KR20050060995A - A test-material holder for a infrard spectrometer - Google Patents
A test-material holder for a infrard spectrometer Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050060995A KR20050060995A KR1020030092740A KR20030092740A KR20050060995A KR 20050060995 A KR20050060995 A KR 20050060995A KR 1020030092740 A KR1020030092740 A KR 1020030092740A KR 20030092740 A KR20030092740 A KR 20030092740A KR 20050060995 A KR20050060995 A KR 20050060995A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sample
- wafer
- sample holder
- infrared spectrometer
- frame
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/027—Control of working procedures of a spectrometer; Failure detection; Bandwidth calculation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/02—Devices for withdrawing samples
- G01N1/10—Devices for withdrawing samples in the liquid or fluent state
- G01N1/18—Devices for withdrawing samples in the liquid or fluent state with provision for splitting samples into portions
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Hydrology & Water Resources (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명은 적외선 분광기의 시료홀더에 대한 것이다. 적외선 분광기로 웨이퍼 시료의 상태평가를 수행하는 웨이퍼 측정 스테이지에 걸쳐서 사용하는 잉곳 단면 시료를 지지하는 적외선 분광기의 시료홀더로, 상기 웨이퍼 측정 스테이지에 걸쳐지며, 중앙에는 적외선의 투과를 위한 중공이 형성된 프레임과; 상기 프레임의 상부에 다양한 규격의 시료를 지지 고정할 수 있도록 서로 다른 폭으로 형성된 복수개의 홀딩가이드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a sample holder of an infrared spectrometer. A sample holder of an infrared spectrometer that supports an ingot cross-section sample to be used over a wafer measuring stage for performing a condition evaluation of a wafer sample with an infrared spectroscope. and; It characterized in that it comprises a plurality of holding guides formed in different widths to support and fix the samples of various specifications on the upper portion of the frame.
Description
본 발명은 적외선 분광기의 시료홀더에 대한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 시료에 대한 측정 스테이지에 설치되는 보조 스테이지에 각기 다른 잉곳의 규격에 대응하는 폭의 홀딩가이드를 구비하여 잉곳 단면시료의 측정을 용이하게 하는 적외선 분광기의 시료홀더에 대한 것이다.The present invention relates to a sample holder of an infrared spectrometer, and more particularly, an auxiliary stage installed on a measuring stage for a wafer sample is provided with holding guides having widths corresponding to the specifications of different ingots to facilitate measurement of ingot cross-section samples. It is for a sample holder of an infrared spectrometer.
실리콘 잉곳의 성장과정에서 잉곳 내에 포함된 산소농도 및 탄소농도 등은 실리콘 잉곳과 그 잉곳으로부터 제조된 실리콘 웨이퍼의 특성을 결정하는 중요한 요소 중의 하나이다. 따라서 실리콘 잉곳의 성장에 있어서는 적당한 샘플을 취하여 잉곳에 포함된 산소나 탄소농도가 적정한 범위 내에 있는지를 평가하는 것이 필요하다.Oxygen concentration and carbon concentration contained in the ingot during the growth of the silicon ingot is one of important factors that determine the characteristics of the silicon ingot and the silicon wafer manufactured from the ingot. Therefore, in growing a silicon ingot, it is necessary to take an appropriate sample and evaluate whether the oxygen or carbon concentration contained in the ingot is within an appropriate range.
실리콘 잉곳 내부에 포함되는 산소나 탄소의 농도를 측정하는 가장 편리하면서도 정확한 방법 중의 하나가 도 1과 같은 적외선 분광기(FT-IR : Fourier Transformation Infrared Spectrometer)(10)를 이용한 측정이다.One of the most convenient and accurate methods for measuring the concentration of oxygen or carbon contained in the silicon ingot is a measurement using an infrared spectrometer (FT-IR) such as FIG. 1.
적외선 분광기(10)는 분자안에서의 원자간의 진동에너지를 이용하여 원자의 조성을 확인할 수 있는 장비로서 산소의 경우 Si-O의 1107cm-1의 파수에서의 웨이브의 피크를 이용하여 산소농도를 측정하는 방법에 의하고 있다.Infrared spectrometer 10 includes a method of measuring the oxygen concentration by using the peaks of the wave at 1107cm -1 in the case of the oxygen-Si-O as the equipment to check the composition of the atom using the vibration energy between atoms in the molecule frequency It is by.
이러한 적외선 분광기(10)(특히 모델명 QS312)는 6, 8, 12인치 웨이퍼(W)에 대해서는 시료 웨이퍼(W)를 홀딩할 수 있는 스테이지(15)를 구비하고 있다. 적외선발생장치(11)가 적외선을 상방에서 쬐여주고, 스테이지(15) 하방의 디택터(17)에서 쬐어준 적외선의 상태를 분석하는 것에 의해 웨이퍼(W)에 포함되어진 산소농도의 측정이 이루어진다. The infrared spectrometer 10 (particularly, model name QS312) includes a stage 15 capable of holding the sample wafer W for 6, 8, and 12 inch wafers W. As shown in FIG. Measurement of the oxygen concentration contained in the wafer W is carried out by analyzing the state of the infrared rays emitted by the decanter 17 below the stage 15 by the infrared ray generating apparatus 11 irradiating infrared rays from above.
그러나, 상기와 같은 방법에 의하는 종래의 적외선 분광기에 의한 잉곳시료의 평가에는 다음과 같은 문제점이 있어 왔다.However, there have been the following problems in the evaluation of an ingot sample by a conventional infrared spectrometer by the above method.
종래의 적외선 분광기(10)는 웨이퍼 시료에 대해서는 규격별로 측정을 위한 스테이지(통상의 경우 원형)가 구비되어 있으나, 도 2에 도시된 바와 같은 웨이퍼로 제조되는 잉곳(IG)의 단면시료(T)(보통 사각형상의 평판)의 경우에는 시료를 안정하게 홀딩할 수 있는 장치가 구비되어 있지 않다. Conventional infrared spectroscopy 10 is provided with a stage (normally circular) for the measurement for each wafer sample, but the cross-sectional sample (T) of the ingot (IG) made of a wafer as shown in FIG. In the case of a (normally rectangular flat plate), a device capable of stably holding a sample is not provided.
따라서 잉곳 단면 시료(T)에 대한 측정을 수행하는 경우에는, 특정규격의 웨이퍼 시료를 측정하는 측정 스테이지(15)에 규격 웨이퍼(W)를 놓고, 그 위에 잉곳 단면시료(T)를 올려놓아 측정을 수행하였다.Therefore, when performing the measurement on the ingot cross-sectional sample (T), the standard wafer (W) is placed on the measuring stage (15) for measuring a wafer sample of a specific standard, and the ingot cross-sectional sample (T) is placed thereon for measurement. Was performed.
그런데, 이러한 시료홀딩 방법에 의하는 경우에는, 특히 12인치 웨이퍼(W)로 제작되는 잉곳의 단면시료(T)의 경우는 시료가 크기 때문에, 측정시 시료의 마운팅이나 회전시 스테이지(15)에서 떨어지거나 위치이동을 하게 되는 경우가 자주 발생하는 문제가 있어 왔다.However, in the case of the sample holding method, since the sample is large in the case of the end face sample T of the ingot made of the 12-inch wafer W, in the stage 15 during the mounting or rotation of the sample at the time of measurement, There has been a problem that often occurs falling or repositioning.
이 경우는, 시료에 대한 측정과정에서 작업자에게 큰 불편을 주고, 시료에 대한 적정한 측정의 범위가 확보되지 않기 때문에 측정 결과의 신뢰성을 해하게 된다.In this case, the operator is greatly inconvenienced in the measurement process of the sample, and the reliability of the measurement result is deteriorated because the appropriate range of measurement for the sample is not secured.
본 발명의 목적은, 다양한 규격의 잉곳 단면시료를 적외선 분광기를 이용하여 용이하게 상태 평가를 가능하게 하는 적외선 분광기의 시료홀더를 구현하는 것이다. It is an object of the present invention to implement a sample holder of an infrared spectrometer that enables easy evaluation of the condition of ingot cross-section samples of various standards using an infrared spectrometer.
본 발명의 다른 목적은, 다양한 규격의 잉곳 단면시료를 안정되게 마운팅하여 적정한 측정의 범위를 확보하여 측정의 신뢰성을 높이는 것이 가능한 적외선 분광기의 시료홀더를 구현하는 것이다.Another object of the present invention is to implement a sample holder of an infrared spectrometer capable of stably mounting ingot cross-section samples of various standards to secure an appropriate measurement range and to increase the reliability of the measurement.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 적외선 분광기의 시료홀더는, 적외선 분광기로 웨이퍼 시료의 상태평가를 수행하는 웨이퍼 측정 스테이지에 걸쳐서 사용하는 잉곳 단면 시료를 홀딩하는 적외선 분광기의 시료홀더로, 상기 웨이퍼 측정 스테이지에 걸쳐지며, 중앙에는 적외선의 투과를 위한 중공이 형성된 프레임과; 상기 프레임의 상부에 다양한 규격의 시료를 지지 고정할 수 있도록 서로 다른 폭으로 형성된 복수개의 홀딩가이드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A sample holder of an infrared spectrometer according to the present invention for achieving the above object is a sample holder of an infrared spectroscope for holding an ingot cross-section sample used over a wafer measuring stage for performing a condition evaluation of a wafer sample with an infrared spectrometer, wherein the wafer A frame over the measuring stage, the center having a hollow for transmitting infrared rays; It characterized in that it comprises a plurality of holding guides formed in different widths to support and fix the samples of various specifications on the upper portion of the frame.
상기 웨이퍼 측정스테이지는 12인치 웨이퍼의 적외선 분광기에 의한 상태평가를 수행하는 측정스테이지인 것을 특징으로 한다.The wafer measuring stage is characterized in that the measuring stage for performing a condition evaluation by the infrared spectroscopy of the 12-inch wafer.
상기 프레임은 웨이퍼의 형상에 대응하는 원판형상의 스테이지인 것을 특징으로 한다.The frame is characterized in that the disk-shaped stage corresponding to the shape of the wafer.
상기 프레임의 외곽에는 상기 웨이퍼 측정 스테이지의 웨이퍼 안착부에 걸쳐지도록 외측으로 돌설된 홀딩플랜지를 구비하는 것을 특징으로 한다.An outer portion of the frame may include a holding flange protruding outward to cover the wafer seating portion of the wafer measuring stage.
상기 중공은 각 홀딩가이드의 폭의 중앙부분을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 한다.The hollow is characterized in that it is formed through the central portion of the width of each holding guide.
상기 홀딩가이드는 각각 6인치, 8인치, 12인치의 사각형으로 제작되는 잉곳의 단면시료의 규격에 각각 대응되는 폭으로 형성되는 것을 특징으로 한다. The holding guides are formed to have widths corresponding to the specifications of the cross-sectional samples of the ingots, which are manufactured in squares of 6 inches, 8 inches, and 12 inches, respectively.
상기 중공은 상기 홀더가이드의 폭의 중앙부분에서 일측이 더 큰 폭을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 한다.The hollow is characterized in that one side is formed to a greater width in the center portion of the width of the holder guide.
상기 프레임은 PVC재질로 형성되는 것을 특징으로 한다.The frame is characterized in that formed of PVC material.
본 발명은 상기와 같은 구성에 의해 웨이퍼의 시료홀더에 본 발명의 시료홀더를 걸쳐 사용할 수 있으며, 다양한 규격의 시료를 안착시켜 측정을 수행할 수 있기 때문에, 적외선 분광기에 의한 측정의 편의를 도모할 수 있고 잉곳의 품질에 대한 정확한 평가를 수행할 수 있게 된다. The present invention can be used over the sample holder of the present invention to the sample holder of the wafer by the configuration as described above, it is possible to facilitate the measurement by the infrared spectrometer because the measurement can be carried out by seating a sample of various standards And an accurate assessment of the quality of the ingot.
이하 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 적외선 분광기의 시료홀더의 바람직한 실시예의 구성을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a configuration of a preferred embodiment of a sample holder of an infrared spectrometer according to the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 실시예의 적외선 분광기의 시료홀더의 구성을 예시한 평면도이고, 도 4는 본 실시예의 시료홀더의 단면도이다.3 is a plan view illustrating the structure of a sample holder of the infrared spectrometer of the present embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the sample holder of the present embodiment.
도시된 본 실시예의 적외선 분광기의 시료홀더(20)는, 적외선 분광기(10)로 웨이퍼 시료의 상태평가를 수행하는 웨이퍼 측정 스테이지(15)에 걸쳐서 사용하는 보조스테이지로, 규격 웨이퍼 측정 스테이지(15)에서는 측정이 어려운 잉곳(IG) 단면 시료(T)의 홀딩을 위해 제작된 것이다.The sample holder 20 of the infrared spectrometer of this embodiment shown is an auxiliary stage used over the wafer measurement stage 15 for performing the condition evaluation of the wafer sample with the infrared spectroscope 10, and the standard wafer measurement stage 15 In is designed for holding the ingot (IG) cross-section sample (T) difficult to measure.
