KR20060001377A - Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole - Google Patents
Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060001377A KR20060001377A KR1020040050483A KR20040050483A KR20060001377A KR 20060001377 A KR20060001377 A KR 20060001377A KR 1020040050483 A KR1020040050483 A KR 1020040050483A KR 20040050483 A KR20040050483 A KR 20040050483A KR 20060001377 A KR20060001377 A KR 20060001377A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- via hole
- electrode
- opening
- insulating
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Abstract
본 발명은 비어홀에서의 하부전극의 접착력을 증대시켜 하부전극의 박리현상을 방지할 수 있는 유기전계 발광표시장치를 개시한다.The present invention discloses an organic light emitting display device which can prevent the peeling phenomenon of the lower electrode by increasing the adhesion of the lower electrode in the via hole.
본 발명의 유기전계 발광표시장치는 절연기판상에 형성되고, 상기 화소전극과 연결되는 전극을 적어도 구비하는 스위칭소자와; 기판상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제1비어홀을 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제2비어홀을 구비한 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 제1 및 제2비어홀을 통해 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 연결되는 화소전극을 구비한다. 상기 제2비어홀의 크기가 상기 제1비어홀의 크기보다 크고, 상기 제2비어홀은 상기 제1비어홀을 노출시키도록 형성된다. 제1절연막은 질화막 및 산화막으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 무기막으로 이루어지는 보호막이고, 제2절연막은 이미드계열의 유기막과 아크릴계열의 유기막으로부터 선택된다.An organic light emitting display device according to the present invention includes: a switching element formed on an insulating substrate and having at least an electrode connected to the pixel electrode; A first insulating layer formed on the substrate and having a first via hole exposing a portion of an electrode of the switching element; A second insulating film formed on the first insulating film and having a second via hole exposing a part of an electrode of the switching element; And a pixel electrode formed on the second insulating layer and connected to the exposed electrode of the switching device through the first and second via holes. The size of the second via hole is larger than the size of the first via hole, and the second via hole is formed to expose the first via hole. The first insulating film is a protective film made of at least one inorganic film selected from a nitride film and an oxide film, and the second insulating film is selected from an organic film of an imide series and an organic film of an acrylic series.
Description
도 1은 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도,2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 3a는 도 2에 도시된 유기전계 발광표시장치에 있어서, 비어홀에서의 화소전극의 접착력증가를 설명하기 위한 도면,3A is a view for explaining an increase in adhesion force of a pixel electrode in a via hole in the organic light emitting display device shown in FIG. 2;
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 비어홀에서의 접착력증가를 설명하기 위한 도면,3B is a view for explaining an increase in adhesion force in a via hole in an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention;
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
200 : 유리기판 210 : 반도체층200: glass substrate 210: semiconductor layer
225 : 게이트전극 241, 245 : 소오스/드레인 전극250 : 보호막 260 : 평탄화막225:
255, 265 : 비어홀 270 : 애노드전극255, 265: via hole 270: anode electrode
285 : 유기막층 290 : 캐소드전극285: organic film layer 290: cathode electrode
본 발명은 자발광형 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 비어홀에서의 화소전극의 접착력이 개선된 유기전계 발광표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a self-luminous flat panel display, and more particularly, to an organic light emitting display having improved adhesion of pixel electrodes in a via hole.
도 1은 종래의 유기전계 발광표시장치의 단면구조를 도시한 것이다.1 illustrates a cross-sectional structure of a conventional organic light emitting display device.
