KR20050069607A - Apparatus of photoresist coater having edge band remover - Google Patents
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Abstract
에지 밴드 제거부를 가지는 포토레지스트 도포 장비를 제시한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 웨이퍼 회전 지지부에 안착된 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 분사부, 포토레지스트 분사부에 의해 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트층을 에지 밴드 제거(EBR)하기 위해 도입되는 제1 에지 밴드 제거부, 및 제1 에지 밴드 제거부를 따라 작동되어 에지 밴드 제거된 웨이퍼의 에지 부위를 후속 세정하는 제2 에지 밴드 제거부를 포함하여 구성되는 포토레지스트 도포 장비를 제시한다. A photoresist application equipment having an edge band removal is presented. According to an aspect of the present invention, a photoresist spraying portion for applying a photoresist on a wafer seated on a wafer rotation support portion, to remove the edge band (EBR) of the photoresist layer applied on the wafer by the photoresist spraying portion A photoresist application equipment is provided that includes a first edge band removal portion introduced and a second edge band removal portion operated along the first edge band removal portion to subsequently clean the edge portion of the edge band removed wafer.
Description
본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 에지 밴드 제거부(EBR: Edge Band Remover)를 가지는 포토레지스트 도포 장비(photoresist coater)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to a photoresist coater having an edge band remover (EBR).
반도체 소자 제조 장비 중에 트랙(track) 장비로 분류되는 포토레지스트 도포 장비가 포토레지스트층의 도포를 위해서 사용되고 있다. 포토레지스트층의 도포는 포토레지스트(PR)를 웨이퍼(wafer) 상에 분사한 후 웨이퍼 에지 부위를 세정하는 과정이 수행되고 있다. 즉, 웨이퍼 상단 에지와 웨이퍼 후면(back side)을 세정하기 위해서 신너 화학액(thinner chemical)을 분사하여 웨이퍼 에지 부위 등의 포토레지스트를 없애는 과정이다. 이러한 웨이퍼 에지 부위의 세정을 위해서 에지 밴드 제거부(EBR)가 포토레지스트 도포 장비에 도입된다. Photoresist coating equipment classified as track equipment in semiconductor device manufacturing equipment is used for the application of the photoresist layer. In the application of the photoresist layer, the photoresist PR is sprayed onto the wafer and then the wafer edge portion is cleaned. That is, a thinner chemical is sprayed to clean the top edge of the wafer and the back side of the wafer to remove photoresist such as a wafer edge. An edge band removal portion EBR is introduced into the photoresist application equipment for cleaning the wafer edge portion.
이러한 EBR 진행 시 웨이퍼 에지 부위에서 깨끗이 PR이 제거되지 못하면, 다음 공정에서 다른 제조 장비에의 오염 및 웨이퍼의 신뢰도를 저하시키는 등의 문제 발생의 요인이 된다. If the PR is not removed from the wafer edge during the EBR process, it may cause problems such as contamination of other manufacturing equipment and deterioration of wafer reliability in the next process.
도 1은 종래의 포토레지스트 도포 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a conventional photoresist application equipment.
도 1을 참조하면, 종래의 포토레지스트 도포 장비는 웨이퍼가 웨이퍼(10)를 회전시켜줄 수 있는 회전 지지부 상에 장착되었을 때, 웨이퍼(10) 상으로 PR을 분사해주는 PR 분사부(PR nozzle part:30)를 구비하고 있다. 또한, 도포된 포토레지스트층(20) 중 웨이퍼(10)의 에지 부위(11)에 도포된 PR을 제거하기 위해, 신너 화학액을 분사하는 에지 밴드 제거부(EBR: 40)가 웨이퍼(10) 상측으로 도입된다. Referring to FIG. 1, a conventional photoresist coating apparatus may include a PR nozzle part that sprays PR onto the wafer 10 when the wafer is mounted on a rotational support that may rotate the wafer 10. 30). In addition, in order to remove the PR applied to the edge portion 11 of the wafer 10 of the applied photoresist layer 20, an edge band removing portion (EBR) 40 for injecting thinner chemical liquid (EBR) 40 is used. It is introduced upwards.
