KR20050069312A - Dual plate type organic electroluminescent display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 듀얼 플레이트(dual plate) 구조의 유기전계 발광소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device having a dual plate structure.
본 발명에 따른 듀얼 플레이트 유기전계 발광소자는 두개의 기판에 어레이부와 유기전계 발광 다이오드를 각각 따로 형성하고, 두 기판을 인켑슐레이션(encapsulation)에 의해 서로 합착되어 형성된다. In the dual plate organic light emitting diode according to the present invention, an array unit and an organic light emitting diode are separately formed on two substrates, and the two substrates are bonded to each other by encapsulation.
본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자에서, 하부기판은 동일한 면적을 가지는 다수의 부화소가 위치하고, 상부기판은 적, 녹, 청색의 빛을 발산(發散)하며 서로 상이한 면적을 가지는 부화소를 포함한다. 서로 다른 구동전압으로 각각의 부화소를 구동하더라도, 전류레벨(current level)이 가장높은 부화소의 면적을 늘릴수 있어 이 부화소에 가해지는 전류밀도을 낮출 수 있다. 그러므로, 유기전계 발광 다이오드에 가해지는 전류 스트레스가 줄어들어 유기전계 발광 다이오드의 열화를 막을 수 있고, 유기전계 발광소자의 수명을 연장 시킬 수 있는 장점이 있다. In the dual plate type organic light emitting device according to the present invention, the lower substrate has a plurality of subpixels having the same area, and the upper substrate emits red, green, and blue light, and has a different subpixel area. It includes. Even when each subpixel is driven with a different driving voltage, the area of the subpixel having the highest current level can be increased, thereby reducing the current density applied to the subpixel. Therefore, the current stress applied to the organic light emitting diode is reduced to prevent deterioration of the organic light emitting diode, and there is an advantage of extending the life of the organic light emitting device.
Description
본 발명은 유기전계 발광소자(organic electroluminescent device; OELD)에 관한 것으로 특히, 듀얼 플레이트 (dual plate) 구조의 유기전계 발광소자에서 휘도비 조절이 가능한 구성 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device (OELD), and more particularly, to a configuration capable of controlling a luminance ratio in an organic electroluminescent device having a dual plate structure and a method of manufacturing the same.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.In general, organic light emitting diodes inject electrons and holes into the light emitting layer from the electron injection electrodes and the hole injection electrodes, respectively, to inject the injected electrons. ) Is a device that emits light when the exciton, which is a combination of holes and holes, drops from the excited state to the ground state.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.Due to this principle, unlike a conventional thin film liquid crystal display device, since a separate light source is not required, there is an advantage in that the volume and weight of the device can be reduced.
또한, 유기전계 발광소자는 고품위 패널특성(저전력, 고휘도, 고반응속도, 저중량)을 나타낸다. 이러한 특성때문에 OELD는 이동통신 단말기, CNS(Car Navigation System), PDA (personal digital assistances), Camcorder, Palm PC등 대부분의 휴대용 통신제품에 응용될 수 있는 강력한 차세대 디스플레이로 여겨지고 있다.In addition, the organic EL device exhibits high quality panel characteristics (low power, high brightness, high reaction rate, low weight). OELD is considered to be a powerful next-generation display that can be applied to most portable communication products such as mobile communication terminal, CNS (Car Navigation System), personal digital assistances (PDA), Camcorder and Palm PC.
또한 제조 공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 LCD보다 많이 줄일 수 있는 장점이 있다.In addition, since the manufacturing process is simple, there is an advantage that can reduce the production cost more than conventional LCD.
이러한 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.The method of driving the organic light emitting diode can be classified into a passive matrix type and an active matrix type.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할수록 개구율이 저하되는 단점이 있다. The passive matrix type organic light emitting device has a simple structure and a simple manufacturing method. However, the passive matrix type organic light emitting device has a high power consumption and a large area of the display device.
반면 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점이 있다.On the other hand, an active matrix organic light emitting diode has an advantage of providing high luminous efficiency and high image quality.
도 1은 일반적인 하부발광식 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a configuration of a general bottom emission type organic light emitting device.
도시한 바와 같이, 일반적인 유기전계 발광소자(10)는 투명하고 유연성이 있는 제 1 기판(12)의 상부에 박막트랜지스터(T)를 포함하는 어레이부(14)와, 상기 박막트랜지스터 어레이부(14)의 상부에 화소마다 독립적으로 패턴된 제 1 전극(16)과, 유기 발광층(18)과, 유기 발광층 상부의 기판의 전면에 제 2 전극(20)으로 구성한다.As shown in the drawing, the general organic EL device 10 includes an array unit 14 including a thin film transistor T on the transparent and flexible first substrate 12, and the thin film transistor array unit 14. The first electrode 16, the organic light emitting layer 18, and the second electrode 20 are formed on the entire surface of the substrate above the organic light emitting layer.
이때, 상기 발광층(18)은 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러를 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 상기 각 부화소(sub-pixel)(P)마다 적(R), 녹(G), 청(B)색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다. In this case, the light emitting layer 18 expresses the colors of red (R), green (G), and blue (B), and in general, each of the sub-pixels (P) is red (R). Use a separate organic material that emits green, green (G) and blue (B) patterns.
상기 제 1 기판(12)은 흡습제(22)가 부착된 제 2 기판(28)과 실런트(26)를 통해 합착됨으로서 유기전계 발광소자(10)가 완성된다.The first substrate 12 is bonded to the second substrate 28 having the moisture absorbent 22 and the sealant 26 to complete the organic light emitting diode 10.
이때, 상기 흡습제(22)는 제 1 및 제 2 기판(12, 28)이 이룬 캡슐(capsule)내부에 침투할 수 있는 수분을 제거하기 위한 것이며, 제 2 기판(28)의 일부를 식각하고 식각된 부분에 분말형태의 흡습제(22)를 채우고 테이프(tape)(25)를 부착함으로서 흡습제(22)를 고정한다.In this case, the moisture absorbent 22 is for removing moisture that can penetrate into the capsule formed by the first and second substrates 12 and 28, and etching and etching a portion of the second substrate 28. The moisture absorbent 22 is fixed by filling the absorbent 22 in the form of powder and attaching a tape 25.
전술한 바와 같은 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 구성을 이하, 도 2의 등가회로도를 참조하여 상세히 설명한다.A configuration of one pixel of the organic light emitting diode as described above will be described in detail with reference to the equivalent circuit diagram of FIG. 2.
도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 하나의 부화소(sub-pixel)에 해당하는 등가회로도이다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one sub-pixel of a conventional organic light emitting diode.
도시한 바와 같이, 기판(12)의 일 방향으로 게이트 배선(GL)과 이와는 수직하게 교차하는 데이터 배선(DL)이 구성된다.As illustrated, the data line DL intersects the gate line GL perpendicularly to the gate line GL in one direction of the substrate 12.
상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)의 교차지점에는 스위칭 소자(TS)가 구성되고, 상기 스위칭 소자(TS)와 전기적으로 연결된 구동소자(TD)가 구성된다.The switching element T S is formed at the intersection of the data line DL and the gate line GL, and the driving element T D is electrically connected to the switching element T S.
상기 구동소자(TD)는 유기 발광부(E)와 전기적으로 접촉하도록 구성한다.The driving device T D is configured to be in electrical contact with the organic light emitting unit E.
전술한 구성에서, 상기 스위칭 소자(TS)의 드레인 단자(S6)와 전원배선(PL) 사이에 스토리지 캐패시터(CST)가 구성된다.In the above-described configuration, the storage capacitor C ST is configured between the drain terminal S6 of the switching element T S and the power supply line PL.
상기 발광부(E)는 상기 구동소자(TD)의 드레인 단자(D6)와 접촉하는 제 1 전극과, 유기 발광층과, 유기 발광층의 상부에 구성된 제 2 전극으로 구성된다.The light emitting unit E includes a first electrode in contact with the drain terminal D6 of the driving element T D , an organic light emitting layer, and a second electrode formed on the organic light emitting layer.
전술한 바와 같이 구성된 유기전계 발광소자의 동작특성을 이하, 간략히 설명한다.The operation characteristics of the organic light emitting device configured as described above will be briefly described below.
먼저, 상기 스위칭 소자(TS)의 게이트 단자(S2)에 게이트배선(GL)으로부터 게이트 신호가 인가되면 상기 데이터 배선(DL)을 흐르는 전류 신호는 상기 스위칭 소자(TS)를 통해 전압 신호로 바뀌어 구동 소자(TD)의 게이트 단자(D2)에 인가된다.First, when the gate terminal (S2) of the switching element (T S) is the gate signal from the gate line (GL) a current signal flowing through the data line (DL) is a voltage signal through the switching element (T S) And is applied to the gate terminal D2 of the driving element T D.
이때, 상기 구동 소자(TD)가 동작되어 상기 발광부(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 유기 발광층(E)은 그레이 스케일(grey scale)을 구현할 수 있게 된다.In this case, the driving element T D is operated to determine the level of the current flowing through the light emitting unit E, thereby enabling the organic light emitting layer E to realize a gray scale.
이때, 상기 스토리지 캐패시터(CST)에 저장된 신호는 상기 게이트 단자(D2)의 신호를 유지하는 역할을 하기 때문에, 상기 스위칭 소자(TS)가 오프 상태가 되더라도 다음신호가 인가될 때까지 상기 발광부(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.In this case, since the signal stored in the storage capacitor C ST serves to maintain the signal of the gate terminal D2, the light emission is performed until the next signal is applied even when the switching element T S is turned off. The level of the current flowing through the section E can be kept constant.
상기 구동소자(TD)와 스위칭 소자(TS)는 비정질 박막트랜지스터 또는 다결정 박막트랜지스터로 구성할 수 있다.The driving device T D and the switching device T S may be formed of an amorphous thin film transistor or a polycrystalline thin film transistor.
전술한 바와 같은 종래의 유기전계 발광소자에서, 하나의 부화소(P)는 적(R), 녹(G), 청(B)색 중 하나를 표현하게 되는데, 이들 색의 밝기 즉 휘도는 구동 박막트랜지스터(TD)로부터 유기전계 발광층(18)에 가해지는 전류의 세기로 조절할 수 있다. 즉, 적(R), 녹(G), 청(B) 각각의 부화소에 데이터 전압을 독립적으로 공급함으로써, 각각의 전류차이에 의해 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러의 요구 휘도를 만족하게 함으로써 색을 구현할 수 있다. In the conventional organic light emitting diode as described above, one subpixel P expresses one of red (R), green (G), and blue (B) colors, and the brightness or luminance of these colors is driven. The intensity of the current applied to the organic light emitting layer 18 from the thin film transistor TD may be adjusted. That is, red (R), green (G), and blue (B) colors are supplied by the current difference by supplying data voltages to each of the subpixels of red (R), green (G), and blue (B) independently. Colors can be realized by satisfying the required luminance of.
그러나, 이러한 종래 방식은 전류 레벨(current level)이 가장 높은 부화소의 전류밀도가 상대적으로 높아지는 현상을 초해하였으며, 이로 인해 유기전계 발광층의 열화가 빨리 진행되고 수명이 단축되는 단점이 발생하였다. 또한, 이러한 열화를 방지하기 위해서, 상기 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소들을 독립적으로 구동하지 않고 같은 전류레벨로 구동하는 방법도 개발되었으나, 이는 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러의 충분한 휘도를 발휘할 수 없을 뿐만 아니라, 유기전계 발광층의 전공 전달층, 정공 주입층, 전자 전달층, 전자 주입층 같은 부가 레이어(layer)들을 독립적으로 형성해야 하므로 공정이 복잡해지는 결과를 초래하였다. However, such a conventional method has overcome the phenomenon that the current density of the subpixel having the highest current level is relatively high, which causes the organic EL layer to deteriorate quickly and shorten its lifespan. In addition, in order to prevent such deterioration, a method of driving the red (R), green (G), and blue (B) subpixels at the same current level without driving them independently has been developed. Not only do not exhibit sufficient luminance of the (G) and blue (B) color, but also additional layers such as a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer of the organic electroluminescent layer must be formed independently. The result was a complex process.
한편, 보다 밝은 휘도를 나타내기 위해 전술한 유기전계 발광소자에 높은 구동전압을 가해주는 일도 있는데, 이 같은 높은 구동전압의 인가는 유기전계 발광소자의 수명을 더욱 단축시켰고, 유기전계 발광층에 심각한 데미지(damage)를 야기 시키기도 하였다. On the other hand, a high driving voltage is sometimes applied to the above-mentioned organic light emitting diodes in order to display brighter brightness. The application of such high driving voltages further shortens the lifespan of the organic light emitting diodes and causes serious damage to the organic light emitting layers. It also caused damage.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 본 발명에서는 고휘도 및 고개구율 구조 유기전계발광 소자를 제공하고자 한다. The present invention has been proposed for the purpose of solving the above-described problem, and the present invention is to provide a high luminance and high aperture structure organic electroluminescent device.
이를 위해 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 하부 발광식이 아닌 상부 발광식으로 구성하고, 소자를 구동하는 어레이부와 색을 표현하는 유기발광부(유기전계 발광 다이오드)가 서로 다른 기판에 구성하는 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자를 제공한다. 또한, 어레이 소자의 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드 소자의 제 2 전극을 별도의 전기적 연결전극을 통해 연결하는 구조를 제공하고자 한다. To this end, the organic light emitting diode according to the present invention is configured as a top emitting type rather than a bottom emitting type, and an array unit for driving the element and an organic light emitting unit (organic field emitting diode) expressing color are formed on different substrates. Provided is a plate type organic light emitting device. In addition, it is to provide a structure for connecting the driving thin film transistor of the array element and the second electrode of the organic light emitting diode device via a separate electrical connection electrode.
또한, 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 구조의 유기전계 발과소자에서는 하부기판의 어레이부의 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소는 동일 면적을 가지며, 상부기판에 구성되는 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소는 서로 다른 면적을 가지도록 구성하여 부화소들을 각각다른 독립 구동전압으로 구동하여도 상대적으로 전류밀도를 낮출 수 있게 하였다. 구동되는 전류레벨이 부화소에서 각각 다르더라도, 상대적 전류밀도는 낮아지게 낮아지게 함으로써, 전류밀도가 높아지는 부화소가 없게 되고 유기전계 발광층의 열화 및 수명단축을 막을 수 있는 효과가 있다. In addition, in the organic plate emitting element of the dual plate structure according to the present invention, red (R), green (G), and blue (B) subpixels of the array portion of the lower substrate have the same area, and the red ( R), green (G), and blue (B) sub-pixels are configured to have different areas so that the current density can be relatively lowered even when the sub-pixels are driven with different independent driving voltages. Even if the current level to be driven is different in each of the subpixels, the relative current density is lowered to a lower level, thereby eliminating the subpixels in which the current density is increased and preventing the degradation and lifespan of the organic EL layer.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자는 다수의 제 1 부화소영역 및 제 2 부화소영역이 각각 정의되고, 서로 이격되어 배치된 제 1 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 상부에 제 1 방향으로 서로 이격되어 형성된 게이트 배선 및 전원배선과; 상기 제 1 기판의 상부에 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 형성되며, 상기 게이트 및 전원배선과 함께 제 1 부화소영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 제 1 기판 상부의 제 1 부화소영역 일측에 형성된 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 제 1 기판 상부의 제 1 부화소영역 일측에 형성된 구동 박막트랜지스터와; 상기 제 2 기판 하부에서 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역을 정의하며 형성된 블랙매트릭스와; 제 2 기판의 하부에서 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역에 형성되어 서로 다른 면적을 가지는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터와; 상기 블랙매트릭스와 서로 다른 면적의 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터가 형성된 제 2 기판의 하부에 형성되어 적(R), 녹(G), 청(B)색 컬러필터의 서로 다른 면적에 대응되도록 형성된 유기전계 발광 다이오드와; 상기 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 연결패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the dual plate type organic light emitting diode according to the present invention for achieving the above object, a plurality of first subpixel regions and a second subpixel region are defined, and the first and second substrates are spaced apart from each other. and; A gate wiring and a power wiring formed on the first substrate and spaced apart from each other in a first direction; A data line formed on the first substrate in a second direction perpendicular to the first direction and defining a first subpixel area together with the gate and power lines; A switching thin film transistor formed on one side of the first subpixel area on the first substrate; A driving thin film transistor formed on one side of the first subpixel area on the first substrate; A black matrix formed under the second substrate to define second subpixel regions having different areas; A red (R), green (G), and blue (B) color filter formed in a second subpixel area having different areas under the second substrate and having different areas; Red (R), green (G), and blue (B) are formed on the bottom of the second substrate on which the color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors having different areas are formed. An organic light emitting diode formed to correspond to different areas of the color color filter; It characterized in that it comprises a connection pattern for electrically connecting the driving thin film transistor and the organic light emitting diode.
상기 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자에서, 상기 유기전계 발광 다이오드는 화이트(white) 빛을 발광한다. 상기 적(R)색의 컬러필터는 상기 녹(G)색의 컬러필터 보다 넓고, 상기 녹(G)색의 컬러필터는 청(B)색의 컬러필터보다 넓다. 상기 적(R)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드는 상기 녹(G)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드보다 크고, 상기 (G)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드는 상기 청(B)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드 보다 크다. In the dual plate type organic light emitting diode, the organic light emitting diode emits white light. The red (R) color filter is wider than the green (G) color filter, and the green (G) color filter is wider than the blue (B) color filter. The organic light emitting diode corresponding to the red (R) color is larger than the organic light emitting diode corresponding to the green (G) color, and the organic light emitting diode corresponding to the (G) color is the blue (B) color. Larger than the corresponding organic light emitting diode.
상기 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자는 유기전계 발광 다이오드 와 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 사이에 평탄화막을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 유기전계 발광 다이오드는 유기전계 발광층을 포함하며, 유기전계 발광층과 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 사이에는 제 1 전극을 포함하며, 상기 유기전계 발광층과 상기 연결전극사이에는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 제 2 전극은 연결패턴과 접촉하며 상기 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역의 면적에 대응하도록 형성된다. 상기 유기전계 발광층은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 캐리어 전달층과 발광층과 제 2 캐리어 전달층이 차례로 적층된 구조이다. 상기 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자에서, 상기 제 1 부화소는 동일한 면적을 가지도록 구성한다. The dual plate type organic light emitting diode may further include a planarization layer between the organic light emitting diode and the color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors. The organic light emitting diode may include an organic light emitting layer, and may include a first electrode between the organic light emitting layer and color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors. A second electrode may be included between the connection electrodes. The second electrode contacts the connection pattern and is formed to correspond to the area of the second subpixel area having different areas. The organic light emitting layer has a structure in which a first carrier transfer layer, an emission layer, and a second carrier transfer layer are sequentially stacked between the first electrode and the second electrode. In the dual plate type organic light emitting device, the first subpixel is configured to have the same area.
본 발명의 또다른 특징에 의한 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 제조방법은 상기 제 1 기판상에 정의된 제 1 부화소영역 마다 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하는 어레이부를 형성하는 단계와; 제 2 기판상에 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역을 정의하는 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판 상부의 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역에 서로 다른 면적을 가지는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스와 서로 다른 면적의 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터가 형성된 제 2 기판의 상부에 적(R), 녹(G), 청(B)색 컬러필터의 서로 다른 면적에 대응되도록 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드를 연결패턴을 이용하여 전기적으로 연결하는 단계와; 상기 어레이부가 형성된 제 1 기판과 상기 유기전계 발광 다이오드가 형성된 제 2 기판을 실런트(sealant)를 사용하여 인켑슐레이션(encapsulation)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a dual plate type organic light emitting device, including: forming an array unit including a switching thin film transistor and a driving thin film transistor for each first subpixel region defined on the first substrate; Forming a black matrix defining a second subpixel area having a different area on the second substrate; Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters having different areas in second subpixel areas having different areas on the second substrate; Red (R), green (G), and blue (B) colors on top of the second substrate on which the color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors of different areas are formed Forming an organic light emitting diode to correspond to different areas of the filter; Electrically connecting the driving thin film transistor to the organic light emitting diode using a connection pattern; And encapsulating the first substrate on which the array portion is formed and the second substrate on which the organic light emitting diode is formed using a sealant.
상기 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 제조방법에서, 상기 어레이부를 형성하는 단계는 상기 제 1 기판 상부에 제 1 방향으로 서로 이격되게 게이트 배선 및 전원배선을 형성하는 단계와, 상기 제 1 기판의 상부에 상기 게이트 및 전원배선과 함께 제 1 부화소영역을 정의하는 데이터 배선을 제 1 방향과 수직한 제 2 방향으로 형성하는 단계를 포함한다. 유기전계 발광 다이오드는 화이트(white) 빛을 발광한다. 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터를 형성하는 단계는 상기 적(R)색의 컬러필터는 상기 녹(G)색의 컬러필터 보다 넓게 형성하고, 상기 녹(G)색의 컬러필터는 청(B)색의 컬러필터보다 넓게 형성한다. 또한, 상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계는 상기 적(R)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드는 상기 녹(G)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드보다 크게 형성하고, 상기 (G)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드는 상기 청(B)색에 대응하는 유기전계 발광 다이오드 보다 크게 형성한다. 상기 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 제조방법은 상기 유기전계 발광 다이오드 와 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 사이에 평탄화막을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 단계는 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터 상부에 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 상부에 유기전계 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기전계 발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 제 2 전극은 연결패턴과 접촉하며 상기 서로 다른 면적의 제 2 부화소영역의 면적에 대응하도록 형성한다. 상기 유기전계 발광층은 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 캐리어 전달층과 발광층과 제 2 캐리어 전달층이 차례로 적층 되도록 형성한다. In the method of manufacturing the dual plate type organic light emitting device, the forming of the array unit may include forming a gate line and a power line on the first substrate to be spaced apart from each other in a first direction, and on the first substrate. And forming a data line defining a first subpixel area together with the gate and the power line in a second direction perpendicular to the first direction. The organic light emitting diode emits white light. The forming of the red (R), green (G), and blue (B) color filters may include forming the red (R) color filter more broadly than the green (G) color filter. The color filter of G) color is formed wider than the color filter of blue (B) color. In the forming of the organic light emitting diode, the organic light emitting diode corresponding to the red (R) color may be formed larger than the organic light emitting diode corresponding to the green (G) color, The corresponding organic light emitting diode is formed larger than the organic light emitting diode corresponding to the blue (B) color. The method of manufacturing the dual plate type organic light emitting diode further includes forming a planarization film between the organic light emitting diode and the color filters of red (R), green (G), and blue (B) colors. do. The forming of the organic light emitting diode may include forming a first electrode on the red (R), green (G), and blue (B) color filters, and forming an organic light emitting layer on the first electrode. And forming a second electrode on the organic light emitting layer. The second electrode contacts the connection pattern and is formed to correspond to areas of the second subpixel areas having different areas. The organic electroluminescent layer is formed such that the first carrier transfer layer, the light emitting layer, and the second carrier transfer layer are sequentially stacked between the first electrode and the second electrode.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명은 상부 발광형 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 박막트랜지스터를 포함하는 어레이부와 색을 표현하는 유기전계 발광부가 별도의 기판에 각각 형성되는 듀얼 플레이트 (dual plate) 구조의 유기전계 발광소자에 관한 것이다. 또한, 본발명에 따른 유기전계 발광소자는 발광층에서 발광된 빛이 상부로 발광되기 때문에, 상기 박막트랜지스터 어레이부를 설계할 때, 특히 구동소자를 설계할 때 개구율을 고려하지 않아도 된다.The present invention relates to an organic light emitting device having an upper emission type, and an organic light emitting device having a dual plate structure in which an array portion including a thin film transistor and an organic light emitting portion representing color are formed on separate substrates, respectively. It is about. In addition, in the organic light emitting device according to the present invention, since the light emitted from the light emitting layer is emitted upward, the aperture ratio does not have to be taken into consideration when designing the thin film transistor array unit, especially when designing the driving device.
도 3는 본 발명에 따른 듀얼 플레이트(dual plate) 구조 상부 발광형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 대한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a top emission type organic light emitting device according to the present invention.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(99)는 투명한 제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)을 실런트(sealant)(300)를 통해 합착하여 구성한다.As illustrated, the organic light emitting diode 99 according to the present invention is formed by bonding the transparent first substrate 100 and the second substrate 200 through a sealant 300.
상기 제 1 기판(100)의 상부에는 다수의 제 1 부화소영역(PS)이 정의되고, 각 제 1 부화소영역(PS)마다 박막트랜지스터(스위칭 소자와 구동소자)(T)를 포함하는 어레이부(150)가 구성된다. 이상과 같은 구조에서 다수의 제 1 부화소(PS)들은 적(R), 녹(G), 청(B)색의 발산(發散)는 영역이며, 적(R), 녹(G), 청(B) 3개의 제 1 부화소(PS)가 모여 하나의 화소(P)를 이룬다. 또한, 제 1 기판(100)에 형성된 제 1 부화소(PS)의 면적은 동일하다..A plurality of first subpixel regions P S is defined on the first substrate 100, and each of the first subpixel regions P S includes a thin film transistor (switching element and driving element) T. The array unit 150 is configured. In the above structure, the plurality of first subpixels P S is a red (R), green (G), and blue (B) divergent region, and red (R), green (G), Blue (B) Three first subpixels P S are gathered to form one pixel P. In addition, the area of the first subpixel P S formed in the first substrate 100 is the same.
상기 제 1 기판(100)과 마주보는 제 2 기판(200)의 하부면에는 블랙매트릭스(202)가 형성되며, 이 블랙매트릭스(202)는 제 2 기판(200)에 형성되는 적(R), 녹(G), 청(B) 제 2 부화소 영역을 정의 한다. The black matrix 202 is formed on the lower surface of the second substrate 200 facing the first substrate 100, and the black matrix 202 is formed on the second substrate 200. Define the green (G) and blue (B) second sub-pixel areas.
상기 블랙매트릭스(202)에 의해 노출된 제 2 기판(200)의 하부면에는 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)가 형성 되어 있다. 본 발명에서는, 상기 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)의 면적이 서로 상이하게 형성되는 데, 예를 들어 적(R)색 컬러필터(204a)의 면적은 녹(G)색 컬러필터(204b)의 면적보다 크며 녹(G)색 컬러필터(204b)의 면적 청(B)색 컬러필터의 면적보다 크다 (R>G>B). 그러나, 이들 적(R), 녹(G) 및 청(B)색의 컬러필터의 면적은 화소영역(P)의 면적을 넘지 못한다 ((R+G+B)≤P).Red (R), green (G), and blue (B) color filters 204a, 204b, and 204c are formed on the lower surface of the second substrate 200 exposed by the black matrix 202. In the present invention, the areas of the red (R), green (G), and blue (B) color filter (204a, 204b, 204c) are formed different from each other, for example, the red (R) color filter The area of 204a is larger than that of the green (G) color filter 204b and is larger than the area of the blue (B) color color filter of the green (G) color filter 204b (R> G> B). . However, the area of these red (R), green (G), and blue (B) color filters does not exceed the area of the pixel region P ((R + G + B)? P).
상기 블랙매트릭스(202) 및 컬러필터(204a, 204b, 204c)가 형성된 제 2 기판의 하부면에는 평탄화막(206)이 형성되어 있어, 컬러필터(204a, 204b, 204c)를 보호하는 역할을 할 뿐만 아니라 하부에 구성되는 전극 및 유기전계 발광층이 균일하게 형성되도록 도와준다. The planarization layer 206 is formed on the lower surface of the second substrate on which the black matrix 202 and the color filters 204a, 204b, and 204c are formed, thereby protecting the color filters 204a, 204b, and 204c. In addition, it helps to uniformly form the electrode and the organic electroluminescent layer constituted below.
평타화막(206)의 하부에는 유기전계 발광 다이오드의 제 1 전극(208)이 형성되어 있고, 제 1 전극(208) 하부에는 유기전계 발광층(210)이 형성되어 있다. 유기전계발광층(210) 하부에는 제 2 부화소 단위로 유기전계 발광 다이오드의 제 2 전극(212)이 형성되어 있다. 이때, 각각의 제 2 기판(200) 각각의 제 2 부화소 영역에 대응하는 제 2 전극(212a, 212b, 212c)은 서로 상이한 면적을 가지며, 바람직 하게는 상부에 형성된 컬러필터(204a, 204b, 204c)와 대응되는 면적을 가지게 된다. 예를 들어, 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)가 R>G>B와 같은 순서의 면적을 가진다면, 상기 적(R) 컬러필터(204a)에 대응하는 제 2 전극(212a)은 녹(G) 컬러필터(204b)에 대응하는 제 2 전극(212b)보다 크며, 녹(G) 컬러필터(204b)에 대응하는 제 2 전극(202b)은 청(B) 컬러필터(204c)에 대응하는 제 2 전극(212c) 보다 크게 구성한다.The first electrode 208 of the organic light emitting diode is formed under the planarization film 206, and the organic light emitting layer 210 is formed under the first electrode 208. A second electrode 212 of the organic light emitting diode is formed under the organic light emitting layer 210 in units of a second subpixel. At this time, the second electrodes 212a, 212b, and 212c corresponding to the second subpixel regions of each of the second substrates 200 have different areas, and preferably, the color filters 204a, 204b, It has an area corresponding to 204c). For example, if the red (R), green (G), and blue (B) color filters 204a, 204b, and 204c have an area in the order of R> G> B, the red (R) color The second electrode 212a corresponding to the filter 204a is larger than the second electrode 212b corresponding to the green (G) color filter 204b and the second electrode corresponding to the green (G) color filter 204b. 202b is larger than the second electrode 212c corresponding to the blue (B) color filter 204c.
상기 유기전계 발광층(210)은 화이트(white) 빛을 발산하는 발광층(210a)을 포함하고 있고, 제 1 전극(208)과 발광층(210a) 사이 구간에는 제 1 캐리어 전달층(210b)을 포함하고 있으며, 발광층(210a)과 제 2 전극(212) 사이구간에는 제 2 캐리어 전달층(210c)을 포함하고 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전극(208)이 양극, 제 2 전극(212)이 음극에 해당될 경우, 제 1 캐리어 전달층(210b)은 차례대로 정공주입층, 정공수송층에 해당되고, 제 2 캐리어 전달층(210c)은 차례대로 전자수송층, 전자주입층에 해당된다. The organic light emitting layer 210 includes a light emitting layer 210a that emits white light, and includes a first carrier transfer layer 210b in a section between the first electrode 208 and the light emitting layer 210a. The interval between the emission layer 210a and the second electrode 212 includes a second carrier transfer layer 210c. For example, when the first electrode 208 corresponds to an anode and the second electrode 212 corresponds to a cathode, the first carrier transport layer 210b corresponds to the hole injection layer and the hole transport layer in order, and the second The carrier transport layer 210c in turn corresponds to the electron transport layer and the electron injection layer.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 전극(208, 212)과 이들 사이에 개재된 유기전계발광층(210)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. The first and second electrodes 208 and 212 and the organic light emitting layer 210 interposed therebetween form an organic light emitting diode (E).
상기 상기 유기전계 발광 다이오드의 제 2 전극(212)과 제 1 기판(100)에 구성된 박막트랜지스터(구동 소자)의 드레인 전극(미도시)은 별도의 연결전극(400)을 통해 접촉하게 된다. 이때, 상기 연결전극(400)은 상기 제 2 전극(212)상에 형성할 수 도 있고, 상기 구동 소자의 드레인 전극(미도시)에서 연장되거나 연결된 별도의 패턴으로 형성할 수 도 있다.The second electrode 212 of the organic light emitting diode and the drain electrode (not shown) of the thin film transistor (driving device) formed on the first substrate 100 are contacted through a separate connection electrode 400. In this case, the connection electrode 400 may be formed on the second electrode 212, or may be formed in a separate pattern extending from or connected to the drain electrode (not shown) of the driving device.
상기 연결전극(400)을 구성하고, 제 1 및 제 2 기판(100, 200)을 실런트(300)를 이용하여 합착 하여 인켑슐레이션(encapsulation) 하게 되면, 구동소자의 드레인 전극(미도시)과 제 2 전극(210)은 상기 연결전극(400)을 통해 간접적으로 연결되는 구조를 취하게 된다. When the connection electrode 400 is configured, and the first and second substrates 100 and 200 are bonded to each other using the sealant 300 and encapsulated, a drain electrode (not shown) of the driving device may be formed. The second electrode 210 is indirectly connected through the connection electrode 400.
전술한 바와 같은 구성은 상기 유기 발광부를 별도의 기판에 형성하기 때문에 상부 발광형으로 구동할 수 있고, 이로 인해 하부의 박막트랜지스터 어레이부를 설계 할 때 개구율을 고려하지 않아도 되는 설계상 자유로움을 얻을 수 있다. 또한, 제 1 기판에 형성되는 적(R), 녹(G), 청(B) 제 1 부화소(PS)들은 서로 동일한 면적을 가지게 구성되어도, 제 2 기판에 형성되는 적(R), 녹(G), 청(B) 제 2 부화소들은 서로 다른 면적을 가지도록 구성하였다. 그러므로, 제 2 기판에 형성된 적(R), 녹(G), 청(B) 제 2 부화소들에 독립구동 방식으로 서로 다른 전류레벨(current level)을 인가하더라도, 제 2 기판의 큰 전류가 인가되는 제 2 부화소의 면적이 늘어난 만큼 전류밀도는 낮아지게 되므로, 전류 스트레스에 의한 유기전계 발광층의 열화를 막을 수 있다.As described above, since the organic light emitting part is formed on a separate substrate, the organic light emitting part can be driven in an upper emission type, and thus design freedom in designing the lower thin film transistor array part without having to consider the aperture ratio can be obtained. have. In addition, red (R), green (G), blue (B) formed on the first substrate (R), red (R) formed on the second substrate, even if the first sub-pixel (P S ) is configured to have the same area, The green (G) and blue (B) second subpixels were configured to have different areas. Therefore, even if different current levels are applied to the red (R), green (G), and blue (B) second sub-pixels formed on the second substrate in an independent driving manner, a large current of the second substrate is applied. Since the current density decreases as the area of the second subpixel increases, the deterioration of the organic EL layer due to the current stress can be prevented.
도 4는 적(R), 녹(G), 청(B) 3개의 부화소를 포함하는 하나의 화소에 대해 본 발명의 구성에 따라 도시한 사시도이다. 4 is a perspective view of one pixel including three subpixels of red (R), green (G), and blue (B) according to the configuration of the present invention.
도 4에 도시한 바와 같이, 하부기판에는 제 1 방향으로 게이트 배선(102)이 및 전원배선(104)이 서로 이격되어 형성되어 있고, 게이트 배선(102) 및 전원배선(104)과 수직하게 교차하게 데이터 배선(106)이 제 2 방향으로 형성되어 있다. 이격된 상기 게이트 배선(102) 및 전원배선(104)과 이들 배선에 수직하게 교차하는 데이터 배선(106)은 제 1 기판(100)에 제 1 부화소영역(PS)을 정의한다.As shown in FIG. 4, the gate wiring 102 and the power wiring 104 are formed on the lower substrate so as to be spaced apart from each other in the first direction, and perpendicularly intersect the gate wiring 102 and the power wiring 104. The data wiring 106 is formed in the second direction. The gate wiring 102 and the power wiring 104 spaced apart from each other and the data wiring 106 perpendicular to the wirings define a first subpixel region P S in the first substrate 100.
상기 부화소영역(PS)에는 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 구동 박막트랜지스터(TD)가 위치한다. 상기 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 게이트 배선(102) 및 데이터 배선(106)과 연결되어 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(TD)는 스위칭 박막트랜지스터(TS)와 전원배선(104)와 제 1 및 제 2 기판을 전기적으로 연결하는 연결전극(400)과 연결되어 있다.The switching thin film transistor T S and the driving thin film transistor T D are positioned in the subpixel area P S. The switching thin film transistor T S is connected to the gate line 102 and the data line 106, and the driving thin film transistor T D is the switching thin film transistor T S , the power line 104, and the first line. And a connection electrode 400 electrically connecting the second substrate.
즉, 상기 스위칭 박막트랜지스터(TS)는 게이트배선(102)과 연결된 스위칭 게이트전극(110)과, 데이터배선과 연결된 스위칭 소스전극(112)과, 상기 구동 박막트랜지스터(TD)와 연결된 스위칭 드레인전극(114)를 포함한다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(TD)는 스이칭 드레인전극(114) 연결된 구동 게이트전극(120)과, 전원배선(104)과 연결된 구동 소스전극(122)과, 연결전극(400)과 연결된 구동 드레인전극(124)를 포함한다. 또한, 상기 스위칭 드레인전극(114)과 전원배선(104) 사이에는 스토리지 커패시터(storage capacitor; CST)를 구성한다.That is, the switching thin film transistor T S includes a switching gate electrode 110 connected to a gate wiring 102, a switching source electrode 112 connected to a data wiring, and a switching drain connected to the driving thin film transistor T D. Electrode 114 is included. In addition, the driving thin film transistor T D may include a driving gate electrode 120 connected to a switching drain electrode 114, a driving source electrode 122 connected to the power supply wiring 104, and a driving connected to the connection electrode 400. A drain electrode 124 is included. In addition, a storage capacitor C ST is formed between the switching drain electrode 114 and the power supply wiring 104.
제 2 기판(200)에는 서로 다른 면적의 부화소를 이루는 유기전계 발광 다이오드(E)가 구성되어 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 유기전계 발광 다이오드(E)는 공통전압을 가해주는 제 1 전극과, 화이트(white) 빛을 발광하는 유기전계 발광층과, 적(R)-녹(G)-청(B) 부화소 별로 서로 다른 면적을 가지는 제 2 전극으로 구성되어 있다. 또한, 상기 제 2 기판(200)에는 서로 다른 면적의 부화소별로 형성된 유기전계 발광 다이오드(E)에 대응하도록 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터(204)가 형성되어 있다. 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터는 부화소별로 서로 다른 면적을 가지며, 바람직하게는 R>G>B와 같은 순서를 가진다.The second substrate 200 includes organic light emitting diodes E that form subpixels having different areas. As described above, the organic light emitting diode E has a first electrode applying a common voltage, an organic light emitting layer emitting white light, and red (R)-green (G)-blue (B). Each subpixel has a second electrode having a different area. In addition, red (R), green (G), and blue (B) color filters 204 are formed on the second substrate 200 to correspond to the organic light emitting diodes E formed for each subpixel having different areas. have. The red (R), green (G), and blue (B) color filters have different areas for each subpixel, and preferably have a sequence such as R> G> B.
제 1 기판(100)과 제 2 기판(200)은 연결전극에 의해 연결되는데, 제 1 기판의 구동 박막트랜지스터(TD)는 제 2 기판에 부화소별로 다른 면적을 가지도록 형성된 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결된다. 자세히 설명하며, 구동 박막트랜지스터(TD)의 구동 드레인전극(124)은 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결되는데, 특히 유기전계 발광 다이오드(E)의 부화소 별로 다른 면적을 가지게 설계된 제 2 전극과 연결된다.The first substrate 100 and the second substrate 200 are connected by a connecting electrode, and the driving thin film transistor T D of the first substrate is formed to have a different area for each subpixel on the second substrate. Connected with (E). In detail, the driving drain electrode 124 of the driving thin film transistor T D is connected to the organic light emitting diode E. In particular, a second electrode designed to have a different area for each subpixel of the organic light emitting diode E. Connected with
이상과 같은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에서, 상부기판(제 2 기판)을 형성하는 방법에 대해 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명한다. In the organic light emitting device according to the present invention as described above, a method of forming an upper substrate (second substrate) will be described with reference to FIGS. 5A to 5D.
도 5a 내지 도 5d는 본발명에 따른 유기전계 발광소자의 컬러필터 및 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 공정에 대해 단계별로 도시한 공정단면도 이다. 5A through 5D are cross-sectional views illustrating steps of forming a color filter and an organic light emitting diode of an organic light emitting diode according to the present invention.
도 5a에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(200)상에 서로 다른 면적의 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb)를 정의하는 블랙매트릭스(202)를 형성한다. 블랙매트릭스(202)는 블랙레진(black resin) 또는 불투명 금속을 상기 제 2 기판(200)에 형성하고, 크기가 서로 다른 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb) 영역별로 패턴하여 형성한다.As shown in FIG. 5A, a black matrix 202 defining second subpixels P Sr , P Sg , and P Sb having different areas is formed on the second substrate 200. The black matrix 202 is formed by forming a black resin or an opaque metal on the second substrate 200 and patterning the second subpixels P Sr , P Sg , and P Sb having different sizes. do.
이어서, 상기 제 2 기판(200)의 상부 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb)영역에 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)를 형성한다. 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)는 컬러레진(color resin)을 도포하여 형성하며, 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb)영역 별로 서로 상이한 면적을 가지도록 형성한다. 예를 들어 적(R)색 컬러필터(204a)의 면적은 녹(G)색 컬러필터(204b)의 면적보다 크게 형성하고, 녹(G)색 컬러필터(204b)의 면적 청(B)색 컬러필터의 면적보다 크게 형성 한다 (R>G>B). 그러나, 이들 적(R), 녹(G) 및 청(B)색의 컬러필터의 면적은 화소영역(P)의 면적을 넘지 못하도록 형성 한다 ((R+G+B)??P).Subsequently, red (R), green (G), and blue (B) color filters 204a, 204b, in the upper second subpixel regions P Sr , P Sg , and P Sb of the second substrate 200. 204c). The red (R), green (G), and blue (B) color filters 204a, 204b, and 204c are formed by applying a color resin, and the second subpixels P Sr , P Sg , and P Sb ) are formed to have different areas for each region. For example, the area of the red (R) color filter 204a is larger than the area of the green (G) color filter 204b, and the area of the green (G) color filter 204b is blue (B). Form larger than the area of color filter (R>G> B). However, the areas of these red (R), green (G), and blue (B) color filters are formed so as not to exceed the area of the pixel region (P) ((R + G + B) ?? P).
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 블랙매트릭스(202) 및 컬러필터(204a, 204b, 204c)가 형성된 제 2 기판의 상부에 평탄화막(206)을 형성한다. 상기 평탄화막(206)은 벤조싸이클로부텐(BCB) 또는 아크릴계수지를 포함하는 유기절연물질 중에 성택 된 하나로 구성한다. 상기 평탄화막(206)은 컬러필터(204a, 204b, 204c)를 보호하는 역할을 할 뿐만 아니라 이후 공정에서 형성되는 제 1 전극 및 유기전계 발광층이 균일하게 형성되도록 도와준다. Next, as shown in FIG. 5B, the planarization film 206 is formed on the second substrate on which the black matrix 202 and the color filters 204a, 204b, and 204c are formed. The planarization layer 206 is composed of one selected from an organic insulating material including benzocyclobutene (BCB) or acrylic resin. The planarization layer 206 not only protects the color filters 204a, 204b, and 204c, but also helps to uniformly form the first electrode and the organic light emitting layer formed in a subsequent process.
이어, 평타화막(206)의 상부에는 유기전계 발광 다이오드의 제 1 전극(208)이 형성된다. 제 1 전극(208)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide; IZO)와 같은 투명도전성 물질로 구성한다. 제 1 전극(208)이 투명한 물질로 구성되므로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 상부 발광방식을 취할 수 있게 된다. Subsequently, the first electrode 208 of the organic light emitting diode is formed on the planarization layer 206. The first electrode 208 is made of a transparent conductive material such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). Since the first electrode 208 is made of a transparent material, the organic light emitting diode according to the present invention can take the upper light emitting method.
다음으로 도 5c에 도시한 바와 같이, 제 1 전극(208)의 상부에는 유기전계 발광층(210)을 형성한다. 즉, 제 1 전극의 상부에는 제 1 캐리어 전달층(210b)을 형성하고, 상기 제 1 캐리어 전달층(210b)의 상부에는 발광층(210a)을 형성하며, 상기 발광층(210a)의 상부에는 제 2 캐리어 전달층(210a)을 차례로 형성한다. 상기 발광층(210a)은 인가되는 전류에 의해 화이트(white) 빛을 발산(發散)한다. 상기 제 1 전극(208)이 양극이고, 이 후 형성되는 제 2 전극(도 6d의 212)이 음극에 해당될 경우, 제 1 캐리어 전달층(210b)은 차례대로 정공주입층(hole injecting layer; HIL) 및 정공수송층(hole transmitting layr; HTL)을 포함하도록 형성되며, 제 2 캐리어 전달층(210c)은 차례대로 전자수송층(electron transmitting layer; ETL) 및 전자주입층(electron injecting layer; EIL)을 포함하도록 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 5C, an organic light emitting layer 210 is formed on the first electrode 208. That is, a first carrier transfer layer 210b is formed on the first electrode, a light emitting layer 210a is formed on the first carrier transfer layer 210b, and a second is formed on the light emitting layer 210a. The carrier transport layer 210a is formed in turn. The light emitting layer 210a emits white light by an applied current. When the first electrode 208 is an anode and a second electrode formed thereon (212 of FIG. 6D) corresponds to a cathode, the first carrier transport layer 210b may be sequentially formed of a hole injecting layer; HIL) and a hole transporting layer (HTL), and the second carrier transporting layer 210c in turn forms an electron transporting layer (ETL) and an electron injecting layer (EIL). It is formed to include.
다음으로, 도 5d에 도시한 바와 같이, 유기전계발광층(210) 상부에는 반사율이 높은 불투명 도전성 물질을 이용하여, 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb) 단위로 각각 패턴된 제 2 전극(212a, 212b, 212c)을 형성한다. 이때, 제 2 기판(200) 각각의 제 2 부화소(PSr, PSg, PSb)영역에 대응하는 제 2 전극(212a, 212b, 212c)은 서로 상이한 면적을 가지며, 바람직하게는 하부에 형성된 컬러필터(204a, 204b, 204c)와 대응되는 면적을 가지도록 형성한다. 예를 들어, 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(204a, 204b, 204c)가 R>G>B와 같은 순서의 면적을 가진다면, 상기 적(R) 컬러필터(204a)에 대응하는 제 2 전극(212a)은 녹(G) 컬러필터(204b)에 대응하는 제 2 전극(212b)보다 크며, 녹(G) 컬러필터(204b)에 대응하는 제 2 전극(202b)은 청(B) 컬러필터(204c)에 대응하는 제 2 전극(212c) 보다 크게 형성한다.Next, as shown in FIG. 5D, a second patterned in units of second subpixels P Sr , P Sg , and P Sb using an opaque conductive material having high reflectance on the organic light emitting layer 210. Electrodes 212a, 212b, and 212c are formed. In this case, the second electrodes 212a, 212b, and 212c corresponding to the second subpixels P Sr , P Sg , and P Sb of each of the second substrates 200 have different areas, and preferably, beneath It is formed to have an area corresponding to the formed color filters 204a, 204b, and 204c. For example, if the red (R), green (G), and blue (B) color filters 204a, 204b, and 204c have an area in the order of R>G> B, the red (R) color The second electrode 212a corresponding to the filter 204a is larger than the second electrode 212b corresponding to the green (G) color filter 204b and the second electrode corresponding to the green (G) color filter 204b. 202b is larger than the second electrode 212c corresponding to the blue (B) color filter 204c.
그리하여, 상기 제 1 및 제 2 전극(208, 212)과 이들 사이에 개재된 유기전계발광층(210)은 가지는 유기전계 발광 다이오드(E)를 제 2 기판(200)의 상부에 구성할 수 있다. Thus, the organic light emitting diode E having the first and second electrodes 208 and 212 and the organic light emitting layer 210 interposed therebetween may be formed on the second substrate 200.
이후 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(200)은 제 1 기판(100)과 실런트(300)에 의해 서로 합착되어 인켑슐레이션(encapsulation)되며, 상기와 같은 공정에 의해 제작된 유기전계 발광 다이오드(E)는 각각 제 1 기판의 구동 박막트랜지스터(TD)와 연결전극(400)을 통해 서로 연결된다. 즉, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 제 2 전극(212a, 212b, 212c)과 제 1 기판(100)에 구성된 박막트랜지스터(TD)의 드레인 전극(도 4의 124)은 별도의 연결전극(400)을 통해 접촉하게 된다. 이때, 상기 연결전극(400)은 상기 제 2 전극(212)상에 형성할 수 도 있고, 상기 구동 소자의 드레인 전극에서 연장되거나 연결된 별도의 패턴으로 형성할 수 도 있다.3 and 4, the second substrate 200 is bonded to each other by the first substrate 100 and the sealant 300 and encapsulated, and manufactured by the above process. The organic light emitting diodes E are connected to each other through the driving thin film transistor T D of the first substrate and the connection electrode 400. That is, the second electrode 212a, 212b, and 212c of the organic light emitting diode E and the drain electrode of the thin film transistor T D formed on the first substrate 100 (124 in FIG. 4) are separate connection electrodes. Contact is made through 400. In this case, the connection electrode 400 may be formed on the second electrode 212, or may be formed in a separate pattern extending from or connected to the drain electrode of the driving device.
이상고 같은 공정을 통해 본 발명에 따른 유기전계 발광소자가 제작될 수 있다. Through the above process, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured.
도 6는 화이트(white) 빛을 발광하는 유기전계 발광 다이오드를 적용한 유기전계 발광소자에서 적(R) 녹(G) 청(B) 부화소를 독립적으로 구동하는 방식에 대해 도시한 그래프이다. FIG. 6 is a graph illustrating a method of independently driving red (R) green (G) blue (B) subpixels in an organic light emitting diode to which an organic light emitting diode emitting white light is applied.
도 6의 그래프에서, A, B, C는 각각 적(R), 녹(G), 청(B) 부호소에 대응하는 구동 박막트랜지스터의 출력전류(output current) 특성과 유기전계 발광 다이오드의 I-V 커브 특성이 교차하는 동작점이다. 도시한 바와 같이 데이터 배선에서 공급되는 데이터 전압이 서로 독립적임을 알 수 있으며, 각각의 전류차이에 의해 적(R), 녹(G), 청(B)색 컬러의 휘도를 얻을 수 있다. In the graph of FIG. 6, A, B, and C are the output current characteristics of the driving thin film transistors corresponding to the red (R), green (G), and blue (B) codes, respectively, and the IV of the organic light emitting diode. The operating point at which curve characteristics intersect. As shown in the drawing, it can be seen that the data voltages supplied from the data lines are independent of each other, and luminances of red (R), green (G), and blue (B) colors can be obtained by the respective current differences.
그러나, 본 발명에서는 종래기술과는 달리 전류가 가장 높은 제 2 기판의 부화소의 면적이 증가하므로, 전류밀도가 높아지지 않는 장점이 있으며, 전류스트레스에 의한 소자의 수명단축을 막을 수 있다. 이 같은 부화소의 면적과 발광 휘도와의 관계를 아래 식을 통해 설명한다. However, in the present invention, unlike the prior art, since the area of the subpixel of the second substrate having the highest current increases, there is an advantage that the current density does not increase, and the lifespan of the device due to the current stress can be prevented. The relationship between the area of such subpixels and the luminescence brightness is explained through the following equation.
Lt = [Lr*(Ar/At)+ Lg*(Ag/At)+ Lb*(Ab/At)]/At Lt = [Lr * (Ar / At) + Lg * (Ag / At) + Lb * (Ab / At)] / At
위 식에서 Lt는 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소의 총 휘도를 나타내고, At는 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소의 총 발광면적을 나타낸다. Lr은 적(R)색 부화소의 휘도를 나타내고, Lg는 녹(G)색 부화소의 휘도를 나타내며, Lb는 청(B)색 부화소의 취도를 나타낸다. 또한, Ar은 적(R)색 부화소의 발광면적을 나타내고, Ag는 녹(G)색 부화소의 발광면적을 나타내며, Ab는 청(B)색 부화소의 발광면적을 나타낸다. In the above formula, Lt represents the total luminance of red (R), green (G), and blue (B) subpixels, and At represents the total emission area of red (R), green (G), and blue (B) subpixels. . Lr represents the luminance of the red (R) subpixel, Lg represents the luminance of the green (G) subpixel, and Lb represents the brittleness of the blue (B) subpixel. In addition, Ar represents the light emitting area of the red (R) subpixel, Ag represents the light emitting area of the green (G) subpixel, and Ab represents the light emitting area of the blue (B) subpixel.
위 식에서, 종래에는 Ar, Ag, Ab가 동일한 값을 가지고, Lr, Lg, Lb를 직접바꾸어 주어 부화소 별로 전류밀도가 달라지는 현상이 일어났으며, 그로인해 유기전계발광소자의 열화와 수명단축을 야기하였다. 그러나, 본 발명에서는, Lr, Lg, Lb를 동일하게 유지하면서, Ar, Ag, Ab를 변경하게 서로간의 비를 조정하함으로써 위도비를 조절한 수 있도록 하였다. 즉, 적(R), 녹(G), 청(B) 부화소에 전류를 다르게 공급하더라도 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러필터 부화소의 면적이 다르므로, 전류레벨(current level)의 가장 높은 부화소의 전류밀도는 낮출 수 있게 된다. 그러므로, 유기전계 발광소자의 열화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 전류 스트레스에 의해 야기되는 수명단축을 막을 수 있다. 즉, 궁극적으로는 유기전계 발광소자의 수명을 연장시키는 결과를 가져올 수 있다. In the above equation, conventionally, Ar, Ag, and Ab have the same value, and Lr, Lg, and Lb are directly changed to change the current density for each sub-pixel. Therefore, degradation and shortening of the lifespan of the organic light emitting diode are caused. Caused. In the present invention, however, the latitude ratio can be adjusted by adjusting the ratio of each other so as to change Ar, Ag, and Ab while keeping Lr, Lg, and Lb the same. That is, even if the current is supplied to the red (R), green (G), and blue (B) subpixels differently, the area of the red (R), green (G), and blue (B) color filter subpixels is different. The current density of the highest subpixel at the current level can be lowered. Therefore, not only the degradation of the organic light emitting device can be prevented, but the life shortening caused by the current stress can be prevented. That is, ultimately, the life of the organic light emitting device may be extended.
그러나, 본 발명은 상기 실시예들로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 듀얼 플레이트 구조(dual plate type)의 상부 발광식으로 구성하고, 소자를 구동하는 어레이부와 색을 표현하는 유기발광부(유기전계 발광 다이오드)가 서로 다른 기판에 구성한다. 또한, 어레이 소자의 구동 박막트랜지스터와 유기전계 발광 다이오드 소자의 제 2 전극을 별도의 전기적 연결패턴을 통해 연결하는 구조를 제공한다. 그러므로, 본 발명에서는 고휘도 및 고개구율 구조 유기전계 발광소자를 제공한다. The organic light emitting device according to the present invention is configured as a top plate of a dual plate type (dual plate type), the array unit for driving the device and the organic light emitting unit (organic field light emitting diode) for expressing the color on different substrates Configure. The present invention also provides a structure for connecting the driving thin film transistor of the array device and the second electrode of the organic light emitting diode device through separate electrical connection patterns. Therefore, the present invention provides a high brightness and high aperture structure organic electroluminescent device.
또한, 하부기판에 형성되는 적(R), 녹(G), 청(B)의 부화소(sub-pixel)의 면적은 동일하게 구성하지만, 상부기판에 형성되는 적(R), 녹(G), 청(B)의 부화소(sub-pixel)의 면적은 서로 다르게 구성한다. 그러므로, 각각의 부화소들이 독립적으로 서로 다른 구동전압으로 구동되더라도, 전류가 가장 높은 부화소의 면적을 증가시킬 수 있어 부화소들의 전류밀도가 높아지지 않으므로 유기전계 발광소자의 열화를 막을 수 있고, 유기전계 발광소자의 수명도 증가시키는 효과도 있다. In addition, the red (R), green (G), and blue (B) sub-pixel areas of the lower substrate have the same area, but the red (R), green (G) substrates are formed on the upper substrate. ), The sub-pixel area of blue (B) is configured differently. Therefore, even though each subpixel is independently driven with a different driving voltage, the area of the subpixel having the highest current can be increased, so that the current density of the subpixels does not increase, thereby preventing deterioration of the organic light emitting device. There is also an effect of increasing the life of the organic light emitting device.
도 1은 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이고,1 is a cross-sectional view schematically showing an organic light emitting device,
도 2는 종래의 유기전계 발광소자의 한 화소를 나타내는 등가회로도이고,2 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of a conventional organic light emitting diode,
도 3는 본 발명에 따른 듀얼 플레이트(dual plate) 구조 상부 발광형 유기전계 발광소자의 구성을 개략적으로 도시한 대한 단면도이고, 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a top emission type organic light emitting diode according to a dual plate structure according to the present invention;
도 4는 적(R), 녹(G), 청(B) 3개의 부화소를 포함하는 하나의 화소에 대해 본 발명의 구성에 따라 도시한 사시도이고, 4 is a perspective view of one pixel including three subpixels of red (R), green (G), and blue (B), according to the configuration of the present invention;
도 5a 내지 도 5d는 본발명에 따른 유기전계 발광소자의 컬러필터 및 유기전계 발광 다이오드를 형성하는 공정에 대해 단계별로 도시한 공정단면도이고, 5A through 5D are cross-sectional views illustrating a process of forming a color filter and an organic light emitting diode of an organic light emitting diode according to the present invention.
도 6는 화이트(white) 빛을 발광하는 유기전계 발광 다이오드를 적용한 유기전계 발광소자에서 적(R) 녹(G) 청(B) 부화소를 독립적으로 구동하는 방식에 대해 도시한 그래프이다. FIG. 6 is a graph illustrating a method of independently driving red (R) green (G) blue (B) subpixels in an organic light emitting diode to which an organic light emitting diode emitting white light is applied.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>
110 : 제 1 기판 200 : 제 2 기판 110: first substrate 200: second substrate
202 : 블랙매트릭스 204 : 컬러필터202 black matrix 204 color filter
206 : 평탄화막 208 : 제 1 전극206: planarization film 208: first electrode
210 : 유기전계 발광 다이오드 212 : 제 2 전극210: organic light emitting diode 212: second electrode
300 : 실런트 400 : 연결전극 300: sealant 400: connection electrode
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160129932A (en) * | 2015-04-30 | 2016-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
| USRE47544E1 (en) | 2011-12-21 | 2019-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100724A (en) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Top emission type organic el display device |
| KR100637129B1 (en) * | 2005-08-05 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light-emitting display and manufacturing method thereof |
| US7635863B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having the display device |
| TWI299239B (en) * | 2005-11-10 | 2008-07-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting display |
| TWI478134B (en) * | 2006-05-31 | 2015-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Display device, driving method of display device, and electronic appliance |
| KR101408962B1 (en) | 2008-07-01 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method of manufacturing transistor and method of manufacturing organic electroluminescence display using the same |
| CN101728973A (en) * | 2008-10-31 | 2010-06-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Driving device and overload protection method thereof |
| TWI424394B (en) * | 2009-11-27 | 2014-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | A display device and method of sufacial structure measurement thereof |
| KR101306843B1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-09-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light Emitting Display Device |
| CN103364998B (en) * | 2012-03-28 | 2016-06-22 | 群康科技(深圳)有限公司 | Liquid crystal indicator |
| KR101902500B1 (en) * | 2012-04-16 | 2018-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| KR102053999B1 (en) * | 2013-04-30 | 2019-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| US10141378B2 (en) * | 2013-10-30 | 2018-11-27 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device free of TFT and chiplet |
| TWI586012B (en) | 2014-01-02 | 2017-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | Light emitting element |
| JP6318676B2 (en) * | 2014-02-14 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | Organic light emitting device manufacturing method, organic light emitting device, and electronic apparatus |
| TWI665800B (en) * | 2015-06-16 | 2019-07-11 | 友達光電股份有限公司 | Light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| KR20200072964A (en) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | Electroluminescent Display Device |
| TWI689910B (en) * | 2019-02-12 | 2020-04-01 | 友達光電股份有限公司 | Display device |
| CN111697153B (en) * | 2019-03-15 | 2023-03-03 | 纳晶科技股份有限公司 | Light emitting device |
| KR20210084096A (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| US5294870A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
| US5701055A (en) | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| JP3401356B2 (en) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | Organic electroluminescent display panel and method of manufacturing the same |
| US5952037A (en) | 1995-03-13 | 1999-09-14 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
| JP3530362B2 (en) | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | Self-luminous image display device |
| US6175345B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| KR100282393B1 (en) * | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | method for fabricating Organic Electroluminescent display Device |
| JP3963602B2 (en) | 1999-01-27 | 2007-08-22 | 富士フイルム株式会社 | Positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure |
| US6366025B1 (en) * | 1999-02-26 | 2002-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
| JP2001092381A (en) | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | Organic electroluminescence display and its production |
| JP2001117509A (en) | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Organic el display device |
| US6794475B1 (en) | 2000-06-30 | 2004-09-21 | Noveon Ip Holdings Corp. | Antistatic polymers, blends, and articles |
| JP3840926B2 (en) | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | Organic EL display, method for manufacturing the same, and electronic device |
| GB0107236D0 (en) | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
| US6548961B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting devices |
| KR100439648B1 (en) * | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | The organic electro-luminescence device |
| US6861810B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-03-01 | Fpd Systems | Organic electroluminescent display device driving method and apparatus |
| KR100426964B1 (en) | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same |
| TWI362128B (en) * | 2002-03-26 | 2012-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| KR100464864B1 (en) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same |
| US6747618B2 (en) * | 2002-08-20 | 2004-06-08 | Eastman Kodak Company | Color organic light emitting diode display with improved lifetime |
| KR100460210B1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-12-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Dual Panel Type Organic Electroluminescent Device and Method for Fabricating the same |
-
2003
- 2003-12-31 KR KR1020030101280A patent/KR100579549B1/en active IP Right Grant
-
2004
- 2004-06-28 US US10/876,573 patent/US7342249B2/en active Active
- 2004-06-30 CN CN2004100625150A patent/CN1638552B/en active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE47544E1 (en) | 2011-12-21 | 2019-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR20160129932A (en) * | 2015-04-30 | 2016-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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