도 1을 참조하면, 절연기판(100)상에 버퍼층(110)이 형성되고, 버퍼층(110)상에 스위칭소자(130)가 형성된다. 상기 스위칭 소자(130)는 소오스/드레인영역(미도시)을 구비한 반도체층(131), 게이트전극(132) 및 소오스/드레인전극(134), (135)을 구비한 박막 트랜지스터로 구성된다. Referring to FIG. 1, a
층간 절연막(120)상에 상기 소오스/드레인 전극(134), (135)중 드레인 전극(135)의 일부분을 노출시키는 제1개구부(145)를 구비한 보호막(140)이 형성된다. 보호막(140)상에는 드레인전극(135)의 일부분을 노출시키는 제2개구부(155)를 구비한 평탄화막(150)이 형성된다. A
비어홀(157)을 통해 상기 드레인 전극(135)과 전기적으로 콘택되는 하부전극(160)이 평탄화막(150)상에 형성된다. 상기 하부전극(160)은 화소전극으로서 금속물질로 된 반사막(161)과 투명도전막(165)을 포함한다. 도면상에는 도시되지 않았으나, 기판상에 발광층을 구비하는 유기막층과 캐소드전극인 상부전극이 형성된다.A
상기한 바와같은 종래의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 비어홀(157)은 소오스/드레인전극(134), (135)중 하나, 즉 드레인전극(135)과 하부전극(160)인 화소전극을 전기적으로 연결시켜 주기 위한 것으로서, 보호막(140)에 형성된 제1개구부(145)와 평탄화막(150)에 형성된 제2개구부(155)를 구비한다. 제2개구부(155)의 크기(d12)가 제1개구부(145)의 크기(d11)보다 큰 값을 갖도록 평탄화막(150)이 형성되어, 비어홀(157)에서 보호막(140)은 평탄화막(150)에 의해 완전히 덮혀지게 된다.In the conventional organic light emitting display device as described above, the
이때, 제1개구부(145)의 크기라 함은 드레인전극(135)중 제1개구부(145)에 의해 노출되는 부분의 단면길이 d11 를 의미하고, 제2개구부(155)의 크기라 함은 드레인 전극(135)중 제2개구부(155)에 의해 노출되는 부분의 단면길이 d12을 의미한다. 또한, 비어홀(157)의 크기는 드레인전극(135)중 비어홀(157)에 의해 노출되는 부분의 단면길이를 의미하므로, 비어홀(157)의 크기는 제2개구부(d12)의 크기에 의해 결정된다.In this case, the size of the
따라서, 유기절연물질로 구성되는 평탄화막(150)에 의해 무기절연물질로 구성되는 보호막(140)이 완전히 덮혀지게 되어, 하부전극(160)은 제2개구부(155)를 통해 드레인전극(135)과 전기적으로 연결되고 또한 제2개구부(155)의 측면에서는 유기 평탄화막(160)과 접촉된다. Accordingly, the
이와같이 금속물질과의 접착력이 열악한 유기평탄화막(160)상에 하부전극(160)이 형성되면, 평탄화막(160)과 하부전극(150)간의 접착력이 나빠서 하부전극이 박리되는 현상이 발생되었다. 특히, 비어홀의 측벽에서는 평탄화막과 하부전극간의 접착력이 약해 하부전극이 습식박리되거나 또는 세정시 초음파에 의해 균열이 발생되거나 박리되는 불량이 발생되는 문제점이 있었다.As such, when the
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 비어홀에서의 하부전극의 접착력을 증대시켜 하부전극의 박리현상을 방지하고 하부전극의 불량을 방지할 수 있는 유기전계 발광표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, to increase the adhesion of the lower electrode in the via hole to prevent the peeling phenomenon of the lower electrode and to prevent the failure of the lower electrode The purpose is to provide.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 평판표시장치는 절연기판상에 형성되고, 상기 화소전극과 연결되는 전극을 적어도 구비하는 스위칭소자와; 기판상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제1비어홀을 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제2비어홀을 구비한 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 제1 및 제2비어홀을 통해 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 연결되는 화소전극을 구비한다.In order to achieve the above object, a flat panel display device of the present invention comprises: a switching element formed on an insulating substrate, at least including an electrode connected to the pixel electrode; A first insulating layer formed on the substrate and having a first via hole exposing a portion of an electrode of the switching element; A second insulating film formed on the first insulating film and having a second via hole exposing a part of an electrode of the switching element; And a pixel electrode formed on the second insulating layer and connected to the exposed electrode of the switching device through the first and second via holes.
