KR20050011315A

KR20050011315A - Plasma metallic ion deposition apparatus

Info

Publication number: KR20050011315A
Application number: KR1020030050343A
Authority: KR
Inventors: 김대일; 마동준
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-07-22
Filing date: 2003-07-22
Publication date: 2005-01-29

Abstract

PURPOSE: To provide a plasma metal ion deposition apparatus capable of reducing the number of particles generated on a substrate during the deposition process and reducing thermal shock of the substrate generated from equipment that uses a RF coil formed by coiling a coil for several times. CONSTITUTION: The plasma metal ion deposition apparatus comprises a chamber(10); a substrate holder(21) installed at one side in the chamber; a RF magnetic field generation part(40) disposed oppositely to the substrate holder inside the chamber; a target base(30) disposed in such a shape that the target base encircles the circumference of the RF magnetic field generation part; and a static magnetic force line forming part for forming a magnetic force line passing through the target base, wherein the RF magnetic field generation part comprises a ring shaped RF coil(41), and a base(42) for supporting the ring shaped RF coil, wherein the static magnetic force line forming part comprises a first permanent magnet(71) of the target base, and a second permanent magnet(72) at the upper outer part of the target(50), and the first and second permanent magnets form a magnetic force line passing through the target base, and wherein the apparatus further comprises a first cooler(31) installed at the bottom of the target base, a second cooler(60) installed around the target base in such a way that the second cooler encircles an upper part of the target base to a certain height.

Description

Plasma metallic ion deposition apparatus

본 발명은 플라즈마 금속 이온 증착 장치에 관한 것으로서 상세히는 증착 공정 중 기판에 발생하는 파티클의 수를 줄일 수 있고, 동시에 다수의 턴(Turn)으로 구성된 RF 코일을 사용하는 장비에서 발생하는 기판의 열적 충격을 감소시키는 플라즈마 금속이온 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma metal ion deposition apparatus, and in detail, it is possible to reduce the number of particles generated on the substrate during the deposition process, and at the same time thermal shock of the substrate generated in the equipment using an RF coil composed of a plurality of turns (Turn) It relates to a plasma metal ion deposition apparatus for reducing the.

플라즈마 금속이온 증착 장치에서 타겟 중심부에 위치하는 RF 코일은 유도 자계에 의해 스퍼터 된 타겟 입자와 가스입자의 이온화 (양이온화)을 향상시킨다. 이러한 장치는 기판에 반대 극성의 전압을 인가함으로써 이온화된 타겟 입자와 가스이온들의 기판에 대한 충돌에너지를 조절 할 수 있으며 입자들의 충돌에너지를 이용하면, 기판의 온도만을 조절하여 박막을 증착 하는 진공증착장치에 비해 비교적 낮은 온도에서도 목적하는 물성을 갖는 박막의 증착이 가능하다.In the plasma metal ion deposition apparatus, the RF coil located at the center of the target improves ionization (cationic) of target particles and gas particles sputtered by an induction magnetic field. Such a device can control the collision energy of ionized target particles and gas ions to the substrate by applying a voltage of opposite polarity to the substrate, and using the collision energy of the particles, vacuum deposition is performed to deposit a thin film by controlling only the temperature of the substrate. It is possible to deposit a thin film having desired properties even at a relatively low temperature compared to the device.

일반적으로 물리적 기상 증착(physical vapor deposition) 중의 하나인 스퍼터링 방법(국제특허출원번호 PCT/US1998/16317 참고)은 스퍼터링 입자의 이온화를 향상 시키기 위하여 플라즈마 영역에 고주파 자기장을 형성한다. 타겟에서 스퍼터 된 입자와 가스입자들을 이온화 시키기 위하여 별도의 RF 코일을 사용하는 스퍼터링 장치는 반응 챔버의 내부에서 스퍼터링 타겟과 물질 증착 대상인 기판 사이에 RF을 설치하고 상기 RF 코일은 스퍼터링 입자의 효과적인 이온화를 도움으로써 보다 강력한 이온 충돌을 기판에 유발한다.The sputtering method (see International Patent Application No. PCT / US1998 / 16317), which is generally one of physical vapor deposition, forms a high frequency magnetic field in the plasma region to improve ionization of sputtered particles. A sputtering apparatus using a separate RF coil to ionize the sputtered particles and gas particles at the target, installs an RF between the sputtering target and the substrate to be deposited in the reaction chamber, and the RF coil provides effective ionization of the sputtered particles. As a result, stronger ion bombardment is induced on the substrate.

그러나, 상기 RF 코일에서 발생된 고열은 기판에 강한 열적 충격을 가하여 반도체 제조공정의 수율을 낮추며, 특히 스퍼터링 입자가 RF 코일의 표면에 증착 됨으로써 스퍼터링 장치 내부 공간에서의 파티클에 의한 오염 문제를 야기시킨다.However, the high heat generated in the RF coil lowers the yield of the semiconductor manufacturing process by applying a strong thermal shock to the substrate, and in particular, sputtering particles are deposited on the surface of the RF coil, causing contamination by particles in the space inside the sputtering apparatus. .

본 발명은 파티클의 문제를 개선할 수 있는 플라즈마 금속 이온 증착 장치를 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a plasma metal ion deposition apparatus that can improve the problem of particles.

또한 본 발명은 기판에 대한 열 충격을 감소시킬 수 있는 스퍼터링 장치를 제공함에 그 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a sputtering apparatus capable of reducing thermal shock on a substrate.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 금속이온 증착장치의 개략적 구성을 보인 측면도이다.1 is a side view showing a schematic configuration of a plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 플라즈마 금속이온 증착장치에서 내부 플라즈마 발생부의 발췌도면이다.FIG. 2 is an excerpt view of an internal plasma generator in the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention shown in FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 플라즈마 발생부에서 영구자석과 RF 코일의 평면적 레이아웃을 보인 평면도이다.3 is a plan view illustrating a planar layout of a permanent magnet and an RF coil in the plasma generator shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 플라즈마 금속 이온 증착 장치의 플라즈마 발생 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the plasma generating mechanism of the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 플라즈마 금속 이온 증착 장치의 플라즈마 발생부에서의 자기장 발생영역을 보이는 시뮬레이션 결과이다.5 is a simulation result showing a magnetic field generating region in the plasma generating unit of the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 금속이온 증착장치에서 이온화된 금속 및 Ar이온들을 기판으로 가속 시키기 위하여 상부에 이온가속용 금속 망을 설치할 경우 개략적인 구성을 보인 도면이다.FIG. 6 is a diagram illustrating a schematic configuration when an ion acceleration metal network is installed on an upper portion to accelerate ionized metal and Ar ions to a substrate in the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,According to the present invention to achieve the above object,

챔버와;A chamber;

상기 챔버 내부 일측에 마련되는 기판 홀더;A substrate holder provided on one side of the chamber;

상기 챔버 내부에서 상기 기판 홀더에 대향하게 배치되는 RF 자기장 발생부;An RF magnetic field generator disposed in the chamber to face the substrate holder;

상기 RF 자기장 발생부의 주위를 감싸는 형태로 배치되는 타겟 베이스와;A target base disposed in a form surrounding the RF magnetic field generator;

상기 타겟 베이스를 통과하는 자로를 형성하는 정적 자기력선 형성부를; 구비하는 플라즈마 금속 이온 증착 장치가 제공된다.A static magnetic force line forming unit forming a magnetic path passing through the target base; Provided is a plasma metal ion deposition apparatus.

상기 본 발명의 증착 장치의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 RF 자기장 발생부는 고리형 RF 코일과 이를 지지하는 베이스를 갖춘다.According to a preferred embodiment of the deposition apparatus of the present invention, the RF magnetic field generating unit has an annular RF coil and a base supporting the same.

또한, 상기 본 발명의 증착 장치의 바람직한 다른 실시예에 따르면, 상기 고정자로 형성부는 상기 타겟 베이스부의 제1영구자석과 상기 타겟 상부 바깥쪽의 제2영구자석을 구비하며, 상기 제1영구자석과 제2영구자석은 상기 타겟 베이스를 통과하는 자로를 형성한다.In addition, according to another preferred embodiment of the deposition apparatus of the present invention, the stator formed part comprises a first permanent magnet of the target base portion and a second permanent magnet outside the target upper portion, and the first permanent magnet and The second permanent magnet forms a magnetic path passing through the target base.

더욱 바람직하게는 상기 타겟 베이스의 저부에 냉각장치가 마련되며, 또한 상기 타겟 베이스의 둘레에 제2냉각장치가 마련되며, 상기 제2영구자석은 상기 제2냉각장치의 안쪽에 마련된다.More preferably, a cooling device is provided at the bottom of the target base, and a second cooling device is provided around the target base, and the second permanent magnet is provided inside the second cooling device.

한편, 상기 타겟 베이스에 설치되는 타겟은 상기 RF 자기장 발생부를 감싸는 형태를 가지면, 그 표면은 상기 RF 자기장 발생부 측으로 기울어져 있는 것이 더욱 바람직하다.On the other hand, if the target installed on the target base has a form surrounding the RF magnetic field generator, the surface is more inclined toward the RF magnetic field generator.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 플라즈마 금속 이온 증착 장치의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 금속 이온 증착 장치의 제1실시예를 보이는 개략적 단면도이며, 도 2는 타겟이 설치되는 베이스와 플라즈마가 발생하는 부분의 발췌 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of the plasma metal ion deposition apparatus according to the present invention, Figure 2 is an excerpt of the base and the portion where the plasma is generated, the target is installed.

알곤(Ar) 등의 방전가스 주입구(11)가 마련되어 있는 챔버(10)의 일측에, 챔버(10) 내부 관찰을 위한 뷰포트(12)가 마련되어 있고, 그 타측에는 배기부(13)가 마련되어 있다.A viewport 12 for observing the inside of the chamber 10 is provided on one side of the chamber 10 in which the discharge gas inlet 11 such as argon (Ar) is provided, and the exhaust part 13 is provided on the other side thereof. .

챔버(10)의 상방에는 기판(20)이 홀더(21)에 의해 지지되어 있다. 기판의 하부에는 본 발명을 특징지우는 플라즈마 발생부가 위치해 있다. 챔버(10)의 하부 중앙에 타겟 베이스(30)가 마련되어 있고, 이 내부에 타겟 베이스(30)를 냉각시키기 위한 제1냉각장치(31)가 설치되어 있다. 그리고 타겟 베이스(30)의 중앙 상부에 RF 자기장 발생부(40)가 설치되어 있다. RF 자기장 발생부(40)는 상기 타겟 베이스(30)의 중앙부분에서 소정 높이 돌출된 고리형 RF 코일(41)과 이를 지지하는 RF 코일 베이스(42)를 갖춘다. 한편, 타겟 베이스(30)에서, 상기 RF 자기장 발생부(40)를 에워 싸는 하나 또는 복수의 자석 요소에 의한 제1영구자석(71)이 타겟 베이스(30)의 표면 가까이에 설치되어 있다.The substrate 20 is supported by the holder 21 above the chamber 10. At the bottom of the substrate is located a plasma generator, which characterizes the invention. The target base 30 is provided in the lower center of the chamber 10, and the 1st cooling apparatus 31 for cooling the target base 30 is provided in this inside. In addition, the RF magnetic field generator 40 is installed at the center of the target base 30. The RF magnetic field generator 40 includes an annular RF coil 41 protruding a predetermined height from the center portion of the target base 30 and an RF coil base 42 supporting the same. On the other hand, in the target base 30, the first permanent magnet 71 by one or a plurality of magnet elements surrounding the RF magnetic field generator 40 is provided near the surface of the target base 30.

상기 제1영구자석(71) 위에는 본 발명을 특징지우는 또 다른 하나의 구성요소인 도넛형태의 타겟(50)이 위치한다. 이때에 바람직한 실시예에 따라 도넛형 타겟은 상기 RF 자기장 발생부의 RF 코일 측으로 기울어진 경사진 표면(51)을 가지며On the first permanent magnet 71, a donut-shaped target 50, which is another component of the present invention, is positioned. At this time, according to a preferred embodiment, the toroidal target has an inclined surface 51 inclined toward the RF coil side of the RF magnetic field generator.

설치될 챔버의 크기 및 공정에 맞도록 타겟을 포함한 본 플라즈마 금속 이온 증착 장치의 크기는 바뀔 수 있다.The size of the present plasma metal ion deposition apparatus including the target may be changed to match the size and process of the chamber to be installed.

또 다른 하나의 본 발명의 특징적 요소로서 상기 타겟 베이스(30) 가장 자리부분에 중앙의 RF자기장 발생부(40)와 이 둘레의 타겟(50)의 소정 높이로 에워 싸는 제2냉각장치(60)가 형성되어 있다. 상기 제2냉각장치(60)의 내측에는 상기 제1영구자석(71)에 대응하는 제2영구자석(72)이 마련되어 있다. 상기 제1영구자석(71)과 제2영구자석(72)은 정적 자기장(static magnetic field)을 형성하는 수단으로서, 상기 타겟(50)을 통과하는 자로를 형성한다. 특히, 상기 제1영구자석(71) 및 제2영구자석(72)은 도 3에 도시된 바와 같이, RF 자기장발생부(40)의 주위에 일정간격으로 다수의 배치된다. 상기 제2냉각장치(60)는 플라즈마 발생 영역을 에워 일종의 보호벽체로서 그 내측벽의 안쪽에서 좀 떨어진 위치에 상기 제2영구자석(72)이 설치되며, 상기 제2냉각장치는 제2영구자석(72)을 플라즈마 발생에 따른 열로부터 보호한다. 또한 본 발명의 증착 장치는 도 4에 도시된 바와 같이 증착 하고자 하는 물질로 이루어지고 그 표면이 경사진 도넛 형태의 타겟에 DC 펄스파워가 공급된다. 이때에 타겟(50)의 하부에 타겟(50)에 자기력선을 형성하는 제1영구자석(71)을 배치하며, 타겟의 바깥쪽 윗부분에 제2영구자석(72)을 배치함으로써 제1영구자석(71)과 제2영구자석(72)에 의해 형성되는 자기력선이 제1영구자석 위의 타겟으로만 형성된다. 이 자기력선은 타겟 중앙의 RF 자기장 발생부(40)로는 확장되지 않는다는 점에 특징이 있으며 타겟이 경사진 표면을 가진 도넛 형태이기 때문에 스퍼터링 된 타겟 물질이 RF 자기장 발생부의 상부로 도 공급될 수 있도록 되어 있다. 따라서 도 5에 도시된 바와 같이 고리형 RF 코일이 배치 될 도넛형태 타겟의 중심부는 제1영구자석(71)과 제2영구자석(72)에 의해 형성되는 포물선형 자기력선의 영향을 받지 않게 되며 타겟표면에서 스퍼터된 타겟 입자들과 Ar 가스는 고리형 RF 코일에 의해 발생되는 플라즈마에 의해 2차 이온화가 이뤄지게 된다. As another characteristic feature of the present invention, the second cooling device 60 is surrounded by a predetermined height of a central RF magnetic field generating unit 40 and a target 50 around the edge of the target base 30. Is formed. A second permanent magnet 72 corresponding to the first permanent magnet 71 is provided inside the second cooling device 60. The first permanent magnet 71 and the second permanent magnet 72 form a magnetic path passing through the target 50 as a means for forming a static magnetic field. In particular, the first permanent magnets 71 and the second permanent magnets 72 are arranged in a plurality at predetermined intervals around the RF magnetic field generator 40, as shown in FIG. The second cooling device 60 is a kind of protective wall that surrounds the plasma generating area, and the second permanent magnet 72 is installed at a position far from the inner side of the inner wall, and the second cooling device is a second permanent magnet. Protect 72 from heat due to plasma generation. In addition, the deposition apparatus of the present invention is made of a material to be deposited as shown in Figure 4 and the DC pulse power is supplied to the target of the donut-shaped inclined surface. At this time, the first permanent magnet 71 is formed below the target 50 to form magnetic lines of force on the target 50, and the second permanent magnet 72 is disposed on the outer upper portion of the target. 71) and the line of magnetic force formed by the second permanent magnet 72 is formed only as a target on the first permanent magnet. This magnetic field line is characterized in that it does not extend to the RF magnetic field generator 40 in the center of the target, and since the target is a donut shape having an inclined surface, the sputtered target material can be supplied to the upper portion of the RF magnetic field generator. have. Therefore, as shown in FIG. 5, the center of the donut-shaped target where the annular RF coil is to be placed is not affected by the parabolic magnetic field lines formed by the first permanent magnet 71 and the second permanent magnet 72. The target particles sputtered from the surface and the Ar gas are secondary ionized by the plasma generated by the annular RF coil.

즉, 본 발명의 증착 장치는 도넛형 타겟의 중앙부분에 RF 자기장 발생부가 위치하고 도넛형 타겟의 하부 및 그 상부 바깥 쪽으로 정적 자기장이 형성되는 마그네트론 스퍼터링 증착 장치이다. 또한 본 발명의 증착 장치에서, 증착 장치에 의한 스퍼터링 증착이 수행되는 동안, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 영구자석에 의한 정적 자기장 발생부로 부터의 자기력선의 영향을 받지 않는 부분에 RF 자기장 발생부가 마련됨으로써 고리형 RF 코일에 대한 물질증착을 방지할 수 있다. 상기 RF 자기장 발생부(40)는 고리형 RF 코일에 의해 유도 자기장을 발생시켜 스퍼터링 된 타겟 입자 및 Ar 가스의 2차 이온화를 돕는다.That is, the deposition apparatus of the present invention is a magnetron sputtering deposition apparatus in which an RF magnetic field generating portion is located at the center portion of the donut target and a static magnetic field is formed outwardly of the donut target. In addition, in the deposition apparatus of the present invention, while sputtering deposition by the deposition apparatus is performed, an RF magnetic field generator is provided at a portion not affected by the magnetic field lines from the static magnetic field generator by the permanent magnet as shown in FIG. 4. This can prevent material deposition on the annular RF coil. The RF magnetic field generator 40 generates an induced magnetic field by the annular RF coil to help secondary ionization of the sputtered target particles and Ar gas.

상기와 같은 구조를 가지는 본 발명에 다른 스퍼터링 증착 장치는 기존의 RF 코일을 이용하는 금속이온 증착장비 보다 제작 및 조립이 용이하다. 특히 영구자석에 의한 정적 자기장 발생부로 부터의 자기력선의 영향을 받지 않는 부분에 RF 자기장 발생부가 마련됨으로써 종래의 증착 장치에서 발생되었던 RF 코일에 대한 박막의 증착 및 이러한 박막의 박리에 따른 파티클(particle) 발생을 줄일 수 있다.The sputtering deposition apparatus according to the present invention having the structure as described above is easier to manufacture and assemble than the metal ion deposition equipment using the conventional RF coil. In particular, the RF magnetic field generator is provided in a portion that is not affected by the magnetic field lines from the static magnetic field generator due to the permanent magnet, so that the thin film is deposited on the RF coil generated in the conventional deposition apparatus and the particles are separated from the thin film. It can reduce the occurrence.

또한, RF 코일이 타겟의 중앙부분의 좁은 영역에 형성되어 있으므로 RF 코일로부터 발생된 열에 의한 기판(웨이퍼)의 열적 충격을 방지하여 기판의 온도 상승에 의한 불량 발생을 최소화 할 수 있다.In addition, since the RF coil is formed in a narrow area of the center portion of the target, it is possible to prevent thermal shock of the substrate (wafer) due to heat generated from the RF coil, thereby minimizing the occurrence of defects due to the temperature rise of the substrate.

또한, 기판의 바이어스 전압을 조절함으로써 금속이온의 에너지를 조절 할 수 있고, 이러한 증착 입자의 에너지를 이용하여 궁극적으로 기존의 박막 증착 장치에서 보다 기판 온도를 상대적으로 떨어트릴 수 있는 장점이 있다. 또한 증착되는 입자들 중 금속이온과 가스이온이 기판에 대해 직진성을 가지게 되므로 반도체 공정 중, 기판에 형성되는 콘택홀을 공극(Void)없이 채울 수 있다. 또한 도 2에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 본 발명의 증착 장치는 도 6에 예시된 바와 같이 상기 타겟 상부 바깥쪽에 전압을 인가 할 수 있도록 금속 망 (Mesh, 80)을 설치 할 경우, 보다 효과적으로 Ar 양이온 및 금속이온 들을 기판으로 가속시킬 수 있다. 도 6에서는 두개의 메쉬(81, 82) 가 소정간격으로 배치되어 있고 이들에 소정 전위의 전원이 연결된다.In addition, it is possible to control the energy of the metal ions by adjusting the bias voltage of the substrate, and by using the energy of the deposition particles, there is an advantage that the temperature of the substrate may be relatively lower than that of the conventional thin film deposition apparatus. In addition, since the metal ions and the gas ions of the deposited particles have linearity with respect to the substrate, contact holes formed in the substrate may be filled without voids during the semiconductor process. In addition, the deposition apparatus of the present invention having a structure as shown in FIG. 2 is more effectively Ar, when installing a metal mesh (Mesh, 80) to apply a voltage to the outside of the upper target as illustrated in FIG. Cations and metal ions can be accelerated to the substrate. In FIG. 6, two meshes 81 and 82 are arranged at predetermined intervals, and a power source having a predetermined potential is connected thereto.

상기와 바와 같이, 본 발명의 증착 장치는 RF 코일에 대한 금속 물질의 증착의 억제로 내부 파티클에 의한 문제를 효과적으로 해결함과 아울러 기판에 열충격을 줄이면서도 도우넛 형태의 타겟 중심부에 위치한 RF 코일에 의하여 발생되는 금속이온 및 Ar이온의 에너지와 기판에 대한 직진성을 이용하여 평탄하고 콘택홀을 잘 채울수 있는 박막의 형성이 가능하다. 이러한 본 발명은 궁극적으로 반도체 제조공정의 수율을 향상하며 결과적으로 반도체 소자 제조비용 및 이에 따른 소비자 가격의 절감을 가능하게 한다.As described above, the deposition apparatus of the present invention is effective by solving the problem caused by the internal particles by suppressing the deposition of a metal material on the RF coil, and by the RF coil located in the center of the target in the form of a donut while reducing thermal shock on the substrate. By using the energy of the generated metal ions and Ar ions and the linearity to the substrate, it is possible to form a thin film that can fill a flat and well-contacted hole. This invention ultimately improves the yield of the semiconductor manufacturing process and consequently enables the reduction of the cost of manufacturing the semiconductor device and thus the consumer price.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당 해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해 져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined only in the appended claims.

Claims

A chamber;

A substrate holder provided on one side of the chamber;

An RF magnetic field generator disposed in the chamber to face the substrate holder;

A target base disposed in a form surrounding the RF magnetic field generator;

A static magnetic force line forming unit forming a magnetic force line passing through the target base; Plasma metal ion deposition apparatus characterized in that it comprises.

The method of claim 1,

The RF magnetic field generator comprises a ring-shaped RF coil and a base for supporting the plasma metal ion deposition apparatus.

The method according to claim 1 or 2,

The static magnetic force line forming unit includes a first permanent magnet and a second permanent magnet outside the target upper portion, wherein the first permanent magnet and the second permanent magnet form a magnetic force line passing through the target base. Plasma metal ion deposition apparatus, characterized in that.

The method according to claim 1 or 2,

And a first cooling device is provided at the bottom of the target base.

The method of claim 4, wherein

Plasma metal ion deposition apparatus, characterized in that the second cooling device for surrounding the target base to a predetermined height is provided around the target base.

The method according to claim 1 or 2,

The method of claim 5, wherein

And the second permanent magnet is provided inside the second cooling device.

The method of claim 5, wherein

Plasma metal ion deposition apparatus characterized in that the target installed on the target base has a donut shape surrounding the RF magnetic field generating unit.

The method of claim 8,

And the surface of the target is inclined toward the RF magnetic field generator.

The method of claim 1,