KR20050078329A - 전계 방출 표시 소자 - Google Patents

전계 방출 표시 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20050078329A
KR20050078329A KR1020040005728A KR20040005728A KR20050078329A KR 20050078329 A KR20050078329 A KR 20050078329A KR 1020040005728 A KR1020040005728 A KR 1020040005728A KR 20040005728 A KR20040005728 A KR 20040005728A KR 20050078329 A KR20050078329 A KR 20050078329A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
center
emitter
pixel
disposed
gate
Prior art date
Application number
KR1020040005728A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101009979B1 (ko
Inventor
장동수
이재훈
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020040005728A priority Critical patent/KR101009979B1/ko
Priority to US11/044,102 priority patent/US7432644B2/en
Publication of KR20050078329A publication Critical patent/KR20050078329A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101009979B1 publication Critical patent/KR101009979B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H01J3/022—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
    • H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/467—Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/18—Luminescent screens

Abstract

화소 영역의 중심부와 주변부에서의 에미터와 게이트 전극간의 거리를 다르게 설정한 전계 방출 표시 소자에 관한 것으로, 본 발명의 전계 방출 표시 소자는, 서로 마주보도록 배치되는 한쌍의 애노드 기판 및 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판에 순차적으로 적층되는 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극; 화소 영역 내에서 상기 게이트 전극 및 절연층의 일부를 제거하여 형성한 게이트 홀들; 상기 게이트 홀들의 내측으로 상기 캐소드 전극 위에 제공되며, 전자를 방출하는 에미터들; 및 상기 애노드 기판에 제공되는 애노드 전극 및 형광막 스크린;을 포함하며, 각각의 화소 중심부에 배치된 각 에미터에는 균일 전계가 인가되도록 하고, 상기 중심부를 제외한 화소 주변부에 배치된 각 에미터에는 불균일 전계가 인가되도록 형성된다.

Description

전계 방출 표시 소자{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE}
본 발명은 전계 방출 표시 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화소 영역의 중심부와 주변부에서의 에미터와 게이트 전극간의 거리를 다르게 설정한 전계 방출 표시 소자에 관한 것이다.
미국 특허번호 제3,665,241호에 개시된 바와 같이, 초기의 전계 방출 표시 소자는 캐소드 전극상에 원추상의 금속 팁을 형성하고, 상기 금속 팁 주위에 게이트 전극을 형성하며, 양 전극 사이에 임계 전압 이상의 전압차가 발생되도록 구동 전압을 인가하여 금속 팁에서 전자를 방출시키고, 방출된 전자를 애노드 전극에 부착된 형광막으로 가속시켜 소정의 화상을 구현하는 구조로 이루어진다.
그러나 이러한 전계 방출 표시 소자는 상기 금속 팁을 형성하기 위해 고가의 반도체 장비를 사용해야 하기 때문에 제조 단가가 높아지고, 복잡한 제조 공정으로 인해 대면적 디스플레이 구현이 어려운 단점이 있다.
이러한 문제점들을 개선하기 위하여, 상기 전자 방출층을 평면 형상의 면전자원으로 형성하는 전계 방출 표시 소자가 제안되었다.
상기 면전자원은 통상적으로 흑연(graphite), 카본 섬유(carbon fiber), 다이아몬드상카본(DLC: Diamond Like Carbon), 탄소나노튜브(CNT: Carbon Nano-Tube), C60(fulleren) 등의 카본 계열 물질을 이용하여 형성하는데, 근래에는 탄소나노튜브(CNT)가 면전자원으로서 각광받고 있다. 이는 상기 탄소나노튜브의 끝단 곡률 반경이 약 100Å 정도로 미세하여 10 내지 50V 정도의 외부 전압에서도 전자 방출이 원활하게 일어나므로 저전압 구동이 용이하고, 대면적화가 가능한 등의 장점들을 갖기 때문이다.
상기한 카본 계열 물질을 면전자원으로 구비한 전계 방출 표시 소자는 전자 방출을 용이하게 조절하기 위하여 통상 3극관 구조로 제작되는바, 상기 3극관 구조는 캐소드 기판에 캐소드 전극과 게이트 전극이 제공되고, 애노드 기판에 애노드 전극이 제공된 구조를 나타낸다.
그리고, 상기 3극관 구조의 전계 방출 표시 소자는 게이트 전극의 배치 형태에 따라 다시 하부 게이트(under gate) 구조 및 일반 게이트(normal gate) 구조로 구분할 수 있는데, 상기 하부 게이트 구조는 게이트 전극이 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극의 하부에 위치하는 구조를 나타내고, 일반 게이트 구조는 게이트 전극이 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극의 상부에 위치하는 구조를 말한다.
이 중에서, 상기 일반 게이트 구조의 전계 방출 표시 소자에 대해 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
전계 방출 표시 소자는 임의의 간격을 두고 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 캐소드 기판과 애노드 기판을 포함한다. 캐소드 기판에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이 제공되고, 애노드 기판에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.
보다 구체적으로, 캐소드 기판에는 스트라이프 패턴상의 캐소드 전극들이 서로 일정한 간격을 두고 배열되어 있고, 상기 캐소드 전극들 위에는 절연층이 형성되어 있으며, 절연층 위에는 캐소드 전극과 교차하는 방향으로 스트라이프 패턴상의 게이트 전극들이 서로 일정한 간격을 두고 배열되어 있다.
그리고, 상기 캐소드 전극들과 게이트 전극들이 교차하는 화소 영역에는 캐소드 전극의 일부를 노출시키는 게이트 홀들이 다수개 형성되어 있으며, 게이트 홀들의 내측으로 캐소드 전극의 노출 부분에는 전자 방출 물질로 이루어진 에미터가 배치된다.
이에 따라, 캐소드 전극과 게이트 전극에 일정한 전압을 인가하면, 전자 방출원에서 방출된 전자들이 애노드 기판의 형광체들에 충돌되고, 형광체들은 전자의 운동 에너지를 전달받아 여기되어 빛을 방출함으로써 소정의 화상을 표시하게 된다.
상기한 구성의 전계 방출 표시 소자에 있어서, 균일한 전계 형성으로 전자 방출량을 증가시키기 위해, 종래에는 도 1에 도시한 바와 같이 에미터(102)와 게이트 전극(104)간의 간격을 모두 동일하게 형성하고 있다. 상기 도 1에서, 미설명 도면부호 106은 게이트 홀을 나타낸다.
그런데, 이러한 구성의 게이트 전극 구조는 빔 퍼짐 현상으로 인해 인접 화소의 누설 발광이 발생되고, 이로 인해 색 재현성이 낮은 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 종래에는 도 2a 및 2b에 도시한 바와 같이 한 개의 화소 내에서 에미터(102)와 게이트 전극(104')간의 거리를 좌우 방향(X-X')과 상하 방향(Y-Y')으로 서로 다르게 형성하여 에미터(102)에 인가되는 전계를 불균일하게 형성함으로써 전자빔 퍼짐 현상을 방지하고자 하는 노력이 있었으나, 이러한 게이트 전극 구조의 전계 방출 표시 소자는 불균일한 전계 인가로 인해 전술한 도 1의 경우에 비해 전자 방출량이 감소하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전자 방출량 및 빔 집속 효과를 동시에 만족시킬 수 있는 전계 방출 표시 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 본 발명의 목적은, 개개의 화소 영역 내에 복수의 에미터들이 배치되는 전계 방출 표시 소자에 있어서, 상기 화소 영역내의 에미터 위치에 따라 에미터와 게이트 전극간의 간격을 다르게 설정한 전계 방출 표시 소자에 의해 달성할 수 있다.
바람직하게, 각각의 화소 중심부에서는 에미터와 게이트 전극간의 간격을 동일하게 형성하고, 상기 중심부를 제외한 화소 주변부에서는 중심부쪽으로 에미터를 오프셋시켜 배치할 수 있다.
보다 바람직하게는 상기 목적을 달성하기 위하여,
서로 마주보도록 배치되는 한쌍의 애노드 기판 및 캐소드 기판;
상기 캐소드 기판에 순차적으로 적층되는 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극;
화소 영역 내에서 상기 게이트 전극 및 절연층의 일부를 제거하여 형성한 게이트 홀들;
상기 게이트 홀들의 내측으로 상기 캐소드 전극 위에 제공되며, 전자를 방출하는 에미터들; 및
상기 애노드 기판에 제공되는 애노드 전극 및 형광막 스크린;
을 포함하며, 각각의 화소 중심부에 배치된 각 에미터에는 균일 전계가 인가되도록 하고, 상기 중심부를 제외한 화소 주변부에 배치된 각 에미터에는 불균일 전계가 인가되도록 형성되는 전계 방출 표시 소자를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 주변부에 배치되는 각각의 에미터들을 화소 중심부쪽으로 오프셋 배치함으로써 불균일 전계가 인가되도록 할 수 있다.