상기 제2비어홀의 크기가 상기 제1비어홀의 크기보다 크고, 상기 제2비어홀은 상기 제1비어홀을 노출시키도록 형성된다. 제1절연막은 질화막 및 산화막으로부터 선택되는 적어도 하나이상의 무기막으로 이루어지는 보호막이고, 제2절연막은 이미드계열의 유기막, 아크릴계열의 유기막, BCB 및 SOG 로부터 선택된다.The size of the second via hole is larger than the size of the first via hole, and the second via hole is formed to expose the first via hole. The first insulating film is a protective film made of at least one inorganic film selected from a nitride film and an oxide film, and the second insulating film is selected from an imide organic film, an acrylic organic film, BCB and SOG.
제2비어홀은 상기 제1비어홀과 상기 제1절연막의 일부분이 노출되도록 형성되어, 상기 하부전극이 제1비어홀을 통해 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 전기적으로 연결되고 제1 및 제2비어홀을 통해 상기 제2절연막의 노출된 부분과 접촉된다. 상기 스위칭소자는 절연기판상에 형성되는 반도체층 및 게이트전극과, 상기 반도체층에 연결되는 소오스/드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 포함하며, 상기 스위칭 소자중 상기 화소전극에 연결되는 전극은 드레인 전극이다.The second via hole is formed to expose the first via hole and a portion of the first insulating layer so that the lower electrode is electrically connected to the exposed electrode of the switching device through the first via hole and through the first and second via holes. In contact with the exposed portion of the second insulating film. The switching device includes a thin film transistor including a semiconductor layer and a gate electrode formed on an insulating substrate, and a source / drain electrode connected to the semiconductor layer, wherein the electrode connected to the pixel electrode is a drain electrode. to be.
상기 하부전극은 반사막과 투명도전막의 적층구조로 이루어져서, 상기 반사막이 제1비어홀을 통해 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 전기적으로 연결됨과 동시에 제1 및 제2비어홀을 통해 상기 제1절연막의 노출된 부분과 접촉된다.The lower electrode has a stacked structure of a reflective film and a transparent conductive film, so that the reflective film is electrically connected to the exposed electrode of the switching device through a first via hole and simultaneously exposed through the first and second via holes. In contact with the part.
상기 하부전극은 반사막과 투명도전막을 구비하고, 상기 반사막은 상기 스위칭 소자의 전극을 노출시키는 개구부를 구비하며, 상기 하부전극중 투명도전막이 제1비어홀과 개구부를 통해 상기 스위칭 소자의 노출된 전극과 전기적으로 콘택된다.The lower electrode includes a reflective film and a transparent conductive film, and the reflective film has an opening for exposing an electrode of the switching device, wherein the transparent conductive film of the lower electrodes includes an exposed electrode of the switching device through a first via hole and an opening; Electrical contact.
또한, 본 발명의 평판표시장치는 절연기판상에 형성되고, 상기 화소전극과 연결되는 전극을 적어도 구비하는 스위칭소자와; 기판상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제1비어홀을 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 제2비어홀을 구비한 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 연결되는 화소전극을 구비한다.In addition, the flat panel display of the present invention comprises: a switching element formed on an insulating substrate and having at least an electrode connected to the pixel electrode; A first insulating layer formed on the substrate and having a first via hole exposing a portion of an electrode of the switching element; A second insulating film formed on the first insulating film and having a second via hole exposing a part of an electrode of the switching element; And a pixel electrode formed on the second insulating layer and connected to the exposed electrode of the switching device.
상기 화소전극은 상기 스위칭소자의 전극의 일부분을 노출시키는 개구부를 구비한 반사막과, 상기 스위칭 소자의 노출된 전극과 연결되는 투명도전막을 포함한다. 상기 제2비어홀의 크기는 상기 제1비어홀의 크기보다 크고, 상기 개구부는 상기 제1비어홀보다 적어도 같거나 크고 상기 제2비어홀보다는 작다.The pixel electrode includes a reflective film having an opening that exposes a portion of an electrode of the switching device, and a transparent conductive film connected to the exposed electrode of the switching device. The size of the second via hole is larger than the size of the first via hole, and the opening is at least equal to or larger than the first via hole and smaller than the second via hole.
