KR20050099740A - 유기 전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

유기 전계발광소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050099740A
KR20050099740A KR1020040024918A KR20040024918A KR20050099740A KR 20050099740 A KR20050099740 A KR 20050099740A KR 1020040024918 A KR1020040024918 A KR 1020040024918A KR 20040024918 A KR20040024918 A KR 20040024918A KR 20050099740 A KR20050099740 A KR 20050099740A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
metal
manufacturing
organic electroluminescent
electroluminescent device
Prior art date
Application number
KR1020040024918A
Other languages
English (en)
Inventor
주재형
정영로
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040024918A priority Critical patent/KR20050099740A/ko
Publication of KR20050099740A publication Critical patent/KR20050099740A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

본 발명은 공정을 단순화할 수 있는 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 애노드전극을 형성하는 단계와; 상기 애노드전극이 형성된 기판 상에 감광성절연물질을 증착하는 단계와; 투과율이 다른 제1 및 제2 금속을 가지는 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 절연물질을 패터닝하여 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기 전계발광소자의 제조방법{Method Of Fabricating Organic Electro Luminescence Device}
본 발명은 전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 공정을 단순화할 수 있는 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP) 및 전계발광소자(Electro Luminescence Device : EL) 등이 있다. 특히 전계 발광 소자는 기본적으로 정공수송층, 발광층, 전자수송층으로 이루어진 유기층의 양면에 전극을 붙인 형태의 것으로서, 넓은 시야각, 고개구율, 고색도 등의 특징 때문에 차세대 평판표시장치로서 주목받고 있다.
이러한 전계 발광 소자는 사용하는 재료에 따라 크게 무기 전계 발광 소자와 유기 전계 발광 소자로 나뉘어진다. 이 중 유기 전계 발광 소자는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성된 유기층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내기 때문에 무기 전계 발광 소자에 비해 낮은 전압으로 구동 가능하다는 장점이 있다. 또한, 유기 전계 발광 소자는 플라스틱같이 휠 수 있는(Flexible) 투명기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, PDP나 무기 전계 발광 소자에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 작으며, 색감이 뛰어나다.
도 1은 종래 유기 전계 발광 소자를 나타내는 평면도이며, 도 2는 도 1에서 선 "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 유기 전계 발광 소자를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 유기 전계 발광 표시 소자는 기판(2) 상에 서로 절연되게 교차하는 애노드전극(4) 및 캐소드전극(12) 사이에 형성되는 절연막(6), 격벽(8) 및 유기층(10)을 포함한다.
애노드전극(4)은 기판(2) 상에 소정간격으로 이격되어 다수개 형성된다. 이 애노드전극(4)에는 전자(정공)를 방출시키기 위한 제1 구동신호가 공급된다.
이러한 애노드 전극(4)은 기판(2) 상에 투명전도성물질로 형성되는 투명전극(4a)과, 투명 전극(4a)의 일측 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등으로 형성되어 투명전극(4a)의 저항성분을 보상하는 버스전극(4b)으로 구성된다.
절연막(6)은 애노드전극(4)이 형성된 기판(2) 상에 EL셀 영역마다 개구부가 노출되도록 격자형태로 형성된다.
격벽(8)은 애노드전극(4)과 교차되게 형성되고 캐소드전극(12)과 소정간격을 사이에 두고 나란하게 형성되어 인접한 EL셀을 구분하게 된다. 즉, 격벽(8)은 인접한 EL셀의 유기층(10) 및 캐소드전극(12)을 분리하게 된다. 또한, 격벽(8)은 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 갖는 오버행(Overhang)구조로 형성된다.
유기층(10)은 절연막(6) 상에 유기화합물로 구성된다. 즉, 유기층(10)은 절연막(6) 상에 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 적층되어 형성된다.
캐소드전극(12)은 유기층(10) 상에 소정간격으로 이격되어 애노드전극(4)과 교차되게 다수개 형성된다. 또한, 캐소드전극(12)에는 정공(전자)을 방출시키기 위한 제2 구동신호가 공급된다.
이러한 유기 전계 발광 소자는 애노드전극(4)과 캐소드전극(12)에 구동신호가 인가되면 전자와 정공이 방출되고, 애노드전극(4) 및 캐소드전극(12)에서 방출된 전자와 정공은 유기층(10) 내에서 재결합하면서 가시광을 발생하게 된다. 이때, 발생된 가시광은 애노드전극(4)을 통하여 외부로 나오게 되어 소정의 화상 또는 영상을 표시하게 된다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
먼저, 소다라임(sodalime) 또는 경화유리로 된 기판(2) 상에 투명전도성물질, 예를 들어 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide)등이 증착된 후 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 도 3a에 도시된 바와 같이 기판 상에 애노드전극의 투명전극(4a)이 형성된다.