이때, 상기 각 에미터들의 오프셋량은 에미터를 기준으로 화소 외부 방향으로의 간격이 화소 중심부 방향으로의 간격보다 1.5배 이상이 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 주변부는 캐소드 전극의 길이 방향을 기준으로 상기 중심부의 좌측 및 우측, 또는 중심부의 상하좌우측에 배치할 수 있으며, 바람직하게는 상기 중심부 및 주변부를 상하좌우 대칭형으로 형성할 수 있다.
그리고, 상기 에미터들은 몰리브덴 등의 원추형 금속 또는 카본 계열의 전자 방출 물질로 형성할 수 있다.
이러한 구성의 전계 방출 표시 소자에 의하면, 화소 영역의 중심부에서는 에미터에 균일한 전계가 인가되므로 전자 방출량이 증가되는 한편, 화소 영역의 주변부에서는 게이트 전극과 근접한 부분의 에미터 면에서만 전자가 방출되므로 빔 퍼짐 현상이 방지된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 구성을 나타내는 단면도를 도시한 것이며, 도 4는 도 3에 도시한 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도를 도시한 것이다.
도면을 참고하면, 전계 방출 표시 소자는 임의의 간격을 두고 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 캐소드 기판(12)과 애노드 기판(14)을 포함한다. 캐소드 기판(12)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이 제공되고, 애노드 기판(14)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.
보다 구체적으로, 캐소드 기판(12)에는 스트라이프 패턴상의 캐소드 전극(16)들이 서로 일정한 간격을 두고 배열되어 있고, 상기 캐소드 전극(16)들 위에는 절연층(18)이 형성되어 있으며, 절연층(18) 위에는 캐소드 전극(16)과 교차하는 방향으로 스트라이프 패턴상의 게이트 전극(20)들이 서로 일정한 간격을 두고 배열되어 있다.
그리고, 상기 캐소드 전극(16)들과 게이트 전극(20)들이 교차하는 화소 영역(A)에는 캐소드 전극(16)의 일부를 노출시키는 게이트 홀(22)들이 형성되어 있으며, 캐소드 전극(16)의 노출된 부분에는 전자 방출 물질로 이루어진 에미터(24)가 배치된다.
이때, 본 실시예에서는 상기 화소 영역(A)을 중심부와 주변부로 구분하고, 중심부 및 주변부에 따라 에미터와 게이트 전극 사이의 간격을 다르게 설정하여 구성한다.
이를 도 4를 참조로 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 캐소드 기판의 주요부 평면도를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이, 한 개의 화소 영역(A)에는 20개의 게이트 홀(22)들이 형성되며, 각 게이트 홀(22)들의 내부로 캐소드 전극(16)의 표면에는 전자를 방출하는 에미터(24)들이 각각 배치된다.
본 실시예에 있어서, 상기 에미터(24)는 균일한 두께로 형성되는 면전자원으로서, 바람직하게 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다. 물론, 도시하지는 않았지만, 상기 에미터(24)가 몰리브덴 등의 금속을 원추형상으로 형성하는 것도 가능하다.
이때, 상기 화소 영역(A)은 중심부(A')와 주변부(A")로 구성되는데, 중심부(A')에는 이 영역 내에 배치된 에미터(24)들에 균일한 전계를 인가할 수 있도록 구성된 6개의 원형상 게이트 홀(22a)들이 배치되어 있고, 중심부(A')를 상하좌우측의 사방으로 둘러싸는 주변부(A")에는 이 영역 내에 배치된 에미터(24)들에 불균일한 전계를 인가할 수 있도록 구성된 14개의 게이트 홀(22b,22c,22d)들이 배치되어 있다.
여기에서, 불균일한 전계를 인가할 수 있도록 하기 위해 주변부(A")에 배치되는 게이트 홀들의 형상을 살펴보면, 중심부(A')의 상하쪽에 배치되는 게이트 홀(22b)들은 상하 방향(Y-Y')으로 길게 형성된 대략 직사각형의 형상으로 형성되고, 중심부(A')의 좌우쪽에 배치되는 게이트 홀(22c)들은 좌우 방향(X-X')으로 길게 형성된 대략 직사각형의 형상으로 형성되며, 중심부(A')의 모서리쪽에 배치되는 게이트 홀(22d)들은 대략 정사각형의 형상으로 형성된다. 물론, 상기에서, 게이트 홀들의 형상은 제한적이지 않다.
그리고, 상기 주변부(A")의 게이트 홀(22b,22c,22d)들 내측에 배치되는 에미터(24)들은 화소 외부 방향으로의 게이트 전극(20)과의 간격(G1)이 중심부 방향으로의 게이트 전극과의 간격(G2)보다 1.5배 이상이 되도록 중심부쪽으로 오프셋 배치된다.
이때, 상기 주변부(A")의 구성은 상하좌우 방향으로 대칭 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 구성에 의하면, 중심부(A')에서는 에미터(24)에 균일한 전계가 인가되므로 전자 방출량이 증가되는 한편, 주변부(A")에서는 게이트 전극과 근접한 부분의 에미터 면에서만 전자가 방출되므로 빔 퍼짐 현상이 방지된다.
한편, 캐소드 기판(12)과 마주보도록 배치되는 애노드 기판(14)의 일면에는 애노드 전극(26)이 스트라이프 패턴으로 일정 간격만큼 이격되어 복수개 형성되고, 애노드 전극(26)의 일면에는 적ㆍ녹ㆍ청색의 형광체(28R,28G,28B)들이 제공된다. 상기 도 1에서, 미설명 도면부호 30은 각 형광체들 사이에 제공되는 흑색막을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도를 도시한 것으로, 본 실시예는 중심부(A')의 상하측으로 빔 퍼짐 현상이 미미한 경우 도시한 바와 같이 중심부(A')를 도 2의 실시예에서 상하 방향(Y-Y')으로 확대 형성하고, 주변부(A")를 중심부(A')의 좌우 방향(X-X')에만 형성하는 것도 가능하다. 상기 도 5에서, 도 4의 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하였으며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 화소 영역 내에서의 에미터 위치에 따라 에미터와 게이트 전극 사이의 간격을 다르게 설정하는 경우를 전부 포함할 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 화소 영역의 중심부에서는 에미터에 균일한 전계가 인가되도록 하여 전자 방출량이 감소되는 것을 방지하는 한편, 화소 영역의 주변부에서는 에미터에 불균일한 전계가 인가되도록 하여 에미터의 특정 부위, 즉 게이트 전극과 근접한 부분의 에미터 면에서만 전자가 방출되도록 함으로써 빔 퍼짐 현상을 방지하여 타색 발광을 방지하고, 이로 인해 색 재현성을 향상시킬 수 있는 등의 효과가 있다.
도 1은 종래 기술의 일례에 따른 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술의 또다른 예에 따른 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 캐소드 기판의 주요부 구성을 나타내는 평면도이다.

Claims (18)

  1. 개개의 화소 영역 내에 복수의 에미터들이 배치되는 전계 방출 표시 소자에 있어서,
    상기 화소 영역내의 에미터 위치에 따라 에미터와 게이트 전극간의 간격을 다르게 설정한 전계 방출 표시 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    각각의 화소 중심부에서는 에미터와 게이트 전극간의 간격을 동일하게 형성하고, 상기 중심부를 제외한 화소 주변부에서는 중심부쪽으로 에미터를 오프셋시켜 배치하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 각 에미터들의 오프셋량은 에미터를 기준으로 화소 외부 방향으로의 간격이 화소 중심부 방향으로의 간격보다 1.5배 이상이 되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  4. 서로 마주보도록 배치되는 한쌍의 애노드 기판 및 캐소드 기판;
    상기 캐소드 기판에 순차적으로 적층되는 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극;
    화소 영역 내에서 상기 게이트 전극 및 절연층의 일부를 제거하여 형성한 게이트 홀들;
    상기 게이트 홀들의 내측으로 상기 캐소드 전극 위에 제공되며, 전자를 방출하는 에미터들; 및
    상기 애노드 기판에 제공되는 애노드 전극 및 형광막 스크린;
    을 포함하며, 각각의 화소 중심부에 배치된 각 에미터에는 균일 전계가 인가되도록 하고, 상기 중심부를 제외한 화소 주변부에 배치된 각 에미터에는 불균일 전계가 인가되도록 형성되는 전계 방출 표시 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 주변부에 배치되는 각각의 에미터들을 화소 중심부쪽으로 오프셋 배치함으로써 불균일 전계가 인가되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 각 에미터들의 오프셋량은 에미터를 기준으로 화소 외부 방향으로의 간격이 화소 중심부 방향으로의 간격보다 1.5배 이상이 되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  7. 제 2항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주변부는 캐소드 전극의 길이 방향을 기준으로 상기 중심부의 좌측 및 우측에 배치되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 중심부 및 주변부가 상하좌우 대칭형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 중심부에 배치되는 게이트 홀들은 에미터의 평면 형상과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 중심부에 배치되는 게이트 홀들이 원형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 주변부에 배치되는 게이트 홀들은 좌우 방향으로 길게 형성된 대략 직사각형의 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  12. 제 2항 내지 제 6항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주변부는 캐소드 전극의 길이 방향을 기준으로 상기 중심부의 상측 및 하측과 좌측 및 우측에 배치되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 중심부 및 주변부가 상하좌우 대칭형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 중심부에 배치되는 게이트 홀들은 에미터의 평면 형상과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 중심부에 배치되는 게이트 홀들이 원형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 중심부의 상측 및 하측 주변부에 배치되는 게이트 홀들은 중심부의 상하 방향으로 길게 형성된 대략 직사각형의 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 중심부의 좌측 및 우측 주변부에 배치되는 게이트 홀들은 중심부의 좌우 방향으로 길게 형성된 대략 직사각형의 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
  18. 제 12항에 있어서,
    상기 중심부의 모서리쪽에 배치되는 게이트 홀들은 대략 정사각형의 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시 소자.
KR1020040005728A 2004-01-29 2004-01-29 전계 방출 표시 소자 KR101009979B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040005728A KR101009979B1 (ko) 2004-01-29 2004-01-29 전계 방출 표시 소자
US11/044,102 US7432644B2 (en) 2004-01-29 2005-01-26 Electron emission device having expanded outer periphery gate holes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040005728A KR101009979B1 (ko) 2004-01-29 2004-01-29 전계 방출 표시 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050078329A true KR20050078329A (ko) 2005-08-05
KR101009979B1 KR101009979B1 (ko) 2011-01-21

Family

ID=34806026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040005728A KR101009979B1 (ko) 2004-01-29 2004-01-29 전계 방출 표시 소자

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7432644B2 (ko)
KR (1) KR101009979B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080045463A (ko) * 2006-11-20 2008-05-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 표시 장치
KR20080047771A (ko) * 2006-11-27 2008-05-30 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치와 이의 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08315721A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Nec Kansai Ltd 電界放出冷陰極
JP3353818B2 (ja) * 1998-03-26 2002-12-03 日本電気株式会社 電界放出型冷陰極装置
KR100331058B1 (ko) * 2000-05-15 2002-04-06 구자홍 전계 방출형 음극 구조체를 갖는 전자총
JP2003203554A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子放出素子
KR20050051367A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 삼성에스디아이 주식회사 그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7432644B2 (en) 2008-10-07
US20050168132A1 (en) 2005-08-04
KR101009979B1 (ko) 2011-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20030060045A (ko) 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
KR20060104659A (ko) 전자 방출 소자
KR20060019846A (ko) 전자 방출 소자
KR100863952B1 (ko) 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
US7274139B2 (en) Electron emission device with improved electron emission source structure
US20050264165A1 (en) Electron emission device including enhanced beam focusing and method of fabrication
KR20040017421A (ko) 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
KR101009979B1 (ko) 전계 방출 표시 소자
KR100869790B1 (ko) 전계 방출 표시장치
KR20050066758A (ko) 그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치
KR20050051367A (ko) 그리드 기판을 구비한 전계 방출 표시장치
KR100982328B1 (ko) 전계 방출 표시 소자
KR20050110189A (ko) 전자 방출 소자
KR101017037B1 (ko) 전자 방출 표시장치
KR20050078330A (ko) 전계 방출 표시 소자
KR20050096530A (ko) 전자방출 표시장치용 애노드 기판 및 이를 이용한전자방출 표시장치
KR101065395B1 (ko) 전자 방출 소자
KR100869787B1 (ko) 전계 방출 표시 장치 및 전계 방출 표시 장치의 제조방법
KR101009975B1 (ko) 그리드 전극을 구비한 전계 방출 표시장치
KR101009980B1 (ko) 전계 방출 표시장치
KR100989420B1 (ko) 전계 방출 표시장치
JP2007227348A (ja) 電子放出デバイス、および電子放出デバイスを用いる電子放出表示デバイス
KR20010046795A (ko) 집속 렌즈를 갖는 전계 방출 표시 소자 및 그 제조방법
JP2007227349A (ja) 電子放出デバイス、およびこれを用いた電子放出表示デバイス
KR20060095722A (ko) 전자 방출 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee