once the bubbles enter the stirrer chamber 730, the stirrer elements 741 of the stirrer 740 tend to move the bubbles towards the discharge interval 1535b from which they are removed. As a result, bubbles in the processing fluid are less likely to interfere with the application or removal treatment that occurs at the treatment surface 109 of the workpiece W.

작업편(W)(예로서, 150mm, 300mm 또는 다른 값들의 직경을 갖는 둥근 작업편(W))은 작업편(W)의 외주 둘레로 연장하는 작업편 밀봉부(1514)를 갖는 작업편 지지부(1513)에 의해 지지된다. 작업편 지지부(1513)가 처리 위치(P)로 작업편(W)을 하강시킬 때, 지지부 밀봉부(1514)는 교반기 챔버(730)의 상단부에 위치된 챔버 밀봉부(1537)에 대하여 밀봉할 수 있다. 대안적으로, 지지부 밀봉부(1514)는 교반기 챔버(730) 외부로 유체 및/또는 가스 기포들이 통과할 수 있게 하도록, 및/또는 작업편(W)을 회전 또는 스피닝시킬 수 있게 하도록 챔버 밀봉부(1537)로부터 이격 배치될 수 있다. 출구 간격(1535b)을 통해 교반기 챔버(730)를 벗어나는 처리 유체는 반응기(710)를 벗어나기 이전에, 챔버 밀봉부(1537)의 레벨 위로 상승한다. 따라서, 챔버 밀봉부(1537)는 건조되지 않는 경향이 있으며, 그 동작과 간섭할 수 있는 결정 침전물들을 형성할 가능성이 보다 작다. 작업편 지지부(1513)가 처리 위치(P)(도 15에 도시된 바와 같이)로부터 상향 이동될 때, 그리고, 선택적으로, 작업편 지지부(1513)가 작업편(W)을 처리 위치(P)에서 지지할 때, 챔버 밀봉부(1537)는 젖은 상태로 남아있는다. The workpiece W (eg, a round workpiece W having a diameter of 150 mm, 300 mm or other values) is a workpiece support having a workpiece seal 1514 extending around the outer circumference of the workpiece W. Supported by 1513. When the workpiece support 1513 lowers the workpiece W to the processing position P, the support seal 1514 may seal against the chamber seal 1537 located at the upper end of the agitator chamber 730. Can be. Alternatively, the support seal 1514 allows the fluid and / or gas bubbles to pass out of the stirrer chamber 730 and / or to allow the workpiece W to rotate or spin. 1537 may be spaced apart. The processing fluid leaving stirrer chamber 730 through outlet gap 1535b rises above the level of chamber seal 1537 prior to leaving reactor 710. Thus, the chamber seal 1537 tends not to dry and is less likely to form crystalline deposits that may interfere with its operation. When the workpiece support 1513 is moved upward from the processing position P (as shown in FIG. 15), and, optionally, the workpiece support 1513 moves the workpiece W to the processing position P. FIG. When supported at, the chamber seal 1537 remains wet.

자기 지향성 재료가 그에 적용될 때(예로서, 자석(795)의 사용과 연계하여), 통상적으로 작업편(W)이 회전하지 않기 때문에, 복수의 교반기 요소들(741)의 선형 왕복 운동은 정합을 위해 매우 높은 작업편 스피닝 속도를 요구하지 않게되는 양 만큼 확산 층 두께를 감소시키는 특히 의미있는 방법이다. 예로서, 0.2m/s로 이동하는 6개 교반기 요소들(741)을 갖는 패들 디바이스는 퍼멀로이 욕조내에서 18미크론 미만의 강철 확산층 두께를 달성할 수 있다. 교반기 요소들이 없으면, 작업편(W)은 이렇게 낮은 확산층 두께를 달성하기 위해 500rpm으로 스피닝되어야 하며, 이는 자기 응답성 재료들의 증착시 불가능한 것이다.When a magnetic directional material is applied thereto (eg, in connection with the use of magnet 795), since the workpiece W typically does not rotate, linear reciprocation of the plurality of stirrer elements 741 results in a match. This is a particularly meaningful way to reduce the diffusion layer thickness by an amount that does not require very high workpiece spinning speeds. As an example, a paddle device with six stirrer elements 741 moving at 0.2 m / s may achieve a steel diffusion layer thickness of less than 18 microns in a permalloy bath. Without stirrer elements, workpiece W must be spun at 500 rpm to achieve this low diffusion layer thickness, which is impossible in the deposition of self-responsive materials.

상술된 선형의 세장형 교반기 요소(741)가 원형 작업편(W) 아래에서 횡단방향으로 왕복할 때, 이들은 작업편(W)에 인접한 흐름 필드내에 3차원 영향들을 생성하는 경향을 가질 수 있다. 도 16a 내지 도 18을 참조로 후술된 본 발명의 실시예들은 이들 영향들을 다룬다. 예로서, 도 16a는 교반기 챔버(1630)내에 수납된 교반기(1640) 바로 위에 배치된 작업편(W)에서 상방으로 돈 부분 개략도이다. 도 16b는 실질적으로 도 16A의 16B-16B 선을 따라 취해진, 교반기(1630)의 챔버 베이스(1633) 위에 배치된, 도 16A에 도시된 교반기(1640) 및 작업편(W)의 일부의 부분 개략 단면도이다. 후술된 바와 같이, 교반기(1640)는 전술한 3차원 영향들을 고려하기 위해 서로 다른 형상들을 갖는다.When the linear elongated stirrer element 741 described above reciprocates transversely below the circular workpiece W, they may tend to produce three-dimensional effects in the flow field adjacent to the workpiece W. Embodiments of the present invention described below with reference to FIGS. 16A-18 address these effects. By way of example, FIG. 16A is a partial schematic drawing upward from a workpiece W disposed directly above agitator 1640 contained within agitator chamber 1630. FIG. 16B schematically illustrates a portion of a portion of the stirrer 1640 and workpiece W shown in FIG. 16A, disposed above the chamber base 1633 of the stirrer 1630, substantially taken along line 16B-16B in FIG. 16A. It is a cross section. As described below, the stirrer 1640 has different shapes to account for the three-dimensional effects described above.

먼저, 도 16a를 참조하면, 교반기(1640)는 복수의 교반기 요소들(1641)(두개의 외부 교반기 요소들(1641b) 사이에 위치된 4개의 내부 교반기 요소들(1641a)로서 도시됨)을 포함한다. 교반기 요소들(1641)은 교반기 장축(1690)에 실질적으로 평행한 세장형 형상이며, 전술된 바와 실질적으로 유사한 방식으로 교반기 운동 축(1691)을 따라 전후로 왕복한다. 작업편(W)은 전기 접촉부 조립체(1615)를 밀봉하기 위해 작업편(W)의 하향 대면 처리 표면(109)의 외주 둘레 및 아래에서 연장하는 지지부 밀봉부(1614)를 포함하는 작업편 지지부(1613)에 의해 지지된다.First, referring to FIG. 16A, stirrer 1640 includes a plurality of stirrer elements 1641 (shown as four internal stirrer elements 1641a positioned between two external stirrer elements 1641b). do. Stirrer elements 1641 are elongate in shape substantially parallel to the stirrer long axis 1690 and reciprocate back and forth along the stirrer axis of motion 1171 in a manner substantially similar to that described above. The workpiece W includes a workpiece support comprising a support seal 1614 extending around and below the outer periphery of the downward facing treatment surface 109 of the workpiece W to seal the electrical contact assembly 1615. 1613).

지지부 밀봉부(1614)가 작업편(W)의 처리 표면(109)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 돌출하기 때문에(즉, 도 16A의 평면으로부터 외향으로), 교반기 요소들(1641)은 처리 표면(109)에 대하여 보다 지지부 밀봉부(1614)에 대하여 보다 근접하게 이격 배치되어 있다. 교반기 요소들(1641)이 지지부 밀봉부(1614) 바로 아래를 전후로 통과 이동할 때, 이들은 흐름이 교반기 요소들(1641)과 지지부 밀봉부(1614) 사이의 비교적 좁은 간격을 통해 가속되기 때문에 고속 제트들 및/또는 와류들(vortices)(1692)을 형성할 수 있다. 예로서, 와류들(1692)은 지지부 밀봉부(1614)를 초과하여, 아래로 교반기 요소들(1641)이 통과할 때 형성되거나, 와류들(1692)은 교반기 요소들(1641)이 지지부 밀봉부(1614)와 정렬되고, 그후, 작업편(W)의 처리 표면(109) 위로 다시 통과할 때 형성될 수 있다. 이들 와류들(1692)은 지지부 밀봉부(1614)가 교반기 운동 축(1691)에 실질적으로 평행한(예로서, 도 16a에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접한) 처리 표면(109)에서 질량 전달에 현저한 영향을 갖지 않을 수 있지만, 그러나, 지지부 밀봉부(1614)가 교반기 운동 축(1691)에 횡단하는 위치(예로서, 도 16a의 3:00 및 9:00 위치들에 인접한)에서는 보다 현저한 영향들을 갖는다. 도 16b를 참조로 보다 상세히 후술된 바와 같이, 외부 교반기 요소들(1641b)(처리 위치(P) 및 작업편(W)의 외부 영역들과 정렬됨)은 이 영향을 상쇄하도록 내부 교반기 요소들(1641a)(처리 위치(P)와 작업편(W)의 내부 영역들과 정렬된)과는 다른 크기를 가질 수 있다.Since the support seal 1614 projects downward in a direction away from the treatment surface 109 of the workpiece W (ie, outward from the plane of FIG. 16A), the stirrer elements 1641 are treated with a treatment surface 109. It is more closely spaced with respect to the support seal 1661 than with respect to. As stirrer elements 1641 move back and forth just below support seal 1614, they are driven by high velocity jets because the flow is accelerated through a relatively narrow gap between stirrer elements 1641 and support seal 1614. And / or vortices 1662. By way of example, the vortices 1662 are formed when the stirrer elements 1641 pass down beyond the support seal 1614 or the vortices 1662 are formed by the stirrer elements 1641 with the support seal. Aligned with 1614 and then formed upon passing back over the treatment surface 109 of the workpiece W. FIG. These vortices 1662 have a treatment surface 109 in which the support seal 1614 is substantially parallel to the stirrer axis of motion 1701 (eg, adjacent to the 12:00 and 6:00 positions shown in FIG. 16A). May not have a significant effect on mass transfer, however, the position where the support seal 1614 traverses the stirrer axis of motion 1701 (eg, adjacent to the 3:00 and 9:00 positions of FIG. 16A). ) Has more significant effects. As described in more detail below with reference to FIG. 16B, the external stirrer elements 1641b (aligned with the outer regions of the processing position P and the workpiece W) have internal stirrer elements ( 1641a (aligned with the processing position P and the inner regions of the workpiece W).

도 16b는 도 16a에 도시된 최좌측 내부 교반기 요소(1641a) 및 좌외측 교반 기 요소(1641b)를 예시한다. 내부 교반기 요소(1641a)는 간격 거리(D1) 만큼 작업편(W)으로부터 이격 배치되고, 간격 거리(D2) 만큼 챔버 베이스(1633)로부터 이격 배치된다. 내부 교반기 요소(1641a)가 9:00 위치에서 지지부 밀봉부(1614) 아래에서 전후로 왕복하는 경우에, 내부 교반기 요소(1641a)의 대부분들은 간격 거리(D1) 보다 현저히 작은 간격 거리(D3) 만큼 지지부 밀봉부(1614)로부터 이격 배치된다. 상술된 바와 같이, 이는 와류들(1692)(도 16A)이 형성되게 할 수 있으며, 이런 와류들은 다른 위치들(예로서, 12:00 또는 6:00 위치들)에서 보다 이 위치에서 작업편(W)의 처리 표면(109)에서 질량 전달 특성들을 보다 현저히 향상시킬 수 있다. 대안적으로, 와류들은 전체 처리 표면(109)을 가로질러 형성되지만, 12:00(및 6:00) 위치들에서 보다 9:00(및 3:00) 위치들에서 보다 강할 수 있다. FIG. 16B illustrates the leftmost inner stirrer element 1641a and left outer stirrer element 1641b shown in FIG. 16A. The inner stirrer element 1641a is spaced apart from the workpiece W by the spacing distance D1 and spaced apart from the chamber base 1633 by the spacing distance D2. In the case where the inner stirrer element 1641a reciprocates back and forth under the support seal 1614 at the 9:00 position, most of the inner stirrer elements 1641a are supported by the spacing distance D3 which is significantly smaller than the spacing distance D1. Spaced apart from the seal 1614. As described above, this may cause the vortices 1662 (FIG. 16A) to be formed, which may cause the workpiece (at At the treatment surface 109 of W), mass transfer properties can be significantly improved. Alternatively, the vortices are formed across the entire treatment surface 109 but may be stronger at 9:00 (and 3:00) positions than at 12:00 (and 6:00) positions.

상술한 영향을 상쇄시키기 위해, 외부 교반기 요소(1641b)는 내부 교반기 요소(1641a)와 다른(예로서, 보다 작은) 크기를 가지며, 그래서, 작업편(W)과 내부 교반기 요소(1641a) 사이의 간격 거리(D1)와 거의 같은 간격 거리(D4) 만큼 지지부 밀봉부(1614)로부터 이격 배치될 수 있다. 따라서, 작업편(W)의 외주(그리고, 특히, 도 16A에 도시된 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 외주)에서 향상된 질량 전달 효과는 작업편(W)의 잔여부에 걸친 향상된 질량 전달 효과들과 적어도 거의 동일해질 수 있다.In order to counteract the aforementioned effects, the outer stirrer element 1641b has a different (eg smaller) size than the inner stirrer element 1641a, so that between the workpiece W and the inner stirrer element 1641a It may be spaced apart from the support seal 1614 by an interval distance D4 that is approximately equal to the interval distance D1. Thus, the improved mass transfer effect on the outer periphery of the workpiece W (and in particular, the outer periphery adjacent to the 3:00 and 9:00 positions shown in FIG. 16A) results in an improved mass over the remainder of the workpiece W. It can be at least nearly identical to the transfer effects.

도 17은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교반기 챔버(1730)내에 배치된 교반기(1740)의 단면도이다. 교반기(1740)는 작업편(W)의 내부 및 외주에서의 질량 전달 특성들 사이의 불균일성을 또한 감소시키는 방식으로 교반기 챔버(1730)내에서 이동하도록 구성된 교반기 요소들(1741)을 포함한다. 특히, 교반기 요소들(1741)은 3:00 및 9:00 위치들에 인접한 지지부 밀봉부(1714) 위에서 연장하지 않는 인벨로프(envelope)(1781)내에서 전후로 이동한다. 따라서, 교반기 요소들(1741)은 와류들(또는 불균일한 강한 와류들)이나, 3:00 및 6:00 위치들에 인접한 작업편(W)에 근접한 다른 흐름 필드 불균일성들을 형성할 가능성이 작다.17 is a cross-sectional view of a stirrer 1740 disposed in a stirrer chamber 1730 according to another embodiment of the present invention. Stirrer 1740 includes stirrer elements 1741 configured to move within stirrer chamber 1730 in a manner that also reduces non-uniformity between mass transfer characteristics at the inner and outer circumferences of workpiece W. FIG. In particular, stirrer elements 1741 move back and forth within an envelope 1701 that does not extend above the support seal 1714 adjacent the 3:00 and 9:00 positions. Thus, the agitator elements 1741 are less likely to form vortices (or strong non-uniform vortices) or other flow field nonuniformities close to the workpiece W adjacent to the 3:00 and 6:00 positions.

도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따라 구성된 교반기 요소(1841)의 등각도이다. 교반기 요소(1841)는 그 단부들에 인접하게 높이(H3)를 가지며, 단부들 사이의 위치에서 H3 보다 큰 높이(H4)를 갖는다. 보다 일반적으로, 교반기 요소(1841)는 장축(1890)을 따라 서로 다른 위치들에서, 서로 다른 단면 형상들 및/또는 크기들을 가질 수 있다. 특정 실시예에서, 도 16a를 참조로 상술된 내부 교반기 요소들(1641a)은 도 16a에 도시된 12:00 및 6:00 위치들에 인접하게 예로서, 불균일하게 향상된 전달 효과들을 생성할 가능성을 감소시키기 위해서, 도 18에 도시된 교반기 요소(1841)의 것과 실질적으로 유사한 형상을 가질 수 있다.18 is an isometric view of agitator element 1841 configured in accordance with another embodiment of the present invention. Stirrer element 1841 has a height H3 adjacent its ends, and has a height H4 greater than H3 in the position between the ends. More generally, the stirrer element 1841 may have different cross-sectional shapes and / or sizes at different locations along the long axis 1890. In a particular embodiment, the internal stirrer elements 1641a described above with reference to FIG. 16A have the potential to produce non-uniformly enhanced transfer effects, eg, adjacent to the 12:00 and 6:00 positions shown in FIG. 16A. To reduce, it may have a shape substantially similar to that of the stirrer element 1841 shown in FIG. 18.

도 6 내지 도 18을 참조로 상술된 임의의 교반기들은 변하는 반복가능한 패턴으로 왕복할 수 있다. 예로서, 도 19a 내지 도 19f에 도시된 일 배열에서, 교반기(140)는 중심 위치(180)로부터 1회 이상 왕복하고, 그후, 측방향으로 변위하며, 그래서, 다음 왕복(또는 일련의 왕복들)의 중심 위치(180)는 이전 왕복을 위한 중심 위치와 다르다. 도 19a 내지 도 19f에 도시된 특정 실시예에서, 중심 위치(180)는 그 원래 위치로의 복귀 이전에 5 지점들로 변위한다. 각 지점에서, 교반기(140)는 다음 지점으로 변위하기 이전에, 인벨로프(181)내에서 왕복한다. 다른 특정 실 시예들에서, 중심 위치(181)는 2 내지 12개 이상 지점들로 변위한다. 중심 위치(181)가 12개 지점들로 변위할 때, 각 지점에서, 교반기(140)는 최외부 교반기 요소들(141)을 초과하여 그로부터 약 15 내지 75mm(그리고, 또한 특히, 약 30mm) 연장하는 인벨로프(181)내에서 왕복하며, 중심 위치(180)는 일 지점으로부터 다음 지점으로 약 15mm 만큼 변위한다. 다른 배열들에서, 중심 위치(180)는 그 원래 위치로 복귀하기 이전에 다른 수의 지점들로 변위한다.Any stirrer described above with reference to FIGS. 6-18 can reciprocate in varying repeatable patterns. For example, in one arrangement shown in FIGS. 19A-19F, the stirrer 140 reciprocates one or more times from the central position 180, and then laterally displaces, so that the next reciprocation (or series of reciprocations) The center position 180 of) is different from the center position for the previous round trip. In the particular embodiment shown in FIGS. 19A-19F, the central position 180 is displaced by five points before returning to its original position. At each point, stirrer 140 reciprocates within envelope 181 before displacing to the next point. In other particular embodiments, the central position 181 is displaced to two to twelve or more points. As the central position 181 shifts to twelve points, at each point, the stirrer 140 extends about 15 to 75 mm (and also especially about 30 mm) therefrom beyond the outermost stirrer elements 141. Reciprocating within the envelope 181, the central position 180 is shifted by about 15 mm from one point to the next. In other arrangements, the central position 180 displaces to a different number of points before returning to its original position.

교반기(140)가 그 둘레로 왕복하는 지점을 변위시키는 것은 작업편(W)상의 세도우잉 또는 다른 바람직하지 못한 패턴들을 형성할 가능성을 감소시킨다. 이 효과는 적어도 두 개의 인자들로부터 초래한다. 먼저, 중심 위치(180)를 변위시키는 것은 교반기 요소들(141)의 물리적 구조에 의해 생성되는 전기장 세도우잉을 감소시킨다. 두 번째로, 중심 위치(180)를 변위시키는 것은 이동에 따라, 각 교반기 요소(141)로부터 발생할 수 있는 와류들의 패턴을 변위시킬 수 있다. 이는 순차적으로 작업편(W)의 처리 표면(109)에 걸쳐 보다 균일하게 와류들(또는 기타 흐름 구조들)을 분포시킨다. 교반기 요소(140)는 세도우잉의 가능성을 추가로 감소시키기 위해 신속히(예로서, 약 8m/s2로)가속 및 감속될 수 있다. 교반기 요소들(141)의 속도를 제어하는 것은 또한 확산 층 두께에 영향을 준다. 예로서, 교반기 요소들(141)의 속도를 0.2m/s로부터 2.0m/s로 증가시키는 것은 약 3의 인자 만큼 확산층 두께를 감소시키는 것으로 예상된다.Displacing the point at which stirrer 140 reciprocates around it reduces the likelihood of forming shadowing or other undesirable patterns on workpiece W. This effect results from at least two factors. First, displacing the central position 180 reduces the electric field shadowing produced by the physical structure of the agitator elements 141. Secondly, displacing the central position 180 may displace the pattern of vortices that may occur from each stirrer element 141 as it moves. This in turn distributes the vortices (or other flow structures) more evenly across the treatment surface 109 of the workpiece W. FIG. Stirrer element 140 may be accelerated and decelerated rapidly (eg, to about 8 m / s 2 ) to further reduce the likelihood of shadowing. Controlling the speed of the agitator elements 141 also affects the diffusion layer thickness. As an example, increasing the speed of agitator elements 141 from 0.2 m / s to 2.0 m / s is expected to reduce the diffusion layer thickness by a factor of about 3.

교반기 요소들(141)의 수는 인접 교반기 요소들 사이의 간격을 감소시키고, 각 교반기 요소(141)가 그에 걸쳐 왕복하는 최소 행정 길이를 감소시키도록 선택될 수 있다. 예로서, 교반기(140)내에 포함된 교반기 요소들(141)의 수를 증가시키는 것은 이웃 교반기 요소들(141) 사이의 간격을 감소시키고, 각 교반기 요소(141)를 위한 최소 행정 길이를 감소시킨다. 각 교반기 요소(141)는 따라서, 작업편(W)의 전체 직경을 따라 스캐닝하는 대신, 작업편(W)의 단지 일부에 인접하게 이동한다. 다른 특정 실시예에서, 각 패들(141)을 위한 최소 행정 거리는 이웃 교반기 요소들(141) 사이의 거리 이상이다. 임의의 이들 배열들에 대하여, 증가된 수의 교반기 요소들(141)은 극도로 높은 속도들로 교반기 요소들(141)을 이동시킬 필요 없이, 작업편(W)의 임의의 한 부분이 갖는 교반기 요소(141)가 그를 통과하는 빈도수를 증가시킨다. 교반기 요소들(141)(그리고, 따라서, 패들 디바이스(140))의 행정 길이를 감소시키는 것은 또한 교반기 요소들(141)을 이동시키는 구동 시스템의 기계적 복잡성을 감소시킨다.The number of stirrer elements 141 may be selected to reduce the spacing between adjacent stirrer elements and to reduce the minimum stroke length each stirrer element 141 reciprocates across. For example, increasing the number of stirrer elements 141 included in stirrer 140 reduces the spacing between neighboring stirrer elements 141 and reduces the minimum stroke length for each stirrer element 141. . Each stirrer element 141 thus moves adjacent to only a portion of the workpiece W, instead of scanning along the entire diameter of the workpiece W. FIG. In another particular embodiment, the minimum stroke distance for each paddle 141 is more than the distance between neighboring agitator elements 141. For any of these arrangements, the increased number of stirrer elements 141 allows the stirrer of any part of the workpiece W to move without having to move the stirrer elements 141 at extremely high speeds. Element 141 increases the frequency with which it passes. Reducing the stroke length of the agitator elements 141 (and thus the paddle device 140) also reduces the mechanical complexity of the drive system for moving the agitator elements 141.

상술한 바로부터, 본 발명의 특정 실시예들을 예시를 위해 여기서 설명하였지만, 다양한 변형들이 본 발명의 개념 및 범주로부터 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예로서, 전해 처리 반응기들에 관하여 상술된 교반기들 및 교반기 챔버들의 피쳐들은 무전해 처리 반응기들을 포함하는 다른 반응기들에도 적용가능하다. 다른 실시예에서, 작업편(W)은 교반기에 대하여 왕복한다. 또 다른 실시예에서, 작업편(W) 및 교반기는 서로에 대해 이동할 필요가 없다. 특히, 교반기로부터 분출되는 유체 제트들은 질량 전달 프로세스를 향상시키는 유체 교반을 제공할 수 있다. 그럼에도 불구하고, 작업편(W) 및/또는 교반기의 적어 도 일부 양태는 유체 교반 및 작업편(W)의 표면에서 대응하는 질량 전달 개선을 제공하도록 활성화될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의한 바를 제외하고는 제한되지 않는다. From the foregoing, while specific embodiments of the invention have been described herein for purposes of illustration, it will be understood that various modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention. By way of example, the features of the agitators and agitator chambers described above with respect to electrolytic treatment reactors are applicable to other reactors, including electroless treatment reactors. In another embodiment, the workpiece W reciprocates with respect to the stirrer. In another embodiment, the workpiece W and the stirrer do not need to move relative to each other. In particular, fluid jets ejected from the stirrer may provide fluid agitation that enhances the mass transfer process. Nevertheless, at least some aspects of the workpiece W and / or the stirrer may be activated to provide fluid agitation and a corresponding mass transfer improvement at the surface of the workpiece W. FIG. Accordingly, the invention is not limited except as by the appended claims.

Claims (126)

마이크로피쳐 작업편(microfeature workpiece)을 습식 화학 처리하기 위한 툴(tool)로서,A tool for wet chemical processing of microfeature workpieces, 처리 지지부와,Processing support, 처리 지지부에 의해 지지되는 습식 화학 처리 반응기로서, 반응기는 처리 유체를 수용하도록 구성된 처리 용기와, 용기의 처리 위치에서 처리 유체내에 작업편을 적어도 부분적으로 침지시키도록 구성된 작업편 지지부와, 적어도 처리 위치에 인접한 위치에서 용기내에 위치된 처리 유체 교반기를 포함하며, 처리 유체 교반기는 적어도 하나의 세장형 교반기(elongated agitator) 표면을 가지며, 적어도 처리 위치에 근접한 처리 유체를 교반하도록 교반기와 작업편 지지부 중 적어도 하나가 처리 위치에 대하여 이동가능하고, 반응기는 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나에 동작가능하게 결합된 작동기를 추가로 포함하는 습식 화학 처리 반응기, 및A wet chemical processing reactor supported by a processing support, the reactor comprising: a processing vessel configured to receive a processing fluid, a workpiece support configured to at least partially immerse the workpiece in the processing fluid at the processing position of the vessel, and at least the processing position A processing fluid stirrer located in the vessel at a location adjacent the processing fluid stirrer having at least one elongated agitator surface, at least one of the stirrer and workpiece support to agitate the processing fluid in proximity to the processing location; A wet chemical treatment reactor, the reactor further comprising an actuator operatively coupled to at least one of the workpiece support and the stirrer, the one being movable relative to the processing position, and 처리 지지부에 의해 지지되며, 반응기에 대하여 작업편을 이동시키도록 반응기에 대하여 이동가능한 작업편 수송부를 포함하는 툴.And a workpiece transporter supported by the processing support and movable relative to the reactor to move the workpiece relative to the reactor. 제 1 항에 있어서, 처리 지지부는 복수의 위치설정 요소들(positioning elements) 및 부착 요소들을 갖는 장착 모듈(mounting module)을 포함하고,The processing support of claim 1, wherein the processing support comprises a mounting module having a plurality of positioning elements and attachment elements, 작업편 지지부는 장착 모듈에 의해 지지되며,The workpiece support is supported by the mounting module, 처리 용기는 위치설정 요소들 중 하나와 결합된 제1 인터페이스 부재 (interface member)와, 부착 요소들 중 하나와 결합된 제1 패스너(fastner)를 구비하고,The processing vessel has a first interface member coupled with one of the positioning elements, a first fastner coupled with one of the attachment elements, 작업편 수송부는 위치설정 요소들 중 하나와 결합된 제2 인터페이스 부재와 부착 요소들 중 하나와 결합된 제2 패스너를 구비하고, The workpiece transporter has a second interface member coupled with one of the positioning elements and a second fastener associated with one of the attachment elements, 장착 모듈은 처리 용기가 다른 처리 용기로 교체될 때 작업편 수송부가 재캘리브레이팅(recalibrated)될 필요가 없도록 위치설정 요소들 사이의 상대 위치들을 유지하도록 구성되는 툴.The mounting module is configured to maintain the relative positions between the positioning elements such that the workpiece transport does not need to be recalibrated when the processing vessel is replaced with another processing vessel. 제 2 항에 있어서, 장착 모듈은 데크를 포함하고,The system of claim 2, wherein the mounting module comprises a deck, 상기 데크는 The deck is 위치설정 요소들 중 적어도 일부와 부착 요소들 중 적어도 일부가 그 위에 존재하는 강성 외부 부재,A rigid outer member having at least some of the positioning elements and at least some of the attachment elements thereon, 외부 부재에 병치된(juxtaposed) 강성 내부 부재,Rigid inner member juxtaposed to the outer member, 외부 부재와 내부 부재 사이의 브레이싱(bracing)을 포함하고,Includes bracing between the outer member and the inner member, 상기 외부 부재, 브레이싱 및 내부 부재는 함께 고정되고, The outer member, the bracing and the inner member are fixed together, 반응기는 데크에 부착되는 툴.A reactor is attached to the deck. 제 2 항에 있어서, 장착 모듈은 데크를 포함하고,The system of claim 2, wherein the mounting module comprises a deck, 상기 데크는 The deck is 위치설정 요소들 중 적어도 일부와 부착 요소들 중 적어도 일부가 그 위에 존재하는 강성 제1 패널,A rigid first panel having at least some of the positioning elements and at least some of the attachment elements present thereon, 제1 패널에 병치된 강성 제2 패널,A rigid second panel juxtaposed to the first panel, 제1 및 제2 패널들 사이에 배치된 브레이스(brace)들을 포함하고,Braces disposed between the first and second panels, 상기 제1 패널, 브레이스들 및 제2 패널은 치수적으로 안정하도록 함께 고정되고,The first panel, the braces and the second panel are fixed together to be dimensionally stable, 상기 반응기는 데크에 부착되는 툴.The reactor is attached to the deck. 제 2 항에 있어서, 장착 모듈은 데크를 포함하고,The system of claim 2, wherein the mounting module comprises a deck, 상기 데크는 The deck is 복수의 브레이스들,Multiple braces, (a) 위치설정 요소들 및 (b) 부착 요소들 중 적어도 일부를 가지면서 브레이스들의 일 측부에 부착된 강성 제1 패널,a rigid first panel having at least some of (a) positioning elements and (b) attachment elements and attached to one side of the braces, 브레이스들의 다른 측부에 부착되면서 제1 패널에 병치된 강성 제2 패널을 포함하고,A rigid second panel juxtaposed to the first panel while attached to the other side of the braces, 상기 반응기는 데크의 제1 패널에 부착되는 툴.The reactor attached to the first panel of the deck. 제 2 항에 있어서, 장착 모듈은,The method of claim 2, wherein the mounting module, 상부 패널, 상부 패널 아래의 하부 패널 및 상부와 하부 패널들 사이에 부착된 브레이스들을 포함하는 처리 데크로서, 상부 패널은 (a) 위치설정 요소들 및 (b) 부착 요소들 중 적어도 일부를 가지고, 반응기의 제1 인터페이스 부재가 처리 데크의 상부 패널의 대응 위치설정 요소와 결합되는 처리 데크, 및A processing deck comprising a top panel, a bottom panel below the top panel, and braces attached between the top and bottom panels, wherein the top panel has at least some of (a) positioning elements and (b) attachment elements, A treatment deck in which the first interface member of the reactor is coupled with a corresponding positioning element of the upper panel of the treatment deck, and 위치설정 요소들 중 적어도 일부를 가지며, 처리 데크에 대해 툴내에 고정식으로 배치되는 플랫폼으로서, 작업편 수송부의 제2 인터페이스 부재가 플랫폼의 대응 위치설정 요소와 결합되는 플랫폼을 추가로 포함하는 툴.A platform having at least some of the positioning elements and fixedly disposed within the tool relative to the treatment deck, the tool further comprising a platform on which the second interface member of the workpiece transporter is coupled with a corresponding positioning element of the platform. 제 2 항에 있어서, 상기 장착 모듈은 반응기를 지지하기 위한 데크, 작업편 수송부를 지지하기 위한 플랫폼 및, 프레임에 대해 장착 모듈을 조절가능하게 부착하기 위한 조절가능한 발판(footing)을 포함하고,3. The mounting module of claim 2, wherein the mounting module comprises a deck for supporting the reactor, a platform for supporting the workpiece transporter, and an adjustable footing for adjustable attachment of the mounting module to the frame, 상기 데크는 복수의 브레이스들, 브레이스들의 일 측부에 부착되면서 위치설정 요소들의 제1 세트와 부착 요소들의 제1 세트를 구비하는 강성 제1 패널 및 브레이스들의 다른 측부에 부착되면서 제1 패널에 병치되는 강성 제2 패널을 포함하고,The deck is juxtaposed to a plurality of braces, a rigid first panel having a first set of positioning elements and a first set of attachment elements attached to one side of the braces and a first panel attached to the other side of the braces. Including a rigid second panel, 플랫폼은 위치설정 요소들의 제2 세트와 부착 요소들의 제2 세트를 포함하고,The platform comprises a second set of positioning elements and a second set of attachment elements, 반응기는 데크에 의해 지지되며, 복수의 제1 패스너들과 복수의 제1 인터페이스 부재들을 포함하고, 상기 제1 인터페이스 부재들은 위치설정 요소들의 제1 세트의 대응 위치설정 요소들과 결합되고, 제1 패스너들은 부착 요소들의 제1 세트의 대응 부착 요소들과 결합되며,The reactor is supported by the deck and includes a plurality of first fasteners and a plurality of first interface members, the first interface members being coupled with corresponding positioning elements of a first set of positioning elements, and a first The fasteners are associated with corresponding attachment elements of the first set of attachment elements, 상기 작업편 수송부는 플랫폼에 의해 지지되며, 복수의 제2 인터페이스 부재들과 복수의 제2 패스너들을 포함하고, 제2 인터페이스 부재들은 위치설정 요소들 의 제2 세트의 대응 위치설정 요소들과 결합되며, 제2 패스너들은 부착 요소들의 제2 세트의 대응 부착 요소들과 결합되는 툴.The workpiece transporter is supported by the platform and includes a plurality of second interface members and a plurality of second fasteners, the second interface members being coupled with corresponding positioning elements of a second set of positioning elements and , The second fasteners are coupled with corresponding attachment elements of the second set of attachment elements. 제 2 항에 있어서, 상기 장착 모듈은 위치설정 요소들 사이의 상대 위치들을 0.025in(0.0635cm) 이내로 유지하도록 구성되는 툴.The tool of claim 2, wherein the mounting module is configured to maintain relative positions between positioning elements within 0.025 inches (0.0635 cm). 제 2 항에 있어서, 장착 모듈은 위치설정 요소들 사이의 상대 위치들을 약 0.005 내지 0.015in(0.0127 내지 0.0381cm) 이내로 유지하도록 구성되는 툴.The tool of claim 2, wherein the mounting module is configured to maintain relative positions between positioning elements within about 0.005 to 0.015 in (0.0127 to 0.0381 cm). 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는 제1 용기, 작업편을 처리 유체내에 유지하도록 제1 용기에 대하여 배치된 제1 작업편 지지부, 제1 용기와 제1 작업편 지지부 중 하나에 배치된 제1 음극, 제1 용기와 제1 작업편 지지부 중 나머지에 배치된 제1 양극을 포함하는 제1 전자화학 증착 챔버이고,The reactor of claim 1, wherein the reactor comprises a first vessel, a first workpiece support disposed relative to the first vessel to hold the workpiece in the processing fluid, a first vessel disposed in one of the first vessel and the first workpiece support. A first electrochemical deposition chamber comprising a cathode, a first vessel and a first anode disposed on the remainder of the first workpiece support, 상기 툴은 제2 용기, 작업편을 처리 유체내에 유지하도록 제2 용기에 대하여 배치된 제2 작업편 지지부, 제2 용기 또는 제2 작업편 지지부 중 하나에 배치된 제2 음극 및 제2 용기 또는 제2 작업편 지지부 중 나머지에 배치된 제2 양극을 포함하는 제2 전자화학 증착 챔버를 추가로 포함하고,The tool may comprise a second container, a second workpiece support disposed with respect to the second container to hold the workpiece in the processing fluid, a second negative electrode and a second container disposed in one of the second container or the second workpiece support, or Further comprising a second electrochemical deposition chamber comprising a second anode disposed on the remaining of the second workpiece support, 상기 작업편 수송부는 제1 전자화학 증착 챔버와 제2 전기적 증착 챔버 양자 모두와 소통하도록 이동가능한 툴.And the workpiece transporter is movable to communicate with both the first electrochemical deposition chamber and the second electrical deposition chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는 용기와 작업편 지지부 중 하나에 배치된 음극과 용기와 작업편 지지부 중 나머지에 배치된 양극을 포함하는 제1 습식 화학 처리 챔버이고,The method of claim 1 wherein the reactor is a first wet chemical processing chamber comprising a cathode disposed in one of the vessel and the workpiece support and an anode disposed in the remainder of the vessel and the workpiece support, 상기 툴은 세정 유체를 작업편상으로 안내하는 유체 전달 시스템을 구비한 세정 챔버를 포함하는 제2 습식 화학 처리 챔버를 추가로 포함하며,The tool further comprises a second wet chemical treatment chamber including a cleaning chamber having a fluid delivery system for guiding the cleaning fluid onto the workpiece, 상기 작업편 지지부는 제1 및 제2 습식 화학 처리 챔버들 양자 모두와 소통하도록 이동가능한 툴.And the workpiece support is movable to communicate with both the first and second wet chemical processing chambers. 제 1 항에 있어서, 상기 용기의 처리 위치는 처리 위치에서 최대 폭을 갖는 마이크로피쳐 작업편을 수용하도록 위치되고, 시스템은 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나에 동작가능하게 결합된 콘트롤러를 추가로 포함하며, 상기 콘트롤러는 최대 폭 보다 작은 거리만큼 실질적인 선형 경로를 따라 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나를 나머지에 대하여 이동시키도록 구성되는 툴.2. The processing position of claim 1, wherein the processing position of the vessel is positioned to receive a microfeature workpiece having a maximum width at the processing position and the system further includes a controller operably coupled to at least one of the workpiece support and the stirrer. Wherein the controller is configured to move at least one of the workpiece support and the stirrer relative to the rest along a substantially linear path by a distance less than the maximum width. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 세장형 교반기 요소들을 포함하고, 시스템은 교반기가 이동할 때에 인접 교반기 요소들 사이의 간격이 일정하게 남아있는 상태로 교반기 요소들 각각을 이동시키도록 동작가능하게 교반기에 결합된 콘트롤러를 추가로 포함하는 툴.The stirrer of claim 1, wherein the stirrer includes a plurality of elongate stirrer elements, the system being operable to move each of the stirrer elements with a constant spacing between adjacent stirrer elements as the stirrer moves. And a controller further coupled to the stirrer. 제 1 항에 있어서, 교반기와 작업편 지지부 중 적어도 하나에 동작가능하게 결합된 콘트롤러를 추가로 포함하고, 상기 콘트롤러는 적어도 두 번의 연속적 왕복들 사이에서 변하는 상대 운동의 행정으로, 실질적인 선형 축을 따라 왕복식으로 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나를 나머지에 대하여 이동시키도록 구성되는 툴.The apparatus of claim 1, further comprising a controller operably coupled to at least one of the stirrer and the workpiece support, the controller reciprocating along a substantially linear axis in a stroke of relative motion that varies between at least two consecutive reciprocations. In a manner configured to move at least one of the workpiece support and the stirrer relative to the rest. 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는 처리 위치의 평면에 실질적인 수직으로 제1 거리 동안 연장하는 교반기 챔버 체적을 포함하고, 교반기는 교반기 챔버 체적내에 배치되며, 적어도 하나의 교반기 표면이 처리 위치에 실질적으로 수직인 제2 거리 동안 연장하고, 제2 거리는 제1 거리의 적어도 30%인 툴.2. The reactor of claim 1, wherein the reactor comprises a stirrer chamber volume extending for a first distance substantially perpendicular to the plane of the treatment location, the stirrer disposed within the stirrer chamber volume, wherein the at least one stirrer surface is substantially in the treatment position. A tool extending for a second vertical distance, the second distance being at least 30% of the first distance. 제 15 항에 있어서, 교반기 챔버는 처리 위치로부터 하향으로 멀어지는 방향으로 연장하는 복수의 측벽부들을 포함하고, 측벽부들 중 적어도 하나는 적어도 처리 위치에 인접한 유체 입구를 포함하며, 측벽부들 중 적어도 하나는 적어도 처리 위치에 인접한 유체 출구를 추가로 포함하며, 교반기는 유체 입구와 유체 출구 사이에 위치되는 툴.16. The stirrer chamber of claim 15, wherein the stirrer chamber comprises a plurality of sidewall portions extending in a direction away from the processing position, at least one of the sidewall portions comprises at least a fluid inlet adjacent the processing position, and at least one of the sidewall portions is And a fluid outlet at least adjacent the treatment location, wherein the agitator is located between the fluid inlet and the fluid outlet. 제 15 항에 있어서, 제2 거리는 제1 거리의 적어도 70%인 툴.The tool of claim 15, wherein the second distance is at least 70% of the first distance. 제 15 항에 있어서, 제2 거리는 제1 거리의 적어도 90%인 툴.The tool of claim 15, wherein the second distance is at least 90% of the first distance. 제 15 항에 있어서, 적어도 하나의 교반기 표면의 상부 말단과 처리 위치 사이의 간격은 약 5mm 이하인 툴.The tool of claim 15, wherein the spacing between the upper end of the at least one stirrer surface and the treatment location is about 5 mm or less. 제 15 항에 있어서, 챔버 체적은 베이스부에 의해 경계지워지는 툴.The tool of claim 15, wherein the chamber volume is bounded by the base portion. 제 20 항에 있어서, 교반기는 베이스부에 대하여 이동가능한 툴.21. The tool of claim 20, wherein the stirrer is movable relative to the base portion. 제 20 항에 있어서, 교반기는 베이스부에 대하여 이동가능하며, 적어도 하나의 교반기 표면의 상부 말단과 처리 위치 사이의 제1 간격은 약 5mm 이하이고, 적어도 하나의 교반기 표면의 하부 말단과 베이스 사이의 제2 간격은 약 5mm 이하인 툴.21. The stirrer of claim 20 wherein the stirrer is movable relative to the base portion and the first spacing between the upper end of the at least one stirrer surface and the treatment position is no greater than about 5 mm and between the base and the lower end of the at least one stirrer surface. And the second spacing is about 5 mm or less. 제 20 항에 있어서, 베이스부의 적어도 일부는 다공성인 툴.21. The tool of claim 20, wherein at least a portion of the base portion is porous. 제 20 항에 있어서, 챔버 체적은 처리 위치로부터 멀어지는 방향으로 베이스부로 하향 연장하는 복수의 측벽부들에 의해 경계지워지고, 상기 베이스부는 처리 위치를 향해 대면한 제1 표면과, 제1 표면으로부터 대향한 제2 표면을 포함하며, 상기 제2 표면은 처리 위치의 중심을 향해서 보다 처리 위치의 외주를 향해서 보다 높은 고도를 갖도록 경사지는 툴.21. The chamber of claim 20, wherein the chamber volume is bounded by a plurality of side wall portions extending downwardly to the base portion in a direction away from the processing position, wherein the base portion is formed with a first surface facing toward the processing position and a first surface facing away from the first surface. And a second surface, the second surface being inclined to have a higher altitude towards the center of the treatment position and more towards the perimeter of the treatment position. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 이격된 표면들을 가지면서 실질적인 선형 운동축을 따라 처리 위치에 대하여 왕복 이동가능한 복수의 교반기 요소들을 포함하는 툴.2. The tool of claim 1, wherein the stirrer includes a plurality of stirrer elements having spaced surfaces and reciprocating relative to the processing position along a substantially linear axis of motion. 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는 처리 위치에서 마이크로피쳐 작업편상에 증착된 재료를 배향하도록 처리 위치에 인접 배치된 자석을 포함하는 툴.The tool of claim 1, wherein the reactor includes a magnet disposed adjacent the processing position to orient the deposited material on the microfeature workpiece at the processing position. 제 26 항에 있어서, 자석은 영구 자석을 포함하는 툴.27. The tool of claim 26, wherein the magnet comprises a permanent magnet. 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는 적어도 처리 위치에 인접하게 위치된 자석으로서, 마이크로피쳐 작업편상에 증착된 재료를 배향하도록 처리 위치에 자기장을 부여하도록 배치되어 있는 자석, 및2. The reactor of claim 1 wherein the reactor is at least a magnet located adjacent to the processing position, the magnet being arranged to impart a magnetic field at the processing position to orient the material deposited on the microfeature workpiece. 처리 위치와 유체 소통하여 적어도 하나의 전극을 지지하도록 위치된 전극 지지부로서, 처리 위치를 통과하지 않는 운동 경로를 따라 처리 위치와 제거 위치 사이에서 용기에 대하여 이동가능한 전극 지지부를 포함하는 툴.An electrode support positioned to support at least one electrode in fluid communication with the treatment position, the tool support comprising an electrode support movable relative to the vessel between the treatment position and the removal position along a path of motion that does not pass through the treatment position. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 제1 표면 및 제1 표면으로부터 대향한 제2 표면을 가지는 교반기 요소를 포함하고, 제1 및 제2 표면들은 처리 위치에 수직이면서 표면들 사이에 위치되어 있는 축으로부터 멀어지는 방향으로 외향 및 하향 경사지는 툴.2. The stirrer of claim 1, wherein the stirrer comprises a stirrer element having a first surface and a second surface opposite from the first surface, the first and second surfaces being perpendicular to the treatment position and positioned between the surfaces. Tool that slopes outwardly and downwardly away from the tool. 제 29 항에 있어서, 상기 교반기 요소는 처리 위치에 실질적으로 수직인 평면에 의해 교차될 때, 실질적인 다이아몬드형 단면을 갖는 툴.30. The tool of claim 29, wherein the stirrer element has a substantially diamond shaped cross section when crossed by a plane substantially perpendicular to the processing position. 제 29 항에 있어서, 상기 교반기 요소는 처리 위치에 실질적으로 수직인 평면에 의해 교차될 때 실질적인 삼각형 단면 형상을 갖는 툴.30. The tool of claim 29, wherein the stirrer element has a substantially triangular cross-sectional shape when crossed by a plane substantially perpendicular to the processing position. 제 29 항에 있어서, 제1 및 제2 표면들 중 적어도 하나는 굴곡되어 있는 툴.The tool of claim 29, wherein at least one of the first and second surfaces is curved. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 처리 유체가 교반기를 통과할 수 있게 하도록 처리 유체에 대해 적어도 부분적으로 투과성인 툴.The tool of claim 1, wherein the stirrer is at least partially permeable to the processing fluid to allow the processing fluid to pass through the stirrer. 제 33 항에 있어서, 상기 교반기는 실질적인 다공성 재료를 포함하는 툴.34. The tool of claim 33, wherein the stirrer comprises a substantially porous material. 제 33 항에 있어서, 교반기는 제1 표면으로부터 제2 표면으로 연장하는 복수의 고 유동 저항 개구(highly flow-restrictive aperture)들을 포함하는 툴.34. The tool of claim 33, wherein the stirrer comprises a plurality of highly flow-restrictive apertures extending from the first surface to the second surface. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 전기 전도성 재료를 포함하는 툴.The tool of claim 1 wherein the stirrer comprises an electrically conductive material. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 전기 절연성 재료를 포함하는 툴.The tool of claim 1 wherein the stirrer comprises an electrically insulating material. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 축을 따라 세장형인 적어도 하나의 교반기 요소를 포함하고, 교반기 요소는 축을 따른 두 지점들에서 서로 다른 단면 형상들, 서로 다른 단면 크기들 또는 서로 다른 단면 형상들 및 크기들 양자 모두를 가지는 툴.2. The stirrer of claim 1, wherein the stirrer comprises at least one stirrer element elongated along an axis, the stirrer element having different cross-sectional shapes, different cross-sectional sizes or different cross-sectional shapes and sizes at two points along the axis. Tools with both. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 제1 교반기 요소와 제2 교반기 요소를 포함하고, 제2 교반기 요소의 적어도 일부는 제1 교반기 요소로부터 이격 배치되며, 제1 교반기 요소는 제1 형상 및 크기를 가지고, 제2 교반기 요소는 제2 형상 및 크기를 가지며, 제1 형상은 제2 형상과 다르거나 제1 크기는 제2 크기와 다르거나, 또는 양자 모두인 툴.2. The stirrer of claim 1, wherein the stirrer comprises a first stirrer element and a second stirrer element, at least a portion of the second stirrer element is spaced apart from the first stirrer element, the first stirrer element having a first shape and size. And the second stirrer element has a second shape and size, the first shape being different from the second shape or the first size being different from the second size, or both. 제 39 항에 있어서, 상기 처리 위치는 마이크로피쳐 작업편의 내부 영역에 실질적으로 인접하게 위치된 내부 영역과, 마이크로피쳐 작업편의 외부 영역에 실질적으로 인접하게 위치된 외부 영역을 가지며, 상기 제2 교반기 요소는 제1 교반기 요소로부터 내향 배치되고, 제1 교반기 요소는 제2 교반기 요소 보다 작은 툴.40. The second stirrer element of claim 39 wherein the processing location has an interior region located substantially adjacent to an interior region of the microfeature workpiece and an exterior region located substantially adjacent to the exterior region of the microfeature workpiece. Is disposed inwardly from the first stirrer element, the first stirrer element being smaller than the second stirrer element. 제 39 항에 있어서, 제1 형상은 제2 형상과 기하학적으로 유사하고, 제1 크기는 제2 크기와 다른 툴.40. The tool of claim 39, wherein the first shape is geometrically similar to the second shape and the first size is different from the second size. 제 39 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 마이크로피쳐 작업편의 외주 영역 둘레로 연장하도록 위치된 실질적인 원형 밀봉부를 포함하며, 제1 교반기 요소는 장축을 따라 세장형이며, 밀봉부의 일부에 실질적인 접선인 장축과 밀봉부 위로 통과하도록 위치되며, 제2 교반기 요소는 제1 교반기 요소로부터 내향 배치되고, 또한, 제1 교반기 요소는 제2 교반기 요소 보다 작은 툴.40. The longitudinal axis of claim 39, wherein the workpiece support comprises a substantially circular seal positioned to extend around an outer circumferential region of the microfeature workpiece, wherein the first stirrer element is elongate along the major axis and substantially tangential to a portion of the seal. And a second stirrer element disposed inwardly from the first stirrer element, wherein the first stirrer element is smaller than the second stirrer element. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 교반기 요소들을 포함하고, 교반기 요소들 중 적어도 제1 교반기 요소는 제1 축을 따라 세장형이며, 교반기 요소들 중 적어도 제2 교반기 요소는 제1 축에 평행하지 않은 제2 축을 따라 세장형인 툴.The stirrer of claim 1, wherein the stirrer comprises a plurality of stirrer elements, at least the first stirrer element of the stirrer elements being elongated along the first axis, and at least the second stirrer element of the stirrer elements parallel to the first axis. An elongate tool along a second axis that is not. 제 1 항에 있어서, 상기 교반기는 제1 축을 따라 세장형인 제1 교반기 요소와, 제1 축에 실질적으로 직교하는 제2 축을 따라 세장형인 제2 교반기 요소를 포함하고, 교반기 및 작업편 지지부 중 적어도 하나는 제1 축에 대해 제1 예각으로 경사진 실질적인 선형 운동 경로를 따라 나머지에 대해 이동할 수 있고, 실질적인 선형 경로는 제2 축에 대해 제2 예각으로 경사지는 툴.The stirrer of claim 1, wherein the stirrer comprises an elongated first stirrer element along a first axis and an elongated second stirrer element along a second axis substantially orthogonal to the first axis, wherein the stirrer includes at least one of the stirrer and the workpiece support. One can move relative to the remainder along a substantially linear motion path that is inclined at a first acute angle with respect to the first axis, wherein the substantially linear path is inclined at a second acute angle with respect to the second axis. 제 1 항에 있어서, 상기 처리 위치는 실질적인 평면형 처리 평면의 일부를 포함하고, 반응기는 처리 평면으로부터 떨어져 디빙 전극을 지지하도록 위치된 전극 지지부를 추가로 포함하는 툴.The tool of claim 1, wherein the processing location comprises a portion of the substantially planar processing plane and the reactor further comprises an electrode support positioned to support the dibbing electrode away from the processing plane. 제 1 항에 있어서, 반응기는 처리 위치와 유체 소통하도록 적어도 하나의 전극을 지지하도록 구성된 전극 지지부를 포함하는 툴.The tool of claim 1, wherein the reactor comprises an electrode support configured to support at least one electrode in fluid communication with the processing location. 제 46 항에 있어서, 상기 전극 지지부는 유전 배리어들에 의해 서로 적어도 부분적으로 분리되어 있는 복수의 전극 챔버들을 구비하고, 유전 배리어들 사이의 간격들은 처리 위치로부터 이격 배치된 대응하는 복수의 가상 전극 위치들을 형성하는 툴.47. The method of claim 46, wherein the electrode support has a plurality of electrode chambers at least partially separated from each other by dielectric barriers, the spacing between the dielectric barriers being corresponding plurality of virtual electrode positions spaced apart from the processing position. Tools to form them. 제 47 항에 있어서, 대응하는 복수의 전극 챔버들내에 배치된 복수의 전극들을 추가로 포함하는 툴.48. The tool of claim 47, further comprising a plurality of electrodes disposed within the corresponding plurality of electrode chambers. 제 47 항에 있어서, 처리 평면으로부터 이격 배치된 전극 디프(electrode thief)를 추가로 포함하고, 전극 디프는 마이크로피쳐 작업편에 다른 방식으로 부착하는 처리 유체로부터의 이온들을 수용하기 위해 처리 위치와 유체 소통하여 배치되는 툴.48. The apparatus of claim 47, further comprising an electrode thief spaced from the treatment plane, wherein the electrode dip is adapted to receive ions from the processing fluid that otherwise attach to the microfeature workpiece. Communicating tools. 제 47 항에 있어서, 상기 전극 지지부는 처리 평면으로부터 떨어져 디빙 전극(thieving electrode)을 지지하도록 배치되는 툴.48. The tool of claim 47, wherein the electrode support is disposed to support a thieving electrode away from the processing plane. 제 50 항에 있어서, 디빙 전극을 추가로 포함하는 툴.51. The tool of claim 50, further comprising a dibbing electrode. 제 50 항에 있어서, 51. The method of claim 50, 디빙 전극,Diving Electrode, 작업편 지지부에 의해 지지되고, 작업편 지지부가 마이크로피쳐 작업편을 지지할 때 마이크로피쳐 작업편과 전기 접촉을 형성하도록 배치되어 있는 접촉 전극,A contact electrode supported by the workpiece support and arranged to make electrical contact with the microfeature workpiece when the workpiece support supports the microfeature workpiece, 처리 위치로부터 이격 배치된 적어도 하나의 아노드, 및At least one anode spaced from the processing position, and 디빙 전극 및 접촉 전극에 제공된 전위들 보다 큰 전위로 적어도 하나의 아노드에 전류를 제공하도록 접촉 전극, 디빙 전극 및 적어도 하나의 아노드 사이에 결합된 하나 이상의 파워 서플라이들을 추가로 포함하는 툴.Further comprising one or more power supplies coupled between the contact electrode, the diving electrode and the at least one anode to provide a current to the at least one anode at a potential greater than the potentials provided to the dicing electrode and the contact electrode. 제 46 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 교반기 요소들을 포함하고, 교반기 요소들은 실질적인 선형 운동 경로를 따라 처리 위치에 대하여 전후로 이동가능하며, 반응기는 전극 지지부와 처리 위치 사이에 위치된 적어도 부분적으로 수납된 교반기 챔버를 추가로 포함하고, 교반기 챔버는 복수의 교반기 요소들을 수납하는 툴.47. The apparatus of claim 46, wherein the stirrer comprises a plurality of stirrer elements, the stirrer elements are movable back and forth relative to the treatment position along a substantially linear path of motion, and the reactor is at least partially housed between the electrode support and the treatment position. A stirrer chamber, the stirrer chamber containing a plurality of stirrer elements. 제 1 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대하여 이동하는 동안 처리 위치의 평면에 실질적으로 수직인 축 둘레로 처리 위치에서 마이크로피쳐 작업편을 회전시키도록 위치되는 툴.The tool of claim 1, wherein the workpiece support is positioned to rotate the microfeature workpiece at the treatment position about an axis substantially perpendicular to the plane of the treatment position while the stirrer moves relative to the treatment position. 제 1 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대하여 이동하는 동안 이동가능한 툴.The tool of claim 1, wherein the workpiece support is movable while the stirrer moves relative to the processing position. 제 1 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대하여 이동하는 동안 정지되어 있는 툴.The tool of claim 1, wherein the workpiece support is stationary while the stirrer moves relative to the processing position. 제 1 항에 있어서, 상기 반응기는The method of claim 1, wherein the reactor 적어도 하나의 전극을 지지하도록 구성되며, 처리 위치와 유체 소통하는 전극 지지부, An electrode support configured to support at least one electrode, the electrode support in fluid communication with the processing position, 처리 위치와 전극 지지부 사이에서 흐름 경로를 따라 배치되며, 처리 위치의 제1 원주방향 장소에서 제1 값을 갖고, 처리 위치의 제2 원주방향 장소에서 제1 값과는 다른 제2 값을 갖도록 처리 위치에서 처리 유체내의 전류 밀도를 제어하도록 구성되어 있는 전기장 제어 요소를 포함하는 툴.Disposed along the flow path between the treatment position and the electrode support, the treatment having a first value at a first circumferential location of the treatment position and a second value different from the first value at a second circumferential location of the treatment position; And a field control element configured to control the current density in the processing fluid at the location. 제 57 항에 있어서, 상기 전기장 제어 요소는 제1 폭을 갖는 제1 영역과, 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 영역을 구비하는 슬롯을 포함하는 툴.58. The tool of claim 57, wherein the electric field control element comprises a slot having a first area having a first width and a second area having a second width greater than the first width. 제 57 항에 있어서, 상기 전기장 제어 요소는 복수의 개구들을 포함하고, 전기장 제어 요소의 제1 영역내의 개구들은 제1 개구 면적을 제공하고, 전기장 제어 요소의 제2 영역내의 개구들은 제1 개구 면적 보다 큰 제2 개구 면적을 제공하는 툴.59. The field control element of claim 57 wherein the field control element comprises a plurality of openings, the openings in the first region of the field control element providing a first opening area and the openings in the second region of the field control element being first opening area. A tool that provides a larger second opening area. 제 57 항에 있어서, 상기 용기는 전기장 제어 요소와 처리 위치 사이에서 연장하는 축들을 따라 정렬된 베인들(vanes)을 포함하는 툴.58. The tool of claim 57, wherein the container includes vanes aligned along axes extending between the electric field control element and the processing position. 제 57 항에 있어서, 상기 용기는 제1 부분과, 제1 부분에 밀봉가능하게 결합된 제2 부분을 포함하고, 전기장 제어 요소는 제1 및 제2 부분들 사이에 밀봉가능하게 위치된 개스킷을 포함하는 툴.59. The container of claim 57, wherein the container includes a first portion and a second portion sealably coupled to the first portion, wherein the electric field control element comprises a gasket sealably positioned between the first and second portions. Tool to include. 제 1 항에 있어서, 상기 처리 유체는 제1 처리 유체를 포함하고, 반응기는 제2 처리 유체의 소스에 결합가능하면서 작업편 지지부에 의해 지지된 마이크로피쳐 작업편을 향해 제2 처리 유체의 스트림을 안내하도록 처리 위치 위에 배치된 노즐을 추가로 포함하는 툴.The process fluid of claim 1, wherein the processing fluid comprises a first processing fluid and the reactor directs a stream of the second processing fluid toward the microfeature workpiece supported by the workpiece support while being coupled to a source of the second processing fluid. And a nozzle disposed over the processing position for guiding. 제 62 항에 있어서, 작업편 지지부는 처리 위치에서 제1 처리 유체와 접촉하여 마이크로피쳐 작업편을 지지하기 위한 제1 위치와, 노즐에 의해 안내되는 제2 처리 유체의 스트림의 경로내에 마이크로피쳐 작업편을 배치하기 위한 제1 위치 위의 제2 위치 사이에서 이동가능한 툴.63. The microfeature operation of claim 62, wherein the workpiece support is in a first position to support the microfeature workpiece in contact with the first processing fluid at the processing position and within the path of the stream of second processing fluid guided by the nozzle. A tool movable between a second position above the first position for positioning the piece. 습식 화학 처리 반응기로서,As a wet chemical treatment reactor, 처리 위치를 가지는, 처리 유체를 수용하도록 구성된 처리 용기,A processing vessel having a processing position, the processing vessel configured to receive a processing fluid, 적어도 처리 위치에 인접하게 용기내에 위치되는 처리 유체 교반기로서, 교반기는 복수의 교반기 표면들을 가지고, 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나는 적어도 처리 위치에 인접한 처리 유체를 교반하도록 처리 위치에 대하여 이동할 수 있는 처리 유체 교반기,A processing fluid stirrer located in the vessel at least adjacent the processing position, the stirrer having a plurality of stirrer surfaces, at least one of the workpiece support and the stirrer being movable relative to the processing position to agitate the processing fluid at least adjacent the processing position Process fluid agitator, 교반기와 작업편 지지부 중 적어도 하나에 동작가능하게 결합된 작동기, 및An actuator operably coupled to at least one of the agitator and the workpiece support, and 처리 위치와 유체 소통하여 적어도 하나의 전극을 지지하도록 구성된, 처리 용기내에 위치되어 있는 전극 지지부를 포함하는 습식 화학 처리 반응기. A wet chemical processing reactor comprising an electrode support positioned within the processing vessel, the fluid support being configured to support at least one electrode in fluid communication with the processing location. 제 64 항에 있어서, 상기 전극 지지부는 처리 평면으로부터 떨어져 디빙 전극을 지지하도록 위치되는 습식 화학 처리 반응기.65. The wet chemical processing reactor of claim 64, wherein the electrode support is positioned to support the dibbing electrode away from the processing plane. 제 65 항에 있어서, 디빙 전극을 추가로 포함하는 습식 화학 처리 반응기.66. The wet chemical processing reactor of claim 65, further comprising a dibbing electrode. 제 65 항에 있어서, 66. The method of claim 65, 디빙 전극,Diving Electrode, 작업편 지지부에 의해 지지되고, 작업편 지지부가 마이크로피쳐 작업편을 지지할 때 마이크로피쳐 작업편과 전기 접촉을 형성하도록 배치되어 있는 접촉 전극,A contact electrode supported by the workpiece support and arranged to make electrical contact with the microfeature workpiece when the workpiece support supports the microfeature workpiece, 처리 위치로부터 이격 배치된 적어도 하나의 아노드, 및At least one anode spaced from the processing position, and 디빙 전극 및 접촉 전극에 제공된 전위들 보다 큰 전위로 적어도 하나의 아 노드에 전류를 제공하도록 접촉 전극, 디빙 전극 및 적어도 하나의 아노드 사이에 결합된 하나 이상의 파워 서플라이들을 추가로 포함하는 습식 화학 처리 반응기.Wet chemical treatment further comprising one or more power supplies coupled between the contact electrode, the diving electrode and the at least one anode to provide a current to the at least one subnode with a potential greater than the potentials provided to the dipping electrode and the contact electrode. Reactor. 제 64 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 교반기 요소들을 포함하고, 교반기 요소들은 실질적인 선형 운동 경로를 따라 처리 위치에 대하여 전후로 이동가능하며, 반응기는 전극 지지부와 처리 위치 사이에 위치된 적어도 부분적으로 수납된 교반기 챔버를 추가로 포함하고, 교반기 챔버는 복수의 교반기 요소들을 수납하는 습식 화학 처리 반응기.65. The apparatus of claim 64, wherein the stirrer includes a plurality of stirrer elements, the stirrer elements are movable back and forth with respect to the treatment position along a substantially linear path of motion, and the reactor is at least partially housed between the electrode support and the treatment position. And a stirrer chamber, the stirrer chamber containing a plurality of stirrer elements. 제 64 항에 있어서, 상기 처리 유체는 제1 처리 유체를 포함하고, 시스템은 작업편 지지부에 의해 지지된 마이크로피쳐 작업편을 향해 제2 처리 유체의 스트림을 안내하도록 처리 위치 위에 배치되어 있는, 제2 처리 유체의 소스에 결합가능한 노즐을 추가로 포함하는 습식 화학 처리 반응기.65. The method of claim 64, wherein the processing fluid comprises a first processing fluid and the system is disposed above the processing position to direct a stream of the second processing fluid toward the microfeature workpiece supported by the workpiece support. 2 A wet chemical processing reactor further comprising a nozzle coupleable to a source of processing fluid. 제 64 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 처리 위치에서 제1 처리 유체와 접촉하여 마이크로피쳐 작업편을 지지하기 위한 제1 위치와, 노즐에 의해 안내되는 제2 처리 유체의 스트림의 경로내에 마이크로피쳐 작업편을 배치하기 위한 제1 위치 위의 제2 위치 사이에서 이동가능한 습식 화학 처리 반응기.65. The microfeature of claim 64 wherein the workpiece support is in a first position for holding the microfeature workpiece in contact with the first processing fluid at the processing position and in the path of the stream of second processing fluid guided by the nozzle. A wet chemical treatment reactor movable between a second position above a first position for placing the workpiece. 제 64 항에 있어서, 상기 전극 지지부는 배리어들에 의해 서로 적어도 부분 적으로 분리되어 있는 복수의 전극 챔버들을 구비하고, 배리어들 사이의 간격들은 처리 평면으로부터 이격된 대응하는 복수의 가상 전극 위치들을 형성하는 습식 화학 처리 반응기.65. The apparatus of claim 64, wherein the electrode support has a plurality of electrode chambers at least partially separated from each other by barriers, the spacings between the barriers forming corresponding plurality of virtual electrode positions spaced apart from the processing plane. Wet chemical treatment reactor. 제 71 항에 있어서, 대응하는 복수의 전극 챔버들내에 배치된 복수의 전극들을 추가로 포함하는 습식 화학 처리 반응기.72. The wet chemical processing reactor of claim 71, further comprising a plurality of electrodes disposed in corresponding plurality of electrode chambers. 제 71 항에 있어서, 처리 평면으로부터 이격 배치된 전극 디프를 추가로 포함하고, 전극 디프는 마이크로피쳐 작업편에 다른 방식으로 부착하는 처리 유체로부터의 이온들을 수용하도록 처리 위치와 유체 소통하여 배치되는 습식 화학 처리 반응기.72. The wetted liquid crystal of claim 71 further comprising an electrode deeply spaced from the processing plane, wherein the electrode deep is disposed in fluid communication with the processing location to receive ions from the processing fluid that otherwise attach to the microfeature workpiece. Chemical treatment reactor. 제 64 항에 있어서, 처리 위치에 적어도 인접하게 위치된 자석을 추가로 포함하고, 자석은 마이크로피쳐 작업편상에 증착된 재료를 배향하도록 처리 위치에 자기장을 부여하도록 위치되며, 전극 지지부는 처리 평면을 통과하지 않은 운동 경로를 따라 처리 위치와 제거 위치 사이에서 용기에 대하여 이동가능한 습식 화학 처리 반응기.65. The apparatus of claim 64, further comprising a magnet located at least adjacent to the processing position, wherein the magnet is positioned to impart a magnetic field to the processing position to orient the deposited material on the microfeature workpiece. A wet chemical treatment reactor movable relative to the vessel between the treatment and removal positions along a path of motion that has not passed. 제 74 항에 있어서, 자석은 영구 자석을 포함하는 습식 화학 처리 반응기.75. The wet chemical processing reactor of claim 74, wherein the magnet comprises a permanent magnet. 제 64 항에 있어서, 전극 지지부와 처리 위치 사이에서 흐름 경로를 따라 배치된 전기장 제어 요소를 추가로 포함하고, 상기 전기장 제어 요소는 처리 위치의 제1 원주방향 장소에서 제1 값을 가지고, 처리 위치의 제2 원주방향 장소에서 제1 값과는 다른 제2 값을 가지도록 처리 위치에서 처리 유체내의 전류 밀도를 제어하도록 구성되며, 제1 및 제2 원주방향 장소들은 처리 위치의 중심으로부터 거의 동일한 거리에 있는 습식 화학 처리 반응기.65. The apparatus of claim 64, further comprising an electric field control element disposed along the flow path between the electrode support and the processing position, the electric field control element having a first value at a first circumferential location of the processing position. And to control the current density in the processing fluid at the treatment location to have a second value different from the first value at the second circumferential location of the first and second circumferential locations, wherein the first and second circumferential locations are approximately equal distance from the center of the treatment location. Wet chemical processing reactor in the factory. 제 76 항에 있어서, 상기 전기장 제어 요소는 제1 폭을 갖는 제1 영역과 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 영역을 구비하는 슬롯을 포함하는 습식 화학 처리 반응기.77. The wet chemical reactor of claim 76, wherein the electric field control element comprises a slot having a first region having a first width and a second region having a second width greater than the first width. 제 76 항에 있어서, 상기 전기장 제어 요소는 복수의 개구들을 포함하고, 전기장 제어 요소의 제1 영역내의 개구들은 제1 개구 면적을 제공하며, 전기장 제어 요소의 제2 영역내의 개구들은 제1 개구 면적 보다 큰 제2 개구 면적을 제공하는 습식 화학 처리 반응기.77. The method of claim 76, wherein the electric field control element comprises a plurality of openings, the openings in the first region of the electric field control element providing a first opening area, wherein the openings in the second region of the electric field control element are first opening area. A wet chemical treatment reactor that provides a larger second opening area. 제 76 항에 있어서, 상기 용기는 처리 위치와 전기장 제어 요소 사이에서 연장하는 축들을 따라 정렬된 베인들을 포함하는 습식 화학 처리 반응기.77. The wet chemical processing reactor of Claim 76, wherein the vessel comprises vanes aligned along axes extending between the processing position and the electric field control element. 제 76 항에 있어서, 상기 용기는 제1 부분과 제1 부분에 밀봉가능하게 결합 된 제2 부분을 포함하고, 전기장 제어 요소는 제1 및 제2 부분들 사이에 밀봉가능하게 배치된 개스킷을 포함하는 습식 화학 처리 반응기.77. The apparatus of claim 76, wherein the container comprises a first portion and a second portion sealably coupled to the first portion, and the electric field control element comprises a gasket sealably disposed between the first and second portions. Wet chemical treatment reactor. 제 64 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 용기에 대하여 마이크로피쳐 작업편을 회전시키도록 회전가능한 습식 화학 처리 반응기.65. The wet chemical processing reactor of claim 64, wherein the workpiece support is rotatable to rotate the microfeature workpiece relative to the vessel. 제 64 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대해 이동하는 동안 처리 위치에 실질적으로 수직인 축 둘레로 처리 위치에서 마이크로피쳐 작업편을 회전시키도록 위치되는 습식 화학 처리 반응기.65. The wet chemical processing reactor of claim 64, wherein the workpiece support is positioned to rotate the microfeature workpiece at the processing position about an axis substantially perpendicular to the processing position while the stirrer moves relative to the processing position. 제 64 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대하여 이동하는 동안 이동가능한 습식 화학 처리 반응기.65. The wet chemical processing reactor of claim 64, wherein the workpiece support is movable while the stirrer moves relative to the processing position. 제 64 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 교반기가 처리 위치에 대하여 이동하는 동안 정지되어 있는 습식 화학 처리 반응기.65. The wet chemical processing reactor of claim 64, wherein the workpiece support is stationary while the stirrer moves relative to the processing position. 마이크로피쳐 작업편들을 처리하기 위한 시스템으로서,A system for processing microfeature workpieces, 처리 유체를 지지하도록 구성된 용기로서, 마이크로피쳐 작업편을 수용하도록 위치된 처리 위치를 가지는 용기,A container configured to support a processing fluid, the container having a processing position positioned to receive a microfeature workpiece, 적어도 용기에 인접하게 배치되며, 처리 동안 용기의 처리 위치에서 마이크 로피쳐 작업편을 지지하도록 위치되는 작업편 지지부, 및A workpiece support disposed at least adjacent to the vessel and positioned to support the microfeature workpiece at the processing position of the vessel during processing, and 적어도 처리 위치에 인접하게 위치된 다수의 이격 배치된 교반기 표면들을 구비하는 교반기를 포함하며,A stirrer having a plurality of spaced apart stirrer surfaces located at least adjacent to the treatment position, 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나는 작업편 지지부가 마이크로피쳐 작업편을 지지하는 동안 나머지에 대하여 실질적인 선형 경로를 따라 전후로 이동가능한 마이크로피처 작업편 처리 시스템.At least one of the workpiece support and the agitator is movable back and forth along a substantially linear path relative to the rest while the workpiece support supports the microfeature workpiece. 제 85 항에 있어서, 상기 용기는 처리 위치의 평면에 실질적으로 수직으로 제1 거리 동안 연장하는 교반기 챔버 체적을 포함하고, 교반기는 교반기 챔버 체적내에 배치되며, 교반기 표면들은 처리 위치에 실질적으로 수직으로 제2 거리 동안 연장하며, 제2 거리는 제1 거리의 적어도 30%인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the vessel comprises a stirrer chamber volume extending for a first distance substantially perpendicular to the plane of the treatment position, the stirrer disposed in the stirrer chamber volume, and the stirrer surfaces are substantially perpendicular to the treatment position. Extending for a second distance, the second distance being at least 30% of the first distance. 제 86 항에 있어서, 상기 교반기 챔버는 처리 위치로부터 멀어지는 방향으로 하향 연장하는 복수의 측벽부들을 포함하고, 측벽부들 중 적어도 하나는 적어도 처리 위치에 인접한 유체 입구를 포함하고, 측벽부들 중 적어도 하나는 적어도 처리 위치에 인접한 유체 출구를 추가로 포함하며, 교반기는 유체 입구와 유체 출구 사이에 배치되는 마이크로피처 작업편 처리 시스템.87. The apparatus of claim 86, wherein the stirrer chamber includes a plurality of sidewall portions extending downward in a direction away from the processing position, at least one of the sidewall portions at least including a fluid inlet adjacent the processing position, and at least one of the sidewall portions And at least a fluid outlet adjacent to the processing position, wherein the agitator is disposed between the fluid inlet and the fluid outlet. 제 86 항에 있어서, 상기 제2 거리는 제1 거리의 적어도 70%인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.87. The system of claim 86, wherein the second distance is at least 70% of the first distance. 제 86 항에 있어서, 상기 제2 거리는 제1 거리의 적어도 90%인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.87. The system of claim 86, wherein the second distance is at least 90% of the first distance. 제 86 항에 있어서, 처리 위치와 적어도 하나의 교반기 표면의 상부 말단 사이의 간격은 약 5mm 이하인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.87. The microfeature workpiece processing system of claim 86, wherein a spacing between the treatment location and the upper end of the at least one stirrer surface is about 5 mm or less. 제 86 항에 있어서, 상기 챔버 체적은 베이스부에 의해 경계지워지는 마이크로피처 작업편 처리 시스템.87. The microfeature workpiece processing system of claim 86 wherein the chamber volume is bounded by a base portion. 제 91 항에 있어서, 상기 교반기는 베이스부에 대하여 이동할 수 있는 마이크로피처 작업편 처리 시스템.92. The system of claim 91, wherein the stirrer is movable relative to the base portion. 제 91 항에 있어서, 상기 교반기는 베이스부에 대하여 이동가능하며, 처리 위치와 교반기 표면들의 상부 말단 사이의 제1 간격은 약 5mm 이하이고, 베이스와 교반기 표면들의 하부 말단 사이의 제2 간격은 약 5mm 이하인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.92. The apparatus of claim 91, wherein the stirrer is movable relative to the base portion, wherein the first spacing between the treatment position and the upper end of the agitator surfaces is about 5 mm or less, and the second spacing between the base and the lower end of the agitator surfaces is about Microfeature workpiece handling system less than 5mm. 제 91 항에 있어서, 상기 베이스부의 적어도 일부는 다공성인 마이크로피처 작업편 처리 시스템.92. The system of claim 91, wherein at least a portion of the base portion is porous. 제 91 항에 있어서, 상기 챔버 체적은 처리 위치로부터 멀어지는 방향으로 베이스부로 하향 연장하는 복수의 측벽부들에 의해 경계지워지며, 베이스부는 처리 위치를 향해 대면한 제1 표면과, 제1 표면으로부터 대향한 제2 표면을 포함하고, 제2 표면은 처리 위치의 중심을 향해서 보다 처리 위치의 외주를 향해서 보다 높은 고도를 갖도록 경사지는 마이크로피처 작업편 처리 시스템.92. The chamber of claim 91, wherein said chamber volume is bounded by a plurality of side wall portions extending downwardly to the base portion in a direction away from the processing position, wherein the base portion is opposed to the first surface facing the processing position. And a second surface, the second surface being inclined to have a higher altitude towards the center of the treatment position and more towards the perimeter of the treatment position. 제 85 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 마이크로피쳐 작업편의 표면에 실질적으로 수직인 축 둘레에서 마이크로피쳐 작업편을 회전시키도록 배치되는 마이크로피처 작업편 처리 시스템.86. The microfeature workpiece processing system of claim 85, wherein the workpiece support is disposed to rotate the microfeature workpiece about an axis substantially perpendicular to the surface of the microfeature workpiece. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 세장형 교반기 요소들을 포함하고, 적어도 하나의 교반기 요소는 제1 표면 및 제1 표면에 대향한 제2 표면을 가지며, 제1 및 제2 표면은 처리 위치에 수직이면서, 표면들 사이에 위치된 축으로부터 멀어지는 방향으로 외향 및 하향 경사지는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the stirrer includes a plurality of elongate stirrer elements, the at least one stirrer element having a first surface and a second surface opposite the first surface, the first and second surfaces being treated locations And a microfeature workpiece processing system that is perpendicular to and inclined outwardly and downwardly in a direction away from an axis located between the surfaces. 제 97 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 교반기 요소는 처리 위치에 실질적으로 수직인 평면에 의해 교차될 때, 실질적인 다이아몬드형 단면을 가지는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.97. The microfeature workpiece processing system of claim 97, wherein the at least one stirrer element has a substantially diamond shaped cross section when crossed by a plane substantially perpendicular to the processing position. 제 97 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 교반기 요소는 처리 위치에 실질적으로 수직인 평면에 의해 교차될 때, 실질적인 삼각형 단면 형상을 가지는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.98. The microfeature workpiece processing system of claim 97, wherein the at least one stirrer element has a substantially triangular cross-sectional shape when crossed by a plane substantially perpendicular to the processing position. 제 97 항에 있어서, 제1 및 제2 표면들 중 적어도 하나는 굴곡된 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.97. The system of claim 97, wherein at least one of the first and second surfaces is curved. 제 85 항에 있어서, 상기 처리 위치는 처리 위치에서 최대 폭을 갖는 마이크로피쳐 작업편을 수용하도록 배치되고, 86. The apparatus of claim 85, wherein the processing position is arranged to receive a microfeature workpiece having a maximum width at the processing position, 상기 시스템은 작업편 지지부와 교반기 중 적어도; 하나에 동작가능하게 결합된 콘트롤러를 추가로 포함하며, 상기 콘트롤러는 최대 폭 보다 작은 거리 만큼 실질적인 선형 경로를 따라 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나를 나머지에 대해 이동시키도록 구성되는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.The system includes at least one of a workpiece support and an agitator; And a controller operably coupled to one, the controller being configured to move at least one of the workpiece support and the stirrer relative to the rest along a substantially linear path by a distance less than the maximum width. system. 제 85 항에 있어서, 상기 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나에 동작가능하게 결합된 콘트롤러를 추가로 포함하고, 콘트롤러는 적어도 두 개의 연속적 왕복들 사이에서 상대 운동의 행정이 변하는 상태로, 실질적인 선형 축을 따라 왕복식으로, 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나를 나머지에 대하여 이동시키도록 구성되는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, further comprising a controller operably coupled to at least one of the workpiece support and the stirrer, wherein the controller is configured to extend a substantially linear axis with the stroke of relative motion varying between at least two consecutive reciprocations. And reciprocally thereafter, configured to move at least one of the workpiece support and the stirrer relative to the rest. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 세장형 교반기 요소들을 포함하고, 86. The apparatus of claim 85, wherein the stirrer comprises a plurality of elongate stirrer elements, 상기 시스템은 교반기가 이동할 때, 인접 교반기 요소들 사이의 간격이 일정하게 남아있는 상태로, 교반기 요소들 각각을 이동시키도록 동작가능하게 교반기에 결합되는 콘트롤러를 추가로 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.The system further includes a microfeature workpiece processing system that includes a controller operatively coupled to the stirrer to move each of the stirrer elements with the spacing between adjacent stirrer elements remaining constant as the stirrer moves. . 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 복수의 교반기 요소들을 포함하고, 교반기 요소들 중 적어도 제1 교반기 요소는 제1 축을 따라 세장형이며, 교반기 요소들 중 적어도 제2 교반기 요소는 제1 축에 평행하지 않은 제2 축을 따라 세장형인 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the stirrer comprises a plurality of stirrer elements, at least the first stirrer element of the stirrer elements being elongated along the first axis, and at least the second stirrer element of the stirrer elements parallel to the first axis. A microfeature workpiece processing system that is elongated along a second axis that is not. 제 85 항에 있어서, 상기 복수의 교반기 요소들은 제1 축을 따라 세장형인 제1 교반기 요소 및 제1 축에 실질적으로 직교하는 제2 축을 따라 세장형인 제2 교반기 요소를 포함하고, 교반기 요소와 작업편 지지부 중 적어도 하나는 제1 축에 대하여 제1 예각으로 경사진 실질적인 선형 운동 경로를 따라서 나머지에 대해 이동할 수 있고, 실질적인 선형 운동 경로는 제2 축에 대해 제2 예각으로 경사지는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the plurality of stirrer elements comprises a first stirrer element elongated along a first axis and a second stirrer element elongated along a second axis substantially orthogonal to the first axis, wherein the stirrer element and the workpiece At least one of the supports may move relative to the rest along a substantially linear motion path that is inclined at a first acute angle with respect to the first axis, and the substantially linear motion path is inclined at a second acute angle with respect to the second axis. system. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 제1 형상 및 크기를 갖는 제1 교반기 요소를 포함하고, 제2 교반기 요소는 제2 형상 및 크기를 갖는 제2 교반기 요소를 포 함하며, 제1 형상이 제2 형상과 다르거나, 제1 크기가 제2 크기와 다르거나, 양자 모두인 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the stirrer comprises a first stirrer element having a first shape and size, the second stirrer element comprises a second stirrer element having a second shape and size, 2. The microfeature workpiece processing system that is different from the two shapes, the first size is different from the second size, or both. 제 106 항에 있어서, 상기 처리 위치는 마이크로피쳐 작업편의 내부 영역에 실질적으로 인접하게 위치된 내부 영역과, 마이크로피쳐 작업편의 외부 영역에 실질적으로 인접하게 위치된 외부 영역을 가지며, 제2 교반기 요소는 제1 교반기 요소로부터 내향 배치되며, 제1 교반기 요소는 제2 교반기 요소 보다 작은 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.107. The processing apparatus of claim 106, wherein the processing position has an interior region located substantially adjacent to an interior region of the microfeature workpiece, and an exterior region located substantially adjacent to the exterior region of the microfeature workpiece, A microfeature workpiece processing system disposed inwardly from the first stirrer element, the first stirrer element being smaller than the second stirrer element. 제 106 항에 있어서, 제1 형상은 제2 형상과 기하학적으로 유사하고, 제1 크기는 제2 크기와 서로 다른 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.107. The microfeature workpiece processing system of claim 106, wherein the first shape is geometrically similar to the second shape, and the first size is different from the second size. 제 106 항에 있어서, 상기 작업편 지지부는 마이크로피쳐 작업편의 외주 영역 둘레로 연장하도록 위치된 실질적인 원형 밀봉부를 포함하고, 제1 교반기 요소는 장축을 따라 세장형이며, 장축이 밀봉부의 일부에 대해 실질적으로 접선인 상태로 밀봉부 위로 통과 배치되며, 제2 교반기 요소는 제1 교반기 요소로부터 내향 배치되고, 또한, 제1 교반기 요소는 제2 교반기 요소 보다 작은 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.107. The workpiece support of claim 106, wherein the workpiece support comprises a substantially circular seal positioned to extend around an outer circumferential region of the microfeature workpiece, wherein the first stirrer element is elongate along the long axis, the long axis being substantially relative to a portion of the seal. And a second stirrer element disposed inward from the first stirrer element, wherein the first stirrer element is smaller than the second stirrer element. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 처리 유체가 교반기를 통과할 수 있게 하 도록 처리 유체에 대하여 적어도 부분적으로 투과성인 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The microfeature workpiece processing system of claim 85, wherein the stirrer is at least partially permeable to the processing fluid to allow the processing fluid to pass through the stirrer. 제 110 항에 있어서, 상기 교반기는 실질적인 다공성 재료를 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.117. The system of claim 110, wherein the stirrer comprises a substantially porous material. 제 110 항에 있어서, 상기 교반기는 제1 표면으로부터 제2 표면으로 연장하는 복수의 고 유동 저항 개구들을 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.117. The system of claim 110, wherein the stirrer includes a plurality of high flow resistance openings extending from the first surface to the second surface. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 전기 전도성 재료를 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The microfeature workpiece processing system of claim 85, wherein the stirrer comprises an electrically conductive material. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 전기 절연성 재료를 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The microfeature workpiece processing system of claim 85, wherein the stirrer comprises an electrically insulating material. 제 85 항에 있어서, 상기 교반기는 축을 따라 세장형인 적어도 하나의 교반기 요소를 포함하고, 교반기 요소는 축을 따른 두 지점들에서, 서로 다른 단면 형상들, 서로 다른 단면 크기들, 및 서로 다른 단면 형상들과 크기들 양자 모두를 갖는 마이크로피쳐 작업편 처리 시스템.86. The apparatus of claim 85, wherein the stirrer comprises at least one stirrer element elongated along an axis, wherein the stirrer element has different cross-sectional shapes, different cross-sectional sizes, and different cross-sectional shapes at two points along the axis. A microfeature workpiece processing system having both and sizes. 서브미크론 피쳐들을 가지는 마이크로피쳐 작업편들의 습식 화학 처리를 위하여 통합형 툴을 동작시키는 방법으로서,A method of operating an integrated tool for wet chemical processing of microfeature workpieces with submicron features, 처리 위치에서 마이크로피쳐 작업편과 처리 유체를 접촉시키고, 작업편에 인접하게 위치된 교반기 및 작업편 중 적어도 하나를 나머지에 대하여 이동시킴으로써 처리 유체를 교반함으로써, 습식 화학 처리 챔버내에서 마이크로피쳐 작업편을 처리하는 단계로서, 교반기는 적어도 하나의 교반기 표면을 가지고, 습식 화학 처리 챔버는 툴내의 제1 위치에 배치되어 있는 마이크로피쳐 작업편 처리 단계,Contacting the microfeature workpiece with the processing fluid at the processing position and agitating the processing fluid by moving at least one of the agitator and the workpiece positioned adjacent to the workpiece relative to the rest, thereby causing the microfeature workpiece in the wet chemical processing chamber. Processing the microfeature workpiece processing step wherein the stirrer has at least one stirrer surface and the wet chemical processing chamber is disposed at a first location within the tool; 툴로부터 습식 화학 처리 챔버를 제거하는 단계,Removing the wet chemical processing chamber from the tool, 제1 위치에서 툴에 교체 습식 화학 처리 챔버를 장착함으로서, 교체 습식 화학 처리 챔버와 습식 화학 처리 챔버를 교체하는 단계, 및Replacing the replacement wet chemical treatment chamber and the wet chemical treatment chamber by mounting the replacement wet chemical treatment chamber in the tool in a first position, and 습식 화학 처리 스테이션을 교체한 이후, 자동화된 작업편 수송 메카니즘을 캘리브레이팅하지 않고, 자동화된 작업편 수송 시스템을 사용하여 교체 습식 화학 처리내에 다른 마이크로피쳐 작업편을 로딩하는 단계를 포함하는 통합형 툴 동작 방법.After replacing the wet chemical processing station, an integrated tool comprising loading another microfeature workpiece into the replacement wet chemical process using the automated workpiece transport system without calibrating the automated workpiece transport mechanism. How it works. 제 116 항에 있어서, 상기 툴로부터 습식 화학 처리 챔버를 제거하는 단계는 툴의 부착 요소들 및 위치설정 요소들로부터 습식 화학 처리 챔버를 분리시키는 것을 포함하고, 습식 화학 처리 챔버를 교체 습식 화학 처리 챔버로 교체하는 단계는 위치설정 요소들 및 부착 요소들과 교체 습식 화학 처리 챔버를 결합시키는 것을 포함하는 통합형 툴 동작 방법.118. The method of claim 116, wherein removing the wet chemical processing chamber from the tool includes separating the wet chemical processing chamber from the attachment and positioning elements of the tool, and replacing the wet chemical processing chamber with the wet chemical processing chamber. The step of replacing with includes incorporating positioning elements and attachment elements with a replacement wet chemical processing chamber. 제 116 항에 있어서, 상기 처리 위치는 실질적인 평면형 처리 평면의 일부를 포함하고, 마이크로피쳐 작업편 처리 단계는 마이크로피쳐 작업편이 처리 평면에서 자기장을 받는 동안, 그리고, 마이크로피쳐 작업편이 적어도 하나의 전극과 유체 소통하는 동안, 마이크로피쳐 작업편상에 자기 감응 재료를 전해 증착하도록 적어도 하나의 전극과 유체 소통하여 마이크로피쳐 작업편을 배치하는 것을 포함하고, 117. The processing apparatus of claim 116, wherein the processing location comprises a portion of a substantially planar processing plane, wherein the microfeature workpiece processing step is performed while the microfeature workpiece receives a magnetic field in the processing plane, and the microfeature workpiece is at least one electrode. During fluid communication, placing the microfeature workpiece in fluid communication with the at least one electrode to electrolytically deposit a magnetic sensitive material onto the microfeature workpiece, 상기 방법은 적어도 하나의 전극을 처리 평면을 통해 통과시키지 않고, 적어도 하나의 전극을 처리 평면과의 유체 소통 상태로부터 제거하는 단계를 추가로 포함하는 통합형 툴 동작 방법.The method further includes removing the at least one electrode from fluid communication with the processing plane without passing the at least one electrode through the processing plane. 제 116 항에 있어서, 상기 마이크로피쳐 작업편을 처리하는 단계는 마이크로피쳐 작업편을 향해, 그리고, 유전 배리어들에 의해 적어도 부분적으로 서로 이격 배치된 복수의 전극 챔버들내에 배치된 복수의 전극에 인접하게 처리 유체의 적어도 일부를 안내함으로써 마이크로피쳐 작업편상에 재료를 전해 증착하는 것을 포함하고, 유전 배리어들 사이의 간격들은 처리 위치로부터 이격된, 대응하는 복수의 가상 전극 위치들을 형성하는 통합형 툴 동작 방법.118. The method of claim 116, wherein processing the microfeature workpiece is adjacent to the microfeature workpiece and adjacent to a plurality of electrodes disposed in the plurality of electrode chambers disposed at least partially spaced apart from each other by dielectric barriers. And electrolytically depositing material onto the microfeature workpiece by guiding at least a portion of the processing fluid, wherein the spacings between the dielectric barriers form corresponding plurality of virtual electrode locations spaced from the processing location. . 제 116 항에 있어서, 마이크로피쳐 작업편은 최대 폭을 가지고, 116. The microfeature workpiece of claim 116, wherein the microfeature workpiece has a maximum width, 상기 방법은 실질적인 선형 운동 경로를 따라 교반기와 마이크로피쳐 작업편 중 적어도 하나를 나머지에 대해 왕복시키는 단계를 추가로 포함하며, 적어도 두 개의 시간적으로 인접한 운동 행정들 각각은 최대 폭 보다 작은 거리를 답파하는 통합형 툴 동작 방법.The method further includes reciprocating at least one of the stirrer and the microfeature workpiece relative to the rest along a substantially linear motion path, wherein each of the at least two temporally adjacent motion strokes deflects a distance less than the maximum width. How integrated tools work. 제 116 항에 있어서, 117. The method of claim 116 wherein 실질적인 선형 축을 따라 마이크로피쳐 작업편과 교반기 중 적어도 하나를 나머지에 대하여 왕복시키는 단계, 및Reciprocating at least one of the microfeature workpiece and the stirrer with respect to the remainder along the substantially linear axis, and 왕복 운동의 적어도 하나의 행정이 후속 행정에 의해 답파되는 인벨로프와는 다른 인벨로프를 답파하도록 교반기와 마이크로피쳐 작업편 중 적어도 하나의 왕복 운동을 변경하는 단계를 추가로 포함하는 통합형 툴 동작 방법.An integrated tool operation further comprising altering the reciprocation of at least one of the stirrer and the microfeature workpiece such that at least one stroke of the reciprocating motion deflects an envelope different from the envelope that is deflected by the subsequent stroke. Way. 마이크로피쳐 작업편을 처리하기 위한 방법으로서,As a method for processing a microfeature workpiece, 처리 용기의 처리 평면에서 처리 유체와 접촉하도록 마이크로피쳐 작업편을 배치하는 단계,Placing the microfeature workpiece in contact with the processing fluid in the processing plane of the processing vessel, 마이크로피쳐 작업편이 처리 평면에서 자기장을 받는 동안, 그리고, 마이크로피쳐 작업편이 마이크로피쳐 작업편으로부터 이격 배치된 적어도 하나의 전극과 유체 소통하는 동안, 마이크로피쳐 작업편상에 자기 감응 재료를 전해 증착하도록 마이크로피쳐 작업편을 향해 처리 유체의 적어도 일부를 안내함으로써 처리 평면에서 마이크로피쳐 작업편을 처리하는 단계, 및While the microfeature workpiece is subjected to a magnetic field in the processing plane, and while the microfeature workpiece is in fluid communication with at least one electrode spaced apart from the microfeature workpiece, the microfeature to electrolytically deposit a magnetic sensitive material onto the microfeature workpiece. Processing the microfeature workpiece in the processing plane by directing at least a portion of the processing fluid toward the workpiece, and 처리 평면을 통해 적어도 하나의 전극을 통과시키지 않고, 처리 평면과의 유체 소통 상태로부터 적어도 하나의 전극을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 방법.Removing at least one electrode from fluid communication with the processing plane without passing the at least one electrode through the processing plane. 제 122 항에 있어서, 적어도 하나의 전극을 제거하는 단계는 복수의 전극들을 지지하는 전극 하우징을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로피쳐 작업편 처리 방법.123. The method of claim 122, wherein removing the at least one electrode comprises removing an electrode housing that supports the plurality of electrodes. 마이크로피쳐 작업편들을 위한 처리 장치를 제조하는 방법에 있어서, A method of manufacturing a processing apparatus for microfeature workpieces, 처리 유체를 수용하도록 구성된 용기의 처리 위치에서 마이크로피쳐 작업편을 지지하도록 구성된 작업편 지지부를 적어도 용기에 인접하게 배치하는 단계,Positioning the workpiece support at least adjacent the vessel, the workpiece support configured to support the microfeature workpiece at a processing position in the vessel configured to receive the processing fluid, 마이크로피쳐 작업편에 인접한 처리 유체의 확산층상에 선택된 영향을 갖도록, 적어도 하나의 교반기 요소를 포함하는 교반기의 특성을 선택하는 단계로서, 특성은 교반기의 교반기 요소들의 수, 처리 위치와 적어도 하나의 교반기 요소 사이의 간격, 적어도 하나의 교반기 요소가 이동하는 챔버의 대응 치수에 대한 처리 위치의 평면에 실질적으로 수직인 적어도 하나의 교반기 요소의 치수, 처리 위치에 대한 적어도 하나의 교반기 요소의 행정 인벨로프 및 처리 위치에 대한 적어도 하나의 교반기 요소의 행정 스케줄 중 적어도 하나를 포함하는 교반기 특성 선택 단계, 및Selecting a characteristic of the stirrer comprising at least one stirrer element to have a selected influence on the diffusion layer of processing fluid adjacent the microfeature workpiece, the characteristic being the number of stirrer elements of the stirrer, the treatment position and the at least one stirrer Spacing between the elements, dimensions of the at least one stirrer element substantially perpendicular to the plane of the treatment position relative to the corresponding dimension of the chamber in which the at least one stirrer element moves, stroke envelope of the at least one stirrer element relative to the treatment position And at least one of a stroke schedule of at least one stirrer element relative to the treatment location, and 실질적인 선형 축을 따라 작업편 지지부와 교반기 중 적어도 하나가 나머지에 대해 이동가능한 상태로, 적어도 처리 위치에 인접하게 교반기를 장착하는 단계를 포함하는 처리 장치 제조 방법.Mounting the stirrer at least adjacent the processing position with at least one of the workpiece support and the stirrer being movable relative to the rest along the substantially linear axis. 제 124 항에 있어서, 6개 교반기 요소들을 포함하도록 교반기를 선택하는 단계를 추가로 포함하고, 교반기 요소들 각각은 두개의 대향한 하향 경사 교반기 표면들을 가지는 처리 장치 제조 방법.127. The method of claim 124, further comprising selecting a stirrer to include six stirrer elements, each of the stirrer elements having two opposing downward sloped stirrer surfaces. 제 124 항에 있어서, 실질적으로 직선이 되도록, 그리고, 작업편 지지부에 의해 지지되는 마이크로피쳐 작업편의 최대 직경 보다 작은 길이를 갖도록 적어도 하나의 교반기 요소의 행정 인벨로프를 선택하는 단계를 추가로 포함하는 처리 장치 제조 방법.126. The method of claim 124, further comprising selecting a stroke envelope of at least one stirrer element to be substantially straight and to have a length less than the maximum diameter of the microfeature workpiece supported by the workpiece support. Processing apparatus manufacturing method.
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