KR20060019855A - Electron emission device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스페이서 차징에 의한 전자빔 경로 왜곡을 억제하고, 전자들을 집속시켜 화면의 색재현율을 높일 수 있는 전자 방출 소자에 관한 것으로서,The present invention relates to an electron emitting device capable of suppressing electron beam path distortion caused by spacer charging and focusing electrons to increase the color gamut of a screen.
제1 기판 및 제2 기판과; 제1 기판 위에 형성되는 게이트 전극들과; 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판 위에 형성되는 절연층과; 절연층 위에서 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 라인부들 및 각 라인부의 일측단으로부터 라인부와 교차하는 방향을 따라 연장된 다수의 연장부들을 포함하는 캐소드 전극들과; 연장부와 접촉하면서 라인부와 교차하는 방향을 따라 형성되는 전자 방출부들과; 제1 기판과 제2 기판 사이에 설치되며, 라인부와 교차하는 방향을 따라 전자 방출부와 이격되어 위치하는 스페이서들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.A first substrate and a second substrate; Gate electrodes formed on the first substrate; An insulating layer formed on the first substrate while covering the gate electrodes; Cathode electrodes including line portions formed in one direction of the first substrate on the insulating layer and a plurality of extension portions extending from one end of each line portion in a direction crossing the line portion; Electron emission parts formed along a direction crossing the line part while in contact with the extension part; The present invention provides an electron emission device including spacers disposed between the first substrate and the second substrate and spaced apart from the electron emission portion along a direction crossing the line portion.
스페이서, 전자차징, 캐소드전극, 게이트전극, 전자방출부, 애노드전극, 형광막, 풋싱전극Spacer, electron charging, cathode electrode, gate electrode, electron emission part, anode electrode, fluorescent film, fusing electrode
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자를 도시한 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view illustrating an electron emission device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of an electron emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 전자 방출 어레이의 부분 평면도이다.3 is a partial plan view of an electron emission array among electron emission devices according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출부와 구동 전극들 및 스페이서의 배열 구조를 개선한 전자 방출 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 전자 방출 소자는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal Insulator Metal)형, MIS(Metal Insulator Semiconductor)형 및 BSE(Ballistic electron Surface Emitter)형 전자 방출 소자 등이 알려져 있다.In general, an electron emission device includes a method using a hot cathode and a cold cathode as an electron source. Among them, the electron-emitting devices using the cold cathode are field emitter array (FEA) type, surface conduction emitter (SCE) type, metal insulator metal (MIM) type, metal insulator semiconductor (MIS) type, and ballistic electron surface. Emitter type electron emission devices and the like are known.
상기한 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기 본적으로는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 일측 기판 위에 전자 방출 어레이를 형성하여 이로부터 전자를 방출시키고, 타측 기판 위에 형광층과 더불어 상기 전자들이 형광층을 향해 양호하게 가속되도록 하는 전자 가속 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.Although the above-described electron emitting devices have different structures according to their types, basically, an electron emission array is formed on one of the two substrates constituting the vacuum container to emit electrons therefrom, and the fluorescent layer on the other substrate. In addition, the electron acceleration electrode is provided to allow the electrons to be well accelerated toward the fluorescent layer to perform a predetermined light emission or display function.
상기한 전자 방출 소자들 가운데 FEA형은 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질로 전자 방출부를 형성하고, 전자 방출부 주위에 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 구동 전극들, 일례로 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하여 전자 방출 어레이를 구성한다.Among the above-mentioned electron emission devices, FEA type is a driving electrode that forms an electron emission portion with a material that emits electrons when an electric field is applied, and forms an electric field required for electron emission around the electron emission portion, for example, a cathode electrode and a gate electrode. It is provided to configure the electron emission array.
FEA형 전자 방출 소자의 공지된 일 구조는, 제1 기판 위에 게이트 전극들과 절연층 및 캐소드 전극들이 순차적으로 형성되고, 캐소드 전극의 일측 가장자리에 전자 방출부가 형성되며, 제2 기판 위에 형광층과 애노드 전극이 형성된 구조이다. 이로써 게이트 전극과 캐소드 전극에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극간 전위 차에 의해 전자 방출부 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극에 인가된 고전압에 이끌려 형광층에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.One known structure of an FEA type electron emission device includes a gate electrode, an insulating layer, and a cathode electrode sequentially formed on a first substrate, an electron emission portion formed at one edge of the cathode electrode, and a fluorescent layer on the second substrate. An anode electrode is formed. Thus, when a predetermined driving voltage is applied to the gate electrode and the cathode electrode, an electric field is formed around the electron emission part due to the potential difference between the two electrodes, and electrons are emitted therefrom, and the emitted electrons are attracted to the high voltage applied to the anode electrode. It collides with the fluorescent layer to emit light.
이 때, 제1 기판과 제2 기판 사이에는 다수의 스페이서가 배치되어 두 기판을 일정한 간격으로 유지시키며, 진공 용기 내부와 외부의 압력차에 의해 진공 용기가 변형되거나 파손되는 것을 방지하는 역할을 한다.At this time, a plurality of spacers are disposed between the first substrate and the second substrate to maintain the two substrates at regular intervals, and to prevent the vacuum container from being deformed or damaged by the pressure difference between the inside and the outside of the vacuum container. .
그런데 최근의 전자 방출 소자가 고해상도화 함에 따라, 제1 기판 상에 구동 전극들과 전자 방출부가 보다 조밀하게 배치되며, 이로 인해 스페이서 주위로 다량의 전자들이 진행하게 된다. 더욱이 전술한 구조에서는 전자 방출부로부터 전자가 방출될 때, 제1 기판으로부터 임의의 경사각을 두고 전자들이 비스듬하게 진행하므로 전자빔 경로가 넓게 퍼지는 경향이 있다.However, as the recent electron emission devices become higher resolution, the driving electrodes and the electron emission parts are more densely disposed on the first substrate, which causes a large amount of electrons to travel around the spacer. Furthermore, in the above-described structure, when electrons are emitted from the electron emitting portion, electrons propagate obliquely at an arbitrary inclination angle from the first substrate, so that the electron beam path tends to spread widely.
따라서 상기 전자들이 제2 기판을 향해 진행하는 과정에서 스페이서에 부딪혀 스페이서에 전하가 축적되며, 전하가 축적된 스페이서는 그 주위를 진행하는 전자빔 경로를 왜곡시켜 오발광을 일으키는 등 화면 품질을 저하시킨다.Accordingly, charges are accumulated in the spacers while the electrons travel toward the second substrate, and the accumulated charges deteriorate the screen quality, such as distorting the electron beam path that travels around the electrons.
또한, 전술한 구조에서는 전자 방출부 주위로 전자빔 집속에 관여하는 별도의 전극 또는 이를 위한 구조물이 마련되어 있지 않기 때문에, 전자들이 일정한 직진성을 갖지 못하고 퍼지며 진행하게 된다. 이로써 전자들이 해당 화소의 형광층 뿐만 아니라 인접한 타 화소의 형광층에 함께 도달하여 화면의 색재현율이 저하되는 문제가 있다.In addition, in the above-described structure, since no separate electrode or structure for the electron beam focusing is provided around the electron emission unit, the electrons do not have a constant straightness and are spread out. As a result, the electrons reach not only the fluorescent layer of the corresponding pixel but also the fluorescent layer of another adjacent pixel, thereby lowering the color reproduction of the screen.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서에 전하가 축적되지 않도록 하여 스페이서의 전하 축적으로 인한 전자빔 경로 왜곡을 방지하고, 전자 방출부에서 방출되는 전자들을 집속시켜 화면의 색재현율을 높일 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to prevent the accumulation of charge in the spacer to prevent electron beam path distortion caused by the charge accumulation of the spacer, and to focus the electrons emitted from the electron emission portion screen To provide an electron emitting device that can increase the color gamut of the.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In order to achieve the above object, the present invention,
진공 영역을 사이에 두고 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 게이트 전극들과, 게이트 전극들을 덮으면서 제1 기판 위에 형성되 는 절연층과, 절연층 위에서 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 라인부들 및 각 라인부의 일측단으로부터 라인부와 교차하는 방향을 따라 연장된 다수의 연장부들을 포함하는 캐소드 전극들과, 연장부와 접촉하면서 라인부와 교차하는 방향을 따라 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 설치되며 라인부와 교차하는 방향을 따라 전자 방출부와 이격되어 위치하는 스페이서들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.A first substrate and a second substrate opposed to each other with a vacuum region interposed therebetween, gate electrodes formed on the first substrate, an insulating layer formed on the first substrate while covering the gate electrodes, and a first substrate on the insulating layer. Cathodes including line portions formed along one direction of and a plurality of extension portions extending from one end of each line portion along a direction crossing the line portions, and a direction crossing the line portions while contacting the extension portion; According to an embodiment, there is provided an electron emission device including electron emission parts formed along the spacers and spaced apart from the electron emission parts along a direction intersecting the line part.
상기 게이트 전극들과 캐소드 전극의 라인부들은 서로 교차하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되며, 캐소드 전극의 연장부들은 각 게이트 전극 사이에 하나씩 대응 배치될 수 있다.The line portions of the gate electrodes and the cathode electrode may be formed in a stripe pattern along a direction crossing each other, and the extension portions of the cathode electrode may be correspondingly disposed one by one between each gate electrode.
상기 전자 방출 소자는 절연층 위에서 전자 방출부와 이격되어 위치하면서 게이트 전극과 동일 전압을 인가받는 대향 전극을 더욱 포함할 수 있다.The electron emission device may further include an opposite electrode positioned on the insulating layer and spaced apart from the electron emission part and receiving the same voltage as the gate electrode.
상기 스페이서는 캐소드 전극의 라인부와 교차하는 방향을 따라 전자 방출부와 동일 선상에 위치할 수 있으며, 캐소드 전극들 위에 배치될 수 있다.The spacer may be positioned on the same line as the electron emission part along a direction crossing the line part of the cathode electrode, and disposed on the cathode electrodes.
상기 전자 방출 소자는 제2 기판 위에 형성되는 적어도 하나의 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면에 형성되는 형광층을 더욱 포함한다. 이 때, 형광층은 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역마다 대응 배치되고, 제1 기판 상에 설정되는 각 화소 영역의 중심과 이 화소 영역에 대응하는 형광층의 중심은 캐소드 전극의 라인부 방향을 따라 이격되어 위치할 수 있다.The electron emission device further includes at least one anode electrode formed on the second substrate, and a fluorescent layer formed on one surface of the anode electrode. At this time, the fluorescent layer is disposed corresponding to each pixel region set on the first substrate, and the center of each pixel region set on the first substrate and the center of the fluorescent layer corresponding to the pixel region are in the direction of the line portion of the cathode electrode. Can be spaced apart along.
상기 캐소드 전극은 게이트 전극보다 낮은 구동 전압을 인가받으며, 바람직하게 캐소드 전극은 음의 주사 신호를 인가받고, 게이트 전극은 양의 데이터 신호 를 인가받는다.The cathode electrode receives a lower driving voltage than the gate electrode, preferably the cathode electrode receives a negative scan signal, and the gate electrode receives a positive data signal.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자 중 제1 기판의 부분 평면도이다.1 is a partially exploded perspective view of an electron emission device according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial cross-sectional view illustrating an assembled state of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of an electron emission device according to an exemplary embodiment of the present invention. 1 is a partial plan view of a substrate.
도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 진공의 내부 공간을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판(1)과 제2 기판(2)을 포함한다. 제1 기판(1)에는 전자 방출을 위한 전자 방출 어레이(10)가 제공되고, 제2 기판(2)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시 작용을 하는 발광부(20)가 제공된다.Referring to the drawings, the electron emission device includes a
먼저, 제1 기판(1) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하는 게이트 전극들(11)이 서로간 임의의 간격을 두고 제1 기판(1)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수로 형성되고, 게이트 전극들(11)을 덮으면서 제1 기판(1) 전체에 절연층(12)이 형성된다. 절연층(12) 위에는 캐소드 전극들(13)이 서로간 임의의 간격을 두고 게이트 전극(11)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수로 형성된다.First, on the
상기 캐소드 전극(13)은 게이트 전극(11)과 교차하는 스트라이프 형상의 라인부(13a)와, 라인부(13a)의 일측단으로부터 라인부(13a)와 교차하는 방향을 따라 연장된 다수의 연장부들(13b)로 이루어진다. 본 실시예에서 캐소드 전극(13)의 라인부(13a)와 게이트 전극(11)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극 (13)의 연장부(13b)는 각 화소마다 하나씩 제공되며, 그 위치는 게이트 전극들(11) 사이가 바람직하다.The
이 때, 연장부들(13b)은 게이트 전극(11) 방향을 따라 측정되는 폭(A, 도 2 참고)을 라인부(13a) 방향을 따라 측정되는 폭(B, 도 2 참고)보다 크게 형성하여 각각의 연장부(13b)가 게이트 전극(11)과 평행한 한 쌍의 장변부를 가지도록 한다. 이러한 구조에서는 캐소드 전극(13)의 라인부(13a) 방향(통상 화면의 수평 방향)을 따라 연장부들(13b)을 조밀하게 배치할 수 있어 화면의 수평 해상도를 높이는데 유리하다.In this case, the
그리고 캐소드 전극(13)의 연장부(13b)에는 이와 전기적으로 연결될 수 있도록 적어도 일부가 연장부(13b)와 접촉하는 전자 방출부(14)가 형성된다. 특히 전자 방출부(14)는 연장부(13b)의 두 장변부 가운데 어느 한 장변부의 가장자리를 따라 이와 접촉하며 형성되어 전자 방출 소자 구동시 캐소드 전극(13)의 라인부(13a) 방향을 따라 전자들이 방출되는 구성을 이룬다.In addition, an
본 실시예에서 전자 방출부(14)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(14)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 그라파이트, 그라파이트 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질이 있다. 전자 방출부(14)의 제조법으로는 직접 성장, 스크린 인쇄, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.
In the present embodiment, the
또한, 절연층(12) 위에는 캐소드 전극(13)과 실질적으로 같은 층에 위치하면서 게이트 전극(11)과 전기적으로 연결되는 대향 전극(15)이 형성될 수 있다. 대향 전극(15)은 각각의 연장부 사이에서 전자 방출부(14)와 임의의 간격을 두고 위치하며, 절연층(12)에 형성된 비아 홀(via hole, 12a)을 통해 게이트 전극(11)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결된다.In addition, an
대향 전극(15)은 전자 방출 소자 구동시, 게이트 전극(11)에 소정의 구동 전압이 인가되어 전자 방출부(14) 주위로 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때, 그 자신도 전자 방출부(14)를 향해 전자 방출을 위한 전계를 추가로 형성한다. 이로써 대향 전극(15)은 게이트 전극들(11)에 구동 전압을 적게 걸면서도 전자 방출부(14)로부터 전자들이 양호하게 방출될 수 있도록 하는 역할을 한다.When the
본 실시예에서 대향 전극(15)은 대략 직사각형의 모양을 하고 있지만, 대향 전극(15)의 형상은 전술한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.In the present embodiment, the
다음으로, 제1 기판(1)에 대향하는 제2 기판(2)의 일면에는 형광층(21), 예를 들어 적색과 녹색 및 청색의 형광층이 임의의 간격을 두고 형성되고, 형광층(21) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(22)이 형성될 수 있다. 형광층(21)과 흑색층(22) 위로는 증착에 의한 금속막(예를 들어 알루미늄막)으로 이루어지는 애노드 전극(23)이 형성된다.Next, on one surface of the
상기 애노드 전극(23)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 전압(대략, 수백~수천 볼트의 (+)전압)을 인가받으며, 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
The
한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 투명한 도전막, 예를 들어 ITO(indium tin oxide)막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 제2 기판(2) 위로 투명한 도전막으로 이루어진 애노드 전극(도시하지 않음)을 먼저 형성하고, 그 위에 형광층(21)과 흑색층(22)을 형성하며, 필요에 따라 형광층(21)과 흑색층(22) 위에 금속막을 형성하여 화면의 휘도를 높이는데 이용할 수 있다. 이러한 애노드 전극은 제2 기판(2) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.On the other hand, the anode electrode may be made of a transparent conductive film, for example, an indium tin oxide (ITO) film, not a metal film. In this case, an anode electrode (not shown) made of a transparent conductive film is first formed on the
상기한 구성의 제1 기판(1)과 제2 기판(2)은, 전자 방출 어레이(10)와 발광부(20)가 서로 마주한 상태에서 임의의 간격을 두고 그 둘레에 도포되는 프릿(frit)과 같은 실링 물질에 의해 접합되며, 두 기판 사이의 비발광 영역에 다수의 스페이서(3)를 위치시킨 상태에서 그 사이에 형성되는 내부 공간을 배기시켜 진공 상태로 유지함으로써 전자 방출 소자를 구성한다.The
이 때, 스페이서(3)는 게이트 전극(11) 방향을 따라 전자 방출부(14)와 이격되어 위치하고, 더욱 바람직하게는 게이트 전극(11) 방향을 따라 전자 방출부(14)와 동일 선상에 위치하여 스페이서(3)가 전자빔 경로로부터 가능한 멀리 위치하도록 한다.In this case, the
상기와 같이 구성되는 전자 방출 소자는, 캐소드 전극(13)과 게이트 전극(11)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극간 전위 차에 의해 전자 방출부(14) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(23)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(2)으로 향하면서 해당 화소의 형광층(21)에 충돌하여 이를 발광시킨다.
In the electron emission device configured as described above, when a predetermined driving voltage is applied to the
전술한 구동 과정에서, 전자들은 전자 방출부(14)로부터 캐소드 전극(13)의 라인부(13a) 방향을 따라 방출되고(도 2 및 도 3 참고), 스페이서들(3)은 게이트 전극(11) 방향을 따라 전자 방출부(14)와 이격되어 위치하므로, 스페이서(3)는 전자빔 경로로부터 멀리 위치하게 된다. 이로 인해 본 실시예의 전자 방출 소자는 스페이서(3)에 전하가 축적되는 것을 억제하여 스페이서(3)의 전하 축적에 따른 전자빔 경로 왜곡을 최소화할 수 있다.In the driving process described above, electrons are emitted from the
그럼에도 상기 스페이서(3)에 전자가 부딪혀 스페이서(3)가 차징될 가능성을 고려하면, 스페이서(3)를 캐소드 전극(13) 위에 형성함으로써 스페이서(3)에 축적된 전하가 캐소드 전극(13)을 통해 외부로 인출되도록 하는 것이 바람직하다.Nevertheless, considering the possibility that the
또한, 캐소드 전극(13)에 인가되는 구동 전압이 게이트 전극(11)에 인가되는 구동 전압보다 낮은 경우, 특정 화소에 위치하는 연장부(13b)가 이와 이웃한 화소 영역에 대하여 전자빔을 집속시키는 풋싱(pushing) 전극으로 기능할 수 있다.In addition, when the driving voltage applied to the
일례로, 캐소드 전극(13)에는 수~수십 볼트의 (-)주사 신호가 인가되고, 게이트 전극(11)에는 수~수십 볼트의 (+)데이터 신호가 인가될 수 있다. 이로써 캐소드 전극들(13)에 순차적으로 주사 신호를 인가하고, 선택된 캐소드 전극(13)에 대응하는 게이트 전극들(11)에 선택적으로 데이터 신호를 인가하면, 두 전극간 전위 차가 임계치 이상인 화소에서 전자 방출이 일어난다.For example, a negative scan signal of several to several tens of volts may be applied to the
상기에서 전자 방출이 일어나는 화소를 도 2에 도시한 4개의 화소 가운데 왼쪽에서 세번째 화소로 가정하면, 왼쪽에서 두번째 화소에 위치하는 연장부(13b)는 해당 화소의 온/오프에 관계없이 주사 신호에 따른 (-)전위를 유지하게 된다. 이 연장부(13b)가 세번째 화소에서 방출된 전자들을 푸싱하여 전자빔의 직진성을 높임으로써 화면의 색재현율을 향상시킨다.If the pixel in which electron emission occurs is assumed as the third pixel from the left among the four pixels shown in FIG. 2, the
한편, 연장부(13b)의 풋싱 기능에도 불구하고 전자 방출에 필요한 전계를 형성하는 전극들, 즉 게이트 전극(11)과 대향 전극(15)이 캐소드 전극(13)의 상부에 위치하지 않음으로 인해 전자 방출부(14)에서 방출된 전자들은 제1 기판(1)으로부터 임의의 경사각을 가지고 비스듬하게 진행하게 된다.On the other hand, in spite of the pushing function of the
상기한 전자빔 궤적을 고려하여 제1 기판(1) 상에 설정되는 각 화소 영역의 중심에 대해 이 화소 영역에 대응 배치되는 형광층(21)의 중심을 캐소드 전극(13)의 라인부(13a) 방향을 따라 이격시키는 것이 바람직하며, 이로써 전자 방출부(14)에서 방출된 전자들이 모두 온전하게 해당 화소의 형광층(21)에 도달하도록 할 수 있다. 도 2에서 D가 화소 영역의 중심에 대한 형광층(21) 중심의 이격 거리를 나타낸다.In consideration of the electron beam trajectory, the center of the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다. 즉, 상기에서는 FEA형 전자 방출 소자에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않고 다양하게 변형이 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to That is, while the FEA type electron emission device has been described above, the present invention is not limited to the FEA type, and various modifications are possible.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 스페이서에 전하가 축적되는 것을 최소화함에 따라, 스페이서 차징에 의한 전자빔 왜곡과 이에 따른 오방전 등을 억제하여 화면 품질을 높일 수 있다. 또한 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 이웃 화소의 연장부가 풋싱 전극으로 기능하므로 전자빔의 직진성을 높여 화면의 색재현율을 향상시키는 효과를 갖는다.As described above, the electron emission device according to the present invention minimizes the accumulation of charge in the spacer, thereby suppressing the electron beam distortion caused by the spacer charging and thus the misdischarge, thereby improving the screen quality. In addition, the electron emission device according to the present invention has an effect of improving the color gamut of the screen by increasing the straightness of the electron beam since the extension of the neighboring pixel functions as a pushing electrode.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040068529A KR20060019855A (en) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | Electron emission device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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KR20060019855A true KR20060019855A (en) | 2006-03-06 |
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ID=37127084
Family Applications (1)
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KR1020040068529A KR20060019855A (en) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | Electron emission device |
Country Status (1)
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2004
- 2004-08-30 KR KR1020040068529A patent/KR20060019855A/en not_active Application Discontinuation
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