KR20050102883A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR20050102883A
KR20050102883A KR1020040028205A KR20040028205A KR20050102883A KR 20050102883 A KR20050102883 A KR 20050102883A KR 1020040028205 A KR1020040028205 A KR 1020040028205A KR 20040028205 A KR20040028205 A KR 20040028205A KR 20050102883 A KR20050102883 A KR 20050102883A
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한광윤
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삼성전자주식회사
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Abstract

반도체 제조설비는 내부에 웨이퍼가 설치되며, 그 상측에는 웨이퍼에 처리액을 적하시키는 노즐부가 설치된 처리공간과, 처리액이 수용된 공급부와, 공급부에서 유입된 처리액이 유입되어 임시저장되며 일측에 드레인라인이 구비된 처리액 임시저장소와, 처리액 임시저장소에 유입된 처리액을 펌핑하여 처리공간으로 공급시키며, 공급부보다 낮게 배치된 펌프 및 공급부와, 임시저장소, 펌프 그리고 처리공간으로 처리액을 이동시키도록 유로를 형성하는 배관을 포함한다.In the semiconductor manufacturing equipment, a wafer is installed inside, and a processing space provided with a nozzle unit for dropping a processing liquid on the wafer, a supply unit containing the processing liquid, a processing liquid introduced from the supply unit are temporarily stored, and drained to one side. The processing liquid temporary storage line is provided, and the processing liquid introduced into the processing liquid temporary storage is pumped and supplied to the processing space, and the processing liquid is moved to the temporary storage, the pump, and the processing space disposed below the supplying part. And a pipe forming a flow path to allow.

Description

반도체 제조설비{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT}Semiconductor Manufacturing Equipment {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조설비의 배관구조상 발생되는 기포가 발생하지 않도록 배관을 재배치하여 반도체 소자의 품질불량을 방지하는 반도체 제조설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility for rearranging piping so as not to generate bubbles generated in the piping structure of the semiconductor manufacturing facility, thereby preventing a poor quality of the semiconductor device.

일반적으로, 반도체 산업은 그 유용성만큼이나 복잡하면서도 매우 정교한 정밀도를 요구하는 많은 종류의 제조설비 및 제조공정을 필요로 한다. 이러한 반도체 제조공정에는 다양한 약품이 사용된다.In general, the semiconductor industry requires many kinds of manufacturing equipment and manufacturing processes that are as complex as their usefulness and require very precise precision. Various chemicals are used in this semiconductor manufacturing process.

특히, 반도체 디바이스 포토리스그래피(PHOTO-LITHOGRAPHY) 공정에서는 반도체 웨이퍼의 포토레지스액을 도포하고, 포토리소그래피 기술을 사용하여 회로 패턴을 포토리지스트에 전사하고, 이것을 현상 처리함으로써 회로가 형성된다.In particular, in a semiconductor device photolithography (PHOTO-LITHOGRAPHY) process, a circuit is formed by applying a photoresist solution of a semiconductor wafer, transferring a circuit pattern to a photoresist using a photolithography technique, and developing it.

이 공정에서는 포토레지스트액을 반도체 웨이퍼 표면에 도포하는 도포막 형성공정이 포함된다.This step includes a coating film forming step of applying the photoresist liquid to the semiconductor wafer surface.

상술한 도포막 형성공정은 스피너(Spinner)설비에 의해 실시되며, 그 스피너 설비는 소정의 처리공간을 형성하는 처리용기와, 처리용기의 내부에 모터에 의해 회전가능하게 설치됨과 아울러 그 상면에 웨이퍼를 흡착고정시키는 스핀척과, 스핀척의 중앙부 상측에 설치되어 웨이퍼의 상측으로 포토레지스트액을 적하시키는 포토레지스트 공급장치로 구성된다.The above-described coating film forming process is carried out by a spinner facility, the spinner facility being a process container for forming a predetermined processing space, rotatably installed by a motor inside the processing container, and a wafer on the upper surface thereof. A spin chuck for adsorption fixation and a photoresist supply device provided above the central portion of the spin chuck to drop the photoresist liquid onto the wafer.

포토레지스트 공급장치는 포토레지스트액이 수용된 포토레지스트 공급부의 밸브를 개방시킨 후, 펌프의 펌핑작용으로 웨이퍼에 포토레지스트 액을 적하시킨다.The photoresist supply apparatus opens the valve of the photoresist supply portion in which the photoresist liquid is contained, and then drops the photoresist liquid onto the wafer by the pumping action of the pump.

여기서, 포토레지스트 공급부와 밸브와 펌프는 배관에 의해 연결된다.Here, the photoresist supply part, the valve and the pump are connected by piping.

그런데, 이러한 반도체 제조설비는 좁은 공간에 많은 부품을 장착하기 위해 포토레지스트 공급부를 펌프보다 낮은 위치에 설치시킨다. 따라서, 펌프가 펌핑작용을 하여 포토레지스트액이 배관을 통과할 때, 배관의 굴곡부에서 기포가 생성된다.However, such a semiconductor manufacturing facility installs a photoresist supply part at a lower position than a pump in order to mount many parts in a narrow space. Therefore, when the pump acts as a pumping action and the photoresist liquid passes through the pipe, bubbles are generated at the bent portion of the pipe.

즉, 펌프보다 낮게 설치된 포토레지스트 공급부에서 포토레지스트액은 배관을 따라 상승할 때, 배관의 굴곡부에서는 포토레지스트액이 채워지지 않는 부분에서 압력차에 따른 기포가 발생된다. 지속적으로 발생되는 기포가 모이면 기포 크기가 커져 기포 크기만큼 배관이 비게 되어 스피너에 공급되는 포토레지스트액이 부족해지는 문제점이 있다.That is, when the photoresist liquid rises along the pipe in the photoresist supply portion installed lower than the pump, bubbles due to the pressure difference are generated in the portion where the photoresist liquid is not filled in the bent portion of the pipe. If bubbles are generated continuously, the bubble size is increased, the pipe is empty by the bubble size, there is a problem that the photoresist liquid supplied to the spinner is insufficient.

또한, 기포가 포토레지스트액과 함께 스피너에 공급되면, 웨이퍼에 적하될 때 기포만큼 포토레지스트액이 부족하여 웨이퍼에 고르게 적하되지 않는 문제점이 발생한다.In addition, when bubbles are supplied to the spinner together with the photoresist liquid, there is a problem that the photoresist liquid is insufficient as much as the bubbles when dropped onto the wafer, and thus it is not evenly dropped onto the wafer.

한편, 포토레지스트 공급부에서 펌프로 공급되는 포토레지스트액은 밸브를 통해 펌프로 이동되는데, 밸브가 펌프보다 상측에 설치되면, 포토레지스트액이 밸브측으로 상승이동하면서 배관의 굴곡부에서 발생된 기포가 밸브에서 모이게 된다. 밸브에 모인 기포는 시간이 흐르면서 커지므로 포토레지스트액이 이동될 때 배관이 비게 되거나 기포가 펌프에 유입되어 펌프의 성능을 저하시키는 문제점이 있다.On the other hand, the photoresist liquid supplied from the photoresist supply unit to the pump is moved to the pump through the valve. When the valve is installed above the pump, bubbles generated at the bent portion of the pipe as the photoresist liquid moves upward to the valve side are discharged from the valve. Are gathered. Since the bubbles collected in the valve increase as time passes, the pipe becomes empty when the photoresist liquid is moved or bubbles are introduced into the pump, thereby degrading the performance of the pump.

그리고, 포토레지스트 공급부에서 배출된 포토레지스트액은 포토레지스트액 임시저장소를 통과하게 되는데, 포토레지스트액 임시저장소가 포토레지스트공급부에서 공급되는 포토레지스트액의 양보다 협소하면 포토레지스트액 임시저장소에서 웨이퍼로 적하되고 남은 포토레지스트액을 배출시키기 위해 N₂를 가압할 때, 압력차에 의해 발생된 기포가 포토레지스트 공급부에서 공급된 포토레지스트액과 섞여 배관으로 유입되어 웨이퍼에 적하되는 문제점이 있다.Then, the photoresist liquid discharged from the photoresist supply portion passes through the photoresist liquid temporary storage. When the photoresist liquid temporary storage is narrower than the amount of photoresist liquid supplied from the photoresist supplying portion, the photoresist liquid temporary storage is transferred from the photoresist liquid temporary storage to the wafer. When N 2 is pressurized to discharge the remaining photoresist liquid, bubbles generated by the pressure difference are mixed with the photoresist liquid supplied from the photoresist supply unit and flow into the pipe to be dropped onto the wafer.

따라서, 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 포토레지스트 공급부는 밸브와 펌프보다 상측에 배치되어 기포 발생을 억제하는 반도체 제조설비용 배관구조를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention for solving the above problems is to provide a piping structure for a semiconductor manufacturing equipment which is arranged above the photoresist supply portion and suppresses bubble generation.

본 발명의 다른 목적은 포토레지스트액 임시저장소에서 발생하는 기포가 포토레지스트액과 섞이지 않도록 하는 반도체 제조설비용 배관구조를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a piping structure for semiconductor manufacturing equipment in which bubbles generated in a temporary photoresist liquid reservoir do not mix with the photoresist liquid.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 내부에 웨이퍼가 설치되며, 그 상측에는 웨이퍼에 처리액을 적하시키는 노즐부가 설치된 처리공간과, 처리액이 수용된 공급부와, 상기 공급부에서 유입된 처리액이 유입되어 임시저장되며 일측에 드레인라인이 구비된 처리액 임시저장소와, 상기 처리액 임시저장소에 유입된 처리액을 펌핑하여 상기 처리공간으로 공급시키며, 상기 공급부보다 낮게 배치된 펌프 및 상기 공급부와, 상기 임시저장소, 상기 펌프 그리고 상기 처리공간으로 처리액을 이동시키도록 유로를 형성하는 배관을 포함하는 반도체 제조설비를 제공한다.According to the present invention for achieving the above object, a wafer is provided inside, a processing space provided with a nozzle unit for dropping a processing liquid on the wafer, a supply unit containing a processing liquid, and a processing liquid introduced from the supply unit. A processing liquid temporary storage inlet and temporarily stored and having a drain line at one side thereof, and pumping the processing liquid introduced into the processing liquid temporary storage to the processing space, the pump and the supplying unit disposed lower than the supplying unit; It provides a semiconductor manufacturing facility comprising a pipe for forming a flow path for moving the processing liquid to the temporary storage, the pump and the processing space.

상기 처리액 임시저장소와 상기 펌프 사이에는 밸브가 설치되어 밸브의 개폐유무에 따라 처리액이 이동되며, 상기 밸브는 상기 펌프보다 낮게 설치된 것이 바람직하다.A valve is installed between the treatment liquid temporary storage and the pump to move the treatment liquid according to whether the valve is opened or closed, and the valve is preferably installed lower than the pump.

상기 처리액 임시저장소와 상기 펌프 사이에는 밸브가 설치되어 밸브의 개폐유무에 따라 처리액이 이동되며, 상기 밸브는 상기 펌프와 수평하게 배치된 것이 바람직하다.A valve is installed between the treatment liquid temporary storage and the pump to move the treatment liquid according to whether the valve is opened or closed, and the valve is preferably arranged horizontally with the pump.

상기 처리액 임시저장소는 상기 공급부에서 유입되는 처리액의 양보다 크게 형성된 것이 바람직하다.The treatment liquid temporary storage is preferably formed larger than the amount of the treatment liquid flowing from the supply.

상기 처리액은 포토레지스트액인 것이 바람직하다.It is preferable that the said processing liquid is a photoresist liquid.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 배관구조의 일실시예를 도시한 도면이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 처리액을 웨이퍼(W)에 도포하는 스피너는 처리공간(50)이 구비되고, 처리공간(50)의 상측에는 척(51)에 안착된 웨이퍼(W)에 처리액을 적하시키는 노즐부(53)가 설치되고, 처리액은 공급부(10)에 수용된다.1 is a view showing an embodiment of a piping structure for a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention. As shown in this figure, the spinner for applying the processing liquid to the wafer W is provided with a processing space 50, and is processed on the wafer W seated on the chuck 51 above the processing space 50. The nozzle part 53 which drips a liquid is provided, and the process liquid is accommodated in the supply part 10.

공급부(10)는 제1공급부(11)와 제2공급부(13)로 나누어 지고, 제1공급부(11)와 제2공급부(13)는 각각 설치된 제1,2밸브(11a,13a)의 개폐에 의해 처리액을 처리액 임시저장소(20)로 공급시킨다. 즉, 처리액이 제1밸브(11a)의 개방에 의해 처리액 임시저장소(20)로 공급되어 소진되면, 제2공급부(13)의 제2밸브(13a)의 개방에 의해 처리액 임시저장소(20)로 처리액을 공급하도록 구성된다.The supply unit 10 is divided into a first supply unit 11 and a second supply unit 13, and the first supply unit 11 and the second supply unit 13 open and close the first and second valves 11a and 13a, respectively. By the treatment liquid is supplied to the treatment liquid temporary storage (20). That is, when the processing liquid is supplied to the processing liquid temporary storage 20 by the opening of the first valve 11a and is exhausted, the processing liquid temporary storage (by the opening of the second valve 13a of the second supply part 13) 20) to supply the treatment liquid.

처리액 임시저장소(20)는 유입구측에 N₂를 가압하는 가압라인(21)이 설치되고, 일측에는 처리액 임시저장소(20)에 존재하는 기포 및 잔존 처리액을 배출시키는 드레인라인(23)이 설치된다.The treatment liquid temporary storage 20 has a pressurizing line 21 for pressurizing N2 at an inlet side, and a drain line 23 for discharging bubbles and remaining treatment liquid existing in the treatment liquid temporary storage 20 at one side thereof. Is installed.

이때, 펌프(40)는 공급부(20)보다 낮게 설치된 것이 바람직하다.At this time, the pump 40 is preferably installed lower than the supply unit 20.

제1,2공급부(11,13)와, 처리액 임시저장소(20)와, 펌프(40) 및 처리공간(50) 사이에는 각각 배관(60)으로 연결되어 처리액을 이동시키는 유로가 형성된다.Between the first and second supply units 11 and 13, the processing liquid temporary storage 20, the pump 40, and the processing space 50, a flow path is connected to the pipe 60 to move the processing liquid. .

처리액 임시저장소(20)와 펌프(40) 사이에는 밸브(30)가 설치되어 밸브(30)의 개폐유무에 따라 처리액이 이동된다. 밸브(30)는 펌프(40)와 수평하게 설치되는 것이 바람직하다. The valve 30 is installed between the processing liquid temporary storage 20 and the pump 40 to move the processing liquid depending on whether the valve 30 is opened or closed. The valve 30 is preferably installed horizontally with the pump 40.

또한, 밸브(30)는 공급부(10)보다 낮게 배치되어야 한다.In addition, the valve 30 should be disposed lower than the supply portion 10.

처리액 임시저장소(20)는 공급부(10)에서 유입되는 처리액의 양보다 크게 형성되어야 한다.Processing liquid temporary storage 20 should be formed larger than the amount of the processing liquid flowing from the supply unit (10).

여기서, 상기 처리액은 웨이퍼(W)에 배선을 패터닝하는 식각공정을 진행하기 전에 웨이퍼(W)에 도포되는 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트액인 것이 바람직하다.Here, the processing liquid is preferably a photoresist liquid for forming a photoresist film to be applied to the wafer W before the etching process for patterning wirings on the wafer W is performed.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 배관구조의 다른 실시예를 도시한 도면으로써, 처리액 임시저장소(20)와 펌프(40) 사이에는 설치되는 밸브(30)는 펌프(40)보다 낮게 설치되는 것이 바람직하다.Figure 2 is a view showing another embodiment of the piping structure for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the valve 30 installed between the processing liquid temporary storage 20 and the pump 40 is lower than the pump 40 It is preferable to install.

이하에서는 이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 배관구조의 일실시예를 통해 효과를 설명한다.Hereinafter, by this configuration, the effect through the embodiment of the piping structure for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention will be described.

반도체 제조설비에 사용되는 처리액은 포토레지스트액이 사용된다.The photoresist liquid is used as a process liquid used for semiconductor manufacturing equipment.

먼저, 처리공간(50)에 웨이퍼(W)가 인입되어 척(51)에 안착되면, 제1밸브(11a)가 개방되어 제1공급부(11)에 수용된 포토레지스트액은 포토레지스트 임시저장소(20)로 유입되어 배관(60)으로 이동된다.First, when the wafer W is introduced into the processing space 50 and seated on the chuck 51, the first valve 11a is opened so that the photoresist liquid contained in the first supply part 11 is stored in the photoresist temporary storage 20. ) Flows into the pipe (60).

제1공급부(11)의 포토레지스트액이 소진되면 제1밸브(11a)는 폐쇄되고, 제2밸브(13a)가 개방되어 제2공급부(13)의 포토레지스트액이 포토레지스트 임시저장소(20)로 공급되고, 제1공급부(11)는 포토레지스트액이 수용된 것으로 교체된다. When the photoresist liquid of the first supply part 11 is exhausted, the first valve 11a is closed, and the second valve 13a is opened so that the photoresist liquid of the second supply part 13 is temporarily stored in the photoresist 20. The first supply unit 11 is replaced with the one containing the photoresist liquid.

이때, 제1공급부(11)에서 공급된 포토레지스트액 중 처리공간(50)으로 공급되고 남은 포토레지스트액은 가압라인(21)을 통해 가압되는 N₂에 의해 드레인 라인(23)으로 배출된 후, 제2공급부(13)의 포토레지스트액이 포토레지스트 임시저장소(20)로 공급된다.At this time, the remaining photoresist liquid supplied to the processing space 50 of the photoresist liquid supplied from the first supply part 11 is discharged to the drain line 23 by N 2 which is pressurized through the pressure line 21, The photoresist liquid of the second supply unit 13 is supplied to the photoresist temporary storage 20.

여기서, 제2공급부(13)에서 배관(60)을 통해 포토레지스 임시저장소(20)로 이동된 포토레지스트액은 잔존하는 N₂와 좁은 배관(60)을 통과한 후 넓은 공간으로 이동됨에 따라 압력차에 의해 기포가 발생된다. Here, the pressure difference as the photoresist liquid moved from the second supply part 13 to the photoresist temporary storage 20 through the pipe 60 passes through the remaining N 2 and the narrow pipe 60 and moves to a wide space. Bubbles are generated by the.

발생된 기포는 공급부(10)보다 크게 형성된 포토레지스트 임시저장소(20)의 상측으로 이동된다. 즉, 포토레지스트 임시저장소(20)는 공급부(10)에서 공급되는 포토레지스트액의 양보다 크게 형성되므로, 발생된 기포는 포토레지스트 임시저장소(20)의 상측에 보관된다.The generated bubbles are moved to the upper side of the photoresist temporary storage 20 formed larger than the supply unit 10. That is, since the photoresist temporary storage 20 is formed to be larger than the amount of the photoresist liquid supplied from the supply unit 10, the generated bubbles are stored above the photoresist temporary storage 20.

포토레지스트 임시저장소(20)의 상측으로 이동된 기포와 제1공급부(11)의 잔존 포토레지스트액은 드레인라인(23)을 통해 배출된다.Bubbles moved to the upper side of the photoresist temporary storage 20 and the remaining photoresist liquid of the first supply part 11 are discharged through the drain line 23.

포토레지스트 임시저장소(20)로 이동된 포토레지스트액은 펌프(40)에 유입되는 배관(60)이 펌프(40)보다 높아지면 포토레지스트액이 이동하면서 발생하는 압력차에 의해 기포가 생성되는 것을 방지하도록 배관(60)이 펌프(40)보다 높지 않도록 밸브(30)가 펌프(40)보다 낮거나, 수평하게 설치된다. The photoresist liquid moved to the photoresist temporary storage 20 is bubbled by the pressure difference generated when the photoresist liquid moves when the pipe 60 flowing into the pump 40 becomes higher than the pump 40. To prevent the pipe 60 from being higher than the pump 40, the valve 30 is installed lower than the pump 40 or horizontally installed.

밸브(30)가 개방되고 펌프(40)의 펌핑작용으로 포토레지스트액은 처리공간(50)으로 공급되어 노즐부(53)를 통해 회전되는 척(51)에 안착된 웨이퍼(W)에 적하되어 웨이퍼(W)에 고르게 도포된다.By opening the valve 30 and pumping the pump 40, the photoresist liquid is supplied to the processing space 50 and dropped onto the wafer W seated on the chuck 51 which is rotated through the nozzle part 53. Evenly applied to the wafer (W).

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 공급부와 밸브가 펌프보다 낮거나 수평하게 설치됨에 따라 처리액이 배관을 이동하면서 발생하는 압력차로 기포가 생성되는 것을 방지하는 효과가 있다.As described above, the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention has an effect of preventing bubbles from being generated due to the pressure difference generated while the processing liquid moves through the pipe as the supply part and the valve are installed lower or horizontally than the pump.

또한, 기포가 펌프에 유입되어 펌프성능을 저하시키는 것을 방지하고, 기포가 반도체 제조설비에 유입되어 제품불량을 발생시키는 것을 방지하는 효과가 있다.In addition, there is an effect to prevent bubbles from entering the pump to lower the pump performance, and to prevent bubbles from entering the semiconductor manufacturing equipment to cause product defects.

그리고, 공급부의 용량보다 처리액 임시저장소의 용량을 크게 하여 공급부에서 처리액이 처리액 임시저장소로 유입될 때 발생된 기포를 처리액 임시저장소에 보관함에 따라 기포가 배관으로 유입되는 것을 방지하는 효과가 있다.In addition, the capacity of the processing liquid temporary storage is greater than the capacity of the supplying portion, so that bubbles generated when the processing liquid flows into the processing liquid temporary storage at the supplying portion are stored in the processing liquid temporary storage to prevent air bubbles from flowing into the pipe. There is.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by those equivalent to the claims.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 배관구조의 일실시예를 도시한 도면,1 is a view showing an embodiment of a piping structure for a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 배관구조의 다른 실시예를 도시한 도면이다.2 is a view showing another embodiment of the piping structure for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.

* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *Brief description of the main symbols in the drawings

10 : 공급부 11 : 제1공급부10: supply part 11: first supply part

11a : 제1공급밸브 13 : 제2공급부11a: first supply valve 13: second supply

13a : 제2공급밸브 20 : 처리액 임시저장소13a: second supply valve 20: temporary storage of processing liquid

21 : 가압라인 23 : 드레인라인21: pressure line 23: drain line

30 : 밸브 40 : 펌프30: valve 40: pump

50 : 처리공간 W : 웨이퍼50: processing space W: wafer

Claims (5)

내부에 웨이퍼가 설치되며, 그 상측에는 웨이퍼에 처리액을 적하시키는 노즐부가 설치된 처리공간;A wafer is disposed inside the processing space, and a processing space provided at a top thereof with a nozzle unit for dropping the processing liquid onto the wafer; 처리액이 수용된 공급부;A supply unit in which a treatment liquid is accommodated; 상기 공급부에서 유입된 처리액이 유입되어 임시저장되며 일측에 드레인라인이 구비된 처리액 임시저장소;A processing liquid temporary storage in which the processing liquid introduced from the supply unit is temporarily stored and has a drain line at one side thereof; 상기 처리액 임시저장소에 유입된 처리액을 펌핑하여 상기 처리공간으로 공급시키며, 상기 공급부보다 낮게 배치된 펌프; 및A pump disposed to supply the treatment liquid introduced into the treatment liquid temporary storage to the treatment space and disposed lower than the supply part; And 상기 공급부와, 상기 임시저장소, 상기 펌프 그리고 상기 처리공간으로 처리액을 이동시키도록 유로를 형성하는 배관;을 포함하는 반도체 제조설비.And a pipe forming a flow path to move the processing liquid to the supply unit, the temporary storage, the pump, and the processing space. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리액 임시저장소와 상기 펌프 사이에는 밸브가 설치되어 밸브의 개폐유무에 따라 처리액이 이동되며, 상기 밸브는 상기 펌프보다 낮게 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.A valve is installed between the processing liquid temporary storage and the pump to move the processing liquid depending on whether the valve is opened or closed, and the valve is installed lower than the pump. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리액 임시저장소와 상기 펌프 사이에는 밸브가 설치되어 밸브의 개폐유무에 따라 처리액이 이동되며, 상기 밸브는 상기 펌프와 수평하게 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.A valve is installed between the processing liquid temporary storage and the pump to move the processing liquid depending on whether the valve is opened or closed, and the valve is installed in parallel with the pump. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리액 임시저장소는 상기 공급부에서 유입되는 처리액의 양보다 크게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.The processing liquid temporary storage is a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that formed larger than the amount of the processing liquid flowing from the supply. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 처리액은 포토레지스트액인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.And said processing liquid is a photoresist liquid.
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