KR20050021574A - Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system - Google Patents
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Abstract
이온 주입 시스템에 사용하기 위한 리본 이온 빔을 제공하는 신장된 슬릿을 지닌 이온 소스가 개시되어 있다. 이 소스는 원통형 소스 하우징 내에서 플라즈마의 RF 여기를 위한 동축 유도성 결합 안테나 뿐만 아니라 상기 하우징 내에 배치된 원주형 자석을 포함하여 플라즈마를 가두기 위하여 방위 다첨점 자계(azimuthal multi-cusped magnetic fields)를 발생시킨다. 플라즈마 및 외부 하우징 벽간에 열 장벽을 제공하여 플라즈마 격실(plasma confinement chamber) 내에서 축합(condensation)을 완화 또는 감소시키는 내부 하이징용 라이너(liner)가 또한 개시되어 있다. An ion source with elongated slits is provided that provides a ribbon ion beam for use in an ion implantation system. This source generates azimuthal multi-cusped magnetic fields to trap the plasma, including a cylindrical magnet disposed within the housing as well as a coaxial inductive coupling antenna for RF excitation of the plasma in the cylindrical source housing. Let's do it. Also disclosed is a liner for internal hydration that provides a thermal barrier between the plasma and the outer housing wall to mitigate or reduce condensation in the plasma confinement chamber.
Description
본 출원은 2002년 5월 1일에 출원된 발명의 명칭이 "ION SOURCE PROVIDING RIBBON BEAM WITH CONTROLLABLE DENSITY PROFILE"인 특허 출원 10/136,047호의 부분 연속 출원이다.This application is a partial consecutive application of patent application 10 / 136,047, entitled "ION SOURCE PROVIDING RIBBON BEAM WITH CONTROLLABLE DENSITY PROFILE", filed May 1, 2002.
본 발명은 일반적으로, 이온 주입 시스템에 관한 것이며, 특히, 이온 주입 시스템에서 리본 빔을 제공하기 위한 이온 소스에 관한 것이다.The present invention relates generally to ion implantation systems, and more particularly to ion sources for providing ribbon beams in ion implantation systems.
이온 주입 시스템 또는 이온 주입기는 집적 회로 제조 뿐만 아니라 평판 패널 디스플레이의 제조시에 불순물로 반도체를 도핑하는데 폭넓게 사용된다. 이와 같은 시스템에서, 이온 소스는 소망 도펀트 요소를 이온화하는데, 이 요소는 소망 에너지의 이온빔 형태로 소스로부터 추출된다. 그 후, 이온빔은 반도체 웨이퍼와 같은 작업재의 표면으로 향하여 이 작업재를 도펀트 요소로 주입한다. 웨이퍼에서 트랜지스터 장치를 제조할 때와 같이, 이온빔의 이온은 웨이퍼의 표면을 관통하여 원하는 도전 영역을 형성한다. 주입 공정은 통상적으로 고진공 처리실에서 수행되는데, 이 처리실은 잔류 가스 분자와의 충돌로 인한 이온빔의 분산을 방지하여 공기로 운반되는 입자로 인해 웨이퍼가 오염될 위험성을 최소화한다. 평판 패널 디스플레이가 통상적으로 질량 분석 장치를 포함하지 않지만, 전형적인 이온 주입기는 이온빔을 발생시키는 이온 소스, 이온빔을 질량 분석하는(mass resolving)하는 질량 분석 자석을 포함하는 빔라인 및 이온빔에 의해 주입될 반도체 웨이퍼 또는 다른 기판를 포함하는 타겟 챔버(target chamber)를 포함한다. 고 에너지 주입 시스템에서, 가속 장치는 질량 분석 자석 및 타겟 챔버간에 제공되어, 이온을 고 에너지로 가속한다.Ion implantation systems or ion implanters are widely used to dope semiconductors with impurities in the manufacture of integrated circuits as well as flat panel displays. In such a system, the ion source ionizes the desired dopant element, which is extracted from the source in the form of an ion beam of desired energy. The ion beam then injects the workpiece into the dopant element towards the surface of the workpiece, such as a semiconductor wafer. As in the manufacture of transistor devices on a wafer, ions in the ion beam penetrate the surface of the wafer to form the desired conductive region. The implantation process is typically performed in a high vacuum processing chamber, which prevents dispersion of the ion beam due to collisions with residual gas molecules, thereby minimizing the risk of contamination of the wafer with particles carried into the air. Although flat panel displays typically do not include a mass spectrometer, a typical ion implanter is an ion source that generates an ion beam, a beamline that includes a mass spectrometer that mass resolving the ion beam, and a semiconductor wafer to be implanted by the ion beam. Or a target chamber comprising another substrate. In a high energy injection system, an accelerator device is provided between the mass spectrometer and the target chamber to accelerate ions to high energy.
종래의 이온 소스는 이온화될 가스를 플라즈마로 주입시키는 입구 구멍 및 플라즈마를 추출하는 출구 구멍 개구를 지닌 플라즈마 격실을 포함하여 이온빔을 형성한다. 가스의 일 예는 포스핀이다. 포스핀이 활성 전자 또는 무선 주파수(RF) 에너지와 같은 에너지 소스에 노출될 때, 포스핀은 해리되어 작업재를 도핑시키는 정전하 인(P+) 이온 및 수소 이온을 형성한다. 전형적으로, 포스핀은 플라즈마 격실 내로 주입되고 나서 에너지 원에 노출되어, 인 이온 및 수소 이온을 발생시킨다. 전형적으로, 포스핀은 플라즈마 격실 내로 주입되고 나서 인 이온 및 수소 이온 둘 다를 발생시키기 위하여 에너지 원에 노출된다. 플라즈마는 작업재로 주입하는데 바람직한 이온 뿐만 아니라 해리 및 이온화 공정의 부산물인 바람직하지 않은 이온을 포함한다. 그 후, 인 이온 및 수소 이온은 활성화된 추출 전극을 포함하는 추출 장치를 사용하여 출구를 통해서 이온빔으로 추출된다. 소스 가스를 포함하는 다른 전형적인 도펀트 요소의 예로서, 인(P), 비소(As) 또는 붕소(B)를 들 수 있다.Conventional ion sources include a plasma compartment having an inlet hole for injecting the gas to be ionized into the plasma and an outlet hole opening for extracting the plasma to form an ion beam. One example of a gas is phosphine. When phosphine is exposed to an energy source, such as active electrons or radio frequency (RF) energy, phosphine dissociates to form electrostatic phosphorus (P +) ions and hydrogen ions that dope the workpiece. Typically, phosphine is injected into a plasma compartment and then exposed to an energy source, generating phosphorus ions and hydrogen ions. Typically, phosphine is injected into a plasma compartment and then exposed to an energy source to generate both phosphorus ions and hydrogen ions. The plasma contains not only the desired ions for injection into the workpiece but also the undesirable ions that are by-products of the dissociation and ionization process. The phosphorus ions and hydrogen ions are then extracted into the ion beam through the outlet using an extraction device that includes an activated extraction electrode. Examples of other typical dopant elements comprising a source gas include phosphorus (P), arsenic (As) or boron (B).
주입된 이온의 선량 및 에너지는 소정 응용에 바람직한 주입에 따라서 가변된다. 이온 선량은 소정 반도체 재료를 위한 주입된 이온의 농도를 제어한다. 전형적으로, 고전류 주입기는 고선량 주입을 위하여 사용되는 반면에, 중간 전류 주입기는 보다 낮은 선량 용도로 사용된다. 이온 에너지는 반도체 장치에서 접합 깊이를 제어하기 위하여 사용되는데, 여기서 이온빔 내의 이온의 에너지 레벨은 주입된 이온의 깊이 정도를 결정한다. 지속적으로 점점 더 소형화되는 반도체 장치의 경향으로 인해, 저 에너지로 고 빔 전류를 전달하도록 작용하는 빔라인 구성이 필요로 되었다. 고 빔 전류는 필요한 선량 레벨을 제공하는 반면에, 저 에너지는 주입을 얕게한다. 게다가, 반도체 웨이퍼상의 장치 복잡성이 지속적으로 높아지는 경향으로 인해, 작업재 전체에 주사되는 주입 빔의 균일성에 대한 주의깊은 제어가 필요로 되었다.The dose and energy of implanted ions vary depending on the implantation desired for a given application. Ion dose controls the concentration of implanted ions for a given semiconductor material. Typically, high current injectors are used for high dose implants, while medium current injectors are used for lower dose applications. Ion energy is used to control the junction depth in semiconductor devices, where the energy level of ions in the ion beam determines the depth of implanted ions. Due to the ever-increasing size of semiconductor devices, there is a need for beamline configurations that act to deliver high beam currents at low energy. High beam current provides the required dose level, while low energy makes the implant shallow. In addition, the trend toward ever increasing device complexity on semiconductor wafers necessitates careful control over the uniformity of the injection beam being scanned throughout the workpiece.
