KR20050030778A - Reticle having improved overlay key - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 개선된 오버레이 키를 갖는 레티클에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조공정 중에 오버레이 정도를 측정할 수 있는 오버레이 키의 크기가 크고 그 패턴이 단순하여 패터닝 시 발생하는 단차에 의해 형성된 간섭무늬에 의해 발생하는 미스 오버레이를 방지하기 위해 오버레이 키가 개선된 레티클에 관한 것이다.The present invention relates to a reticle having an improved overlay key. More particularly, the present invention relates to an interference pattern formed by a step generated during patterning because the size of the overlay key for measuring the overlay degree during semiconductor manufacturing process is large and the pattern is simple. An overlay key is directed to an improved reticle to prevent miss overlays caused by.
반도체 디바이스가 고집적화됨에 따라 공정의 정밀도가 증대되고, 반도체는 여러 번의 증착공정과 포토, 식각 공정을 통해 완성된다. 포토 공정은 웨이퍼 상에 미세패턴을 형성하기 위하여 웨이퍼 상에 포토 레지스트를 도포하고, 레티클 마스크에 형성된 회로 패턴을 전사하기 위하여 도포된 포토 레지스트를 노광하고, 노광된 포토 레지스트를 현상하는 일련의 공정을 여러번 반복하여 수행하게 된다.As semiconductor devices are highly integrated, the precision of the process is increased, and the semiconductor is completed through several deposition processes, a photo process, and an etching process. The photo process is a series of processes for applying photoresist on a wafer to form a fine pattern on the wafer, exposing the applied photoresist to transfer the circuit pattern formed on the reticle mask, and developing the exposed photoresist. Repeat this several times.
상기 포토 공정이 반복되면, 이전 공정에서 형성된 패턴과 현 공정에서 형성될 패턴의 위치를 맞추는 작업이 필요하다. 왜냐하면, 현 단계의 레티클의 마스크 패턴을 전사하려면 웨이퍼가 이전 패턴 형성 단계에서와 같은 위치에 있어야만 정확한 층간 패턴이 맞추어져 전기적인 접속을 할 수 있기 때문이다.If the photo process is repeated, it is necessary to align the pattern formed in the previous process with the position of the pattern to be formed in the current process. This is because, in order to transfer the mask pattern of the reticle in this step, the wafer must be in the same position as in the previous pattern formation step so that the accurate interlayer pattern can be matched and electrically connected.
이에, 상기 패턴이 기재되어 있는 레티클을 포함하는 마스크와 웨이퍼의 위치를 확인하는 정렬을 이루기 위해 상기 마스크의 소정영역에 정렬 마크를 마련하여 웨이퍼 상에 패턴과 함께 노광하는데, 이를 오버레이 키라고 한다.Thus, in order to achieve alignment between the mask including the reticle in which the pattern is described and the position of the wafer, an alignment mark is provided in a predetermined area of the mask and exposed together with the pattern on the wafer, which is called an overlay key.
상기 오버레이 키는 도 1a에 도시된 바와 같이, 유리 기판으로 구성된 레티클(R)의 중심부에 형성된 메인패턴(1)의 외측 즉, 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(3)상에 전사되도록 형성되며 이전 스텝에서 형성된 사각박스 형태의 이너 마크(5,5')와 상기 이너 마크(5,5')보다 작거나 크게 현재 스텝에서 형성된 아우터 마크(7,7')로 구성되어 웨이퍼(W) 상에 전사된다.The overlay key is formed to be transferred to the scribe line 3 of the wafer W outside of the main pattern 1 formed at the center of the reticle R made of the glass substrate, as shown in FIG. 1A. The inner mark 5, 5 'formed in the step and the outer mark 7, 7' formed in the current step smaller or larger than the inner mark 5, 5 'formed in the step are formed on the wafer W. Is transferred.
상기 웨이퍼(W) 상에 전사된 메인패턴(1a) 및 오버레이 키(9a)는 식각공정을 통해 전사된 형태대로 식각되어 패턴을 형성하고, 연마공정을 통해 웨이퍼(W)의 상면을 균일하게 연마한다.The main pattern 1a and the overlay key 9a transferred onto the wafer W are etched to form a pattern transferred through an etching process, and uniformly polish the upper surface of the wafer W through a polishing process. do.
따라서, 오버레이 정렬은 패터닝 된 오버레이 키(9a)의 이너 마크(5,5')와 아우터 마크(7,7')간의 거리를 측정함으로써 수행된다. 즉, 이전 스텝에서 웨이퍼(W) 상에 이미 형성된 패턴과 현재 스텝에서 형성된 패턴간의 오버레이 정렬을 하게 된다.Thus, overlay alignment is performed by measuring the distance between the inner marks 5, 5 'of the patterned overlay key 9a and the outer marks 7, 7'. That is, overlay alignment is performed between the pattern already formed on the wafer W in the previous step and the pattern formed in the current step.
그런데, 종래의 이러한 오버레이 키(9)는 1~3um정도의 선 폭을 유지하는데 이는, 메인패턴(1)을 형성하는 선 폭 0.15um정도의 수준보다 10배 이상 선 폭으로 굵게 형성된다.However, the conventional overlay key 9 maintains a line width of about 1 to 3 μm, which is formed to be 10 times or more thicker than the level of about 0.15 μm of the line width forming the main pattern 1.
따라서, 웨이퍼(W)를 패터닝하는 과정에서 메인패턴(1)의 경우는 비스듬하게 패터닝 되어도 패터닝을 구성하는 선의 폭이 좁아서 그 오차범위가 미소하게 발생하지만, 오버레이 키(9)를 구성하는 패턴은 그 패턴을 구성하는 선의 폭이 넓고, 단순하여 패터닝될 때, 비스듬하게 패터닝 되면 도 1b에 도시된 바와 같이, 마치 별도의 패턴이 패터닝 된 것처럼 간섭무늬를 형성하여 레티클(R) 상의 선 폭보다 실제로 웨이퍼(W)상에 전사된 선의 폭이 넒어져 오차범위가 커지는 문제점이 발생한다.Therefore, in the process of patterning the wafer W, even if the main pattern 1 is patterned at an angle, the width of the lines constituting the patterning is narrow, so that an error range occurs slightly, but the pattern constituting the overlay key 9 When the width of the line constituting the pattern is wide and simple and is patterned, when it is patterned obliquely, as shown in FIG. A problem arises in that the width of the transferred line on the wafer W is reduced and the error range is increased.
예를 들면, 레티클(R)에 형성된 오버레이 키(9)의 폭이 2um이라면, 웨이퍼(W)에 메인패턴(1a) 및 오버레이 키(9a)가 전사된 후, 식각을 통해 오버레이 키(9a)의 일면이 비스듬하게 패터닝 되면 연마공정을 거친 오버레이 키(9a)의 선 폭은 2.5um의 선 폭을 유지하게 된다. 따라서, 오버레이 정렬을 수행하기 위하여 웨이퍼(W)상에 패터닝 된 아우터 마크와 이너 마크 사이의 거리를 측정할 때 오차가 0.5um발생하는 문제점이 발생한다.For example, if the width of the overlay key 9 formed on the reticle R is 2 μm, after the main pattern 1a and the overlay key 9a are transferred to the wafer W, the overlay key 9a is etched through etching. When one side of the pattern is obliquely, the line width of the overlay key 9a which has been polished is maintained at a line width of 2.5 μm. Therefore, when measuring the distance between the outer mark and the inner mark patterned on the wafer W in order to perform the overlay alignment, a problem occurs that an error occurs 0.5um.
또한, 오버레이 과정에서 오차가 발생함에 따라 미스 오버레이를 발생시켜 다음 스텝에서 웨이퍼(W) 상에 올바르게 패터닝되지 않으므로 반도체 디바이스 생산수율이 하락하는 문제점이 발생한다.In addition, as an error occurs in the overlay process, a miss overlay is generated and thus the semiconductor device production yield is lowered because it is not correctly patterned on the wafer W in the next step.