본 실시예의 시료홀더(20)는 웨이퍼의 측정 스테이지(15)에 걸쳐지는 것이고 웨이퍼의 측정 스테이지(15)가 원형 고리모양을 이루기 때문에, 시료홀더의 프레임(21)은 원형 고리모양의 스테이지(15)에 대응하는 원판형상이다.Since the sample holder 20 of the present embodiment spans the measurement stage 15 of the wafer and the measurement stage 15 of the wafer forms a circular annular shape, the frame 21 of the sample holder has a circular annular stage 15. ) Is a disc shape corresponding to
그리고, 적외선 분광기(10)는 반사되는 파가 아닌 투과되는 파의 진폭을 측정하는 것이기 때문에, 시료의 측정범위에 해당하는 프레임(21)의 중앙부분은 웨이브의 투과를 위해 제거되어 중공(23)이 형성된 구조이다. In addition, since the infrared spectrometer 10 measures the amplitude of the transmitted wave, not the reflected wave, the center portion of the frame 21 corresponding to the measurement range of the sample is removed for the transmission of the wave and the hollow 23 This is a formed structure.
본 실시예의 프레임(21)의 상면에는 다양한 규격의 시료(T)를 지지 고정할 수 있도록 서로 다른 폭으로 형성된 복수개의 홀딩가이드(25,26,27)가 형성되어 있다. 잉곳(IG)의 규격은 그 잉곳(IG)으로부터 제조하고자 하는 웨이퍼의 규격에 따라 달리 정해지는 것이고, 웨이퍼(W)의 규격이 6, 8, 12인치로 제조되기 때문에, 실리콘 잉곳(IG)도 그에 대응하는 직경을 가진 단결정 봉의 형상으로 제조된다.On the upper surface of the frame 21 of the present embodiment, a plurality of holding guides 25, 26, and 27 formed in different widths are formed to support and fix the specimens T of various standards. The size of the ingot IG is determined differently according to the size of the wafer to be manufactured from the ingot IG. Since the size of the wafer W is manufactured in 6, 8, and 12 inches, the silicon ingot IG is also determined. It is made in the shape of a single crystal rod having a corresponding diameter.
본 실시예에서 홀딩가이드(25,26,27)는 6, 8, 12인치의 잉곳의 단면시료(T)에 대응하는 폭의 요형홈으로 형성된다. 본 실시예에서는 12인치 웨이퍼(W)에 대한 측정 스테이지(15)에 걸쳐 사용할 수 있는 시료홀더(20)를 제작하였기 때문에, 6, 8인치 잉곳의 단면시료(T)에 대해서는 해당규격의 폭을 가지는 요형홈으로 홀딩가이드(25,26)를 형성시킬 수 있다.In the present embodiment, the holding guides 25, 26, and 27 are formed with concave grooves having a width corresponding to the end face sample T of 6, 8, and 12 inches of ingot. In this embodiment, since the sample holder 20 that can be used across the measuring stage 15 for the 12-inch wafer W is manufactured, the width of the standard for the cross-sectional sample T of the 6- and 8-inch ingots is determined. The branch may form the holding guides 25 and 26 by the recessed grooves.
6인치의 잉곳 단면시료는 일반적으로 0 내지~125mm의 폭을 갖고, 8인치의 잉곳 단면시료는 0 내지 205mm의 폭을 가지므로 각각의 폭보다 약간 더 큰 폭의 홀딩가이드(25,26)를 형성시킨다. 6-inch ingot cross-section samples typically have a width of 0-125 mm, and 8-inch ingot cross-section samples have a width of 0-205 mm, so that holding guides 25, 26 are slightly larger than their respective widths. To form.
즉, 본 실시예에서는 6인치 잉곳 단면시료(T)를 위한 홀딩가이드(25)의 폭은 130mm이며, 8인치 잉곳 단면시료를 위한 홀딩가이드(26)의 폭은 210mm로 제작된다.That is, in this embodiment, the width of the holding guide 25 for the 6-inch ingot cross-sectional sample (T) is 130mm, the width of the holding guide 26 for the 8-inch ingot cross-section sample is made of 210mm.
12인치 잉곳(IG)의 경우에는 단면으로 절단한 시료는 0 내지 235 정도의 폭을 갖기 때문에 이 경우 잉곳 단면시료를 위한 홀딩가이드(27)의 전체폭은 약 240mm가 되도록 하였다. 그리고, 12인치 잉곳 단면시료는 측정대상이 보통 대략 160 mm정도의 폭을 갖기 때문에 우측 홀딩가이드(27) 를 중앙에서 115 mm로 하여 단면시료 전체를 우측 홀딩가이드에 올려놓고 측정을 할 수 있는 구조이다.In the case of 12-inch ingot IG, the sample cut into the cross section has a width of about 0 to 235, so in this case, the overall width of the holding guide 27 for the ingot cross section sample was about 240 mm. In addition, the 12-inch ingot cross section sample has a width of about 160 mm, so the right holding guide 27 is 115 mm from the center, and the entire cross section sample can be placed on the right holding guide. to be.
본 실시예의 중공(23)은 프레임(21)의 중앙부분, 즉 각 홀딩가이드(25,26,27) 폭의 중앙부분에 형성되는데, 프레임(21)이 전체길이에 걸쳐서 6인치 잉곳 단면시료를 홀딩하는 홀딩가이드(25)의 폭보다 작은 폭인 110mm의 폭으로 형성된다.The hollow 23 of the present embodiment is formed in the center portion of the frame 21, that is, the center portion of the width of each holding guide 25, 26, 27, the frame 21 is a six-inch ingot cross-section sample over the entire length The width of the holding guide 25 to hold the width of less than 110mm is formed.
그리고, 단면시료(T)의 전체면 특히 방사방향에 대한 적절한 관찰범위가 확보되어야 하므로, 단면시료(T)의 방사방향의 관찰이 유리하도록 홀딩가이드의 중심에서 일측으로 중공(23)의 중심이 이동되어 있다.In addition, since the proper observation range of the whole surface of the cross section sample T, in particular in the radial direction, should be secured, the center of the hollow 23 is one side from the center of the holding guide to favor the observation of the radial direction of the cross section sample T. It is moved.
본 실시예의 시료홀더(20)는 원형고리형상의 웨이퍼 측정스테이지(15)에 걸쳐서 사용하는 것이므로, 시료홀더(20)를 웨이퍼 측정스테이지(15)에 홀딩하기 위한 홀딩수단이 구비된다.Since the sample holder 20 of the present embodiment is to be used over the circular ring wafer measuring stage 15, holding means for holding the sample holder 20 to the wafer measuring stage 15 is provided.
본 실시예의 홀딩수단은 프레임(21)의 외곽을 따라 외측으로 돌설된 홀딩플랜지(29)로 프레임(21)을 웨이퍼 측정 스테이지(15)의 상부에 올려놓게 되면, 홀딩플랜지(29)가 측정 스테이지(15)의 테두리에 걸쳐져서 고정되고, 프레임(21)의 상부에는 잉곳 단면시료(T)의 마운팅이 가능하게 된다.The holding means of the present embodiment is a holding flange 29 protruding outward along the outside of the frame 21 when the frame 21 is placed on top of the wafer measuring stage 15, the holding flange 29 is measured stage It is fixed over the edge of (15), and mounting of the ingot cross-section sample T on the upper part of the frame 21 is attained.
또한 본 실시예의 시료홀더(20)는 측정시 필요에 따라 변형시켜 사용할 수 있도록 제작과 변형이 용이한 PVC 재료를 사용하고 있다.In addition, the sample holder 20 of the present embodiment uses a PVC material that is easy to manufacture and deform so that it can be deformed as necessary when measuring.
이하 상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 적외선 분광기의 시료홀더의 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation of the sample holder of the infrared spectrometer according to the present invention having the configuration as described above.
적외선 분광기(10)를 사용하여 실리콘 잉곳 단면시료(T)에 대한 산소나 탄소의 농도를 측정하고자 하는 경우에는, 웨이퍼의 측정 스테이지(15)에 본 실시예의 시료홀더(20)를 마운팅하여 사용하게 된다.In order to measure the concentration of oxygen or carbon with respect to the silicon ingot cross-section sample T using the infrared spectrometer 10, the sample holder 20 of this embodiment is mounted on the wafer measuring stage 15 for use. do.
본 실시예의 시료홀더(20)를 측정 스테이지(15)의 상부에 마운팅하고, 시료홀더(20)의 프레임의 상부에 측정하고자 하는 잉곳 단면시료(20)를 해당 홀더가이드(25,26,27)의 측벽에 일면이 고정되게 마운팅하고 측정을 수행하게 된다.The sample holder 20 of this embodiment is mounted on the upper part of the measuring stage 15, and the ingot end face sample 20 to be measured on the upper part of the frame of the sample holder 20 is corresponding to the holder guides 25, 26 and 27. One side is fixedly mounted on the side wall and the measurement is performed.
적외선 분광기(10)를 작동하여 상부에서 적외선을 쪼여주게 되면, 프레임(21)에 형성된 중공(23)을 통하여 쪼여준 적외선의 파형에 변형이 발생하게 되고, 쪼여준 적외선의 종류 및 세기와 잉곳 단면시료(T)를 투과한 적외선의 파형과 파의세기로부터 시료에 포함된 산소나 탄소의 양의 측정이 가능하게 된다.When the infrared spectrometer 10 is operated to split infrared rays from the top, deformation occurs in the waveform of infrared rays split through the hollow 23 formed in the frame 21, and the type and intensity of the split infrared rays and the ingot It is possible to measure the amount of oxygen or carbon contained in the sample from the waveform and intensity of the infrared ray transmitted through the sample T.
본 발명의 권리범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 정해지며, 특허청구범위에 기재된 사항과 동일성 범위에서 당업자가 행한 다양한 변형과 개작을 포함함은 자명하다.The scope of the present invention is not limited to the above embodiments, but is determined by the matters described in the claims, and it is obvious that the present invention includes various modifications and adaptations made by those skilled in the art in the same range as the matters described in the claims.
본 발명은 상기와 같은 구성에 의하여, 적외선분광기(QS312)의 웨이퍼 스테이지(12인치 웨이퍼 스테이지)에 보조적인 스테이지를 로딩하여 웨이퍼 시료 뿐만 아니라 잉곳 단면에 대한 다양한 규격의 시료에 대해서도 용이하게 적외선 분광기에 의한 측정을 가능하게 한다.According to the above configuration, the secondary stage is loaded on the wafer stage (12-inch wafer stage) of the infrared spectroscope (QS312) so that the infrared spectrometer can be easily applied not only to wafer samples but also to samples of various specifications for ingot cross sections. Enable measurement.
또한 본 발명에 의하는 경우는, 잉곳의 규격에 따라 형성된 홀딩가이드에 시료를 안착시킬 수 있기 때문에, 측정과정에서 시료의 이탈과 위치이동을 방지할 수 있어 측정의 편의를 도모할 수 있게 된다. In addition, in the case of the present invention, since the sample can be seated on the holding guide formed according to the specification of the ingot, it is possible to prevent the separation of the sample during the measurement process and to move the position, so as to facilitate the measurement.
그리고, 측정과정에서의 시료의 마운팅 과정의 반복에 의한 측정오류를 방지할 수 있고, 잉곳시료의 규격에 따라 적정한 관찰범위가 확보될 수 있으므로 시료의 상태에 대한 신뢰성 있는 평가가 수행될 수 있게 된다. In addition, the measurement error can be prevented by repeating the mounting process of the sample in the measurement process, and the proper observation range can be secured according to the specification of the ingot sample, so that a reliable evaluation of the state of the sample can be performed. .
도 1은 적외선 분광기의 시료홀더를 예시한 사시도.1 is a perspective view illustrating a sample holder of an infrared spectrometer.
도 2는 실리콘 단결정의 단면시료를 예시한 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional sample of a silicon single crystal.
도 3은 본 발명에 의한 적외선 분광기의 시료홀더의 바람직한 실시예의 구성을 예시한 평면도.3 is a plan view illustrating the configuration of a preferred embodiment of a sample holder of an infrared spectrometer according to the present invention;
도 4는 본 발명에 의한 적외선 분광기의 시료홀더의 단면도.4 is a cross-sectional view of a sample holder of an infrared spectrometer according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10.........적외선 분광기 11.........적외선 발생장치10 ......... Infrared spectrometer 11 ......... Infrared generator
15.........스테이지 17.........디택터15 ......... Stage 17 ......... Detective
20.........시료홀더 21.........프레임20 ......... Sample Holder 21 ......... Frame
23.........중공 25,26,27...홀딩가이드23 ...... Hollow 25, 26, 27 ... Holding guide
W..........웨이퍼 IG.........잉곳W .......... Wafer IG ......... Ingot
T..........단면시료 T ..........
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030092740A KR20050060995A (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | A test-material holder for a infrard spectrometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030092740A KR20050060995A (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | A test-material holder for a infrard spectrometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050060995A true KR20050060995A (en) | 2005-06-22 |
Family
ID=37253624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030092740A KR20050060995A (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | A test-material holder for a infrard spectrometer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050060995A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101064481B1 (en) * | 2009-06-22 | 2011-09-15 | (주)이빛 | Apparatus for mixing sample |
| WO2017034190A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 한국표준과학연구원 | Sample chamber device for electron microscope, and electron microscope comprising same |
| CN110530818A (en) * | 2019-09-04 | 2019-12-03 | 中国计量大学 | A kind of planchet holding car li class product and the application at source tracing to the source |
-
2003
- 2003-12-17 KR KR1020030092740A patent/KR20050060995A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101064481B1 (en) * | 2009-06-22 | 2011-09-15 | (주)이빛 | Apparatus for mixing sample |
| WO2017034190A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 한국표준과학연구원 | Sample chamber device for electron microscope, and electron microscope comprising same |
| US10312049B2 (en) | 2015-08-21 | 2019-06-04 | Korea Research Institute Of Standards And Science | Sample chamber device for electron microscope, and electron microscope comprising same |
| CN110530818A (en) * | 2019-09-04 | 2019-12-03 | 中国计量大学 | A kind of planchet holding car li class product and the application at source tracing to the source |
| CN110530818B (en) * | 2019-09-04 | 2024-01-05 | 中国计量大学 | Sample vessel for containing cherry products and application of sample vessel in origin tracing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0744209B2 (en) | Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length from linear constant photon flux photovoltage measurements | |
| JP2012248876A (en) | Apparatus and method for batch non-contact material characterization | |
| CN104040355A (en) | Multi-cuvette autosampler for photo-optical measurements | |
| KR20050060995A (en) | A test-material holder for a infrard spectrometer | |
| KR101890772B1 (en) | A method for measuring bulk impurities of semiconductor materials using edge - on photoluminescence | |
| US5729149A (en) | Apparatus for holding a testing substrate in a semiconductor wafer tester and method for using the same | |
| US20050237058A1 (en) | Method of quantifying magnetic resonance spectrum | |
| EP0239260A2 (en) | Grading orientation errors in crystal specimens | |
| US9470712B1 (en) | Apparatus and method for atomic force probing/SEM nano-probing/scanning probe microscopy and collimated ion milling | |
| KR101481456B1 (en) | A magnetic type sample holder | |
| US6760403B2 (en) | Method and apparatus for orienting a crystalline body during radiation diffractometry | |
| US20110020957A1 (en) | Positioning of semiconductor substrates in a furnace | |
| KR101005364B1 (en) | A fixing device for wafer test fragment | |
| JP2904191B2 (en) | X-ray diffraction microscope and X-ray diffraction microscope | |
| JP4578315B2 (en) | Wafer positioning jig, wafer fixing stand, and wafer analysis method | |
| TWI646323B (en) | Silicon crystal material detection method and detection device | |
| JPH1123495A (en) | Sample support for fluorescent x-ray analysis and sample holder | |
| US6707056B2 (en) | Stage rotation system to improve edge measurements | |
| KR20240122104A (en) | XRD Calibration Analysis Holder with Standard Specimen | |
| CN221148484U (en) | Calibration device of silicon wafer production line measuring equipment based on Fourier infrared principle | |
| JPH112614A (en) | X-ray measuring method of single crystal axial orientation and device | |
| CN219901895U (en) | Clamp for substrate stress detection | |
| JPS58178948A (en) | Sampling device for electron-ray radiating type analyzer | |
| CN113611627A (en) | Method and device for testing carrier concentration of silicon carbide epitaxial layer | |
| JP2010245165A (en) | Method for manufacturing power semiconductor device and apparatus for manufacturing power semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |