KR20050096539A - Electron emission display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 메탈 백(Metal back)이 적용되는 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것으로, 투명 기판의 적어도 일면에 일정 간격으로 형성된 R, G, B 형광체, 상기 형광체 사이에 형성된 블랙 매트릭스, 상기 형광체 및 블랙 매트릭스 상에 형성되며 표면이 평탄화된 도전성 투명막, 상기 도전성 투명막 상에 소정 두께로 형성된 메탈 백으로 구성된다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device to which a metal back is applied, and includes R, G and B phosphors formed at regular intervals on at least one surface of a transparent substrate, a black matrix formed between the phosphors, the phosphor and the black matrix. A conductive transparent film formed on and flattened on the surface thereof, and a metal back formed to a predetermined thickness on the conductive transparent film.
Description
본 발명은 전자 방출 디스플레이 장치(Electron Emission Display)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 메탈 백(Metal back)이 적용되는 전자 방출 디스플레이 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron emission display device, and more particularly, to an electron emission display device to which a metal back is applied.
일반적으로 전자 방출 디스플레이 장치는 전기장에 의해 방출되는 전자가 가속되어 형광체를 여기시키므로써 발광하도록 구성된다. 이러한 전자 방출 디스플레이 장치는 크게 전자 방출을 위한 에미터를 구비하는 캐소드 플레이트 및 방출된 전자와의 충돌에 의해 발광하는 형광체를 구비하는 애노드 플레이트로 이루어진다.In general, an electron emission display device is configured to emit light by accelerating electrons emitted by an electric field to excite a phosphor. Such an electron emission display device is largely composed of a cathode plate having an emitter for electron emission and an anode plate having a phosphor that emits light by collision with emitted electrons.
캐소드 플레이트는 기판 상에 형성된 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극 상에 형성되며 다수의 미세 홀이 형성된 절연층, 상기 미세 홀을 통해 노출되는 상기 캐소드 전극의 표면에 전자 방출을 위해 형성된 에미터, 그리고 상기 절연층 상에 형성된 게이트 전극으로 구성된다. The cathode plate is a cathode electrode formed on the substrate, an insulating layer formed on the cathode electrode and formed with a plurality of micro holes, an emitter formed for emitting electrons on the surface of the cathode electrode exposed through the micro holes, and the insulation It is composed of a gate electrode formed on the layer.
또한, 애노드 플레이트는 기판 상에 형성된 애노드 전극 및 R(Red), G(Green), B(Blue) 형광체, 그리고 상기 형광체 간의 경계를 위한 블랙 메트릭스로 구성된다. In addition, the anode plate is composed of an anode electrode formed on the substrate and R (Red), G (Green), B (Blue) phosphor, and black matrix for the boundary between the phosphors.
상기와 같이 구성된 캐소드 플레이트 및 애노드 플레이트는 스페이서를 사이에 두고 일정 거리 이격되도록 봉합(sealing)되며, 에너지 손실이 발생되지 않고 전자들이 이동할 수 있도록 내부가 진공 상태로 밀봉된다.The cathode plate and the anode plate configured as described above are sealed to be spaced apart by a predetermined distance with a spacer therebetween, and the inside is sealed in a vacuum state so that electrons can move without generating energy loss.
최근에는 상기와 같이 구성된 전자 방출 디스플레이 장치의 내전압 특성 및 휘도 특성을 향상시키기 위하여 애노드 플레이트의 형광체 및 블랙 메트릭스 상부에 금속으로 이루어진 메탈 백을 형성하여 형광체로부터 발광되는 빛을 애노드 플레이트 방향으로 반사시키는 동시에 이차 전자에 의한 피해가 방지되도록 하는 기술이 도입되었다.Recently, in order to improve the breakdown voltage characteristics and luminance characteristics of the above-described electron emission display device, a metal back made of metal is formed on the phosphor and the black matrix of the anode plate to reflect the light emitted from the phosphor in the direction of the anode plate. Techniques have been introduced to prevent damage from secondary electrons.
도 1a 내지 도 1e는 메탈 백이 적용된 종래의 애노드 플레이트 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views illustrating a conventional anode plate manufacturing method to which a metal back is applied.
도 1a를 참조하면, 기판(21) 상에 애노드 전극(22)을 형성한다. Referring to FIG. 1A, an anode electrode 22 is formed on a substrate 21.
도 1b를 참조하면, 상기 애노드 전극(22) 상에 크롬(Cr)막을 형성한 후 형광체 간의 경계가 될 부분에만 크롬막이 잔류하도록 패터닝하고 열처리하면 크롬막과 애노드 전극(22) 계면의 산화에 의해 흑색화가 일어나 블랙 매트릭스(23)가 완성된다. Referring to FIG. 1B, after forming a chromium (Cr) film on the anode electrode 22 and patterning the chromium film to remain only at a portion that will be a boundary between phosphors, and heat treatment, oxidation of the interface between the chromium film and the anode electrode 22 occurs. Blackening occurs to complete the black matrix 23.
도 1c를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(23) 사이의 노출된 애노드 전극(22) 상에 R(Red), G(Green), B(Blue) 형광체(24)를 형성한다.Referring to FIG. 1C, R (Red), G (Green), and B (Blue) phosphors 24 are formed on the exposed anode electrode 22 between the black matrix 23.
도 1d를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(23)와 형광체(24) 표면의 단차를 제거하기 위하여 전체 상부면에 소정 두께의 중간막(25)을 형성한 후 건조시킨다. 그리고 상기 중간막(25) 상에 금속을 얇게 증착한 후 열처리하여 메탈 백(26)을 형성한다. Referring to FIG. 1D, an intermediate film 25 having a predetermined thickness is formed on the entire upper surface of the black matrix 23 and the phosphor 24 to remove the step difference, and then dried. In addition, a thin metal is deposited on the interlayer 25 and then heat-treated to form a metal back 26.
도 1e를 참조하면, 소성 공정으로 상기 형광체(24)와 메탈 백(26) 사이에 형성된 상기 중간막(25)을 제거하여 상기 형광체(24)와 메탈 백(26) 사이에 일정 거리가 확보되도록 한다. Referring to FIG. 1E, the intermediate film 25 formed between the phosphor 24 and the metal bag 26 is removed by a firing process so that a predetermined distance is secured between the phosphor 24 and the metal bag 26. .
상기와 같이 종래에는 반사 효과를 증대시키기 위하여 형광체(24)와 메탈 백(26) 사이에 중간막(25)을 형성한 후 제거하여 중간막(25) 두께 만큼의 공간이 확보되도록 하였다. 그러나 상기와 같은 방법을 이용하면 중간막(25)이 제거됨으로써 생성되는 공간으로 인해 후속 열처리 공정 등을 거치면 메탈 백(26) 표면의 균일도가 저하되어 반사 효과가 감소되고 휘도가 불균일해진다. 또한, 형광체 표면에 전자가 챠지(Charge)되어 열이 발생되며 카본(Carbon)의 축적으로 인한 형광체 표면의 오염으로 인해 챠지된 전자의 방출이 효과적으로 이루어지지 않아 형광체의 수명이 감소된다. As described above, in order to increase the reflection effect, the intermediate film 25 is formed between the phosphor 24 and the metal back 26 and then removed to secure a space equal to the thickness of the intermediate film 25. However, when the above method is used, the uniformity of the surface of the metal back 26 is decreased due to the space generated by removing the interlayer 25, thereby decreasing the uniformity of the reflective surface and uneven brightness. In addition, electrons are charged on the surface of the phosphor to generate heat, and due to contamination of the surface of the phosphor due to accumulation of carbon, emission of charged electrons is not effectively performed, thereby reducing the lifetime of the phosphor.
따라서 본 발명은 형광체와 메탈 백 사이의 거리 확보를 위하여 형광체와 메탈 백 사이에 도전성 투명막을 형성함으로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 전자 방출 디스플레이 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron emission display device that can solve the above disadvantages by forming a conductive transparent film between the phosphor and the metal back to secure the distance between the phosphor and the metal back.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자 방출 디스플레이 장치는 투명 기판, 상기 기판 상에 일정 간격으로 형성된 형광체, 상기 형광체 사이에 형성된 블랙 매트릭스, 상기 형광체 및 블랙 매트릭스 상에 형성되며 표면이 평탄화된 도전성 투명막, 상기 도전성 투명막 상에 소정 두께로 형성된 메탈 백을 구비한다.An electron emission display device according to the present invention for achieving the above object is a transparent substrate, a phosphor formed at regular intervals on the substrate, a black matrix formed between the phosphors, formed on the phosphor and the black matrix and the surface is flattened A conductive transparent film and a metal back formed in a predetermined thickness on the said conductive transparent film are provided.
상기 메탈 백을 애노드 전극으로 사용할 수 있으며, 상기 형광체와 접속하는 투명 전극을 더 포함하고, 상기 투명 전극을 애노드 전극으로 사용할 수 있다. The metal back may be used as an anode electrode, and may further include a transparent electrode connected to the phosphor, and the transparent electrode may be used as an anode electrode.
그러면 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided to those skilled in the art to fully understand the present invention, and may be modified in various forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.
도 2는 본 발명에 따른 전자 방출 디스플레이 장치의 애노드 플레이트를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an anode plate of an electron emission display device according to the present invention.
투명 기판(31) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명한 도전체로 이루어진 애노드 전극(32)이 형성되고, 상기 애노드 전극(32) 상에 일정 간격으로 R(Red), G(Green), B(Blue) 형광체(34)가 형성된다. 상기 R, G, B 형광체(34) 간에는 형광체(34) 간의 경계를 위해 블랙 메트릭스(33)가 형성되며, 상기 형광체(34)와 블랙 메트릭스(33)의 상부에는 중간막으로서 표면이 평탄화된 도전성 투명막(35)이 형성된다. 상기 도전성 투명막(35) 상에는 얇은 두께의 메탈 백(36)이 형성된다.An anode electrode 32 made of a transparent conductor such as indium tin oxide (ITO) is formed on the transparent substrate 31, and R (Red), G (Green), and B are formed on the anode electrode 32 at predetermined intervals. (Blue) phosphor 34 is formed. The black matrix 33 is formed between the R, G, and B phosphors 34 for the boundary between the phosphors 34, and the conductive transparent flattened surface is formed as an intermediate layer on the phosphors 34 and the black matrix 33. The film 35 is formed. On the conductive transparent film 35, a thin metal back 36 is formed.
그러면 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 전자 방출 디스플레이 장치의 애노드 플레이트 제조 방법을 도 3a 내지 도 3e를 통해 설명하면 다음과 같다. Next, an anode plate manufacturing method of the electron emission display device according to the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. 3A to 3E.
도 3a를 참조하면, 유리 등으로 이루어진 투명 기판(31) 상에 ITO와 같은 투명한 도전체로 애노드 전극(32)을 형성한다. Referring to FIG. 3A, the anode electrode 32 is formed of a transparent conductor such as ITO on a transparent substrate 31 made of glass or the like.
도 3b를 참조하면, 상기 애노드 전극(32) 상에 크롬(Cr) 등으로 금속막을 형성한 후 형광체 간의 경계가 될 부분에만 금속막이 잔류되도록 패터닝한다. 이 후 450℃ 정도의 고온에서 열처리하면 금속막과 애노드 전극(32) 계면의 산화에 의해 흑색화가 일어나 블랙 매트릭스(33)가 완성된다. 형광체와 형광체 사이에 형성되는 상기 블랙 메트릭스(33)는 하나의 형광체로부터 발광된 빛이 인접하는 다른 형광체로부터 발광된 빛과 섞이지 않도록 하므로써 콘트라스트 및 색순도가 향상되도록 한다.Referring to FIG. 3B, a metal film is formed on the anode electrode 32 using chromium (Cr) or the like, and is patterned so that the metal film remains only at a portion that will be a boundary between phosphors. Subsequently, heat treatment at a high temperature of about 450 ° C. causes blackening by oxidation of the metal film and the anode electrode 32 to complete the black matrix 33. The black matrix 33 formed between the phosphor and the phosphor prevents light emitted from one phosphor from mixing with light emitted from another phosphor adjacent thereto, thereby improving contrast and color purity.
저반사율의 흑색막을 이루는 상기 블랙 매트릭스(33)는 금속(크롬, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴 등이나 그들의 합금), 금속 산화물(산화크롬, 질화크롬 등)로 형성할 수 있는데, 예를 들어, 크롬의 단층막뿐만 아니라 크롬과 산화크롬의 2층 또는 3층 막으로 형성할 수 있다. The black matrix 33 forming a black film having a low reflectance may be formed of a metal (chromium, nickel, aluminum, molybdenum or the like or an alloy thereof) or a metal oxide (chromium oxide, chromium nitride, etc.). Not only a single layer film but also a two or three layer film of chromium and chromium oxide can be formed.
도 3c를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(33) 사이의 노출된 애노드 전극(32) 상에 R, G, B 형광체(34)를 형성한다. 상기 R, G, B 형광체(34)는 일반적으로 전자 방출 디스플레이 장치에 사용하는 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 발광성의 형광체를 사용할 수 있는데, 예를 들어, 적색(R) 형광체로는 Y2O3:Eu, Y2SiO5 :Eu, Y3Al5O12:Eu, ScBO3:Eu, Zn3(PO4)2:Mn, YBO3:Eu, (Y, Gd)BO3 :Eu, GdBO3:Eu, LuBO3:Eu, Y2O2S:EU, SnO2:Eu 등을 들 수 있으며, 녹색(G) 형광체로는 Zn2SiO4:Mn, BaAl12 O19:Mn, BaAl12O19:Mn, YBO3:Tb, BaMgAl14O23:Mn, LuBO 3:Tb, GbBO3:Tb, ScBO3:Tb, Sr6Si3O3Cl4:Eu, ZnBaO4:Mn, ZnS:Cu, Al, ZnO:Zn, Gd2O2S:Tb, ZnGa2O4:Mn, ZnS:Cu, Au, Al 등을 들 수 있고, 청색(B) 형광체로는 Y2SiO5:Ce, CaWO4:Pb, BaMgAl 14O23:Eu, ZnS:Ag, ZnMgO, ZnGaO4, ZnS:Ag 등을 들 수 있다.Referring to FIG. 3C, R, G, and B phosphors 34 are formed on the exposed anode electrode 32 between the black matrices 33. The R, G, and B phosphors 34 may use red (R), green (G), and blue (B) luminescent phosphors generally used in an electron emission display device. For example, red (R) Phosphors include Y 2 O 3 : Eu, Y 2 SiO 5 : Eu, Y 3 Al 5 O 12 : Eu, ScBO 3 : Eu, Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn, YBO 3 : Eu, (Y, Gd ) BO 3 : Eu, GdBO 3 : Eu, LuBO 3 : Eu, Y 2 O 2 S: EU, SnO 2 : Eu and the like, and green (G) phosphor Zn 2 SiO 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, YBO 3 : Tb, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LuBO 3 : Tb, GbBO 3 : Tb, ScBO 3 : Tb, Sr 6 Si 3 O 3 Cl 4 : Eu, ZnBaO 4 : Mn, ZnS: Cu, Al, ZnO: Zn, Gd 2 O 2 S: Tb, ZnGa 2 O 4 : Mn, ZnS: Cu, Au, Al and the like, and the blue (B) phosphor Y 2 SiO 5 : Ce, CaWO 4 : Pb, BaMgAl 14 O 23 : Eu, ZnS: Ag, ZnMgO, ZnGaO 4 , ZnS: Ag and the like.
도 3d를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(33)와 형광체(34) 표면의 단차를 제거하는 동시에 형광체(34)와 메탈 백 사이의 거리 확보를 위해 전체 상부면에 같은 도전성 투명막(35)을 소정 두께 형성한다. 그리고 상기 도전성 투명막(35) 상에 알루미늄(Al) 등의 금속을 증착한 후 열처리하여 메탈 백(36)을 형성한다. Referring to FIG. 3D, the same conductive transparent film 35 is disposed on the entire upper surface of the black matrix 33 and the phosphor 34 to remove the step and secure the distance between the phosphor 34 and the metal back. To form thickness. In addition, a metal back 36 is formed by depositing a metal such as aluminum (Al) on the conductive transparent film 35 and performing heat treatment.
중간막 역할을 하는 상기 도전성 투명막(35)은 니켈, 코발트, 동, 철, 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 및 아연으로 이루어진 금속군 중 하나 또는 조합으로된 합금을 투명성이 유지되도록 얇게 형성하거나, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IXO), 산화주석(SnO2), 안티몬 도프의 산화주석, 인듐 또는 안티몬 도프의 산화티탄(TiO2), 산화루테늄(RuO2), 인듐 또는 안티몬 도프의 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어진 도전성의 투명 금속산화물군 중 하나 또는 그 이상의 조합으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, 평탄성을 유지하기 위해 스퍼터링(Sputering) 증착 등의 방법을 이용하여 2 내지 3㎛ 정도의 두께로 형성한다. 상기 메탈 백(36)은 가속되는 전자의 에너지에 따라 예를 들어, 500 내지 1000Å 정도의 두께로 형성할 수 있다.The conductive transparent film 35 serving as an interlayer film is formed of a thin alloy so as to maintain transparency to an alloy made of one or a combination of metals made of nickel, cobalt, copper, iron, gold, silver, rhodium, palladium, platinum and zinc. , Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IXO), tin oxide (SnO 2 ), tin oxide of antimony dope, titanium oxide of indium or antimony dope (TiO 2 ), ruthenium oxide (RuO 2 ), indium or antimony It may be formed of one or more combinations of conductive transparent metal oxide groups made of zirconium oxide (ZrO 2 ) of dope, and, for example, 2 to 2 by using a method such as sputtering deposition to maintain flatness. It is formed to a thickness of about 3㎛. The metal back 36 may be formed to a thickness of, for example, about 500 to about 1000 kW, depending on the energy of electrons to be accelerated.
상기와 같이 제조된 애노드 플레이트는 도 4에 도시된 바와 같이 캐소드 플레이트와 스페이서를 사이에 두고 200㎛ 내지 수 ㎜ 정도 이격되도록 봉합되며, 에너지 손실이 발생되지 않고 전자들이 이동할 수 있도록 내부가 진공 상태로 밀봉된다.The anode plate manufactured as described above is sealed to be spaced apart from each other by about 200 μm to several mm with the cathode plate and the spacer therebetween as shown in FIG. 4, and the inside of the anode plate is vacuumed so that electrons can move without energy loss. Is sealed.
한편, 상기 구조에서 투명한 애노드 전극(33)을 형성하지 않고 상기 메탈 백(36)에 애노드 전압을 인가할 수도 있다.Meanwhile, in the structure, an anode voltage may be applied to the metal back 36 without forming the transparent anode electrode 33.
또한, 상기 애노드 전극(33)의 형상을 스트라이프 형상이나 전면 일체형 형상이나 매트릭스 형상 모두 가능하며, 특정 형상에 한정되지 않는다.In addition, the shape of the anode electrode 33 can be a stripe shape, an all-in-one integrated shape, or a matrix shape, and is not limited to a specific shape.
도 4는 본 발명이 적용되는 캐소드 플레이트의 일 예로서, 캐소드 플레이트(10)는 기판(11) 상에 형성된 캐소드 전극(12), 상기 캐소드 전극(12) 상에 형성되며 다수의 미세 홀이 형성된 절연층(13), 상기 미세 홀을 통해 노출되는 상기 캐소드 전극(12)의 표면에 전자 방출을 위해 형성된 에미터(15), 그리고 상기 절연층(13) 상에 형성된 게이트 전극(14)으로 구성된다. 상기 에미터(15)는 금속의 마이크로 팁(Micro tip)이나 카본계의 물질 예를 들어, 그라파이트(Graphite), 다이아몬드(Diamond), DLC(Diamond Like Carbon), 카본 나노튜브(Carbon nanotube), 또는 기타 나노 튜브나 나노 와이어 등으로 형성될 수 있다.4 is an example of a cathode plate to which the present invention is applied, the cathode plate 10 is formed on the cathode electrode 12 formed on the substrate 11, the cathode electrode 12 and a plurality of fine holes are formed An insulating layer 13, an emitter 15 formed for emitting electrons on the surface of the cathode electrode 12 exposed through the micro holes, and a gate electrode 14 formed on the insulating layer 13. do. The emitter 15 may be formed of a metal micro tip or carbon-based material such as graphite, diamond, diamond like carbon, DLC, or carbon nanotube. Other nanotubes or nanowires may be formed.
상기와 같이 구성된 캐소드 플레이트(10)의 상부에 본 발명에 따라 제작된 애노드 플레이트(30)를 위치시킨 후 스페이서(도시안됨)를 사이에 두고 일정 거리 이격되도록 봉합하며, 에너지 손실이 발생되지 않고 전자들이 이동할 수 있도록 내부를 진공 상태로 밀봉시킨다. Positioning the anode plate 30 made in accordance with the present invention on top of the cathode plate 10 configured as described above and then sutured so as to be spaced apart a certain distance with a spacer (not shown) therebetween, without losing energy The interior is sealed in a vacuum so that they can move.
상기와 같이 구성된 전자 방출 디스플레이 장치를 구동시키기 위해서는 상기 캐소드 전극(12) 및 게이트 전극(14) 간에 수십 내지 수백 V의 전압을 인가하고 상기 애노드 전극(32) 및 캐소드 전극(12) 간에 수 kV의 전압을 인가한다. 그러면 상기 게이트 전극(14)에 형성되는 강한 전계에 의해 에미터(15)의 선단에서 전자들이 방출되며, 방출된 전자들이 진공 영역을 통과하여 형광층에 충돌하면서 형광체(34)의 여기에 의해 발광이 일어난다. 이 때 발광된 빛은 상기 애노드 플레이트(30)의 기판(31)을 통해 외부로 표시되는데, 캐소드 플레이트(10) 방향으로 발광하는 빛도 상기 메탈 백(36)에 전부 반사되어 애노드 플레이트(30)의 기판(31)을 통해 외부로 표시되기 때문에 발광 효율이 증가하게 된다. 또한, 형광체(34)에 전자가 충돌할 때 발생하는 이차 전자 및 형광체(34) 표면의 챠지(Charge)도 도전성을 가지는 도전성 투명막(35)에 의해 효과적으로 디스챠지(Discharge)된다. In order to drive the electron emission display device configured as described above, a voltage of several tens to several hundred volts is applied between the cathode electrode 12 and the gate electrode 14, and several kV is applied between the anode electrode 32 and the cathode electrode 12. Apply voltage. Then, electrons are emitted from the tip of the emitter 15 by a strong electric field formed in the gate electrode 14, and the emitted electrons pass through the vacuum region and impinge on the fluorescent layer to emit light by excitation of the phosphor 34. This happens. At this time, the emitted light is displayed to the outside through the substrate 31 of the anode plate 30, and the light emitted in the direction of the cathode plate 10 is also totally reflected by the metal back 36 to the anode plate 30. Since it is displayed to the outside through the substrate 31 of the luminous efficiency is increased. In addition, the secondary electrons generated when electrons collide with the phosphor 34 and the charge on the surface of the phosphor 34 are also effectively discharged by the conductive transparent film 35 having conductivity.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다. As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described in detail, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is performed by a person with ordinary skill in the art within the scope of the technical idea of this invention. It is possible.
본 발명은 형광체와 메탈 백 사이에 도전성 투명막이 매립된 구조의 애노드 플레이트를 구성함으로써 형광체와 메탈 백 사이의 거리가 일정하게 유지되어 반사 효과가 극대화되며, 도전성 투명막의 도전성으로 인해 전자의 챠징(Charging)이 억제된다. 그러므로 반사 효과가 증대되어 휘도가 향상되며, 형광체의 열화가 방지되어 수명이 증대될 수 있다.According to the present invention, an anode plate having a structure in which a conductive transparent film is embedded between a phosphor and a metal back is maintained to maintain a constant distance between the phosphor and the metal back, thereby maximizing a reflection effect, and charging of electrons due to conductivity of the conductive transparent film. ) Is suppressed. Therefore, the reflection effect is increased, the luminance is improved, and deterioration of the phosphor is prevented, and the lifespan can be increased.
또한, 종래의 공정은 형광체와 메탈 백 사이에 존재하는 중간막을 제거하기 위한 소성 단계를 포함하고 있으나, 본 발명에 따르면 형광체와 메탈 백 사이의 중간막을 제거하지 않아도 되므로 공정의 단계가 감소된다.In addition, the conventional process includes a firing step for removing the intermediate film existing between the phosphor and the metal bag, but according to the present invention, the step of the process is reduced since it is not necessary to remove the intermediate film between the phosphor and the metal bag.
도 1a 내지 도 1e는 종래 전자 방출 디스플레이 장치의 애노드 플레이트 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.1A to 1E are cross-sectional views illustrating an anode plate manufacturing method of a conventional electron emission display device.
도 2은 본 발명에 따른 전자 방출 디스플레이 장치를 설명하기 위한 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating an electron emission display device according to the present invention;
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 전자 방출 디스플레이 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an electron emission display device according to the present invention.
도 4는 본 발명이 적용된 전자 방출 디스플레이 장치를 설명하기 위한 단면도.4 is a cross-sectional view illustrating an electron emission display device to which the present invention is applied.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10: 캐소드 플레이트 11, 21, 31: 기판10: cathode plates 11, 21, 31: substrate
12: 캐소드 전극 13: 절연층12: cathode electrode 13: insulating layer
14: 게이트 전극 15: 에미터14 gate electrode 15 emitter
22, 32: 애노드 전극 23, 33: 블랙 매트릭스22, 32: anode electrode 23, 33: black matrix
24, 34: 형광체 25: 중간막24, 34 phosphor 25: interlayer
26, 36: 메탈 백 30: 애노드 플레이트26, 36: metal bag 30: anode plate
35: 도전성 투명막 35: conductive transparent film
Claims (5)
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| KR (1) | KR20050096539A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100829566B1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-05-14 | 삼성전자주식회사 | Flat panel display device and method for manufacturing the same |
-
2004
- 2004-03-31 KR KR1020040021943A patent/KR20050096539A/en not_active Application Discontinuation
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