KR20050010482A - Surface light source, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same - Google Patents

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KR20050010482A
KR20050010482A KR1020040044901A KR20040044901A KR20050010482A KR 20050010482 A KR20050010482 A KR 20050010482A KR 1020040044901 A KR1020040044901 A KR 1020040044901A KR 20040044901 A KR20040044901 A KR 20040044901A KR 20050010482 A KR20050010482 A KR 20050010482A
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김남훈
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Abstract

PURPOSE: A surface light source device is provided to compensate stress generated on a lower substrate while forming barrier walls on the lower substrate by that generated on the lower substrate while forming a reflection layer thereon, thereby preventing the deformation of the lower substrate formed with the barriers and the reflection layer. CONSTITUTION: A surface light source device includes an upper substrate(3), and a lower substrate(5) corresponding to the upper substrate. A plurality of barrier walls(10) are formed between the upper and lower substrates for forming discharging spaces(11) between the upper and lower substrates. The lower substrate is formed with a reflecting layer(15), and insides of the discharging spaces are respectively formed with fluorescent layers(20). As predetermined electric fields are applied into the discharging spaces from electrodes, plasma discharge is induced into the discharge spaces, generating UV rays. By the UV rays, fluorescent substances is excited from the fluorescent layer, and visible rays are generated from the fluorescent layer. The electrodes surrounds both outer surfaces of the upper or lower substrate.

Description

면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치{SURFACE LIGHT SOURCE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}A surface light source device, a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display including the same {SURFACE LIGHT SOURCE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구성 요소들의 변형을 최소화 할 수 있는 면광원 장치, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface light source device, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device including the same. More particularly, the present invention relates to a surface light source device, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device including the same. will be.

일반적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Display apparatus, LCD)는 액정의 전기적 특성 및 광학적 특성을 이용하여 영상을 디스플레이 한다. 액정표시장치는 CRT 등에 비하여 부피가 매우 작고 무게가 가벼운 장점을 갖고, 이 결과 휴대용 컴퓨터, 통신 기기 및 액정 TV 등에 널리 사용되고 있다.In general, a liquid crystal display apparatus (LCD) displays an image by using electrical and optical characteristics of a liquid crystal. The liquid crystal display device has an advantage of a very small volume and light weight compared to the CRT, etc. As a result, it is widely used in portable computers, communication devices and liquid crystal TVs.

액정을 제어하기 위해, 액정표시장치는 액정을 제어하는 액정 제어 파트 및 액정에 광을 공급하는 광공급 파트를 필요로 한다.In order to control the liquid crystal, the liquid crystal display device requires a liquid crystal control part for controlling the liquid crystal and a light supply part for supplying light to the liquid crystal.

종래 액정표시장치의 광공급 파트는 막대 형상을 갖는 냉음극선관 방식 램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL) 또는 도트 형상을 갖는 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)가 주로 사용된다. 냉음극선관 방식 램프는 휘도가 높고 수명이 길으며, 백열등에 비하여 매우 작은 발열량을 갖는 장점을 갖는다. 발광 다이오드는 저소비전력 및 고휘도 장점을 갖는다. 그러나 종래 냉음극선관 방식 램프 또는 발광 다이오드는 휘도 균일성이 취약한 단점을 갖는다.The light supply part of the conventional liquid crystal display device is mainly used a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) having a rod shape or a light emitting diode (LED) having a dot shape. Cold cathode ray tube type lamp has a high brightness, long life, and has the advantage of having a very low heat generation compared to incandescent lamps. The light emitting diode has advantages of low power consumption and high brightness. However, the conventional cold cathode ray tube lamps or light emitting diodes have a disadvantage in that the luminance uniformity is weak.

이러한 문제점을 해소하기 위해, 평판 형태의 면광원 장치가 제시된다. 그러나, 종래의 면광원 장치는 제조 공정시에 구성 요소의 변형이 발생하는 문제점을 갖고, 상기 변형은 대형화된 면광원 장치에서 더욱 심화될 수 있다.In order to solve this problem, a surface light source device in the form of a flat plate is proposed. However, the conventional surface light source device has a problem that deformation of components occurs in the manufacturing process, the deformation can be further deepened in the large sized surface light source device.

따라서, 본 발명의 일 목적은 대형의 크기를 가지는 경우에도 변형이 방지된 상부 기판 및 하부 기판 등과 같은 구성 요소들을 포함하는 면광원 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface light source device including components such as an upper substrate and a lower substrate, which are prevented from deformation even in a large size.

본 발명의 다른 목적은 대형의 크기를 가지는 경우에도 상부 기판 및 하부 기판 등과 같은 구성 요소들의 변형을 방지할 수 있는 면광원 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a surface light source device capable of preventing deformation of components such as an upper substrate and a lower substrate even when having a large size.

본 발명의 또 다른 목적은 대형의 크기를 가지는 경우에도 변형이 방지된 상부 기판 및 하부 기판 등과 같은 구성 요소들을 포함하는 면광원 장치를 광원으로 하는 액정표시장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device using a surface light source device including components such as an upper substrate and a lower substrate, which are prevented from deformation even in a large size, as a light source.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 부분 절개 사시도이다.1 is a partial cutaway perspective view of a surface light source device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 면광원 장치를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface light source device shown in FIG. 1 taken along the line II-II '.

도 3은 도 1에 도시한 면광원 장치를 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 자른 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the surface light source device shown in FIG. 1 taken along line III-III '.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.4 and 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a surface light source device according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a surface light source device according to an embodiment of the present invention.

도 7은 도 1의 면광원 장치를 갖는 액정표시장치를 나타내는 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display device having the surface light source device of FIG. 1.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1 : 면광원 장치 3 : 상부 기판1: surface light source device 3: upper substrate

5 : 하부 기판 10 : 격벽5: lower substrate 10: partition wall

11 : 방전 공간 15 : 반사층11: discharge space 15: reflective layer

20 : 형광층 25 : 밀봉 부재20: fluorescent layer 25: sealing member

30 : 전극 70 : 디스플레이 유닛30 electrode 70 display unit

80 : 수납 용기 100 : 액정표시장치80: storage container 100: liquid crystal display device

이와 같은 본 발명의 일 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 상부 기판, 상기 상부 기판에 대응되는 하부 기판, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 형성되어 상기 상부 및 하부 기판 사이에 방전 공간들을 형성하는 복수 개의 격벽들 및 상기 하부 기판 상에 형성되는 반사층 및 상기 방전 공간 내부에 형성된 형광층을 포함하는 면광원 장치를 제공한다.In order to achieve the above object of the present invention, the present invention provides a plurality of discharge spaces formed between an upper substrate, a lower substrate corresponding to the upper substrate, and the upper substrate and the lower substrate to form discharge spaces between the upper and lower substrates. It provides a surface light source device including two partitions, a reflective layer formed on the lower substrate and a fluorescent layer formed in the discharge space.

상기 면광원 장치는 상기 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 더포함할 수 있다. 상기 전압 인가부는 상기 격벽의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상기 상부 및 하부 기판 중 적어도 하나의 외면을 둘러싸는 복수 개의 전극들을 포함한다.The surface light source device may further include a voltage applying unit for applying a voltage to the discharge space. The voltage applying unit includes a plurality of electrodes surrounding outer surfaces of at least one of the upper and lower substrates in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the partition wall.

상기 격벽들은 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시키며, 상기 반사층은 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시킨다. 상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 서로 반대이므로, 상기 하부 기판의 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 상기 제2 스트레스에 의해 보상된다. 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하고, 상기 제2 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생한다. 바람직하게, 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이와 실질적으로 동일하다. 즉, 상기 격벽들 및 상기 반사층 중 어느 하나의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100%이며, 상기 격벽들 및 상기 반사층 중 나머지 하나의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120%이다.The barrier ribs generate a first stress on the lower substrate in a first direction, and the reflective layer generates a second stress on the lower substrate in a second direction. Since the first direction is opposite to the second direction, the first stress of the lower substrate is compensated by the second stress of the lower substrate. The first stress is generated by a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the partition walls, and the second stress is generated by a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the reflective layer. Preferably, the difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficient of the partition walls is substantially the same as the difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficient of the reflective layer. That is, the thermal expansion coefficient of any one of the partitions and the reflective layer is about 80 to about 100% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate, and the thermal expansion coefficient of the other of the partitions and the reflective layer is the thermal expansion coefficient of the lower substrate. About 100 to about 120%.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 면광원 장치의 제조 방법을 제공한다. 먼저, 하부 기판 상에 복수 개의 격벽들을 형성한다. 상기 격벽들은 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시킨다. 다음으로, 상기 하부 기판 상에 반사층이 형성된다. 상기 반사층은 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시킨다. 다음으로, 상기 반사층 및 상부 기판 상에 형광층을 형성한 후, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 밀봉하여 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 방전 공간들을 형성한다.The present invention provides a method of manufacturing a surface light source device for realizing another object of the present invention. First, a plurality of partitions are formed on a lower substrate. The barrier ribs generate a first stress on the lower substrate in a first direction. Next, a reflective layer is formed on the lower substrate. The reflective layer generates a second stress on the lower substrate in a second direction. Next, after forming a fluorescent layer on the reflective layer and the upper substrate, the upper substrate and the lower substrate is sealed to form discharge spaces between the upper substrate and the lower substrate.

이와 같은 면광원 장치의 제조 방법은 상기 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 전압 인가부는 상기 격벽의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상기 상부 및 하부 기판 중 적어도 하나의 외면을 둘러싸는 복수 개의 전극들을 포함한다.The method of manufacturing the surface light source device may further include forming a voltage applying unit for applying a voltage to the discharge space. The voltage applying unit includes a plurality of electrodes surrounding outer surfaces of at least one of the upper and lower substrates in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the partition wall.

본 발명의 또 다른 목적을 구현하기 위하여 본 발명은 상부 기판, 상기 상부 기판에 대응되는 하부 기판, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 형성되어 방전 공간들을 형성하는 복수 개의 격벽들, 상기 하부 기판 상에 형성되는 반사층 및 상기 방전 공간 내부에 형성된 형광층을 포함하는 면광원 장치, 상기 면광원 장치로부터 출사되는 광을 이용하여 영상을 표시하는 액정표시패널 및 상기 면광원 장치 및 상기 액정표시패널을 수납하는 수납 용기를 포함하는 액정표시장치를 제공한다. 상기 격벽들은 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시키며, 상기 반사층은 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시킨다.According to another aspect of the present invention, there is provided an upper substrate, a lower substrate corresponding to the upper substrate, a plurality of partition walls formed between the upper substrate and the lower substrate to form discharge spaces, and on the lower substrate. A surface light source device including a reflection layer formed on the surface and a fluorescent layer formed in the discharge space, a liquid crystal display panel displaying an image using light emitted from the surface light source device, and the surface light source device and the liquid crystal display panel Provided is a liquid crystal display including a storage container. The barrier ribs generate a first stress on the lower substrate in a first direction, and the reflective layer generates a second stress on the lower substrate in a second direction.

본 발명에 따르면, 상기 격벽들을 형성하는 동안 상기 격벽들을 갖는 하부 기판에 발생된 스트레스는 상기 반사층을 형성하는 동안 상기 격벽들 및 상기 반사층을 갖는 상기 하부 기판에 발생된 스트레스에 의해 보상된다. 따라서, 상기 격벽들을 포함하는 상기 하부 기판에 발생된 변형은 정밀하게 조절된 상기 하부 기판, 상기 격벽들 및 상기 반사층 등의 열팽창 계수 차이에 의해 방지될 수 있다. 또한, 상부 기판이 평탄한 구조의 상기 하부 기판 상에 형성되므로, 상기 상부 기판은 변형 없이 평탄한 구조를 가질 수 있다. 더욱이, 면광원 장치가 대형화될 경우에도, 정밀하게 조절된 열팽창 계수 차이로 인하여 상기 면광원 장치가 포함하는 상기 하부 기판, 상기 상부 기판, 상기 격벽들 및 상기 반사층과 같은 구성 요소들의 변형을 방지할 수 있다.According to the present invention, the stress generated on the lower substrate having the partitions during the formation of the partition walls is compensated by the stress generated on the partition substrates and the lower substrate having the reflective layer while forming the reflective layer. Therefore, deformation generated in the lower substrate including the partition walls may be prevented by a difference in thermal expansion coefficients of the lower substrate, the partition walls and the reflective layer, which are precisely adjusted. In addition, since the upper substrate is formed on the lower substrate having a flat structure, the upper substrate may have a flat structure without deformation. Moreover, even when the surface light source device is enlarged, it is possible to prevent deformation of components such as the lower substrate, the upper substrate, the partition walls, and the reflective layer that the surface light source device includes due to the precisely adjusted thermal expansion coefficient difference. Can be.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 면광원 장치 및 그 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a surface light source device and a method of manufacturing the same according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited to the following embodiments.

면광원 장치는 유리로 이루어진 상부 및 하부 기판, 상기 상부 및 하부 기판 사이에 방전 공간들을 형성하기 위한 복수 개의 격벽들, 상기 하부 기판 상에 형성된 반사층, 상기 방전 공간들 내에 형성된 형광층, 그리고 상기 방전 공간들 내에 플라즈마 방전을 유도하여 형광층을 여기시킴으로써, 가시광을 발생시키는 전극들을 포함한다.The surface light source device includes an upper and lower substrate made of glass, a plurality of partitions for forming discharge spaces between the upper and lower substrates, a reflective layer formed on the lower substrate, a fluorescent layer formed in the discharge spaces, and the discharge. It includes electrodes that generate visible light by inducing plasma discharge in the spaces to excite the fluorescent layer.

면광원 장치는 격벽들 및 반사층을 상부 기판 또는 하부 기판 상에 형성하기 위하여 고온에서 진행되는 소성 과정을 거치기 때문에, 상부 및 하부 기판의 변형을 방지하기 위하여 각 구성 요소들의 열팽창 계수를 고려해야 한다. 즉, 격벽들 및 반사층 등의 열팽창 계수를 최대한 상부 및 하부 기판의 열팽창 계수와 근사하게 유지하여야 한다.Since the surface light source device undergoes a high temperature baking process to form the partitions and the reflective layer on the upper substrate or the lower substrate, the coefficient of thermal expansion of each component must be taken into account to prevent deformation of the upper and lower substrates. That is, the thermal expansion coefficients of the partitions and the reflective layer should be kept as close as possible to the thermal expansion coefficients of the upper and lower substrates.

그러나, 격벽들이나 반사층 등과 같이 고온의 소성 과정을 통해 상부 또는 하부 기판에 형성되는 요소들의 열팽창 계수와 상부 및 하부 기판의 열팽창 계수를 실질적으로 거의 동일하게 유지하기 어렵다. 상부 또는 하부 기판에 형성되는 요소들의 열팽창 계수와 상부 및 하부 기판의 열팽창 계수를 실질적으로 동일하게 유지하지 못할 경우, 상부 및 하부 기판에 큰 변형이 유발될 수 있다. 이러한 상부 및 하부 기판의 변형은 면광원 장치가 대형화 될수록 각 구성 요소들의 열팽창 계수의 차이에 의하여 더욱 심화될 수 있다.However, it is difficult to keep the thermal expansion coefficients of the elements formed on the upper or lower substrate and the thermal expansion coefficients of the upper and lower substrates substantially the same as those of the partition walls or the reflective layer. If the thermal expansion coefficients of the elements formed on the upper or lower substrate and the thermal expansion coefficients of the upper and lower substrates are not kept substantially the same, a large deformation may be caused in the upper and lower substrates. The deformation of the upper and lower substrates can be further deepened by the difference in the coefficient of thermal expansion of each component as the surface light source device becomes larger.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 부분 절개 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 면광원 장치를 Ⅱ-Ⅱ' 선을 따라 자른 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시한 면광원 장치를 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 자른 단면도이다.1 is a partial cutaway perspective view of a surface light source device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of the surface light source device shown in Figure 1, Figure 3 is shown in Figure 1 One surface light source device is sectional drawing cut along the III-III 'line | wire.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 면광원 장치(1)는 상부 기판(3), 하부 기판(5), 복수 개의 격벽들(10), 반사층(15), 형광층(20), 밀봉 부재(25) 그리고 복수 개의 전극들(30)을 포함한다.1 to 3, the surface light source device 1 according to the present embodiment includes an upper substrate 3, a lower substrate 5, a plurality of partitions 10, a reflective layer 15, and a fluorescent layer 20. ), A sealing member 25 and a plurality of electrodes 30.

상부 기판(3)은 투명한 물질, 예를 들면 유리로 이루어지며, 하부 기판(5)은 소정의 간격으로 상부 기판(3)에 대응되게 배치된다.The upper substrate 3 is made of a transparent material, for example glass, and the lower substrate 5 is arranged to correspond to the upper substrate 3 at predetermined intervals.

복수 개의 격벽들(10)은 상부 기판(3)과 하부 기판(5) 사이에 균등한 간격으로 배치되며, 이러한 격벽들(10)이 형성됨에 따라 상부 기판(3)과 하부 기판(5) 사이에 복수 개의 방전 공간들(11)이 제공된다.The plurality of partitions 10 are disposed at equal intervals between the upper substrate 3 and the lower substrate 5, and as the partitions 10 are formed, between the upper substrate 3 and the lower substrate 5. A plurality of discharge spaces 11 are provided in the.

반사층(15)은 하부 기판(5) 상에 형성된다.The reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5.

형광층(20)은 제1 형광층(20a) 및 제2 형광층(20b)을 포함한다. 제1 형광층(20a)은 반사층(15) 상에 형성되고, 제2 형광층(20b)은 상부 기판(3) 상에 형성된다. 이러한 격벽들(10), 반사층(15) 및 형광층(20)은 고온의 소성 과정을 통하여 형성된다.The fluorescent layer 20 includes a first fluorescent layer 20a and a second fluorescent layer 20b. The first fluorescent layer 20a is formed on the reflective layer 15, and the second fluorescent layer 20b is formed on the upper substrate 3. The partitions 10, the reflective layer 15, and the fluorescent layer 20 are formed through a high temperature baking process.

복수 개의 전극들(30)은 격벽(10)의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상부 및 하부 기판(3,5)의 중 적어도 하나의 양측 외면을 둘러싼다. 전극들(30)은 방전 공간들(11) 내에 플라즈마 방전을 유발하는 전기장을 형성하여 형광층(20)의 형광 물질을 여기시킴으로써, 형광층(20)의 형광 물질로부터 광을 발생시킨다.The plurality of electrodes 30 surrounds both outer surfaces of at least one of the upper and lower substrates 3 and 5 in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the partition 10. The electrodes 30 generate an electric field inducing the plasma discharge in the discharge spaces 11 to excite the fluorescent material of the fluorescent layer 20, thereby generating light from the fluorescent material of the fluorescent layer 20.

본 실시예에 있어서, 격벽들(10) 및 반사층(15)의 열팽창 계수 가운데 어느 하나는 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작으며, 다른 하나는 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 크다. 예를 들면, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작을 경우에는 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수보다 크게 된다. 이와 반대로, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수보다 클 경우에는 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작게 된다. 여기서, 하부 기판(5)의 열 팽창 계수에 대한 격벽들(10) 및 반사층(15)의 열팽창 계수의 차이의 절대값은 실질적으로 동일하다.In this embodiment, one of the thermal expansion coefficients of the partitions 10 and the reflective layer 15 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, and the other is larger than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5. For example, when the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is larger than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5. On the contrary, when the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is larger than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5. Here, the absolute value of the difference between the thermal expansion coefficients of the partitions 10 and the reflective layer 15 with respect to the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5 is substantially the same.

격벽들(10) 및 반사층(15)의 열팽창 계수는 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 120% 정도인 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 격벽들(10) 및 반사층(15) 중 어느 하나의 열팽창 계수는 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100% 정도이며, 다른 하나의 열팽창 계수는 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120% 정도가 바람직하다. 예를 들면, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100% 정도일 경우에는, 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120% 정도가 된다.이에 반하여, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120% 정도일 경우에는, 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100% 정도가 된다.The coefficient of thermal expansion of the partitions 10 and the reflective layer 15 is preferably about 80 to about 120% of the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5. More specifically, the coefficient of thermal expansion of any one of the partitions 10 and the reflective layer 15 is about 80 to about 100% of the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5, and the other coefficient of thermal expansion is lower substrate 5. About 100 to about 120% of the coefficient of thermal expansion of For example, when the coefficient of thermal expansion of the partitions 10 is about 80 to about 100% of the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5, the coefficient of thermal expansion of the reflective layer 15 is about the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5. On the other hand, when the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is about 100 to about 120% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is lower substrate. It becomes about 80 to about 100% of the thermal expansion coefficient of (5).

본 발명에 있어서, 이와 같은 하부 기판(5), 격벽들(10) 및 반사층(15)의 열팽창 계수의 차이에 의하여 면광원 장치(1)를 제조하는 공정에서 하부 기판(5)에 대하여 발생하는 응력을 최소화하여 하부 기판(5)의 변형을 방지할 수 있다. 예를 들면, 격벽들(10)의 열 팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 크고, 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작을 경우, 하부 기판(5) 상에 격벽들(10)을 형성하면, 격벽들(10)을 포함하는 하부 기판(5)에 제1 방향으로 제1 스트레스가 발생하여 하부 기판(5)이 격벽들(10)이 위치하는 방향으로 휘어진다. 이어서, 반사층(15)을 하부 기판(5) 상에 형성하면, 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)에 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 제2 스트레스가 발생하여 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)이 반사층(15)이 위치하는 방향과 반대 방향으로 휘어진다. 즉, 하부 기판(5) 상에 격벽들(10)을 형성하는 공정 동안 발생되는 상기 제1 스트레스를 반사층(15)을 형성하는 공정에서 발생되는 상기 제2 스트레스로 보상하게 된다. 이에 비하여, 격벽들(10)의 열 팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작고, 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 클 경우, 하부 기판(5) 상에 격벽들(10)을 형성하면, 격벽들(10)을 포함하는 하부 기판(5)에 제1 방향으로 제1 스트레스가 발생하여 하부 기판(5)이 격벽들(10)이 위치하는 방향과 반대 방향으로 휘어진다. 이어서, 반사층(15)을 하부 기판(5) 상에 형성하면, 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)에 상기 제1 방향과는 반대 방향인 제2 방향으로 제2 스트레스가 발생하여 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)이 반사층(15)이 위치하는 방향으로 휘어진다. 마찬가지로, 하부 기판(5) 상에 격벽들(10)을 형성하는 공정 동안 발생되는 상기 제1 스트레스를 반사층(15)을 형성하는 공정에서 발생되는 상기 제2 스트레스로 보상하게 된다. 이에 따라, 격벽들(10) 및 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)의 변형이 방지된다.In the present invention, due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5, the partitions 10 and the reflective layer 15, the surface light source device 1 generated in the process of manufacturing the surface light source device 1 The stress may be minimized to prevent deformation of the lower substrate 5. For example, when the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is larger than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5 and the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the lower substrate 5 When the partitions 10 are formed on the first substrate, the first stress is generated in the first direction on the lower substrate 5 including the partitions 10 so that the lower substrate 5 is positioned in the partitions 10. Bent to Subsequently, when the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5, a second stress is generated on the lower substrate 5 including the reflective layer 15 in a second direction opposite to the first direction so that the reflective layer 15 is formed. The lower substrate 5 including the 15 is bent in a direction opposite to the direction in which the reflective layer 15 is located. That is, the first stress generated during the process of forming the partitions 10 on the lower substrate 5 is compensated by the second stress generated in the process of forming the reflective layer 15. In contrast, when the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, and the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is larger than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the upper substrate 5 is disposed on the lower substrate 5. When the partitions 10 are formed in the first substrate, the first stress is generated in the first direction on the lower substrate 5 including the partitions 10 so that the lower substrate 5 may be aligned with the direction in which the partitions 10 are positioned. Bent in the opposite direction. Subsequently, when the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5, a second stress is generated on the lower substrate 5 including the reflective layer 15 in a second direction opposite to the first direction so that the reflective layer 15 is formed. The lower substrate 5 including the 15 is bent in the direction in which the reflective layer 15 is located. Similarly, the first stress generated during the process of forming the partitions 10 on the lower substrate 5 is compensated by the second stress generated in the process of forming the reflective layer 15. Accordingly, deformation of the lower substrate 5 including the partitions 10 and the reflective layer 15 is prevented.

상부 기판(3)은 사각 판 형상을 갖는다. 하부 기판(5)은 유리와 같은 투명한 재료를 포함할 수 있고, 상부 기판(3)과 같이 사각 판 형상을 갖는다. 상부 기판(3) 및 하부 기판(5)은 실질적으로 동일한 크기를 가지며, 동일한 재료로 이루어진다. 상부 기판(3) 및 하부 기판(5)의 열팽창 계수는 각기 약 0.0000050 내지 약 0.0000150/℃ 정도이다. 상부 기판(3) 및 하부 기판(5)은 예를 들면, 소다 라임 유리로 이루어진다.The upper substrate 3 has a square plate shape. The lower substrate 5 may comprise a transparent material such as glass, and has a square plate shape like the upper substrate 3. The upper substrate 3 and the lower substrate 5 have substantially the same size and are made of the same material. The thermal expansion coefficients of the upper substrate 3 and the lower substrate 5 are about 0.0000050 to about 0.0000150 / ° C, respectively. The upper substrate 3 and the lower substrate 5 are made of, for example, soda lime glass.

밀봉 부재(25)는 상부 기판(3)의 주변부과 하부 기판(5)의 주변부 사이에 배치되어, 상부 기판(3)과 하부 기판(5) 사이의 방전 공간들(11)을 밀폐시킨다. 밀봉 부재(25)는 예를 들면, 상부 기판(3) 및 하부 기판(5)과 동일한 사이즈의 사각 틀의 형상을 가진다.The sealing member 25 is disposed between the periphery of the upper substrate 3 and the periphery of the lower substrate 5 to seal the discharge spaces 11 between the upper substrate 3 and the lower substrate 5. The sealing member 25 has the shape of the rectangular frame of the same size as the upper board | substrate 3 and the lower board | substrate 5, for example.

격벽들(10)은 하부 기판(5) 상에 서로 동일한 간격으로 이격되게 배치된다. 격벽들(10)은 진흙이나 세라믹 등의 점성을 갖는 물질을 사용하여 형성된다. 이러한 점성을 갖는 물질을 소정의 형상으로 하부 기판(5) 상에 위치시킨 후, 그 상부에 점성을 갖는 물질이 형성된 하부 기판(5)을 고온에서 소결시키면 하부 기판(5)상에 격벽들(10)이 형성된다. 이하, 하부 기판(5) 상에 격벽들(10)을 형성하기 위한 소성 과정을 "격벽 소성 과정"이라고 한다.The partitions 10 are disposed on the lower substrate 5 at equal intervals from each other. The partitions 10 are formed using a material having a viscosity such as mud or ceramic. After placing the viscous material on the lower substrate 5 in a predetermined shape, the lower substrate 5 having the viscous material formed thereon is sintered at a high temperature to form partition walls on the lower substrate 5. 10) is formed. Hereinafter, the firing process for forming the partitions 10 on the lower substrate 5 is referred to as a "barrier firing process".

격벽들(10)은 서로 평행하게 배치된다. 본 실시예에서, 각 격벽들(10)은 상부 기판(3)과 하부 기판(5) 사이에 배치된 밀봉 부재(25)에 접촉되지 않음으로써, 격벽들(10)에 의해 한정되는 방전 공간들(11)이 서로 부분적으로 연통될 수 있게 한다.The partitions 10 are arranged parallel to each other. In this embodiment, each of the partitions 10 is not in contact with the sealing member 25 disposed between the upper substrate 3 and the lower substrate 5, so that the discharge spaces defined by the partitions 10 are limited. Allow (11) to partially communicate with each other.

상기 격벽 소성 과정에 있어서, 상기 점성을 갖는 물질을 하부 기판(5) 상에 배치하고, 상기 점성을 갖는 물질을 포함하는 하부 기판(5)을 고온으로 가열한다. 여기서, 고온에서 상기 점성을 갖는 물질로부터 액상 점성을 갖는 성분이 증발함에 따라 격벽들(10)이 하부 기판(5) 상에 단단하게 부착된다..In the barrier rib baking process, the viscous material is disposed on the lower substrate 5, and the lower substrate 5 including the viscous material is heated to a high temperature. Here, the partition walls 10 are firmly attached onto the lower substrate 5 as the liquid viscous component evaporates from the viscous material at high temperature.

격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5)을 상온에서 냉각시키면, 격벽들(10)과 하부 기판(5)이 상이한 열팽창 계수를 갖기 때문에 격벽들(10)을 포함하는 하부 기판(5)에 상기 제1 방향으로 제1 스트레스가 발생하여 격벽들(10)을 갖는 하부 기판(5)이 격벽들(10)이 위치하는 방향 또는 그 반대 방향으로 휘어지게 된다. 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 클 경우, 상온에서 격벽들(10)을 포함하는 하부 기판(5)을 냉각시키면 격벽들(10)의 수축량이 하부 기판(5)의 수축량보다 크기 때문에 격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5)이 전체적으로 오목한 형상으로 휘어진다. 이에 비하여, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수보다 작을 경우, 상온에서 격벽들(10)을 포함하는 하부 기판(5)을 냉각시키면 격벽들(10)의 수축량이 하부 기판(5)의 수축량보다 작기 때문에 격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5)이 전체적으로 볼록한 형상으로 휘어진다.When the lower substrate 5 having the partitions 10 formed thereon is cooled at room temperature, the partitions 10 and the lower substrate 5 have different coefficients of thermal expansion, and thus, the lower substrate 5 including the partitions 10 may be attached to the lower substrate 5. The first stress is generated in the first direction so that the lower substrate 5 having the partitions 10 is bent in the direction in which the partitions 10 are located or vice versa. If the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is greater than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, when the lower substrate 5 including the partitions 10 is cooled at room temperature, the shrinkage of the partitions 10 may be reduced. Since it is larger than the shrinkage of 5), the lower substrate 5 on which the partitions 10 are formed is warped in a concave shape as a whole. In contrast, when the coefficient of thermal expansion of the barrier ribs 10 is smaller than the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5, when the lower substrate 5 including the barrier ribs 10 is cooled at room temperature, the shrinkage of the barrier ribs 10 is reduced. Since the lower substrate 5 is smaller than the shrinkage of the lower substrate 5, the lower substrate 5 on which the partitions 10 are formed is curved in a convex shape as a whole.

반사층(15)은 격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5) 상에 반사체를 도포한 다음, 고온에서 소성 과정을 진행하여 하부 기판(5) 상에 형성된다. 이하, 반사층(15)을 형성하기 위한 소성 과정을 "반사층 소성 과정"이라고 한다.The reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5 by applying a reflector on the lower substrate 5 on which the partitions 10 are formed and then performing a baking process at a high temperature. Hereinafter, the baking process for forming the reflective layer 15 is called "reflection layer baking process".

반사층(15)은 형광층(20)으로부터 발생되는 광이 하부 기판(5)을 통하여 손실되는 것을 최소화할 수 있도록 하부 기판(5)으로 향하는 광을 상부 기판(3) 쪽으로 반사시킨다.The reflective layer 15 reflects the light directed toward the lower substrate 5 toward the upper substrate 3 so as to minimize the light generated from the fluorescent layer 20 through the lower substrate 5.

상기 반사층 소성 과정에 있어서, 액상의 반사체를 격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5) 상에 도포한 다음, 고온에서 상기 반사체가 형성된 하부 기판(5)을 가열한다. 고온에서 상기 반사체 내의 액상 물질이 증발하면 반사층(15)이 하부 기판(5) 상에 형성된다. 반사층(15)이 형성된 하부 기판(5)을 상온에서 냉각시키면, 반사층(15) 및 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 차이에 따라 하부 기판(5)이 반사층(15)이 위치하는 방향 또는 그 반대 방향으로 휘어진다. 이미 오목하거나 볼록한 형상으로 휘어진 하부 기판(5) 상에 반사층(15)이 형성되기 때문에 휘어진 하부 기판(5)을 다시 평탄한 형상으로 형성할 수 있다. 전술한 바에 따르면, 격벽들(10)을 먼저 하부 기판(5) 상에 형성한 다음 반사층(15)을 하부 기판(5) 상에 형성하였지만, 반사층(15)을 먼저 하부 기판(5) 상에 형성한 후 격벽들(10)을 하부 기판(5) 상에 형성할 수 있다.In the reflective layer firing process, a liquid reflector is applied onto the lower substrate 5 on which the partitions 10 are formed, and then the lower substrate 5 on which the reflector is formed is heated at a high temperature. When the liquid material in the reflector evaporates at a high temperature, the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5. When the lower substrate 5 on which the reflective layer 15 is formed is cooled at room temperature, the lower substrate 5 may be positioned in the direction in which the reflective layer 15 is located or in accordance with the difference in the thermal expansion coefficients of the reflective layer 15 and the lower substrate 5. Bent in the opposite direction. Since the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5 that is already concave or convex, the curved lower substrate 5 may be formed again into a flat shape. As described above, the partitions 10 are first formed on the lower substrate 5, and then the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5, but the reflective layer 15 is first formed on the lower substrate 5. After the formation, the partitions 10 may be formed on the lower substrate 5.

형광층(20)은 격벽들(10) 사이의 방전 공간들(11) 사이의 상부 기판(3) 및 반사층(15) 상에 형성된다. 형광층(20)은 상부 기판(3) 및 하부 기판(5)의 외부에마련된 전극들(30)로부터 인가되는 전기장에 의하여 가시광을 발생시킨다.The fluorescent layer 20 is formed on the upper substrate 3 and the reflective layer 15 between the discharge spaces 11 between the partition walls 10. The fluorescent layer 20 generates visible light by an electric field applied from the electrodes 30 provided on the outside of the upper substrate 3 and the lower substrate 5.

전극들(30)은 외부로부터 소정의 전류를 인가 받아 방전 공간들(11) 내에 플라즈마 방전을 유도하는 전기장을 발생시키며, 이러한 플라즈마 방전에 의해 발생된 자외선 광이 형광층(20)의 형광 물질을 여기시킴으로써, 형광층(20)이 가시광을 발생시킨다.The electrodes 30 receive an electric current from the outside to generate an electric field that induces plasma discharge in the discharge spaces 11, and the ultraviolet light generated by the plasma discharge generates a fluorescent material of the fluorescent layer 20. By excitation, the fluorescent layer 20 generates visible light.

이하, 전술한 구성을 갖는 면광원 장치의 제조 방법을 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the surface light source device which has the above-mentioned structure is demonstrated with reference to FIGS.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 면광원 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 and 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a surface light source device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a surface light source device according to an embodiment of the present invention. .

본 실시예에 있어서, 하부 기판(5)의 열팽창 계수는 약 0.0000085/℃ 정도이고, 격벽들(10)의 열팽창 계수는 약 0.0000090/℃ 정도이며, 반사층(15)의 열팽창 계수는 약 0.0000078/℃ 정도이다. 이 경우, 하부 기판(5)의 길이는 약 700mm 정도이다.In the present embodiment, the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5 is about 0.0000085 / ° C, the thermal expansion coefficient of the partitions 10 is about 0.0000090 / ° C, and the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is about 0.0000078 / ° C. It is enough. In this case, the length of the lower substrate 5 is about 700 mm.

도 4 내지 도 6을 참조하면, 상부 기판(3)과 하부 기판(5) 사이에 방전 공간들(11)을 형성하기 위하여 하부 기판(5) 상에 복수 개의 격벽들(10)을 소정의 간격으로 배치한다(S1). 이어서, 상기 격벽 소성 과정을 통하여 하부 기판(5) 상에 복수 개의 격벽들(10)을 형성한다(S3). 여기서, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 크기 때문에, 제1 방향으로 발생하는 제1 스트레스에 의하여 하부 기판(5)은 격벽들(10)이 위치하는 방향에 대해 평행한 방향으로 오목하게 휘어진다. 즉, 격벽들(10)이 형성된 하부 기판(5)은 상방으로 휘어진다.4 to 6, a plurality of partitions 10 are disposed on the lower substrate 5 to form discharge spaces 11 between the upper substrate 3 and the lower substrate 5. (S1). Subsequently, a plurality of barrier ribs 10 are formed on the lower substrate 5 through the barrier rib firing process (S3). Here, since the coefficient of thermal expansion of the barrier ribs 10 is larger than that of the lower substrate 5, the lower substrate 5 is disposed in the direction in which the barrier ribs 10 are located due to the first stress generated in the first direction. Bent concavely in a direction parallel to one another. That is, the lower substrate 5 on which the partitions 10 are formed is bent upwards.

하부 기판(5) 상에 반사체를 도포한 다음(S5), 상기 반사층 소성 과정을 통하여 격벽들(10)을 갖는 하부 기판(5) 상에 반사층(15)을 형성한다(S7). 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 작기 때문에, 하부 기판(5)에는 상기 제1 방향의 제1 스트레스에 대응되는 상기 스트레스가 제2 방향으로 발생하여 격벽들(10) 및 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)이 다시 볼록하게 휘어진다. 즉, 하부 기판(5)은 하방으로 휘어진다. 격벽들(10)의 열팽창 계수와 하부 기판(5)의 열팽창 계수의 차이는 하부 기판(5)의 열팽창 계수와 반사층(15)의 열팽창 계수의 차이와 실질적으로 동일하다. 따라서, 상기 제1 스트레스가 상기 제2 스트레스에 의해 보상되며, 결국 격벽들(10) 및 반사층(15)을 포함하는 하부 기판(5)은 전체적으로 평탄한 구조를 갖게 된다. 예를 들면, 상기 격벽 소정 과정에 의하여 오목하게 휘어진 하부 기판(5)은 상기 반사층 소성 과정을 거쳐서 거의 평탄하게 형성된다.After applying the reflector on the lower substrate 5 (S5), the reflective layer 15 is formed on the lower substrate 5 having the partitions 10 through the reflective layer firing process (S7). Since the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15 is smaller than the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5, the stress corresponding to the first stress in the first direction is generated in the lower substrate 5 so that the partitions 10 are formed. ) And the lower substrate 5 including the reflective layer 15 are bent convex again. That is, the lower substrate 5 is bent downward. The difference between the thermal expansion coefficient of the partitions 10 and the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5 is substantially the same as the difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate 5 and the thermal expansion coefficient of the reflective layer 15. Therefore, the first stress is compensated by the second stress, and thus the lower substrate 5 including the partitions 10 and the reflective layer 15 has an overall flat structure. For example, the lower substrate 5 that is concavely curved by the barrier rib predetermined process is formed almost flat through the reflective layer firing process.

다시 도 6을 참조하면, 격벽들(10) 사이의 방전 공간들(11) 내의 반사층(15) 상에 형광체를 도포하여 제1 형광층(20a)을 형성한다(S9).Referring to FIG. 6 again, a phosphor is coated on the reflective layer 15 in the discharge spaces 11 between the partitions 10 to form the first phosphor layer 20a (S9).

다음으로, 상부 기판(3) 상에 형광체를 도포하여 제2 형광층(20b)을 형성한 후(S11), 상부 기판(3)과 하부 기판(5)의 가장자리 사이에 밀봉 부재(25)를 부착하여 방전 공간들(11)을 밀폐시킨다(S13).Next, after the phosphor is coated on the upper substrate 3 to form the second fluorescent layer 20b (S11), the sealing member 25 is disposed between the edges of the upper substrate 3 and the lower substrate 5. By attaching to seal the discharge space (11) (S13).

상술한 면광원 장치(1)의 제조 방법은 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 전압 인가부를 형성하는 단계는 복수 개의 전극들(30)을 형성하는 단계로 이루어질 수 있다. 즉, 전극들(30)이 격벽(10)의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상부 및 하부 기판(3,5) 중 적어도 하나의 양측 외면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 전극들(30)로부터 방전 공간들(11) 내에 소정의 전기장이 인가되면, 방전 공간들(11) 내에 플라즈마 방전이 유도되어 자외선이 발생한다. 이러한 자외선에 의하여 형광층(20)의 형광 물질이 여기됨으로써, 형광층(20)으로부터 가시광이 발생된다.The above-described method for manufacturing the surface light source device 1 may further include forming a voltage applying unit for applying a voltage to the discharge space. In this case, the forming of the voltage applying unit may include forming the plurality of electrodes 30. That is, the electrodes 30 may be formed to surround outer surfaces of both sides of at least one of the upper and lower substrates 3 and 5 in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the partition 10. When a predetermined electric field is applied to the discharge spaces 11 from the electrodes 30, plasma discharge is induced in the discharge spaces 11 to generate ultraviolet rays. As the fluorescent material of the fluorescent layer 20 is excited by such ultraviolet rays, visible light is generated from the fluorescent layer 20.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 반사층(15)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 약 20% 정도 크며, 격벽들(10)의 열팽창 계수가 하부 기판(5)의 열팽창 계수 보다 약 20% 정도 작을 경우에도, 상기 격벽 소성 과정 및 반사층 소성 과정을 수행한 후, 격벽들(10) 및 반사층(15)이 형성된 하부 기판(5)은 실질적으로 평탄한 구조를 갖는다.According to another embodiment of the present invention, the coefficient of thermal expansion of the reflective layer 15 is about 20% greater than the coefficient of thermal expansion of the lower substrate 5, and the coefficient of thermal expansion of the partitions 10 is greater than that of the lower substrate 5. Even if it is about 20% smaller, after the barrier rib firing process and the reflective layer firing process are performed, the lower substrate 5 on which the barrier ribs 10 and the reflective layer 15 are formed has a substantially flat structure.

본 실시예에서, 상기 격벽 소성 과정 및 상기 반사층 소성 과정은 별도의 과정으로 수행된다. 이와는 달리, 상기 격벽 소성 과정 및 상기 반사층 소성 과정은 단일한 과정으로 수행될 수도 있다. 또한, 격벽 및 반사층은 인시튜(in-situ)로 형성될 수 있다.In this embodiment, the partition wall firing process and the reflective layer firing process are performed as a separate process. Alternatively, the partition wall firing process and the reflective layer firing process may be performed in a single process. In addition, the partition and the reflective layer may be formed in-situ.

이하, 본 발명의 실시예들에 따른 면광원 장치를 포함하는 액정표시장치를 도 7을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display including a surface light source device according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. 7.

도 7은 도 1의 면광원 장치를 갖는 액정표시장치를 나타내는 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display device having the surface light source device of FIG. 1.

도 7을 참조하면, 액정표시장치(100)는 면광원 장치(1), 디스플레이유닛(70) 및 수납 용기(80)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the liquid crystal display device 100 includes a surface light source device 1, a display unit 70, and a storage container 80.

면광원 장치(1)는 상부 및 하부 기판(3,5), 복수 개의 격벽들(미도시), 반사층(미도시), 형광층(미도시), 밀봉 부재(25) 및 복수 개의 전극들(30)을 포함한다. 본 실시예에 채용된 면광원 장치(1)는 도 1에 도시된 면광원 장치와 동일하므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.The surface light source device 1 includes upper and lower substrates 3 and 5, a plurality of partitions (not shown), a reflective layer (not shown), a fluorescent layer (not shown), a sealing member 25, and a plurality of electrodes ( 30). Since the surface light source device 1 employed in the present embodiment is the same as the surface light source device shown in FIG. 1, duplicated description will be omitted.

디스플레이 유닛(70)은 영상을 표시하는 액정 표시 패널(71), 액정표시패널(71)을 구동하기 위한 구동신호를 제공하는 데이터 인쇄회로기판(72) 및 게이트 인쇄회로기판(73)을 포함한다. 데이터 및 게이트 인쇄회로기판(72,73)은 각각 데이터 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package, TCP)(74) 및 게이트 TCP(75)를 통해 액정 표시 패널(71)과 전기적으로 연결된다.The display unit 70 includes a liquid crystal display panel 71 displaying an image, a data printed circuit board 72 providing a driving signal for driving the liquid crystal display panel 71, and a gate printed circuit board 73. . The data and gate printed circuit boards 72 and 73 are electrically connected to the liquid crystal display panel 71 through a tape carrier package (TCP) 74 and a gate TCP 75, respectively.

액정 표시 패널(71)은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 기판(71a), TFT 기판(71a)과 대향하여 결합되는 컬러필터 기판(71b) 및 상기 두 기판(71a,71b) 사이에 개재된 액정(71c)을 포함한다.The liquid crystal display panel 71 is interposed between a thin film transistor (TFT) substrate 71a, a color filter substrate 71b coupled to the TFT substrate 71a, and the two substrates 71a and 71b. It contains the liquid crystal 71c.

TFT 기판(71a)은 스위칭 소자인 TFT(미도시)가 매트릭스 형태로 형성된 투명한 유리기판이다. 상기 TFT들의 소오스 및 게이트 단자에는 각각 데이터 및 게이트 라인이 연결되고, 드레인 단자에는 투명한 도전성 재질로 이루어진 화소전극(미도시)이 연결된다.The TFT substrate 71a is a transparent glass substrate on which a switching element TFT (not shown) is formed in a matrix form. Data and gate lines are respectively connected to the source and gate terminals of the TFTs, and a pixel electrode (not shown) made of a transparent conductive material is connected to the drain terminal.

컬러필터 기판(71b)은 색화소인 레드(R), 그린(G) 및 블루(B) 화소(미도시)가 박막공정에 의해 형성된다. 컬러필터 기판(71b)에는 투명한 도전성 재질로 이루어진 공통전극(미도시)이 형성된다.In the color filter substrate 71b, red (R), green (G), and blue (B) pixels (not shown), which are color pixels, are formed by a thin film process. A common electrode (not shown) made of a transparent conductive material is formed on the color filter substrate 71b.

수납 용기(80)는 바닥면(81) 및 바닥면(81)의 에지부에 수납공간을 형성하기 위해 형성된 복수의 측벽(82)으로 이루어진다. 수납 용기(80)는 면광원 장치(1) 및 액정 표시 패널(71)이 유동되지 않도록 고정시킨다.The storage container 80 includes a bottom surface 81 and a plurality of side walls 82 formed to form a storage space at an edge portion of the bottom surface 81. The storage container 80 fixes the surface light source device 1 and the liquid crystal display panel 71 so as not to flow.

바닥면(81)은 면광원 장치(1)가 안착되기에 충분한 바닥 면적을 가지며, 면광원 장치(1)와 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하다. 본 실시예에서 바닥면(81)은 면광원 장치(1)와 동일하게 사각 플레이트 형상을 갖는다. 측벽(82)은 면광원 장치(1)가 외부로 이탈되지 않도록 바닥면(81)의 에지부로부터 수직하게 연장된다.The bottom surface 81 has a floor area sufficient for the surface light source device 1 to be seated, and preferably has the same shape as the surface light source device 1. In the present embodiment, the bottom surface 81 has a square plate shape similar to the surface light source device 1. The side wall 82 extends perpendicularly from the edge portion of the bottom surface 81 so that the surface light source device 1 does not escape to the outside.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 인버터(60) 및 탑 샤시(90)를 더 포함한다.The liquid crystal display 100 according to the exemplary embodiment of the present invention further includes an inverter 60 and a top chassis 90.

인버터(60)는 수납 용기(80)의 외부에 배치되며, 면광원 장치(1)를 구동하기 위한 방전 전압을 발생시킨다. 인버터(60)로부터 발생된 방전 전압은 제1 및 제2 전원 인가선(63,64)을 통해 면광원 장치(1)에 인가된다. 제1 및 제2 전원 인가선(63,64)은 면광원 장치(1)의 양 측부에 형성된 전극(30)에 각각 연결된다. 이때, 제1 및 제2 전원 인가선(63,64)은 전극(30)에 직접 연결될 수 있고, 별도의 연결 부재(미도시)를 이용하여 전극(30)에 연결될 수도 있다.The inverter 60 is disposed outside the storage container 80 and generates a discharge voltage for driving the surface light source device 1. The discharge voltage generated from the inverter 60 is applied to the surface light source device 1 through the first and second power supply lines 63 and 64. The first and second power supply lines 63 and 64 are connected to the electrodes 30 formed at both sides of the surface light source device 1, respectively. In this case, the first and second power supply lines 63 and 64 may be directly connected to the electrode 30, or may be connected to the electrode 30 using a separate connection member (not shown).

탑 샤시(90)는 액정 표시 패널(71)의 에지부를 감싸면서 수납 용기(80)에 결합된다. 탑 샤시(90)는 외부 충격에 대한 액정 표시 패널(71)의 파손을 방지하고, 액정 표시 패널(71)이 수납 용기(80)로부터 이탈되는 것을 방지한다.The top chassis 90 is coupled to the storage container 80 while surrounding the edge portion of the liquid crystal display panel 71. The top chassis 90 prevents the liquid crystal display panel 71 from being damaged by an external impact and prevents the liquid crystal display panel 71 from being separated from the storage container 80.

한편, 액정표시장치(100)는 면광원 장치(1)로부터 출사되는 광의 특성을 향상시키기 위한 적어도 1매의 광학 시트(95)를 더 포함할 수 있다. 광학 시트(95)는광의 확산을 위한 확산 시트 또는 광의 휘도 증가를 위한 프리즘 시트를 포함할 수 있다.On the other hand, the liquid crystal display device 100 may further include at least one optical sheet 95 for improving the characteristics of the light emitted from the surface light source device (1). The optical sheet 95 may include a diffusion sheet for diffusing the light or a prism sheet for increasing the luminance of the light.

액정표시장치(100)는 면광원 장치(1)와 광학 시트(95) 사이에 배치되는 몰드 프레임(미도시)을 더 포함할 수 있다. 상기 몰드 프레임은 면광원 장치(1)의 전극(30)이 다른 도전성 재질과 접촉되지 않도록 한다. 또한, 상기 몰드 프레임은 광학 시트(95)를 지지하여, 광학 시트(95)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다.The liquid crystal display device 100 may further include a mold frame (not shown) disposed between the surface light source device 1 and the optical sheet 95. The mold frame prevents the electrode 30 of the surface light source device 1 from coming into contact with another conductive material. In addition, the mold frame may support the optical sheet 95 to prevent the optical sheet 95 from being separated.

본 실시예에 따르면, 하부 기판, 상부 기판, 격벽들 및 반사층을 포함하는 액정표시장치에 있어, 이들 구성요소들의 변형을 감소시킬 수 있다.According to the present exemplary embodiment, in the liquid crystal display including the lower substrate, the upper substrate, the partitions, and the reflective layer, deformation of these components can be reduced.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 하부 기판 상에 격벽들을 형성하는 공정 동안 하부 기판에 발생하는 응력을 하부 기판 상에 반사층을 형성하는 동안 발생하는 응력으로 보상시킨다. 이에 따라, 격벽들 및 반사층이 형성된 하부 기판의 변형을 방지할 수 있다. 또한, 상부 기판이 평탄한 구조의 하부 기판 상에 형성되기 때문에 상부 기판도 변형 없이 평탄한 구조를 갖는다.As described above, according to the present invention, the stress generated in the lower substrate during the process of forming the partition walls on the lower substrate is compensated by the stress generated during the formation of the reflective layer on the lower substrate. Accordingly, deformation of the lower substrate on which the partitions and the reflective layer are formed can be prevented. In addition, since the upper substrate is formed on the lower substrate of the flat structure, the upper substrate also has a flat structure without deformation.

더욱이, 면광원 장치가 대형화될 경우에도, 정밀하게 조절된 열팽창 계수 차이로 인하여 상기 면광원 장치가 포함하는 상기 하부 기판, 상기 상부 기판, 상기 격벽들 및 상기 반사층과 같은 구성 요소들의 변형을 방지할 수 있다.Moreover, even when the surface light source device is enlarged, it is possible to prevent deformation of components such as the lower substrate, the upper substrate, the partition walls, and the reflective layer that the surface light source device includes due to the precisely adjusted thermal expansion coefficient difference. Can be.

또한, 하부 기판, 상부 기판, 격벽들 및 반사층을 포함하는 액정표시장치에 있어, 이들 구성요소들의 변형을 감소시킬 수 있다.In addition, in the liquid crystal display including the lower substrate, the upper substrate, the partitions, and the reflective layer, deformation of these components can be reduced.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들면, 하부 기판 상에 또 다른 층이 소성과정을 통해 추가로 형성되는 경우에도, 격벽 및 반사층 등을 형성하는 공정 동안 하부 기판에 발생하는 응력을 하부 기판 상에 추가로 형성된 상기 층을 형성하는 동안 발생하는 응력으로 보상시킨다. 이에 따라, 추가로 형성된 상기 층이 형성된 하부 기판의 변형을 방지할 수 있다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention. For example, even if another layer is further formed on the lower substrate through a sintering process, the layer further formed on the lower substrate may be formed with the stress generated in the lower substrate during the process of forming the partition and the reflective layer. Compensate for stresses that occur during Accordingly, it is possible to prevent deformation of the lower substrate on which the layer further formed.

Claims (23)

상부 기판;An upper substrate; 상기 상부 기판에 대응되는 하부 기판;A lower substrate corresponding to the upper substrate; 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 형성되어 상기 상부 및 하부 기판 사이에 방전 공간들을 형성하며, 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시키는 복수 개의 격벽들;A plurality of partition walls formed between the upper substrate and the lower substrate to form discharge spaces between the upper and lower substrates, and to generate a first stress in the first direction; 상기 하부 기판 상에 형성되며, 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시키는 반사층; 및A reflective layer formed on the lower substrate and generating a second stress on the lower substrate in a second direction; And 상기 방전 공간 내부에 형성된 형광층을 포함하는 면광원 장치.Surface light source device including a fluorescent layer formed in the discharge space. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 서로 반대인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 1, wherein the first direction is opposite to the second direction. 제 2 항에 있어서, 상기 하부 기판의 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 상기 제2 스트레스에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 2, wherein the first stress of the lower substrate is compensated by the second stress of the lower substrate. 제 3 항에 있어서, 상기 하부 기판은 실질적으로 평탄한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 3, wherein the lower substrate has a substantially flat structure. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 1, wherein the first stress is generated by a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the partition walls. 제 5 항에 있어서, 상기 제2 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.6. The surface light source device according to claim 5, wherein the second stress is generated by a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the reflective layer. 제 6 항에 있어서, 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 6, wherein a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the partition walls is substantially the same as a difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficient of the reflective layer. 제 6 항에 있어서, 상기 격벽들의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100%이며, 상기 반사층의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120%인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.7. The thermal expansion coefficient of the barrier ribs according to claim 6, wherein the thermal expansion coefficient of the partitions is about 80 to about 100% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate, and the thermal expansion coefficient of the reflective layer is about 100 to about 120% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate. Surface light source device. 제 6 항에 있어서, 상기 격벽들의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120%이며, 상기 반사층의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100%인 것을 특징으로 하는 면광원 장치.7. The thermal expansion coefficient of the barrier ribs according to claim 6, wherein the thermal expansion coefficient of the barrier ribs is about 100 to about 120% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate, and the thermal expansion coefficient of the reflective layer is about 80 to about 100% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate. Surface light source device. 제 6 항에 있어서, 상기 상부 기판의 열팽창 계수와 상기 하부 기판의 열팽창 계수는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 면광원 장치.7. The surface light source device according to claim 6, wherein the thermal expansion coefficient of the upper substrate and the thermal expansion coefficient of the lower substrate are substantially the same. 제 1 항에 있어서, 상기 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 1, further comprising a voltage applying unit configured to apply a voltage to the discharge space. 제 11 항에 있어서, 상기 전압 인가부는 상기 격벽의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상기 상부 및 하부 기판 중 적어도 하나의 외면을 둘러싸는 복수 개의 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치.The surface light source device of claim 11, wherein the voltage applying unit comprises a plurality of electrodes surrounding outer surfaces of at least one of the upper and lower substrates in a direction substantially orthogonal to a longitudinal direction of the partition wall. 하부 기판 상에 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시키는 복수 개의 격벽들을 형성하는 단계;Forming a plurality of barrier ribs on the lower substrate to generate a first stress in a first direction on the lower substrate; 상기 하부 기판 상에 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시키는 반사층을 형성하는 단계;Forming a reflective layer on the lower substrate, the reflective layer generating a second stress in a second direction on the lower substrate; 상기 반사층 및 상부 기판 상에 형광층을 형성하는 단계; 및Forming a fluorescent layer on the reflective layer and the upper substrate; And 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 밀봉하여 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 방전 공간들을 형성하는 단계를 포함하는 면광원 장치의 제조 방법.Sealing the upper substrate and the lower substrate to form discharge spaces between the upper substrate and the lower substrate. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 서로 반대이며, 상기 하부 기판의 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 상기 제2 스트레스에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.The surface light source device of claim 13, wherein the first direction is opposite to the second direction, and the first stress of the lower substrate is compensated by the second stress of the lower substrate. Way. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하며, 상기 제2 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.The method of claim 14, wherein the first stress is generated by a difference between a coefficient of thermal expansion of the lower substrate and a coefficient of thermal expansion of the partition walls, and the second stress is determined by a difference between a coefficient of thermal expansion of the lower substrate and a coefficient of thermal expansion of the reflective layer. Generated by the method for producing a surface light source device. 제 15 항에 있어서, 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.The method of claim 15, wherein the difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficients of the partition walls is substantially the same as the difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficient of the reflective layer. 제 15 항에 있어서, 상기 격벽들 및 상기 반사층 중 어느 하나의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 80 내지 약 100%이며, 상기 격벽들 및 상기 반사층 중 나머지 하나의 열팽창 계수는 상기 하부 기판의 열팽창 계수의 약 100 내지 약 120%인 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.16. The thermal expansion coefficient of claim 15, wherein the thermal expansion coefficient of any one of the barrier ribs and the reflective layer is about 80 to about 100% of the thermal expansion coefficient of the lower substrate, and the thermal expansion coefficient of the other of the barrier ribs and the reflective layer is the lower substrate. And about 100 to about 120% of the coefficient of thermal expansion of the surface light source device. 제 13 항에 있어서, 상기 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.The method of manufacturing a surface light source device according to claim 13, further comprising forming a voltage applying unit for applying a voltage to the discharge space. 제 18 항에 있어서, 상기 전압 인가부는 상기 격벽의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상기 상부 및 하부 기판 중 적어도 하나의 외면을 둘러싸는 복수 개의 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치의 제조 방법.The surface light source device of claim 18, wherein the voltage applying unit comprises a plurality of electrodes surrounding an outer surface of at least one of the upper and lower substrates in a direction substantially orthogonal to a longitudinal direction of the partition wall. Manufacturing method. 상부 기판, 상기 상부 기판에 대응되는 하부 기판, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 형성되어 방전 공간들을 형성하며 상기 하부 기판에 제1 방향으로 제1 스트레스를 발생시키는 복수 개의 격벽들, 상기 하부 기판 상에 형성되며 상기 하부 기판에 제2 방향으로 제2 스트레스를 발생시키는 반사층 및 상기 방전 공간 내부에 형성된 형광층을 포함하는 면광원 장치;A plurality of partition walls formed between an upper substrate, a lower substrate corresponding to the upper substrate, the upper substrate and the lower substrate to form discharge spaces, and generating a first stress in the first direction in the lower substrate, the lower substrate A surface light source device formed on the lower substrate and including a reflective layer generating a second stress in a second direction on the lower substrate and a fluorescent layer formed inside the discharge space; 상기 면광원 장치로부터 출사되는 광을 이용하여 영상을 표시하는 액정표시패널; 및A liquid crystal display panel which displays an image using light emitted from the surface light source device; And 상기 면광원 장치 및 상기 액정표시패널을 수납하는 수납 용기를 포함하는 액정표시장치.And a storage container accommodating the surface light source device and the liquid crystal display panel. 제 20 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 제2 방향과 서로 반대이고, 상기 하부 기판의 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 상기 제2 스트레스에 의해 보상되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 20, wherein the first direction is opposite to the second direction, and the first stress of the lower substrate is compensated by the second stress of the lower substrate. 제 20 항에 있어서, 상기 제1 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 격벽들의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하고, 상기 제2 스트레스는 상기 하부 기판의 열팽창 계수와 상기 반사층의 열팽창 계수의 차이에 의해 발생하는 것을특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 20, wherein the first stress is generated by a difference between a thermal expansion coefficient of the lower substrate and a thermal expansion coefficient of the partition walls, and the second stress is based on a difference between the thermal expansion coefficient of the lower substrate and the thermal expansion coefficient of the reflective layer. A liquid crystal display device characterized by being generated by 제 20 항에 있어서, 상기 면광원 장치는 격벽의 길이 방향과 실질적으로 직교하는 방향을 따라 상기 상부 및 하부 기판 중 적어도 하나의 외면을 둘러싸는 복수 개의 전극들을 포함하여 상기 방전 공간으로 전압을 인가하는 전압 인가부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The surface light source device of claim 20, wherein the surface light source device includes a plurality of electrodes surrounding an outer surface of at least one of the upper and lower substrates in a direction substantially orthogonal to the longitudinal direction of the partition wall to apply voltage to the discharge space. And a voltage applying unit.
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