KR20050122134A - 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치 및 그를이용한 고주파 전력 인가 방법 - Google Patents

플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치 및 그를이용한 고주파 전력 인가 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치 및 그를 이용한 고주파 전력 인가 방법이 개시된다. 개시된 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치는 소정의 플라즈마 공정을 실시하기 위하여 고주파 전력을 발생시키는 고주파 발진기와 고주파 전력을 인가 받아 플라즈마를 형성하도록 제1,2전극에 전력을 소정의 배율로 분배 공급하는 전력 분배기와 고주파 발진기의 출력 임피던스와 전력 분배기의 입력 임피던스를 일치시키는 임피던스 정합기와 전력 분배기를 통해 출력되는 전력 값을 감지하는 복수개의 전력 값 감지기와 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값을 전달받아 저장하고 그 값을 출력하기 위한 소정의 명령어 처리를 실시하는 제어기 및 제어기를 통해 명령어 처리된 전력 값을 출력하는 표시기를 포함한다.

Description

플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치 및 그를 이용한 고주파 전력 인가 방법{RADIO FREQUENCY POWER IMPRESSION APPARATUS AND METHOD FOR PLASMA PROCESSING EQUIPMENT}
본 발명은 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 장치 및 그를 이용한 고주파 전력 인가 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 각 전극으로 인가되는 고주파 전력의 출력 상태를 감지하여 표시기를 통하여 가시화하고 이상 상태가 발생할 경우 알람을 발생시키는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 장치 및 그를 이용한 고주파 전력 인가 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 실리콘 웨이퍼 상에 제조공정을 반복적으로 진행하여 완성되며, 반도체 제조공정은 확산공정, 식각 공정, 포토 리소 그래피 공정 및 성막 공정 등으로 나눌 수 있다.
이러한 공정 중 식각 공정은 크게 습식 식각과 건식 식각으로 나눌 수 있으며, 습식 식각은 소자의 최소 선폭이 수백 내지 수십 마이크로대의 LSI 시대에 범용으로 적용되었으나 VLSI, ULSI소자에는 등방성 식각이 보이는 집적도의 한계 때문에 거의 사용되지 않고 있다. 따라서 현재 일반적으로 건식 식각을 사용하고 있으며, 건식 식각 설비 중 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 초 미세 가공하는 공정설비는 공정 챔버에서 가스와 고주파 전력 등 각종 요소를 이용하여 공정을 진행할 때 외부와 완전히 차단된 초고진공을 요구하고 있다.
이러한 공정 챔버에서 가스와 고주파 전력 등을 이용하여 식각 공정을 수행하는 반도체장치 제조설비에는 고주파 전력을 이용하여 공급되는 공정가스를 플라즈마 상태로 변환시켜 웨이퍼 상의 상면 또는 패턴 마스크로부터 노출되는 부위에서 반응토록 하여 공정을 수행하는 것이 있다.
이러한 플라즈마를 이용한 식각 공정은 고주파 전력이 인가되는 상·하부 전극에 고주파 전력을 인가하고, 상·하부 전극 사이에 위치되는 웨이퍼에 대하여 플라즈마상태로 변환되는 공정가스를 반응토록 함으로써 이루어진다. 여기서, 상술한 플라즈마 영역에 의한 반응은 웨이퍼의 상면 전역에서 균일하게 이루어져야 하며, 그 일환으로 상·하부 전극에 고주파 전력을 바르게 인가시키는 것이 요구된다.
도 1은 종래의 고주파 인가장치의 적용 예를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 고주파 전력(RF)을 발생시키기는 고주파 발진기(1)와, 고주파 전력을 인가 받아 플라즈마를 형성하도록 제1,2전극(3,5)에 전력을 공급하는 전력 분배기(7)와, 고주파 발진기(1)의 출력 임피던스와 전력 분배기(7)의 입력 임피던스를 정합시키는 임피던스 정합기(9)로 구성된다.
전력 분배기(7)의 일측은 임피던스 정합기(9)와 케이블(11a)을 통해 접속되어 있고, 타측은 케이블(11b,11c)을 매개로 제 1,2전극(3,5) 양자에 각각 접속되어 임의의 배율로 분배되도록 되어 있다.
다음은 이와 같이 구성된 고주파 인가장치의 동작과정에 대해서 설명한다.
고주파 발진기(1)의 고주파 전력(RF)을 이용하여 메인 에칭을 하는 경우, 고주파 발진기(1)에서 발생된 고주파 전력을 전력 분배기(7)에 사용함에 있어서 상기 고주파 발진기(1)의 출력 임피던스와 전력 분배기(7)의 입력 임피던스가 일치하지 않으면, 고주파 발진기(1)에서 출력되는 고주파 전력이 임피던스 불일치에 의해 반사되어 고주파 발진기(1)가 소손 된다.
따라서, 임피던스의 불일치에 의한 반사를 방지하기 위하여 상기 고주파 발진기(1)의 출력 임피던스와 전력 분배기(7)의 입력 임피던스를 일치시키기 위한 임피던스 정합기(9)를 사용하게 된다.
그러므로, 임피던스 정합기(9)는 메인 에칭이 시작되기 이전에 우선 임피던스 정합을 실시한 후, 상기 에칭 동작을 실시하게 된다.
그러나, 종래에는 제1,2전극(3,5)에 인가되는 고주파 전력 상태를 감지하는 아무런 장치가 구비되어 있지 않았다. 따라서, 제 1,2 전극(3,5)에 고주파 전력이 정상적으로 전달되는지 감지가 불가능 할 뿐만 아니라 심지어 상기 케이블(11b,11c)중 어느 하나가 연결이 잘못 되어 있더라도 고주파 전력이 제1,2전극(3,5)에 각각 인가된 상태로 판단하고 공정을 그대로 진행하였다. 그리하여, 공정 에러가 발생됨은 물론 대형 공정 사고가 발생될 위험성이 높았다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출 된 것으로서, 본 발명의 목적은 전력 분배기를 통하여 출력되는 전력 값을 감지하여 표시기를 통하여 가시화가 가능토록 하고, 이상 상태가 발생할 경우 알람을 유발하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 장치를 통한 고주파 전력 인가 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1실시 예는 소정의 플라즈마 공정을 실시하기 위하여 고주파 전력을 발생시키는 고주파 발진기와; 상기 고주파 전력을 인가 받아 플라즈마를 형성하도록 제1,2전극에 전력을 소정의 배율로 분배 공급하는 전력 분배기와; 상기 고주파 발진기의 출력 임피던스와 상기 전력 분배기의 입력 임피던스를 일치시키는 임피던스 정합기와; 상기 전력 분배기를 통해 출력되는 전력 값을 감지하는 복수개의 전력 값 감지기와; 상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값을 전달받아 저장하고 그 값을 출력하기 위한 소정의 처리동작을 실시하는 제어기; 및 상기 제어기를 통해 명령어 처리된 상기 전력 값을 출력하는 표시기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치를 제공한다.
상기 전력 값 감지기는 상기 제1,2전극의 입력단 측에 설치된 것이 바람직하다.
상기 표시기는 상기 전력 값 감지기를 통해 전달된 전력 값을 실시간으로 표시될 수 있으며, 상기 제어기에 저장된 전력 값을 사용자의 지정상태에 따라 불러낼 수 있도록 조작기가 추가로 포함되고; 상기 제어기는 상기 조작기에 의해 선택된 조건에 대응하는 데이터를 상기 표시기를 통하여 출력하도록 할 수 있다.
상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값이 설정된 허용 오차 범위를 넘을 경우 알람을 발생시키는 경보기가 추가로 포함되고, 상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값이 설정된 허용 오차 범위를 넘을 경우 상기 공정 동작을 멈추게 하는 인터록 수단이 추가로 포함될 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2실시 예는 소정의 플라즈마 공정을 실시하기 위한 고주파 전력을 발진하고; 상기 고주파전력을 복수개의 전극에 소정의 비율로 분배하고; 상기 분배된 고주파 전력을 복수개의 전극에 인가하고; 상기 전극으로 분배되는 고주파 전력 값을 감지하고; 상기 감지된 고주파 전력 값을 저장수단을 통하여 저장하고; 상기 감지된 고주파 전력 값을 제어기의 처리동작에 의해 표시기를 통하여 출력하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법을 제공한다.
상기 고주파 전력 값 감지단계에서 감지되는 전력 값은 실시간으로 상기 표시기를 통하여 출력되도록 하고, 상기 저장수단을 통하여 저장된 고주파 전력 값은 사용자의 선택에 따라 선택되고; 상기 선택된 데이터는 상기 제어기의 처리동작에 따라 상기 표시기로 출력되는 것이 추가로 포함될 수 있다.
상기 고주파 전력 값을 감지하는 위치는 상기 전극의 입력단으로 하는 것이 바람직하다.
상기 고주파 전력 값을 감지하는 단계에서 감지된 전력 값을 기준 값과 비교 판단하고; 상기 비교 판단 단계에서 판단된 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 알람을 발생시키는 것이 추가로 포함될 수 있으며, 상기 고주파 전력 값을 감지하는 단계에서 감지된 전력 값을 기준 값과 비교 판단하고; 상기 비교 판단 단계에서 판단된 오차 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 상기 공정 동작을 멈추게 하는 인터록 신호가 발생되도록 할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 구성 및 작용에 대해서 더욱 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 의한 고주파 전력 인가 장치가 적용된 플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 도면으로서, 플라즈마 처리장치 중 에칭 설비에 적용된 일 예를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 에칭 설비(1)의 챔버(11)내에는 상부전극(13) 및 하부전극(15)이 대면하도록 설치된다. 챔버(11)는 예를 들면 산화 알루마이트 처리된 알루미늄 판을 원통형상으로 성형한 것이다.
하부전극(15)은 지지대(17)에 의하여 지지되며, 지지대(17)의 내부에는 냉매실(17a)이 형성된다. 이 냉매실(17a))에는 도입관(19) 및 배출관(21)을 통하여 냉매공급원이 연이어 통하도록 구성된다.
하부전극(15)의 상측에는 정전 척(23)이 설치되며, 하부전극(15)의 상단 둘레 가장 자리에는 정전 척(23)상의 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 고리형상의 포커스 링(25)이 배치된다. 이 포커스 링(25)은 반응성 이온을 끌어당기지 않도록 절연성의 재질로 이루어지고, 플라즈마에 의하여 발생한 반응성 이온, 라디컬 등의 활성 종을 웨이퍼(W)로 향하여 효과적으로 입사되도록 하는 기능을 한다.
상부전극(13)의 아래 면은 하부전극(15)의 상면으로부터 소정 간격 떨어져 배치되고, 상부전극(13)은 절연재(27)를 통하여 챔버(11)의 상부에 지지된다. 상부전극(13)의 아래 면에는 다수개의 가스구멍(29a)이 개구되고 예를 들면 SiC 또는 아몰포스 카본으로 이루어지는 전극판(29)이 지지부재(31)에 의하여 지지된다. 지지부재(31)는 표면이 산화 알루마이트 처리된 알루미늄으로 만들어진다. 지지부재(31)의 중앙에는 가스 도입구(33)가 설치된다. 가스 도입구(33)로 공급되는 에칭가스로서는 CF4가스, C4F8가스, Cl2 가스등이 사용된다. 처리 챔버(11)의 내부는 도시되지 않은 펌프에 의해 소정의 진공상태를 이룬다.
이러한 구성을 통해 상부전극(13) 및 하부전극(15)에 고주파 전력이 인가되고, 상부전극(13) 및 하부전극(15) 사이에 위치된 웨이퍼(W)측으로 공급되는 가스는 플라즈마 상태를 이루며, 그 플라즈마에 의하여 발생한 반응성 이온, 라디컬 등의 활성 종이 웨이퍼(W)를 향하여 입사되어 에칭 공정이 진행된다.
다음은 챔버(11)의 내부에서 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 상부전극(13) 및 하부전극(15)에 고주파 전력을 인가 하는 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
고주파 전력 인가 장치는 고주파를 발진시키는 고주파 발진기(51)를 가진다. 고주파 발진기(51)는 임피던스 정합기(53)와 접속되고, 임피던스 정합기(53)는 전력 분배기(55)와 연결된다. 전력 분배기(55)는 케이블(57a)에 의해 일측이 임피던스 정합기(53)와 연결되고, 케이블(57b,57c)에 의해 에칭 설비의 상부전극(13) 및 하부전극(15)에 각각 접속된다.
따라서, 고주파 발진기(51)에서 발생된 고주파 전력을 전력 분배기(55)에 사용함에 있어서 상기 고주파 발진기(51)의 출력 임피던스와 전력 분배기(55)의 입력 임피던스가 일치하지 않으면, 고주파 발진기(51)에서 출력되는 고주파 전력이 임피던스 불일치에 의해 반사되어 고주파 발진기(51)가 소손된다.
따라서, 임피던스의 불일치에 의한 반사를 방지하기 위하여 상기 고주파 발진기(51)의 출력 임피던스와 전력 분배기(55)의 입력 임피던스를 일치시키기 위한 임피던스 정합기(53)를 사용하게 된다. 그러므로, 상기 임피던스 정합기(53)는 메인 에칭이 시작되기 이전에 우선 임피던스 정합을 실시한 후, 상기 에칭 동작을 실시한다.
한편, 전력 분배기(55)를 통하여 출력되는 전력이 상·하부 전극(13,15)에 올바르게 전달되는 지 여부를 체크하기 위한 장치가 구성된다.
그 구성을 살펴보면, 전력 분배기(55)로 출력되는 전력 값을 감지하는 전력 값 감지기(61a,61b)와, 전력 값 감지기(61a,61b)를 통해 감지된 전력 값을 전달받고, 소정의 명령어 처리를 통해 표시기(63)를 통하여 측정된 전력 값을 출력하도록 하는 제어기(65)로 구성된다. 여기서, 제어기(65)는 상기 전력 값을 저장하는 저장수단이 기본적으로 구성되어야 함은 물론이다.
제어기(65)는 상기 전력 값 감지기(61a,61b)를 통해 감지된 전력 값을 기준 값과 비교 판단하여 오차 값을 산출하고, 그 오차 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 경보기(67)를 통하여 이상상태를 알리는 명령어 처리를 수행한다. 또한, 상기 오차 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 인터록 수단(69)이 동작되도록 하는 명령어 처리를 수행하여 에칭 설비(1)의 공정이 더 이상 진행되지 않도록 할 수 있다.
이에 더하여, 제어기(65)는 상기 전력 값 감지기(61a,61b)를 통해 저장된 전력 값을 표시기(63)를 통하여 실시간으로 표시되도록 하는 명령어를 출력하여 작업자가 실시간으로 상·하부전극(13,15)에 인가되는 전력 상태를 확인하도록 할 수 있다.
전력 값 감지기(61a,61b)는 케이블(57b,57c)상의 어느 위치에 설치되어도 무방하나, 상·하부전극(13,15)의 입력단(13a,15a) 측에 설치됨이 가장 바람직하다. 이는 상·하부전극(13,15)에 인가되는 가장 실질적인 전력 값을 측정 가능하기 때문이다.
한편, 상술한 구성에 더하여, 조작기(71)가 추가로 구성되어 사용자가 표시기(63)를 통하여 출력하고자 하는 조건을 지정하면, 제어기(65)는 사용자가 지정한 조건에 해당하는 데이터를 표시기(63)를 통해 출력하도록 소정의 명령어 처리를 수행하도록 할 수 있다. 여기서, 사용자의 지정 조건은 예컨대, 시간의 흐름에 따라 저장된 전력 값에 대한 데이터를 기초로 소정의 시간대에 해당하는 전력 값을 지정하면, 해당하는 전력 값이 출력되도록 하는 것이다.
다음은 상술한 구성을 통하여 상·하부전극(13,15)에 고주파 전압을 인가하고, 상·하부 전극(13,15)에 인가되는 전력 값을 감지하여 알람을 발생시킴과 아울러 인터록 기능을 수행하는 동작에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
이하의 설명에 있어서, 에칭 설비(1)의 구체적 동작 과정에 대해서는 생략하고, 본 발명이 핵심 사항인 고주파 전압 인가 과정에 대해서만 집중적으로 설명하기로 한다.
도 3은 상기 본 발명에 의한 고주파 전력 인가 장치를 통한 고주파 전력을 인가하는 과정을 도시한 순서도이다.
도 3을 참조하면, 고주파 발진기(51)를 통하여 플라즈마 에칭 공정을 실시하기 위한 고주파 전력이 발진(S110)된다. 그 발진된 고주판 전력은 전력 분배기(55)를 통하여 임의의 배율로 분배(S120)되어 상·하부전극(13,15)에 각각 인가(S120)된다. 분배된 고주파 전력이 상·하부전극(13,15)에 인가되는 동안 고주파 발진기(51)의 출력 임피던스와 전력 분배기(55)의 입력 임피던스를 일치시키기 위한 임피던스 정합 동작이 실시(S115)된다.
다음, 상·하부전극(13,15)에 고주파 전력이 인가되는 동안 전력 값 감지기(61a, 61b)는 전력 분배기(55)를 통해 출력되는 고주파 전력 값을 지속적으로 감지(S140)하여 제어기(65)로 신호를 전달하면 별도의 저장수단을 통해 감지된 전력값이 저장(S150)된다.
그러면, 제어기(65)는 일련의 명령어 처리 동작을 수행하여 표시기(63)로 측정된 전력 값이 표시(160)되도록 한다. 이때, 표시기(63)를 통해 출력되는 전력 값은 실시간으로 제공되어 설비 상태를 지속적으로 모니터링 할 수 있다.
또한, 사용자가 별도의 조작기를 통하여 출력하고자 하는 "조건"을 지정(S170)하면 표시기(63)를 통하여 지정된 조건에 해당하는 전력 값이 디스플레이 된다(S180). 여기서, "조건"이라 함은 저장수단을 통해 시간의 흐름에 따라 저장된 전력 값을 불러내기 위한 조건을 의미하는 것으로서, 현재 이전의 상태에서 측정된 전력 값을 사용자가 모니터링 하고자 하여 그에 해당하는 시간을 지정하면 표시기(63)를 통하여 지정된 전력 값이 출력(S180)된다.
한편, 상기 전력 값 감지기(61a,61b)를 통하여 측정된 전력 값이 제어기(65)로 전달되면 제어기(65)는 기준 값과 비교 판단하여 오차 값의 범위를 판단(S190)한다.
그 오차 값의 범위가 허용범위를 넘을 경우 경보기(67)를 동작시켜 알람을 발생(S200)시킨다. 이와 더불어 인터록 수단(69)을 통해 인터록 신호를 발생시켜 에칭 설비(1)의 공정을 멈추도록 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 전력 분배기를 통해 분배되어 각 전극으로 인가되는 전력 값을 감지하여 표시기를 통해 가시화 함으로써 고주파 전력 인가 상태를 모니터링 하여 공정 에러가 발생되는 것을 사전에 방지할 수 있으며, 이상 상태가 발생할 경우 조속한 후속 조치가 가능토록 하는 이점이 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 일반적인 고주파 전력 인가장치가 전극에 적용된 예를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 의한 고주파 전력 인가 장치가 적용된 플라즈마 처리장치의 구성을 도시한 도면으로서, 플라즈마 처리장치 중 에칭 설비에 적용된 일 예를 도시한 도면이다.
도 3은 상기 본 발명에 의한 고주파 전력 인가 장치를 통한 고주파 전력을 인가하는 과정을 도시한 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 에칭설비 13,15 : 상·하부전극
13a,15a : 입력단 51 : 고주파 발진기
53 : 임피던스 정합기 55 : 전력 분배기
57b,57c : 케이블 63 : 표시기
65 : 제어기 67 : 경보기
69 : 인터록 수단 71 : 조작기

Claims (12)

  1. 소정의 플라즈마 공정을 실시하기 위하여 고주파 전력을 발생시키는 고주파 발진기;
    상기 고주파 전력을 인가 받아 플라즈마를 형성하도록 제1,2전극에 전력을 소정의 배율로 분배 공급하는 전력 분배기;
    상기 고주파 발진기의 출력 임피던스와 상기 전력 분배기의 입력 임피던스를 일치시키는 임피던스 정합기;
    상기 전력 분배기를 통해 출력되는 전력 값을 감지하는 복수개의 전력 값 감지기;
    상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값을 전달받아 저장하고 그 값을 출력하기 위한 소정의 명령어 처리를 실시하는 제어기; 및
    상기 제어기의 명령어 처리를 통해 상기 전력 값을 출력하는 표시기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전력 값 감지기는 상기 제1,2전극의 입력단 측에 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 표시기는 상기 전력 값 감지기를 통해 전달된 전력 값을 실시간으로 표시하도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 제어기에 저장된 전력 값을 사용자의 지정상태에 따라 불러낼 수 있도록 조작기가 추가로 포함되고;
    상기 제어기는 상기 조작기에 의해 선택된 조건에 대응하는 데이터를 상기 표시기를 통하여 출력하도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값이 설정된 허용 오차 범위를 넘을 경우 알람을 발생시키는 경보기가 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 전력 값 감지기를 통해 감지된 전력 값이 설정된 허용 오차 범위를 넘을 경우 상기 공정 동작을 멈추게 하는 인터록 수단이 추가로 포함된 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  7. 소정의 플라즈마 공정을 실시하기 위한 고주파 전력을 발진하고;
    상기 고주파전력을 복수개의 전극에 소정의 비율로 분배하고;
    상기 분배된 고주파 전력을 복수개의 전극에 인가하고;
    상기 전극으로 분배되는 고주파 전력 값을 감지하고;
    상기 감지된 고주파 전력 값을 저장수단을 통하여 저장하고;
    상기 감지된 고주파 전력 값을 제어기의 처리동작에 의해 표시기를 통하여 출력하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 고주파 전력 값 감지단계에서 감지되는 전력 값은 실시간으로 상기 표시기를 통하여 출력되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 고주파 전력 값을 감지하는 위치는 상기 전극의 입력단으로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 저장수단을 통하여 저장된 고주파 전력 값은 사용자의 선택에 따라 선택되고;
    상기 선택된 데이터는 상기 제어기의 처리동작에 따라 상기 표시기로 출력되는 것이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 고주파 전력 값을 감지하는 단계에서 감지된 전력 값을 기준 값과 비교 판단하고;
    상기 비교 판단 단계에서 판단된 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 알람을 발생시키는 것이 추가로 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치의 고주파 전력 인가 방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 고주파 전력 값을 감지하는 단계에서 감지된 전력 값을 기준 값과 비교 판단하고;
    상기 비교 판단 단계에서 판단된 오차 값이 소정의 허용 범위를 넘을 경우 상기 공정 동작을 멈추게 하는 인터록 신호가 발생되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 고주파 전력 인가 방법.
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