KR20050073943A - Apparatus for transfer a semiconductor substrate and equipment for manufacturing a semiconductor substrate having the same - Google Patents

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KR20050073943A
KR20050073943A KR1020040002071A KR20040002071A KR20050073943A KR 20050073943 A KR20050073943 A KR 20050073943A KR 1020040002071 A KR1020040002071 A KR 1020040002071A KR 20040002071 A KR20040002071 A KR 20040002071A KR 20050073943 A KR20050073943 A KR 20050073943A
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Abstract

이송 암의 단부에는 ‘Y’자 또는 ‘V’자 형상의 지지대가 연장되고, 지지대의 제1 단부에는 발광부가 설치되고, 지지대의 제2 단부에는 수광부가 설치된다. 제1 및 제2 단부에는 히터가 각각 부착되어 발광부 및 수광부를 가열한다. 이송 암이 반도체에 근접함을 감지하기 위한 발광부 및 수광부에 히터를 배치함으로써 케미컬 흄과 같은 이물질이 센서에 고착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 기판들이 적층된 카세트와 프로세스 챔버 사이에서 해당 반도체 기판을 정확히 반송할 수 있어 공정 에러는 감소하고 생산 수율은 증대한다. At the end of the transfer arm, a 'Y' or 'V' shaped support is extended, the first end of the support is provided with a light emitting portion, and the second end of the support is provided with a light receiving portion. Heaters are attached to the first and second ends, respectively, to heat the light emitting portion and the light receiving portion. By placing a heater on the light emitting portion and the light receiving portion for detecting that the transfer arm is in proximity to the semiconductor, it is possible to prevent foreign substances such as chemical fumes from sticking to the sensor. Therefore, the semiconductor substrate can be accurately transported between the cassette and the process chamber in which the semiconductor substrates are stacked, thereby reducing the process error and increasing the production yield.

Description

반도체 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 반도체 기판 가공 설비{APPARATUS FOR TRANSFER A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND EQUIPMENT FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING THE SAME}A semiconductor substrate transfer device and a semiconductor substrate processing equipment having the same {APPARATUS FOR TRANSFER A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND EQUIPMENT FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING THE SAME}

본 발명은 반도체 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 반도체 기판 가공 설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 로봇 암을 이용하여 카세트와 프로세스 챔버 사이에서 반도체 기판을 정확하게 반송할 수 있는 반도체 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 반도체 기판 가공 설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor substrate transfer apparatus and a semiconductor substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a semiconductor substrate transfer apparatus capable of accurately transferring a semiconductor substrate between a cassette and a process chamber using a robot arm, and A semiconductor substrate processing facility.

현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적, 고신뢰 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다.Current research on semiconductor devices is progressing toward high integration, high reliability, and high performance in order to process more data in a short time.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판 상에 사진, 식각, 증착, 확산, 이온 주입, 금속 증착 등의 공정이 반복되어 형성된다. 상기 공정들을 거치면서 반도체 장치로 제조되기까지 반도체 기판은 높은 진공 상태로 유지되는 프로세스 챔버에 빈번하게 유출입 된다. In general, a semiconductor device is formed by repeatedly performing processes such as photographing, etching, deposition, diffusion, ion implantation, and metal deposition on a semiconductor substrate. Through the above processes, the semiconductor substrate is frequently flowed into and out of the process chamber maintained in a high vacuum state until it is manufactured into a semiconductor device.

프로세스 챔버를 포함하는 반도체 기판 가공 설비는 반도체 기판을 몇 장씩 장입하느냐에 따라 크게 배치형(batch type)과 매엽식(single wafer type)으로 구분할 수 있다.A semiconductor substrate processing facility including a process chamber can be classified into a batch type and a single wafer type according to how many sheets of semiconductor substrates are loaded.

배치형의 경우, 한 챔버에 수 십장의 반도체 기판이 투입되어 공정이 진행되기 때문에, 공정 불량이 발생할 경우에 상기 수 십장의 반도체 기판이 모두 폐기되는 단점이 있다. In the case of the batch type, since dozens of semiconductor substrates are put in one chamber, the process proceeds, so that in case of process failure, the dozens of semiconductor substrates are discarded.

매엽식의 경우, 한 챔버에 한 장의 반도체 기판이 투입되어 공정이 진행되기 때문에 생산 수율이 떨어진다는 단점이 있지만, 반도체 기판이 대구경화되고 임계공정에도 적합하기 때문에 최근에는 많은 반도체 기판 가공 설비가 배치형에서 매엽식으로 전환되는 추세이다. 이하, 종래의 매엽식 반도체 기판 가공 설비를 간략하게 설명한다. 매엽식 반도체 기판 가공 설비에 대한 기술은 많은 공개 공보에 개시되어 있는바 구지 도면을 참조하여 설명하지 않는다. In the case of sheet type, the production yield decreases because one semiconductor substrate is put in one chamber and the process proceeds. However, many semiconductor substrate processing facilities have recently been disposed because the semiconductor substrate is large-sized and suitable for critical processes. The trend is shifting from type to sheetfed. Hereinafter, a conventional sheet type semiconductor substrate processing equipment will be briefly described. Techniques for single wafer semiconductor substrate processing equipment are disclosed in many publications and are not described with reference to the sphere drawings.

반도체 가공 설비는 카세트 로딩부, 로드락 챔버, 플랫폼, 및 프로세스 챔버를 포함한다. 카세트 로딩부는 로드락 챔버에 인접하게 설치되고, 로드락 챔버는 플랫폼에 인접하게 설치된다. 그리고 플랫폼의 둘레에는 다수의 프로세스 챔버가 설치된다. 로드락 챔버에는 제1 로봇 암 및 플랫존 얼라이너가 배치되고, 플랫폼에는 제2 로봇 암 및 스테이지가 배치된다. The semiconductor processing equipment includes a cassette loading portion, a load lock chamber, a platform, and a process chamber. The cassette loading portion is installed adjacent to the load lock chamber, and the load lock chamber is installed adjacent to the platform. And a plurality of process chambers are installed around the platform. The first robot arm and flat zone aligner are disposed in the load lock chamber, and the second robot arm and stage are disposed in the platform.

반도체 기판들은 카세트 로딩부 내부에 배치된 카세트에 보관된다. 카세트에 보관된 반도체 기판은 제1 로봇 암에 의해 로드락 챔버와 카세트 로딩부 사이에서 반송된다.The semiconductor substrates are stored in a cassette disposed inside the cassette loading portion. The semiconductor substrate stored in the cassette is conveyed between the load lock chamber and the cassette loading portion by the first robot arm.

로드락 챔버 내부로 유입된 반도체 기판은 플랫존 얼라이너로 이송되어 정렬된다. 로드락 챔버가 진공 상태로 조성되면, 제2 로봇 암은 플랫존 얼라이너 상에 배치된 반도체 기판을 플랫폼 내부로 이송한다. The semiconductor substrate introduced into the load lock chamber is transferred to the flat zone aligner and aligned. When the load lock chamber is constructed in a vacuum state, the second robot arm transfers the semiconductor substrate disposed on the flat zone aligner into the platform.

플랫폼 내부에는 다수의 반도체 기판을 적층할 수 있는 스테이지가 설치되어 프로세스 챔버의 개수에 대응하는 다수의 반도체 기판들이 상기 스테이지에 적층된다.In the platform, a stage for stacking a plurality of semiconductor substrates is installed, and a plurality of semiconductor substrates corresponding to the number of process chambers are stacked on the stage.