이온 소스에서 이온화 공정은 전자를 추출하고 나서, 이온 소스 챔버내에서 이온화가능한 재료와 충돌시킴으로써 성취된다. 이 추출은 가열된 캐소드 또는 RF 여기 안테나(excitation antenna)를 사용하여 이미 성취되어 왔다. 캐소드는 가열되어, 전자를 방출시키고 나서 이온화 공정에 충분한 에너지로 가속되는 반면에, RF 안테나는 이온화 공정을 지속시키는데 충분한 에너지로 플라즈마 전자를 가속하는 전계를 발생시킨다. 이 안테나는 이온 소스의 플라즈마 격실 내에서 노출되거나 유전체 윈도우에 의해 분리되는 플라즈마 챔버의 외부에 위치될 수 있다. 안테나는 플라즈마 격실 내에서 시변 자계를 유도하는 RF 교류에 의해 활성화된다. 그 후, 이 자계는 본래 소스 챔버 내에서 자유 전자를 발생시킴으로써 점유되는 영역내에서 전계를 유도시킨다. 이들 자유 전자는 유도된 전계로 인해 가속되고 이온 소스 챔버 내에서 이온화가능한 재료와 충돌하여, 이온 챔버 내에서 플라즈마 전류를 발생시키는데, 이는 일반적으로 안테나에서 전류와 평행하고 대향되는 방향으로 된다. 그 후, 이온은 작은 출구 근처에 위치되는 하나 이상의 활성화가능한 추출 전극에 의해 플라즈마 챔버로부터 추출되어, (작업재의 크기에 비해)작은 단면의 이온 빔을 제공한다.The ionization process in the ion source is accomplished by extracting electrons and then colliding with the ionizable material in the ion source chamber. This extraction has already been accomplished using heated cathodes or RF excitation antennas. The cathode is heated to release electrons and then accelerated with sufficient energy for the ionization process, while the RF antenna generates an electric field that accelerates the plasma electrons with sufficient energy to continue the ionization process. The antenna may be located outside of the plasma chamber exposed in the plasma compartment of the ion source or separated by the dielectric window. The antenna is activated by RF alternating current which induces a time varying magnetic field in the plasma compartment. This magnetic field then induces an electric field in the area occupied by generating free electrons in the original source chamber. These free electrons are accelerated by the induced electric field and collide with the ionizable material in the ion source chamber, generating a plasma current in the ion chamber, which is generally in a direction parallel and opposite to the current in the antenna. The ions are then extracted from the plasma chamber by one or more activatable extraction electrodes located near the small outlet, providing an ion beam of small cross section (relative to the size of the workpiece).
많은 이온 주입 시스템에서, 원통형 이온 빔은 기계 및/또는 자기 주사를 통해서 웨이퍼 타겟으로 제공되어, 이 타겟을 원하는 만큼 주입시킨다. 일괄 주입기(batch implanter)는 제어된 방식으로 주입 경로를 통해서 회전되는 여러 웨이퍼를 동시 주입시킨다. 이온빔은 이온 소스 추출 개구와, 질량 분석 장치, 리졸빙 구멍, 4중극 자석, 및 이온 가속기와 같은 다음의 셰이핑 장치에 따라서 형상화되는데, 이로 인해 (주입된 작업재의 크기에 비해)작은 단면의 이온 빔 타겟 웨이퍼 또는 웨이퍼들에 제공된다. 빔 및/또는 타겟은 서로에 대해서 트랜스레이트(translate)되어, 작업재를 주사한다. 그러나, 이와 같은 주입 시스템의 복잡성을 감소시키기 위하여, 주사 메커니즘을 감소시키고 신장된 리본-형상의 이온빔을 제공하는 것이 바람직하다. 충분한 종방향 길이의 리본 빔의 경우에, 단일 메커니즘 주사가 사용됨으로써, 부가적인 기계식 또는 자기 라스터-형 주사 장치를 필요로 함이 없이 전체 웨이퍼를 주입한다. 따라서, 이와 같은 주입 시스템에 사용하기 위한 균일한 종방향 밀도 프로필을 지닌 신장된 이온빔을 제공하는 리본 빔 이온 소스를 제공하는 것이 바람직하다.In many ion implantation systems, a cylindrical ion beam is provided to a wafer target through mechanical and / or magnetic scanning to implant this target as desired. A batch implanter simultaneously implants several wafers that are rotated through the implant path in a controlled manner. Ion beams are shaped according to ion source extraction apertures and the following shaping devices such as mass spectrometers, resolving holes, quadrupole magnets, and ion accelerators, which result in small cross-sectional ion beams (relative to the size of the injected workpiece). Provided on the target wafer or wafers. The beam and / or target are translated relative to each other to scan the workpiece. However, to reduce the complexity of such an implant system, it is desirable to reduce the scanning mechanism and provide an elongated ribbon-shaped ion beam. In the case of a ribbon beam of sufficient longitudinal length, a single mechanism scan is used to inject the entire wafer without the need for additional mechanical or magnetic raster-type scanning devices. Accordingly, it would be desirable to provide a ribbon beam ion source that provides an elongated ion beam having a uniform longitudinal density profile for use in such an implant system.
도1A는 본 발명의 한 양상을 따른 동축 유도성 여기 안테나를 지닌 전형적인 이온 소스를 도시한 단면의 끝면도.1A is a cross sectional end view of a typical ion source with a coaxial inductively excited antenna in accordance with an aspect of the present invention.
도1B는 출구 근처에 위치된 일련의 추출 전극을 지닌 도1A의 이온 소스를 도시한 단면의 끝면도. FIG. 1B is a cross sectional end view of the ion source of FIG. 1A with a series of extraction electrodes located near the exit. FIG.
도1C는 본 발명을 따른 동축 유도성 여기 안테나를 갖는 또 다른 전형적인 이온 소스를 도시한 단면의 끝면도.Figure 1C is a cross sectional end view of another exemplary ion source with a coaxial inductively excited antenna in accordance with the present invention.
도2A는 본 발명의 또 다른 양상을 따라서 챔버 내에서 방위 자계를 생성시키기 위하여 배치된 원주방향으로 배치된 플라즈마 제한 자석 및 동축 유도성 여기 안테나를 도시한 도1C의 선 2a-2a를 따라서 본 단면의 하부 평면도.FIG. 2A is a cross-sectional view taken along line 2a-2a of FIG. 1C showing a circumferentially disposed plasma constrained magnet and a coaxial inductive excitation antenna disposed to generate an orientation magnetic field in the chamber in accordance with another aspect of the present invention. Top view of the building.
도2B는 플라즈마 격실 내의 플라즈마 제한 자석 및 방위 자계의 부가적인 세부사항을 도시한, 도1C의 선 2b-2b를 따라서 본 부분적인 하부 평면도.FIG. 2B is a partial bottom plan view taken along line 2b-2b of FIG. 1C showing additional details of the plasma confinement magnet and azimuth magnetic field in the plasma compartment; FIG.
도2C는 본 발명의 또 다른 양상에 따라서 양 단부에 용량적으로 결합된 동축 여기 안테나의 한 가지 구현방식을 도시한 단면의 간단화된 하부 평면도.FIG. 2C is a simplified bottom plan view in cross section showing one implementation of a coaxial excitation antenna capacitively coupled at both ends in accordance with another aspect of the present invention. FIG.
도2D는 도2C의 동축 여기 안테나의 전기 회로를 개요적으로 도시한 간단화된 하부 평면도.FIG. 2D is a simplified bottom plan view schematically illustrating the electrical circuit of the coaxial excitation antenna of FIG. 2C. FIG.
도2E는 한 단부에 용량적으로 결합된 동축 여기 안테나의 또 다른 전형적인 구현방식을 도시한 단면의 간단화된 하부 평면도.Fig. 2E is a simplified bottom plan view of a cross section showing another exemplary implementation of a coaxial excitation antenna capacitively coupled at one end.
도2F는 도2E의 동축 여기 안테나의 전기 회로를 개요적으로 도시한 간단화된 하부 평면도.FIG. 2F is a simplified bottom plan view schematically illustrating the electrical circuit of the coaxial excitation antenna of FIG. 2E. FIG.
도3A는 본 발명의 또 다른 양상을 따라서 이온 소스 플라즈마 격실로부터 추출되는 신장된 종방향의 이온빔과 관계된 밀도 프로필을 선택적으로 조정하기 위한 밀도 프로필 제어 장치를 도시한, 도1C의 선 3a-3a를 따라서 본 하부 평면도.3A shows a density profile control device for selectively adjusting a density profile associated with an elongated longitudinal ion beam extracted from an ion source plasma compartment in accordance with another aspect of the present invention, lines 3a-3a of FIG. 1C. Thus seen bottom plan view.
도3B는 밀도 프로필 제어 장치에 의해 생성된 조정가능한 자계를 도시한, 도3A의 이온 소스의 단면의 끝면도.FIG. 3B is an end view of a cross section of the ion source of FIG. 3A, showing an adjustable magnetic field generated by the density profile control device. FIG.
도4A 및 도4B는 밀도 프로필 제어 장치의 2개의 서로 다른 세팅을 위한 플라즈마 격실 내의 자계 윤곽을 도시한, 도3A 및 도3B의 이온 소스의 단면의 끝면도.4A and 4B are end views in cross section of the ion source of FIGS. 3A and 3B, showing magnetic field contours in the plasma compartment for two different settings of the density profile control device.
도5는 본 발명을 따라서 추출되는 신장된 리본 형상의 이온 빔을 도시한 전형적인 이온 소스의 간단화된 투시도. 5 is a simplified perspective view of an exemplary ion source showing an elongated ribbon-shaped ion beam extracted in accordance with the present invention.
본 발명은 이온 주입 시스템용 이온 소스에 관한 것인데, 이 이온 소스에 의해 균일하거나 제어가능한 밀도의 신장된 또는 리본-형상의 이온빔이 반도체 웨이퍼 또는 평판 패널 디스플레이와 같은 작업재에 주입될 수 있다. 본 발명은 균일한 플라즈마가 신장된 플라즈마 격실 내에 제공되어 있는 이온 소스를 제공하는데, 이 격실로부터 리본-형상의 이온 빔은 상대적으로 큰 종횡비를 갖는 신장된 출구 또는 추출 슬릿을 통해서 추출된다. 그 후, 신장된 리본 빔은 단일 기계식 주사로 반도체 웨이퍼를 주입하는데 사용됨으로써, 주입 시스템을 간단하게 한다. 한 가지 구현방식에서, 본 발명은 최대 400mm 길이의 리본 빔을 제공하도록 사용되어, 300mm 반도체 웨이퍼 작업재의 단일 주사 주입을 용이하게 한다.The present invention relates to an ion source for an ion implantation system in which an elongated or ribbon-shaped ion beam of uniform or controllable density can be implanted into a workpiece such as a semiconductor wafer or flat panel display. The present invention provides an ion source in which a uniform plasma is provided in an elongated plasma compartment, from which the ribbon-shaped ion beam is extracted through an elongated outlet or extraction slit having a relatively large aspect ratio. The stretched ribbon beam is then used to implant the semiconductor wafer in a single mechanical scan, thereby simplifying the implantation system. In one implementation, the present invention is used to provide a ribbon beam up to 400 mm long, to facilitate a single scan injection of a 300 mm semiconductor wafer workpiece.
추출된 이온 빔의 균일성을 제어하기 위하여, 본 발명은 대체로 원통형의 소스 챔버 내에서 동축 RF 여기를 유용하게 제공하여 그 내에서 이온화된 플라즈마를 균일하게 발생시킨다. 플라즈마 챔버 내의 균일한 플라즈마 제한(plasma confinement)은 플라즈마 챔버 내에 방위 자계를 제공하는 원주방향으로 신장되는 다첨점 자석(multi-cusped magnets)을 제공함으로써 더욱 향상된다. 그 후, 신장된 출구 또는 추출 슬릿은 신장된 활성화가능한 추출 전극을 사용하는 추출을 위한 플라즈마 챔버에 제공되어 리본빔을 형성한다. 플라즈마 챔버 내의 이온의 균일성은 균일한 리본빔의 제공을 용이하게 하여 높은 형체 밀도 및 작은 형체 치수(feature density and small feature size)를 갖는 웨이퍼 타겟을 균일하게 주입시킨다. 게다가, 원통형 라이너와 같은 열 장벽은 플라즈마 챔버내에 제공될 수 있는데, 이는 플라즈마 온도를 상승시켜 플라즈마 챔버내에서 축합(condensation)을 완화시킨다. 이는 종래의 RF 여기된 이온(예를 들어, "냉벽(cold wall)") 소스에서 통상적인 축합으로 인한 오염물 없이 하나의 주입 종으로부터 또 다른 주입 종으로의 전환을 용이하게 한다.In order to control the uniformity of the extracted ion beam, the present invention advantageously provides coaxial RF excitation in a generally cylindrical source chamber to uniformly generate ionized plasma therein. Uniform plasma confinement in the plasma chamber is further enhanced by providing circumferentially extending multi-cusped magnets that provide an azimuth magnetic field in the plasma chamber. The elongated outlet or extraction slit is then provided to a plasma chamber for extraction using the elongated activatable extraction electrode to form a ribbon beam. The uniformity of the ions in the plasma chamber facilitates the provision of a uniform ribbon beam to uniformly inject wafer targets with high mold density and small feature size. In addition, a thermal barrier, such as a cylindrical liner, may be provided in the plasma chamber, which raises the plasma temperature to mitigate condensation in the plasma chamber. This facilitates the conversion from one implantation species to another without contaminants due to conventional condensation in conventional RF excited ion (eg, "cold wall") sources.
본 발명의 한 양상은 플라즈마를 발생시키는 종축을 따라서 배치된 원통형 플라즈마 격실을 지닌 하우징, 이 축을 따라서 플라즈마 챔버에 동축으로 배치된 안테나, 및 안테나를 활성화시키는 RF 소스를 포함하는 이온 소스를 제공한다. 이 하우징은 플라즈마로부터 이온빔을 추출할 수 있는 종방향으로 연장되는 신장된 출구를 지닌, 제1 및 제2 단부간에서 종방향으로 연장되는 원통형 도전성 챔버를 포함하는데, 신장된 출구는 예를 들어 약 400mm와 같은 어떤 종방향 길이일 수 있고 신장된 리본 형상의 이온빔을 제공하도록 높은 종횡비를 가질 수 있다. 안테나는 제1 및 제2 단자를 포함하는데, 제1 단자는 RF 소스에 접속되고 제2 단자는 제2 단부에서 챔버 벽에 전기적으로 접속되는데, 여기서 챔버 벽은 RF 소스용 복귀 경로를 제공한다. 제1 및 제2 단자간의 안테나의 일부는 축을 따라서 플라즈마 격실 내에서 종방향으로 연장되어, 플라즈마 챔버내로 에너지를 방출시킨다. One aspect of the invention provides an ion source comprising a housing having a cylindrical plasma compartment disposed along a longitudinal axis for generating a plasma, an antenna coaxially disposed in the plasma chamber along this axis, and an RF source for activating the antenna. The housing includes a cylindrical conductive chamber extending longitudinally between the first and second ends, the longitudinally extending outlet capable of extracting the ion beam from the plasma, the extended outlet being for example about It can be any longitudinal length, such as 400 mm and can have a high aspect ratio to provide an elongated ribbon shaped ion beam. The antenna includes first and second terminals, where the first terminal is connected to the RF source and the second terminal is electrically connected to the chamber wall at the second end, where the chamber wall provides a return path for the RF source. A portion of the antenna between the first and second terminals extends longitudinally in the plasma compartment along the axis, releasing energy into the plasma chamber.
따라서, 동축 안테나는 플라즈마의 균일한 여기를 용이하게 하여 리본 빔을 추출하는 균일한 이온 소스를 제공한다. RF 소스는 제1 안테나 단자에 접속된 제1 출력 및 챔버 벽의 제1 단부에 접속되는 제2 출력을 포함한 2개의 출력을 갖는다. 이 방식으로, RF 소스, 안테나, 및 챔버 벽은 실질적으로 동축 전기 회로를 형성하여 안테나의 노출부에 교류를 제공하여 플라즈마 격실 내에서 이온화 전계를 유도한다. 커패시터는 제1 RF 소스 출력 및 안테나 제1 단자간에 및/또는 챔버벽의 제2 단부 및 제2 안테나 단자간에 제공될 수 있다.Thus, the coaxial antenna facilitates uniform excitation of the plasma to provide a uniform ion source for extracting the ribbon beam. The RF source has two outputs including a first output connected to the first antenna terminal and a second output connected to the first end of the chamber wall. In this way, the RF source, antenna, and chamber wall form a substantially coaxial electrical circuit to provide alternating current to the exposed portions of the antenna to induce an ionizing field in the plasma compartment. The capacitor may be provided between the first RF source output and the antenna first terminal and / or between the second end of the chamber wall and the second antenna terminal.
본 발명의 또 다른 양상은 이온 주입 시스템에서 이온 빔을 제공하는 이온 소스를 제공하는데, 이는 종축을 따라서 배치된 원통형 플라즈마 격실을 한정하는 하우징을 포함한다. 하우징은 종방향으로 연장되는 신장된 출구를 지닌 대체로 원통형 도전성 챔버 벽 및 그 내에서 에너지를 방출시키는 플라즈마 격실 내에서 부분적으로 연장되는 안테나를 포함한다. 다수의 자석이 제공되는데, 이는 플라즈마 격실 내에서 축으로부터 방사상으로 이격되고 서로로부터 종방향으로 이격된다. 인접 자석 쌍은 대향되는 자성으로 이루어져, 플라즈마 격실 내에서 플라즈마를 가두기 위하여 챔버벽 근처에서 종방향 자계를 생성시킨다. 한 가지 구현방식에서, 자석은 출구의 대향측들간의 챔버 벽의 내부의 일부분의 주위를 원주방향으로 개별적으로 연장되는 영구 자석이다. Another aspect of the invention provides an ion source for providing an ion beam in an ion implantation system, which includes a housing defining a cylindrical plasma compartment disposed along a longitudinal axis. The housing includes a generally cylindrical conductive chamber wall with an elongated outlet extending in the longitudinal direction and an antenna extending partially within the plasma compartment that releases energy therein. A plurality of magnets are provided, which are radially spaced from the axis and longitudinally spaced from each other in the plasma compartment. Adjacent magnet pairs are made of opposing magnets, creating a longitudinal magnetic field near the chamber wall to trap the plasma in the plasma compartment. In one embodiment, the magnet is a permanent magnet that extends circumferentially individually around a portion of the interior of the chamber wall between opposite sides of the outlet.
상기 및 이와 관련된 목적을 성취하기 위하여, 이하의 설명 및 첨부 도면에 본 발명의 양상 및 구현 방식을 상세히 예시하였다. 이들은 본 발명의 원리를 사용할 수 있는 각종 방식들중 몇 가지 방식을 나타낸다. 본 발명의 다른 양상, 이점 및 신규한 특징은 도면과 관련하여 고려할 때 본 발명의 이하의 상세한 설명으로부터 명백하게 될 것이다.In order to achieve the above and related objects, aspects and implementation manners of the present invention have been illustrated in detail in the following description and the annexed drawings. These represent some of the various ways in which the principles of the invention may be used. Other aspects, advantages and novel features of the invention will become apparent from the following detailed description of the invention when considered in conjunction with the drawings.
본 발명이 지금부터 동일한 소자에 대해 동일한 참조 번호가 병기된 도면을 참조하여 설명될 것이다. 본 발명은 제어가능한 밀도 프로필을 갖는 이온 주입 시스템에서 신장된 이온 빔을 생성시키는 이온 소스 장치 및 이 소스 내에서 이온화된 플라즈마의 균일성을 향상시키는 다른 신규한 특징을 제공한다. 본 발명의 각종 양상의 한 가지 구현방식이 이하에 도시되고 설명된다. 그러나, 본 발명의 이 예시및 설명은 본래 전형적인 것이고 본 발명의 하나 이상의 양상 또는 신규한 특징이 본원에 예시되고 설명된 바와 다른 시스템으로 실행될 수 있다는 것을 인지할 것이다.The present invention will now be described with reference to the drawings in which like reference numerals refer to like elements. The present invention provides an ion source device that produces an elongated ion beam in an ion implantation system having a controllable density profile and other novel features that improve the uniformity of the ionized plasma within the source. One implementation of various aspects of the invention is shown and described below. However, it will be appreciated that these examples and descriptions of the invention are exemplary in nature and that one or more aspects or novel features of the invention may be practiced with systems other than those illustrated and described herein.
우선, 도1A-도1C 및 도2A를 참조하면, 본 발명을 따른 이온 소스(2)가 도시되어 있는데, 이는 이온 주입 시스템에 사용하기 위한 신장된 리본 빔을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 소스는 종축(8)을 따라서 배치된 신장된 대체로 원통형의 플라즈마 격실(6)을 한정하는 하우징(4)을 포함하는데, 이 격실에서, 플라즈마는 포스핀(PH3), 인(P), 비소(As), 붕소(B), 등(도시되지 않음)과 같은 소스 재료를 이온화시킴으로써 발생된다. 하우징(4)은 플라즈마로부터 이온빔을 추출할 수 있는 종방향으로 연장되는 신장된 출구 또는 추출 슬릿(18)을 지닌, 대체로 각 제1 및 제2 단부(14 및 16) 간에서 종방향으로 연장되는 대체로 원통형의 도전성 챔버벽(10)을 포함한다. 개구(18)는 챔버(6)내에서 한정된 플라즈마에 추출 장치를 액세스시켜, 상당한 길이(예를 들어, 400mm)의 리본-형상의 빔을 균일하거나 제어가능한 방식으로 플라즈마로부터 추출한다.Referring first to FIGS. 1A-1C and 2A, an ion source 2 according to the present invention is shown, which can be used to create an elongated ribbon beam for use in an ion implantation system. This source comprises a housing 4 defining an elongated generally cylindrical plasma compartment 6 disposed along the longitudinal axis 8, in which the plasma is phosphine (PH3), phosphorus (P), arsenic It is generated by ionizing a source material such as (As), boron (B), and the like (not shown). The housing 4 generally extends longitudinally between each of the first and second ends 14 and 16, with an elongated outlet or extraction slit 18 extending longitudinally capable of extracting the ion beam from the plasma. It includes a generally cylindrical conductive chamber wall 10. The opening 18 accesses the extraction device to a plasma defined within the chamber 6 to extract a ribbon-shaped beam of significant length (eg 400 mm) from the plasma in a uniform or controllable manner.
본 발명의 한 가지 양상은 챔버(6) 내에서 플라즈마를 동축 여기시켜, 소스(2) 내에서 플라즈마 균일성을 용이하게 한다. 이를 위하여, 예시된 이온 소스(2)는 제1 및 제2 단자(20a 및 20b) 각각을 포함하는 안테나(20)를 사용하는데, 이 단자는 종축(8)을 따라서 동축으로 위치된다. 안테나(20) 및 도전성 챔버벽(10)의 동축 또는 동심 위치는 소스(2)의 종방향 길이를 따라서 플라즈마의 균일성을 용이하게 한다. 제1 단자(20a)는 제1 단부(14)에서 RF 플라즈마 발진기 소스(22)에 접속되고 제2 단자(20b)는 제2 단부(16)에서의 종단점(21)에서 챔버벽에 전기적으로 접속되는데, 여기서 이 단자(20a 및 20b)는 커패시터(24a 및 24b) 각각을 사용하여 AC 결합된다. One aspect of the present invention is to coaxially excite the plasma in the chamber 6 to facilitate plasma uniformity in the source 2. To this end, the illustrated ion source 2 uses an antenna 20 comprising first and second terminals 20a and 20b, respectively, which are coaxially located along the longitudinal axis 8. Coaxial or concentric positions of the antenna 20 and the conductive chamber wall 10 facilitate the uniformity of the plasma along the longitudinal length of the source 2. The first terminal 20a is connected to the RF plasma oscillator source 22 at the first end 14 and the second terminal 20b is electrically connected to the chamber wall at the endpoint 21 at the second end 16. Where these terminals 20a and 20b are AC coupled using capacitors 24a and 24b respectively.
챔버(6)는 안테나의 내부 부분 및 커패시터(24) 간의 부싱(27)을 사용하여 진공으로 유지된다. 안테나(20)는 인덕턴스(L)를 갖고 커패시터(24)와 함께, 공진 회로를 형성하여 RF 여기를 소스 가스에 제공함으로써 챔버(6)에서 플라즈마를 발생시키는데, RF 소스(22)의 한 출력은 안테나 단자(24a)에 접속되고 다른 출력은 벽(10)의 제1 단부(14)에서 종단 점(23)에 접속된다. 따라서, RF 소스(22), 안테나(20), 커패시터(24) 및 도전성 챔버 벽(10)은 실질적으로 동축 전기 회로를 형성하여 안테나(20)의 노출된 부분에서 교류를 제공하여 플라즈마 격실(6) 내에서 전계를 유도한다. 안테나(20) 및 커패시터(24)의 결합이 RF 소스(22)의 주파수에서 직렬 공진 회로를 형성한다. 따라서, 이 회로 양단의 전압이 최소화된다. 커패시터(24)가 동일한 값으로 이루어지면, 안테나(20)의 중앙에서의 전압은 또한 최소로 된다. 이는 안테나(20)(또는 안테나 차폐) 재료의 스퍼터링을 최소화하는데 바람직하다. The chamber 6 is maintained in vacuum using a bushing 27 between the inner portion of the antenna and the capacitor 24. Antenna 20 has an inductance L and, together with capacitor 24, forms a resonant circuit to generate a plasma in chamber 6 by providing RF excitation to the source gas, one output of RF source 22 being It is connected to the antenna terminal 24a and the other output is connected to the termination point 23 at the first end 14 of the wall 10. Thus, RF source 22, antenna 20, capacitor 24 and conductive chamber wall 10 form a substantially coaxial electrical circuit to provide alternating current in the exposed portion of antenna 20 to provide a plasma compartment 6. Induces an electric field within The combination of antenna 20 and capacitor 24 form a series resonant circuit at the frequency of RF source 22. Thus, the voltage across this circuit is minimized. If the capacitor 24 is of the same value, the voltage at the center of the antenna 20 is also minimized. This is desirable to minimize sputtering of the antenna 20 (or antenna shielding) material.
단자(20a 및 20b) 간의 안테나(20)의 중앙 부분은 축(8)을 따라서 종방향으로 연장되어 에너지를 챔버(6)로 결합시킴으로서, 안테나(20)를 통과한 AC RF 전류는 플라즈마 격실(6) 내에서 시변 자계를 생성시킨다. 그 후, 자계는 본래 챔버(6) 내에서 가속되는 자유 전자를 발생시킴으로써 (초기에) 점유되는 영역에서 전계를 유도한다. 그 후, 가속된 전자는 이온화가능한 재료와 충돌하여, 더 많은 전자를 발생시키며, 이는 플라즈마가 설정될 때까지 RF 필드에 의해 또한 가속된다. 안정 상태에서, RF 유도된 이온화는 불완전한 제한으로 인해 챔버 벽으로의 플라즈마 손실 뿐만 아니라 다른 손실 메커니즘을 보상한다. 챔버(6) 내의 플라즈마 전류는 대체로, 안테나(20) 내의 전류의 방향과 평행하고 대향된다. The central portion of the antenna 20 between the terminals 20a and 20b extends longitudinally along the axis 8 to couple energy into the chamber 6 so that the AC RF current passing through the antenna 20 is reduced to a plasma compartment ( 6) creates a time-varying magnetic field within The magnetic field then induces an electric field in the area occupied (initially) by generating free electrons that are originally accelerated in the chamber 6. The accelerated electrons then collide with the ionizable material, generating more electrons, which are also accelerated by the RF field until the plasma is established. In the steady state, RF induced ionization compensates for plasma loss to the chamber walls as well as other loss mechanisms due to incomplete limitations. The plasma current in the chamber 6 is generally parallel and opposite to the direction of the current in the antenna 20.
또 다른 변형으로서, 안테나는 부싱(27) 대신에, 진공 파티션(vaccum partition)을 형성할 수 있는 절연관에 의해 둘러싸여진다. 이 경우에, 안테나 및 커패시터는 대기압으로 유지되며, 플라즈마로부터 절연된다. 이 구성은 (플라즈마 오염을 고려함이 없이) 플라즈마 재료의 선택을 넓게하고 안테나 및 플라즈마 간의 커패시턴스를 최소화한다. 전형적인 소스(2)가 원통형 플라즈마 격실(6)을 포함하지만, 다른 신장된 대체로 원통 형상은 본 발명의 범위 내에서 가능하다. 본원에 사용된 바와 같이, 용어 일반적으로 원통형은, 신장된 리본-형상의 이온 빔의 추출을 위하여 균일하게 플라즈마를 여기시키도록 동축 여기 안테나를 구성하는 이와 같은 다른 신장된 형상을 포함한다. As a further variant, the antenna is surrounded by an insulating tube which can form a vacuum partition, instead of the bushing 27. In this case, the antenna and capacitor are kept at atmospheric pressure and insulated from the plasma. This configuration broadens the choice of plasma material (without considering plasma contamination) and minimizes capacitance between the antenna and the plasma. While a typical source 2 includes a cylindrical plasma compartment 6, other elongated generally cylindrical shapes are possible within the scope of the present invention. As used herein, the term generally cylindrical includes such other elongated shapes that configure the coaxial excitation antenna to uniformly excite the plasma for extraction of the elongated ribbon-shaped ion beam.
도1A 및 도1B는 종방향으로 연장되는 영구 자석(40)이 챔버(6) 내에 다첨점 플라즈마 제한 필드(multi-cusped plasma confinement fields)를 제공하도록 소스내에 위치되는 소스(2)의 한 가지 구현방식을 도시한 것이다. 도1C-5는 원주방향으로 연장되는 영구 자석(46)을 사용하여 챔버(6) 내에 방위 제한 필드를 발생시키는 소스(2)의 또 다른 구현방식을 도시한 것이다. 보다 상세하게 후술되는 바와 같이, 이와 같은 플라즈마 제한 자계는 챔버(6)의 내벽 근처에서 발생되어 챔버(6) 내의 특정 영역으로 플라즈마를 가둔다. 그 후, 플라즈마로부터의 이온은 출구(18) 근처에 위치된 하나 이상의 활성화가능한 추출 전극(26a-26e)에 의해 사전-추출 영역(56)에서 추출되어(도1B 및 도1C), 대체로 리본-형상의 이온빔을 제공하는데, 전극(26)은 전원(28)을 사용하여 활성화 된다. 전극(26)은 빔을 추출하는 신장된 추출 슬릿(30)을 포함함으로써, 큰 종횡비를 갖는 리본-형상의 빔을 제공한다. 어떤 적절한 추출 장치는 본 발명에 따라서 사용될 수 있는데, 추출 전극(26) 및 이를 통한 슬릿(30)이 반드시 원래 크기대로 도시될 필요는 없다는 점에 유의하라. 게다가, 안테나(20)의 인덕턴스(L) 및 커패시터(24)의 커패시턴스는 어떤 적절한 RF 주파수에서 공진 조건을 제공하도록 선택될 수 있고, 어떤 종래의 RF 소스(22)는 본 발명의 각종 양상을 실행하도록 사용될 수 있다.1A and 1B illustrate one implementation of a source 2 in which a longitudinally extending permanent magnet 40 is positioned within the source to provide multi-cusped plasma confinement fields in the chamber 6. The way is shown. 1C-5 illustrate another implementation of the source 2 that generates an azimuth confining field in the chamber 6 using a permanent magnet 46 extending in the circumferential direction. As will be described in more detail below, such a plasma confining magnetic field is generated near the inner wall of the chamber 6 to trap the plasma in a particular area within the chamber 6. The ions from the plasma are then extracted in the pre-extraction region 56 by one or more activatable extraction electrodes 26a-26e located near the outlet 18 (FIGS. 1B and 1C), generally ribbon- It provides a shaped ion beam, in which electrode 26 is activated using power source 28. The electrode 26 includes an elongated extraction slit 30 that extracts the beam, thereby providing a ribbon-shaped beam with a large aspect ratio. Note that any suitable extraction device may be used in accordance with the present invention, wherein the extraction electrode 26 and the slit 30 through it are not necessarily shown in their original size. In addition, the inductance L of the antenna 20 and the capacitance of the capacitor 24 can be selected to provide resonance conditions at any suitable RF frequency, and any conventional RF source 22 implements various aspects of the present invention. Can be used to
도2C-2F를 또한 참조하면, 안테나(20)와 전원(22)의 용량성 결합은 본 발명에 따른 각종 방식으로 성취될 수 있다. 한 가지 구성이 도2C(예를 들어, 도1C와 유사)에 간단하게 그리고 도2D에 개요적으로 도시되어 있다. 이 구성은 안테나(20)의 중앙이 RF 접지(예를 들어, 가상 접지)에 매우 근접하여 동작하도록 하는데 유용한데, 이로 인해 플라즈마에 결합되는 전력의 균일성이 향상된다. 따라서, 안테나 구성은 이온화된 플라즈마의 충분한 량이 플라즈마 챔버(6)의 종방향 길이를 따라서 이용될 수 있도록 지원함으로써 균일한 빔 추출을 용이하게 한다. 또한, 도2C 및 도2D에서 안테나(20)로부터 접지로의 DC 경로는 존재하지 않는데, 이것이 소스(2)에서의 플라즈마 전류의 바람직하지 않는 공핍을 방지한다. 또 다른 가능한 구성이 도2E 및 도2F에 도시되어 있는데, 여기서 단일 커패시터(24)는 제1 단부(14)에 제공되며, 안테나(20)의 제2 단부(16)는 벽(10)의 제2 단부(16)(예를 들어 용접에 의해)에 접지된다. 본원에 예시되고 설명된 구성 이외에, 다른 구성이 본 발명의 범위 내에서 가능하다. Referring also to Figures 2C-2F, capacitive coupling of antenna 20 and power source 22 can be accomplished in various ways in accordance with the present invention. One configuration is shown briefly in FIG. 2C (eg, similar to FIG. 1C) and schematically in FIG. 2D. This configuration is useful for allowing the center of the antenna 20 to operate in close proximity to RF ground (eg, virtual ground), which improves the uniformity of power coupled to the plasma. Thus, the antenna configuration facilitates uniform beam extraction by supporting a sufficient amount of ionized plasma to be used along the longitudinal length of the plasma chamber 6. In addition, there is no DC path from antenna 20 to ground in FIGS. 2C and 2D, which prevents undesirable depletion of plasma current at source 2. Another possible configuration is shown in Figures 2E and 2F, where a single capacitor 24 is provided at the first end 14, and the second end 16 of the antenna 20 is formed on the wall 10. It is grounded at the two ends 16 (for example by welding). In addition to the configurations illustrated and described herein, other configurations are possible within the scope of the present invention.
도1C 및 도2A를 다시 참조하면, 전형적인 이온 소스(2)는 하우징(4)의 원통형 내부 표면을 제공하고 도전성 벽(10) 및 격실(6) 내의 플라즈마 간에 열 장벽을 생성하는 내부 라이너(32)를 포함한다. 챔버(6) 내에서 플라즈마의 여기가 플라즈마를 가열시킨다. 과거에, 플라즈마 챔버의 내벽은 상당히 차거운 채로 유지되었는데, 이로 인해 종방향으로 연장되는 영구 자석이 적절하게 동작할 수 있었다. 그러나, 벽 및 플라즈마 간의 이 온도 기울기는 축합을 야기시켰다. 그 후, 이온 소스가 서로 주입 종을 수용하도록 전환될 때, 사전 소스 가스로부터의 재료의 축합이 오염물로서 남게된다. 본 발명을 따르면, 라이너(32)는 챔버(6)의 내부에서 가스 온도를 상승시켜(예를 들어, 약 600℉), 이와 같은 축합을 완화시킨다.Referring again to FIGS. 1C and 2A, a typical ion source 2 provides an inner liner 32 that provides a cylindrical inner surface of the housing 4 and creates a thermal barrier between the conductive wall 10 and the plasma in the compartment 6. ). Excitation of the plasma in the chamber 6 heats the plasma. In the past, the inner wall of the plasma chamber remained quite cold, which allowed the longitudinally extending permanent magnets to operate properly. However, this temperature gradient between the wall and the plasma caused condensation. Then, when the ion sources are switched to receive the implanted species from each other, condensation of the material from the prior source gas remains as a contaminant. According to the present invention, the liner 32 raises the gas temperature inside the chamber 6 (eg, about 600 ° F.) to mitigate this condensation.
이 점에서, 도전성 챔버 벽(10)은 알루미늄으로 제조되는 반면에, 라이너(32)는 텅스텐 등의 재료로 바람직하게 제조된다. 챔버(6)가 진공으로 동작되기 때문에, 라이너(32) 및 벽(10)간에 매우 열악한 열 접속이 이루어져, 결국, 이들간에는 거의 열 전도성이 존재하지 않게 된다. 따라서, 예를 들어, 비소 소스 재료와 함께 사용될 때, 비소는 증기 형태로 유지될 것이고 라이너(32)상에 축합되지 않을 것이다. 다른 재료가 라이너(32)를 위하여 사용될 수 있다. 그러나, 텅스텐의 질량이 전형적인 주입 재료의 질량보다 훨씬 크기 때문에 텅스텐이 도시된 이온 소스(2)에 사용되고, 결국, 이 텅스텐은 다음 질량 분석에 의해 분리됨으로, 최종 주입 타겟상으로 제공되는 빔을 오염시키지 않을 것이다.In this respect, the conductive chamber wall 10 is made of aluminum, while the liner 32 is preferably made of a material such as tungsten. Since the chamber 6 is operated in vacuo, very poor thermal connections are made between the liner 32 and the wall 10, resulting in almost no thermal conductivity between them. Thus, for example, when used with arsenic source material, arsenic will remain in vapor form and will not condense on liner 32. Other materials may be used for the liner 32. However, because the mass of tungsten is much larger than that of a typical implant material, tungsten is used in the illustrated ion source 2, which in turn is contaminated by subsequent mass spectroscopy, contaminating the beam provided onto the final implant target. I will not let you.
도1A 및 도1B에 도시된 바와 같이, 이온 소스(2)는 또한, 42°및 약 45°로 서로로부터 원주방향으로 이격된 종방향으로 연장되는 영구 자석(40)을 포함할 수 있는데, 이 영구 자석은 라이너(32)의 내부 표면과 동일 높이의 교대하는 N 및 S 자극면을 갖는다. 자석(40a)은 챔버(6)의 내부와 마주보는 N극을 갖고 자석(40b)은 이 내부와 마주보는 S극을 갖는다. 이에 따라서 위치될 때, 종방향으로 연장되는 자석(40)은 도1A에 도시된 다첨점 자계(44)를 제공한다. 자계(44)는 일반적으로 라이너(32)의 내부 표면 근처에 집중됨으로써, 라이너(52)로부터 벗어나 이온화된 플라즈마를 제한시켜 플라즈마 챔버(6)의 중앙을 향하여 이온화된 플라즈마를 집중 적으로 또는 방사상으로 제한시킨다. 이하에 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 이온 소스(2)는 또한 전자석(5) 쌍을 포함하여 챔버(6)의 사전 추출 영역(56)에서 각 조정가능한 자계를 제공하여, 소스(2)로부터 추출되는 빔의 밀도 프로필을 제어한다. As shown in Figures 1A and 1B, ion source 2 may also include a permanent magnet 40 extending longitudinally spaced circumferentially from each other at 42 ° and about 45 °, which The permanent magnet has alternating N and S pole faces of the same height as the inner surface of the liner 32. The magnet 40a has an N pole facing the interior of the chamber 6 and the magnet 40b has an S pole facing the interior. When positioned accordingly, the longitudinally extending magnet 40 provides the multipoint magnetic field 44 shown in FIG. 1A. The magnetic field 44 is generally concentrated near the inner surface of the liner 32 to confine the ionized plasma away from the liner 52 to concentrate or radially ionize the ionized plasma towards the center of the plasma chamber 6. Limit it. As will be explained in more detail below, the ion source 2 also includes an electromagnet 5 pair to provide each adjustable magnetic field in the pre-extraction region 56 of the chamber 6 from the source 2. Control the density profile of the extracted beam.
지금부터 도1C, 2A 및 2B를 참조하면, 본 발명의 또 다른 양상은 챔버(6) 내의 축(8)으로부터 방사상으로 이격되고 서로 종방향으로 이격된 다수의 원주방향으로 연장되는 영구 자석(46)을 사용하여 라이너(32)의 내부 표면 근처에 방위 자계 제한 필드(48)를 제공하는데, 여기서 자석(46a)은 축(8)과 마주보는 N극을 갖고 자석(46b)은 축(8)과 마주보는 S극을 갖는다. 자석(46)은 도2A 및 도2B에 도시된 바와 같이 구성되어 인접 쌍의 대향 자성을 형성한다. 인접 쌍은 플라즈마 제한 챔버(6) 내에서 플라즈마를 가두기 위하여 라이너(32) 근처에서 방위 자계(48)를 생성시키도록 동작한다. 대안적으로, 단일의 자석(N 또는 S) 로우(row)가 대향측상의 수동 복귀 요크(passive return yoke)와 함께, 사용될 수 있다. 자석(46)은 챔버(6)의 중앙에서(예를 들어, 축(8)을 따라서) 상대적으로 낮은 자계 강도를 제공하며, 라이너(32)에서 보다 높은 자계 강도를 제공한다. 이 방식으로, 강한 기울기가 라이너(32)의 에지로부터 축(8)까지 설정된다. 이 기울기는 이온화된 플라즈마가 중앙을 향하도록 하고 라이너(32)로부터 벗어나도록 제한하도록 하면서, 플라즈마가 원통형 챔버(6)의 중앙 근처에서 자유롭게 이동하도록 한다. 챔버(6)의 중앙에서 이동 자유도는 소스(2)의 종방향 길이를 따라서 플라즈마의 균일성을 향상시키는데 유용하다. Referring now to FIGS. 1C, 2A, and 2B, another aspect of the present invention is a permanent magnet 46 extending radially away from the axis 8 in the chamber 6 and extending longitudinally apart from one another. To provide an azimuth magnetic field confining field 48 near the inner surface of the liner 32, where the magnet 46a has an N pole facing the axis 8 and the magnet 46b has an axis 8. It has an S pole facing. Magnet 46 is configured as shown in Figures 2A and 2B to form opposite pairs of opposing magnets. Adjacent pairs operate to generate an azimuth magnetic field 48 near the liner 32 to trap the plasma in the plasma confinement chamber 6. Alternatively, a single magnet (N or S) row can be used, with a passive return yoke on the opposite side. The magnet 46 provides a relatively low magnetic field strength in the center of the chamber 6 (eg along the axis 8) and provides a higher magnetic field strength in the liner 32. In this way, a strong slope is set from the edge of the liner 32 to the axis 8. This gradient allows the plasma to move freely near the center of the cylindrical chamber 6, while directing the ionized plasma towards the center and limiting it away from the liner 32. The freedom of movement at the center of the chamber 6 is useful for improving the uniformity of the plasma along the longitudinal length of the source 2.
도1A 및 도1B(예를 들어, 약 42° 및 45°)의 종방향으로 연장되는 자석(40)의 각도 간격은 도시된 소스(2)에 대해서 대칭이라는 점에 유의하라. 자석(40) 간의 작은 각도는 출구(18)를 제외한 대부분의 주변에 걸쳐서 사용될 수 있다. 추출시에 첨점 필드(cusp fields)(44)의 차단에 의해 야기된 비대칭이 소스(2)의 중앙을 향하여 큰 필드를 관통시킨다. 따라서, 종방향으로 연장되는 제한 자석(40)의 피치가 제한된다. 그러나, 도1C-5의 원주방향으로 연장되는 자석(46)의 밀접도(closeness)의 수에 대해선 제한하지 않는다. 따라서, 임의 수의 이와 같은 자석(46)이 본 발명에 따라서 제공됨으로써, 임의의 소망 제한 자계 프로필이 소스(2)의 내부 내에서 성취될 수 있다. 따라서, 자계 기울기는 자석(46)을 사용함으로써 라이너(32) 근처에서 임의 소망 값으로 설계될 수 있다. 따라서, 이와 같은 자석(46)을 갖는 것으로서 도시되었지만, 임의 수의 이와 같은 자석이 본 발명의 범위 내에서 고려되며, 이로 인해 보다 양호한 제한 제어가 특히 출구(18) 근처에서 성취될 수 있다. 게다가, 라이너(32)의 전체 주변 주위에서 원주방향으로 연장되는 것으로서 도시되었지만, 이와 같은 자석(46)(도시되지 않음)의 다른 구성이 본 발명의 범위 내에 있는 것으로서 간주된다.Note that the angular spacing of the magnets 40 extending longitudinally in FIGS. 1A and 1B (eg, about 42 ° and 45 °) is symmetric with respect to the source 2 shown. Small angles between the magnets 40 can be used over most of the perimeter except for the outlet 18. The asymmetry caused by the blocking of the cusp fields 44 at the time of extraction penetrates the large field towards the center of the source 2. Thus, the pitch of the limiting magnet 40 extending in the longitudinal direction is limited. However, the number of closeness of the magnet 46 extending in the circumferential direction of FIGS. 1C-5 is not limited. Thus, by providing any number of such magnets 46 in accordance with the present invention, any desired limiting magnetic field profile can be achieved within the interior of the source 2. Thus, the magnetic field slope can be designed to any desired value near the liner 32 by using the magnet 46. Thus, although shown as having such a magnet 46, any number of such magnets is contemplated within the scope of the present invention, whereby better limiting control can be achieved, especially near the outlet 18. In addition, although shown as extending circumferentially around the entire periphery of the liner 32, other configurations of such a magnet 46 (not shown) are considered to be within the scope of the present invention.
본원에 예시되고 설명된 전형적인 구현방식이 종방향으로 연장되는 제한 자석(40) 및 원주방향으로 연장되는 자석(46) 둘 다를 포함하지만, 방위 자계(48)는 자석(40)에 의해 생성되는 제한 필드(44)와 별도로 또는 조합하여 제공될 수 있다. 이 점에서, 본 발명의 영역 내의 이온 소스는 자석(40 및/또는 46)의 어떤 조합을 포함할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 게다가, 전형적인 이온 소스(2)가 동축 여기 안테나(20)와 조합하여 원주방향으로 연장되는 자석(46)을 결합시키지만, 다른 구현방식이 이들 특징들 또는 이들의 등가물중 하나 또는 둘 다를 갖는 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주된다. While the typical implementations illustrated and described herein include both a longitudinally extending limiting magnet 40 and a circumferentially extending magnet 46, the azimuth magnetic field 48 is limited by the magnet 40. It may be provided separately from or in combination with the field 44. In this regard, it will be appreciated that the ion source within the scope of the present invention may comprise any combination of magnets 40 and / or 46. In addition, although a typical ion source 2 couples a circumferentially extending magnet 46 in combination with a coaxial excitation antenna 20, other implementations of the invention have one or both of these features or their equivalents. It is considered to be in the range of.
지금부터 도3A, 3B, 및 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 양상은 플라즈마 격실(6)로부터 추출되는 신장된 종방향 이온빔과 관계된 밀도 프로필을 선택적으로 조정하는 제어 장치(60)를 제공한다. 본 발명의 밀도 프로필 조정 특징은 어떤 리본빔 소스와 관련하여 사용될 수 있지만, 본원에 서술되고 설명된 것으로 국한되지 않는다. 게다가, 프로필 조정 특징은 본 발명에 따라서, 단독으로 또는 상기 예시되고 설명된 동축 여기 및/또는 방위 제한 특징과 조합하여 사용될 수 있다. 제어 장치(60)는 리본 빔을 이온 소스(2)로부터 추출하는 사전-추출 영역(56) 및 여기 출구(18) 근처의 다수의 자석 쌍을 포함한다.Referring now to Figures 3A, 3B, and 5, another aspect of the present invention provides a control device 60 that selectively adjusts the density profile associated with the elongated longitudinal ion beam extracted from the plasma compartment 6. . Density profile adjustment features of the present invention can be used in connection with any ribbon beam source, but are not limited to those described and described herein. In addition, the profile adjustment feature can be used according to the invention, alone or in combination with the coaxial excitation and / or orientation limitation features illustrated and described above. The control device 60 includes a pre-extraction region 56 which extracts the ribbon beam from the ion source 2 and a plurality of magnet pairs near the excitation exit 18.
자석 쌍은 상부 및 하부 전자석(50a 및 50b)을 포함하는데, 이 자석(50a 및 50b)은 전류를 제어된 방식으로 유도하여 자신들간에 조정가능한 자계(52)를 제공할 수 있는 활성화가능한 권선을 갖는다. 자석(50a 및 50b)은 출구(18)의 양측사에 배치되어 출구(18) 근처의 챔버(6) 내부의 사전-추출 영역(56)에 조정가능한 자계(52)를 제공하여 추출된 리본빔의 밀도 프로필을 조정한다. 전자석(50)은 제1 자석(50a)이 제2 자석(50b)과 마주보는 제1 자성(예를 들어, 도시된 예에서 N)의 자극을 제공하고, 제2 자석(50b)은 제1 자석(50a)과 마주보는 대향되는 제2 자성(S)의 자극을 제공한다. 이 방식으로, 각 자석 쌍의 자석(50a 및 50b)은 사전-추출 영역(56)에 조정가능한 자계(52)를 제공하도록 통합된다. 다른 위치가 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주되지만, 이 자석 쌍(50a 및 50b)은 소스(2)의 하우징(4)상에 위치됨으로써, 선택적으로 가변하거나 조정가능한 자계를 추출 전극(26) 근처의 사전-추출 영역에 제공한다. The magnet pair includes upper and lower electromagnets 50a and 50b, which have activatable windings that can induce current in a controlled manner to provide an adjustable magnetic field 52 between them. . The magnets 50a and 50b are arranged on both sides of the outlet 18 to provide an adjustable magnetic field 52 in the pre-extraction area 56 inside the chamber 6 near the outlet 18 to extract the ribbon beam. Adjust the density profile. The electromagnet 50 provides a magnetic pole of a first magnet (eg, N in the illustrated example) in which the first magnet 50a faces the second magnet 50b, and the second magnet 50b is a first magnet. It provides a magnetic pole of the second magnetic (S) facing the magnet 50a. In this way, the magnets 50a and 50b of each magnet pair are integrated to provide an adjustable magnetic field 52 in the pre-extraction area 56. While other positions are deemed to be within the scope of the present invention, these magnet pairs 50a and 50b are located on the housing 4 of the source 2, thereby selectively generating a variable or adjustable magnetic field near the extraction electrode 26. To the pre-extraction area.
전형적인 소스(2)에서, 8개의 이와 같은 자석쌍(50)이 도시되어 있다. 그러나, 임의 수의 이와 같은 자석쌍(50)은 본 발명에 따라서 제공될 수 있다. 게다가, 다른 유형의 자석(예를 들어, 영구 자석)이 사용됨으로써, 다수의 조정가능한 자계가 리본 빔의 프로필을 제어하는데 성취될 수 있다. 도3A 및 도5에 도시된 바와 같이, 각 자석쌍(50)과 관련된 자계(52) 각각은 제어 신호를 DC 전원(64)에 제공하는 제어 시스템(62)을 통해서 조정되어, 개별적인 전자석(50)과 관련된 코일 권선을 여기시킨다. 제어 시스템(62)은 전원(64)에 접속되어 자석쌍에 공급되는 전류를 개별적으로 조정하여 추출된 이온 빔을 위한 소망 밀도 프로필에 따라서 사전-추출 영역(56) 내의 자석쌍에 의해 발생되는 자계(52)를 조정한다. 각 자계(52)에 대한 제어는 사전-추출 영역(56)에서 이용가능한 이온화된 플라즈마의 량을 선택적으로 제한시키는데, 여기서 소정 자석쌍(50)과 관련된 자계(52)를 증가시키면 이 쌍 근처의 챔버 밖으로 흐르는 플라즈마의 량을 감소시킨다.In a typical source 2, eight such magnet pairs 50 are shown. However, any number of such magnet pairs 50 can be provided in accordance with the present invention. In addition, by using other types of magnets (eg permanent magnets), a number of adjustable magnetic fields can be achieved to control the profile of the ribbon beam. As shown in Figures 3A and 5, each of the magnetic fields 52 associated with each pair of magnets 50 is regulated through a control system 62 that provides a control signal to the DC power supply 64, so that an individual electromagnet 50 Excitation of the coil windings associated with The control system 62 is connected to a power source 64 and individually adjusts the current supplied to the magnet pair to generate a magnetic field generated by the magnet pair in the pre-extraction area 56 according to the desired density profile for the extracted ion beam. Adjust 52. Control of each magnetic field 52 selectively limits the amount of ionized plasma available in the pre-extraction region 56, where increasing the magnetic field 52 associated with a given magnet pair 50 causes Reduce the amount of plasma flowing out of the chamber.
따라서, 도시된 구현방식에서, 소스(2)의 종방향 길이(예를 들어, 이로 인한 리본 빔의 폭)는 자석쌍(50a, 50b)과 각각 관계되는 8개의 부분 또는 슬라이스로 세그먼트된다. 각 슬라이스를 위한 출구(18) 밖으로 흐르는 플라즈마를 선택적으로 제한시키는 성능은 사전-추출 영역(56)에서 플라즈마 챔버(6)로부터 추출될 때 이 결과의 빔의 밀도 프로필에 대해서 제어하도록 한다. 피드백, 피드-포워드, 예측 또는 그외 다른 유형을 포함하지만 이에 국한되지 않는 공지된 알고리즘을 사용하여, 소스(2)에서의 소망 프로필에 따라서 또는 주입 타겟(도시되지 않음)에서의 소망 프로필 다운스트림에 따라서 제어가 수행될 수 있다. 이는 예를 들어, 전체 주입 시스템에서 소스(2) 또는 다음(예를 들어, 다운스트림) 장치의 불균일성을 정정 또는 보상하기 위한 유틸리티를 제공한다. 예를 들어, 사전-추출 영역(56)에서 빔의 불균일성이 수용될 수 있지만, 자석 쌍(50a, 50b)의 일부 또는 전부는 소스(2) 및 타겟 웨이퍼 또는 패널 디스플레이(도시되지 않음)간의 다음 질량 분석 또는 가속 스테이지에서 불균일성을 보상하도록 사용될 수 있다. 이 점에서, 제어 시스템(62)은 사전-추출 영역(56) 근처 및/또는 주입되는 작업재(도시되지 않음)에 위치되는 패러데이 컵과 같은 이온 검출기를 더 포함할 수 있다.Thus, in the illustrated implementation, the longitudinal length of the source 2 (eg the width of the ribbon beam thereby) is segmented into eight portions or slices respectively associated with the magnet pairs 50a and 50b. The ability to selectively limit the plasma flowing out of the outlet 18 for each slice allows control over the resulting density profile of the beam when extracted from the plasma chamber 6 in the pre-extraction region 56. Using known algorithms, including but not limited to feedback, feed-forward, prediction, or any other type, depending on the desired profile at the source 2 or at the desired profile downstream at the injection target (not shown) Thus control can be performed. This provides, for example, a utility for correcting or compensating for non-uniformity of the source 2 or next (eg downstream) device in the overall injection system. For example, the non-uniformity of the beam in the pre-extraction area 56 may be accommodated, but some or all of the magnet pairs 50a, 50b may pass between the source 2 and the target wafer or panel display (not shown). It can be used to compensate for non-uniformity in mass spectrometry or acceleration stages. In this regard, the control system 62 may further include an ion detector, such as a Faraday cup, located near the pre-extraction region 56 and / or in the workpiece (not shown) being injected.
따라서, 소스(2) 및 밀도 프로필 제어 장치(60)를 사용하는 주입 시스템에는 적절한 센서 및 피드백 장치(도시되지 않음)가 제공되어 타겟 작업재상에 제공될 때 빔 프로필을 측정하고 대응하는 측정 신호를 제어 시스템(62)에 제공한다. 그 후, 제어 시스템(62)은 (예를 들어, 전원(64)을 사용하여) 전자석(50)을 여기시키도록 적절한 조정을 행하여, 작업재에서 소망 프로필로부터 어떤 편차를 정정 또는 보상한다. 대안적으로, 전원(64)은 수동으로 조정될 수 있고, 부가적으로 개별 자석쌍을 위한 각각의 출력을 지닌 단일 전원과 통합될 수 있다. 게다가, 개별적인 자석쌍의 자석(50a 및 50b)은 동일한 전류로 활성화되어, 단일(예를 들어, 조정가능한) 전원이 각 자석쌍을 위하여 사용되도록 한다. Thus, an injection system using the source 2 and the density profile control device 60 is provided with an appropriate sensor and feedback device (not shown) to measure the beam profile and provide a corresponding measurement signal when provided on the target workpiece. To the control system 62. The control system 62 then makes appropriate adjustments to excite the electromagnet 50 (e.g., using the power source 64) to correct or compensate for any deviation from the desired profile in the workpiece. Alternatively, the power supply 64 can be adjusted manually and additionally integrated with a single power supply with each output for a separate pair of magnets. In addition, the magnets 50a and 50b of the individual magnet pairs are activated with the same current, such that a single (eg adjustable) power source is used for each magnet pair.
지금부터 도4A 및 도4B를 참조하면, 프로필 제어 장치(60)의 동작이 부가 도시되어 있는데, 소스(2)의 2개의 슬라이스 또는 종방향 부분이 서로 다른 전자석 조정 레벨을 지닌 단면으로 도시되어 있다. 도4A는 제1 레벨로 활성화되어 추출 전극(26)에 의해 챔버(6)로부터 이온 추출을 제한시키는 제1 레벨을 제공하는 자석(50a' 및 50b')을 포함하는 자석쌍을 도시한다. 자계 윤곽은 자계 강도가 상이한 4개의 영역(71, 72, 73 및 74)으로 도시되어 있는데, 여기서 상대적으로 높은 자계 강도는 라인(32) 근처의 영역(71)에 제공되며, 이 영역에 연속하여 낮은 자계 강도가 영역(72, 73, 및 74)에 제공된다. 상술된 바와 같이, 영역(72-74) 내의 자계 강도는 도4A의 도시된 슬라이스에서 원주형 제한 자석(46)에 의해 생성된 방위 자계 뿐만 아니라 전자석(50a' 및 50b')에 의해 제공되는 제어 자계(52)의 누산 결과이다. 자계가 가장 약한(예를 들어, 영역(74)) 경우, 이온화된 플라즈마의 밀도는 챔버(6)에서 가장 크게된다는 점에 유의하라. 따라서, 최고 플라즈마 밀도는 영역(74)에 있는 반면에, 최저 밀도는 라이너(32) 근처의 영역(71)에 있다.Referring now to FIGS. 4A and 4B, the operation of the profile control device 60 is additionally shown, in which two slices or longitudinal portions of the source 2 are shown in cross-section with different electromagnet adjustment levels. . 4A shows a magnet pair comprising magnets 50a 'and 50b' which are activated to a first level to provide a first level that limits extraction of ions from chamber 6 by extraction electrode 26. As shown in FIG. The magnetic field contour is shown by four regions 71, 72, 73 and 74 with different magnetic field intensities, where a relatively high magnetic field strength is provided to the region 71 near the line 32 and in succession to this region. Low magnetic field strengths are provided in regions 72, 73, and 74. As described above, the magnetic field strength in regions 72-74 is controlled by the electromagnets 50a 'and 50b' as well as the azimuth magnetic field generated by the columnar limiting magnet 46 in the slice shown in Figure 4A. It is the accumulation result of the magnetic field 52. Note that when the magnetic field is the weakest (eg, region 74), the density of the ionized plasma is greatest in chamber 6. Thus, the highest plasma density is in region 74, while the lowest density is in region 71 near liner 32.
챔버(6)에서 이온화된 플라즈마는 이들 영역이 최저 자계 강도를 가질 때 영역(74)내의 주위로 이동하는데 가장 자유롭게 되는 반면에, 외부 영역(71) 내에는 거의 또는 전혀 이온화된 플라즈마가 존재하지 않는다. 도4A에서, 전자석(50a' 및 50b')은 상대적으로 고 레벨로 활성화되어, 사전 추출 영역을 통해서 추출 전극(26)의 슬릿(30)으로의 이온의 흐름을 제한한다. 따라서, 추출 이온 빔 슬라이스(80')는 영역(73)으로부터 대부분의 이온을 이끈다. 그러나, 본 발명을 따르면, 리본 빔(80)의 종방향 길이를 따른 다른 슬라이스는 서로 다르게 조정될 수 있다. 지금부터 도4B를 참조하면, 소스(2)의 인접 슬라이스가 단면으로 도시되어 있는데, 여기서 전자석(50a" 및 50b")은 보다 낮은 레벨로 활성화됨으로써, 이온 추출에 대한 보다 적은 제한이 사전-추출 영역(56)에 제공된다. 도4B에서 알 수 있는 바와 같이, 추출된 빔의 슬라이스(80")는 하부 자계 강도 영역(74)으로부터 이온을 이끈다. 본 발명은 프로필 제어 장치(60) 내의 다수의 자석쌍을 위한 상대적인 활성 레벨의 어떤 조합을 제공하고 임의 수의 이와 같은 자석쌍이 제공되어, 어떤 소망의 빔 밀도 프로필을 성취한다는 것을 인지할 것이다.The ionized plasma in the chamber 6 is most free to move around in the region 74 when these regions have the lowest magnetic field strength, while there is little or no ionized plasma in the outer region 71. . In FIG. 4A, the electromagnets 50a 'and 50b' are activated at relatively high levels, limiting the flow of ions into the slit 30 of the extraction electrode 26 through the pre-extraction region. Thus, the extracted ion beam slice 80 ′ draws most of the ions from region 73. However, according to the present invention, other slices along the longitudinal length of the ribbon beam 80 may be adjusted differently. Referring now to FIG. 4B, adjacent slices of the source 2 are shown in cross-section, where the electromagnets 50a "and 50b" are activated at lower levels, so that fewer restrictions on ion extraction are pre-extracted. Area 56 is provided. As can be seen in Figure 4B, a slice 80 "of the extracted beam draws ions from the lower magnetic field intensity region 74. The present invention provides a relative level of activity for a plurality of magnet pairs in the profile control device 60. It will be appreciated that any combination of and any number of such magnet pairs may be provided, achieving any desired beam density profile.
도5를 참조하면, 소스(2)는 간단한 형태로 도시되어 있는데, 여기서 전원 및 제어 시스템과 같은 어떤 세부사항이 간결성을 위하여 도시되어 있지 않다. 이 소스(2)는 큰 종횡비를 갖는 길이(82) 및 폭(84)을 갖는 신장된 리본 형상의 빔(80)을 제공한다. 이 빔은 제어 장치(60)의 8개의 자석쌍(50a, 50b)으로 인해 8개의 부분 또는 슬라이스로 세그먼트됨으로써, 빔(80)의 밀도 프로필은 특정 용도로 맞춰질 수 있다. 한 가지 구현방식에서, 빔 길이(82)는 약 400mm가 되어, 300mm 웨이퍼 타겟 또는 평판 패널 디스플레이의 단일-주사 주입을 용이하게 한다. 그러나, 어떤 바람직한 빔 길이(82)는 본 발명의 범위 내에서 가능하다. 게다가, 어떤 바람직한 폭(84)은 소스 하우징(4) 내의 출구 및 추출 전극(26)의 슬릿(30)을 적절한 크기로 함으로써 성취될 수 있다. 게다가, 추출 전극(26)이 5개의 이와 같은 전극(26) 이외에도 어떤 적절한 방식으로 구현될 수 있고 도시된 전극(26)이 반드시 원래 크기로 도시될 필요가 없다는 점에 유의하라.Referring to Figure 5, source 2 is shown in a simplified form, where certain details, such as the power supply and control system, are not shown for brevity. This source 2 provides an elongated ribbon shaped beam 80 having a length 82 and a width 84 having a large aspect ratio. The beam is segmented into eight parts or slices due to the eight magnet pairs 50a and 50b of the control device 60 so that the density profile of the beam 80 can be tailored for a particular use. In one implementation, the beam length 82 is about 400 mm, facilitating single-scan injection of a 300 mm wafer target or flat panel display. However, any preferred beam length 82 is possible within the scope of the present invention. In addition, any desired width 84 can be achieved by appropriately size the slit 30 of the outlet and extraction electrode 26 in the source housing 4. In addition, note that the extraction electrode 26 may be implemented in any suitable manner in addition to the five such electrodes 26 and that the illustrated electrode 26 does not necessarily need to be shown in its original size.
본 발명이 어떤 양상 및 구현방식과 관련하여 상기 도시되고 설명되었지만, 당업자는 본 명세서 및 첨부된 도면을 토대로 이와 등가의 변경 및 수정을 행할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 특히, 상술된 부품(어셈블리, 장치, 회로, 시스템 등)에 의해 수행되는 각종 기능과 관련하여, 본 발명의 전형적인 구현방식의 기능을 수행하는 서술된 구조와 구조적으로 같지 않지만, 이와 같은 부품을 설명하는데 사용되는 ("수단"을 포함한) 용어는 달리 표현되지 않는 한 서술된 부품(즉, 기능적으로 등가)의 특정 기능을 수행하는 어떤 부품에 대응한다. 이 점에서, 본 발명의 각종 방법의 단계를 수행하는 컴퓨터-실행가능한 명령을 갖는 컴퓨터-판독가능한 매체를 본 발명이 또한 포함한다는 것을 인지할 것이다. 게다가, 본 발명의 특정한 특징이 여러 구현방식들중 단지 하나의 구현방식에 대해서만 서술되었지만, 이와 같은 특징은 소정의 또는 특정의 응용을 위하여 바람직하고 유용한 다른 구현방식의 하나 이상의 다른 특징과 조합될 수 있다. 게다가, 용어, "포함하다", "포함하는", "갖는다", "갖는", "지닌" 및 이들 용어의 다른 표현 형태가 상세한 설명 또는 청구범위에 사용되며, 이들 용어는 용어 "구비하는"과 유사한 것으로 간주되어야 한다. While the present invention has been shown and described above in connection with certain aspects and implementations, those skilled in the art will recognize that equivalent changes and modifications may be made based on the present specification and the accompanying drawings. In particular, with respect to the various functions performed by the above-described components (assemblies, devices, circuits, systems, etc.), such components are described, although they are not structurally identical to the described structure for performing the functions of the typical implementation of the present invention. The term (including "means") used to refer to any part that performs a particular function of the described part (ie, functionally equivalent) unless otherwise indicated. In this regard, it will be appreciated that the invention also includes computer-readable media having computer-executable instructions for performing the steps of the various methods of the invention. In addition, while certain features of the invention have been described with reference to only one implementation of the various implementations, such features may be combined with one or more other features of other implementations that are desirable and useful for a given or particular application. have. In addition, the terms "comprise", "comprising", "have", "have", "having", "jinin", and other forms of expression of these terms are used in the description or claims, which term "comprising" Should be considered similar.
Claims (23)
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KR10-2005-7001499A KR20050021574A (en) | 2002-07-31 | 2003-07-29 | Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system |
Applications Claiming Priority (2)
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KR10-2005-7001499A KR20050021574A (en) | 2002-07-31 | 2003-07-29 | Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system |
Publications (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR10-2005-7001499A KR20050021574A (en) | 2002-07-31 | 2003-07-29 | Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system |
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Legal Events
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WITN | Withdrawal due to no request for examination |