KR20050001156A - Wafer measuring equipment used to manufacture semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 표면의 나노토포그래피(Nanotopography)를 측정하는 반도체 제조용 웨이퍼측정설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer measuring apparatus for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a wafer measuring apparatus for semiconductor manufacturing for measuring nanotopography of a wafer surface.
일반적으로 하나의 반도체 소자를 제작하기 위해서는 순수 실리콘(Silicon) 웨이퍼의 상면에 일정 회로패턴(Pattern)을 갖는 반도체 박막을 복층으로 적층하는 과정을 반복해야만 한다.In general, in order to fabricate one semiconductor device, a process of stacking a semiconductor thin film having a predetermined circuit pattern on a top surface of a pure silicon wafer in multiple layers must be repeated.
이에 일정 평탄도로 연마된 웨이퍼가 로딩되면, 이 웨이퍼 상에는 사진공정, 식각공정, 박막증착공정 등 다수의 단위공정이 순차적으로 수행되어짐으로 일정 회로패턴을 갖는 반도체 박막이 복층으로 적층되게 되는 것이다.When a wafer polished to a certain flatness is loaded, a plurality of unit processes such as a photo process, an etching process, and a thin film deposition process are sequentially performed on the wafer, whereby a semiconductor thin film having a predetermined circuit pattern is stacked in multiple layers.
이때, 이와 같이 적층되는 반도체 박막이 균일하게 적층되려면, 웨이퍼 표면에 이미 적층된 최종 박막이 먼저 균일하게 평탄화되어야 한다.In this case, in order for the semiconductor thin films to be stacked in this manner to be uniformly stacked, the final thin film already stacked on the wafer surface must first be uniformly flattened.
이에, 웨이퍼 상에 하나의 반도체 박막이 적층된 후에는 이 반도체 박막을 평탄화시키기 위한 소정 연마공정이 수행되어지며, 이 연마공정 후에는 평탄화된 최종 반도체 박막이 어느정도 균일하게 평탄화되었는지를 점검하는 측정공정을 경유하게 된다. 따라서, 웨이퍼 상에는 다수의 반도체 박막이 균일하게 복층으로 적층될 수 있게 되는 것이다.Thus, after one semiconductor thin film is stacked on the wafer, a predetermined polishing process is performed to planarize the semiconductor thin film, and after this polishing process, a measurement process is performed to check how uniformly the final semiconductor thin film is flattened. Via. Therefore, a plurality of semiconductor thin films can be uniformly stacked on the wafer.
여기에서, 이와 같은 측정공정은 통상 반도체 박막의 회로패턴 선폭에 따라 다소간 달라지게 된다. 예를 들면, 종래에는 웨이퍼의 표면평탄화 정도를 알수 있는 플랫니스(Flatness) 만을 측정하였지만, 최근에는 회로패턴의 선폭이 매우 미세해짐에 따라 웨이퍼 플랫니스 이외에도 웨이퍼의 표면형상을 알 수 있는 나노토포그래피까지 측정하고 있는 실정이다.Here, such a measuring process is usually somewhat different depending on the circuit pattern line width of the semiconductor thin film. For example, in the past, only the flatness of the surface leveling of the wafer was measured. However, as the line width of the circuit pattern becomes very fine, in recent years, the topography of the wafer in addition to the wafer flatness can be known. It is being measured to.
이에 반도체 소자를 제조하는 다수의 반도체 제조설비 중에는 나노토포그래피를 측정하는 웨이퍼 측정설비가 꼭 구비되고 있는 실정이다.Accordingly, in many semiconductor manufacturing facilities for manufacturing semiconductor devices, a wafer measuring apparatus for measuring nanotopography is necessarily provided.
한편, 이와 같은 나노토포그래피를 측정하는 웨이퍼 측정설비는 10-9인 나노단위까지 측정하기 때문에 주변의 공정환경에 매우 민감하게 된다. 따라서 보다 신뢰성있는 데이타(Data)를 확보하기 위해서는 주변 공정환경으로부터 발생되는 제반 변수를 모두 차단시켜주어야 한다. 특히, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 많은 설비가 구동되고 많은 인원들이 이동하게 되는 바, 이들에서 발생되는 진동이 웨이퍼 측정설비에 전달되지 않도록 미연에 차단시켜주는 것이 매우 중요하다.On the other hand, this wafer measuring equipment for measuring the same nano-topography is very sensitive to the surrounding environment, since the measuring process to 10-9 in a nano-scale. Therefore, to secure more reliable data, all variables generated from the surrounding process environment should be blocked. Particularly, in order to manufacture a semiconductor device, many facilities are driven and a large number of personnel are moved. Therefore, it is very important to block vibrations generated from these devices so that they are not transmitted to the wafer measuring equipment.
그러나, 종래 웨이퍼 측정설비에는 간단한 절연부재들만 장착되어 있을 뿐 이러한 진동을 미연에 차단시켜주는 제진장치 등은 전혀 구비되지 않는 문제점이 발생된다.However, the conventional wafer measuring equipment is equipped with only simple insulating members, there is a problem that no vibration damping device that blocks such vibration in advance is not provided at all.
이에 종래에는 이러한 웨이퍼 측정설비를 설치하기 전에 미리 별도의 제진장치를 구입하여 설치해야하는 문제점이 발생된다. 따라서, 종래에는 이러한 웨이퍼 측정설비와 별도의 제진장치를 각각 구입하기 위하여 비용이 이중으로 소요될 뿐만 아니라 이 두 설비 및 장치를 각각 설치하기까지는 많은 시간이 소요되어지는 문제점이 발생된다.Therefore, conventionally, before installing the wafer measuring equipment, a problem arises in that a separate vibration isolator needs to be purchased and installed. Therefore, conventionally, in order to purchase these wafer measuring equipment and a separate vibration damper, the cost is not only doubled, but also a long time is required to install the two equipment and the apparatus, respectively.
또한, 이와 같이 별도로 구입하여 설치하는 종래 제진장치는 하부에서 올라오는 진동을 차단할 수 있도록 에어 스프링(Air spring)을 사용하고 있는데, 이러한 에어를 이용한 에어 스프링은 나노토포그래피의 조건을 만족시키기 어려운 문제점이 발생된다.In addition, the conventional vibration suppression apparatus purchased and installed separately is using an air spring (Air spring) to block the vibration from the bottom, the air spring using the air is difficult to meet the conditions of nanotopography Is generated.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 외부로부터 발생되는 진동을 차단할 수 있도록 제진장치가 구비된 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a wafer measuring apparatus for manufacturing a semiconductor having a vibration damper so as to block vibration generated from the outside.
그리고, 본 발명의 다른 목적은 나노토포그래피의 조건을 만족시킬 수 있는 제진장치가 구비된 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a wafer measuring apparatus for manufacturing a semiconductor having a vibration suppression apparatus capable of satisfying the conditions of nanotopography.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비의 일실시예를 개략적으로 도시한 구성도.Figure 1 is a schematic diagram showing an embodiment of a wafer measuring apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention.
도 2는 도 1에 도시한 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비의 평면도.FIG. 2 is a plan view of the wafer measurement equipment for manufacturing a semiconductor shown in FIG. 1. FIG.
**** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ******** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ****
120 : 간섭계 모듈 140 : 웨이퍼 안착모듈120: interferometer module 140: wafer seating module
145 : 웨이퍼 162 : 지지판145: wafer 162: support plate
164 : 지지축 166 : 절연부재164: support shaft 166: insulating member
181 : 제진대 183 : 가스공급유닛181: vibration damper 183: gas supply unit
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 안착모듈(Module)과, 안착된 웨이퍼에 소정 파장의 빛을 조사하여 웨이퍼로부터 반사되어 회귀하는 빛을 통하여 웨이퍼의 플랫니스와 나노토포그래피를 측정해주는 간섭계 모듈(Interferometer module)과, 간섭계 모듈을 하부에서 지지해주는 간섭계 지지장치 및, 간섭계 지지장치에 장착되며 외부로부터 발생되어 전달되는 진동이 간섭계 모듈에 전달되는 것을 방지하도록 진동을 미연에 차단해주는 제진장치를 포함한다.The wafer measuring apparatus for manufacturing a semiconductor of the present invention for achieving the above object is a flat surface of the wafer through the wafer mounting module (Module) on which the wafer is seated, and the light reflected from the wafer by returning light of a predetermined wavelength to the seated wafer An interferometer module for measuring varnish and nanotopography, an interferometer support device for supporting the interferometer module from below, and a vibration mounted on the interferometer support device to prevent the vibration generated from the outside from being transmitted to the interferometer module. It includes a vibration damping device to block the vibration in advance.
이때, 상기 제진장치는 가스(Gas)가 주입되어 가스의 완충력에 의해 스프링 역할을 수행하는 제진대와, 제진대 내부에 가스를 공급해주는 가스공급유닛(Unit) 및, 제진대에 부착되어 제진대 내부의 압력을 측정한 다음 제진대 내부로의 가스공급여부를 제어해주는 제어유닛(Control unit)을 포함함이 바람직하다.At this time, the vibration isolator is a gas (Gas) is injected into the vibration damping table to act as a spring by the buffer force of the gas, a gas supply unit (Unit) for supplying gas into the vibration damping table, attached to the vibration damping table It is preferable to include a control unit for controlling the supply of gas to the interior of the vibration damper after measuring the pressure inside.
그리고, 상기 제진대는 통체타입(Type)의 밀폐된 실린더(Cylinder)로 구성된 것이 바람직하다.In addition, the vibration isol is preferably composed of a closed cylinder (Cylinder) of the cylinder type (Type).
또, 상기 제진대에 주입되는 가스는 He 가스임이 바람직하다.In addition, the gas injected into the vibration damping table is preferably He gas.
한편, 상기 간섭계 지지장치는 간섭계 모듈의 하측에 접촉되는 지지판과, 지지판의 각 모서리부분을 지지해주는 다수의 지지축 및, 지지축과 지지판 사이에 개재되며 지지축을 통해 외부로부터 발생된 소음이나 진동이 간섭계 모듈로 전달되는 것을 차단해주는 절연부재로 구성됨이 바람직하다.On the other hand, the interferometer support device is interposed between the support plate that is in contact with the lower side of the interferometer module, a plurality of support shafts for supporting each corner portion of the support plate, the support shaft and the support plate and the noise or vibration generated from the outside through the support shaft It is preferably composed of an insulating member that blocks the transmission to the interferometer module.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비(100)의 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of a wafer measuring apparatus 100 for manufacturing a semiconductor according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비(100)는 웨이퍼(145)가 안착되는 웨이퍼 안착모듈(140), 안착된 웨이퍼(145)에 소정 파장의 빛을 조사하여 웨이퍼(145)의 플랫니스와 웨이퍼(145)의 나노토포그래피를 측정해주는 간섭계 모듈(120), 이와 같은 간섭계 모듈(120)을 지지해주는 간섭계 지지장치 및, 외부로부터 발생되는 진동을 차단해주는 제진장치(180)로 구성된다.As shown in the figure, the semiconductor manufacturing wafer measuring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention irradiates light of a predetermined wavelength to the wafer seating module 140 and the wafer 145 on which the wafer 145 is seated. Interferometer module 120 for measuring the flatness of the wafer 145 and nanotopography of the wafer 145, an interferometer support device for supporting such an interferometer module 120, and a vibration damper for blocking vibration generated from the outside It consists of 180.
보다 구체적으로 설명하면, 간섭계 모듈(120)은 웨이퍼(145) 상에 소정 파장의 빛을 조사할 수 있도록 웨이퍼(145)의 상측에 설치되되 웨이퍼(145)와 소정 간격 이격되게 설치되며, 웨이퍼(145)로부터 반사되어 돌아오는 산란 빛을 통하여 웨이퍼(145)의 플랫니스 및 웨이퍼(145)의 나노토포그래피를 측정하게 된다. 이때, 간섭계 모듈(120)에는 소정 파장의 빛을 발산하는 광원으로 할로겐 램프(Halogen lamp,미도시) 등이 구비될 수 있다.More specifically, the interferometer module 120 is installed above the wafer 145 so as to irradiate light of a predetermined wavelength on the wafer 145, but is spaced apart from the wafer 145 by a predetermined interval, and the wafer ( Scattered light reflected from 145 returns the flatness of the wafer 145 and the nanotopography of the wafer 145. At this time, the interferometer module 120 may be provided with a halogen lamp (not shown) as a light source for emitting light of a predetermined wavelength.
또한, 간섭계 지지장치는 간섭계 모듈(120)의 하측에 접촉되는 지지판(162)과, 지지판(162)의 각 모서리부분을 지지해주는 다수의 지지축(164) 및, 지지축(164)과 지지판(162) 사이에 각각 개재되는 절연부재(166)로 구성된다.In addition, the interferometer support device includes a support plate 162 in contact with the lower side of the interferometer module 120, a plurality of support shafts 164 supporting each corner of the support plate 162, and a support shaft 164 and a support plate ( It consists of an insulating member 166 interposed between 162.
여기에서, 지지판(162)은 평판타입으로 간섭계 모듈(120)의 하측에 접촉되어 간섭계 모듈(120)을 하측에서 지지하는 역할을 수행한다. 그리고, 지지축(164)은 기둥타입으로 다수개 구비되며 지지판(162)의 전후좌우 등 각 모서리부분을 지지해주는 역할을 수행한다. 또, 절연부재(166)는 각 지지축(164)을 커버(Cover)할 수 있는 소정 크기의 평판타입으로 형성되고 소음이나 진동을 절연할 수 있는 절연재질로 형성되어 외부로부터 발생되는 소음이나 진동이 지지축(164)을 통해 간섭계 모듈(120)로 전달되는 것을 일정부분 차단하는 역할을 수행한다.Here, the support plate 162 is in a flat plate type contact with the lower side of the interferometer module 120 serves to support the interferometer module 120 from the lower side. And, the support shaft 164 is provided with a plurality of pillar type and serves to support each corner portion, such as front and rear, left and right of the support plate 162. In addition, the insulating member 166 is formed of a flat plate type of a predetermined size that can cover (Cover) each support shaft 164 and formed of an insulating material that can insulate the noise or vibration generated from the outside noise or vibration It serves to block a portion of the transmission to the interferometer module 120 through the support shaft 164.
한편, 제진장치(180)는 가스가 주입되어 가스의 완충력에 의해 스프링 역할을 수행하는 제진대(181)와, 이러한 제진대(181) 내부에 소정 완충가스를 공급해주는 가스공급유닛(183) 및, 제진대(181)에 부착되어 제진대(181) 내부의 압력을 측정한 다음 제진대(181) 내부로의 가스공급여부를 제어해주는 제어유닛(185)으로 구성된다.On the other hand, the vibration isolator 180 is a gas injection unit 181 to perform the role of a spring by the gas injection force of the gas, and a gas supply unit 183 for supplying a predetermined buffer gas into the vibration damping unit 181 and The control unit 185 is attached to the vibration isolator 181 to measure the pressure inside the vibration isolator 181 and then control the gas supply to the interior of the vibration isolator 181.
여기에서, 제진대(181)는 간섭계 지지장치의 지지축(164)과 절연부재(166) 사이에 장착되고, 통체 타입의 밀폐된 실린더로 구현되며, 실린더 내부에 소정 완충가스가 공급된다. 이때, 본 발명에서는 소정 완충가스의 일실시예로 He 가스가 사용된다.Here, the vibration damping table 181 is mounted between the support shaft 164 of the interferometer support device and the insulating member 166, and is implemented as a closed cylinder of a cylindrical type, and a predetermined buffer gas is supplied into the cylinder. In this case, the He gas is used as an embodiment of the predetermined buffer gas in the present invention.
이에, 가스공급유닛(183)은 제진대(181) 내부로 He 가스를 공급해주게 되며, 제어유닛(185)은 이 제진대(181) 내부의 He 가스압력을 측정한 다음 He 가스압력이미리 정해진 기준치에 미달될 경우 가스공급유닛(183)에 He 가스를 더 공급하라고 하는 등의 소정 시그날(Signal)을 전송하게 된다. 따라서, 이러한 밀폐된 제진대(181) 내부에는 항상 He 가스로 일정 압력을 유지되어지며, 외부로부터 발생 및 전달되는 소정 진동 등은 이러한 일정 압력으로 유지되는 제진대(181)에 의해 미연에 차단되어지게 된다.Accordingly, the gas supply unit 183 supplies He gas into the vibration damping table 181, and the control unit 185 measures the He gas pressure inside the vibration damping table 181 and then sets the He gas pressure in advance. If it does not meet the reference value it will transmit a predetermined signal (Signal), such as to supply more He gas to the gas supply unit (183). Therefore, the sealed vibration damper 181 is always maintained at a constant pressure with He gas, and predetermined vibration generated and transmitted from the outside is blocked in advance by the vibration damper 181 maintained at the constant pressure. You lose.
이상에서, 미설명부호 187은 He가스가 공급되는 가스공급배관(187)을 도시한 것이다.In the above description, reference numeral 187 illustrates a gas supply pipe 187 to which He gas is supplied.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비(100)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the drawings, the operation and effect of the semiconductor manufacturing wafer measuring apparatus 100 according to the present invention will be described in detail.
먼저, 웨이퍼(145)가 웨이퍼 이송장치(미도시) 등에 의해 본 발명 웨이퍼 측정설비(100)의 웨이퍼 안착모듈(140)에 안착되면, 간섭계 모듈(120)은 할로겐 램프와 같은 광원을 이용하여 웨이퍼(145) 표면에 소정 빛을 조사 또는 산란시키게 된다.First, when the wafer 145 is seated on the wafer seating module 140 of the wafer measuring apparatus 100 of the present invention by a wafer transfer device (not shown) or the like, the interferometer module 120 uses a light source such as a halogen lamp to make the wafer. 145 is irradiated or scattered a predetermined light on the surface.
이에, 웨이퍼(145) 표면에 조사 또는 산란된 소정 빛은 웨이퍼(145)의 표면에 부딪친 다음 대부분 다시 간섭계 모듈(120)로 회귀하게 된다. 따라서, 간섭계 모듈(120)은 이와 같이 회귀되는 빛의 간섭 등을 분석함으로 웨이퍼(145)의 플랫니스 및 나노토포그래피를 측정하게 된다.Therefore, the predetermined light irradiated or scattered on the surface of the wafer 145 hits the surface of the wafer 145 and then mostly returns to the interferometer module 120 again. Accordingly, the interferometer module 120 measures the flatness and nanotopography of the wafer 145 by analyzing the interference of the returned light.
이때, 이와 같은 측정공정을 수행함에 있어서, 간섭계 지지장치에 의해 지지된 간섭계 모듈(120) 등은 외부로부터 발생되는 진동 등에 의해 계속적인 악영향을 받게 되는데, 본 발명에 따른 제진장치(180)는 이러한 간섭계 지지장치의 사이에개재되어 외부로부터 발생되는 진동 등을 모두 차단하게 된다. 이에 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비(100)에는 신뢰성높은 데이타가 확보되어진다.At this time, in performing such a measurement process, the interferometer module 120 and the like supported by the interferometer support device is continuously adversely affected by the vibration generated from the outside, the vibration damping device 180 according to the present invention is Interposed between the interferometer support device to block all the vibration generated from the outside. Thus, the wafer measuring equipment 100 according to the present invention ensures reliable data.
특히, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비(100)의 제진장치(180)는 완충가스로 He 가스를 사용하게 되는 바, 이와 같은 He 가스는 에어에 비해 중량이 가볍기 때문에 밀폐된 제진대(181) 내부에서 일정 압력을 유지하는데 매우 용이하여 이로인해 발생되는 제진효과는 더욱 배가된다. 따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비(100)로 측정된 데이타는 더욱 신뢰성있게 된다.In particular, the vibration damping device 180 of the wafer measuring apparatus 100 according to the present invention uses He gas as a buffer gas, and since such He gas is lighter in weight than air, the sealed vibration damping table 181 is inside. It is very easy to maintain a constant pressure at, which doubles the damping effect. Therefore, the data measured by the wafer measuring apparatus 100 according to the present invention becomes more reliable.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비(100)는 완충가스의 압력을 계속하여 측정한 다음 이 측정된 값이 미리 정해진 기준치에 미달될 경우 새롭게 He 가스를 공급해주기 때문에 제진대(181) 내부의 압력을 공정에 필요한 일정압력으로 연속하여 유지할 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라 공급되는 He 가스의 양을 최소로 절약할 수 있는 장점이 있다.In addition, the wafer measuring apparatus 100 according to the present invention continuously measures the pressure of the buffer gas, and if the measured value falls below a predetermined reference value, the He gas is supplied to the damping table 181 because the new He gas is newly supplied. It not only has the advantage of maintaining it continuously at a constant pressure necessary for the process but also has the advantage of saving the amount of He gas supplied to the minimum.
이상에서 설명한 본 발명은 도시된 특정 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention described above has been described with reference to the specific embodiments shown, this is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and variations can be made therefrom. . Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 웨이퍼 측정설비에는 제진장치가 구비되기 때문에 외부로부터 발생되는 진동 등을 모두 차단할 수 있다. 이에 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비에는 신뢰성높은 데이타가 확보되어지는 효과가 있다.As described above, since the vibration measuring apparatus is provided in the wafer measuring apparatus for semiconductor manufacturing according to the present invention, all vibrations and the like generated from the outside can be blocked. Accordingly, the wafer measuring apparatus according to the present invention has an effect of ensuring reliable data.
특히, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비의 제진장치는 완충가스로 He 가스를 사용하게 되는 바, 이와 같은 He 가스는 에어에 비해 중량이 가볍기 때문에 밀폐된 제진대 내부에서 일정 압력을 유지하는데 매우 용이하여 이로인해 발생되는 제진효과는 더욱 배가된다. 따라서, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비로 측정된 데이타는 더욱 신뢰성있게 되는 효과가 있다.In particular, the vibration damping device of the wafer measuring apparatus according to the present invention uses the He gas as a buffer gas. Since the He gas is lighter in weight than air, it is very easy to maintain a constant pressure in the sealed vibration damping table. This will double the damping effect. Therefore, the data measured by the wafer measuring equipment according to the present invention has the effect of becoming more reliable.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 측정설비는 완충가스의 압력을 계속하여 측정한 다음 이 측정된 값이 미리 정해진 기준치에 미달될 경우 새롭게 He 가스를 공급해주기 때문에 제진대 내부의 압력을 공정에 필요한 일정압력으로 연속하여 유지할 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라 공급되는 He 가스의 양을 최소로 절약할 수 있는 장점이 있다.In addition, the wafer measuring equipment according to the present invention continuously measures the pressure of the buffer gas, and when the measured value falls below a predetermined reference value, the He gas is newly supplied, so that the pressure inside the vibration damping table needs to be constant. In addition to the advantages that can be maintained continuously, there is an advantage to save the amount of He gas supplied to a minimum.
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| KR1020030042727A KR20050001156A (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Wafer measuring equipment used to manufacture semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=37217005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030042727A KR20050001156A (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Wafer measuring equipment used to manufacture semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050001156A (en) |
-
2003
- 2003-06-27 KR KR1020030042727A patent/KR20050001156A/en not_active Application Discontinuation
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