투명전극(4a)이 형성된 기판(2) 상에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 금속층이 증착된 후 제2 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 도 3b에 도시된 바와 같이 애노드전극의 버스전극(4b)이 형성된다.
투명전극과 버스전극으로 이루어진 애노드전극(4)이 형성된 기판(2) 상에 감광성 절연물질이 증착된 후 제3 마스크를 이용한 포토리소그래피공정에 의해 패터닝됨으로써 도 3c에 도시된 바와 같이 절연막(6)이 형성된다. 절연막(6)은 발광영역을 제외한 전 부분에 격자모양으로 형성된다.
절연막(6)이 형성된 기판(2) 상에 감광성 절연물질이 증착된 후 제4 마스크를 이용한 포토리소그래피공정에 의해 패터닝됨으로써 도 3d에 도시된 바와 같이 격벽(8)이 형성된다. 격벽(8)은 애노드전극(4)과 교차되는 방향으로 소정 간격을 사이에 두고 비발광영역에 형성된다.
격벽(8)이 형성된 기판(2) 상에 도 3e에 도시된 바와 같이 유기층(10)이 형성된다. 유기층(10)은 정공 수송층(Hole transport layer), 발광층(Emitting layer) 및 전자 수송층(electron transport layer)을 포함한다.
유기층(10)이 형성된 기판(2) 상에 도 3f에 도시된 바와 같이 캐소드전극(12)이 형성된다. 이 때, 캐소드 전극(12)은 전면 증착되어 형성되지만, 상대적으로 높은 높이를 가지는 격벽(8)에 의해 EL셀마다 분리되어 형성된다.
이러한 종래 유기 전계 발광 소자는 적어도 4번의 마스크 공정을 필요로 함에 따라 제조 공정이 복잡하여 그에 비례하여 제조단가가 상승하게 된다. 이는 하나의 마스크 공정이 박막 증착 공정, 세정 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 포토레지스트 박리 공정, 검사 공정 등과 같은 많은 공정을 포함하고 있기 때문이다. 이를 해결하기 위하여, 유기 전계 발광 소자는 마스크 공정수를 줄이는 방향으로 발전하고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 마스크 공정수를 줄일 수 있는 유기 전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계발광소자의 제조방법은 기판 상에 애노드전극을 형성하는 단계와; 상기 애노드전극이 형성된 기판 상에 감광성절연물질을 증착하는 단계와; 투과율이 다른 제1 및 제2 금속을 가지는 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 절연물질을 패터닝하여 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 감광성 절연물질은 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 포토마스크는 마스크기판 상에 형성된 제1 금속에 의해 마련되는 부분 노광 영역과, 상기 마스크기판 상에 형성된 제2 금속에 의해 마련되는 차단영역과, 상기 마스크기판을 노출시켜 마련되는 노광영역을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 금속은 광투과율이 20~80%이며; 상기 제2 금속은 광투과율이 제1 금속보다 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 제1 금속은 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 구리 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 금속은 크롬을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 투과율이 다른 제1 및 제2 금속을 가지는 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 절연물질을 패터닝하여 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계는 상기 감광성 절연물질을 상기 포토마스크를 이용하여 노광하고 현상하여 상기 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기 전계 발광 소자의 제조방법은 상기 절연막이 형성된 영역을 제외한 상기 애노드전극상에 유기층을 형성하는 단계와; 상기 유기층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4a 내지 도 6b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 유기 전계발광소자의 제조방법을 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(32) 상에 애노드전극의 투명전극(34a)이 형성된다.
이를 위해, 소다라임(sodalime) 또는 경화유리로 된 기판(32) 상에 투명전도성물질이 증착된다. 투명전도성물질은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide) 및 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide) 중 어느 하나로 형성된다. 이어서 투명전도성물질이 제1 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 애노드전극의 투명전극(34)이 형성된다.
도 4b를 참조하면, 투명전극(34a)이 형성된 기판(32) 상에 애노드전극의 버스전극(34b)이 형성된다.
이를 위해, 투명전극(34a)이 형성된 기판(32) 상에 도전성이 좋은 금속이 증착된다. 도전성이 좋은 금속은 크롬(Cr) 또는 은(Ag)등을 포함한다. 이어서, 도전성 좋은 금속이 제2 마스크를 이용한 포토리소그래피공정과 식각공정에 의해 패터닝됨으로써 애노드전극의 버스전극(34b)이 형성된다. 이 버스전극(34b)은 투명전극(34a)의 일측에 형성되어 투명전극(34a)의 저항성분을 줄여주는 역할을 한다.
도 4c를 참조하면, 투명전극(34a) 및 버스전극(34b)으로 이루어진 애노드전극(34)이 형성된 기판(32) 상에 절연막(36)과 격벽(38)이 형성된다.
이를 위해, 애노드전극(34)이 형성된 기판(32) 상에 감광성 절연물질이 전면 증착된다. 이어서, 감광성 절연물질이 제3 마스크를 이용한 포토리소그래피공정에 의해 패터닝됨으로써 절연막(36)과 격벽(38)이 동시에 형성된다. 이러한 절연막(36)과 격벽(38) 형성공정은 도 5a 및 도 5b를 결부하여 추후에 상세히 설명하기로 한다.
도 4d를 참조하면, 절연막(36)과 격벽(38)이 형성된 기판(32) 상에 유기층(40)이 형성된다.
이를 위해, 절연막(36)과 격벽(38)에 의해 마련된 발광영역에 유기물질을 스크린 인쇄함으로써 기판(32) 상에 유기층(40)이 형성된다. 유기층(40)은 정공 수송층(Hole transport layer), 발광층(Emitting layer) 및 전자 수송층(electron transport layer)을 포함한다.
도 4e를 참조하면, 유기층(40)이 형성된 기판(32) 상에 캐소드전극(42)이 형성된다.
이를 위해, 유기층(40)이 형성된 기판(32) 상에 도전성물질이 전면 증착됨으로써 캐소드전극(42)이 형성된다. 이 캐소드전극(42)은 상대적으로 높은 높이의 오버행(overhang)구조를 갖는 격벽(38)에 의해 마스크공정없이 증착공정만으로도 EL 셀마다 분리되어 형성된다.
도 5a 및 도 5b는 도 4c에 도시된 제3 마스크공정을 상세히 나타내는 단면도이다.
먼저, 애노드전극(34)이 형성된 기판(32) 상에 도 5a에 도시된 바와 같이 감광성 절연물질(68)이 전면 형성된다. 감광성 절연물질(68)은 예를 들어 네거티브(negative)형 포토레지스트(photoresist)가 이용된다. 그런 다음, 감광성 절연물질(68)이 형성된 기판(32) 상부에 제3 마스크(60)가 정렬된다. 제3 마스크(60)는 노출된 영역이 노광영역(S3)으로 이용되는 투명한 재질인 마스크 기판(62)과, 마스크 기판(62)의 차단 영역(S1)에 형성된 차단부(66)와, 마스크 기판(62)의 부분 노광 영역(S2)에 형성된 부분 노광부(64)를 구비한다.
여기서, 노광영역(S3)은 광을 100% 투과시키며, 부분 노광영역(S2)은 광을 20~80%투과시키며, 차단영역(S1)은 광을 0%투과시킨다. 이를 위해, 마스크 기판(62)의 차단 영역(S1)에 형성된 차단부(66)는 광을 차단하는 금속, 예를 들어 크롬(Cr)으로 형성되고, 마스크 기판(62)의 부분 노광 영역(S2)에 형성된 부분 노광부(64)는 광을 20~80% 투과시키는 물질, 예를 들어 알루미늄,(Al) 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 등으로 형성된다.
부분 노광부(64)에 적용되는 알루미늄(Al)은 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 약 365nm의 광파장대에서 0.8의 반사율을 가지며, 금(Au)은 약 0.35의 반사율을 가지며, 니켈(Ni)과 철(Fe)은 약 0.4의 반사율을 가지며, 구리(Cu)는 약 0.3의 반사율을 가지게 된다.
이러한 제3 마스크(60)를 이용한 노광공정과 현상공정에 의해 감광성절연물질(68)이 패터닝됨으로써 도 5b에 도시된 바와 같이 부분 노광 영역(S2)에 형성된 제1 높이를 갖는 절연막(36)과 차단영역(S1)에 형성된 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는 격벽(38)이 형성된다.
절연막(36)은 발광영역을 제외한 전 영역에 격자모양으로 형성되고, 격벽(38)은 애노드전극(34)과 교차되는 방향으로 소정 간격을 사이에 두고 비발광영역에 형성된다.
한편, 도 5a에 도시된 구조 이외에도 마스크 기판(52) 상의 차단부(66)와 부분 노광부(64)에 형성되는 금속의 두께를 조절하여 투과율이 다른 적어도 3영역을 가지는 마스크를 형성할 수 있다.
예를 들어, 수학식 1과 같이 금속의 반사율, 흡수계수 및 두께 중 적어도 어느 하나를 조절하여 원하는 광투과율(T)을 얻을 수도 있다.
T=(1-R)2e-kt×100(%)
여기서, R은 금속의 반사율을, K는 흡수계수(mm-1)를, t는 금속의 두께(mm)를 각각 나타낸다.
또는, 폴리에스테르와 같은 금속화된 필름을 노광영역, 부분 노광 영역 및 차단영역별로 두께 및 금속을 조절하여 원하는 광투과율을 얻을 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계발광소자의 제조방법은 투과율이 다른 금속을 이용하거나 금속을 두께를 조절하여 3개의 서로 다른 투과율을 가지는 마스크로 절연막과 격벽을 동시에 형성함으로써 3마스크공정으로 유기 전계 발광 소자를 형성할 수 있다. 이에 따라, 유기 전계 발광 소자의 공정을 단순화하여 제조 원가 절감할 수 있음과 아울러 제조 수율을 향상시킬 수 있게 된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 종래 유기 전계발광소자를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에서 선 "Ⅱ-Ⅱ'"를 따라 절취한 유기 전계발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4c에 도시된 제3 마스크공정을 상세히 나타내는 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 5a에 도시된 차단부와 부분 노광부에 이용되는 금속의 반사율을 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2,32 : 기판 4,34 : 투명전극
6,36 : 절연막 8,38 : 격벽
10,40 : 유기층 12,42 : 캐소드 전극
60 : 마스크 62 : 마스크기판
64 : 부분 노광부 66 : 차단부

Claims (8)

  1. 기판 상에 애노드전극을 형성하는 단계와;
    상기 애노드전극이 형성된 기판 상에 감광성절연물질을 증착하는 단계와;
    투과율이 다른 제1 및 제2 금속을 가지는 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 절연물질을 패터닝하여 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성 절연물질은 네거티브형 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토마스크는 마스크기판 상에 형성된 제1 금속에 의해 마련되는 부분 노광 영역과, 상기 마스크기판 상에 형성된 제2 금속에 의해 마련되는 차단영역과, 상기 마스크기판을 노출시켜 마련되는 노광영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 금속은 광투과율이 20~80%이며;
    상기 제2 금속은 광투과율이 제1 금속보다 낮은 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1 금속은 알루미늄, 니켈, 금, 백금 및 구리 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 금속은 크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 투과율이 다른 제1 및 제2 금속을 가지는 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 절연물질을 패터닝하여 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계는
    상기 감광성 절연물질을 상기 포토마스크를 이용한 노광공정과 현상공정에 의해 패터닝함으로써 상기 격벽과 절연막을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막이 형성된 영역을 제외한 상기 애노드전극상에 유기층을 형성하는 단계와;
    상기 유기층 상에 캐소드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
KR1020040024918A 2004-04-12 2004-04-12 유기 전계발광소자의 제조방법 KR20050099740A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040024918A KR20050099740A (ko) 2004-04-12 2004-04-12 유기 전계발광소자의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040024918A KR20050099740A (ko) 2004-04-12 2004-04-12 유기 전계발광소자의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050099740A true KR20050099740A (ko) 2005-10-17

Family

ID=37278740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040024918A KR20050099740A (ko) 2004-04-12 2004-04-12 유기 전계발광소자의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050099740A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108258026B (zh) 显示面板的绑定区结构及其制作方法、显示面板
US7589462B2 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
US7868330B2 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
KR20050094529A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
US7567029B2 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
JPH11135257A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR20100064868A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US7352126B2 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
KR101171116B1 (ko) 유기발광소자 및 그 제조방법
KR20050099740A (ko) 유기 전계발광소자의 제조방법
KR100717332B1 (ko) 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
KR20050097569A (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100627110B1 (ko) 마스크 장치와 이를 이용한 유기전계발광표시소자의제조방법
KR100692863B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR100705318B1 (ko) 유기 전계발광표시소자의 제조방법
KR100631116B1 (ko) 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR100604274B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
KR100488146B1 (ko) 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
KR20080061547A (ko) 평판표시패널 및 그 제조방법
KR101102022B1 (ko) 마스크 장치와 이를 이용한 유기전계발광표시소자의제조방법
KR100696440B1 (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법
KR101054531B1 (ko) 유기발광소자 및 그 제조 방법
KR101076432B1 (ko) 마스크 장치와 이를 이용한 유기전계발광표시소자의제조방법
KR20050014379A (ko) 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20060106482A (ko) 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application