KR20050026231A - Lead frame stucture and semi-conductor package using it - Google Patents

Lead frame stucture and semi-conductor package using it Download PDF

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Abstract

A lead frame structure and a semiconductor package using the same are provided to increase the number of input/output and to enhance heat dissipation effect by using an enhanced support member. A lead frame structure includes a support member(110) for loading stably a semiconductor chip, a plurality of tie bars, a plurality of pin type inner leads, an outer lead(140) prolonged from each inner lead to the outside, and dam bars. The support member is composed of a nonconducting lower tape pad, a conductive lead, and a nonconducting upper tape pad. Each tie bar(120) for supporting and fixing the support member is connected with a corner of the support member. The plurality of pin type inner leads(130) are spaced apart from the support member and connected with input/output terminals of the chip by using conductive wires. Each dam bar(150) is vertically connected with the inner and outer leads.

Description

리드프레임 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지{Lead Frame Stucture and Semi-conductor Package using it}Lead frame structure and semi-conductor package using it

본 발명은 리드프레임 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 리드프레임의 반도체 칩 탑재영역을 테이프와 도전성리드로 이루어진 구조로 대체하여 반도체 칩의 입출력단자의 수를 확장시키고 열방출이 용이한 리드프레임 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame structure and a semiconductor package using the same. More specifically, the semiconductor chip mounting area of the lead frame is replaced with a structure consisting of a tape and a conductive lead, thereby expanding the number of input / output terminals of the semiconductor chip and dissipating heat. The present invention relates to an easy lead frame structure and a semiconductor package using the same.

일반적으로 리드 프레임(Lead Frame)이란 반도체 칩의 입/출력 패드와 메인 보드에 형성된 전기 회로를 연결시켜 주는 전선(Lead) 역할과 반도체 패키지를 메인 보드에 고정시켜 주는 버팀대(Frame)의 역할을 동시에 수행하는 재료를 말하며, 반도체 패키지는 각종 전자 회로 및 배선이 형성된 단일 소자, 집적 회로, 또는 하이브리드 회로 등의 반도체 칩을 먼지, 습기, 전기적, 기계적 부하 등의 각종 외부 환경으로부터 보호하고 상기 반도체 칩의 성능을 최적화, 극대화 시키기위해 전술한 리드 프레임 등을 이용해 메인 보드로의 신호 인출 단자를 형성하고 봉지재 등을 이용하여 봉지한 것을 말한다.In general, a lead frame serves as a lead connecting an input / output pad of a semiconductor chip with an electric circuit formed on a main board and a frame for fixing a semiconductor package to the main board. It refers to a material to be performed, and the semiconductor package protects a semiconductor chip such as a single element, an integrated circuit, or a hybrid circuit in which various electronic circuits and wiring are formed from various external environments such as dust, moisture, electrical, mechanical load, and the like. In order to optimize and maximize the performance, the signal lead terminal to the main board is formed by using the above-described lead frame and the like and encapsulated using an encapsulant.

상기한 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지는 여러 종류가 있지만 최근에는 대부분 플라스틱의 한 종류인 EMC(Epoxy Molding Compound)를 이용해 만든 수지봉지형이고, 메인 보드에 실정되는 실장 형식으로 구분한다면 삽입형과 표면 실장형으로 크게 분류할 수 있으며 다시 삽입형으로 대표적인 것들은 SIP(Single Inline Package), DIP(Dual Inline Package)등이 있고, 표면 실장형으로 대표적인 것들은 SOP(Small Outline Package), QFP(Quad Flat Package)등이로 구분할 수 있다.There are many kinds of the above-described lead frame and semiconductor package using the same, but recently, most of them are resin-encapsulated made of EMC (Epoxy Molding Compound), and are classified into an insert type and a surface mount if they are classified into a mounting type mounted on a main board. Types can be largely classified into types, and the typical insert types include SIP (Single Inline Package), DIP (Dual Inline Package), and surface mount types are SOP (Small Outline Package) and QFP (Quad Flat Package). Can be divided into

상기한 반도체 패키지들은 모두 유사한 형태로서 메인 보드로 인출되는 리드의 형태(삽입형, 표면 실장형의 J형, Gull형) 또는 상기 반도체 패키지에서 리드 인출시 그 면의 갯수(Single, Dual, Quad)등으로 구분하기 때문에 여기서는 종래의 기술을 QFP를 중심으로해서 설명하면 다음과 같다.All of the above semiconductor packages are similar in shape (insertion type, surface mount type J type, Gull type) or lead number drawn out from the semiconductor package (Single, Dual, Quad), etc. In the following description, the prior art will be described based on QFP.

도 1내지 도 2는 종래 리드 프레임의 구조 및 그를 이용한 반도체 패키지를 도시한 평면도 및 단면도이다.1 to 2 are plan views and cross-sectional views illustrating a structure of a conventional lead frame and a semiconductor package using the same.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 리드프레임은 구리(Cu) 또는 Alloy(Fe+Ni) 재질로서 반도체 칩이 탑재되는 사각 모양의 반도체 칩 탑재판(110')과, 상기 반도체 칩 탑재판(110')을 지지 및 고정시키는 다수개의 타이바(Tie-Bar)(120')와, 반도체 칩의 외부 단자인 각 입/출력 패드로부터 전도성 와이어에 의해 연결되는다수의 내부리드(130')와, 상기 내부리드(130')로부터 연장되는 외부리드(140')와, 상기 내부리드(130')와 외부리드(140')를 경계 짓는 댐바(150')로 구성된다.As shown in FIG. 1, a conventional lead frame includes a quadrangular semiconductor chip mounting plate 110 ′ on which a semiconductor chip is mounted as copper (Cu) or alloy (Fe + Ni) material, and the semiconductor chip mounting plate ( A plurality of tie-bars 120 'for supporting and fixing 110', and a plurality of inner leads 130 'connected by conductive wires from respective input / output pads that are external terminals of the semiconductor chip; And an outer lead 140 'extending from the inner lead 130', and a dam bar 150 'which borders the inner lead 130' and the outer lead 140 '.

상기한 리드프레임을 이용한 종래의 반도체 패키지는 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 칩 탑재판(110')을 지지 및 고정시키는 타이바(120' ; 미도시)와, 반도체 칩(186')의 입/출력 단자로부터 전도성 와이어(182')에 의하여 연결되는 다수의 내부 리드(130')와, 상기 내부리드(130')로부터 연장되어 봉지재(188')의 외측면으로 나와 위치되어 외부 연결 단자(핀) 구실을 하는 다수의 외부리드(140')와, 반도체 칩(186')이 접착제(184')에 의해 부착고정된 반도체 칩 탑재판(110')과, 반도체 칩(186'), 전도성 와이어(182'), 내부 리드(130')를 감싸는 봉지제(188')와, 반도체 칩(186')과 반도체 칩 탑재판(110')위에 반도체 칩(186')을 고정시켜주는 접착제(184')와, 각종 전기 전자의 회로 소자 및 배선이 적층되어 집적되고 다수의 입/출력 패드가 그 표면에 형성된 반도체 칩(186')로 구성되어 있다.A conventional semiconductor package using the lead frame includes a tie bar 120 '(not shown) for supporting and fixing the semiconductor chip mounting plate 110' and a semiconductor chip 186 ', as shown in FIG. A plurality of inner leads 130 'connected by the conductive wires 182' from the input / output terminals, and extending from the inner leads 130 'to the outer surface of the encapsulant 188' to be externally connected. A plurality of external leads 140 'serving as terminals (pins), a semiconductor chip mounting plate 110' to which the semiconductor chip 186 'is fixed by an adhesive 184', and a semiconductor chip 186 '. And an encapsulant 188 'surrounding the conductive wire 182' and the inner lead 130 'and fixing the semiconductor chip 186' on the semiconductor chip 186 'and the semiconductor chip mounting plate 110'. The adhesive 184 ', circuit elements and wirings of various electric and electronic devices are stacked and integrated, and a plurality of input / output pads are formed of a semiconductor chip 186' formed on the surface thereof. There.

그러나 이와 같은 종래의 리드프레임을 이용한 반도체 패키지의 입출력 갯수는 와이어본딩된 내부리드의 수에 따라 결정되기 때문에 그 수를 물리적으로 늘리는데 한계가 있고 더 많은 입/출력을 얻기 위해서는 BGA같은 다른 공정을 선택해야하고 패키지내의 리드프레임이 외부와 접촉되는 부분이 없어 내부의 열을 방출하기 어려운 문제점이 있다.However, since the number of input / output of the semiconductor package using the conventional leadframe is determined by the number of wire-bonded internal leads, there is a limit in physically increasing the number and selecting another process such as BGA to obtain more input / output. And there is a problem that the lead frame in the package is difficult to dissipate the heat inside because there is no part in contact with the outside.

본 발명은 위와같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리드프레임의 반도체 칩 탑재영역을 테이프와 도전성리드로 이루어진 구조로 대체하여 반도체 칩의 입/출력단자의 수를 확장시키고 반도체 칩 탑재영역을 외부로 노출시켜 열방출이 용이한 리드프레임 구조 및 이를 이용한 반도체 패키지를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above problems, by replacing the semiconductor chip mounting area of the lead frame with a structure consisting of a tape and a conductive lead to extend the number of input and output terminals of the semiconductor chip and expose the semiconductor chip mounting area to the outside The present invention provides a lead frame structure that facilitates heat dissipation and a semiconductor package using the same.

상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 본 발명에 의한 리드프레임 구조는, 반도체칩이 안착되는 지지부재와, 상기 지지부재 각변에 연결되어 중앙의 지지부재를 지지 및 고정시키는 다수개의 타이바와, 상기 지지부재를 향하여 일정거리 떨어져 위치하며 지지부재를 향해서 뻗어있는 다수개의 핀형태로 이루어진 내부리드와, 상기 각각의 내부리드로부터 외부로 연장되는 외부리드와, 상기 내부리드와 외부리드에 수직으로 연결되어 그 내부리드와 외부리드를 연결하는지지 및 분리하는 댐바를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.As a means for achieving the above object, the lead frame structure according to the present invention includes a support member on which a semiconductor chip is seated, a plurality of tie bars connected to each side of the support member to support and fix a central support member, and the support. An inner lead formed of a plurality of pins positioned at a predetermined distance away from the member and extending toward the support member; an outer lead extending outwardly from each of the inner leads; and vertically connected to the inner lead and the outer lead. It characterized in that it comprises a dam bar for supporting and separating the inner lead and the outer lead.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 의한 리드프레임 구조를 도시한 평면도이다. 도 3a를 참조하면, 반도체칩이 안착되는 지지부재(110)와, 상기 지지부재 각변에 연결되어 중앙의 지지부재(110)를 지지 및 고정시키는 다수개의 타이바(120)와, 상기 지지부재(110)를 향하여 일정거리 떨어져 위치하며 지지부재(110)를 향해서 뻗어있는 다수개의 핀형태로 이루어진 내부리드(130)와, 상기 각각의 내부리드(130)로부터 외부로 연장되는 외부리드(140)와, 상기 내부리드(130)와 외부리드(140)에 수직으로 연결되어 그 내부리드(130)와 외부리드(140)를 지지 및 분리하는 댐바(150)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.3A is a plan view illustrating a leadframe structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3A, a support member 110 on which a semiconductor chip is seated, a plurality of tie bars 120 connected to each side of the support member to support and fix the center support member 110, and the support member ( An inner lead 130 formed of a plurality of pins positioned at a predetermined distance toward the support member 110 and extending toward the support member 110, and an outer lead 140 extending outward from each of the inner leads 130; It is characterized in that it comprises a dam bar 150 connected to the inner lead 130 and the outer lead 140 vertically to support and separate the inner lead 130 and the outer lead 140.

도 3b는 도 3a의 A-A'선을 도시한 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3A.

도 3c는 도 3b의 사시도 및 분해사시도이다.3C is an exploded perspective view and perspective view of FIG. 3B.

상기 지지부재(110)는, 도 3b내지 도 3c를 참조하면, The support member 110, referring to Figure 3b to 3c,

BGA(Ball Grid Array)을 하기위한 솔더볼(Solder Ball)이 부착할 정도의 소정의 크기의 다수개의 홀(Hole)이 일정간격을 가지며 대략 사각라인 형태로 형성된 비전도성의 하부테이프패드(114)와, 상기 하부테이프패드(114)의 생성된 홀과 같은 수를 가지며 긴 직사각형의 판모양으로 하부테이프패드(114) 상부의 홀을 독립적으로 덮은후 소정의 여분이 남을정도의 크기인 도전성리드(111)와, 상기 도전성리드(111)의 높이와 같고 상기 도전성리드(111)에 둘러쌓은 내부를 채워주는 사각형의 비전도성인 중간테이프패드(115)와, 상기 도전성리드(111)의 일부분만을 노출한채로 도전성리드(111)의 일부와 상기 중간테이프(115)를 덮는 사각형의 판형태의 비전도성인 상부테이프패드(116)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The non-conductive lower tape pad 114 is formed in a substantially rectangular line shape with a plurality of holes having a predetermined size to which a solder ball for a ball grid array (BGA) is attached. The conductive lead 111 having the same number as the holes formed in the lower tape pad 114 and having a length of a predetermined length remaining after independently covering a hole in the upper portion of the lower tape pad 114 with a long rectangular plate shape. ), A rectangular non-conductive intermediate tape pad 115 having the same height as that of the conductive lead 111 and filling the inside surrounded by the conductive lead 111, and only a portion of the conductive lead 111 is exposed. Part of the furnace conductive lead 111 and the intermediate tape 115 is characterized by consisting of a non-conductive upper tape pad 116 of the rectangular plate shape.

이하, 본 발명의 바람직한 또다른 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, another preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4a는 본 발명의 또다른 일실시예에 의한 리드프레임 구조를 도시한 평면도이다. 도 4a를 참조하면, 본 발명에 의한 리드프레임 구조는, 반도체칩이 안착될 지지부재(310)와, 각변의 모서리에 연결되어 중앙의 지지부재(310)를 지지 및 고정시키는 다수개의 타이바(320)와, 중앙의 지지부재를 향하고 일정거리 떨어져 위치하며 반도체칩의 입/출력단으로부터 전도성 와이어에 의해 연결되는 다수개의 핀형태로 이루어진 내부리드(330)와, 각각의 내부리드(330)로부터 외부로 연장되는 외부리드(340)와, 내부리드(330)와 외부리드(340)에 수직으로 연결되어 그 내부리드(330)와 외부리드(340)를 지지 및 분리하는 댐바(350)를 포함하여 이루어진 것을 그 특징으로 한다.Figure 4a is a plan view showing a lead frame structure according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4A, a lead frame structure according to the present invention includes a support member 310 on which a semiconductor chip is to be seated, and a plurality of tie bars connected to corners of each side to support and fix the center support member 310. 320, an inner lead 330 having a plurality of pin shapes connected to the center supporting member by a conductive wire from an input / output end of the semiconductor chip, and an outer portion of each inner lead 330; It includes an outer lead 340 extending to the, and the dam bar 350 that is vertically connected to the inner lead 330 and the outer lead 340 to support and separate the inner lead 330 and the outer lead 340 It is characterized by what has been done.

도 4b는 도 4a의 B-B'선을 도시한 단면도이다.4B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 4A.

도 4c는 도 4b의 사시도 및 분해사시도이다.4C is an exploded perspective view and perspective view of FIG. 4B.

상기 지지부재(310)는, 도 4b내지 도 4c를 참조하면, 상부와 하부를 관통하고 상부의 홈이 하부의 홈보다 큰 'T'자형의 홈이 생성된 테이프패드(314)와, 상기 테이프패드(314)에 생성된 홀과 같은 수를 가지며 상기 'T'자형의 홀에 완전히 삽입될 정도의 크기와 모양을 가지는 도전성리드(311)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.4B to 4C, the tape pad 314 having a 'T' shaped groove formed therein penetrating the upper and lower portions and having an upper groove larger than the lower groove, and the tape The conductive lead 311 has the same number as the holes created in the pad 314 and has a size and shape such that the hole is completely inserted into the 'T'-shaped hole.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 반도체 패키지의 구조는, 반도체칩이 안착될 지지부재와, 상기 지지부재의 각 변을 따라 연결되어 지지부재를 지지해주는 다수개의 타이바와, 상기 반도체칩과 상기 지지부재를 다운본딩하여 전기적으로 연결해주는 다수의 다운본딩와이어과, 상기 지지부재의 둘레에 일정간격 떨어져 나열되어 있는 다수의 내부리드와, 상기 내부리드에 연장되어 패키지의 바깥으로 노출되고 아래로 절곡되는 외부리드와, 상기 반도체칩과 내부리드을 전기적으로 연결해주는 노말본딩와이어와, 상기 지지부재의 하부를 바깥으로 노출하고 외부리드을 제외한 모든 자재를 감싸는 봉지재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a structure of a semiconductor package according to the present invention includes a support member on which a semiconductor chip is to be seated, a plurality of tie bars connected to each side of the support member to support the support member, and the semiconductor chip; A plurality of downbonding wires for down-bonding the support member to electrically connect the plurality of down-bonding wires, a plurality of inner leads arranged at a predetermined interval around the support member, and extended to the inner leads to be exposed to the outside of the package and bent downward The outer lead, the normal bonding wire for electrically connecting the semiconductor chip and the inner lead, and the lower portion of the support member is characterized in that it consists of an encapsulant that wraps all materials except the outer lead.

도 5a는 도 3a내지 도 3c에 도시된 리드프레임 구조을 이용한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다. 도 5a를 참조하면, 반도체패키지의 저면에 노출되어 솔더볼(112)이 삽입되고 솔더볼(112)의 일부가 노출될 정도의 두께를 가진 홀이 생성된 하부테이프패드(114)와, 상기 하부테이프패드(114)에 생성된 홀의 상부를 덮고 소정의 여분의 남을 정도의 크기이며 위로는 반도체칩과 다운본딩이 이뤄지고 홀을 덮는 부분의 하부는 솔더볼(112)과 접촉되는 구리로 된 도전성리드(111)와, 상기 하부테이프패드(114)의 홀에 삽입되고 상기 도전성리드(111)의 하부에 접촉하여 패키지의 내부와 외부를 전기적으로 연결해주는 솔더볼(112)과, 상기 도전성리드(111)와 같은 높이이고 도전성리드(111)로 둘러쌓인 내부를 채워주는 사각형의 비전도성인 중간테이프패드(115)와, 상기 도전성리드(111)의 일부를 노출시키고 노출되지 않는 부분과 중간테이프패드(115)를 덮는 비전도성인 상부테이프패드(116)와, 상기 상부테이프패드(116)의 상부에 안착되는 반도체칩(186)과, 상기 도전성리드(111)와 상기 반도체칩(186)을 다운 본딩해주는 다운본딩 와이어(113)와, 상기 반도체칩(186)을 향하여 뻗어있고 반도체칩(186)과 노말본딩이 되는 내부리드(130)와, 상기 내부리드(130)에 연장되어 패키지의 바깥으로 노출되고 아래로 절곡되는 외부리드(140)와, 상기 반도체칩(186)과 내부리드(130)을 전기적으로 연결하여 주는 노말본딩 와이어(182)와, 상기 하부테이프패드(114)를 바깥으로 노출하고 외부리드(140)을 제외한 재료를 감싸는 봉지재(188)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.5A is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 3A to 3C. Referring to FIG. 5A, a lower tape pad 114 having a thickness such that a solder ball 112 is inserted to expose a bottom surface of a semiconductor package and a portion of the solder ball 112 is exposed, and the lower tape pad is formed. A conductive lead 111 made of copper which covers the upper portion of the hole formed in the 114 and has a predetermined excess size and is downbonded with the semiconductor chip and the lower portion of the portion covering the hole is in contact with the solder ball 112. And a solder ball 112 inserted into a hole of the lower tape pad 114 and contacting a lower portion of the conductive lead 111 to electrically connect the inside and the outside of the package, and the same height as the conductive lead 111. And a rectangular non-conductive intermediate tape pad 115 filling the inside surrounded by the conductive lead 111 and exposing a portion of the conductive lead 111 and covering the unexposed portion and the intermediate tape pad 115. Non-conducting adults The sub tape pad 116, the semiconductor chip 186 seated on the upper tape pad 116, and the down bonding wire 113 for down-bonding the conductive lead 111 and the semiconductor chip 186. And an inner lead extending toward the semiconductor chip 186 and being normal bonded to the semiconductor chip 186, and an outer lead extending to the inner lead 130 to be exposed to the outside of the package and bent downward. 140, the normal bonding wire 182 electrically connecting the semiconductor chip 186 and the inner lead 130, and the lower tape pad 114 to be exposed to the outside, excluding the outer lead 140. It is characterized by consisting of a sealing material 188 surrounding the material.

도 5b는 도 3a내지 도3c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지의 하부를 도시한 저면도이다.FIG. 5B is a bottom view illustrating a lower portion of a semiconductor package using the lead frame structure shown in FIGS. 3A to 3C.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 패키지를 도시한 저면도이다.A bottom view of a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.

반도체 패키지 하부로 하부테이프(114)가 노출되고 노출된 하부테이프(114)의 홀에 솔더볼(12)이 삽입되어 내부의 전도성리드(111)와 부착된다. 상기 부착된 솔더볼(112)은 하부테이프패드(114)의 두께보다 직경이 커서 패키지 외부로 노출된다.The lower tape 114 is exposed to the lower portion of the semiconductor package, and the solder balls 12 are inserted into the holes of the exposed lower tape 114 to be attached to the conductive leads 111 therein. The attached solder ball 112 is larger than the thickness of the lower tape pad 114 and is exposed to the outside of the package.

도 6a는 도 4a내지 도 4c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.6A is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 4A to 4C.

도 6a를 참조하면, 반도체패키지의 저면에 노출되고 패기지의 저면에 솔더볼(312)이 부착되는 홀이 생성된 테이프패드(314)와, 상기 테이프패드(314)에 생성된 'T'자형의 홀에 삽입되는 도전성리드(311)와, 상기 테이프패드(314)의 홀에 삽입된 도전성리드(311)의 하부에 부착되고 패키지의 내부와 외부를 전기적으로 연결해주는 솔더볼(312)과, 상기 도전성리드(311)가 삽입된 상기 테이프패드(314)위에 안착될 반도체칩(386)을 고정시켜주고 전기적인 연결을 방지해주는 접착제(384)와, 상기 도전성리드(311)의 일부를 남겨두고 상기 접착제(384)에 의해 상기 테이프패드(314)위에 고정되는 반도체칩(386)과, 상기 도전성리드(311)와 상기 반도체칩(386)을 다운본딩해주는 다운본딩 와이어(313)와, 상기 반도체칩(386)을 향하여 뻗어있고 반도체칩(386)과 노말본딩이 되는 내부리드(330)와, 상기 내부리드(330)에 연장되어 패키지의 바깥으로 노출되고 아래도 절곡되는 외부리드(340)와, 상기 반도체칩(386)과 내부리드(330)을 전기적으로 연결하여 주는 노말본딩 와이어(382)와, 상기 하부테이프패드(314)를 바깥으로 노출하고 외부리드(340)을 제외한 재료를 감싸는 봉지재(388)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 6A, a tape pad 314 having a hole exposed to a bottom surface of a semiconductor package and having a solder ball 312 attached thereto is formed, and a 'T' shaped hole formed in the tape pad 314. A conductive ball 312 inserted into the conductive lead 311, a solder ball 312 attached to a lower portion of the conductive lead 311 inserted into the hole of the tape pad 314, and electrically connecting the inside and the outside of the package; An adhesive 384 for fixing the semiconductor chip 386 to be seated on the tape pad 314 into which the 311 is inserted and preventing electrical connection, and leaving a part of the conductive lead 311 with the adhesive ( The semiconductor chip 386 fixed to the tape pad 314 by the 384, a down bonding wire 313 for down-bonding the conductive lead 311 and the semiconductor chip 386, and the semiconductor chip 386. Internally extending toward) and normal bonding with semiconductor chip 386 330, an external lead 340 which extends to the inner lead 330, is exposed to the outside of the package, and is bent downward, and electrically connects the semiconductor chip 386 and the inner lead 330. A bonding wire 382 and the lower tape pad 314 are exposed to the outside, and an encapsulant 388 encapsulating a material except the outer lead 340.

도 6b는 도 4a내지 도 4c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지의 하부를 도시한 저면도이다.FIG. 6B is a bottom view illustrating a lower portion of a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 4A to 4C.

본 발명의 또다른 일실시예에 따른 반도체 패키지를 도시한 저면도이다.A bottom view of a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.

반도체 패키지의 하부로 테이프패드(114)가 노출되고 솔더볼(112)이 노출된 하부테이프패드(114)에 삽입된 도전성 리디의 하부와 부착된다. 상기 솔더볼(112)은 패키지의 하부에 완전히 노출된다.The tape pad 114 is exposed to the bottom of the semiconductor package and is attached to the bottom of the conductive lead inserted into the lower tape pad 114 where the solder balls 112 are exposed. The solder ball 112 is completely exposed to the bottom of the package.

이상의 일실시예에서 살펴 본 바와 같이 본 발명은, 기존의 리드프레임의 패드를 홀이 생성되고 도전성리드가 부착된 비전도성 테이프패드로 대체하여 패키지하부로 입출력단을 뽑아냄으로써 패키지의 입출력 갯수를 늘려주고 지지부재가 패키지의 하부로 노출됨으로써 패키지내의 열방출을 용이하게 해주는 효과를 갖는다.As described in the above embodiment, the present invention replaces the pad of the existing leadframe with a non-conductive tape pad having holes and conductive leads, thereby extracting the input / output end of the package to increase the number of input / output of the package. And the support member is exposed to the bottom of the package, thereby facilitating heat dissipation in the package.

도 1은 종래의 리드프레임 구조를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a conventional lead frame structure.

도 2는 종래의 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor package.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 의한 리드프레임 구조를 도시한 평면도이다.3A is a plan view illustrating a leadframe structure according to an embodiment of the present invention.

도 3b는 도 3a의 A-A'선을 도시한 단면도이다.3B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3A.

도 3c는 도 3b의 사시도 및 분해사시도이다.3C is an exploded perspective view and perspective view of FIG. 3B.

도 4a는 본 발명의 또다른 일실시예에 의한 리드프레임 구조를 도시한 평면도이다.Figure 4a is a plan view showing a lead frame structure according to another embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 B-B'선을 도시한 단면도이다.4B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 4A.

도 4c는 도 4b의 사시도 및 분해사시도이다.4C is an exploded perspective view and perspective view of FIG. 4B.

도 5a는 도 3a내지 도 3c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.5A is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 3A to 3C.

도 5b는 도 3a내지 도 3c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지의 하부를 도시한 저면도이다.FIG. 5B is a bottom view of a lower portion of a semiconductor package using the leadframe structure shown in FIGS. 3A to 3C.

도 6a는 도 4a내지 도 4c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지를 도시한 단면도이다.6A is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 4A to 4C.

도 6b는 도 4a내지 도 4c에 도시된 리드프레임 구조를 이용한 반도체 패키지의 하부를 도시한 저면도이다.FIG. 6B is a bottom view illustrating a lower portion of a semiconductor package using the leadframe structure illustrated in FIGS. 4A to 4C.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 지지부재 120 : 타이바110: support member 120: tie bar

130 : 내부리드 140 : 외부리드130: inner lead 140: outer lead

150 : 댐바 150: dambar

111 : 도전성리드 112 : 솔더볼 111: conductive lead 112: solder ball

114 : 하부테이프패드 115 : 중간테이프패드114: lower tape pad 115: intermediate tape pad

116 : 상부테이프패드116: upper tape pad

113 : 다운본딩 와이어 182 : 노말본딩 와이어113: down bonding wire 182: normal bonding wire

186 : 반도체칩 188 : 봉지재186 semiconductor chip 188 encapsulant

Claims (6)

반도체칩이 안착될 지지부재와,A support member on which the semiconductor chip is to be seated, 상기 지지부재 각변의 모서리에 연결되어 중앙에 위치한 지지부재를 지지 및 고정시키는 다수개의 타이바와,A plurality of tie bars connected to corners of each side of the support member to support and fix the support member located at the center; 상기 지지부재를 향하고 일정거리 떨어져 위치하며 반도체칩의 입/출력단으로부터 전도성 와이어에 의해 연결되는 핀형태로 이루어진 다수개의 내부리드와,A plurality of internal leads formed in a pin shape toward the support member and spaced apart from each other by a conductive wire from an input / output terminal of the semiconductor chip; 상기 각각의 내부리드로부터 외부로 연장되는 외부리드와,An outer lead extending outwardly from each of the inner leads; 상기 내부리드와 외부리드에 수직으로 연결되어 그 내부리드와 외부리드를 지지 및 분리하는 댐바로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드프레임 구조.A lead frame structure comprising a dam bar connected vertically to the inner lead and the outer lead to support and separate the inner lead and the outer lead. 제 1항에 있어서, 상기 지지부재는The method of claim 1, wherein the support member BGA(Ball Grid Array)을 하기위한 솔더볼(Solder Ball)이 부착할 정도의 소정의 크기의 다수개의 홀(Hole)이 일정간격을 가지며 대략 사각라인 형태로 형성된 비전도성의 하부테이프패드와,Non-conductive lower tape pads formed in a substantially rectangular line shape with a plurality of holes having a predetermined size such that a solder ball for a ball grid array (BGA) is attached, and 상기 하부테이프패드의 홀과 같은 수를 가지며 긴 직사각형의 판모양으로 하부테이프패드 상부의 홀을 독립적으로 덮은후 소정의 여분이 남을 정도의 크기인 도전성리드와,A conductive lead having the same number as the holes of the lower tape pad and having a length of a predetermined length remaining after independently covering the upper hole of the lower tape pad with a long rectangular plate shape; 상기 도전성리드의 높이와 같고 상기 도전성리드에 의해 둘러쌓인 내부를 채워주는 사각형의 비전도성인 중간테이프패드와, 상기 도전성리드의 일부분만을 노출한 채로 도전성리드의 일부와 상기 중간테이프를 덮는 사각형의 판형태의 비전도성인 상부테이프패드으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드프레임 구조.A rectangular non-conductive intermediate tape pad that fills the interior surrounded by the conductive lead and the rectangular plate covering a portion of the conductive lead and the intermediate tape while exposing only a portion of the conductive lead. A leadframe structure comprising a top tape pad that is nonconductive in shape. 제 1항에 있어서, 상기 지지부재는The method of claim 1, wherein the support member 상부와 하부를 관통하고 상부의 홈이 하부의 홈보다 큰 'T'자형의 홈이 생성된 테이프패드와, 상기 테이프패드에 생성된 홀과 같은 수를 가지며 상기 'T'자형의 홀에 완전히 삽입될 정도의 크기와 모양을 가지는 도전성리드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드프레임 구조.A tape pad having a T-shaped groove penetrating the upper and lower portions and having an upper groove larger than the lower groove, and a tape pad having the same number as the holes formed in the tape pad and inserted completely into the T-shaped hole. A lead frame structure comprising a conductive lead having a size and shape as large as possible. 반도체칩이 안착될 지지부재와,A support member on which the semiconductor chip is to be seated, 상기 지지부재의 각 변을 따라 연결되어 지지부재을 지지해주는 수개의 타이바와,Several tie bars connected to each side of the support member to support the support member; 상기 반도체칩과 상기 지지부재를 다운본딩하여 전기적으로 연결해주는 다운본딩와이어과,A down bonding wire which electrically connects the semiconductor chip to the support member by down bonding; 상기 지지부재의 둘레에 일정간격 떨어져 나열되어 있는 내부리드와,An inner lead which is arranged at a predetermined interval around the support member; 상기 내부리드에 연장되어 패키지의 바깥으로 노출되고 아래도 절곡되는 외부리드와,An outer lead extending to the inner lead to be exposed to the outside of the package and bent downward; 상기 반도체칩과 내부리드을 전기적으로 연결해주는 다수의 노말본딩와이어와,A plurality of normal bonding wires electrically connecting the semiconductor chip and the inner lead; 상기 지지부재의 하부를 바깥으로 노출시키고 외부리드를 제외한 모든 자재를 감싸는 봉지재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.A semiconductor package, characterized in that the sealing member for exposing the lower portion of the support member to the outside and wrap all materials except the outer lead. 제 4항에 있어서, 상기 지지부재는The method of claim 4, wherein the support member 반도체패키지의 저면에 노출되고 패기지의 저면에 솔더볼이 삽입되고 솔더볼의 일부가 노출될정도의 두께를 가지는 홀이 생성된 비전도성 하부테이프패드와,A non-conductive lower tape pad exposed to the bottom surface of the semiconductor package and having a hole inserted into the bottom surface of the package and having a thickness such that a portion of the solder ball is exposed; 상기 하부테이프패드에 생성된 홀의 상부를 덮고 소정의 여분의 남을정도의 크기이며 위로는 반도체칩과 다운본딩이 이뤄지고 홀을 덮는 부분의 하부는 솔더볼과 접촉되는 도전성리드와,A conductive lead that covers the upper portion of the hole formed in the lower tape pad and has a predetermined extra remaining size and is downbonded with the semiconductor chip, and the lower portion of the portion covering the hole is in contact with the solder ball; 상기 하부테이프패드의 홀에 삽입되고 상기 도전성리드의 하부에 접촉하여 패키지의 내부와 외부를 전기적으로 연결해주는 솔더볼과,A solder ball inserted into a hole of the lower tape pad and contacting a lower portion of the conductive lead to electrically connect the inside and the outside of the package; 상기 도전성리드와 같은 높이이고 도전성리드로 둘러쌓인 내부를 채워주는 비전도성인 중간테이프패드와,A non-conductive intermediate tape pad having the same height as the conductive lead and filling the inside surrounded by the conductive lead, 상기 도전성리드의 일부를 노출시키고 노출되지 않는 부분과 중간테이프패드를 덮는 비전도성인 상부테이프패드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And a nonconductive upper tape pad exposing a portion of the conductive lead and covering an unexposed portion and an intermediate tape pad. 제 4항에 있어서, 상기 지지부재는The method of claim 4, wherein the support member 반도체패키지의 저면에 노출되고 패기지의 저면에 솔더볼이 부착되는 홀이 생성된 테이프패드와,A tape pad exposed to the bottom of the semiconductor package and having holes for attaching solder balls to the bottom of the package; 상기 테이프패드에 생성된 'T'자형의 홀에 삽입되는 도전성리드와,A conductive lead inserted into a 'T' shaped hole formed in the tape pad; 상기 테이프패드의 홀에 삽입된 도전성리드의 하부에 부착되고 패키지의 내부와 외부를 전기적으로 연결해주는 솔더볼로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And a solder ball attached to a lower portion of the conductive lead inserted into the hole of the tape pad and electrically connecting the inside and the outside of the package.
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