따라서, 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 오버레이 키를 형성하는 패턴의 선 폭을 줄여 패터닝 과정에서 발생하는 오차범위를 줄이도록 오버레이 키가 개선된 레티클을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention to solve the above problems is to provide a reticle with an improved overlay key to reduce the error range generated during the patterning process by reducing the line width of the pattern forming the overlay key.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼의 칩상에 형성되는 메인패턴의 선 폭과 동일한 선 폭을 가지며 상기 칩과 칩의 경계를 이루는 스크라이브 라인 상에 형성된 오버레이 키를 제공한다.The present invention for achieving the above object provides an overlay key formed on the scribe line forming a boundary between the chip and the chip having a line width equal to the line width of the main pattern formed on the chip of the wafer.
또한, 상기 메인패턴의 패턴과 동일한 패턴을 갖는 오버레이 키인 것이 바람직하다.Also, it is preferable that the overlay key has the same pattern as the pattern of the main pattern.
그리고, 다각형의 영역을 가지며 그 영역내에 복수의 라인이 형성된 기준키와, 상기 기준키의 내부에 형성되며 상기 기준키와 동일한 형태의 다각형으로 이루어지되 상기 기준키와 크기가 다르게 형성되며 그 영역내에 형성되는 복수의 라인이 상기 기준키의 라인과 교차하게 형성된 보조키를 포함하는 것이 바람직하다.And a reference key having a polygonal area and formed with a plurality of lines in the area, and a polygon formed in the reference key and having the same shape as that of the reference key, but different in size from the reference key. Preferably, the plurality of lines formed include auxiliary keys formed to intersect the lines of the reference key.
상기 다각형은 4각형인 것이 바람직하다.Preferably, the polygon is quadrangular.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 오버레이 키를 형성하는 반도체 제조설비를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 3a,3b는 본 발명에 따른 오버레이 키가 형성된 레티클을 도시한 도면이다.FIG. 2 is a view schematically illustrating a semiconductor manufacturing apparatus for forming an overlay key according to the present invention, and FIGS. 3A and 3B illustrate a reticle having an overlay key according to the present invention.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 포토 설비(60)는 전체적으로 보아 소정 파장의 빛을 발생시키는 광원(10), 상기 광원(10)의 하부에 설치되며 웨이퍼(W)에 형성할 패턴과 동일한 패턴이 형성된 패턴 마스크인 레티클(R), 상기 레티클(R)의 하부에 설치되어 레티클(R)을 통과한 빛을 소정 비율로 축소하여 웨이퍼(W)에 조사하는 축소투영렌즈(40) 및 웨이퍼(W)를 고정 및 웨이퍼(W)의 레벨을 조정하는 웨이퍼 척(미도시)으로 구성된다.As shown in these figures, the photo equipment 60 has a light source 10 that generates light of a predetermined wavelength as a whole, and a pattern identical to a pattern to be formed on the lower portion of the light source 10 and formed on the wafer W. The reticle R, which is a formed pattern mask, is installed under the reticle R, and the light projection lens 40 and the wafer W that reduce the light passing through the reticle R at a predetermined ratio to irradiate the wafer W. ) Is configured as a wafer chuck (not shown) for fixing and adjusting the level of the wafer (W).
여기서, 상기 레티클(R)은 웨이퍼(W)에 패턴을 형성하기 위한 투명 기판으로서, 그 중심부에 형성된 메인패턴(22)과 상기 메인패턴(22)의 일측 즉, 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인(24) 상에 전사되도록 형성된 오버레이 키(30)로 구성된다.Here, the reticle R is a transparent substrate for forming a pattern on the wafer W, and the main pattern 22 formed at the center thereof and one side of the main pattern 22, that is, the scribe line of the wafer W And an overlay key 30 formed to be transferred on 24.
이때, 상기 오버레이 키(30)는 도 3a 또는 도 3b에 도시된 바와 같이, 다각형의 영역을 갖도록 형성되는 기준키(31)와 상기 기준키(31)와 같은 모양을 갖되 크기가 다르게 형성된 보조키(33)로 구성되며, 상기 기준키(31) 및 보조키(33)는 메인패턴(22)과 같은 선 폭 및 같은 모양을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the overlay key 30 has the same shape as the reference key 31 and the reference key 31 formed to have a polygonal area, but has a different size as shown in FIG. 3A or 3B. The reference key 31 and the auxiliary key 33 are preferably formed to have the same line width and the same shape as the main pattern 22.
또한, 상기 다각형의 영역은 사각형의 영역인 것이 바람직하다. In addition, the polygonal region is preferably a rectangular region.
즉, 상기 메인패턴(22)의 선 폭이 0.15um이면, 상기 오버레이 키(30)의 선 폭도 0.15um 수준으로 형성되되 기준키(31)를 구성하는 라인은 이전 스텝의 메인패턴(22)과 동일하게 형성되고, 보조키(33)를 구성하는 라인은 상기 기준키(31)의 라인 위에 현 스탭의 메인패턴(22)과 동일하게 형성되어 상기 기준키(31)와 보조키(33)의 라인 모양이 교차되게 형성되는 것이 바람직하다.That is, if the line width of the main pattern 22 is 0.15 um, the line width of the overlay key 30 is also formed at a level of 0.15 um, and the lines constituting the reference key 31 are connected to the main pattern 22 of the previous step. The line formed in the same manner and forming the auxiliary key 33 is formed on the line of the reference key 31 in the same manner as the main pattern 22 of the current staff, so that the reference key 31 and the auxiliary key 33 It is preferable that the line shapes are formed to intersect.
이하에서는 이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 개선된 오버레이 키를 갖는 레티클을 통해 작용 및 효과를 설명한다The following describes, by this arrangement, the actions and effects through a reticle having an improved overlay key according to the invention.
먼저, 포토설비(60)의 현 스텝에 사용될 레티클(R)을 설치함과 아울러, 웨이퍼(W)가 로딩된 웨이퍼 척을 소정의 위치에 위치시킨 후, 광원(10)을 발광시키면 그 빛이 레티클(R)을 통과하여 축소투영렌즈(40)를 통해 웨이퍼(W)에 레티클(R)의 메인패턴(22) 및 오버레이 키(30)가 웨이퍼(W) 상에 전사된다.First, the reticle R to be used in the current step of the photo equipment 60 is installed, and the wafer chuck loaded with the wafer W is placed at a predetermined position. Then, when the light source 10 emits light, the light is emitted. After passing through the reticle R, the main pattern 22 and the overlay key 30 of the reticle R are transferred onto the wafer W through the reduction projection lens 40.
이때, 상기 웨이퍼(W) 상에 전사된 오버레이 키(30a)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 메인패턴(22a)과 동일하게 전사되고, 기준키(31a)를 형성하게 된다.In this case, the overlay key 30a transferred onto the wafer W is transferred in the same manner as the main pattern 22a as shown in FIG. 4A and forms the reference key 31a.
다음, 상기 레티클(R)은 다음 스텝의 패턴이 형성된 것으로 교체되고, 상기 웨이퍼(W)는 전사된 패턴대로 식각공정 및 연마공정을 거친 후 다시 상기 포토설비(60)의 웨이퍼 척에 로딩되어 상기 기준키(31)와 소정 간격을 유지하는 위치에 설치된다.Next, the reticle R is replaced with a pattern having a next step, and the wafer W is loaded on the wafer chuck of the photo equipment 60 after the etching process and the polishing process according to the transferred pattern. It is provided in the position which keeps a predetermined space | interval with the reference key 31. As shown in FIG.
교체된 레티클(R)에 의해 전술한 바와 같은 과정을 통해 웨이퍼(W) 상에 패턴이 전사되는데 이때, 상기 웨이퍼(W) 상에 전사된 현 스텝의 메인패턴(22a')과 동일한 모양을 갖는 보조키(33a)가 전사되고, 식각공정 및 연마공정을 거친다. The pattern is transferred onto the wafer W by the replaced reticle R as described above, and has the same shape as the main pattern 22a 'of the current step transferred onto the wafer W. The auxiliary key 33a is transferred, and undergoes an etching process and a polishing process.
여기서, 상기 보조키(33a)는 도 4b에 도시된 바와 같이, 이전 스텝에서 전사된 상기 기준키(31a) 위에 교차되게 전사된다.Here, the auxiliary key 33a is transferred to cross on the reference key 31a transferred in the previous step, as shown in FIG. 4B.
이 후, 다음 스텝의 패턴을 전사하기 위해 웨이퍼 척에 로딩된 웨이퍼(W)와 레티클(R)은 포토설비(60)의 도시되지 않은 계측기를 통해 상기 기준키(31a)와 보조키(33a) 사이의 거리를 측정하여 각 스텝을 통해 패터닝 된 웨이퍼(W)의 오버레이 정렬을 수행한다.Thereafter, the wafer W and the reticle R loaded on the wafer chuck to transfer the pattern of the next step are transferred to the reference key 31a and the auxiliary key 33a through a measuring instrument (not shown) of the photo equipment 60. The distance between them is measured to perform overlay alignment of the patterned wafer W through each step.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 개선된 오버레이 키를 갖는 레티클은 오버레이 키를 구성하는 라인의 선 폭이 메인패턴과 동일한 수준의 선 폭으로 형성되므로 패터닝 과정에서 비스듬하게 패터닝 되거나 식각과정에서 패턴의 식각이 덜 됨에 따른 오차범위를 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, the reticle having the improved overlay key according to the present invention is formed at the same line width as the main pattern because the line width of the line constituting the overlay key is obliquely patterned during the patterning process or the pattern of the pattern during the etching process. There is an effect to reduce the error range due to less etching.
또한, 포토 설비에서 오버레이 계측치와의 오차값으로 인한 미스오버레이를 방지하므로 반도체 디바이스 생산 수율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, in the photo equipment, since the mis-overlay due to the error value with the overlay measurement value is prevented, it is effective to improve the semiconductor device production yield.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by those equivalent to the claims.
도 1a, 1b는 종래의 오버레이 키가 형성된 레티클을 도시한 도면,1A and 1B illustrate a reticle having a conventional overlay key formed thereon;
도 2는 본 발명에 따른 오버레이 키를 형성하는 반도체 제조설비를 개략적으로 도시한 도면,2 schematically illustrates a semiconductor manufacturing facility for forming an overlay key according to the present invention;
도 3a,3b는 본 발명에 따른 오버레이 키가 형성된 레티클을 도시한 도면,3A and 3B illustrate a reticle having an overlay key formed thereon according to the present invention;
도 4a, 4b는 본 발명에 따른 오버레이 키가 패터닝 된 웨이퍼의 일부를 확대 도시한 도면이다.4A and 4B are enlarged views of a portion of a wafer on which an overlay key is patterned according to the present invention.
* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *Brief description of the main symbols in the drawings
R : 레티클 W : 웨이퍼R: Reticle W: Wafer
10 : 광원 22 : 메인패턴10: light source 22: main pattern
24 : 스크라이브 라인 30 : 오버레이 키24: scribe line 30: overlay key
31 : 기준키 33 : 보조키31: reference key 33: auxiliary key
40 : 축소투영렌즈 60 : 포토설비40: reduction projection lens 60: photo equipment
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030066935A KR20050030778A (en) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Reticle having improved overlay key |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030066935A KR20050030778A (en) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Reticle having improved overlay key |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050030778A true KR20050030778A (en) | 2005-03-31 |
Family
ID=37386958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030066935A KR20050030778A (en) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Reticle having improved overlay key |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050030778A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070120870A (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | Overlay vernier key and method for forming contact hole of semiconductor device by using the same |
| WO2018166211A1 (en) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Chip, manufacturing method, and mobile terminal |
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2003
- 2003-09-26 KR KR1020030066935A patent/KR20050030778A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070120870A (en) * | 2006-06-20 | 2007-12-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | Overlay vernier key and method for forming contact hole of semiconductor device by using the same |
| WO2018166211A1 (en) * | 2017-03-13 | 2018-09-20 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Chip, manufacturing method, and mobile terminal |
| US11056479B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-07-06 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Chip, manufacturing method, and mobile terminal |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |