KR20050098102A

KR20050098102A - Evaluation device having internal memory

Info

Publication number: KR20050098102A
Application number: KR1020040023418A
Authority: KR
Inventors: 황성만
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-04-06
Filing date: 2004-04-06
Publication date: 2005-10-11

Abstract

본 발명의 평가 장치는 내부 메모리를 구비하여 외부 메모리에 저장된 프로그램을 다운로드 할 수 있다. 그러므로, 평가 장치는 선택 신호에 따라서 외부 메모리에 저장된 프로그램 또는 내부 메모리에 저장된 프로그램에 의해서 프로세스를 수행할 수 있다. 또한, 본 발명의 평가 장치는 외부 메모리의 동작 전압을 공급하기 위한 전압 발생기를 포함하여, 평가 장치뿐만 아니라 외부 메모리로 공급될 동작 전압을 발생한다.The evaluation apparatus of the present invention has an internal memory and can download a program stored in the external memory. Therefore, the evaluation apparatus can perform the process by the program stored in the external memory or the program stored in the internal memory according to the selection signal. In addition, the evaluation apparatus of the present invention includes a voltage generator for supplying an operating voltage of the external memory to generate an operating voltage to be supplied to the external memory as well as the evaluation apparatus.

Description

Evaluation device with internal memory {EVALUATION DEVICE HAVING INTERNAL MEMORY}

본 발명은 평가 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 외부 메모리에 저장된 프로그램을 테스트하기 위한 평가 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an evaluation device, and more particularly to an evaluation device for testing a program stored in an external memory.

마이크로 컨트롤러 유닛(MCU : Micro Controller Unit) 또는 스마트 카드(Smart Card)와 같은 메모리 내장형 프로그래머블 집적 회로(embedded memory programmable integrated circuit) 설계시 내장 메모리에 저장되는 프로그램을 개발하기 위해 평가 장치(evaluation device)가 사용된다. 이러한 평가 장치는 단일 칩(chip)으로 구현되어서 외부 메모리와 함께 에뮬레이션 보드(emulation board)에 실장된다.When designing an embedded memory programmable integrated circuit, such as a micro controller unit (MCU) or a smart card, an evaluation device is used to develop a program stored in the internal memory. Used. Such an evaluation device is implemented as a single chip and mounted on an emulation board together with an external memory.

도 1은 일반적인 평가 칩를 보여주고 있다. 도 1을 참조하면, 평가 칩(100)은 버스(101)를 통해 데이터 신호, 어드레스 신호 및 여러가지 제어 신호들을 송수신하는 CPU(Central Processing Unit, 110), EEPROM(Electrically Eerasable Programmable Read-Only Memory, 120), RAM(Random Access Memory) 그리고 주변 회로들(140)을 포함한다.1 shows a typical evaluation chip. Referring to FIG. 1, the evaluation chip 100 transmits and receives a data signal, an address signal, and various control signals via a bus 101, a central processing unit (CPU) 110, and an electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) 120. ), Random access memory (RAM) and peripheral circuits 140.

외장 메모리인 ROM(Read Only Memory, 200)은 프로그램 코드를 저장하며, 버스(101)를 통해 평가 칩(100)과 연결된다.ROM (Read Only Memory) 200, which is an external memory, stores program codes and is connected to the evaluation chip 100 through the bus 101.

이와 같이, 프로그램 코드를 저장하고 있는 ROM(200)을 평가 칩(100)의 외부에 구성하는 방식은 에뮬레이션 보드 설계시 목적에 따라 다양한 메모리를 연결할 수 있으므로 평가 칩(100)의 유연성(flexibility)을 향상시킨다.As such, the method of configuring the ROM 200 storing the program code outside the evaluation chip 100 may connect various memories according to the purpose of emulation board design, thereby improving flexibility of the evaluation chip 100. Improve.

평가 칩(100)의 동작 전압의 범위가 넓도록 설계되는 경우 외부 ROM(200)의 동작 전압 범위 역시 평가 칩(100)과 동일하게 넓게 설계되어야 하나 현재의 메모리 기술에서 ROM(200)의 동작 전압 범위에는 한계가 있다. 예컨대, 평가 칩(100)의 동작 전압은 1,62V부터 5.5V까지 넓게 설계될 수 있다. 그러나, ROM(200)은 1.8V±10%, 3.0V±10%, 또는 5.0V±10%와 같이 동작 전압이 구분된다. 그러므로, 에뮬레이션 보드에 평가 칩(100)과 ROM(200)을 실장할 때 ROM(200)의 동작 전압에 따라서 평가 칩(100)의 동작 전압 범위를 한정해야만 하는 불편함이 있었다. 만일, ROM(200)의 정격 전압 범위를 벗어난 전압을 ROM(200)으로 공급하는 경우 ROM(200)은 오동작하거나 또는 파손될 수 있다.When the operating voltage range of the evaluation chip 100 is designed to be wide, the operating voltage range of the external ROM 200 should also be designed to be as wide as that of the evaluation chip 100, but in the current memory technology, the operating voltage of the ROM 200 is There is a limit to the range. For example, the operating voltage of the evaluation chip 100 may be designed to be wide from 1,62V to 5.5V. However, the ROM 200 is divided into operating voltages such as 1.8V ± 10%, 3.0V ± 10%, or 5.0V ± 10%. Therefore, when mounting the evaluation chip 100 and the ROM 200 on the emulation board, there is an inconvenience in that the operating voltage range of the evaluation chip 100 must be limited according to the operating voltage of the ROM 200. If the voltage outside the rated voltage range of the ROM 200 is supplied to the ROM 200, the ROM 200 may malfunction or be damaged.

또한, 프로그램 코드를 저장하고 평가 칩(100)은 프로그램 코드를 저장하기 위한 메모리를 구비하고 있지 않으므로, 항상 외부 메모리(200)로부터 프로그램 코드를 입력받아야만 한다.Also, since the program code is stored and the evaluation chip 100 does not have a memory for storing the program code, the program code must always be received from the external memory 200.

본 발명의 목적은 프로그램 코드를 저장하기 위한 메모리를 구비한 평가 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an evaluation apparatus having a memory for storing program code.

외부 메모리로 동작 전원을 공급할 수 있는 평가 장치를 제공하는데 있다.The present invention provides an evaluation device capable of supplying operating power to an external memory.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 외부 메모리에 저장된 프로그램을 평가할 수 있는 평가 장치는: 버스를 포함하는 평가 회로와, 상기 외부 메모리에 저장된 프로그램이 다운로드되는 내부 메모리, 그리고 제 1 선택 신호에 응답해서 상기 외부 메모리 및 상기 내부 메모리 가운데 하나를 상기 평가 회로의 버스와 연결하는 제 1 스위칭 회로를 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, an evaluation apparatus capable of evaluating a program stored in an external memory includes: an evaluation circuit including a bus, an internal memory into which the program stored in the external memory is downloaded, And a first switching circuit connecting one of the external memory and the internal memory with a bus of the evaluation circuit in response to a first selection signal.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 내부 메모리는, 불휘발성 메모리이거나 RAM(Random Access Memory)이다. In a preferred embodiment, the internal memory is nonvolatile memory or random access memory (RAM).

바람직한 실시예에 있어서, 상기 내부 메모리는, 불휘발성 메모리와, RAM(Random Access Memory), 그리고 제 2 선택 신호에 응답해서 상기 불휘발성 메모리 및 상기 RAM 가운데 하나를 상기 스위칭 회로와 연결하는 제 2 스위칭 회로를 포함한다.In a preferred embodiment, the internal memory comprises a second switching for coupling one of the nonvolatile memory, the random access memory (RAM), and the nonvolatile memory and the RAM with the switching circuit in response to a second selection signal. It includes a circuit.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 외부 메모리는 ROM(Read Only Memory)이다.In a preferred embodiment, the external memory is a read only memory (ROM).

바람직한 실시예에 있어서, 외부 전원 전압을 입력받고, 상기 평가 회로, 상기 내부 메모리 및 상기 외부 메모리로 공급될 내부 전압을 발생하는 내부 전압 발생기를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the apparatus further includes an internal voltage generator configured to receive an external power supply voltage and generate an internal voltage to be supplied to the evaluation circuit, the internal memory, and the external memory.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명힌다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평가 장치(300)의 구성을 보여주고 있다. 단일 칩(300)으로 집적 될 수 있는 평가 장치(300)는 외부로부터 전원 전압들(VDD, GND)과 제어 신호들을 입력받는다. 제어 신호들은 입/출력 인터페이스(미 도시됨)를 통해 평가 장치(300)로 입력된다.2 shows a configuration of an evaluation apparatus 300 according to a preferred embodiment of the present invention. The evaluation apparatus 300, which may be integrated into a single chip 300, receives power supply voltages VDD and GND and control signals from an external source. Control signals are input to the evaluation device 300 via an input / output interface (not shown).

EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)(330)은 지속적으로 사용되거나 갱신될 필요가 있는 데이터를 저장하기 위해 사용된다. EEPROM(330)은 플래쉬 메모리로 교체될 수 있다.Electrically erasable and programmable ROM (EEPROM) 330 is used to store data that needs to be constantly used or updated. The EEPROM 330 may be replaced with a flash memory.

RAM(Random Access memory)(340)은 언제든지 읽고 쓸 수 있는 메모리이다. RAM(340)은 CPU(Central Processing Unit)(310)가 프로세스를 수행할 때 필요에 따라서 임시적으로 데이터를 저장하고자 할 때 사용된다. Random Access Memory (RAM) 340 is memory that can be read and written at any time. The RAM 340 is used when the central processing unit (CPU) 310 intends to temporarily store data as needed when performing a process.

플래쉬 메모리(130)는 지속적으로 사용되거나 갱신될 필요가 있는 데이터를 저장하기 위해 사용된다. 플래쉬 메모리(130)는 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)으로 교체될 수 있다.Flash memory 130 is used to store data that needs to be constantly used or updated. The flash memory 130 may be replaced with an electrically erasable and programmable ROM (EEPROM).

주변 회로들(390)에는 입/출력 인터페이스 및 다양한 기능을 수행하는 기능 회로들 및 제어 로직들이 구성될 수 있다.The peripheral circuits 390 may be configured with input / output interfaces and functional circuits and control logics that perform various functions.

버스(301)는 CPU(310), EEPROM(330), RAM(340), 스위칭부(380) 및 주변 회로들(340) 사이의 명령어, 데이터 및 제어 신호들을 전송하는 통로이다.The bus 301 is a path for transmitting command, data, and control signals between the CPU 310, the EEPROM 330, the RAM 340, the switching unit 380, and the peripheral circuits 340.

CPU(150)는 외부로부터 입력되는 명령에 따라서 프로세스들을 수행한다. The CPU 150 performs processes in accordance with a command input from the outside.

CPU(310)에 의해 처리될 프로그램은 외부 메모리인 ROM(Read Only Memory)(400)에 저장된다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평가 장치(300)는 ROM(400)에 저장된 프로그램 코드를 다운로드할 수 있는 메모리들(350, 360)을 더 포함한다. 메모리들(350, 360)은 각각 EEPROM과 RAM으로 구성된다. 평가 장치(300)는 두 개의 메모리들(350, 360) 모두를 구비할 수 있으며 둘 중 어느 하나를 구비할 수 있다. 평가 장치(300)가 두 개의 메모리들(350, 360)을 구비하는 경우, 두 개의 메모리들(350, 360) 중 어느 하나를 버스(301)와 연결하기 위해 스위칭부(370) 및 선택 신호(MSEL)가 사용된다. 스위칭부(370)는 선택 신호(MSEL)가 논리 '0'일 때 EEPROM(350)을 선택하고, 선택 신호(MSEL)가 논리 '1'일 때 RAM(360)을 선택해서 스위칭부(380)와 연결한다.The program to be processed by the CPU 310 is stored in a read only memory (ROM) 400 which is an external memory. Evaluation apparatus 300 according to a preferred embodiment of the present invention further includes a memory (350, 360) for downloading the program code stored in the ROM (400). The memories 350 and 360 are composed of EEPROM and RAM, respectively. The evaluation apparatus 300 may include both two memories 350 and 360 and may include either one. When the evaluation apparatus 300 includes two memories 350 and 360, the switching unit 370 and the selection signal (ie, the one of the two memories 350 and 360) are connected to the bus 301. MSEL) is used. The switching unit 370 selects the EEPROM 350 when the selection signal MSEL is a logic '0', and selects the RAM 360 when the selection signal MSEL is a logic '1'. Connect with

스위칭부(380)는 선택된 내부 메모리와 외부 메모리(400) 중 어느 하나를 선택하기 위해 사용된다. 예컨대, 선택 신호(ISEL)가 논리 '0'이면 외부 메모리(400)가 선택되고, 선택 신호(ISEL)가 논리 '1'이면 스위칭부(370)를 통해 연결된 내부 메모리가 선택된다. 스위칭부(380)에 의해서 선택된 외부/내부 메모리는 버스(301)와 연결된다.The switching unit 380 is used to select one of the selected internal memory and the external memory 400. For example, when the selection signal ISEL is logic '0', the external memory 400 is selected, and when the selection signal ISEL is logic '1', the internal memory connected through the switching unit 370 is selected. The external / internal memory selected by the switching unit 380 is connected to the bus 301.

평가 장치(300) 내에 프로그램 코드를 저장할 수 있는 내부 메모리를 구비함으로써 편의에 따라 평가 장치(300)는 내부 메모리에 저장된 프로그램 코드에 따라서 동작할 수 있으며 또는 외부 메모리에 저장된 프로그램 코드에 따라서 동작할 수 있다.By having an internal memory capable of storing program codes in the evaluation apparatus 300, the evaluation apparatus 300 may operate according to the program codes stored in the internal memory or may operate according to the program codes stored in the external memory for convenience. have.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평가 장치(300)는 내부 전압 발생기(320)를 더 포함한다. 내부 전압 발생기(320)는 외부로부터 전원 전압들(VDD, GND)을 공급받고, 평가 장치(300) 및 ROM(400)의 동작에 필요한 동작 전압(VCC)을 발생한다. 내부 전압 발생기(320)에서 발생되는 동작 전압(VCC)은 ROM(400)의 동작 전압 범위에 적합하게 설정된다. 그러므로, 평가 장치(300)와 ROM(400)의 동작 전압을 용이하게 일치시킬 수 있다. 따라서, 평가 장치(300)로 공급되는 전압 레벨에 따라서 ROM(400)을 교체해야 하는 불편이 없고, 부적합한 동작 전압의 공급으로 인한 ROM(400)의 손상을 방지할 수 있다.In addition, the evaluation apparatus 300 according to a preferred embodiment of the present invention further includes an internal voltage generator 320. The internal voltage generator 320 receives the power supply voltages VDD and GND from the outside, and generates an operating voltage VCC necessary for the operation of the evaluation apparatus 300 and the ROM 400. The operating voltage VCC generated by the internal voltage generator 320 is set to suit the operating voltage range of the ROM 400. Therefore, the operating voltages of the evaluation apparatus 300 and the ROM 400 can be easily matched. Therefore, there is no inconvenience in that the ROM 400 needs to be replaced according to the voltage level supplied to the evaluation apparatus 300, and damage to the ROM 400 due to the supply of an inappropriate operating voltage can be prevented.

예시적인 바람직한 실시예를 이용하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명의 범위는 개시된 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 잘 이해될 것이다. 오히려, 본 발명의 범위에는 다양한 변형 예들 및 그 유사한 구성들이 모두 포함될 수 있도록 하려는 것이다. 따라서, 청구범위는 그러한 변형 예들 및 그 유사한 구성들 모두를 포함하는 것으로 가능한 폭넓게 해석되어야 한다.While the invention has been described using exemplary preferred embodiments, it will be understood that the scope of the invention is not limited to the disclosed embodiments. Rather, the scope of the present invention is intended to include all of the various modifications and similar configurations. Accordingly, the claims should be construed as broadly as possible to cover all such modifications and similar constructions.

이와 같은 본 발명에 의하면, 평가 장치 내에 프로그램 코드를 저장할 수 있는 내부 메모리를 구비함으로써 편의에 따라 평가 장치는 내부 메모리에 저장된 프로그램 코드에 따라서 동작할 수 있으며 또는 외부 메모리에 저장된 프로그램 코드에 따라서 동작할 수 있다. 또한, 평가 장치와 외부 ROM의 동작 전압을 용이하게 일치시킬 수 있다. 따라서, 평가 장치로 공급되는 전압 레벨에 따라서 ROM을 교체해야 하는 불편이 없고, 부적합한 동작 전압의 공급으로 인한 ROM의 손상을 방지할 수 있다.According to the present invention as described above, by having an internal memory capable of storing program code in the evaluation apparatus, the evaluation apparatus can operate according to the program code stored in the internal memory for convenience or operate according to the program code stored in the external memory. Can be. In addition, it is possible to easily match the operating voltages of the evaluation apparatus and the external ROM. Therefore, there is no inconvenience in that the ROM needs to be replaced according to the voltage level supplied to the evaluation apparatus, and damage to the ROM due to supply of an inappropriate operating voltage can be prevented.

도 1은 일반적인 평가 칩의 구성을 보여주는 블록도; 그리고1 is a block diagram showing the configuration of a general evaluation chip; And

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평가 장치의 구성을 보여주는 블록도이다.2 is a block diagram showing a configuration of an evaluation apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 설명* Description of the main parts of the drawing

100, 300 : 평가 칩 101, 301 : 버스100, 300: evaluation chip 101, 301: bus

110, 310 : CPU 120, 330 : EEPROM110, 310: CPU 120, 330: EEPROM

130, 340 : RAM 140 : 주변 회로들130, 340: RAM 140: peripheral circuits

200, 400 : ROM 350 : EEPROM200, 400: ROM 350: EEPROM

360 : RAM 370, 380 : 스위칭부360: RAM 370, 380: Switching unit

390 : 주변 회로들390: peripheral circuits

Claims

In an evaluation device capable of evaluating a program stored in external memory:

An evaluation circuit comprising a bus;

An internal memory to which a program stored in the external memory is downloaded; And

And a first switching circuit connecting one of the external memory and the internal memory with a bus of the evaluation circuit in response to a first selection signal.

The method of claim 1,

And said internal memory comprises a nonvolatile memory.

The method of claim 1,

The internal memory comprises a random access memory (RAM).

The method of claim 1,

Nonvolatile memory;

Random access memory (RAM); And

And a second switching circuit connecting one of the nonvolatile memory and the RAM with the switching circuit in response to a second selection signal.

The method of claim 1,

And the external memory is a read only memory (ROM).

The method of claim 1,

And an internal voltage generator configured to receive an external power supply voltage and generate an internal voltage to be supplied to the evaluation circuit, the internal memory, and the external memory.