다음으로, 제2 로봇 암은 수직 및 회전 운동하여 반도체 기판들을 해당 프로세스 챔버로 이송하고, 반도체 기판은 프로세스 챔버 내에서는 해당 공정에 맞게 처리된다. Next, the second robot arm moves vertically and rotationally to transfer the semiconductor substrates to the corresponding process chamber, and the semiconductor substrate is processed for the corresponding process in the process chamber.

프로세스 챔버에서 소정의 공정이 완료되면, 제2 로봇 암은 반도체 기판을 프로세스 챔버로부터 플랫폼의 스테이지로 귀환시킨다. When the predetermined process is completed in the process chamber, the second robot arm returns the semiconductor substrate from the process chamber to the stage of the platform.

스테이지에 적층된 반도체 기판들에 대한 모든 단위 공정이 완료되면, 제2 로봇 암은 상기 반도체 기판들을 플랫폼로부터 로드락 챔버로 반송하고, 제1 로봇 암은 로드락 챔버로 반송된 반도체 기판들을 카세트로 귀환시킨다. When all the unit processes for the semiconductor substrates stacked on the stage are completed, the second robot arm transfers the semiconductor substrates from the platform to the load lock chamber, and the first robot arm transfers the semiconductor substrates transferred to the load lock chamber to a cassette. Return

전술한 바를 요약하면, 반도체 기판들은 제1 로봇 암에 의해서 카세트에 적층되거나 카세트로부터 반출된다. 그리고 반도체 기판들은 제2 로봇 암에 의해서 스테이지에 적층되거나 스테이지로부터 반출된다. Summarizing the foregoing, the semiconductor substrates are stacked on or taken out of the cassette by the first robot arm. The semiconductor substrates are then stacked on or taken out of the stage by the second robot arm.

상술한 바와 같이, 제1 및 제2 로봇 암이 카세트 또는 스테이지로부터 해당 반도체 기판을 정확히 선택하여 반출하거나, 원하는 공간에 반도체 기판을 적층하기 위해서는 반도체 기판을 정확히 센싱(sensing) 할 수 있어야 한다. As described above, in order for the first and second robot arms to accurately select and export the semiconductor substrate from the cassette or the stage, or to stack the semiconductor substrate in a desired space, the first and second robot arms must be able to accurately sense the semiconductor substrate.

일반적으로 제1 및 제2 로봇 암이 반도체 기판의 위치를 센싱하기 위하여 광센서를 이용하였다. 제1 및 제2 로봇 암 단부에 광센서를 부착하고, 광센서로부터 방출된 광이 반도체 기판에 의하여 간섭되면 반도체 기판이 존재하는 것으로 인식하였다. In general, the first and second robot arms used an optical sensor to sense the position of the semiconductor substrate. An optical sensor was attached to the first and second robot arm ends, and when the light emitted from the optical sensor was interfered by the semiconductor substrate, the semiconductor substrate was recognized as present.

하지만, 전술한 바와 같이 반도체 기판에 사진, 식각, 증착, 확산, 이온 주입, 금속 증착 등의 공정을 반복하여 수행하기 때문에, 반도체 기판 상에 케미컬 흄(fume)이 잔존하는 경우가 빈번하다. 일예로서, 식각 공정 후에는 반도체 기판 상에 불소와 같은 부식성 가스가 잔존할 수 있다. 상기와 같이 케미컬 흄이 잔존하는 반도체 기판을 이송하는 로봇 암의 광센서가 흄에 의하여 고장 날 수 있다. 일예로 흄이 광센서의 발광부 또는 수광부에 고착되어 광센서의 오작동 및 성능 저하를 유발한다. However, as described above, since the processes such as photographing, etching, deposition, diffusion, ion implantation, and metal deposition are repeatedly performed on the semiconductor substrate, chemical fumes remain frequently on the semiconductor substrate. As an example, a corrosive gas such as fluorine may remain on the semiconductor substrate after the etching process. As described above, the optical sensor of the robot arm transferring the semiconductor substrate in which the chemical fumes remain may be damaged by the fume. For example, the fume is stuck to the light emitting part or the light receiving part of the optical sensor, causing malfunction and deterioration of the optical sensor.

따라서 로봇 암이 카세트 또는 지지대로부터 엉뚱한 반도체 기판을 반출할 수 있으며, 이미 다른 반도체 기판이 적층되어 있음에도 불구하고 동일 공간에 반도체 기판을 적층할 수도 있다. 이로 인하여, 반도체 기판이 파손이나 손상될 수 있으며, 심지어 로봇 암의 손상까지 유발할 수 있어 경제적 및 시간적으로 막대한 손실을 초래할 수 있다. Therefore, the robot arm can carry out the wrong semiconductor substrate from the cassette or the support, and the semiconductor substrate can be laminated in the same space even though other semiconductor substrates are already stacked. As a result, the semiconductor substrate may be damaged or damaged, and even damage of the robot arm may be caused, resulting in huge losses in economic and time.

본 발명은 전술한 바와 같은 종래의 기술이 갖는 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 일 목적은 반도체 기판을 감지하기 위한 센서를 소정의 온도로 가열함으로써 이물질의 고착에 의한 센서의 성능 저하를 방지할 수 있는 반도체 기판 이송 장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, one object of the present invention is to reduce the performance of the sensor due to the adhesion of foreign matter by heating the sensor for sensing the semiconductor substrate to a predetermined temperature It is to provide a semiconductor substrate transfer apparatus that can be prevented.

본 발명의 다른 목적은 센서가 소정의 온도로 가열되는 반도체 기판 이송 장치를 이용하여 반도체 기판을 정확히 선택 및 반송할 수 있는 반도체 기판 가공 설비를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor substrate processing equipment capable of accurately selecting and conveying a semiconductor substrate using a semiconductor substrate transfer apparatus in which a sensor is heated to a predetermined temperature.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치는, 수직방향을 승강하는 리프터 축, 리프터 축의 상단부에 연결된 다관절 이송 암, 이송 암의 단부로부터 연장되어 반도체 기판을 밑에서 받쳐 지지하는 지지대, 지지대의 단부에 설치되어 반도체 기판을 감지하는 센서, 및 센서에 이물질이 고착되는 것을 방지하기 위하여 상기 센서에 인접하게 배치된 히터를 포함한다. 이 경우, 지지대는 ‘V’자 또는 ‘Y’자 형상을 갖으며, 센서는 상기 지지대의 제1 단부에 설치된 발광부 및 제2 단부에 설치된 수광부를 포함한다. In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor substrate transfer apparatus according to a preferred embodiment of the present invention includes a lifter shaft which vertically elevates, an articulated transfer arm connected to an upper end of the lifter shaft, and an end portion of the transfer arm. And a support for supporting the semiconductor substrate from below, a sensor installed at an end of the support to sense the semiconductor substrate, and a heater disposed adjacent to the sensor to prevent foreign matter from adhering to the sensor. In this case, the support has a 'V' or 'Y' shape, and the sensor includes a light emitting portion provided at the first end of the support and a light receiving portion provided at the second end.

전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 기판 가공 설비는, 반도체 기판에 대한 소정의 공정이 수행되는 프로세스 챔버, 반도체 기판들이 적층 보관되는 로드락 챔버, 및 로드락 챔버와 프로세스 챔버 사이에서 반도체 기판을 반송하며 반도체 기판에 근접함을 감지하기 위한 센서에 히터가 배치된 이송 유닛을 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber in which a predetermined process is performed on a semiconductor substrate, a load lock chamber in which semiconductor substrates are stacked, and a load lock chamber and a process And a transfer unit in which a heater is disposed in the sensor for transferring the semiconductor substrate between the chambers and for detecting proximity to the semiconductor substrate.

본 발명에 따르면, 반도체 기판을 감지하기 위한 이송 장치의 센서에 인접하게 히터를 배치하여 케미컬 흄과 같은 이물질이 센서에 고착되는 것을 방지할 수 있다. 결과로, 이송 장치는 해당 반도체 기판을 정확하게 선택하여 반송할 수 있으며 정확한 위치에 반도체 기판을 배치할 수 있다. 결과로써 반도체 기판의 파손 및 손상이 방지되고 공정의 생산 수율을 향상된다. According to the present invention, a heater may be disposed adjacent to a sensor of a transfer device for sensing a semiconductor substrate, thereby preventing foreign substances such as chemical fumes from being fixed to the sensor. As a result, the transfer device can accurately select and transport the semiconductor substrate and can arrange the semiconductor substrate at the correct position. As a result, breakage and damage of the semiconductor substrate are prevented and the production yield of the process is improved.

실시예Example

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 반도체 기판 이송 장치를 설명하기 위한 측면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 센서와 히터를 설명하기 위하여 도 1의 ‘A’부분의 개략적인 확대도이다. 이 경우, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 도 1에는 지지대를 수평 방향으로 절단하여 도시하고, 도 2에는 수평 방향으로 절단하지 않은 지지대를 도시하며, 도 3에는 수평 방향으로 절단된 지지대에 히터가 부착될 위치를 도시한다. 1 is a plan view illustrating a semiconductor substrate transfer apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view illustrating the semiconductor substrate transfer apparatus illustrated in FIG. 1, and FIG. 3 is a sensor illustrated in FIG. 1. A schematic enlarged view of portion 'A' of FIG. 1 to describe a and heater. In this case, in order to help the understanding of the present invention is shown in Figure 1 cut the support in the horizontal direction, Figure 2 shows a support that is not cut in the horizontal direction, Figure 3 is a heater attached to the support cut in the horizontal direction Shows where to be.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치는, 리프터 축(110), 다관절 이송 암(120), 지지대(130), 및 센서(140) 및 히터(150)를 포함한다. 1 to 3, a semiconductor substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention includes a lifter shaft 110, a multi-joint transfer arm 120, a support 130, and a sensor 140 and a heater ( 150).

리프터 축(110)의 하부에는 실린더(도시되지않음)가 연결된다. 리프터 축(110)은 상기 실린더에 의하여 수직방향으로 승강한다. 이 경우, 리프터 축(110)은 일반적인 실린더 로드와 유사한 형상을 갖고 실린더 로드와 유사한 작동을 한다. 리프터 축(110)이 승강하기 위하여 반드시 실린더가 필요한 것은 아니다. 리프터 축(110)은 모터나 기어를 이용하여 승강 및 회전할 수도 있음은 당업자에게 자명한 사실이다. 리프터 축(110)의 상단부에는 다관절 이송 암(120)이 수평 방향으로 배치된다. A cylinder (not shown) is connected to the lower portion of the lifter shaft 110. The lifter shaft 110 is elevated in the vertical direction by the cylinder. In this case, the lifter shaft 110 has a shape similar to a general cylinder rod and operates similar to the cylinder rod. The cylinder is not necessarily required for the lifter shaft 110 to move up and down. It will be apparent to those skilled in the art that the lifter shaft 110 may be lifted and rotated using a motor or gear. On the upper end of the lifter shaft 110, the articulated conveying arm 120 is disposed in the horizontal direction.

다관절 이송 암(120)은 적어도 두개 이상의 관절을 갖는다. 다관절 이송 암(120)의 일단부는 리프터 축(110)의 상단부에 피벗(pivot)연결된다. 따라서 다관절 이송 암(120)은 리프터 축(110)을 기준으로 수평 방향으로 회전, 확장 및 수축 가능하다. 다관절 이송 암(120)의 타단부에는 지지대(130)가 연결된다. The articulated transfer arm 120 has at least two joints. One end of the articulated transfer arm 120 is pivotally connected to an upper end of the lifter shaft 110. Therefore, the articulated conveying arm 120 can rotate, expand and contract in a horizontal direction with respect to the lifter shaft 110. The support 130 is connected to the other end of the articulated transfer arm 120.

지지대(130)는 ‘V’자 또는 'Y' 자 형상을 갖는 플레이트로 제작된다. 지지대(130)는 3개의 단부들을 갖는다. 지지대(130)의 제1 단부(131) 및 제2 단부(132)는 평행하게 배치되어 서로 마주보고, 지지대(130)의 제3 단부(133)는 다관절 이송 암(120)의 타단부에 연결된다.The support 130 is made of a plate having a 'V' or 'Y' shape. Support 130 has three ends. The first end 131 and the second end 132 of the support 130 are disposed in parallel to face each other, the third end 133 of the support 130 to the other end of the articulated transfer arm 120 Connected.

지지대(130)의 제1 및 제2 단부(131, 132)에는 센서(140)가 설치된다. 센서(140)는 다관절 이송 암(120)이 반도체 기판(W)에 근접하였는지를 확인하기 위하여 이용된다. 센서(140)는 광센서인 것이 바람직하며, 경우에 따라서는 열 센서나 초음파 센서가 이용될 수 있다. 본 실시예에서는 광을 이용하는 센서(140)에 대해여 설명하지만 이것이 본 발명을 제한하거나 한정하는 것은 아니다. Sensors 140 are installed at the first and second ends 131 and 132 of the support 130. The sensor 140 is used to check whether the articulated transfer arm 120 is close to the semiconductor substrate W. FIG. The sensor 140 is preferably an optical sensor, and in some cases, a thermal sensor or an ultrasonic sensor may be used. In the present embodiment, the sensor 140 using light is described, but this does not limit or limit the present invention.

센서(140)는 발광부(141)와 수광부(142)를 포함한다. 발광부(141)는 지지대(130)의 제1 단부(131)에 설치되고, 수광부(142)는 지지대(130)의 제2 단부(132)에 설치된다. The sensor 140 includes a light emitter 141 and a light receiver 142. The light emitter 141 is installed at the first end 131 of the support 130, and the light receiver 142 is installed at the second end 132 of the support 130.

발광부(141)로부터 방출된 광은 수평 방향으로 진행하여 수광부(142)에 수집된다. 만약, 지지대(130)의 제1 단부(131) 및 제2 단부(132) 사이에 물체가 배치되면 발광부(141)로부터 방출된 광은 상기 물체에 간섭되어 수광부(142)에 거의 수집되지 않거나 미량의 광만이 수집된다.Light emitted from the light emitter 141 travels in a horizontal direction and is collected by the light receiver 142. If an object is disposed between the first end 131 and the second end 132 of the support 130, the light emitted from the light emitting unit 141 may interfere with the object and hardly be collected by the light receiving unit 142. Only a small amount of light is collected.

이송 장치는 전술한 광의 간섭 현상을 이용하여 반도체 기판(W)의 근접 여부 또는 존재 여부를 확인한다. 하지만, 제1 단부(131) 및 제2 단부(132) 사이에 반도체 기판(W)이 근접하지 않았음에도 불구하고, 발광부(141)로부터 방출된 광이 수광부(142) 거의 수집되지 않을 수도 있다. 일예로, 소정의 공정이 완료된 후의 반도체 기판(W) 상에 상기 공정에 이용되었던 케미컬이 흄(fume) 상태로 잔류할 수 있다. 이송 장치가 케미컬 흄이 잔류하는 반도체 기판(W)을 이송할 경우, 이송 장치의 센서(140)에 상기 케미컬 흄이 묻거나 고착될 수 있다. 당연히, 센서(140)의 신뢰도는 저하되며 나아가 이송 장치의 오작동까지 유발할 수 있다. 이를 방지하기 본 실시예에서는 히터(150)를 이용하여 케미컬 흄과 같은 이물질이 센서(140)에 붙는 것을 방지한다. The transfer apparatus confirms whether or not the semiconductor substrate W is close by using the above-described interference phenomenon of light. However, even though the semiconductor substrate W is not adjacent between the first end 131 and the second end 132, the light emitted from the light emitting unit 141 may be hardly collected by the light receiving unit 142. . For example, the chemical used in the process may remain in a fume state on the semiconductor substrate W after a predetermined process is completed. When the transfer device transfers the semiconductor substrate W in which the chemical fumes remain, the chemical fume may be buried or adhered to the sensor 140 of the transfer device. Of course, the reliability of the sensor 140 is lowered and may even cause malfunction of the transfer device. Preventing this In the present embodiment, the heater 150 is used to prevent foreign substances such as chemical fumes from sticking to the sensor 140.

히터(150)는 지지대(130)의 제1 및 제2 단부(131, 132)에 내장되거나 제1 및 제2 단부(131, 132)에 인접하게 배치된다. 보다 자세하게 설명하면, 히터(150)는 발광부 및 수광부(141, 142)에 각각 배치된다. 히터(150)는 발광부 및 수광부(141, 142)의 상부, 하부 또는 둘레에 배치될 수 있다. 이 경우, 히터(150)가 발광부(141)로부터 방출된 광의 진행을 방해하지 않고, 상기 광이 수광부(142)에 수집되는 것을 방해하지 않도록 배치하는 것이 중요하다. The heater 150 is embedded in the first and second ends 131 and 132 of the support 130 or disposed adjacent to the first and second ends 131 and 132. In more detail, the heater 150 is disposed in the light emitting unit and the light receiving unit 141, 142, respectively. The heater 150 may be disposed above, below, or around the light emitter and the light receiver 141 and 142. In this case, it is important to arrange the heater 150 so as not to disturb the progress of the light emitted from the light emitting unit 141 and to prevent the light from being collected in the light receiving unit 142.

히터(150)는 열을 방출하여 발광부 및 수광부(141, 142)를 가열한다. 히터(150)의 종류는 다양하며 이는 당업자가 선택할 수 있는 사항이다. 본 실시예에서는 열선이 내장된 테이프 방식의 히터(150)를 이용한다. 열선이 내장된 테이프 방식의 히터(150)는 발열 테이프라는 다른 명칭을 갖고 있기도 하다. The heater 150 emits heat to heat the light emitting part and the light receiving parts 141 and 142. There are various types of heaters 150, which can be selected by those skilled in the art. In this embodiment, a tape heater 150 with a built-in hot wire is used. The tape type heater 150 having a built-in heating wire may have another name as a heat generating tape.

히터(150)에 공급되는 전기의 양을 조절하면 히터(150)로부터 방출되는 열량을 조절할 수 있다. 히터(150)는 컨트롤러(160)에 연결되어 발열량이 제어된다. 컨트롤러(160)는 히터(150)의 발열량을 제어하여 발광부 및 수광부(141, 143)를 약 20 ~ 80 도 정도로 가열하는 것이 바람직하다. By adjusting the amount of electricity supplied to the heater 150, it is possible to adjust the amount of heat emitted from the heater 150. The heater 150 is connected to the controller 160 to control the amount of heat generated. The controller 160 controls the amount of heat generated by the heater 150 to heat the light emitter and the light receiver 141 and 143 to about 20 to 80 degrees.

지지대(130)는 센서(140)의 종류에 따라 형상이 변경될 수 있다. 일예로, 발광부 및 수광부가 동일한 위치에 배치되는 센서(140)를 이용하거나, 광센서가 아닌 초음파 센서와 같은 센서를 이용할 경우, 지지대(130)는 직사각 형상을 가질 수 있다. 지지대(130)의 형상은 센서(140)의 종류에 따라 당업자가 선택할 수 있다. 하지만 모든 경우 지지대(130)에는 센서(140)에 인접하게 히터(150)가 설치된다. The support 130 may be changed in shape depending on the type of the sensor 140. For example, when using the sensor 140 disposed at the same position as the light emitting unit and the light receiving unit, or using a sensor such as an ultrasonic sensor instead of an optical sensor, the support 130 may have a rectangular shape. The shape of the support 130 may be selected by those skilled in the art according to the type of sensor 140. In all cases, however, the supporter 130 is installed with the heater 150 adjacent to the sensor 140.

이하, 본 실시예에 따른 이송 장치가 반도체 기판(W)을 정확히 선택하여 반송하는 것에 대하여 일예를 들어 자세하게 설명한다.Hereinafter, the conveyance apparatus which concerns on a present Example selects and conveys the semiconductor substrate W correctly, and demonstrates it in detail, for example.

카세트(170)에 적층된 반도체 기판(W)들을 맨 위에서부터 순차적으로 한 장씩 반출하고자 할 경우, 리프터 축(110)은 수직방향으로 상승한다. 리프터 축(110)이 상승함에 따라 지지대(130)를 포함하여 다관절 이송 암(120)도 따라서 상승된다. 이 결과 지지대(130)는 카세트(170)와 거의 같거나 조금 높은 위치에 배치된다. 다음으로 다관절 이송 암(120)이 수평방향으로 확장되게 회전하여 지지대(130)를 카세트(170)에 근접시킨다. 다관절 이송 암(120)은 리프터 축(110)이 상승함과 동시에 수평방향으로 확장되어도 무관한다. When the semiconductor substrates W stacked on the cassette 170 are to be carried out one by one from the top, the lifter shaft 110 rises in the vertical direction. As the lifter shaft 110 ascends, the articulated transfer arm 120, including the support 130, is also raised. As a result, the support 130 is disposed at a position substantially equal to or slightly higher than the cassette 170. Next, the articulated transfer arm 120 rotates to extend in a horizontal direction to bring the support 130 into the cassette 170. The articulated transfer arm 120 may be extended even in the horizontal direction at the same time as the lifter shaft 110 is raised.

카세트(170)에 근접한 지지대(130)를 위에서 내려보면, 지지대(130)의 제1 및 제2 단부(131, 132) 사이에 카세트(170)에 적층된 반도체 기판(W)의 일단부가 걸치게 되는 배치 형상을 확인할 수 있다. Looking down from the support 130 close to the cassette 170, one end of the semiconductor substrate W stacked on the cassette 170 is interposed between the first and second ends 131 and 132 of the support 130. The arrangement shape to be confirmed can be confirmed.

지지대(130)가 카세트(170)에 근접한 뒤에는, 리프터 축(110)이 하강한다. 리프터 축(110)이 하강함에 따라 지지대(130)도 하강한다. 카세트(170)에 반도체 기판(W)이 적층된 경우, 맨 위에 적층된 반도체 기판(W)부터 센서(140)의 광을 간섭하게 된다. 보다 자세하게 설명하면, 최초 제1 단부(131)의 발광부(141)로부터 방출된 광은 제2 단부(132)의 수광부(142)에 수집되다가. 지지대(130)가 하강함에 따라 지지대(130)의 하부에 배치된 반도체 기판(W)에 의하여 간섭된다. 따라서 수광부(142)에는 발광부(141)로부터 방출된 광이 미량 수집되거나 거의 수집되지 않는다. 이로써 제1 단부(131)와 제2 단부(132) 사이에 반도체 기판(W)이 위치했음을 알 수 있다. After the support 130 is close to the cassette 170, the lifter shaft 110 is lowered. As the lifter shaft 110 descends, the support 130 also descends. When the semiconductor substrate W is stacked on the cassette 170, the light of the sensor 140 is interfered with the semiconductor substrate W stacked on the top. In more detail, the light emitted from the light emitting portion 141 of the first first end 131 is collected by the light receiving portion 142 of the second end 132. As the support 130 descends, the support 130 is interfered by the semiconductor substrate W disposed under the support 130. Therefore, a small amount of light emitted from the light emitting part 141 is collected or hardly collected in the light receiving part 142. Accordingly, it can be seen that the semiconductor substrate W is positioned between the first end portion 131 and the second end portion 132.

센서(140)의 광이 간섭된 시점과 리프터 축(110)의 높이를 연관지어 계산하면 카세트(170)의 몇 번째 층에 반도체 기판(W)이 존재하는지를 확인할 수 있다. By calculating the correlation between the point of time when the light of the sensor 140 interferes with the height of the lifter shaft 110, it is possible to determine which layer of the cassette 170 exists in the semiconductor substrate W. FIG.

본 예에서는 카세트(170)에 적층된 반도체 기판(W)들을 맨 위에서부터 순차적으로 반출하는 경우에 대해서만 설명하지만, 전술한 센서(140)의 광이 간섭된 시점과 리프터 축(110)의 높이를 연산할 경우, 원하는 위치의 반도체 기판(W)이 존재하는 지를 확인하고 해당 반도체 기판(W)만을 선택할 수도 있음은 당연하다. In this example, only the case where the semiconductor substrates W stacked on the cassette 170 are sequentially taken out from the top will be described. However, the timing at which the light of the sensor 140 is interrupted and the height of the lifter shaft 110 are adjusted. In the calculation, it is obvious that the semiconductor substrate W at the desired position may be checked and only the semiconductor substrate W may be selected.

리프터 축(110)은 최상에 배치된 반도체 기판(W)이 센서(140)의 광을 더 이상 간섭하지 않을 때까지 하강한다. 이 때의 지지대(130)는 상기 반도체 기판(W)보다 아래에 위치된다. The lifter shaft 110 descends until the topmost semiconductor substrate W no longer interferes with the light of the sensor 140. At this time, the support 130 is located below the semiconductor substrate (W).

이후, 다관절 이송 암(120)은 수평방향으로 더 확장하여 지지대(130)를 반도체 기판(W) 하부에 위치시킨다. 이어서 리프터 축(110)이 상승하여 반도체 기판(W)을 지지대(130)로 들어 올린다. 다관절 이송 암(120)은 수평방향으로 수축하여 반도체 기판(W)을 카세트(170)로부터 반출한 뒤, 상기 반도체 기판(W)을 해당 위치로 반송한다. Thereafter, the articulated transfer arm 120 extends further in the horizontal direction to place the support 130 under the semiconductor substrate W. The lifter shaft 110 then rises to lift the semiconductor substrate W onto the support 130. The articulated conveyance arm 120 contracts in the horizontal direction to carry out the semiconductor substrate W from the cassette 170 and then conveys the semiconductor substrate W to the position.

전술한 바와 같은 방법으로, 카세트(170)에 적층된 반도체 기판(W)들을 맨 위에서부터 아래로 순차적으로 반출할 수 있다. 우선 카세트(170)의 원하는 위치에 반도체 기판(W)이 존재하는 지를 확인한 후, 반도체 기판(W)을 반출함으로써 정확한 반송 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 지지대(130)의 제1 및 제2 단부(131, 132)는 히터(150)에 의하여 소정의 온도로 가열 및 보온된다. 따라서 제1 및 제2 단부(131, 132)에 설치된 센서(140)의 오작동은 방지되고, 공정 효율을 상승한다. As described above, the semiconductor substrates W stacked on the cassette 170 may be sequentially transported from the top to the bottom. First, after confirming that the semiconductor substrate W is present at a desired position of the cassette 170, an accurate conveyance process may be performed by carrying out the semiconductor substrate W. FIG. In this case, the first and second ends 131 and 132 of the support 130 are heated and warmed to a predetermined temperature by the heater 150. Therefore, the malfunction of the sensor 140 installed in the first and second end portions 131 and 132 is prevented and the process efficiency is increased.

보다 발전적으로는, 컨트롤러(160)가 센서(140)로부터 카세트(170)의 해당 위치에 반도체 기판(W)이 존재하지 않는 정보를 제공 받을 경우, 공정 에러가 발생하였음을 경고할 수 있다. 나아가 컨트롤러(160)는 공정 에러의 발생을 확인된 후, 해당 공정을 중지하거나 경고 신호를 발생할 수도 있다. 컨트롤러(160)에는 센서(140), 다관절 이송 암(120) 및 리프터 축(110) 등이 모두 연결되어, 센서(140)로부터 측정된 신호에 따라 다관절 이송 암(120) 및 리프터 축(110) 나아가 공정의 진행까지도 제어할 수 있다. In further development, when the controller 160 receives information from the sensor 140 that the semiconductor substrate W does not exist at the corresponding position of the cassette 170, the controller 160 may warn that a process error has occurred. Furthermore, after confirming that a process error occurs, the controller 160 may stop the process or generate a warning signal. The controller 160 is connected to the sensor 140, the articulated transfer arm 120, and the lifter shaft 110, and the like, and according to the signal measured from the sensor 140, the articulated transfer arm 120 and the lifter shaft ( 110) Furthermore, the progress of the process can be controlled.

카세트(170)에 반도체 기판(W)을 적층하는 경우 상술한 바와 반대로 수행된다. 리프터 축(110)은 수직방향으로 상승하여 지지대(130)를 카세트(170)와 거의 같거나 조금 높은 위치에 배치한다. 다음으로 다관절 이송 암(120)이 수평방향으로 확장하여 지지대(130)를 카세트(170)에 근접시킨다. 이후, 리프터 축(110)은 하강하며 카세트(170)에 대하여 전체적으로 검사한다. 센서(140)는 카세트(170) 중 어느 층에 반도체 기판(W)이 존재하지 않는지에 대한 정보를 컨트롤러(160)에 전송한다. 컨트롤러(160)는 상기 정보를 바탕으로 반도체 기판(W)들이 적층될 위치를 결정한다. 이후, 컨트롤러(160)는 리프터 축(110) 및 다관절 이송 암(120)을 제어하여 반도체 기판(W)이 안착된 지지대(130)를 카세트(170)의 해당 위치에 근접시킨다. 이후, 지지대(130)를 카세트(170) 내부에 삽입시킨 후, 지지대(130)를 하강시켜 카세트(170)의 해당 위치에 반도체 기판(W)을 적층한다. When the semiconductor substrate W is stacked on the cassette 170, the reverse operation is performed as described above. The lifter shaft 110 rises in the vertical direction to place the support 130 at a position substantially equal to or slightly higher than the cassette 170. Next, the articulated transfer arm 120 extends in the horizontal direction to bring the support 130 to the cassette 170. The lifter shaft 110 then descends and inspects the cassette 170 as a whole. The sensor 140 transmits information to the controller 160 about which layer of the cassette 170 is not present in the semiconductor substrate (W). The controller 160 determines a position at which the semiconductor substrates W are stacked based on the information. Thereafter, the controller 160 controls the lifter shaft 110 and the articulated transfer arm 120 to bring the support 130 on which the semiconductor substrate W is mounted to the corresponding position of the cassette 170. Thereafter, the support 130 is inserted into the cassette 170, and then the support 130 is lowered to stack the semiconductor substrate W at a corresponding position of the cassette 170.

최초 카세트(170)로부터 반도체 기판(W)을 반출할 시, 카세트(170) 중 반도체 기판(W)이 반출된 위치에 대한 정보를 컨트롤러(160)에 저장할 경우, 상기 카세트(170)를 전체적으로 검사하는 공정을 생략할 수 있다. When the semiconductor substrate W is first taken out from the cassette 170, when the controller 160 stores information on a position where the semiconductor substrate W is taken out of the cassette 170, the cassette 170 is inspected as a whole. The process of making it can be skipped.

전술한 바와 같이, 지지대(130)의 센서(140)는 카세트(170)로부터 반도체 기판(W)을 반출하거나 적층할 경우 모두 이용된다. 지지대(130)에 히터(150)를 배치하여 센서(140)에 케미컬 흄과 같은 이물질이 고착되는 것을 방지 할 수 있다. 따라서 센서(140)의 신뢰도는 증가하고 공정 효율도 상승된다. As described above, the sensor 140 of the support 130 is used both when the semiconductor substrate (W) is carried out or stacked from the cassette 170. The heater 150 may be disposed on the support 130 to prevent foreign substances such as chemical fumes from being adhered to the sensor 140. Therefore, the reliability of the sensor 140 is increased and the process efficiency is also increased.

실시예Example

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비를 설명하기 위한 개략도이다. 4 is a schematic view for explaining a semiconductor substrate processing equipment according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 반도체 기판 가공 설비는 카세트 로딩부(270), 로드락 챔버(280), 프로세스 챔버(290) 및 이송 장치(200)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the semiconductor substrate processing facility includes a cassette loading unit 270, a load lock chamber 280, a process chamber 290, and a transfer device 200.

카세트 로딩부(270)는 로드락 챔버(280)에 연결되고, 로드락 챔버(280)의 둘레에는 복수개의 프로세스 챔버(290)가 연결된다. The cassette loading unit 270 is connected to the load lock chamber 280, and a plurality of process chambers 290 are connected around the load lock chamber 280.

로드락 챔버(280)와 카세트 로딩부(270) 사이에는 제1 게이트(281)가 설치되고, 로드락 챔버(280)와 프로세스 챔버(290) 사이에는 제2 게이트(281)가 설치된다. A first gate 281 is installed between the load lock chamber 280 and the cassette loading unit 270, and a second gate 281 is installed between the load lock chamber 280 and the process chamber 290.

로드락 챔버(280)와 카세트 로딩부(270)는 제1 게이트(281)를 통하여 선택적으로 연통되고, 로드락 챔버(280)와 프로세스 챔버(290)는 제2 게이트(282)를 통하여 선택적으로 연통된다. The load lock chamber 280 and the cassette loading part 270 are selectively communicated through the first gate 281, and the load lock chamber 280 and the process chamber 290 are selectively communicated through the second gate 282. Communicating.

로드락 챔버(280)의 내부에는 이송 장치(200)가 배치된다. 이송 장치(200)는 리프터 축(210), 다관절 이송 암(220), 지지대(230), 및 센서(240) 및 히터(250)를 포함한다. 본 실시예에 따른 이송 장치(200)는 상기 실시예의 반도체 기판 이송 장치와 실질적으로 동일하기 때문에 중복된 설명은 생략한다. The transfer device 200 is disposed inside the load lock chamber 280. The conveying device 200 includes a lifter shaft 210, an articulated conveying arm 220, a support 230, and a sensor 240 and a heater 250. Since the transfer apparatus 200 according to the present embodiment is substantially the same as the semiconductor substrate transfer apparatus of the above embodiment, the overlapping description is omitted.

카세트 로딩부(270)에는 다수의 카세트(271)가 배치된다. 카세트(271)는 다층으로 제작되어 반도체 기판(W)들이 적층되어 보관된다. A plurality of cassettes 271 are disposed in the cassette loading unit 270. The cassette 271 is made of a multilayer and the semiconductor substrates W are stacked and stored.

로드락 챔버(280) 내부에도 카세트(271)와 유사한 형상의 스테이지(283)가 배치된다. 프로세스 챔버(290)에 제공될 반도체 기판(W)들은 로드락 챔버(280)의 스테이지(283)에 정렬된 상태로 보관된다. 또한, 스테이지(283)에 프로세스 챔버(290)에서 소정의 공정이 완료된 반도체 기판(W)들이 보관된다. The stage 283 similar to the cassette 271 is disposed in the load lock chamber 280. The semiconductor substrates W to be provided to the process chamber 290 are stored aligned with the stage 283 of the load lock chamber 280. In addition, the semiconductor substrates W having a predetermined process in the process chamber 290 are stored in the stage 283.

프로세스 챔버(290)에서는 반도체 기판(W)에 대한 식각, 증착, 확산 등의 공정 수행된다. 프로세스 챔버(290)의 내부는 진공 상태로 조성된다. 프로세스 챔버(290) 내부를 진공 상태로 유지하기 위하여 프로세스 챔버(290)와 연결된 로드락 챔버(280)의 내부는 프로세스 챔버(290) 내부의 압력보다 낮거나 동일하게 유지된다. In the process chamber 290, processes such as etching, deposition, and diffusion of the semiconductor substrate W are performed. The interior of the process chamber 290 is created in a vacuum state. In order to maintain the inside of the process chamber 290 in a vacuum state, the interior of the load lock chamber 280 connected to the process chamber 290 is maintained at or below the pressure inside the process chamber 290.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비를 이용한 반도체 기판 가공 공정에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a semiconductor substrate processing process using the semiconductor substrate processing equipment according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

카세트 로딩부(270) 내부에 배치된 다수의 카세트(271)에는 복수개의 반도체 기판(W)들이 적층된다. 바람직하게는 한 카세트(271)에는 프로세스 챔버(290)의 수 만큼의 반도체 기판(W)들이 적층된다. A plurality of semiconductor substrates W are stacked on the plurality of cassettes 271 disposed in the cassette loading unit 270. Preferably, as many semiconductor substrates W as the number of process chambers 290 are stacked in one cassette 271.

제1 게이트(281)가 개방되면, 이송 장치(200)는 수평 방향으로 회전 및 확장하여 카세트(271)에 근접한다. 이후, 이송 장치(200)는 수직방향으로 상승하여 카세트(271)보다 약간 높은 위치에 배치된다. 이후, 수직방향으로 하강하면서 카세트(271)에 적층된 반도체 기판(W)의 존재 여부 및 위치를 확인한다. 이 경우, 이송 장치(200)는 전술한 실시예의 반도체 기판 이송 장치와 거의 동일하게 작동하며 반도체 기판(W)의 존재 여부 및 위치를 확인한다. When the first gate 281 is opened, the transfer device 200 rotates and expands in the horizontal direction to approach the cassette 271. Thereafter, the conveying apparatus 200 is vertically raised to be disposed at a position slightly higher than the cassette 271. Then, the existence and position of the semiconductor substrate W stacked on the cassette 271 are checked while descending in the vertical direction. In this case, the transfer apparatus 200 operates almost the same as the semiconductor substrate transfer apparatus of the above-described embodiment and checks the existence and position of the semiconductor substrate W.

이송 장치(200)의 작동에 대하여 간단히 재설명하면, 이송 장치(200)의 지지대(230)에 설치된 센서(240)는 수평방향으로 광을 조사한다. 이송 장치(200)의 리프터 축(210)이 하강함에 따라 센서(240)로부터 방출된 광은 카세트(271)의 맨 위에 적층된 반도체 기판(W)에 의하여 최초 간섭된다. 센서(240)로부터 방출된 광이 간섭되는 시점 및 상기 시점에서의 리프터 축(210)의 높이로부터 카세트(271)의 어느 위치에 반도체 기판(W)이 적층되어 있는지를 알 수 있다. 이송 장치(200)는 카세트(271)의 맨 위에 적층된 반도체 기판(W)부터 순차적으로 반출하여 로드락 챔버(280)의 스테이지(283)에 적층한다. Operation of the transfer device 200 will be briefly described again. The sensor 240 installed on the support 230 of the transfer device 200 irradiates light in a horizontal direction. As the lifter shaft 210 of the transfer device 200 descends, the light emitted from the sensor 240 is first interfered by the semiconductor substrate W stacked on top of the cassette 271. From the point where the light emitted from the sensor 240 interferes and the height of the lifter shaft 210 at the point in time, it is possible to know where the semiconductor substrate W is stacked at the cassette 271. The transfer apparatus 200 is sequentially carried out from the semiconductor substrate W stacked on the top of the cassette 271 and stacked on the stage 283 of the load lock chamber 280.

한 카세트(271)에 적층된 반도체 기판(W)들을 스테이지(283)에 모두 반송한 후에는 제1 게이트(281)가 폐쇄된다. 제1 게이트(281)가 폐쇄된 후, 로드락 챔버(280)의 내부는 준 진공 상태로 조성된다. 로드락 챔버(280)의 내부를 준 진공 상태로 조성하는 이유는 이미 고진공 상태로 조성된 프로세스 챔버(290) 내부의 압력 상태를 유지하기 위함이다. After all the semiconductor substrates W stacked on one cassette 271 are transferred to the stage 283, the first gate 281 is closed. After the first gate 281 is closed, the interior of the load lock chamber 280 is formed in a quasi vacuum state. The reason for forming the inside of the load lock chamber 280 in a semi-vacuum state is to maintain the pressure inside the process chamber 290 which is already formed in a high vacuum state.

로드락 챔버(280)의 내부가 준 진공 상태로 조성되면, 제2 게이트(282)는 개방되고, 이송 장치(200)는 스테이지(283)에 적층된 반도체 기판(W)들을 해당 프로세스 챔버(290)에 각각 제공한다. 이 경우, 이송 장치(200)는 카세트(271)로부터 반도체 기판(W)을 반출하는 방법과 동일한 방법으로 스테이지(283)로부터 반도체 기판(W)을 반출한다. When the inside of the load lock chamber 280 is formed in a quasi-vacuum state, the second gate 282 is opened, and the transfer device 200 transfers the semiconductor substrates W stacked on the stage 283 to the corresponding process chamber 290. To each). In this case, the transfer apparatus 200 carries out the semiconductor substrate W from the stage 283 in the same manner as the method of carrying out the semiconductor substrate W from the cassette 271.

프로세스 챔버(290)에서 반도체 기판(W)에 대한 소정의 공정이 완료되면, 이송 장치(200)는 프로세스 챔버(290)에 반도체 기판(W)을 제공하는 순서와 반대로 프로세스 챔버(290)로부터 반도체 기판(W)을 반출한다. 이송 장치(200)는 해당 반도체 기판(W)을 최초 스테이지(283)의 위치에 원위치 시킨다. 이 경우, 프로세스 챔버(290)에서 수행된 공정의 종류와 상관없이 이송 장치(200)는 정확하게 작동한다. 이는 상기 실시예에서 설명한 바와 같이, 반도체 기판(W)의 존재 여부 및 위치를 확인하기 위한 이송 장치(200)의 센서(240)에 히터(250)를 배치하였기 때문이다. When the predetermined process for the semiconductor substrate W is completed in the process chamber 290, the transfer device 200 may transfer the semiconductor from the process chamber 290 in the reverse order of providing the semiconductor substrate W to the process chamber 290. The substrate W is taken out. The transfer apparatus 200 returns the semiconductor substrate W to the position of the initial stage 283. In this case, regardless of the type of process performed in the process chamber 290, the transfer device 200 operates correctly. This is because, as described in the above embodiment, the heater 250 is disposed in the sensor 240 of the transfer apparatus 200 for confirming the existence and position of the semiconductor substrate W.

히터(250)는 이송 장치(200)의 센서(240)를 소정의 온도로 계속 가열한다. 따라서 프로세스 챔버(290)에서 로드락 챔버(280)로 누출된 케미컬 가스나 흄이 이송 장치(200)의 센서(240)에 고착되지 않는다. 또한, 반도체 기판(W) 상에 케미컬 흄이 잔류하더라도, 상기 반도체 기판(W)을 로드락 챔버(280)로부터 케미컬 로딩부(270)로 반송하는 도중 이송 장치(200)의 센서(240)에 케미컬 흄이 고착되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 다수의 반도체 기판(W)들 중 원하는 반도체 기판(W)을 정확히 선택할 수 있으며, 상기 반도체 기판(W)을 원하는 위치에 정확히 반송할 수 있다. 따라서 공정 에러는 감소하고 생산 수율은 증대된다. The heater 250 continuously heats the sensor 240 of the transfer device 200 to a predetermined temperature. Therefore, the chemical gas or the fume leaked from the process chamber 290 to the load lock chamber 280 is not fixed to the sensor 240 of the transfer device 200. In addition, even if chemical fumes remain on the semiconductor substrate W, the semiconductor substrate W may be transferred to the sensor 240 of the transfer device 200 while transferring the semiconductor substrate W from the load lock chamber 280 to the chemical loading unit 270. The chemical fume can be prevented from sticking. Therefore, the desired semiconductor substrate W can be accurately selected among the plurality of semiconductor substrates W, and the semiconductor substrate W can be accurately conveyed to a desired position. Thus, process errors are reduced and production yields are increased.

본 발명에 따르면, 반도체 기판을 감지하기 위한 이송 장치의 센서에 히터를 부착하여 케미컬 흄과 같은 이물질이 센서에 고착되어 센서가 오작동하는 것을 방지할 수 있다. 따라서 이송 장치가 원하는 반도체 기판을 정확히 선택하여 정확한 위치로 반송할 수 있다. 결과로서 공정 에러는 감소하고 생산 수율은 증대된다. According to the present invention, by attaching a heater to the sensor of the transfer device for sensing the semiconductor substrate it is possible to prevent foreign matters such as chemical fume adhere to the sensor to prevent the sensor from malfunctioning. Therefore, the transfer apparatus can accurately select the desired semiconductor substrate and transfer it to the correct position. As a result, process errors are reduced and production yields are increased.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below You will understand that it can be changed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 이송 장치를 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a semiconductor substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 반도체 기판 이송 장치를 설명하기 위한 측면도이다.FIG. 2 is a side view for explaining the semiconductor substrate transfer apparatus shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시한 센서와 히터를 설명하기 위하여 도 1의 ‘A’부분의 개략적인 확대도이다. FIG. 3 is a schematic enlarged view of portion 'A' of FIG. 1 to describe the sensor and the heater shown in FIG. 1.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 설비를 설명하기 위한 개략도이다. 4 is a schematic view for explaining a semiconductor substrate processing equipment according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110, 210:리프터 축 120, 220:다관절 이송암110, 210: Lifter shaft 120, 220: Articulated arm

130, 230:지지대 131:제1 단부130, 230: support 131: first end

132:제2 단부 140, 240:센서132: second end 140, 240: sensor

141:발광부 142:수광부141: light emitting part 142: light receiving part

150, 250:히터 160:컨트롤러150, 250: Heater 160: Controller

170, 271:카세트 200:이송 장치 170, 271: cassette 200: feeder

270:카세트 로딩부 280:로드락 챔버270: cassette loading part 280: load lock chamber

281:제1 게이트 282:제2 게이트281 : first gate 282 : second gate

283:스테이지 290:프로세스 챔버283: Stage 290: Process chamber

Claims (9)

반도체 기판을 이송하기 위한 이송 유닛;A transfer unit for transferring the semiconductor substrate; 상기 이송 유닛에 구동력을 제공하기 위한 구동 유닛;A drive unit for providing a driving force to the transfer unit; 상기 이송 유닛의 일 단부에 설치되어 상기 이송 유닛이 상기 반도체 기판에 근접함을 감지하는 센서 유닛; 및A sensor unit installed at one end of the transfer unit to sense that the transfer unit is in proximity to the semiconductor substrate; And 상기 센서를 가열하기 위하여 상기 센서에 인접하도록 상기 이송 유닛에 배치된 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 이송 장치. And a heater disposed in the transfer unit adjacent to the sensor to heat the sensor. 제 1 항에 있어서, 상기 이송 유닛은 상기 구동 유닛에 연결되어 수직 방향으로 승강하고 수평 방향으로 회전하는 이송 암; 및 ‘Y’자 또는 ‘V’자 형상을 갖으며 상기 이송 암의 일 단부로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 반도체 기판의 하면에 접촉하는 지지대를 포함하고, The transfer apparatus of claim 1, wherein the transfer unit comprises: a transfer arm connected to the driving unit to move in a vertical direction and rotate in a horizontal direction; And a support having a “Y” or “V” shape and extending in a horizontal direction from one end of the transfer arm to contact the bottom surface of the semiconductor substrate. 상기 센서 유닛은 상기 지지대의 제1 단부에 설치된 발광부 및 상기 발광부와 마주보도록 상기 지지대의 제2 단부에 설치된 수광부를 포함하며, The sensor unit includes a light emitting portion provided at the first end of the support and a light receiving portion provided at the second end of the support so as to face the light emitting portion, 상기 히터는 상기 제1 단부 및 제2 단부에 각각 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 이송 장치. And the heaters are disposed at the first and second ends, respectively. 제 1 항에 있어서, 상기 히터는 열선이 내장된 발열 테이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 이송 장치. The semiconductor substrate transfer apparatus of claim 1, wherein the heater comprises a heating tape in which a heating wire is embedded. 제 1 항에 있어서, 상기 센서 유닛은 광센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 이송 장치. The semiconductor substrate transfer apparatus of claim 1, wherein the sensor unit comprises an optical sensor. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 유닛은 상기 이송 유닛에 수직 운동력을 제공하기 위한 실린더 및 상기 이송 유닛에 회전력을 제공하기 위한 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 이송 장치.The semiconductor substrate transfer apparatus of claim 1, wherein the drive unit comprises a cylinder for providing vertical movement force to the transfer unit and a motor for providing rotational force to the transfer unit. 반도체 기판에 대한 소정의 공정을 수행하기 위한 프로세스 챔버;A process chamber for performing a predetermined process on the semiconductor substrate; 상기 프로세스 챔버에 연결되어 반도체 기판이 보관되는 로드락 챔버; 및 A load lock chamber connected to the process chamber to store a semiconductor substrate; And 상기 로드락 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 반도체 기판을 반송하며, 상기 반도체 기판에 근접함을 감지하기 위한 센서에 인접하게 히터가 배치된 이송 장치를 구비하는 반도체 기판 가공 설비. And a transfer device for transferring the semiconductor substrate between the load lock chamber and the process chamber, the heater being disposed adjacent to a sensor for sensing proximity to the semiconductor substrate. 제 6 항에 있어서, 상기 이송 장치는 The method of claim 6, wherein the transfer device 상기 로드락 챔버와 상기 프로세스 챔버 사이에서 상기 반도체 기판을 반송하기 위한 이송 유닛;A transfer unit for transferring the semiconductor substrate between the load lock chamber and the process chamber; 상기 이송 유닛에 구동력을 제공하기 위한 구동 유닛;A drive unit for providing a driving force to the transfer unit; 상기 이송 유닛의 일 단부에 설치되어 상기 이송 유닛이 상기 반도체 기판에 근접함을 감지하는 센서 유닛; 및A sensor unit installed at one end of the transfer unit to sense that the transfer unit is in proximity to the semiconductor substrate; And 상기 센서를 가열하기 위하여 상기 센서에 인접하도록 상기 이송 유닛에 배치된 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.And a heater disposed in said transfer unit adjacent said sensor for heating said sensor. 제 7 항에 있어서, 상기 이송 유닛은 상기 구동 유닛에 연결되어 수직 방향으로 승강하고 수평 방향으로 회전하는 이송 암; 및 ‘Y’자 또는 ‘V’자 형상을 갖으며 상기 이송 암의 일 단부로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 반도체 기판의 하면에 접촉하는 지지대를 포함하고, The transfer apparatus of claim 7, wherein the transfer unit comprises: a transfer arm connected to the driving unit to move in a vertical direction and rotate in a horizontal direction; And a support having a “Y” or “V” shape and extending in a horizontal direction from one end of the transfer arm to contact the bottom surface of the semiconductor substrate. 상기 센서 유닛은 상기 지지대의 제1 단부에 설치된 발광부 및 상기 발광부와 마주보도록 상기 지지대의 제2 단부에 설치된 수광부를 포함하며, The sensor unit includes a light emitting portion provided at the first end of the support and a light receiving portion provided at the second end of the support so as to face the light emitting portion, 상기 히터는 상기 제1 단부 및 제2 단부에 각각 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.And said heater is disposed at said first and second ends, respectively. 제 7 항에 있어서, 상기 로드락 챔버 내부에 배치되며 상기 반도체 기판을 적층하여 보관하는 카세트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 설비.8. The semiconductor substrate processing facility of claim 7, further comprising a cassette disposed inside the load lock chamber and stacking and storing the semiconductor substrate.
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