제2비어홀은 상기 제1비어홀과 상기 제1절연막의 일부분이 노출되도록 형성되고, 상기 하부전극중 반사막은 제1 및 제2비어홀을 통해 상기 제1절연막의 노출 된 부분과 접촉되며, 상기 투명도전막은 상기 제1비어홀과 개구부를 통해 상기 스위칭소자의 노출된 전극과 전기적으로 콘택된다. The second via hole is formed to expose the first via hole and a portion of the first insulating layer, and the reflective layer of the lower electrode contacts the exposed portion of the first insulating layer through the first and second via holes, and the transparent conductive film Is electrically contacted with the exposed electrode of the switching element through the first via hole and the opening.
상기 하부전극중 반사막은 A, Al 합금막, Ag, Ag 합금막으로부터 선택되는 막을 포함하며, 상기 투명도전막은 ITO 및 IZO로부터 선택된다.The reflective film of the lower electrode includes a film selected from A, Al alloy film, Ag, Ag alloy film, and the transparent conductive film is selected from ITO and IZO.
또한, 본 발명의 평판표시장치는 절연기판상에 형성된 제1도전막과; 기판상에 형성되고, 상기 제1도전막의 일부분을 노출시키는 제1개구부를 구비하는 제1절연막과; 상기 제1절연막상에 형성되고, 제1도전막의 일부분을 노출시키는 제2개구부을 구비한 제2절연막과; 상기 제2절연막상에 형성되고, 상기 제1 및 제2개구부를 통해 상기 제1도전막에 전기적으로 연결되는 제2도전막을 구비하며, 상기 제2개구부는 적어도 제1개구부의 일부분과 오버랩되도록 상기 제1도전막의 일부분과 상기 제1절연막의 일부분을 노출시킨다.In addition, the flat panel display of the present invention includes a first conductive film formed on an insulating substrate; A first insulating film formed on the substrate and having a first opening for exposing a portion of the first conductive film; A second insulating film formed on the first insulating film and having a second opening for exposing a portion of the first conductive film; A second conductive film formed on the second insulating film and electrically connected to the first conductive film through the first and second openings, wherein the second opening is overlapped with at least a portion of the first opening. A portion of the first conductive layer and a portion of the first insulating layer are exposed.
상기 제2도전막은 상기 노출된 제1개구부의 일부분을 통해 제1도전막과 전기적으로 연결되고 상기 노출된 제1개구부의 일부분을 통해 제2절연막의 일부분과 접촉되도록 형성된다. 제1도전막과 제2도전막은 금속물질로 이루어진다.The second conductive layer is formed to be electrically connected to the first conductive layer through a portion of the exposed first opening and to contact a portion of the second insulating layer through a portion of the exposed first opening. The first conductive film and the second conductive film are made of a metal material.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도를 도시한 것이다.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 투명 절연기판(200)상에 버퍼층(205)을 형성하고, 버퍼층(205)상에 반도체층(210)을 형성한다. 상기 버퍼층(205)은 기판으로부터의 불순물 등이 상기 반도체층(210)으로 침투하는 것을 방지하기 위한 것이고, 반도체 층(210)은 폴리실리콘막으로 이루어진다. 상기 반도체층(210)과 버퍼층(205)상에 게이트 절연막(220)을 형성하며, 게이트 절연막(220)상에 게이트(225)를 형성한다.Referring to FIG. 2, a
반도체층(210)으로 소정 도전형의 불순물, 예를 들어 P형 불순물을 주입하여 게이트(225)양측에 소오스/드레인영역(221), (225)을 형성한다. 게이트(225)와 게이트 절연막(220)상에 층간 절연막(230)을 형성하고, 상기 소오스/드레인영역(221), (225)의 일부분이 노출되도록 상기 층간 절연막(230)을 식각하여 콘택홀(231), (235)을 형성한다.Impurities of a predetermined conductivity type, for example, P-type impurities, are implanted into the
상기 콘택홀(231), (235)과 층간 절연막(230)상에 소오스/드레인 전극물질을 증착한 다음 패터닝하여. 콘택홀(231), (235)을 통해 각각 상기 노출된 소오스/드레인영역(221), (225)과 콘택되는 소오스/드레인 전극(241), (245)을 형성한다. 소오스/드레인전극(241), (245)과 층간 절연막(230)상에 질화막 등과 같은 무기절연막으로 이루어진 보호막(250)을 형성한다.Source / drain electrode materials are deposited on the
상기 소오스/드레인전극(241), (245)중 드레인전극(245)의 일부분이 노출되도록 상기 보호막(250)을 식각하여 제1개구부(251)를 형성한다. 상기 제1개구부(251)와 보호막(250)상에 아크릴계 유기절연막, 이미드계 유기절연막, BCB, SOG 등과 같은 평탄화막(260)을 형성하고, 상기 제1개구부(251)내의 드레인전극(245) 및 보호막(250)의 일부분이 노출되도록 상기 평탄화막(260)을 식각하여 제2개구부(265)을 형성한다.The
비어홀(267)과 상기 평탄화막(260)상에 반사막(271)으로 AlNd과 투명도전막(275)으로 ITO 또는 IZO막을 순차 증착한 다음 패터닝하여 상기 비어홀(267)을 통해 상기 드레인전극(245)에 연결되는 화소전극인 하부전극(270)을 형성한다. 상기 반사막(271)으로 AlN 외에 Al, Al 합금막, Ag, Ag 합금막을 사용할 수도 있다.An ITO or IZO film is sequentially deposited on the via
상기 하부전극(270)과 평탄화막(260)상에 화소분리막(280)을 형성하고, 상기 하부전극(270)의 일부분이 노출되도록 상기 화소분리막(280)을 식각한다. 상기 하부전극(270)상에 유기막층(285)을 형성한 다음 기판상에 캐소드전극인 상부전극(290)을 형성한다.The
상기한 바와 같은 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에서, 비어홀(267)에서의 하부전극(270)과의 접착력이 강화되는 것을 도 3a를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 도 3a는 일 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 드레인전극(245)과 비어홀(267)에 한정하여 도시한 것이다.In the organic light emitting display according to the exemplary embodiment as described above, the adhesion of the
도 3a를 참조하면, 상기 비어홀(267)은 화소전극(270)과 소오스/드레인전극(241), (245)중 하나, 즉 드레인전극(245)을 연결시켜 주기 위한 것으로서, 보호막(250)에 형성되어 크기(d21)를 갖는 제1개구부(255)와 평탄화막(260)에 형성되어 크기(d22)를 갖는 제2개구부(265)를 포함한다. 제2개구부(265)의 크기(d22)를 제1개구부(255)의 크기(d21)보다 크게 형성하여 상기 제1개구부(255)를 완전히 노출시켜 줄 뿐만 아니라 상기 보호막(250)의 일부분도 노출된다.Referring to FIG. 3A, the via
이때, 제1개구부(255)의 크기라 함은 드레인전극(245)중 제1개구부(255)에 의해 노출되는 부분의 단면길이 d21 을 의미하고, 제2개구부(265)의 크기라 함은 드레인 전극(245)과 보호막(250)중 제2개구부(265)에 의해 노출되는 부분의 단면길이 d22 를 의미한다. 또한, 비어홀(267)의 크기는 드레인전극(245)중 비어홀(267)에 의해 노출되는 부분의 단면길이를 의미하므로, 제1개구부(255)의 크기(d21)에 의해 결정되며, 보호막(250)의 노출되는 부분은 제2개구부(265)의 크기(d22)에 의해 결정된다.In this case, the size of the
따라서, 비어홀(267)에 의해 드레인전극(245)의 일부분이 노출될 뿐만 아니라 보호막(250)의 일부분도 노출된다. 그러므로, 유기절연막으로 된 평탄화막(260)상에 금속물질, 예를 들어 AlNd로 된 반사막(271)과 투명도전막(275)의 하부전극(270)을 형성하게 되면, 비어홀(267)내에서 상기 반사막(271)이 노출된 드레인전극(245)과 전기적으로 연결되며 또한 노출된 보호막(250)과 접촉되므로 금속전극이 무기절연막상에 형성되므로 비어홀내에서의 하부전극(270)의 접착력이 향상된다.Accordingly, not only a portion of the
도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 단면도로서, 도 3a에서와 같이 드레인전극 및 비어홀에 한정하여 도시한 것이다.FIG. 3B is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention, and is limited to the drain electrode and the via hole as shown in FIG. 3A.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치는 도 2에 도시된 바와같은 방식으로 제조되며, 하부전극(270)의 구조만이 일실시예와 상이하다.Referring to FIG. 3B, an organic light emitting display device according to another embodiment of the present invention is manufactured in the manner as shown in FIG. 2, and only the structure of the
즉, 반도체층(210), 게이트전극(225) 및 소오스/드레인전극(241), (245)을 구비하는 박막 트랜지스터를 스위칭소자로서 절연기판(200)상에 형성한 다음, 상기 소오스/드레인 전극(241), (245)과 층간 절연막(230)상에 무기절연막으로 된 보호 막(250)을 증착한다.That is, a thin film transistor including a
상기 보호막(250)을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(241), (245)중 드레인전극(245)의 일부분을 노출시키는 제1개구부(255)을 형성한다. 상기 개구부(255)를 포함한 보호막(250)상에 유기절연막으로 된 평탄화막(260)을 형성한 다음 식각하여 상기 드레인 전극(245)의 일부분과 보호막(250)의 일부분이 노출되도록 제2개구부(265)를 형성한다. The
비어홀(267)은 보호막(250)에 형성되어 크기(d31)를 갖는 제1개구부(255)와 평탄화막(260)에 형성되어 크기(d32)를 갖는 제2개구부(265)를 포함한다. 기판전면에 AlNd와 같은 반사막(271)을 증착한 다음 상기 드레인전극(245)의 일부분이 제3개구부(273)을 통해 노출되도록 패터닝한다. 상기 반사막으로 AlNd 외에 Al, Al합금막, Ag, Ag 합금막을 사용할 수도 있다. 상기 평탄화막은 이미드계 유기절연막, 아크릴계 유기절연막, BCB, SOG 등을 사용한다.The via
상기 드레인 전극(245)의 일부분을 노출시키는 개구부(273)를 구비한 반사막(271)과 평탄화막(260)상에 ITO, IZO 와 같은 투명도전막(275)을 증착한 다음 패터닝하여 반사막(271)과 투명도전막(275)을 구비한 하부전극(270)을 형성한다. 이후 일 실시예에서와 마찬가지로 발광층을 구비하는 유기막층과 캐소드전극인 상부전극을 형성한다.A
이때, 반사막(271)에 개구부(273)를 형성하는 이유는 비어홀(267)을 통해 반사막(271)과 드레인전극(245)이 전기적으로 연결될 때 드레인전극(245)과 반사막(271)의 계면에 알루미늄산화막(Al2O3)이 형성되어 콘택저항이 증가하는 것 을 방지하기 위한 것이다. 그러므로, 하부전극(270)중 투명도전막(275)이 비어홀(267)내에서 제3개구부(273)를 통해 콘택되도록 하는 것이다. In this case, the reason why the
다른 실시예에서는, 제2개구부(265)의 크기(d32)를 제1개구부(255)의 크기(d21)보다 크게 형성하여 상기 제1개구부(255)를 완전히 노출시켜 줄 뿐만 아니라 상기 보호막(250)의 일부분도 노출된다. 또한, 반사막(271)의 제3개구부(273)의 크기(d33)를 상기 평탄화막(260)에 형성된 제2개구부(265)의 크기(d32)보다 작게 형성한다. 이때, 제3개구부(273)의 크기라 함은 드레인 전극(245)과 보호막(250)중 제2개구부(265)에 의해 노출되는 부분의 단면길이 d33 를 의미한다. In another embodiment, the size d32 of the
만약, 제3개구부(273)의 크기(d33)가 제2개구부(265)의 크기보다 큰 경우에는, 반사막(271)의 패터닝시 하부의 유기 평탄화막(260)이 과도식각되어 언더컷의 발생으로 투명도전막(275)의 스텝커버리지가 열악하여 단선불량을 초래하기 때문이다. 그러므로, 반사막(265)에 형성되는 제3개구부(273)는 투명도전막의 불량을 방지하기 위해서는 상기 평탄화막(260)에 형성되는 제2개구부(265)의 크기(d32)보다는 작게 형성하고, 콘택저항의 증가를 방지하기 위해서는 보호막(250)에 형성되는 제1개구부(255)의 크기(d31)보다는 같거나 크게 형성하는 것이 바람직하다. If the size d33 of the
따라서, 비어홀(267)내에서 하부전극(270)의 투명도전막(275)이 노출된 드레인전극(245)과 전기적으로 연결되어 콘택저항의 증가를 방지하며 또한 노출된 보호막(250)과 접촉되므로 비어홀내에서의 하부전극(270)의 접착력이 향상된다.Accordingly, in the via
본 발명의 실시예에서는 보호막(250)의 제1개구부(255)가 평탄화막(260)의 제2개구부(265)에 완전히 오버랩되도록 얼라인되어 형성되었지만, 상기 평탄화막(260)의 제2개구부(265)가 보호막(250)의 제1개구부(255)의 일부분과 오버랩되도록 미스얼라인되어 형성하는 것도 가능하다. 이 경우 제2개구부(265)에 의해 드레인 전극(245)의 일부분이 노출되어 하부전극(270)과의 전기적인 연결을 제공함과 동시에 보호막(250)의 적어도 일측부분이 노출되어 하부전극(270)이 무기절연막상에 형성되도록 함으로써 접착력을 향상시킬 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the
또한, 본 발명의 실시예에서는 평탄화막(260)에 형성되는 제2개구부(265)이 보호막(250)에 형성되는 제1개구부(255)의 크기보다 크게 형성하는 것을 한정하였으나, 적어도 상기 드레인전극(245)의 일부분이 노출되도록 상기 평탄화막(260)의 제2개구부(265)를 보호막(250)의 제1개구부(255)의 일부분과 오버랩되도록 미스얼라인시켜 형성하는 경우에는 제2개구부(265)를 제1개구부(255)의 크기에 무관하게 형성하는 가능하다. 이 경우도 제2개구부(265)에 의해 드레인 전극(245)의 일부분이 노출되어 하부전극(270)과의 전기적인 연결을 제공함과 동시에 보호막(250)의 적어도 일측부분이 노출되어 하부전극(270)이 무기절연막상에 형성되도록 함으로써 접착력을 향상시킬 수 있다.Further, in the exemplary embodiment of the present invention, the
본 발명의 실시예는 소오스/드레인전극과 화소전극사이에 형성되는 절연막을 유기평탄화막으로 사용하는 경우에 적용하였으나, 다른 실시예로서 금속배선 등과 같이 도전막사이에 절연막으로 유기평탄화막이 사용되는 경우에도 적용가능하다.An embodiment of the present invention is applied to the case where an insulating film formed between a source / drain electrode and a pixel electrode is used as an organic flattening film. However, as another embodiment, an organic flattening film is used as an insulating film between conductive films such as metal wiring. Applicable to
상기한 바와같은 본 발명의 유기전계 발광표시장치는 무기보호막상에 유기평탄화막을 형성하는 경우 무기보호막에 형성되는 개구부보다 유기 평탄화막에 형성 되는 개구부를 더 크게 형성하여 비어홀의 측벽에서 하부전극을 무기보호막과 접촉시켜 줌으로써, 하부전극의 박리현상을 방지할 수 있는 이점이 있다.In the organic light emitting display device of the present invention as described above, when the organic flattening film is formed on the inorganic protective film, the opening formed in the organic flattening film is formed larger than the opening formed in the inorganic protective film so that the lower electrode is formed on the sidewall of the via hole. By contacting the protective film, there is an advantage in that the peeling phenomenon of the lower electrode can be prevented.
또한, 본 발명은 하부전극이 반사막과 투명도전막을 구비하는 경우, 반사막이 유기평탄화막을 덮도록 개구부를 형성하여 줌으로써, 콘택저항을 감소시키고, 개구부형성을 위한 패터닝공정시 유기 평탄화막의 언더컷을 방지하여 하부전극의 쇼트불량을 방지할 수 있다.In addition, when the lower electrode includes a reflective film and a transparent conductive film, the opening is formed so that the reflective film covers the organic flattening film, thereby reducing contact resistance and preventing undercut of the organic flattening film during the patterning process for forming the opening. Short failure of the lower electrode can be prevented.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040050483A KR20060001377A (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040050483A KR20060001377A (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060001377A true KR20060001377A (en) | 2006-01-06 |
Family
ID=37104533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040050483A KR20060001377A (en) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060001377A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100683676B1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | OLED with improved via hole |
KR100770265B1 (en) * | 2006-11-03 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and fabrication method thereof |
KR100805151B1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof |
KR101254560B1 (en) * | 2006-06-29 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
KR101295192B1 (en) * | 2006-06-29 | 2013-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
US8785940B2 (en) | 2011-05-16 | 2014-07-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
US8987712B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
US10600854B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit |
US11335749B2 (en) | 2016-04-04 | 2022-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
-
2004
- 2004-06-30 KR KR1020040050483A patent/KR20060001377A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100683676B1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | OLED with improved via hole |
KR101254560B1 (en) * | 2006-06-29 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
KR101295192B1 (en) * | 2006-06-29 | 2013-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same |
KR100805151B1 (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof |
KR100770265B1 (en) * | 2006-11-03 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and fabrication method thereof |
US8785940B2 (en) | 2011-05-16 | 2014-07-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
US8987712B2 (en) | 2012-04-19 | 2015-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device |
US10600854B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit |
US11335749B2 (en) | 2016-04-04 | 2022-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
US11610955B2 (en) | 2016-04-04 | 2023-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with protection and encapsulation layers to seal display unit |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4113197B2 (en) | Organic electroluminescence display | |
JP4864546B2 (en) | Organic EL display device and manufacturing method thereof | |
US10797124B2 (en) | Organic light emitting display substrate and manufacturing method thereof | |
KR100659765B1 (en) | Organic electroluminescence display device and fabricating method of the same | |
US8604688B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same | |
CN107293569B (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
US20080224600A1 (en) | Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same | |
TWI629778B (en) | Organic light-emitting display device | |
CN101436608A (en) | Organic light emitting display apparatus | |
KR100667081B1 (en) | Organic light emitting display device and the methode for fabricating the same | |
JP2007250244A (en) | Electroluminescent device, electronic apparatus, and manufacturing method of electroluminescent device | |
TWI699024B (en) | Organic light-emitting display device | |
US7626204B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
KR101668166B1 (en) | Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate | |
KR20190061739A (en) | Organic light emitting device | |
US6850000B1 (en) | Thin film transistor organic light emitting diode structure | |
KR20170065069A (en) | Thin film transistor array panel and organic light emitting diode display including the same | |
KR20060001377A (en) | Oled with improved adhesion of pixel electrode in via hole | |
US20220310730A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
KR100669715B1 (en) | OLED and method for fabricating the same | |
KR102595921B1 (en) | Display apparatus and method thereof | |
KR20210086343A (en) | Display apparatus having a substrate hole | |
CN211265481U (en) | Double-sided OLED display structure | |
KR100700499B1 (en) | Organic Electroluminescence Display Device and Fabricating Method of the same | |
KR100546668B1 (en) | Method for Organic electroluminescence display pannel fabrication |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |