KR20050069969A - Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film - Google Patents

Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film Download PDF

Info

Publication number
KR20050069969A
KR20050069969A KR1020050051046A KR20050051046A KR20050069969A KR 20050069969 A KR20050069969 A KR 20050069969A KR 1020050051046 A KR1020050051046 A KR 1020050051046A KR 20050051046 A KR20050051046 A KR 20050051046A KR 20050069969 A KR20050069969 A KR 20050069969A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
thin film
substrate
pulse laser
laser deposition
Prior art date
Application number
KR1020050051046A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조채룡
정세영
김종필
Original Assignee
한국기초과학지원연구원
정세영
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국기초과학지원연구원, 정세영 filed Critical 한국기초과학지원연구원
Priority to KR1020050051046A priority Critical patent/KR20050069969A/en
Publication of KR20050069969A publication Critical patent/KR20050069969A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H01S3/1003—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors tunable optical elements, e.g. acousto-optic filters, tunable gratings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Abstract

본 발명은 펄스레이저증착장치에 관한 것으로서, 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착장치에 있어서, 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되는 래스터링수단이 형성된 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치를 기술적 요지로 한다. 또한, 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착방법에 있어서, 래스터링 수단에 의해 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리를 연속변화시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하여 경제적이며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 이점이 있다. 또한, 대면적 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막(AZO)의 고품질 제조가 가능하며, 이에 따른 전기루미네선스(EL) 소자의 물성이 뛰어나 대면적의 유기 전기루미네선스 디스플레이 소자에 대한 실용화가 가능한 이점이 있다.The present invention relates to a pulse laser deposition apparatus, comprising: irradiating a pulse laser beam to a target installed in a chamber, and depositing a thin film on a substrate formed at a position opposite to the target, wherein the laser beam is irradiated to the target. Technical field of the present invention is a pulse laser deposition apparatus for manufacturing a large-scale high-quality thin film, characterized in that a rastering means is formed in which a focal length of a pulsed laser beam is continuously changed. Further, in the pulse laser deposition method for irradiating a pulse laser beam to a target installed in the chamber, and depositing a thin film on a substrate formed at a position opposite to the target, the pulse laser beam irradiated to the target by rastering means A technical aspect of the present invention is a pulse laser deposition method for manufacturing a large-area high-quality thin film characterized by continuously changing the focal length. Accordingly, there is an advantage that the target can be used uniformly without moving the target by the rastering means, the apparatus is simple and economical, and the large-area high quality thin film can be manufactured. In addition, it is possible to manufacture a high quality aluminum oxide thin film (AZO) doped with aluminum on a large-area polymer substrate, and according to the excellent physical properties of the electroluminescent (EL) device according to the large-area organic electroluminescent display device There is an advantage that can be put to practical use.

Description

대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치와 그 방법{Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film}Pulse laser deposition system and method for fabricating large-scale high-quality thin film {Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film}

본 발명은 펄스레이저증착장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채로 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치와 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pulse laser deposition apparatus and a method thereof, and in particular, it is possible to use the target uniformly without moving the target by the rastering means, and the apparatus is simple, and the large-area high quality thin film can be manufactured. The present invention relates to a pulse laser deposition apparatus and a method for producing a high quality thin film.

일반적으로 펄스레이저증착장치는 진공챔버 내에 타겟과 기판을 위치시킨 후, 챔버 외부에 형성된 렌즈나 미러 등에 의해 초점거리가 조절된 펄스레이저 광선을 타겟에 정확하게 집광하여 조사하면 고온의 타겟은 원자기체를 발생시키게 되고, 이러한 원자기체는 타겟에 대향되는 위치에 형성된 기판에 도달하게 되며, 기판에 도달한 원자들은 기판 표면에서 화학반응과 기판 원자와의 반응에 의해, 최소 결합에너지 상태를 유지하는 타겟 재료와 동일한 조성의 소정 두께의 박막이 형성되는 장치를 말한다.In general, a pulsed laser deposition apparatus places a target and a substrate in a vacuum chamber, and then focuses and irradiates a pulsed laser beam whose focal length is controlled by a lens or a mirror formed outside the chamber to irradiate the target with high temperature. Generated, and these atomic gases reach a substrate formed at a position opposite to the target, and the atoms reaching the substrate maintain a minimum binding energy state by a chemical reaction at the substrate surface and reaction with the substrate atoms. Refers to a device in which a thin film of a predetermined thickness having the same composition is formed.

이러한 펄스레이저증착장치는 일반적으로 멀티 타겟 구동이 가능하여 진공상태를 유지한 채로 챔버 내에서 여러 종류의 박막을 제조할 수 있으므로, 재현성이 뛰어나며, 불순물이나 흠이 없는 고품질의 박막을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.Such a pulse laser deposition apparatus is generally capable of multi-target operation, so that various kinds of thin films can be manufactured in a chamber while maintaining a vacuum state, so that high-quality thin films can be grown with excellent reproducibility and without impurities or flaws. It is.

종래의 이러한 펄스레이저증착장치는 대면적 기판에 박막 증착시, 타겟으로 조사된 펄스레이저 광선에 의해 발생되는 레이저플룸(laser plume)의 면적의 차이 및 원자의 분사 속도 등의 차이로 인해 대면적의 기판에 증착된 박막의 두께가 균일하지 않은 문제점이 있다.Conventional pulse laser deposition apparatus has a large area due to differences in the area of the laser plume generated by the pulsed laser beam irradiated onto the target and the atomization speed of the atom when the thin film is deposited on a large area substrate. There is a problem that the thickness of the thin film deposited on the substrate is not uniform.

그리고 펄스레이저증착장치는, 타겟을 균일하게 사용하기 위함과, 불균일한 타겟 사용 흔적에 의한 박막의 품질을 떨어뜨릴 염려를 방지하기 위해, 펄스레이저 광선을 고정시킨 채 타겟을 회전할 수 있도록 형성된 것을 일반적으로 사용하고 있다.In addition, the pulsed laser deposition apparatus is formed to rotate the target while fixing the pulsed laser beam in order to uniformly use the target and to prevent the possibility of deteriorating the quality of the thin film due to the uneven target use traces. It is generally used.

그러나 이는 타겟 자체의 회전 및 멀티타겟 사용을 위한 타겟 전체의 회전을 위한 모터 및 회전구동 장치를 별도로 설치하여야 하므로, 설치가 까다로울 뿐만 아니라, 이러한 장치의 설치로 챔버 내의 증착환경 보존성이 저하되며, 비용 또한 많이 드는 문제점이 있다.However, this requires a separate installation of the motor and the rotary drive device for the rotation of the target itself and the rotation of the entire target for multi-target use, which is not only difficult to install, but also reduces the preservation of the deposition environment in the chamber due to the installation of such a device. There is also a lot of trouble.

본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하여 경제적이며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치와 그 방법의 제공을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and can be used uniformly without moving the target by the rastering means, the device is simple and economical, large-area high-quality thin film can be produced An object of the present invention is to provide a pulse laser deposition apparatus and method for producing a high quality thin film.

상술한 바와 같은 목적 달성을 위한 본 발명은, 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착장치에 있어서, 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되는 래스터링수단이 형성된 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치와 그 방법을 기술적 요지로 한다.The present invention for achieving the object as described above, in the pulse laser deposition apparatus for depositing a thin film on a substrate formed at a position opposite to the target by irradiating a pulsed laser beam to a target installed in the chamber, Technical field of the present invention is a pulsed laser deposition apparatus and method for manufacturing a large-scale high-quality thin film, characterized in that a rastering means is formed in which the focal length of the pulsed laser beam is continuously changed.

또한, 상기 래스터링수단은, 상기 펄스레이저 광선이 입사되어 타겟으로 반사되도록 형성되며, 좌우상하로 회전유동되도록 형성된 래스터링미러와; 상기 래스터링미러의 일측과 연결되어 스테핑모터에 의해 상기 래스터링미러의 움직임을 구동시키는 래스터링바;로 형성되어, 상기 타겟에 조사되는 펄스레이저 광선이 수평 또는 수직으로 연속적으로 유동되어 상기 타겟이 균일하게 사용되도록 형성되는 것이 바람직하다.The rastering means may include a rastering mirror which is formed such that the pulsed laser beam is incident to and reflected by a target, and is configured to rotate left and right and up and down; A rastering bar connected to one side of the rastering mirror to drive the movement of the rastering mirror by a stepping motor; the pulse laser beam irradiated to the target is continuously flowed horizontally or vertically to uniform the target. It is preferably formed to be used.

여기에서 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치는, 폴리머로 형성된 기판이 기판거치수단에 의해 고정되는 기판부와; 알루미늄이 도핑된 산화아연 타겟이 타겟거치수단에 의해 고정되는 타겟부와; 상기 기판부와 타겟부 사이에 형성된 마스크;를 포함하여 구성되어 상기 폴리머에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막이 제조되도록 하는 것이 바람직하다.Here, the pulse laser deposition apparatus for producing a high-quality thin film of a large area, the substrate portion is a substrate formed of a polymer is fixed by a substrate placement means; A target portion to which the zinc oxide target doped with aluminum is fixed by the target placement means; And a mask formed between the substrate portion and the target portion, so that the zinc oxide thin film doped with aluminum to the polymer may be manufactured.

여기에서, 상기 기판거치수단은, 기판이 타겟에 대해 평행을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, the substrate placement means is preferably formed so that the substrate is parallel to the target.

또한, 상기 기판거치수단은, 기판이 타겟방향으로 오목한 곡면을 이루도록 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the substrate placing means, it is preferable that the substrate is formed to form a curved concave in the target direction.

또한, 상기 기판거치수단은, 상기 폴리머가 일측에서 공급되어 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막이 증착된 후 타측으로 이동되도록 롤러로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the substrate placing means is preferably formed of a roller so that the polymer is supplied from one side and the zinc oxide thin film doped with aluminum is deposited and then moved to the other side.

여기에서, 상기 타겟부는, 타겟거치수단이 상기 기판부의 길이 방향으로 일렬로 다수개 배열되어 형성되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the target portion is formed by arranging a plurality of target placement means in a line in the longitudinal direction of the substrate portion.

여기에서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치는, 펄스레이저증착에 의해 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키고, 상기 펄스레이저증착과 연속공정으로 이루어지는 열증착에 의해 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 상부에 전기루미네선스(EL) 물질을 증착시키고, 그 상부에 다시 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착하여, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/전기루미네선스(EL)/알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/폴리머의 순으로 소자를 형성시키는 것이 바람직하다.Here, the pulse laser deposition apparatus for producing a high-quality thin film of the large area, the deposition of the aluminum oxide doped zinc oxide thin film on the polymer substrate by the pulse laser deposition, and the thermal deposition consisting of the pulse laser deposition and a continuous process By depositing an electroluminescent (EL) material on the aluminum oxide-doped zinc oxide, by depositing a zinc oxide thin film doped with aluminum again on the aluminum oxide, zinc oxide (AZO) / electroluminescent doped with aluminum It is preferable to form the device in the order of Suns (EL) / aluminum doped zinc oxide (AZO) / polymer.

이에 따라, 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하여 경제적이며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 이점이 있다. 또한, 대면적 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막(AZO)의 고품질 제조가 가능하며, 이에 따른 전기루미네선스(EL) 소자의 물성이 뛰어나 대면적의 유기 전기루미네선스 디스플레이 소자에 대한 실용화가 가능한 이점이 있다.Accordingly, there is an advantage that the target can be used uniformly without moving the target by the rastering means, the apparatus is simple and economical, and the large-area high quality thin film can be manufactured. In addition, it is possible to manufacture a high quality aluminum oxide thin film (AZO) doped with aluminum on a large-area polymer substrate, and according to the excellent physical properties of the electroluminescent (EL) device according to the large-area organic electroluminescent display device There is an advantage that can be put to practical use.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.

<제1실시예>First Embodiment

도 1은 본 발명에 따른 실시예 1에 대한 전체 개략도이다.1 is an overall schematic view of Embodiment 1 according to the present invention.

도시된 바와 같이 본 발명은 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 타겟 조성과 동일한 박막을 증착시키는 펄스레이저증착장치에 관한 것으로서, 특히 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되는 래스터링수단이 형성된 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치에 관한 것이다.As shown, the present invention relates to a pulse laser deposition apparatus for depositing a thin film having the same composition as a target composition on a substrate formed at a position opposite to the target by irradiating a pulse laser beam to a target installed in the chamber. The present invention relates to a pulse laser deposition apparatus for manufacturing a large-scale high-quality thin film, characterized in that a rastering means is formed in which a focal length of the pulsed laser beam is continuously changed.

상기 펄스레이저는 안정되고 수평된 위치에 설치되며, 자외선 영역의 파장(248nm)을 출력하는 엑시머레이저(excimer laser)가 사용된다. 챔버의 일측으로 형성된 창을 통해 펄스레이저 광선이 타겟으로 조사된다. 여기에서 펄스레이저 광선의 촛점거리와 집광정도는 렌즈 및 미러에 의해 조절되어, 정확히 타겟 상의 소정의 위치로 펄스레이저 광선이 조사되게 된다.The pulse laser is installed at a stable and horizontal position, and an excimer laser that outputs a wavelength (248 nm) in the ultraviolet region is used. The pulsed laser beam is irradiated to the target through a window formed to one side of the chamber. Here, the focal length and the degree of focus of the pulsed laser beam are adjusted by the lens and the mirror, so that the pulsed laser beam is irradiated to a predetermined position on the target exactly.

상기 타겟의 대향되는 위치에는 기판이 설치되며, 타겟으로부터 발생된 원자기체는 레이저플룸(laser plume)의 형태로 기판에 도달하여 타겟과 동일한 조성을 가지는 박막이 기판 상에 증착되게 된다.A substrate is installed at an opposite position of the target, and the atomic gas generated from the target reaches the substrate in the form of a laser plume, so that a thin film having the same composition as the target is deposited on the substrate.

상기 타겟이 회전되지 않아도 타겟 전체에 균일하게 상기 펄스레이저 광선이 조사되도록 하기 위해서, 상기 타겟으로 조사되는 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되도록 래스터링수단이 형성된다.Rastering means is formed such that the focal length of the pulsed laser beam irradiated to the target is continuously changed so that the pulsed laser beam is uniformly irradiated on the entire target even if the target is not rotated.

상기 래스터링수단은 챔버의 일측에 형성되며, 입사된 펄스레이저 광선이 특정 방향으로 반사되도록 형성된 래스터링미러와, 상기 래스터링미러의 방향을 조절하는 래스터링바로 형성된다.The rastering means is formed on one side of the chamber, the rastering mirror formed so that the incident pulsed laser beam is reflected in a specific direction, and is formed of a rastering bar for adjusting the direction of the rastering mirror.

상기 래스터링미러는 상기 래스터링바에 의해 좌우상하로 회전유동되도록 형성된다. 상기 래스터링바는 상기 래스터링미러의 일측과 연결되어, 스테핑모터에 의해 상기 래스터링미러의 움직임을 구동시키게 된다.The rastering mirror is formed to be rotated left and right and up and down by the rastering bar. The rastering bar is connected to one side of the rastering mirror, thereby driving the movement of the rastering mirror by a stepping motor.

즉, 래스터링바에 의해 상기 래스터링미러가 좌우로 회전유동되면, 래스터링 미러를 통한 펄스레이저 광선의 반사각 및 입사각이 변화되어, 타겟에 대해 수평(또는 수직) 방향으로 펄스레이저 광선이 연속적으로 움직이게 되어 타겟에 사용된 흔적이 수평(또는 수직)방향으로 나타나게 된다.That is, when the rastering mirror is rotated left and right by the rastering bar, the reflection angle and the incident angle of the pulsed laser beam through the rastering mirror are changed, so that the pulsed laser beam continuously moves in the horizontal (or vertical) direction with respect to the target. The trace used on the target is then displayed in the horizontal (or vertical) direction.

그리고 래스터링바에 의해 상기 래스터링미러가 상하로 회전유동되는 경우에는 타겟에 대해 수직(또는 수평) 방향으로 펄스레이저 광선이 연속적으로 움직이게 되어 타겟에 사용된 흔적이 수직방향으로 나타나게 된다. 만약 펄스레이저빔의 광폭이 50mm 이상이라면 타겟 전면을 골고루 사용할 수 있게 된다.When the rastering mirror is rotated up and down by the rastering bar, the pulsed laser beam is continuously moved in the vertical (or horizontal) direction with respect to the target, so that the trace used for the target appears in the vertical direction. If the width of the pulsed laser beam is more than 50mm, the front surface of the target can be used evenly.

또한, 좌우상하로 동시에 상기 래스터링미러가 회전유동되도록 형성되어도 무방하다.In addition, the rastering mirror may be formed to rotate in the left and right at the same time.

이는 타겟을 회전시키거나 움직일 필요없이 펄스레이저 광선을 연속적으로 좌우상하로 움직이도록 하여, 타겟을 골고루 사용할 수 있어 타겟 표면이 균일하며, 타겟을 절약할 수 있고, 또한 별도의 타겟 회전구동장치가 필요없게 된다.This allows the pulsed laser beam to be continuously moved from side to side and up and down without the need to rotate or move the target, so that the target can be used evenly and the target surface is uniform, saving the target, and a separate target rotation driving device is required. There will be no.

상기 기판부는 기판이 고정되는 부분으로, 기판으로는 폴리머를 사용하고 기판거치수단에 의해 고정되며, 상기 타겟부는 타겟이 고정되는 부분으로, 타겟으로는 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al:ZnO, AZO)을 사용하고 타겟거치수단에 의해 고정되고, 상기 마스크는 상기 기판부와 상기 타겟부 사이에 형성되어, 상기 폴리머에 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 박막이 균일하게 증착된다.The substrate portion is a portion to which the substrate is fixed, and a polymer is used as the substrate and is fixed by the substrate placement means, and the target portion is a portion to which the target is fixed, and zinc oxide doped with aluminum as a target (Al: ZnO, AZO). And a mask is fixed by a target placement means, and the mask is formed between the substrate portion and the target portion so that a zinc oxide (AZO) thin film doped with aluminum is uniformly deposited on the polymer.

여기에서 상기 기판거치수단은 폴리머 기판이 타겟에 대해 평행을 이루도록 형성된다. 즉, 상기 기판거치수단의 상부가 평편하게 형성되어 그 상부에 결합되는 폴리머 기판이 타겟에 대해서도 평행하게 형성된다. 또한 상기 기판거치수단은 온도콘트롤러와 결합되어 기판의 온도가 조절된다.Here, the substrate placement means is formed such that the polymer substrate is parallel to the target. That is, the upper portion of the substrate placing means is formed flat, and the polymer substrate coupled to the upper portion is formed parallel to the target. In addition, the substrate placing means is coupled to a temperature controller to control the temperature of the substrate.

상기 폴리머 기판은 근래에 디스플레이 소자에 사용되는 유기 기판으로, 투명하고, 글래스(glass) 보다 가볍고, 깨어질 염려가 없으며, 소자가 휘어질 수 있는 장점이 있다.The polymer substrate is an organic substrate used in display devices in recent years, and is transparent, lighter than glass, and does not have to be broken, and the device may be bent.

이러한 유기물 소자의 투명전극으로써, 가격이 저렴하고, 안전하며, 우수한 광투과도와 전기전도도를 가지는 알루미늄이 도핑된 산화아연(Al:ZnO, 이하 AZO라 함)을 사용하며, 이는 타켓부를 이루며 타겟거치수단에 의해 고정된다.As a transparent electrode of such an organic device, it is inexpensive, safe, and uses aluminum oxide doped zinc oxide (Al: ZnO, AZO hereinafter) having excellent light transmittance and electrical conductivity. Fixed by means.

또한, 상기 타겟부는 하나 이상 형성되게 할 수 있으며, 바람직하게는 상기 기판부의 길이 방향으로 일렬로 다수개 배열되도록 형성된다. 상기 래스터링수단에 의해 펄스레이저 광선이 상기 타겟부가 배열된 방향으로 이동되면서 대면적의 폴리머 기판 상에 멀티타겟 성장 및 균일한 박막을 성장시키게 된다.In addition, one or more target parts may be formed, and preferably, a plurality of target parts are arranged in a line in the length direction of the substrate part. By the rastering means, the pulsed laser beam is moved in the direction in which the target portion is arranged to grow a multi-target growth and a uniform thin film on a large-area polymer substrate.

그리고 상기 마스크는 통공이 다수개 형성되어 폴리머 기판 상에 박막이 균일하게 증착되도록 하며, 자외선 영역의 파장을 가지는 펄스레이저 광선으로부터 폴리머 기판을 보호하는 역할을 하게 된다.In addition, the mask has a plurality of holes so that the thin film is uniformly deposited on the polymer substrate, and serves to protect the polymer substrate from pulsed laser light having a wavelength in the ultraviolet region.

여기에서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치는, 펄스레이저증착에 의해 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키고, 상기 펄스레이저증착과 연속공정으로 이루어지는 열증착에 의해 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 상부에 광전자 소자인 전기루미네선스(electro-luminescence, EL) 물질을 증착시키고, 그 상부에 다시 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/전기루미네선스(EL)/알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/폴리머의 순으로 소자를 형성시킨다.Here, the pulse laser deposition apparatus for producing a high-quality thin film of the large area, the deposition of the aluminum oxide doped zinc oxide thin film on the polymer substrate by the pulse laser deposition, and the thermal deposition consisting of the pulse laser deposition and a continuous process By depositing an electro-luminescence (EL) material which is an optoelectronic device on the zinc oxide doped with aluminum, and deposited a zinc oxide thin film doped with aluminum again thereon, as shown in FIG. Likewise, the device is formed in the order of aluminum doped zinc oxide (AZO) / electroluminescence (EL) / aluminum doped zinc oxide (AZO) / polymer.

상기 열증착 공정은 상기 펄스레이저증착장치의 챔버와 인시츄(in-situ) 상태에서 이루어지는 공정으로, 열증착장치는 펄스레이저증착장치의 챔버의 일측에 연속적으로 형성되며, 열증착된 박막은 다시 펄스레이저증착장치의 챔버로 이동되어 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키게 된다. 열증착장치 및 펄스레이저증착장치로의 상호간의 박막 이송은 상기 기판거치수단을 상기 장치가 설치된 방향을 따라 움직이도록 한다.The thermal deposition process is a process performed in-situ with the chamber of the pulse laser deposition apparatus. The thermal deposition apparatus is continuously formed on one side of the chamber of the pulse laser deposition apparatus, and the thermally deposited thin film is again It is moved to the chamber of the pulse laser deposition apparatus to deposit a zinc oxide thin film doped with aluminum. The thin film transfer between the thermal deposition apparatus and the pulse laser deposition apparatus causes the substrate placing means to move along the direction in which the apparatus is installed.

그리고, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)박막의 증착조건은 기본압력(Base pressure)은 8.0x10-7Torr, 증착압력(Working pressure)은 5.3x10-3Torr이며, 상기 펄스레이저의 에너지(Laser energy)는 200mJ, 펄스레이저의 주기(Laser repetition rate)는 20Hz, 산소, 아르곤 또는 질소 가스의 유입속도(Gas flow rate)는 5sccm, 증착 온도(Deposition temperature)는 상온(Room temp., 27℃), 증착시간(Deposition time)은 15분이며, 폴리머 기판은 폴리스티렌(polystylene), 코닝글래스(Corning glass), 폴리이미드(Polyimide)를 사용한다. 상기 증착조건은 필요에 따라 다양하게 변화시켜 사용할 수 있다.In addition, the deposition conditions of the aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin film is a base pressure of 8.0x10 -7 Torr, working pressure of 5.3x10 -3 Torr, the energy of the laser laser (Laser energy is 200mJ, pulse repetition rate of laser is 20Hz, gas flow rate of oxygen, argon or nitrogen gas is 5sccm, deposition temperature is room temperature (27 ℃) The deposition time is 15 minutes, and the polymer substrate is made of polystyrene, corning glass, and polyimide. The deposition conditions may be used in various ways as needed.

<제2실시예>Second Embodiment

도 2는 본 발명에 따른 제2실시예의 주요부에 대한 개략도이며, 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예는 상기 래스터링수단 및 챔버 내에 형성된 기판부, 타겟부, 마스크로 크게 구성된다.Fig. 2 is a schematic view of the main part of the second embodiment according to the present invention, and as shown, the second embodiment of the present invention is largely composed of the rastering means and the substrate part, the target part, and the mask formed in the chamber.

다른 구성요소는 상기 제1실시예와 동일하며 증착조건 또한 동일하다. 제2실시예에서는 상기 기판부의 기판거치수단이 다르게 형성된다. 상기 기판거치수단은 상기 기판거치수단에 결합되는 기판이 타겟방향으로 오목한 곡면을 이루도록 형성된다.The other components are the same as those of the first embodiment, and the deposition conditions are also the same. In the second embodiment, the substrate placement means of the substrate portion is formed differently. The substrate placing means is formed such that the substrate coupled to the substrate placing means forms a concave curved surface in the target direction.

도 2a에 도시된 바와 같이 상기 기판거치수단 자체가 오목한 곡면으로 형성되어 상기 기판거치수단 상부에 고정되는 폴리머 기판이 그에 대응되어 오목한 곡면의 형상을 이루게 된다.As shown in FIG. 2A, the substrate mounting means itself is formed as a concave curved surface so that the polymer substrate fixed to the upper portion of the substrate mounting means corresponds to the concave curved surface.

또한 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 기판거치수단이 두개의 대향되는 고정부로 형성되어 폴리머 기판의 양단이 상기 기판거치수단의 고정부에 각각 고정되어, 폴리머 기판이 자연스럽게 오목한 곡면의 형상을 이루게 된다. 이는 상기 타겟에서 발생되는 레이저플룸과 폴리머 기판과의 거리 및 원자기체 분사속도가 균일한 면상에 폴리머 기판이 위치되도록 하여, 대면적의 폴리머 기판 상이라도 타겟이 균일하게 증착될 수 있도록 한 것이다.In addition, as shown in FIG. 2B, the substrate mounting means are formed of two opposing fixing parts, and both ends of the polymer substrate are fixed to the fixing parts of the substrate mounting means, respectively, to form a naturally concave curved surface of the polymer substrate. . This allows the polymer substrate to be positioned on a surface where the distance between the laser plume generated from the target and the polymer substrate and the atom gas ejection velocity are uniform, so that the target can be uniformly deposited even on a large-area polymer substrate.

또한, 상기 타겟부는 하나 이상 형성되게 할 수 있으며, 바람직하게는 상기 기판부의 길이 방향으로 일렬로 다수개 배열되도록 형성된다. 상기 래스터링수단에 의해 펄스레이저 광선이 상기 타겟부가 배열된 방향으로 이동되면서 대면적의 폴리머 기판 상에 멀티타겟 성장 및 균일한 박막을 성장시키게 된다.In addition, one or more target parts may be formed, and preferably, a plurality of target parts are arranged in a line in the length direction of the substrate part. By the rastering means, the pulsed laser beam is moved in the direction in which the target portion is arranged to grow a multi-target growth and a uniform thin film on a large-area polymer substrate.

<제3실시예>Third Embodiment

도 3은 본 발명에 따른 제3실시예의 주요부에 대한 개략도이며, 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예는 상기 래스터링수단 및 챔버 내에 형성된 기판부, 타겟부, 마스크로 크게 구성된다.Fig. 3 is a schematic diagram of an essential part of the third embodiment according to the present invention, and as shown, the third embodiment of the present invention is largely composed of the rastering means and the substrate part, the target part, and the mask formed in the chamber.

다른 구성요소는 상기 제1실시예와 동일하며, 증착조건 또한 동일하다. 여기에서는 상기 기판부의 기판거치수단이 다르게 형성된다.The other components are the same as those of the first embodiment, and the deposition conditions are also the same. Here, the substrate mounting means of the substrate portion is formed differently.

상기 기판거치수단은 상기 폴리머가 일측에서 공급되어 상기 AZO 박막이 증착된 후 타측으로 이동되도록 롤러로 형성된다. 여기에서 레이저 광선은 바(bar) 형태로 하여 타겟 상에서 한 쪽 방향(수직 또는 수평)으로만 래스터링 되도록 한다.The substrate placing means is formed of a roller so that the polymer is supplied from one side and the AZO thin film is deposited and then moved to the other side. Here the laser beam is in the form of a bar so that it is only rastered in one direction (vertical or horizontal) on the target.

즉, 길이방향으로 길게 형성되어 일측에서 타측으로 연속적으로 움직이는 기판의 방향에 수직되는 방향으로만 래스터링이 되도록 하여 타겟을 골고루 사용하게 함과 동시에 래스터링 동작이 간단하고, 타겟을 전혀 움직이지 않아도 되도록 한 것이다.That is, it is formed long in the longitudinal direction so that the rastering only in the direction perpendicular to the direction of the substrate continuously moving from one side to the other side makes the target evenly used, and the rastering operation is simple and the target does not move at all. It was made possible.

상기 롤러는 상기 타겟부를 중심으로 양측에 형성되며, 일측에 형성된 롤러는 폴리머 기판을 공급하며, 타측에 형성된 롤러는 박막이 증착된 폴리머 기판을 이송시키는 롤러이며, 상기 롤러는 폴리머 기판이 일정 정도의 텐션이 유지되도록 형성된다.The rollers are formed on both sides of the target portion, the rollers formed on one side supply a polymer substrate, and the rollers formed on the other side are rollers for transporting the polymer substrate on which the thin film is deposited. The tension is formed to be maintained.

그리고 상기 타겟부는 상기 기판부의 길이 방향으로, 즉 일측 롤러 방향에서 타측 롤러 방향으로 일렬로 다수개 배열되게 형성된다. 상기 래스터링수단에 의해 펄스레이저 광선이 상기 타겟부가 배열된 방향으로 동일하게 움직이도록 하여 멀티타겟 성장 및 대면적 폴리머 기판 상에 연속적으로 박막의 성장이 가능하게 된다.And the target portion is formed to be arranged in a plurality in a row in the longitudinal direction of the substrate portion, that is, in one roller direction in the other roller direction. The rastering means allows the pulsed laser beam to move in the same direction in which the target portion is arranged, thereby enabling multi-target growth and continuous growth of a thin film on a large-area polymer substrate.

이하에서는 본 발명에 의해 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머)의 물성에 대해 살펴보고자 한다.Hereinafter, the physical properties of the thin film (AZO / large-area polymer) prepared by the present invention will be described.

표 1은 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머)의 전기저항을 측정한 도이다. 측정은 Keithley2000multi-meter에 의하였다. 상기 대면적 폴리머로써, 폴리스티렌, 코닝글래스, 폴리이미드를 사용하였다.Table 1 is a diagram measuring the electrical resistance of the thin film (AZO / large area polymer) prepared according to the present invention. Measurements were made with a Keithley 2000 multimeter. As the large area polymer, polystyrene, corning glass, and polyimide were used.

표 1에 나타낸 바와 같이, 폴리스티렌(polystylene) 기판에 대한 AZO 박막의 전기저항은 3x10-4ohmㆍcm, 코닝글래스(corning glass) 기판에 대한 AZO 박막의 전기저항은 1.5x10-4ohmㆍcm, 폴리이미드(polyimide) 기판에 대한 AZO 박막의 전기저항은 1.2x10-4ohmㆍcm이다. 상기 전기저항값은 대면적의 폴리머 기판 상에 제조된 AZO가 전극으로서의 기능을 충분히 할 수 있다는 것을 의미하며, 이는 AZO가 고품위 성장을 하였음을 나타낸다.As shown in Table 1, the electrical resistance of the AZO thin film on a polystyrene substrate is 3x10 -4 ohmcm, the electrical resistance of the AZO thin film on a corning glass substrate is 1.5x10 -4 ohmcm, The electrical resistance of the AZO thin film on a polyimide substrate is 1.2 × 10 −4 ohm · cm. The electrical resistance value means that AZO prepared on a large-area polymer substrate can sufficiently function as an electrode, indicating that AZO has grown at high quality.

도 5는 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리이미드)의 SEM(scanning electron microscope) 측정도이다. 측정은 Hitachi, S-4200, Japan으로 하였으며, 배율은 50,000배, 전자빔의 세기는 15kV, 바 싸이즈(bar size)는 600nm이다. 도 5는 기판으로서 폴리이미드를 사용한 것이며, AZO 박막의 두께는 약 300nm였으며, 전체적으로 AZO 박막의 표면이 균일하고 균질하게 제조되었음을 알 수 있다.5 is a scanning electron microscope (SEM) measurement of a thin film (AZO / large area polymer-polyimide) prepared according to the present invention. Measurements were made with Hitachi, S-4200, Japan, and the magnification was 50,000 times, the intensity of the electron beam was 15 kV, and the bar size was 600 nm. 5 is a polyimide as a substrate, the thickness of the AZO thin film was about 300nm, it can be seen that the surface of the AZO thin film was produced uniformly and uniformly as a whole.

도 6은 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리이미드)의 XRD 분석도이다. 측정은 Phillips, X'Pert Pro, Netherland에 의하였다. 도 6에 도시된 바와 같이 15도 내지 30도까지의 브로드(broad)한 피크는 폴리이미드의 특성에 의해 나타난 것으로 보이며, 35도에서의 피크는 AZO 박막의 (002) 배향에 의한 것으로 보이며, 기판에 대해 AZO 박막이 c-축으로 성장되었음을 알 수 있다.6 is an XRD diagram of a thin film (AZO / large area polymer-polyimide) prepared according to the present invention. Measurements were made by Phillips, X'Pert Pro, Netherland. As shown in FIG. 6, the broad peak from 15 degrees to 30 degrees appears to be due to the characteristics of the polyimide, and the peak at 35 degrees appears to be due to the (002) orientation of the AZO thin film. It can be seen that the AZO thin film was grown on the c-axis with respect to.

도 7은 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리이미드)의 광투과성 측정도이다. 측정은 UV-VIS-IR Spectrometer:Varian, Cary 5E에 의하였다. 도 7에 도시된 바와 같이 80% 이상의 가시광선 투과율을 보이고 있고, AZO의 흡수단은 3.48eV이며, 알려진 순수한 AZO보다 3.3eV 보다 크게 측정되었으나, 일반적으로 도핑(dopping)된 ZnO의 밴드갭(band gap) 에너지값과 유사하다.7 is a light transmission measurement diagram of a thin film (AZO / large area polymer-polyimide) prepared according to the present invention. The measurement was performed by UV-VIS-IR Spectrometer: Varian, Cary 5E. As shown in FIG. 7, the visible light transmittance of 80% or more, and the absorption edge of the AZO is 3.48 eV, measured more than 3.3 eV than the known pure AZO, but the band gap of the doped ZnO generally gap) is similar to the energy value.

도 8은 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리스티렌)의 XRD 분석도이다. 측정은 Phillips, X'Pert Pro, Netherland에 의하였으며, 박막은 상온에서 200mJ, 30분간 증착한 것이다. 도 8에 도시된 바와 같이 상온에서 증착하였음에도, 35도 근처에서의 피크는 AZO 박막이 (002) 방향(c-축)으로 결정성을 가지고 성장되었음을 알 수 있다.8 is an XRD diagram of a thin film (AZO / large area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention. The measurements were made by Phillips, X'Pert Pro, Netherland, and the thin film was deposited at 200 mJ for 30 minutes at room temperature. Although deposited at room temperature as shown in FIG. 8, it can be seen that the peak near 35 degrees showed that the AZO thin film was grown with crystallinity in the (002) direction (c-axis).

도 9는 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리스티렌)의 광투과성 측정도이다. 측정은 UV-VIS-IR Spectrometer:Varian, Cary 5E에 의하였다. 도 9에 도시된 바와 같이 80% 이상의 가시광선 투과율을 보이고 있다.9 is a light transmission measurement diagram of a thin film (AZO / large-area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention. The measurement was performed by UV-VIS-IR Spectrometer: Varian, Cary 5E. As shown in FIG. 9, visible light transmittance of 80% or more is shown.

도 10은 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적 폴리머-폴리스티렌)의 AFM 측정도이다. 측정은 DI nanoscopeIV에 의하였으며, 러프니스(roughness)는 0.5nm이다.10 is an AFM measurement diagram of a thin film (AZO / large area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention. Measurements were made by DI nanoscope IV and roughness was 0.5 nm.

상기에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따라 제조된 대면적 폴리머 기판상의 AZO 박막은, 상온에서 증착되었음에도 불구하고 결정성, 광투과성, 균질성 등이 뛰어나 고품질을 가짐을 알 수 있다.As described above, the AZO thin film on the large-area polymer substrate prepared according to the present invention, although deposited at room temperature, is excellent in crystallinity, light transmittance, homogeneity, and the like.

상기 구성에 의한 본 발명은, 래스터링수단에 의해 타겟을 움직이지 않은 채 타겟을 균일하게 사용할 수 있고, 장치가 간단하여 경제적이며, 대면적의 고품질 박막 제조가 가능한 효과가 있다.According to the present invention, the target can be used uniformly without moving the target by the rastering means, the device is simple and economical, and there is an effect that a large-area high quality thin film can be manufactured.

또한, 대면적 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막(AZO)의 고품질 제조가 가능하며, 이에 따른 전기루미네선스(EL) 소자의 물성이 뛰어나 대면적의 유기 전기루미네선스 디스플레이 소자에 대한 실용화가 가능한 효과가 있다.In addition, it is possible to manufacture a high quality aluminum oxide thin film (AZO) doped with aluminum on a large-area polymer substrate, and according to the excellent physical properties of the electroluminescent (EL) device according to the large-area organic electroluminescent display device There is an effect that can be put to practical use.

도 1 - 본 발명에 따른 제1실시예에 대한 전체 개략도.1-an overall schematic diagram of a first embodiment according to the present invention;

도 2 - 본 발명에 따른 제2실시예의 주요부에 대한 개략도.Figure 2-Schematic diagram of the main parts of a second embodiment according to the present invention.

도 3 - 본 발명에 따른 제3실시예의 주요부에 대한 개략도.Figure 3-Schematic diagram of the main parts of a third embodiment according to the present invention.

도 4 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/EL/AZO/폴리머)의 단면도.4-cross-sectional view of a thin film (AZO / EL / AZO / polymer) prepared according to the present invention.

도 5 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리이미드)의 SEM 측정도.5-SEM measurement of a thin film (AZO / large-area polymer-polyimide) prepared according to the present invention.

도 6 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리이미드)의 XRD 분석도.6-XRD diagram of thin film (AZO / large-area polymer-polyimide) prepared according to the present invention.

도 7 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리이미드)의 광투과성 측정도.7-Light transmittance measurement diagram of a thin film (AZO / large-area polymer-polyimide) prepared according to the present invention.

도 8 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리스티렌)의 XRD 분석도.8-XRD diagram of thin film (AZO / large area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention.

도 9 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리스티렌)의 광투과 측정도.9-Light transmission measurement of thin film (AZO / large-area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention.

도 10 - 본 발명에 따라 제조된 박막(AZO/대면적폴리머-폴리스티렌)의 AFM 측정도.10-AFM measurement of thin film (AZO / large-area polymer-polystyrene) prepared according to the present invention.

<도면에 사용된 부호에 대한 설명><Description of Symbols Used in Drawings>

10 : 챔버 20 : 기판10 chamber 20 substrate

30 : 타겟 40 : 레이저광선30 target 40 laser beam

100 : 래스터링수단 110 : 래스터링미러100: rastering means 110: rastering mirror

120 : 래스터링바 200 : 타겟부120: rastering bar 200: target portion

210 : 타겟거치수단 300 : 기판부210: target placement means 300: substrate portion

310 : 기판거치수단 311 : 롤러310 substrate mounting means 311 roller

400 : 마스크400: mask

Claims (16)

챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 증착시키는 펄스레이저증착장치에 있어서,In the pulse laser deposition apparatus for irradiating a pulse laser beam to a target installed in the chamber, to deposit a thin film on a substrate formed at a position opposite to the target, 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리가 연속변화되는 래스터링수단이 형성된 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.And a rastering means is formed in which a focal length of the pulsed laser beam irradiated to the target is continuously changed. 제1항에 있어서, 상기 래스터링수단은,The method of claim 1, wherein the rastering means, 상기 펄스레이저 광선이 입사되어 타겟으로 반사되도록 형성되며, 좌우상하로 회전유동되도록 형성된 래스터링미러와;A rastering mirror which is formed such that the pulsed laser beam is incident and reflected to a target, and is configured to rotate in left and right directions; 상기 래스터링미러의 일측과 연결되어 스테핑모터에 의해 상기 래스터링미러의 움직임을 구동시키는 래스터링바;로 형성되어, 상기 타겟에 조사되는 펄스레이저 광선이 수평 또는 수직으로 연속적으로 유동되어 상기 타겟이 균일하게 사용되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.A rastering bar connected to one side of the rastering mirror to drive the movement of the rastering mirror by a stepping motor; the pulse laser beam irradiated to the target is continuously flowed horizontally or vertically to uniform the target. Pulse laser deposition apparatus for producing a large-scale high-quality thin film, characterized in that it is formed to be used. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치는,According to claim 1 or 2, wherein the pulse laser deposition apparatus for producing a high-quality thin film of a large area, 폴리머로 형성된 기판이 기판거치수단에 의해 고정되는 기판부와;A substrate portion on which a substrate formed of a polymer is fixed by a substrate placement means; 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 타겟이 타겟거치수단에 의해 고정되는 타겟부와;A target portion to which an aluminum-doped zinc oxide (AZO) target is fixed by a target placement means; 상기 기판부와 타겟부 사이에 형성된 마스크;를 포함하여 구성되어 상기 폴리머에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막이 증착되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.And a mask formed between the substrate portion and the target portion, wherein the zinc oxide thin film doped with aluminum is deposited on the polymer. 제 3항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 3, wherein the substrate mounting means, 기판이 타겟에 대해 평행을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.Pulse laser deposition apparatus for producing a large-scale high-quality thin film, characterized in that the substrate is formed parallel to the target. 제 3항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 3, wherein the substrate mounting means, 기판이 타겟방향으로 오목한 곡면을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.Pulse laser deposition apparatus for manufacturing a large-scale high-quality thin film, characterized in that the substrate is formed to form a concave curved surface in the target direction. 제 3항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 3, wherein the substrate mounting means, 상기 폴리머가 일측에서 공급되어 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막이 증착된 후 타측으로 이동되도록 롤러로 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.And the polymer is supplied from one side to form a roller so that the aluminum oxide doped zinc oxide thin film is deposited and then moved to the other side. 제 4항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟부는,The method of claim 4, wherein the target portion, 타겟거치수단이 상기 기판부의 길이 방향으로 일렬로 다수개 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.Pulse laser deposition apparatus for producing a high-quality thin film of a large area, characterized in that the plurality of target placement means is arranged in a row in the longitudinal direction of the substrate portion. 제 3항에 있어서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치는,According to claim 3, The pulsed laser deposition apparatus for producing a large-scale high-quality thin film, 펄스레이저증착에 의해 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키고, 상기 펄스레이저증착과 연속공정으로 이루어지는 열증착에 의해 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 상부에 전기루미네선스(EL) 물질을 증착시키고, 그 상부에 다시 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착하여, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/전기루미네선스(EL)/알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/폴리머의 순으로 소자를 형성시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착장치.An electroluminescent (EL) material is deposited on the aluminum oxide-doped zinc oxide thin film by depositing aluminum-doped zinc oxide thin film on a polymer substrate by pulse laser deposition, and thermal deposition comprising a continuous process of the pulsed laser deposition. Deposited on top of the aluminum oxide-doped zinc oxide thin film, and then the aluminum-doped zinc oxide (AZO) / electroluminescence (EL) / aluminum-doped zinc oxide (AZO) / polymer Pulse laser deposition apparatus for manufacturing a large-scale high-quality thin film, characterized in that to form an element. 챔버 내에 설치된 타겟에 펄스레이저 광선을 조사하여, 상기 타겟에 대향된 위치에 형성된 기판에 박막을 제조하는 펄스레이저증착방법에 있어서,In the pulse laser deposition method of irradiating a pulse laser beam to a target installed in the chamber, to produce a thin film on a substrate formed at a position opposite to the target, 래스터링 수단에 의해 상기 타겟으로 조사되는 상기 펄스레이저 광선의 촛점 거리를 연속변화시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.Pulsed laser deposition method for producing a large-scale high-quality thin film, characterized in that for continuously changing the focal length of the pulsed laser beam irradiated to the target by rastering means. 제9항에 있어서, 상기 래스터링수단은,The method of claim 9, wherein the rastering means, 상기 펄스레이저 광선이 입사되어 타겟으로 반사되도록 형성되며, 좌우상하로 회전유동되도록 형성된 래스터링미러와;A rastering mirror which is formed such that the pulsed laser beam is incident and reflected to a target, and is configured to rotate in left and right directions; 상기 래스터링미러의 일측과 연결되어 스테핑모터에 의해 상기 래스터링미러의 움직임을 구동시키는 래스터링바;로 형성되어, 상기 타겟에 조사되는 펄스레이저 광선이 수평 또는 수직으로 연속적으로 유동되어 상기 타겟이 균일하게 사용되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.A rastering bar connected to one side of the rastering mirror to drive the movement of the rastering mirror by a stepping motor; the pulse laser beam irradiated to the target is continuously flowed horizontally or vertically to uniform the target. Pulse laser deposition method for producing a large-scale high-quality thin film, characterized in that it is formed to be used. 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법은,The method of claim 9 or 10, wherein the pulsed laser deposition method for producing a high-quality thin film of a large area, 폴리머로 형성된 기판이 기판거치수단에 의해 고정되는 기판부와;A substrate portion on which a substrate formed of a polymer is fixed by a substrate placement means; 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO) 타겟이 타겟거치수단에 의해 고정되는 타겟부와;A target portion to which an aluminum-doped zinc oxide (AZO) target is fixed by a target placement means; 상기 기판부와 타겟부 사이에 형성된 마스크;를 포함하여 구성된 펄스레이저증착장치에 의해 상기 폴리머에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.And a zinc oxide thin film doped with aluminum to the polymer by a pulse laser deposition apparatus including a mask formed between the substrate portion and the target portion. . 제 11항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 11, wherein the substrate mounting means, 기판이 타겟에 대해 평행을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.Pulsed laser deposition method for producing a high-quality thin film of a large area, characterized in that the substrate is formed parallel to the target. 제 11항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 11, wherein the substrate mounting means, 기판이 타겟방향으로 오목한 곡면을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.Pulse laser deposition method for producing a large-scale high-quality thin film, characterized in that the substrate is formed to form a concave curved surface in the target direction. 제 11항에 있어서, 상기 기판거치수단은,The method of claim 11, wherein the substrate mounting means, 상기 폴리머가 일측에서 공급되어 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막이 증착된 후 타측으로 이동되도록 롤러로 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.The method of claim 1, wherein the polymer is supplied from one side and the aluminum oxide doped zinc oxide thin film is deposited, and then formed into a roller to move to the other side. 제 12항 내지 제14항의 어느 한 항에 있어서, 상기 타겟부는,The method according to any one of claims 12 to 14, wherein the target portion, 타겟거치수단이 상기 기판부의 길이 방향으로 일렬로 다수개 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.Pulse laser deposition method for producing a high-quality thin film of a large area, characterized in that the plurality of target placement means is arranged in a row in the longitudinal direction of the substrate portion. 제 11항에 있어서, 상기 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법은,The method of claim 11, wherein the pulsed laser deposition method for producing a large-scale high-quality thin film, 펄스레이저증착에 의해 폴리머 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착시키고, 상기 펄스레이저증착과 연속공정으로 이루어지는 열증착에 의해 상기 알루미늄이 도핑된 산화아연 상부에 전기루미네선스(EL) 물질을 증착시키고, 그 상부에 다시 알루미늄이 도핑된 산화아연 박막을 증착하여, 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/전기루미네선스(EL)/알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)/폴리머의 순으로 소자를 형성시키는 것을 특징으로 하는 대면적의 고품질 박막 제조를 위한 펄스레이저증착방법.An electroluminescent (EL) material is deposited on the aluminum oxide-doped zinc oxide thin film by depositing aluminum-doped zinc oxide thin film on a polymer substrate by pulse laser deposition, and thermal deposition comprising a continuous process of the pulsed laser deposition. Deposited on top of the aluminum oxide-doped zinc oxide thin film, and then the aluminum-doped zinc oxide (AZO) / electroluminescence (EL) / aluminum-doped zinc oxide (AZO) / polymer Pulse laser deposition method for producing a high-quality thin film of a large area, characterized in that to form an element.
KR1020050051046A 2005-06-14 2005-06-14 Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film KR20050069969A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050051046A KR20050069969A (en) 2005-06-14 2005-06-14 Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050051046A KR20050069969A (en) 2005-06-14 2005-06-14 Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050069969A true KR20050069969A (en) 2005-07-05

Family

ID=37260259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050051046A KR20050069969A (en) 2005-06-14 2005-06-14 Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20050069969A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093668B2 (en) 2013-04-16 2015-07-28 Samsung Display Co., Ltd Display apparatus having sealing portion and fabrication method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093668B2 (en) 2013-04-16 2015-07-28 Samsung Display Co., Ltd Display apparatus having sealing portion and fabrication method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cranton et al. Enhanced electrical and optical properties of room temperature deposited Aluminium doped Zinc Oxide (AZO) thin films by excimer laser annealing
Sivakumar et al. Preparation and characterization of electron beam evaporated WO3 thin films
KR100493802B1 (en) Laser annealing method and laser annealing device
Rozati et al. Characterization of ZnO: Al thin films obtained by spray pyrolysis technique
Villanueva et al. Pulsed laser deposition of zinc oxide
EP3003631B1 (en) Method for producing a substrate provided with a coating
Shakiba et al. Effects of processing parameters on crystalline structure and optoelectronic behavior of DC sputtered ITO thin film
Tseng et al. Mechanical and optoelectric properties of post-annealed fluorine-doped tin oxide films by ultraviolet laser irradiation
Seong et al. Enhanced uniformity in electrical and optical properties of ITO thin films using a wide thermal annealing system
Mitsugi et al. Uniformity of gallium doped zinc oxide thin film prepared by pulsed laser deposition
Beena et al. Influence of substrate temperature on the properties of laser ablated indium tin oxide films
Ding et al. Evaluation of structural properties of AZO conductive films modification using low-temperature ultraviolet laser annealing
Chiu et al. Fabrication of ZnO and CuCrO2: Mg thin films by pulsed laser deposition with in situ laser annealing and its application to oxide diodes
Kashyout et al. Studying the properties of RF-sputtered nanocrystalline tin-doped indium oxide
Poddar et al. Effect of substrates and post-deposition annealing on rf-sputtered Al-doped ZnO (AZO) thin films
KR20050069969A (en) Pulsed laser deposition system and method for fabricating large area and high quality film
WO2004042110A1 (en) Method of forming film on substrate
Kwon Effect of precursor-pulse on properties of Al-doped ZnO films grown by atomic layer deposition
Babu et al. Bias voltage dependence properties of dc reactive magnetron sputtered indium oxide films
Pokaipisit et al. Influence of annealing temperature on the properties of ITO films prepared by electron beam evaporation and ion-assisted deposition
CN109468604B (en) Preparation method of high-transmittance IGZO (indium gallium zinc oxide) thin film
Wu et al. Effects of substrate temperature on the properties of the indium tin oxide thin films deposited by sputtering method
Tsoutsouva et al. Laser energy density, structure and properties of pulsed-laser deposited zinc oxide films
Zhao et al. Preparation of large-scale SnO2: F transparent conductive film by atmospheric spray pyrolysis deposition and the effect of fluorine-doping
US11891687B2 (en) Transparent conductor materials with enhanced near infrared properties and methods of forming thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application