KR20060001502A - 스페이서를 구비하는 전자 방출 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 전자방출 표시장치는 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판과, 제1 기판과 대향되게 배치되며, 화소별로 분리되어 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 정의되는 발광영역과 비발광 영역이 구비되는 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장되는 스페이서를 포함하되, 적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 구조를 제공한다. 이를 통하여, 전자방출부에서 방출되는 전자가 스페이서에 충전되는 현상을 억제하여 빔의 왜곡을 방지하고, 아크발생을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

전자 방출 표시장치, 스페이서, 빔 왜곡, 전자방출부

Description

스페이서를 구비하는 전자 방출 표시장치 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE HAVING SPACERS}

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치에서 스페이서의 끝단 위치를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따라서, 형광층이 스트라이프 형상으로 형성되어 있는 전자방출 표시장치의 개략적인 평면도이다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치에서 스페이서의 끝단의 위치를 설명하기 위한 평면도이다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예에 따라서, 스페이서의 존재여부에 따른 전자빔의 궤적을 실제로 측정한 사진들이다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따라서, 스페이서 끝단과 발광영역의 배치 관계에 따른 전자빔의 궤적을 측정한 사진들이다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치의 일부의 단면도이다.

본 발명은 전자 방출 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자방출부에서 방출된 전자가 기판을 지지하는 스페이서의 표면에 충전되어 발생하는 빔의 왜곡 또는 아크 등을 방지할 수 있는 전자방출 표시장치를 제공한다.

일반적으로, 전자방출소자(Electron Emission Device)는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다.

냉음극을 이용하는 방식의 전자방출소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal)형 및 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.

FEA형 전자방출소자는 일 함수(Work Function)가 낮거나 β Function이 높은 물질을 전자 방출원으로 사용하여 진공 중에서 전계차에 의하여 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 선단이 뾰족한 팁 구조물이나 탄소계 물질 또는 나노물질을 전자 방출원을 적용한 소자가 개발되고 있다.

SCE형 전자방출소자는 기판 상에 서로 마주보며 배치된 2개의 전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출부를 형성한 소자이다. 상기 소자는 전극에 전압을 인가하여 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 상기 미세 갭인 전자 방출부로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

MIM형과 MIS형 전자방출소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출부를 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터 낮은 전자 전위를 갖는 금속쪽으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.

BSE형 전자방출소자는 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균자유행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여 오믹 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자공급층을 형성하고, 전자공급층위에 절연층과 금속박막을 형성하여 오믹전극과 금속박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다

이와 같은 전자방출소자들을 이용하면, 전자방출 표시장치, 각종 백라이트, 리소그라피용 전자빔 장치 등을 구현할 수 있다. 이 중에서 전자방출 표시장치는, 전자방출소자를 구비하여 전자를 방출하는 전자방출 영역과 방출된 전자를 형광층에 충돌시켜 발광시키기 위한 화상표현 영역을 구비하여 구성된다. 일반적으로, 전자방출 표시장치는 제1 기판 위에 다수개의 전자방출소자와 이들의 전자 방출을 제어하는 구동전극들을 구비하고, 제1 기판에서 방출된 전자들이 제2 기판에 형성된 형광층을 향해 효율적으로 가속될 수 있도록 형광층과 이에 접속된 전극을 구비하게 된다.

또한, 상기와 같은 전자방출 표시장치에서 형광층의 사이로 상기 전극들의 표면에 고진공으로 밀봉되는 애노드 기판과 캐소드 기판을 지지하기 위한 스페이서 가 예컨대 도전성 메쉬 상에 제공된다.

그런데, 이와 같은 전자 방출 표시장치에서 전자방출부에서 방출된 전자 중에서 일부는 자신의 셀 이외의 다른 셀에도 충돌하게 되거나 또는 형광막의 발광에 사용되지 못하고 스페이서의 표면에 충전되는 수가 있다. 즉, 스페이서의 표면에 충전된 전자는 형광막으로 향하는 전자의 이동 궤적을 왜곡시키게 된다. 또한, 스페이서 표면에 일정량 이상의 전자가 충전되면 이 전자가 외부로 튀어나가게 되어 아크가 발생되는 문제점이 발생한다.

본 발명은 상기의 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서의 단부 또는 스페이서의 측부에 전자방출부에서 방출되는 전자가 집중하는 현상을 발견하고, 이와 같은 문제점을 해결하는 새로운 구조의 전자방출 표시장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 전자방출부로부터 방출된 전자가 충돌하는 화상구현영역(발광영역)과 스페이서의 배치 또는 위치 관계를 최적화한 전자방출 표시장치를 제공하는 것이다.

상술한 문제점을 혀결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제1 측면은 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 화소별로 분리되어 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 정의되는 발광영역과 비발광 영역이 구비되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장되는 스페이서를 포함하되, 적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치를 제공한다.

바람직하게는, 상기 비발광 영역의 적어도 일부에는 광차폐막이 구비되어 있고, 형광체는 상기 발광영역에 구비되어 있다.

상기 스페이서의 형상은 십자형 또는 일자형일 수 있으며, 발광영역은 사각형 타입이며, 형광체는 스트라이프형 또는 매트릭스형일 수 있다.

본 발명의 제2 측면은 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 매트릭스 형상으로 화소가 구분되어 구성되고, 상기 화소별로 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 발광 영역과 상기 화소 사이에 형성된 비발광 영역이 구비되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장된 스페이서를 포함하되, 적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치를 제공한다.

본 발명의 제3 측면은 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 스트라이프 형상으로 형 광체가 구분되어 구성되고, 상기 스트라이프 형광체에는 상기 화소별로 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 발광 영역과 비발광영역이 구비되는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장된는 스페이서를 포함하되, 적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치를 제공한다.

그러나, 이하의 실시예는 이 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치에서 스페이서의 끝단의 위치를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다. 본 도면은 상부에서 내려다 보았을 때 스페이서와 발광 영역의 배치관계 만을 도시한 평면도들이다.

전자방출 표시장치는 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판과, 제1 기판과 대향되게 배치되며, 화소별로 분리되어 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 정의되는 발광영역과 비발광 영역이 구비되는 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장되는 스페이서를 포함한다. 이에 대해서는 상세히 후술한다.

도 1a를 참조하면, 이러한 전자방출 표시장치에 있어서, 십자형의 스페이서(18)의 각 끝단(18')이 연장된 각 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역(20) 내에 위치한다.

발광영역(19)은 전자방출부에서 화소별로 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 영역을 의미하고, 비발광 영역(20)은 발광 영역(19)과 구별되는 영역으로, 실질적으로 전자의 충돌이 빈번하게 일어나지 않는 영역을 의미한다. 예를 들어, 광차폐막이 매트릭스 형태로 형성되어 있는 구조에서, 발광 영역(19)은 R, G, B의 형광체를 형성한 영역, 비발광 영역(20)은 광차폐막이 분리되어 형성되어 있는 영역으로 구분가능하다. 한편, 형광층이 스트라이프 형상으로 형성되어 있는 경우, 형광체의 일부만 발광영역으로, 상대적으로 전자의 충돌이 적은 영역은 비발광영역으로 구분가능하다.

상술한 배치 형태의 스페이서(18)는 전자방출부에서 방출된 전자가 스페이서(18)의 끝단(18', 18")에 집중되는 현상을 방지하여 발광 영역(19)으로 향하는 전자의 왜곡 현상을 방지한다. 따라서, 스페이서에 전자가 차징되어 아킹이 발생하는 현상을 방지할 수 있다. 도 1b 및 도 1c는 일자형 스페이서의 끝단의 위치와 발광영역과의 배치 관계를 설명하기 위한 개략적인 평면도들이다. 일자형의 스페이서(18)의 각 끝단(18')이 연장된 일방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역(20) 내에 위치한다.

스페이서(18)의 끝단(18')의 배치 관계에 대해서 검토하면, 스페이서(18)는 전자방출부로 부터 방출된 전자의 충돌에 의하여 스페이서(18)의 재질에 따라 다소 차이가 있을 수는 있지만 양의 전하로 대전된다. 양의 전하로 대전된 스페이서(18)는 전자빔을 왜곡시키거나 끌어당기게 된다. 이 때 스페이서(18)의 끝단(18') 이 전자빔의 궤적에 포함되면 스페이서의 끝단(18') 근처를 통과하는 전자빔이 주로 왜곡된다. 따라서, 스페이서(18)의 끝단(18')이 발광영역으로부터 격리되는 것이 중요하다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 형광층이 스트라이프 형상으로 형성되어 있는 경우의 개략적인 평면도이다. 도 2를 참조하면, 형광체(15)가 스트라이프 형상으로 형성되어 있고, 발광 영역(19)은 스트라이프 형광체(15)의 일부에 정의된다. 예컨대, 형광체(15) 이외의 영역에는 부분적으로 광차폐막이 추가될 수 있다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치에서 스페이서의 끝단의 위치를 보다 상세하게 설명하기 위한 평면도이다.

발광 영역(19)이 사각형 구조(가로 X₁, 세로 Y₁)로 구성되고, 발광영역 사이에는 비발광 영역이 도면과 같이 정의되어 있는 경우 스페이서의 크기를 L이라 할 때, 스페이서의 크기의(L)의 X값, Y값은 각각 하기의 수학식과 같다.

수학식

n(X₁+X₂)-X₂ ≤ L ≤ n(X₁+X₂)+X_2, n은 자연수,

m(X₁+X₂)-X₂ ≤ L ≤ m(X₁+X₂)+X_2, m은 자연수,

이와 같은 수식에 의하면, 스페이서의 끝단은 A,B,C 영역 내에 위치하게 된다.

도 4a 및 도 4b는 스페이서의 존재여부에 따른 전자빔의 궤적을 실제로 측정한 사진들이다. 도 4a는 스페이서가 존재할 경우 전자빔이 왜곡되는 현상을 도시 하고 있는데 점선으로 전자빔의 왜곡을 도시한다. 도 4b는 스페이서가 존재하지 않는 경우 전자빔이 정상적으로 발광영역에 충돌하는 상황을 도시하고 있다. 비교를 위하여, 도 4b에서 존재하지 않는 스페이서를 점선 모양으로 도시하였다. 도 4a와 같이 스페이서가 존재하는 경우는 전자빔이 왜곡된다.

도 5a 및 도 5b는 스페이서 끝단과 발광영역의 배치 관계에 따른 전자빔의 궤적을 측정한 사진들이다. 도 5a는 스페이서의 끝단이 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역까지 도달하지 못한 배치인 경우 전자빔의 궤적을 나타내고, 도 5b는 스페이서의 끝단이 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역에 도달한 경우의 전자빔의 궤적을 나타내고 있다. 도 5a에서는 전자빔이 왜곡되고 있음을 알수 있고, 도 5b에서는 전자빔의 왜곡현상이 거의 나타나지 않고 있음을 알 수 있다.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 전자방출 표시장치의 일부의 단면도이다. 본 도에서는 스페이서가 도전성 메쉬에 장착되는 경우를 예시하고 있다. 도전성 메쉬(16)에는 메쉬홀(16')과 스페이서의 삽입홀(16")이 각각 형성되어 있다. 메쉬홀(16')은 상부 애노드 기판(미도시)의 형광체 각 색상 단위로 개구되도록 구성가능하며, 스페이서 삽입홀(16")에는 스페이서의 단부가 끼워지게 된다.

도 6을 참조하면, 스페이서 삽입홀(16")의 끝단은 최소한 메쉬홀(16')의 끝단까지 연장 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이와 같은 경우는 메쉬홀(16')과 상부 발광영역(미도시)이 상부에서 평면적으로 내려다 보았을 때 서로 실질적으로 일치되어 대응되는 구조이다. 이 경우는 전자빔의 방향이 전체적으로 하부 기판에 수직하게 방출되는 구조에 적합하고, 전자빔의 궤적이 전체적으로 일방향으로 휘어지는 구조에서는 메쉬홀과 상부기판의 발광영역이 실질적으로 일치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 본 발명의 변형으로 이러한 경우는 전자빔의 궤적을 입체적으로 파악하여 스페이서 끝단이 전자빔의 궤적에 영향을 미치지 않도록 구성하는 것이 필요하다.

도 6을 참조하면, 일자형의 스페이서의 각 끝단들이 연장된 방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역(메쉬홀 이외의 영역) 내에 위치하도록 구성하여 전자방출부에서 방출된 전자가 스페이서의 끝단에 집중되는 현상을 방지할 수 있다. 전술한 바와 같은 원리로, 스페이서의 끝단들은 도전성 메쉬의 메쉬홀(16")과의 배치관계 보다는 전자가 충돌하는 발광영역과의 배치 관계에 더 의존한다.

한편, 도전성 메쉬가 구비되는 전자 방출 표시장치의 일부의 구성을 살펴보면 다음과 같다. 전자방출 표시장치는 화상구현부인 형광체를 포함하는 애노드 기판을 포함하여 구성된다.

다시 도 6을 참조하면, 캐소드 기판(11)상에, 캐소드 전극(12), 전자방출부(미도시), 제1 절연층(13) 및 게이트 전극(14)을 형성하고, 메쉬홀(16')이 형성되어 있는 도전성 메쉬(16)에는 절연층(17)이 형성된다. 상기 도전성 메쉬(16)에는 상기 각 형광막의 RGB 단위 화소에 대응하게 메쉬홀(16')을 형성하고 이어 스페이서(18)의 단부가 삽입되는 스페이서 삽입홀(16")을 형성된다.

다음으로, 도전성 메쉬(16)를 캐소드 기판(11)에 구비된 게이트 전극(14)상에 프릿(15)등을 이용하여 접합 고정하게 된다. 이어, 스페이서(18)의 끝단이 전자 가 충돌하는 발광영역 내에 위치하지 않도록 하기 위하여, 스페이서 삽입홀(16")의 끝단은 최소한 메쉬홀(16')의 끝단까지 연장 형성한다. 스페이서(18)의 단부를 상기 그리드 전극(16) 상부의 스페이서 삽입홀(16")에 고정하고 나서, 캐소드 기판(11)과, 애노드 전극 및 애노드 전극상의 형광막을 구비하는 애노드 기판을 통상의 방법으로 상호 팩키징하게 된다.

그러나 도면에서 a로 표시된 스페이서 삽입홀의 경우에는 메쉬홀(16')의 끝단까지 연장 형성되어 있지 않고 상기 메쉬홀(16') 내에 끝단이 위치하고 있는 것을 보여준다. 이 경우 스페이서의 삽입홀(a)에 끼워지는 스페이서(16)의 끝단은 전자의 방출궤적 내(발광 영역)에 위치하게 되므로 스페이서(16)에 충전되는 전자의 양이 증가할 것이며, 이로 인해 빔의 왜곡 현상 및 아크 발생의 문제점이 여전히 존재할 것이다.

다음으로, 도 7을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 전자방출 표시장치를 상세히 설명한다.

본 발명에 따른 전자 방출 표시소자는 스페이서(134) 등에 의해서 소정간격으로 이격되어 있는 제1 기판(120)과 제2 기판(110)을 갖는다. 프릿(132)을 도포하고 소성처리함으로써 한정되는 제1 기판(120)과 제2 기판(110) 사이의 이격공간은 배기공정을 통해서 진공상태로 유지된다.

제1 기판(120)에는 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 제공된다. 전자방출영역의 각 화소는 캐소드 전극(122)과, 상기 캐소드 라인과 교차하 는 게이트 전극(126)에 의해 정의되고, 캐소드 전극(122)과 게이트 전극(126)은 소정 두께의 절연층(124)에 의해서 절연된다. 그리고, 게이트 전극(126)에는 전자방출부(122)로부터 방출되는 전자가 통과할 수 있는 소정 크기의 게이트 홀이 형성되고, 게이트 홀을 통해서 노출되는 캐소드 전극(122)의 표면에는 전자를 용이하게 방출할 수 있는 전자방출부(123)가 제공된다.

도 7을 다시 참조하면, 제2 기판(110)은 제1 기판(120)의 전자방출영역에 대응하여 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 정의되는 발광 영역(114a, 114b, 114c)과 비발광 영역(116)으로 구분될 수 있고, 제2 기판(110)의 내면에는 적어도 하나의 애노드 전극(112)이 형성되어 있고, 애노드 전극(112)의 적어도 어느 일면에 배열된 R, G, B의 형광체가 발광영역(114a, 114b, 114c)의 기능을 수행한다. 추가적으로 광차폐막(116)이 게재될 수 있다. 형광체(114a, 114b, 114c)와 광차폐막(116)은 전기영동(electro-phoresing), 스크린 프린팅, 슬러리 방법 등으로 형성될 수 있다. 애노드 전극(112)은 ITO(Indium Tin Oxide)등과 같은 투명 전극을 사용할 수도 있고 얇은 금속층을 형성하여 사용할 수도 있다. 또한 상기 애노드 전극(112)은 일체형 전극, 스트라이프 형상, 또는 분할형 전극을 갖는 것 모두 가능하다. 형광체(114a, 114b, 114c)는 스트라이프 형상 또는 도트 형상이 모두 가능하다.

한편, 필요에 따라서는 제1 기판(120)과 제2 기판(110) 사이의 이격공간에 전자집속효과와 아크방전 상쇄효과를 위하여 금속재질의 도전성 메쉬(136)가 제공된다. 도면부호 138은 도전성 메쉬(136)를 지지하는 절연물질의 그리드 홀더이다.

이와 같은 구조에서, 스페이서의 각 끝단들이 연장된 방향으로 소정폭을 갖 는 비발광 영역 내에 위치하도록 구성하여 전자방출부에서 방출된 전자가 스페이서의 끝단에 집중되는 현상을 방지할 수 있다.

상기에서는 전자방출부가 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질로 이루어지고 전극들이 전자방출을 제어하는 것으로 한정하여 설명하였으나 전자방출소자이면 특별히 한정되지 않고 다양한 변형으로 본 발명이 적용가능함은 자명하다.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 그로부터 다양한 변형 및, 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본원 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

이상에서 살펴 본 바와 같이 본 발명은, 스페이서와 발광영역의 위치 및 배치관계를 고려하여 스페이서의 단부가 최소한 발광영역 내에 위치하지 않도록 고려함으로써, 전자방출부에서 방출되는 전자가 스페이서에 충전됨으로써 방생하는 빔의 왜곡 현상을 크게 감소시킬 수 있으며, 또한 스페이서 표면에 일정량 이상의 전자가 충전되면 이 전자가 외부로 튀어나가게 되어 아크 발생을 억제할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

1. 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판;

   상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 화소별로 분리되어 방출된 전자가 형광체에 충돌하여 정의되는 발광영역과 비발광 영역이 구비되는 제2 기판; 및

   상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장되는 스페이서를 포함하되,

   적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 일방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치.
2. 제1 항에 있어서,

   상기 비발광 영역의 적어도 일부에는 광차폐막이 구비되어 있는 전자방출 표시장치.
3. 제1 항에 있어서,

   상기 스페이서의 형상은 십자형 또는 일자형인 전자방출 표시장치.
4. 제1 항에 있어서,

   상기 발광영역은 사각형 타입인 전자방출 표시장치.
5. 제1 항에 있어서,

   상기 형광체는 상기 발광영역에 구비된 전자방출 표시장치.
6. 제1 항에 있어서,

   상기 형광체는 스트라이프형 또는 매트릭스형으로 구비된 전자방출 표시장치.
7. 제1 항에 있어서,

   상기 발광 영역은 사각형 구조(가로 X₁, 세로 Y₁)로 구성되고, 상기 발광영역 사이에는 비발광 영역이 정의된 경우, 상기 스페이서의 크기(L)는 하기 식과 같은 전자방출 표시장치.

   n(X₁+X₂)-X₂ ≤ L ≤ n(X₁+X₂)+X_2, n은 자연수,

   m(X₁+X₂)-X₂ ≤ L ≤ m(X₁+X₂)+X_2, m은 자연수,
8. 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판;

   상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 매트릭스 형상으로 화소가 구분되어 구성되고, 상기 화소별로 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 발광 영역과 상기 화소 사이에 형성된 비발광 영역이 구비되는 제2 기판; 및

   상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연 장된 스페이서를 포함하되,

   적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 일방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치.
9. 제8 항에 있어서,

   상기 스페이서의 형상은 십자형 또는 일자형인 전자방출 표시장치.
10. 제8 항에 있어서,

    상기 발광영역은 사각형 타입인 전자방출 표시장치.
11. 제8 항에 있어서,

    상기 비발광 영역의 적어도 일부에는 광차폐막이 구비되어 있는 전자방출 표시장치.
12. 화소별로 분리되어 전자를 방출하는 전자방출영역이 구비되는 제1 기판;

    상기 제1 기판과 대향되게 배치되며, 스트라이프 형상으로 형광체가 구분되어 구성되고, 상기 스트라이프 형광체에는 상기 화소별로 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 발광 영역과 비발광영역이 구비되는 제2 기판; 및

    상기 제1 기판과 제2 기판을 지지하기 위하여 설치된 적어도 일방향으로 연장된 스페이서를 포함하되,

    적어도 상기 스페이서의 연장된 끝단은 상기 연장된 일방향으로 소정폭을 갖는 비발광 영역 내에 위치하는 전자방출 표시장치.
13. 제12 항에 있어서,

    상기 스트라이프 형상의 형광체 사이에는 광차폐막이 구비되는 전자방출 표시장치.
14. 제12 항에 있어서,

    상기 스페이서의 형상은 십자형 또는 일자형인 전자방출 표시장치.

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