에지 밴드 제거부(40)는 PR을 제거하기 위한 신너 화학액을 분사하기 위해 노즐(nozzle) 형태를 구비하는 데, 이러한 노즐의 홀(hole) 지름은 대략 0.1㎜로 구비된다. 이러한 노즐에서 분사되는 신너 화학액에 의해서 웨이퍼(10) 에지 부위(11)의 PR이 제거되고 또한 원하는 크기(size)만큼 PR을 세정해 내게 된다. The edge band remover 40 has a nozzle shape for injecting thinner chemical to remove the PR, and the hole diameter of the nozzle is approximately 0.1 mm. The thinner chemical injected from the nozzle removes the PR of the edge portion 11 of the wafer 10 and cleans the PR by a desired size.
그런데, 이러한 종래의 포토레지스트 도포 장비에서는 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼 상측으로는 단 하나의 에지 밴드 제거부(40)가 도입되고 있다. 이에 따라, 에지 부위(11)를 세정할 때, 에지 부위(11)에 PR이 깨끗이 제거되지 못하여, PR 잔류물(21)이 발생되는 불량이 빈번히 발생하고 있다. However, in the conventional photoresist coating equipment, as shown in FIG. 1, only one edge band removing unit 40 is introduced above the wafer. Accordingly, when the edge portion 11 is cleaned, the defects in which the PR residue 21 is generated are frequently caused because PR is not removed to the edge portion 11 cleanly.
이러한 PR 잔류물(21)의 잔류는 후속되는 포토(photo) 공정에서 웨이퍼 에지 노광(WEE: Wafer Edge Exposure) 장비를 이용하여 이러한 에지 부위(11)의 PR 잔류물(21)을 광, 예컨대, 자외선 램프(UV lamp)에 의한 자외선 광을 이용하여 제거하는 과정을 더 거쳐야 한다. 이와 같은 추가 공정의 진행은 결국 생산성의 저하를 야기하고 있다. 또한, 이러한 PR 잔류물(21)은 후속되는 타 장비, 예컨대, 다른 트랙 장비 또는 스캐너(scanner) 등의 오염을 야기할 수 있다. 이에 따라, 장비 가동률의 저하를 야기하게 된다. 더욱이, 다른 웨이퍼의 후면을 오염시키는 원인으로 작용할 수 있다. 따라서, 전체 공정의 생산성(through put)을 저하시키는 요인으로 작용하게 된다. Residual of such PR residue 21 is used to light, for example, the PR residue 21 of this edge portion 11 using a wafer edge exposure (WEE) equipment in a subsequent photo process. The process of removing the ultraviolet light by the ultraviolet lamp (UV lamp) should be further performed. Progress of such additional processes eventually leads to a decrease in productivity. This PR residue 21 can also cause contamination of subsequent other equipment, such as other track equipment or scanners. This causes a reduction in equipment utilization. Moreover, it can act as a cause of contaminating the back surface of another wafer. Therefore, it acts as a factor to lower the productivity (through put) of the entire process.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트를 보다 깨끗이 제거할 수 있는 개선된 에지 밴드 제거부를 가지는 포토레지스트 도포 장비를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a photoresist coating apparatus having an improved edge band removing unit capable of more clearly removing a photoresist at a wafer edge portion.
상기의 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 웨이퍼 회전 지지부에 안착된 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 분사부, 상기 포토레지스트 분사부에 의해 상기 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트층을 에지 밴드 제거(EBR)하기 위해 도입되는 제1 에지 밴드 제거부, 및 상기 제1 에지 밴드 제거부를 따라 작동되어 상기 에지 밴드 제거된 상기 웨이퍼의 에지 부위를 후속 세정하는 제2 에지 밴드 제거부를 포함하여 구성되는 포토레지스트 도포 장비를 제시한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem, a photoresist injection unit for applying a photoresist on a wafer seated on a wafer rotation support, a photoresist layer applied on the wafer by the photoresist injection unit A first edge band remover introduced for edge band removal (EBR), and a second edge band remover operated along the first edge band remover to subsequently clean the edge portion of the wafer from which the edge band has been removed. To present a photoresist application equipment is configured.
상기 제1 에지 밴드 제거부와 상기 제2 에지 밴드 제거부는 상기 웨이퍼의 에지 부위 영역에 서로 다른 위치에까지 상기 에지 밴드 제거 또는 상기 후속 세정을 위한 화학액을 각각 분사하는 것일 수 있다. The first edge band remover and the second edge band remover may be spraying chemicals for the edge band removal or the subsequent cleaning to different positions in the edge region of the wafer, respectively.
상기 제2 에지 밴드 제거부는 상기 제1 에지 밴드 제거부의 상기 에지 밴드 제거를 상기 화학액의 분사를 뒤따르며 상기 에지 밴드 제거된 부위에 상기 화학액을 분사하여 세정하는 것일 수 있다. The second edge band removing unit may clean the edge band removal of the first edge band removing unit by spraying the chemical liquid on the edge band removed portion following the injection of the chemical liquid.
상기 제2 에지 밴드 제거부는 상기 제1 에지 밴드 제거부가 상기 에지 밴드 제거하는 위치보다 상기 웨이퍼의 가장 자리로부터 가까운 위치까지만 들어가도록 움직이는 것일 수 있다. The second edge band remover may move to enter only a position closer to the edge of the wafer than the position where the first edge band remover removes the edge band.
상기 화학액의 분사를 위해 상기 제2 에지 밴드 제거부는 상기 제1 에지 밴드 제거부에 구비되는 노즐 홀(nozzle hole) 보다 큰 크기의 노즐 홀을 구비하는 것일 수 있다. The second edge band remover may include a nozzle hole having a larger size than the nozzle hole provided in the first edge band remover to inject the chemical liquid.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 에지 부위의 포토레지스트를 보다 깨끗이 제거할 수 있는 개선된 에지 밴드 제거부를 가지는 포토레지스트 도포 장비를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a photoresist application apparatus having an improved edge band removal portion capable of removing the photoresist at the wafer edge portion more clearly.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안되며, 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below, and should be understood by those skilled in the art. It is preferred that the present invention be interpreted as being provided to more fully explain the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에지 밴드 제거부를 가지는 포토레지스트 도포 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a photoresist coating apparatus having an edge band removing unit according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 도포 장비는, 웨이퍼(100)가 웨이퍼(100)를 회전시켜줄 수 있는 회전 지지부 상에 장착되었을 때, 웨이퍼(100) 상으로 PR을 분사해주는 PR 분사부(300)를 구비한다. 또한, 도포된 포토레지스트층(200) 중 웨이퍼(100)의 에지 부위(110)에 도포된 PR을 제거하기 위해, 신너 화학액을 분사하는 제1 에지 밴드 제거부(410) 및 제2 에지 밴드 제거부(450)가 웨이퍼(100) 상측으로 도입된다. Referring to FIG. 2, the photoresist coating apparatus according to the embodiment of the present invention sprays PR onto the wafer 100 when the wafer 100 is mounted on a rotating support capable of rotating the wafer 100. It is provided with a PR injection unit 300. In addition, in order to remove the PR applied to the edge portion 110 of the wafer 100 of the applied photoresist layer 200, the first edge band removing portion 410 and the second edge band for spraying thinner chemicals The removal unit 450 is introduced above the wafer 100.
에지 밴드 제거부들(410, 450)의 각각은 웨이퍼(100)의 에지 부위(110)의 PR을 제거하기 위한 신너 화학액을 분사하기 위해 노즐 형태로 각각 구비된다. 이때, 두 에지 밴드 제거부들(410, 450)은 각각 서로 크기의 노즐 홀(hole) 지름을 가지도록 구비된다. Each of the edge band removers 410 and 450 is provided in the form of a nozzle to spray thinner chemical for removing PR of the edge portion 110 of the wafer 100. In this case, the two edge band removal parts 410 and 450 are provided to have nozzle hole diameters of the size of each other.
예를 들어, 제1 에지 밴드 제거부(410)는 대략 0.1㎜의 크기의 분사구, 즉, 노즐 홀을 가지는 노즐 형태로 구비될 수 있다. 이러한 제1 에지 밴드 제거부(410)는 원하는 EBR 크기만 세정하는 데 사용된다. 예를 들어, EBR 크기가 대략 2㎜일 때, 제1 에지 밴드 제거부(410)는 대략 2㎜ 위치까지, 즉, 웨이퍼(100)의 가장 자리로부터 2㎜ 안쪽 위치까지 들어가서 EBR을 진행한다. For example, the first edge band remover 410 may be provided in the form of a nozzle having an injection hole of about 0.1 mm, that is, a nozzle hole. This first edge band remover 410 is used to clean only the desired EBR size. For example, when the EBR size is approximately 2 mm, the first edge band removal portion 410 enters the approximately 2 mm position, that is, the edge of the wafer 100 from the edge of the wafer 100 to advance the EBR.
또한, 제2 에지 밴드 제거부(450)는 상기한 제1 에지 밴드 제거부(410)의 노즐 홀 보다는 큰 크기의 노즐 홀, 예컨대, 대략 0.3㎜ 크기의 노즐 홀을 가지는 노즐 형태로 구비될 수 있다. 이러한 제2 에지 밴드 제거부(410)는 제1 에지 밴드 제거부(410)에 의해 1차 제거된 에지 부위(110)를 2차 세정하는 역할을 한다. In addition, the second edge band removing unit 450 may be provided in the form of a nozzle having a nozzle hole larger in size than the nozzle hole of the first edge band removing unit 410, for example, a nozzle hole having a size of approximately 0.3 mm. have. The second edge band remover 410 serves to secondary clean the edge portion 110 that is first removed by the first edge band remover 410.
이에 따라, 상기 제1 에지 밴드 제거부(410)가 대략 2mm 위치까지 들어가서 EBR을 진행할 때, 제2 에지 밴드 제거부(410)는 이러한 제1 에지 밴드 제거부(410) 보다 덜 들어간 위치, 즉, 웨이퍼(100)의 가장 자리에서 작은 거리 들어간 위치, 예컨대, 대략 1.9㎜ 위치까지만 들어가서 세정을 진행한다. 이러한 제2 에지 밴드 제거부(450)의 작동은 제1 에지 밴드 제거부(410)를 따르는 동작으로 동시에 작동한다. 즉, 제1 에지 밴드 제거부(410)에 의한 1차적인 EBR 제거 작용과 제2 에지 밴드 제거부(450)에 의한 2차적인 세정이 동시에 이루어진다. Accordingly, when the first edge band remover 410 enters an approximately 2 mm position and proceeds with EBR, the second edge band remover 410 is less than the first edge band remover 410. The cleaning is performed only by entering a small distance from the edge of the wafer 100, for example, approximately 1.9 mm. The operation of the second edge band remover 450 operates simultaneously with the operation along the first edge band remover 410. That is, the primary EBR removal action by the first edge band removal part 410 and the secondary cleaning by the second edge band removal part 450 are simultaneously performed.
이때, 제2 에지 밴드 제거부(450)는 세정을 위해서 제1 에지 밴드 제거부(410)에서와 마찬가지로 신너 화학액을 분사한다. 즉, 제2 에지 밴드 제거부(450)는 추가적인 세정을 위해서 도입된다. 이에 따라, 에지 부위(110)에 PR 잔류물이 잔존하는 것이 효과적으로 방지되어, 이 에지 부위(110)가 깨끗해지게 된다. In this case, the second edge band remover 450 sprays thinner chemicals as in the first edge band remover 410 for cleaning. That is, the second edge band remover 450 is introduced for further cleaning. This effectively prevents the PR residue from remaining on the edge portion 110, thereby making the edge portion 110 clean.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.
상술한 본 발명에 따르면, 깨끗한 EBR 결과를 얻을 수 있다. 따라서, PR 잔류물을 보다 완벽하게 제거할 수 있어, 장비의 오염 등이 방지될 수 있다. 따라서, 장비 가동률을 향상시킬 수 있다. 또한, PR 잔류물을 보다 깨끗이 제거할 수 있어, WEE부에서의 가장 자리 노광(round exposure) 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 장비의 오염에 따른 웨이퍼 후면의 오염을 방지할 수 있다. 이에 따라 수율 증가를 구현할 수 있다. According to the present invention described above, clean EBR results can be obtained. Therefore, the PR residue can be removed more completely, and the contamination of equipment and the like can be prevented. Therefore, the equipment operation rate can be improved. In addition, the PR residue can be removed more cleanly, so that a round exposure process in the WEE portion can be omitted. Therefore, productivity can be improved. In addition, contamination of the back surface of the wafer due to contamination of the equipment can be prevented. Accordingly, an increase in yield can be realized.
도 1은 종래의 포토레지스트 도포 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a conventional photoresist application equipment.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 에지 밴드 제거부(edge band remover)를 가지는 포토레지스트 도포 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a photoresist coating apparatus having an edge band remover according to an embodiment of the present invention.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR20170024212A (en) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20170024212A (en) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |