KR20050066979A - 횡전계방식 액정표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 꺽이는 구조의 전극이 구비된 횡전계방식 액정표시소자에 있어서, 꺽이는 부분에서의 디스클리네이션을 방지하고 아울러 스토리지 커패시턴스를 증가시키고자 하는 것을 목적으로 하는 바, 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 기판 상에 일측으로 형성된 게이트 배선과, 상기 기판 상에서 꺽어지는 구조를 가지는 공통전극과, 상기 공통전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성된 제 1 디스클리네이션 방지패턴과, 상기 게이트 배선에 수직 교차하는 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 공통전극에 평행하며 꺽어지는 구조를 가지는 화소전극과, 상기 화소전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성되는 제 2 디스클리네이션 방지패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

횡전계방식 액정표시소자{IN-PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것이다.
평판표시소자로서 최근 각광받고 있는 액정표시소자는 콘트라스트 비(contrast ratio)가 크고, 계조 표시나 동화상 표시에 적합하며 전력소비가 작다는 장점 때문에 활발한 연구가 이루어지고 있다.
특히, 얇은 두께로 제작될 수 있어 장차 벽걸이 TV와 같은 초박형(超薄形) 표시장치로 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 무게가 가볍고, 전력소비도 CRT 브라운관에 비해 상당히 적어 배터리로 동작하는 노트북 컴퓨터의 디스플레이로 사용되는 등, 차세대 표시장치로서 각광을 받고 있다. 또한, 소형 패널로 제작되어 휴대폰 디스플레이로도 사용되고 있어 그 활용이 다양하다.
이러한 액정표시소자는 액정의 성질과 패턴의 구조에 따라서 여러 가지 다양한 모드가 있다.
구체적으로, 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 후 전압을 가하여 액정 방향자를 제어하는 TN 모드(Twisted Nematic Mode)와, 한 화소를 여러 도메인으로 나눠 각각의 도메인의 주시야각 방향을 달리하여 광시야각을 구현하는 멀티도메인 모드(Multi-Domain Mode)와, 보상필름을 기판 외주면에 부착하여 빛의 진행방향에 따른 빛의 위상변화를 보상하는 OCB 모드(Optically Compensated Birefringence Mode)와, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성하여 액정의 방향자가 배향막의 나란한 평면에서 꼬이게 하는 횡전계방식(In-Plane Switching Mode)과, 네가티브형 액정과 수직배향막을 이용하여 액정 분자의 장축이 배향막 평면에 수직 배열되도록 하는 VA 모드(Vertical Alignment) 등 다양하다.
이중, 상기 횡전계방식 액정표시소자는 통상, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층을 구비한 컬러필터 기판과 박막 어레이 기판으로 구성된다.
즉, 상기 컬러필터 기판에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층이 형성된다.
그리고, 상기 박막 어레이 기판에는 단위 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 스위칭소자와, 서로 엇갈리게 교차되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성된다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 2-도메인 IPS 구조를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 횡전계방식 액정표시소자의 전압분포도이며, 도 3a 및 도 3b는 전압 무인가시 및 인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.
이하에서는 횡전계방식 액정표시소자의 박막 어레이 기판에 대해 주로 서술한다.
구체적으로, 상기 박막 어레이 기판 상에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판 상에 일방향으로 배열되는 게이트 배선(12)과 화소영역을 정의하기 위하여 상기 게이트 배선(12)에 수직한 방향으로 배열되고 꺽어지는 구조로 형성되는 데이터 배선(15)과, 상기 게이트 배선(12) 및 데이터 배선(15)의 교차 부위에 배치된 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 게이트 배선(12)과 평행하도록 화소 내에 배치된 공통배선(25)과, 상기 공통배선(25)에서 분기되어 꺽어지는 구조를 가지는 다수개의 공통전극(24)과, 상기 박막트랜지스터(TFT)에 연결되어 상기 공통전극(24) 사이에서 상기 공통전극에 평행하여 꺽어지는 구조를 가지는 다수개의 화소 전극(17)과, 상기 화소 전극(17)에서 연장되어 상기 공통배선(25) 상부에 오버랩되는 커패시터 전극(26)이 구비되어 있다.
상기 게이트 배선(12)을 포함한 전면에는 게이트절연막(도시하지 않음)이 더 구비되고, 상기 데이터 배선(15)을 포함한 전면에는 보호막(도시하지 않음)이 더 구비된다.
이 때, 상기 공통배선(25) 및 공통전극(24)은 일체형으로 형성되고, 상기 게이트 배선(12) 및 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 전극도 일체로 형성되며, 이러한 공통배선(25), 공통전극(24), 게이트 배선(12) 및 게이트 전극은 저저항 금속을 사용하여 동일층에서 일괄적으로 형성한다. 다만, 상기 공통 전극 중 화소 가장자리에 있는 공통전극은 상기 데이터 배선에 오버랩되도록 형성시켜 데이터 배선 부위에서 발생하는 빛샘을 차단할 수 있다.
그리고, 상기 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 재료로 사용하여 상기 공통전극(24)과 엇갈리게 교차할 수 있도록 다수개의 분기 형태로 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 콘택되어 전압을 인가받는다.
여기서, 상기 공통전극(24) 및 화소전극(17)은 일직선 형태로 교차 형성되어도 무방하지만, 도 1에 도시된 바와 같이, 지그재그(zigzag) 형태로 형성되어 액정이 2방향으로 배열되도록 할 수 있다. 이와같이, 각 화소 내의 도메인을 2영역으로 분할함으로써 시야각을 향상시키는데, 2-도메인을 형성하는 IPS 구조를 S-IPS(Super-IPS) 구조라 한다.
또한, 상기 공통배선(25) 상부에 오버랩된 커패시터 전극(26)은 그 사이에 개재된 게이트 절연막 및 보호막과 함께 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 구성하여 박막트랜지스터의 턴오프 구간에서 액정층에 충전된 전압을 유지시켜 기생용량에 의한 화질저하를 방지하는 역할을 한다.
이와같이, 구성된 횡전계방식 액정표시소자는, 도 2에 도시된 바와 같이, 공통전극(24)에 5V를 걸어주고 화소 전극(17)에 0V를 걸어주면 전극 바로 위의 부분에서는 등전위면이 전극에 평행하게 분포하고 두 전극 사이의 영역에서는 오히려 등전위면이 수직에 가깝도록 분포한다.
따라서, 전기장의 방향은 등전위면에 수직하므로 공통전극(24)과 화소 전극(17) 사이에서는 수직전기장보다는 수평전기장이, 각 전극 상에서는 수평전기장보다는 수직전기장이, 그리고 전극 모서리 부분에서는 수평 및 수직전기장이 복합적으로 형성된다.
횡전계방식 액정표시소자는 이러한 전기장을 이용하여 액정분자의 배열을 조절한다.
일예로, 도 3a에 도시된 바와 같이, 어느 한 편광판의 투과축과 동일한 방향으로 초기 배향된 액정분자(32)에 충분한 전압을 걸어주면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 액정분자(32)의 장축이 전기장에 나란하도록 배열된다. 만일, 액정의 유전율 이방성이 음이면 액정분자의 단축이 전기장에 나란하게 배열된다.
구체적으로, 대향 합착된 박막 어레이 기판 및 컬러필터 기판의 외주면에 부착된 제 1 ,제 2 편광판은 그 투과축이 서로 직교하도록 배치하고, 하부기판 상에 형성된 배향막의 러빙방향은 어느 한 편광판의 투과축과 나란하게 함으로써 흑색바탕모드(nomally black mode)가 되게 한다.
즉, 소자에 전압을 인가하지 않으면, 액정분자(32)가 도 3a에 도시된 바와 같이, 배열되어 블랙(black) 상태를 표시하고, 소자에 전압을 인가하면, 도 3b에 도시된 바와 같이, 액정분자(32)가 전기장에 나란하게 배열되어 화이트(white) 상태를 표시한다.
이 때, 공통전극(24) 및 화소전극(17)이 꺽어지는 구조로 형성되므로, 액정분자(32)가 2방향으로 배향되어 시야각이 향상된다.
다만, 전극이 꺽이는 부분(A)에서 액정분자(32)가 서로 다른 방향으로 배향되는데, 상기 경계 부분에서 빛샘이 발생하는 디스클리네이션 라인(Discrination Line)이 생겨 화질이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 지그재그 형태의 전극이 꺽이는 부분에서 디스클리네이션이 방지되고, 아울러 스토리지 커패시턴스이 증가되는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 기판 상에 일측으로 형성된 게이트 배선과, 상기 기판 상에서 꺽어지는 구조를 가지는 공통전극과, 상기 공통전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성된 제 1 디스클리네이션 방지패턴과, 상기 게이트 배선에 수직 교차하는 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 공통전극에 평행하며 꺽어지는 구조를 가지는 화소전극과, 상기 화소전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성되는 제 2 디스클리네이션 방지패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 본 발명은 상기 디스클리네이션 방지패턴에 커패시터 부가전극을 더 오버랩시킴으로써 스토리지 커패시턴스의 여유분을 확보하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의에 관해 구체적으로 서술하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이고, 도 5는 상기 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 횡전계방식 액정표시소자의 단면도이다.
그리고, 도 6A(Ⅰ) 및 6A(Ⅱ)는 본 발명에 의한 공통전극의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 6B(Ⅰ) 및 6B(Ⅱ)는 본 발명에 의한 화소전극의 구조를 나타낸 평면도이다.
본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 박막 어레이 기판은, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 상에 일방향으로 배열되는 게이트 배선(112)과 화소영역을 정의하기 위하여 상기 게이트 배선(112)에 수직한 방향으로 배열되고 꺽어지는 구조로 형성되는 데이터 배선(115)과, 상기 게이트 배선(112) 및 데이터 배선(115)이 교차되는 부위에서 스위칭 동작되어 해당 화소에 전압을 인가해 주는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 게이트 배선(112)에 평행하여 액티브 영역 외부에서 공통전극 신호를 인가받는 공통배선(125)과, 상기 공통배선(125)에서 분기되어 꺽어지는 구조를 가지는 복수개의 공통전극(124)과, 상기 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(115b)에 연결되어 상기 공통전극(124)에 평행하여 꺽어지는 구조를 가지는 화소전극(117)과, 상기 화소 전극(117)에서 연장되어 상기 공통배선(125) 상부에 오버랩되는 커패시터 전극(126)이 구비된다.
이 때, 상기 공통전극(124) 및 화소전극(117)이 꺽어지는 부분에는 디스클리네이션 라인을 방지하기 위해 디스클리네이션 방지패턴이 더 구비되는데, 상기 꺽어지는 부분에서 상기 공통전극(124)으로부터 일측으로 연장형성된 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131)과 상기 꺽어지는 부분에서 상기 화소전극(117)으로부터 일측으로 연장형성된 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)으로 구성된다.
상기 제 1 ,제 2 디스클리네이션 방지패턴(131,132)은 인접하는 전극의 모서리에 오버랩되는 위치까지 연장 형성된다.
이러한 제 1 ,제 2 디스클리네이션 방지패턴(131,132)에는 전압이 인가되므로 인접하는 전극과의 사이에 전기장이 형성되어 액정분자의 방향을 제어할 수 있게 된다.
즉, 전극이 꺽어지는 부분에 형성되는 액정분자들은, 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131)과 인접하는 화소전극(117) 사이에 형성된 전기장 및 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)과 인접하는 공통전극(124) 사이에 형성된 전기장에 의해 일정방향으로 배열된다.
따라서, 전극이 꺽어지는 부분에서의 디스클리네이션 라인의 발생을 방지할 수 있다.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 커패시터 전극(126)은 하부에 오버랩된 공통배선(125)과, 그 사이에 개재된 절연막과 더불어 스토리지 커패시터(Cst)를 구성하는데, 스토리지 커패시터는 기생용량 Cgs에 의한 화질저하를 방지하기 위해 대응하는 박막트랜지스터의 턴오프 구간에서 액정 커패시터에 충전된 전압을 유지시켜 주는 역할을 한다.
상기 기생 용량은 액정에 인가되는 교류전압에 대하여 직류 전압 오프셋(voltage offset), 즉 △V를 유발시키는데, 이러한 직류 전압 오프셋은 액정표시소자에 있어서, 화면의 깜빡임(flicker), 이미지 고착(image sticking), 화면 밝기의 뷸균일성 등의 좋지 않은 효과를 일으키므로, 스토리지 커패시터를 설계하여 △V의 변화를 줄일 필요가 있다.
특히, 커패시터가 가지는 커패시턴스를 증가시키면 화질이 상당히 향상되므로, 본 발명에서는 스토리지 커패시턴스를 증가시기 위해서, 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132) 하부에 제 1 커패시터 부가전극(150)을 더 구비하여 제 1 부가 커패시터(Cst')를 구성한다. 그리고, 상기 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131) 상부에 제 2 커패시터 부가전극(151)을 더 구비하여 제 2 부가 커패시터(Cst')를 구성한다.
이러한 상기 제 1 커패시터 부가전극(150)은 상기 공통전극(124)이 꺽어지는 부분에서 상기 공통전극으로부터 연장형성되어 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)에 오버랩된다.
결국, 상기 공통전극(124)은, 도 6A(Ⅰ)에 도시된 바와 같이, 공통배선(125)에서 분기되어, 그 꺽어지는 부분에서 일측으로는 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131)을 가지게 되고, 다른 일측으로는 제 1 커패시터 부가전극(150)을 가지게 된다. 여기서, 상기 공통전극(124), 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131), 제 1 커패시터 부가전극(150)은 일체형으로 서로 연결된다.
다만, 상기 제 1 커패시터 부가전극(150)은 저저항 금속층으로 형성되어 빛을 차광하고 또한, 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)과 공통전극(124) 사이에 형성되는 전기장을 방해하지 않아야 하므로, 상기 제 1 커패시터 부가전극(150)은 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)에 비해 그 크기가 작아야 한다.
한편, 상기 게이트 배선(112)을 포함한 전면에는 게이트절연막(113)이 더 구비되어 게이트 배선층과 데이터 배선층을 절연시키고, 상기 데이터 배선(115)을 포함한 전면에는 보호막(116)이 더 구비되어 데이터 배선층과 화소전극을 절연시킨다.
이 때, 상기 게이트 절연막(113)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기 절연물질을 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착하여 형성하고, 상기 보호막(116)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 증착하거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질과 같은 유기 절연물질을 도포하여 형성한다.
따라서, 상기 박막트랜지스터(TFT)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 배선(112)에서 분기되는 게이트 전극(112a)과, 상기 게이트 전극(112a)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 비정질 실리콘(a-Si) 및 비정질 실리콘에 불순물을 이온 주입한 n+a-Si을 차례로 증착하여 형성된 반도체층(114)과, 상기 데이터 배선(115)에서 분기되어 상기 반도체층(114) 양 끝에 각각 형성되는 소스 전극(115a) 및 드레인 전극(115b)으로 구성되어 단위 화소에 인가되는 전압의 온/오프를 제어한다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)의 커패시터 전극(126)과 공통배선(125) 사이에 개재되는 절연막은 게이트 절연막(113) 및 보호막(116)의 적층막이 되고, 제 1 부가 커패시터(Cst')의 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)과 제 1 커패시터 부가전극(150) 사이에 개재되는 절연막도 게이트 절연막(113) 및 보호막(116)의 적층막이 된다.
이상에서, 상기의 박막 어레이 기판의 게이트 배선(112), 게이트 전극(112a), 공통배선(125), 공통전극(124), 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131) 및 제 1 커패시터 부가전극(150)은, 도 6A(Ⅰ)에 도시된 바와 같이, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 저저항 금속을 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착하고 패터닝하여 동일층에 일괄적으로 형성한다.
이 때, 상기 공통배선(125), 공통전극(24), 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131) 및 제 1 커패시터 부가전극(150)이 서로 일체형으로 형성되고, 상기 게이트 배선(12) 및 게이트 전극(112a)이 서로 일체형으로 형성된다. 다만, 도 6A(Ⅱ)에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 커패시터 부가전극(150)을 형성하지 않고 공통배선(125), 공통전극(24), 제 1 디스클리네이션 방지패턴(131)만을 형성할 수도 있을 것이다.
그리고, 상기의 화소전극(117), 커패시터 전극(126) 및 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)은, 도 6B(Ⅰ)에 도시된 바와 같이, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 스퍼터링 방법으로 증착하고 패터닝하여 동일층에 일괄적으로 형성하며, 상기 화소전극(117), 커패시터 전극(126) 및 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)은 서로 일체형으로 형성된다. 다만, 도 6B(Ⅱ)에 도시된 바와 같이, 제 2 커패시터 부가전극(151)을 더 구비하여 상기 화소전극(117), 커패시터 전극(126) 및 제 2 디스클리네이션 방지패턴(132)과 일체형으로 형성할 수도 있을 것이다.
상기 공통전극(124) 및 화소전극(117)은 지그재그 형태로 서로 평행하도록 형성되며, 단위 화소내에서 여러번 꺽어지는 구조를 가질 수도 있고, 단위 화소 중간에서 한번 꺽어지는 구조를 가질 수도 있다.
이상으로 상기의 박막 어레이 기판은 스토리지 커패시턴스도 증가되고 디스클리네이션도 방지되는 2-도메인의 S-IPS 구조가 된다.
도시하지는 않았으나, 상기의 박막 어레이 기판에는 일정한 순서로 배열되어 색상을 구현하는 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue)의 컬러필터층과, R,G,B 셀 사이의 구분과 광차단 역할을 하는 블랙 매트릭스가 구비된 컬러필터 기판이 대향 합착되고, 상기 두 기판 사이에 유전 이방성을 갖는 액정층이 형성되어 횡전계방식 액정표시소자가 된다.
상기 횡전계방식 액정표시소자는 복수개의 박막트랜지스터에 구동 전압을 주어 동일 개수의 화소 전극을 활성 시키고, 화소 전극과 공통 전극 사이에 형성되는 횡전계에 의해 액정을 배열시켜 광 투과율을 조절함으로써 화상을 구현하게 된다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
즉, 상기 실시예에서는 데이터 배선이 꺽이는 구조를 가지는 경우에 한정하여 설명하였으나, 꺽이는 구조가 아닌 데이터 배선에 교차하는 게이트 배선이 꺽이는 구조를 가질 때에도 본 발명의 적용이 가능하다. 이때, 공통전극과 화소전극은 게이트 배선 측으로 꺽여 평행하게 형성된다.
한편, 꺽이는 구조를 가지는 데이터 배선에 교차하는 게이트 배선도 꺽이는 구조를 가질 수 있는데, 이 경우에도 본 발명의 적용이 가능하다. 이 때, 공통전극과 화소전극은 게이트 배선 또는 데이터 배선 중 어느 한 배선측으로 꺽여 평행하게 형성된다.
상기와 같은 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 화소전극과 일체형인 디스클리네이션 방지패턴에 공통전극과 일체형인 커패시터 부가전극을 더 구비하여 오버랩시킴으로써 스토리지 커패시턴스를 증가시킨다.
또는, 공통전극과 일체형인 디스클리네이션 방지패턴에 화소전극과 일체형인 커패시터 부가전극을 더 구비하여 오버시킴으로써 스토리지 커패시턴스를 증가시킨다.
둘째, 화소전극 및 공통전극이 꺽이는 부분에 상기 제 1 ,제 2 디스클리네이션 방지패턴을 구비하여 액정분자의 배열을 원하는 방향으로 제어함으로써, 디스클리네이션이 방지되는 2-도메인의 횡전계방식 액정표시소자를 획득할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 2-도메인 IPS 구조를 나타낸 평면도.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 횡전계방식 액정표시소자의 전압분포도.
도 3a 및 도 3b는 전압 무인가시 및 인가시에서의 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 4는 본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 5는 상기 도 4의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 횡전계방식 액정표시소자의 단면도.
도 6A(Ⅰ) 및 6A(Ⅱ)는 본 발명에 의한 공통전극의 구조를 나타낸 평면도.
도 6B(Ⅰ) 및 6B(Ⅱ)는 본 발명에 의한 화소전극의 구조를 나타낸 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
112 : 게이트 배선 112a : 게이트 전극
114 : 반도체층 115 : 데이터 배선
115a : 소스 전극 115b : 드레인 전극
117 : 화소전극 124 : 공통전극
125 : 공통배선 126 : 커패시터 전극
131,132 : 제 1 ,제 2 디스클리네이션 방지패턴
150, 151 : 제 1 ,제 2 커패시터 부가전극

Claims (18)

  1. 기판 상에 일측으로 형성된 게이트 배선;
    상기 기판 상에서 꺽어지는 구조를 가지는 공통전극;
    상기 공통전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성된 제 1 디스클리네이션 방지패턴;
    상기 게이트 배선에 수직 교차하는 데이터 배선;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선에 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터;
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되고 상기 공통전극에 평행하며 꺽어지는 구조를 가지는 화소전극; 및
    상기 화소전극이 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성되는 제 2 디스클리네이션 방지패턴을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극의 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성되는 제 1 커패시터 부가전극을 더 포함함을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 커패시터 부가전극은 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극의 꺽어지는 부분에서 일측으로 연장형성되는 제 2 커패시터 부가전극을 더 포함함을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 커패시터 부가전극은 상기 제 1 디스클리네이션 방지패턴에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터 배선은 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극은 상기 데이터 배선 측으로 꺽어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선은 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극은 상기 게이트 배선 측으로 꺽어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선은 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공통전극과 화소전극은 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선 중 어느 한 배선 측으로 꺽어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극과 일체형인 공통배선이 더 구비되고, 상기 공통전극 및 공통배선은 상기 게이트 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 공통배선 상부에서 일체형으로 연결되어 스토리지 커패시터를 구성하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  14. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 커패시터 부가전극과 제 2 디스클리네이션과 그 사이에 개재된 절연막에 의해 제 1 부가 커패시터가 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  15. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 커패시터 부가전극과 제 1 디스클리네이션과 그 사이에 개재된 절연막에 의해 제 2 부가 커패시터가 구성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  16. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 커패시터 부가전극은 상기 제 2 디스클리네이션 방지패턴보다 그 크기가 작은 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  17. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 커패시터 부가전극은 상기 제 1 디스클리네이션 방지패턴보다 그 크기가 작은 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 배선을 포함한 전면에 게이트 절연막이 더 구비되고, 상기 데이터 배선을 포함한 전면에 보호막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
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