KR20050067995A - Inkjet printhead and method for manufacturing the same - Google Patents
Inkjet printhead and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050067995A KR20050067995A KR1020030099035A KR20030099035A KR20050067995A KR 20050067995 A KR20050067995 A KR 20050067995A KR 1020030099035 A KR1020030099035 A KR 1020030099035A KR 20030099035 A KR20030099035 A KR 20030099035A KR 20050067995 A KR20050067995 A KR 20050067995A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- heater
- planarization
- ink
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 251
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14072—Electrical connections, e.g. details on electrodes, connecting the chip to the outside...
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14387—Front shooter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 잉크젯 프린트헤드는, 상부에 히터층 및 도선층이 형성된 기판; 이 기판 상에 돌출되게 형성되어, 그 상부에 형성되는 히터층과 그 양측에 형성되는 도선층의 상면을 평탄화시키는 평탄화층; 히터층 및 도선층의 상면에 형성되는 보호층; 이 보호층의 상부에 적층되어 잉크 챔버를 한정하는 챔버층; 및 이 챔버층의 상부에 적층되어 노즐이 형성된 노즐 플레이트;를 구비한다.An inkjet printhead and a method of manufacturing the same are disclosed. The disclosed inkjet printhead includes a substrate having a heater layer and a conductive layer formed thereon; A planarization layer formed to protrude on the substrate and planarizing an upper surface of the heater layer formed on the upper portion and the conducting layer formed on both sides thereof; A protective layer formed on upper surfaces of the heater layer and the conductive layer; A chamber layer laminated on top of the protective layer to define an ink chamber; And a nozzle plate stacked on the chamber layer and having a nozzle formed thereon.
Description
본 발명은 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 히터층의 상부를 평탄화함으로써 히터층의 수명 및 신뢰성을 증대시킬 수 있는 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inkjet printhead and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an inkjet printhead and a method for manufacturing the same, which can increase the lifespan and reliability of the heater layer by planarizing an upper portion of the heater layer.
일반적으로 잉크젯 프린트헤드는, 인쇄용 잉크의 미소한 액적(droplet)을 기록용지 상의 원하는 위치에 토출시켜서 소정 색상의 화상으로 인쇄하는 장치이다. 이러한 잉크젯 프린트헤드는 잉크 액적의 토출 메카니즘에 따라 크게 두가지 방식으로 분류될 수 있다. 그 하나는 열원을 이용하여 잉크에 버블(bubble)을 발생시켜 그 버블의 팽창력에 의해 잉크 액적을 토출시키는 열구동 방식의 잉크젯 프린트헤드이고, 다른 하나는 압전체를 사용하여 그 압전체의 변형으로 인해 잉크에 가해지는 압력에 의해 잉크 액적을 토출시키는 압전구동 방식의 잉크젯 프린트헤드이다. In general, an inkjet printhead is an apparatus for ejecting a small droplet of printing ink to a desired position on a recording sheet to print an image of a predetermined color. Such inkjet printheads can be largely classified in two ways depending on the ejection mechanism of the ink droplets. One is a heat-driven inkjet printhead which generates bubbles in the ink by using a heat source and ejects the ink droplets by the expansion force of the bubbles, and the other is ink due to the deformation of the piezoelectric body using the piezoelectric body. A piezoelectric drive inkjet printhead which discharges ink droplets by a pressure applied thereto.
상기 열구동 방식의 잉크젯 프린트헤드에서의 잉크 액적 토출 메카니즘을 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. 저항 발열체로 이루어진 히터에 펄스 형태의 전류가 흐르게 되면, 히터에서 열이 발생되면서 히터에 인접한 잉크는 대략 300℃로 순간 가열된다. 이에 따라 잉크가 비등하면서 버블이 생성되고, 생성된 버블은 팽창하여 잉크 챔버 내에 채워진 잉크에 압력을 가하게 된다. 이로 인해 노즐 부근에 있던 잉크가 노즐을 통해 액적의 형태로 잉크 챔버 밖으로 토출된다. The ink droplet ejection mechanism of the thermally driven inkjet printhead will be described in detail as follows. When a pulse current flows through a heater made of a resistive heating element, heat is generated in the heater and the ink adjacent to the heater is instantaneously heated to approximately 300 ° C. Accordingly, as the ink boils, bubbles are generated, and the generated bubbles expand and apply pressure to the ink filled in the ink chamber. As a result, the ink near the nozzle is discharged out of the ink chamber in the form of droplets through the nozzle.
한편, 이러한 열구동 방식은 버블의 성장 방향과 잉크 액적의 토출 방향에 따라 다시 탑-슈팅(top-shooting) 방식, 사이드-슈팅(side-shooting) 방식 및 백-슈팅(back-shooting) 방식으로 분류된다. 탑-슈팅 방식은 버블의 성장 방향과 잉크 액적의 토출 방향이 동일한 방식이고, 사이드-슈팅 방식은 버블의 성장 방향과 잉크 액적의 토출 방향이 직각을 이루는 방식이고, 백-슈팅 방식은 버블의 성장 방향과 잉크 액적의 토출 방향이 서로 반대인 잉크 토출 방식을 말한다.On the other hand, such a thermal driving method is a top-shooting method, a side-shooting method and a back-shooting method again according to the bubble growth direction and the ink droplet ejection direction. Are classified. In the top-shooting method, the bubble growth direction and the ink droplet ejection direction are the same. In the side-shooting method, the bubble growth direction and the ink droplet ejection direction are perpendicular to each other. The back-shooting method is the bubble growth. The ink ejection method in which the direction and the ejection direction of ink droplets are opposite to each other.
이와 같은 열구동 방식의 잉크젯 프린트헤드는 일반적으로 다음과 같은 요건들을 만족하여야 한다. 첫째, 가능한 한 그 제조가 간단하고 제조비용이 저렴하며, 대량 생산이 가능하여야 한다. 둘째, 고화질의 화상을 얻기 위해서는 인접한 노즐 사이의 간섭(cross talk)은 억제하면서도 인접한 노즐 사이의 간격은 가능한 한 좁아야 한다. 즉, DPI(Dots Per Inch)를 높이기 위해서는 다수의 노즐을 고밀도로 배치할 수 있어야 한다. 셋째, 고속 인쇄를 위해서는, 잉크 챔버로부터 잉크가 토출된 후 잉크 챔버에 잉크가 리필(refill)되는 주기가 가능한 한 짧아야 한다. 즉, 가열된 잉크와 히터의 냉각이 빨리 이루어져 구동 주파수를 높일 수 있어야 한다.Such thermally driven inkjet printheads generally must meet the following requirements. First, the production should be as simple as possible, inexpensive to manufacture, and capable of mass production. Second, in order to obtain a high quality image, the distance between adjacent nozzles should be as narrow as possible while suppressing cross talk between adjacent nozzles. In other words, in order to increase the dots per inch (DPI), it is necessary to be able to arrange a plurality of nozzles at high density. Third, for high speed printing, the period during which ink is refilled in the ink chamber after the ink is ejected from the ink chamber should be as short as possible. That is, the heated ink and the heater should be cooled quickly to increase the driving frequency.
도 1은 종래 탑-슈팅 방식의 잉크젯 프린트헤드를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional top-shooting inkjet printhead.
도 1을 참조하면, 잉크젯 프린트헤드는 상부에 다수의 물질층이 적층된 기판(11)과, 상기 기판(11) 위에 적층되어 잉크 챔버(22)를 한정하는 챔버층(20)과, 상기 챔버층(20) 위에 적층되는 노즐 플레이트(30)로 이루어져 있다. 상기 잉크 챔버(22) 내에는 잉크가 채워지며, 잉크 챔버(22)의 아래쪽에는 잉크를 가열하여 버블을 생성시키기 위한 히터층(13)이 마련된다. 그리고, 노즐 플레이트(30)에는 잉크의 토출이 이루어지는 노즐(32)이 형성되어 있다. Referring to FIG. 1, an inkjet printhead includes a substrate 11 having a plurality of material layers stacked thereon, a chamber layer 20 stacked on the substrate 11 to define an ink chamber 22, and the chamber. It consists of a nozzle plate 30 that is stacked over the layer 20. Ink is filled in the ink chamber 22, and a heater layer 13 is provided below the ink chamber 22 to generate bubbles by heating the ink. The nozzle plate 30 is provided with a nozzle 32 through which ink is ejected.
이러한 잉크젯 프린트헤드의 수직 구조를 보다 상세히 설명하면, 실리콘으로 이루어진 기판(11) 상에는 히터층(13)과 기판(11) 사이의 단열과 절연을 위한 절연층(12)이 형성되어 있다. 상기 절연층(12) 위에는 잉크 챔버(22) 내의 잉크를 가열하여 버블을 발생시키기 위한 히터층(13)이 형성되어 있다. 이 히터층(13)은 탄탈륨 질화물(TaN) 또는 탄탈륨-알루미늄 합금(TaAl) 등을 절연층(12) 상에 박막의 형태로 증착함으로써 형성된다. 상기 히터층(13) 위에는 히터층(13)에 전류를 인가하기 위한 도선층(conductor layer, 14)이 형성되어 있다. 이 도선층(14)은 알루미늄(Al)과 같은 도전성이 양호한 금속물질로 이루어진다. The vertical structure of the inkjet printhead will be described in more detail. On the substrate 11 made of silicon, an insulating layer 12 for insulating and insulating between the heater layer 13 and the substrate 11 is formed. The heater layer 13 is formed on the insulating layer 12 to generate bubbles by heating the ink in the ink chamber 22. The heater layer 13 is formed by depositing tantalum nitride (TaN) or tantalum-aluminum alloy (TaAl) or the like on the insulating layer 12 in the form of a thin film. A conductor layer 14 for applying a current to the heater layer 13 is formed on the heater layer 13. The wire layer 14 is made of a metal material having good conductivity such as aluminum (Al).
히터층(13)과 도선층(14) 위에는 이들을 보호하기 위한 보호층(passivation layer, 15)이 형성되어 있다. 이 보호층(15)은 히터층(13)과 도선층(14)이 산화되거나 잉크와 직접 접촉되는 것을 방지하기 위한 것으로, 주로 실리콘 질화막(SiNx)을 증착함으로써 이루어진다. 그리고, 상기 보호층(15) 위에는 캐비테이션 방지층(anti-cavitation layer, 16)이 형성되어 있다. 이 캐비테이션 방지층(16)은 버블의 소멸시 발생하는 캐비테이션 압력으로부터 히터층(13)을 보호하기 위한 것으로, 주로 탄탈륨(Ta)로 이루어진다.A passivation layer 15 is formed on the heater layer 13 and the conductive layer 14 to protect them. The protective layer 15 is for preventing the heater layer 13 and the conductive layer 14 from being oxidized or in direct contact with the ink. The protective layer 15 is mainly formed by depositing a silicon nitride film (SiN x ). In addition, an anti-cavitation layer 16 is formed on the protective layer 15. This cavitation prevention layer 16 is for protecting the heater layer 13 from the cavitation pressure generated when the bubbles disappear, and mainly consists of tantalum (Ta).
한편, 수 개의 물질층이 적층된 기판(11) 위에는 잉크 챔버(22)를 한정하는 챔버층(20)이 형성되어 있다. 그리고, 이 챔버층(20) 위에는 노즐(32)이 형성되어 있는 노즐 플레이트(30)가 형성되어 있다. Meanwhile, the chamber layer 20 defining the ink chamber 22 is formed on the substrate 11 on which several material layers are stacked. And the nozzle plate 30 in which the nozzle 32 is formed on this chamber layer 20 is formed.
상기와 같은 구조의 잉크젯 프린트헤드에서, 상기 도선층(14)은 히터층(13)의 상면에 알루미늄과 같은 금속물질을 증착하고, 이를 습식 식각(wet etch)에 의하여 히터층(13)의 일부를 노출시키도록 패터닝함으로써 형성된다. 이에 따라, 상기 히터층(13)의 상부에는 도선층(14)의 두께 만큼 단차가 존재하게 된다. 여기서, 상기 도선층의 두께는 대략 1㎛ 정도가 된다. 이러한 단차의 존재로 인하여 보호층(15)과 캐비테이션 방지층(16)을 코팅하는 경우에 커버리지(coverage) 문제가 발생하게 된다. 도 2에는 히터층(13)의 상부에 존재하는 단차로 인하여 그 위에 형성되는 보호층(15)과 캐비테이션 방지층(16)이 평탄화되지 않는 모습을 보여주고 있다.In the inkjet printhead having the above structure, the conductive layer 14 deposits a metal material such as aluminum on the upper surface of the heater layer 13, and a portion of the heater layer 13 is wet etched. It is formed by patterning to expose. As a result, a step is present in the upper portion of the heater layer 13 by the thickness of the conductive layer 14. Here, the thickness of the conductive layer is about 1 μm. Due to the presence of the step, a coverage problem occurs when the protective layer 15 and the cavitation prevention layer 16 are coated. In FIG. 2, the protective layer 15 and the cavitation prevention layer 16 formed thereon are not planarized due to the step existing on the heater layer 13.
한편, 히터층(13) 중 발열부분의 저항은 도선층(14)에 의하여 노출되는 히터층(13)의 영역에 의하여 결정되는데, 이러한 히터층(13)의 노출영역은 습식 식각 공정에 의하여 커다란 영향을 받는다. 그러나, 상기 습식 식각은 식각액(etch solution) 등의 공정 변수에 크게 의존하므로, 공정의 재현성이 부족하다.On the other hand, the resistance of the heating portion of the heater layer 13 is determined by the region of the heater layer 13 exposed by the conductive layer 14, the exposed region of the heater layer 13 is large by the wet etching process. get affected. However, since the wet etching is highly dependent on process variables such as an etch solution, the reproducibility of the process is insufficient.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 히터층의 상부를 평탄화함으로써 히터층의 수명 및 신뢰성을 증대시킬 수 있는 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide an inkjet printhead and a method of manufacturing the same, which can increase the lifespan and reliability of the heater layer by planarizing the top of the heater layer.
상기한 목적을 달성하기 위하여, In order to achieve the above object,
본 발명에 따른 잉크젯 프린트헤드는,The inkjet printhead according to the present invention,
상부에 히터층 및 상기 히터층에 전류를 인가하기 위한 도선층이 형성된 기판; A substrate having a heater layer formed thereon and a conductor layer for applying current to the heater layer;
상기 기판 상에 돌출되게 형성되어, 그 상부에 형성되는 상기 히터층과 그 양측에 형성되는 상기 도선층의 상면을 평탄화시키는 평탄화층;A planarization layer formed to protrude on the substrate to planarize an upper surface of the heater layer formed on the substrate and the conductive layer formed on both sides of the heater layer;
상기 히터층 및 도선층의 상면에 형성되는 보호층;A protective layer formed on upper surfaces of the heater layer and the conductive layer;
상기 보호층의 상부에 적층되어 토출될 잉크가 채워지는 잉크 챔버를 한정하는 챔버층; 및 A chamber layer defining an ink chamber stacked on top of the protective layer and filled with ink to be discharged; And
상기 챔버층의 상부에 적층되어 잉크가 토출되는 노즐이 형성된 노즐 플레이트;를 구비한다.And a nozzle plate stacked on the chamber layer and having nozzles through which ink is discharged.
여기서, 상기 평탄화층의 두께와 상기 도선층의 두께는 동일한 것이 바람직하다. 그리고, 상기 평탄화층은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.Here, the thickness of the planarization layer and the thickness of the conductive layer are preferably the same. The planarization layer may be formed of silicon oxide.
한편, 본 발명에 따른 잉크젯 프린트헤드의 제조방법은,On the other hand, the manufacturing method of the inkjet printhead according to the present invention,
기판의 상면에 절연층을 형성하는 단계;Forming an insulating layer on an upper surface of the substrate;
상기 절연층의 상면에 소정의 물질층을 형성하고, 이를 패터닝하여 평탄화층을 형성하는 단계;Forming a material layer on an upper surface of the insulating layer and patterning the material layer to form a planarization layer;
상기 절연층 및 평탄화층의 상면에 히터층을 형성하는 단계;Forming a heater layer on upper surfaces of the insulating layer and the planarization layer;
상기 평탄화층의 양측에 상기 평탄화층의 상부에 위치하는 상기 히터층과 평탄하도록 도선층을 형성하는 단계; Forming a conductive layer on both sides of the planarization layer so as to be flat with the heater layer positioned above the planarization layer;
상기 히터층 및 도선층의 상면에 보호층을 형성하는 단계;Forming a protective layer on upper surfaces of the heater layer and the conductive layer;
상기 보호층의 상부에 잉크 챔버를 한정하는 챔버층을 형성하는 단계; 및Forming a chamber layer defining an ink chamber on top of the protective layer; And
상기 챔버층의 상면에 노즐이 형성된 노즐 플레이트를 형성하는 단계;를 포함한다. And forming a nozzle plate having a nozzle formed on an upper surface of the chamber layer.
여기서, 상기 도선층은 상기 평탄화층과 동일한 두께로 형성되는 것이 바람직하다.Here, the conductive layer is preferably formed to the same thickness as the planarization layer.
상기 도선층을 형성하는 단계는,Forming the conductive layer,
상기 히터층의 상면에 소정의 금속층을 형성하는 단계;Forming a predetermined metal layer on an upper surface of the heater layer;
상기 평탄화층의 상부에 위치하는 상기 금속층을 노출시키는 식각 마스크를 마련하는 단계;Providing an etching mask exposing the metal layer on the planarization layer;
상기 식각 마스크를 통하여 노출된 상기 금속층을 습식 식각하여 상기 평탄화층의 상부에 위치하는 상기 히터층을 노출시키는 단계; 및Wet etching the metal layer exposed through the etching mask to expose the heater layer on the planarization layer; And
노출된 상기 히터층의 에지 부분에 돌출되게 남아있는 상기 금속층을 소프트 식각하여 제거하는 단계;를 포함하는 것이 바람직하다. Soft etching to remove the metal layer remaining protruding in the edge portion of the exposed heater layer; preferably.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면 상에서 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 편의상 과장되어 있을 수 있다. 또한, 한 층이 기판이나 다른 층의 위에 존재한다고 설명될 때, 그 층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 다른 제3의 층이 존재할 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments exemplified below are not intended to limit the scope of the present invention, but are provided to explain the present invention to those skilled in the art. The same reference numerals in the drawings refer to the same components, the size or thickness of each component in the drawings may be exaggerated for convenience of explanation. Also, when one layer is described as being on top of a substrate or another layer, the layer may be on top while directly contacting the substrate or another layer, and another third layer may be present therebetween.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 탑-슈팅 방식의 잉크젯 프린트헤드를 개략적으로 도시한 수직 단면도이다. 3 is a vertical sectional view schematically showing a top-shooting inkjet printhead according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 실리콘으로 이루어진 기판(111)의 표면에는 히터층(113)과 기판(111) 사이의 단열 및 절연을 위한 절연층(112)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 절연층(112) 위에는 평탄화층(150)이 돌출되게 형성되어 있다. 이 평탄화층(150)은 그 상부에 형성되는 히터층(113)의 상면과 그 양측에 형성되는 도선층(114)의 상면을 평탄화시키기 위하여 마련되는 층이다. 이러한 평탄화층(150)은 절연층(112)의 상면에 실리콘 산화물(SiOx)을 플라즈마 보강 화학기상증착(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)법 또는 열 산화(thermal oxidization)법에 의하여 형성하고, 이를 소정 형태로 패터닝함으로써 형성된다.Referring to FIG. 3, an insulating layer 112 for insulating and insulating between the heater layer 113 and the substrate 111 is formed on a surface of the substrate 111 made of silicon. The planarization layer 150 protrudes from the insulating layer 112. The planarization layer 150 is a layer provided to planarize the upper surface of the heater layer 113 formed on the upper surface and the upper surface of the conductive layer 114 formed on both sides thereof. The planarization layer 150 is formed on the top surface of the insulating layer 112 by silicon enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or thermal oxidation (CVD) method of silicon oxide (SiO x ), It is formed by patterning it into a predetermined shape.
상기 절연층(112) 및 평탄화층(150)의 표면에는 잉크 챔버(122) 내의 잉크를 가열하기 위한 히터층(113)이 형성되어 있다. 이 히터층(113)은 탄탈륨 질화물(TaN) 또는 탄탈륨-알루미늄 합금 등을 절연층(112) 및 평탄화층(150)의 표면에 박막의 형태로 증착하고, 이를 소정 형태로 패터닝함으로써 형성된다. 그리고, 상기 평탄화층(150)의 양측에는 상기 히터층(113)에 전류를 인가하기 위한 도선층(114)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 도선층(114)은 그 상면이 평탄화층(150)의 상부에 위치하는 히터층(113)의 상면과 평탄하도록 형성된다. 상기 도선층(114)은 알루미늄(Al)과 같은 도전성이 양호한 금속물질로 이루어진다.Heater layers 113 for heating the ink in the ink chamber 122 are formed on the surfaces of the insulating layer 112 and the planarization layer 150. The heater layer 113 is formed by depositing tantalum nitride (TaN) or a tantalum-aluminum alloy or the like on the surfaces of the insulating layer 112 and the planarization layer 150 in the form of a thin film and patterning the same in a predetermined form. In addition, conductive layers 114 for applying a current to the heater layer 113 are formed at both sides of the planarization layer 150. Here, the conductive layer 114 is formed such that its upper surface is flat with the upper surface of the heater layer 113 positioned on the planarization layer 150. The conductive layer 114 is made of a metal material having good conductivity such as aluminum (Al).
평탄화된 상기 히터층(113) 및 도선층(114)의 상면에는 히터층(113)과 보호층(114)을 보호하기 위한 보호층(passivation layer,115)이 형성되어 있다. 이 보호층(115)은 히터층(113)과 도선층(114)이 산화되거나 잉크와 직접 접촉되는 것을 방지하기 위한 것으로, 주로 실리콘 질화막(SiNx)을 증착함으로써 이루어진다. 그리고, 상기 보호층(115) 위에는 캐비테이션 방지층(anti-cavitation layer,116)이 형성되어 있다. 이 캐비테이션 방지층(116)은 버블의 소멸시 발생하는 캐비테이션 압력으로부터 히터층(113)을 보호하기 위한 것으로, 주로 탄탈륨(Ta)로 이루어진다.A passivation layer 115 is formed on the planarized heater layer 113 and the conductive layer 114 to protect the heater layer 113 and the passivation layer 114. The protective layer 115 is for preventing the heater layer 113 and the conductive layer 114 from being oxidized or in direct contact with the ink, and is mainly formed by depositing a silicon nitride film (SiN x ). An anti-cavitation layer 116 is formed on the passivation layer 115. The cavitation prevention layer 116 is for protecting the heater layer 113 from the cavitation pressure generated when the bubbles disappear, and is mainly made of tantalum (Ta).
한편, 상기 캐비테이션 방지층(116) 위에는 토출될 잉크가 채워지는 잉크 챔버(122)를 한정하는 챔버층(120)이 형성되어 있다. 그리고, 이 챔버층(120) 위에는 잉크 챔버(122)로부터 잉크가 토출되는 노즐(132)이 형성된 노즐 플레이트(130)가 형성되어 있다. Meanwhile, a chamber layer 120 is formed on the cavitation prevention layer 116 to define an ink chamber 122 filled with ink to be discharged. And the nozzle plate 130 in which the nozzle 132 which discharges ink from the ink chamber 122 is formed on this chamber layer 120. As shown in FIG.
이하에서는, 도 4a 내지 도 4j를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 잉크젯 프린트헤드를 제조하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing an inkjet printhead according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4J.
도 4a는 기판(111)의 상면에 절연층(112)을 형성하고, 그 위에 소정의 물질층(150')을 형성한 상태를 도시한 것이다. 먼저, 기판(111)으로는 실리콘 웨이퍼를 대략 400 ~ 650㎛의 두께로 가공하여 사용한다. 이는 실리콘 웨이퍼가 반도체 소자에 널리 사용되는 것으로서, 대량 생산에 효과적이기 때문이다. FIG. 4A illustrates a state in which an insulating layer 112 is formed on an upper surface of the substrate 111 and a predetermined material layer 150 ′ is formed thereon. First, a silicon wafer is processed to a thickness of approximately 400 to 650 µm as the substrate 111. This is because silicon wafers are widely used in semiconductor devices and are effective for mass production.
이어서, 준비된 실리콘 기판(111)의 상면에 절연층(112)을 형성한다. 상기 절연층(112)은 기판(111)의 상면에 실리콘 산화물(SiO2)을 증착함으로써 형성될 수 있다. 이러한 절연층(112)은 기판(111)과 히터층(113) 사이의 절연 뿐만 아니라 히터층(113)에서 발생된 열에너지가 기판(111)쪽으로 빠져나가는 것을 억제하기 위한 단열층으로서의 기능을 한다.Subsequently, an insulating layer 112 is formed on the prepared upper surface of the silicon substrate 111. The insulating layer 112 may be formed by depositing silicon oxide (SiO 2 ) on the top surface of the substrate 111. The insulating layer 112 functions as a heat insulating layer for suppressing not only the insulation between the substrate 111 and the heater layer 113 but also the heat energy generated from the heater layer 113 to escape to the substrate 111.
다음으로, 상기 절연층(112)의 상면에 소정의 물질층(150')을 형성한다. 여기서, 상기 물질층(150')은 절연층(112)의 상면에 실리콘 산화물(SiOx)을 플라즈마 보강 화학기상증착(PECVD)법 또는 열 산화(thermal oxidization)법에 의하여 증착함으로써 형성된다.Next, a predetermined material layer 150 ′ is formed on the upper surface of the insulating layer 112. Here, the material layer 150 ′ is formed by depositing silicon oxide (SiO x ) on the upper surface of the insulating layer 112 by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or thermal oxidization.
도 4b는 절연층(112)의 상면에 평탄화층(150)을 형성한 상태를 도시한 것이다. 상기 평탄화층(150)은 도 4a에 도시된 물질층(150')을 소정 형상으로 패터닝함으로써 절연층(112)의 상면에 돌출되게 형성된다. 상기 물질층(150')은 습식 식각 또는 건식 식각 방법에 의하여 패터닝될 수 있다. 여기서, 상기 평탄화층(150)은 후술하는 도선층(114)과 두께가 같도록 형성되며, 대략 2000Å ~ 2㎛ 정도의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.4B illustrates a state in which the planarization layer 150 is formed on the upper surface of the insulating layer 112. The planarization layer 150 is formed to protrude on the top surface of the insulating layer 112 by patterning the material layer 150 ′ shown in FIG. 4A in a predetermined shape. The material layer 150 ′ may be patterned by a wet etching method or a dry etching method. Here, the planarization layer 150 is formed to have the same thickness as the conductive layer 114, which will be described later, and is preferably formed to have a thickness of about 2000 m 2 to 2 m.
도 4c는 상기 절연층(112) 및 평탄화층(150)의 상면에 히터층(113)을 형성한 상태를 도시한 것이다. 상기 히터층(113)는 절연층(112) 및 평탄화층(150)의 상면에 탄탈륨 질화물(TaN), 탄탈륨-알루미늄 합금(TaAl), 티타늄 질화물(TiN) 또는 텅스텐 실리사이드(tungsten silicide) 등과 같은 발열 저항체를 소정 두께로 증착하고, 이를 패터닝함으로써 형성될 수 있다.FIG. 4C illustrates a state in which the heater layer 113 is formed on the top surface of the insulating layer 112 and the planarization layer 150. The heater layer 113 generates heat such as tantalum nitride (TaN), tantalum-aluminum alloy (TaAl), titanium nitride (TiN), or tungsten silicide on the top surface of the insulating layer 112 and the planarization layer 150. It can be formed by depositing a resistor to a predetermined thickness and patterning it.
도 4d는 히터층(113)의 상면에 소정의 금속층(114')을 형성한 상태를 도시한 것이다. 상기 금속층(114')은 히터층(113)의 상면에 도전성이 양호한 금속 예컨대, 알루미늄(Al)을 상기 평탄화층(150)과 동일한 두께로 증착함으로써 형성될 수 있다.4D illustrates a state in which a predetermined metal layer 114 ′ is formed on the top surface of the heater layer 113. The metal layer 114 ′ may be formed by depositing a metal having good conductivity, such as aluminum (Al), on the top surface of the heater layer 113 to the same thickness as the planarization layer 150.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(114')의 상면에 평탄화층(150)의 상부에 위치하는 금속층(114')을 노출시키는 식각 마스크(160)를 형성한다. 여기서, 상기 식각 마스크(160)는 상기 금속층(114')의 상면에 포토레지스트(PR; photoresist)를 도포한 뒤, 이를 포토리소그라피(photolithography)공정을 통하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 4E, an etch mask 160 is formed on the top surface of the metal layer 114 ′ to expose the metal layer 114 ′ positioned above the planarization layer 150. The etching mask 160 may be formed by applying a photoresist (PR) on an upper surface of the metal layer 114 ′ and patterning the photoresist through a photolithography process.
다음으로, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 식각 마스크(160)를 통하여 노출된 금속층(114')을 습식 식각한다. 이에 따라, 상기 평탄화층(150)의 상부에 위치하는 히터층(113)이 노출된다. 그리고, 도 4g에 도시된 바와 같이, 식각 마스크(160)를 제거하게 되면, 노출된 히터층(113)의 에지 부분에는 돌출된 금속층(114a)이 남아있게 된다. Next, as shown in FIG. 4F, the metal layer 114 ′ exposed through the etching mask 160 is wet-etched. Accordingly, the heater layer 113 positioned on the planarization layer 150 is exposed. As shown in FIG. 4G, when the etching mask 160 is removed, the protruding metal layer 114a remains at the edge portion of the exposed heater layer 113.
이어서, 이러한 돌출된 금속층(114a)을 소프트 식각(soft etch) 방법에 의하여 식각하게 되면, 돌출된 금속층(114a) 부분은 다른 금속층(114') 부분에 비해 에너지가 높은 상태이므로, 우선적으로 식각되어 제거된다. 그 결과, 도 4h에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(150)의 양측에 노출된 히터층(113)의 상면과 평탄한 도선층(114)이 형성된다. Subsequently, when the protruding metal layer 114a is etched by a soft etch method, the protruding metal layer 114a is preferentially etched because the protruded metal layer 114a has a higher energy than other metal layer 114 '. Removed. As a result, as shown in FIG. 4H, the upper surface of the heater layer 113 exposed on both sides of the planarization layer 150 and the flat conductive layer 114 are formed.
도 4i는 평탄화된 히터층(113) 및 도선층(114)의 상면에 보호층(passivation layer,115)을 형성하고, 그 위에 캐비테이션 방지층(anti-cavitation layer,116)을 형성한 상태를 도시한 것이다. 상기 보호층(115)은 히터층(113) 및 도선층(114)의 상면에 실리콘 질화물(SiN4)을 플라즈마 보강 화학기상증착(PECVD)법에 의하여 증착함으로써 형성될 수 있다. 이러한 보호층(115)은 히터(113)와 도선(114)이 산화되거나 잉크와 집적 접촉되는 것을 방지하기 위한 것이다. 그리고, 상기 캐비테이션 방지층(116)은 상기 보호층(115)의 상면에 탄탈륨(Ta) 등을 증착하고, 이를 히터층의 상부에만 남도록 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이러한 캐비테이션 방지층(116)은 잉크 챔버(122) 내의 버블이 수축하여 소멸할 때 발생되는 높은 압력에 의해 히터층(113) 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다.4I illustrates a state in which a passivation layer 115 is formed on the planarized heater layer 113 and the conductive layer 114, and an anti-cavitation layer 116 is formed thereon. will be. The protective layer 115 may be formed by depositing silicon nitride (SiN 4 ) on the top surface of the heater layer 113 and the conductive layer 114 by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The protective layer 115 is to prevent the heater 113 and the conductive wire 114 from being oxidized or integrated contact with the ink. The cavitation prevention layer 116 may be formed by depositing tantalum (Ta) on the upper surface of the protective layer 115, and patterning the tantalum (Ta) to remain only on the heater layer. The cavitation prevention layer 116 is for preventing the heater layer 113 from being damaged by the high pressure generated when the bubbles in the ink chamber 122 shrink and disappear.
도 4h는 상기 캐비테이션 방지층(116)의 상부에 잉크 챔버(122)를 한정하는 챔버층(120)과 상기 챔버층(120)의 상면에 노즐(132)이 형성된 노즐 플레이트(130)가 형성된 상태를 도시한 것이다. 이러한 챔버층(120) 및 노즐 플레이트(130)는 모놀리식(monolithic) 방법으로 순차적으로 형성된다. 4H illustrates a state in which a chamber layer 120 defining an ink chamber 122 and a nozzle plate 130 having a nozzle 132 formed on an upper surface of the chamber layer 120 are formed on the cavitation prevention layer 116. It is shown. The chamber layer 120 and the nozzle plate 130 are sequentially formed by a monolithic method.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the preferred embodiment according to the present invention has been described above, this is merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the appended claims.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the inkjet printhead and the manufacturing method thereof according to the present invention have the following effects.
첫째, 히터층의 상부를 평탄화시킴으로써 프린트헤드의 수명 및 신뢰성를 향상시킬 수 있다.First, by flattening the upper portion of the heater layer, the life and reliability of the printhead can be improved.
둘째, 히터층의 상부에 형성되는 보호층의 스텝 커버리지(step coverage)문제가 해결되므로, 상기 보호층의 두께를 최소화할 수 있으며, 이에 따라 히터층의 효율을 향상시킬 수 있다.Second, since the step coverage problem of the protective layer formed on the heater layer is solved, the thickness of the protective layer can be minimized, thereby improving the efficiency of the heater layer.
셋째, 건식 식각 방법으로 평탄화층을 형성하게 되면, 재현성 및 신뢰성이 있는 히터층의 저항을 유지할 수 있다.Third, when the planarization layer is formed by the dry etching method, the resistance of the heater layer with high reproducibility and reliability can be maintained.
넷째, 헤드칩의 수율 증가로 인해 생산성 증대 및 칩 단가의 절감 효과가 있다.Fourth, there is an effect of increasing productivity and reducing the cost of the chip due to the increased yield of the head chip.
도 1은 종래 잉크젯 프린트헤드의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional inkjet printhead.
도 2는 도 1에 도시된 잉크젯 프린트헤드의 히터층 및 도선층을 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a heater layer and a lead layer of the inkjet printhead illustrated in FIG. 1.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 잉크젯 프린트헤드의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of an inkjet printhead according to an embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4j는 본 발명의 실시예에 따른 잉크젯 프린트헤드의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.4A to 4J are diagrams for describing a method of manufacturing an inkjet printhead according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
111... 기판 112... 절연층111 ... substrate 112 ... insulating layer
113... 히터층 114... 도선층113 Heater layer 114 Conductor layer
115... 보호층 116... 캐비테이션 방지층115 ... protective layer 116 ... cavitation prevention layer
120... 챔버층 122.. 잉크 챔버120 ... chamber layer 122 .. ink chamber
130... 노즐 플레이트 132... 노즐130 ... Nozzle Plate 132 ... Nozzle
150... 평탄화층 150 ... leveling layer
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030099035A KR20050067995A (en) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | Inkjet printhead and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030099035A KR20050067995A (en) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | Inkjet printhead and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050067995A true KR20050067995A (en) | 2005-07-05 |
Family
ID=37258604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030099035A KR20050067995A (en) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | Inkjet printhead and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20050067995A (en) |
-
2003
- 2003-12-29 KR KR1020030099035A patent/KR20050067995A/en not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100484168B1 (en) | Ink jet printhead and manufacturing method thereof | |
JP4787365B2 (en) | Inkjet printer head manufacturing method | |
KR100459905B1 (en) | Monolithic inkjet printhead having heater disposed between dual ink chamber and method of manufacturing thereof | |
KR100468859B1 (en) | Monolithic inkjet printhead and method of manufacturing thereof | |
JP2004017652A (en) | Inkjet print head and its manufacturing process | |
KR100493160B1 (en) | Monolithic ink jet printhead having taper shaped nozzle and method of manufacturing thereof | |
US20030082841A1 (en) | Fluid ejection device fabrication | |
KR100717023B1 (en) | Inkjet printhead and method of manufacturing the same | |
KR100717022B1 (en) | Inkjet printhead and method of manufacturing the same | |
KR100519759B1 (en) | Ink jet printhead and manufacturing method thereof | |
KR20080114358A (en) | Method of manufacturing inkjet printhead | |
KR100499132B1 (en) | Inkjet printhead and manufacturing method thereof | |
KR100723415B1 (en) | Method of fabricating inkjet printhead | |
KR20040101862A (en) | Inkjet printhead and manufacturing method thereof | |
KR100553912B1 (en) | Inkjet printhead and method for manufacturing the same | |
KR20090058225A (en) | Inkjet printhead and method of manufacturing the same | |
KR20050067995A (en) | Inkjet printhead and method for manufacturing the same | |
KR100499150B1 (en) | Inkjet printhead and method for manufacturing the same | |
JP2005280179A (en) | Substrate for inkjet head and inkjet head | |
KR100484202B1 (en) | Inkjet printhead with reverse heater and method of manufacturing thereof | |
KR100612883B1 (en) | Method of fabricating inkjet printhead | |
KR100497389B1 (en) | Inkjet printhead and method of manufacturing thereof | |
KR100438726B1 (en) | Ink jet print head and manufacturing method thereof | |
KR20060070696A (en) | Thermally driven monolithic inkjet printhead and method of manufacturing the same | |
KR20050072523A (en) | Inkjet printhead and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |