KR200496544Y1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR200496544Y1
KR200496544Y1 KR2020170004385U KR20170004385U KR200496544Y1 KR 200496544 Y1 KR200496544 Y1 KR 200496544Y1 KR 2020170004385 U KR2020170004385 U KR 2020170004385U KR 20170004385 U KR20170004385 U KR 20170004385U KR 200496544 Y1 KR200496544 Y1 KR 200496544Y1
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준야 미나미다
케이스케 하마모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 처리 유닛을 적층하면서도 장치의 높이를 억제하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 처리부와, 처리 유체 공급 라인과, 프레임 구조체를 구비한다. 복수의 처리부는, 수평 방향으로 나란히 배치되며, 처리 유체를 이용하여 기판을 처리한다. 처리 유체 공급 라인은, 복수의 처리부의 하방에 수평으로 배치된 수평 배관, 및 수평 배관으로부터 분기되어 처리부의 각각에 접속되는 분기관을 갖는다. 프레임 구조체는, 복수의 기둥부 및 복수의 빔(beam)부를 갖고, 기둥부 및 빔부에 의해 형성되는 수용 공간에 복수의 처리부 및 처리 유체 공급 라인을 수용한다. 또한, 빔부는, 복수의 처리부의 배열 방향과 평행하게 배치된 제1 빔부 및 제2 빔부를 포함한다. 또한, 수평 배관은, 제1 빔부 및 제2 빔부 사이이며, 제1 빔부의 상면과 하면 사이에 배치되고, 또한 복수의 처리부에 걸쳐 배치된다.
An object of the present invention is to suppress the height of an apparatus while stacking processing units.
A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a plurality of processing units, a processing fluid supply line, and a frame structure. The plurality of processing units are disposed side by side in a horizontal direction and process the substrate using a processing fluid. The processing fluid supply line has a horizontal pipe disposed horizontally below the plurality of processing units, and a branch pipe branched from the horizontal pipe and connected to each of the processing units. The frame structure has a plurality of pillar parts and a plurality of beam parts, and accommodates a plurality of processing parts and processing fluid supply lines in accommodation spaces formed by the pillar parts and the beam parts. In addition, the beam unit includes a first beam unit and a second beam unit disposed in parallel with the arrangement direction of the plurality of processing units. Moreover, the horizontal pipe is between the 1st beam part and the 2nd beam part, arrange|positioned between the upper surface and lower surface of the 1st beam part, and also arrange|positioned across a some processing part.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

개시하는 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The disclosed embodiment relates to a substrate processing apparatus.

종래, 프레임 내에서 수평 방향으로 나란히 배치되며, 처리액을 이용하여 각각 기판을 처리하는 복수의 처리 유닛과, 처리 유닛에 처리액을 공급하는 공급부를 구비한 기판 처리 장치가 알려져 있다.Conventionally, a substrate processing apparatus is known that is disposed side by side in a frame in a horizontal direction and includes a plurality of processing units each processing a substrate using a processing liquid, and a supply unit supplying a processing liquid to the processing units.

이러한 기판 처리 장치에 있어서는, 처리액의 급액용 주배관이, 처리 유닛의 배열 방향을 따라 수평으로, 처리 유닛을 수용하는 프레임 위를 통과하고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).In such a substrate processing apparatus, a main pipe for supplying a processing liquid passes horizontally along the arrangement direction of the processing units over a frame accommodating the processing units (see Patent Document 1, for example).

한편, 특허문헌 1에 개시된 장치에서는, 장치의 풋프린트가 증가하는 것을 억제하면서 보다 높은 스루풋을 얻기 위해서, 처리 유닛을 다단으로 적층한 레이아웃을 채용하고 있다.On the other hand, in the apparatus disclosed in Patent Literature 1, a layout in which processing units are stacked in multiple stages is employed in order to obtain a higher throughput while suppressing an increase in the footprint of the apparatus.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2012-142404호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-142404

그러나, 전술한 종래 기술에는, 처리 유닛을 적층하면서도 장치의 높이를 억제한다고 하는 점에서 한층 더 개선의 여지가 있다.However, the prior art described above has room for further improvement in that the height of the device is suppressed while processing units are stacked.

구체적으로는, 전술한 바와 같이 처리 유닛을 적층하는 것은, 스페이스 절약화를 도모하면서 스루풋을 향상시키는 데에 있어서 유효하긴 하지만, 적층수를 늘리면 장치의 높이는 증가해 버린다. 또한, 장치의 설치 장소나, 장치의 반송 수단에 있어서의 형편으로부터, 장치의 높이에 제약이 가해지는 경우가 있다. 이 때문에, 처리 유닛을 적층하면서도 장치의 높이는 가능한 한 억제하고 싶다고 하는 요구가 있다.Specifically, stacking processing units as described above is effective in improving throughput while saving space, but increasing the number of stacking units increases the height of the device. In addition, there are cases where restrictions are placed on the height of the device due to the installation location of the device or the transport means of the device. For this reason, there is a demand to suppress the height of the apparatus as much as possible while stacking the processing units.

실시형태의 일 양태는, 처리 유닛을 적층하면서도 장치의 높이를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.One aspect of the embodiments aims to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the height of the apparatus while stacking processing units.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 복수의 처리부와, 처리 유체 공급 라인과, 프레임 구조체를 구비한다. 복수의 처리부는, 수평 방향으로 나란히 배치되며, 처리 유체를 이용하여 기판을 처리한다. 처리 유체 공급 라인은, 복수의 처리부의 하방에 수평으로 배치된 수평 배관, 및 수평 배관으로부터 분기되어 처리부의 각각에 접속되는 분기관을 갖는다. 프레임 구조체는, 복수의 기둥부 및 복수의 빔(beam)부를 갖고, 기둥부 및 빔부에 의해 형성되는 수용 공간에 복수의 처리부 및 처리 유체 공급 라인을 수용한다. 또한, 빔부는, 복수의 처리부의 배열 방향과 평행하게 배치된 제1 빔부 및 제2 빔부를 포함한다. 또한, 수평 배관은, 제1 빔부 및 제2 빔부 사이이며, 제1 빔부의 상면과 하면 사이에 배치되고, 또한 복수의 처리부에 걸쳐 배치된다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the embodiment includes a plurality of processing units, a processing fluid supply line, and a frame structure. The plurality of processing units are disposed side by side in a horizontal direction and process the substrate using a processing fluid. The processing fluid supply line has a horizontal pipe disposed horizontally below the plurality of processing units, and a branch pipe branched from the horizontal pipe and connected to each of the processing units. The frame structure has a plurality of pillar parts and a plurality of beam parts, and accommodates a plurality of processing parts and processing fluid supply lines in accommodation spaces formed by the pillar parts and the beam parts. In addition, the beam unit includes a first beam unit and a second beam unit disposed in parallel with the arrangement direction of the plurality of processing units. Moreover, the horizontal pipe is between the 1st beam part and the 2nd beam part, arrange|positioned between the upper surface and lower surface of the 1st beam part, and also arrange|positioned across a some processing part.

실시형태의 일 양태에 의하면, 처리 유닛을 적층하면서도 장치의 높이를 억제할 수 있다.According to one aspect of the embodiment, the height of the device can be suppressed while processing units are stacked.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 기판 처리 시스템이 구비하는 처리액 공급계의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 처리 유닛의 배기 경로를 도시한 도면이다.
도 5a는 프레임 구조체의 개략 구성을 도시한 도면(그 1)이다.
도 5b는 프레임 구조체의 개략 구성을 도시한 도면(그 2)이다.
도 5c는 프레임 구조체의 개략 구성을 도시한 도면(그 3)이다.
도 5d는 프레임 구조체의 개략 구성을 도시한 도면(그 4)이다.
도 6a는 처리 스테이션의 모식 정면도이다.
도 6b는 처리 스테이션의 모식 평면도이다.
도 6c는 처리 유닛의 모식 정면도이다.
도 6d는 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 7a는 처리 유체의 공급 라인을 도시한 처리 스테이션의 모식 정면도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 A-A'선 대략 단면도이다.
도 7c는 도 7b에 도시된 M2부의 확대도이다.
도 7d는 제2 배기관과 케이스의 접속부를 도시한 모식 사시도이다.
도 7e는 도 7b에 도시된 B-B'선 대략 단면도이다.
도 7f는 도 7e에 도시된 M3부의 확대도이다.
도 7g는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로를 도시한 처리 스테이션의 모식 정면도이다.
도 8은 배기 전환 유닛의 구성을 도시한 도면이다.
도 9는 기판 처리 시스템에 있어서 실행되는 기판 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.
1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment.
2 is a diagram showing a schematic configuration of a processing unit.
3 is a diagram showing a schematic configuration of a processing liquid supply system included in the substrate processing system.
4 is a diagram showing an exhaust path of a processing unit.
5A is a diagram (part 1) showing a schematic configuration of a frame structure.
Fig. 5B is a diagram (part 2) showing a schematic configuration of a frame structure.
5C is a diagram (part 3) showing a schematic configuration of a frame structure.
Fig. 5D is a diagram (Fig. 4) showing a schematic configuration of a frame structure.
6A is a schematic front view of a processing station.
6B is a schematic plan view of a processing station.
6C is a schematic front view of the processing unit.
6D is a schematic plan view of a processing unit.
7A is a schematic front view of a processing station showing supply lines for processing fluids.
FIG. 7B is a cross-sectional view along the line A-A′ shown in FIG. 7A.
FIG. 7c is an enlarged view of the M2 portion shown in FIG. 7b.
7D is a schematic perspective view showing a connection between a second exhaust pipe and a case.
FIG. 7E is a schematic cross-sectional view along line BB′ shown in FIG. 7B.
7F is an enlarged view of the M3 unit shown in FIG. 7E.
7G is a schematic front view of the processing station showing an exhaust path for evacuating the atmosphere around the supply line of the processing fluid.
8 is a diagram showing the configuration of an exhaust switching unit.
9 is a flowchart showing an example of a processing sequence of substrate processing performed in the substrate processing system.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of a substrate processing apparatus disclosed herein will be described in detail. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive Z-axis direction is taken as the vertically upward direction.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.As shown in FIG. 1 , the substrate processing system 1 includes a carry-in/out station 2 and a processing station 3 . The carry-in/out station 2 and the processing station 3 are installed adjacently.

반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 장의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.The carry-in/out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12 . In the carrier mounting unit 11, a plurality of carriers C for holding a plurality of substrates, semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers W) in a horizontal state are disposed in the present embodiment.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transport unit 12 is installed adjacent to the carrier mounting unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 therein. The substrate transport device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transport device 13 is capable of movement in the horizontal and vertical directions and rotation about a vertical axis, and the wafer W is moved between the carrier C and the delivery unit 14 by using a wafer holding mechanism. ) is conveyed.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.The processing station 3 is installed adjacent to the transport unit 12 . The processing station 3 includes a conveying unit 15 and a plurality of processing units 16 . A plurality of processing units 16 are installed side by side on both sides of the transport unit 15 .

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 therein. The substrate transport device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate conveying device 17 is capable of movement in horizontal and vertical directions and turning about a vertical axis, and a wafer ( W) is conveyed.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대해 소정의 기판 처리를 행한다.The processing unit 16 performs a predetermined substrate process on the wafer W transported by the substrate transport device 17 .

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.In addition, the substrate processing system 1 includes a control device 4 . The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores programs for controlling various processes executed in the substrate processing system 1 . The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading out and executing a program stored in the storage unit 19 .

한편, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.On the other hand, these programs may have been recorded in a computer-readable storage medium, and may have been installed into the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the carry-in/out station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed in the carrier mounting unit 11. Then, the taken out wafer W is placed on the delivery unit 14 . The wafer W placed in the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16 .

처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.After the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, it is unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed in the delivery unit 14. . Then, the processed wafers W disposed in the transfer unit 14 are returned to the carrier C of the carrier placing unit 11 by the substrate transfer device 13 .

다음으로, 처리 유닛(16)의 구성에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 개략 구성을 도시한 도면이다.Next, the configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. 2 . FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16. As shown in FIG.

도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 16 includes a chamber 20 , a substrate holding mechanism 30 , a processing fluid supply unit 40 , and a recovery cup 50 .

챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 설치된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.The chamber 20 accommodates a substrate holding mechanism 30 , a processing fluid supply unit 40 , and a recovery cup 50 . A fan filter unit (FFU) 21 is installed on the ceiling of the chamber 20 . The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20 .

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 주위로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31 , a support portion 32 , and a driving portion 33 . The holding part 31 holds the wafer W horizontally. The support portion 32 is a member extending in the vertical direction, and the proximal end is rotatably supported by the driving portion 33 and horizontally supports the holding portion 31 at the distal end. The drive unit 33 rotates the support unit 32 around a vertical axis. Such a substrate holding mechanism 30 rotates the holding portion 31 supported by the holding portion 32 by rotating the holding portion 32 using the driving portion 33, thereby rotating the holding portion 31. The held wafer W is rotated.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대해 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.The processing fluid supply unit 40 supplies a processing fluid to the wafer (W). The processing fluid supply unit 40 is connected to the processing fluid supply source 70 .

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되며, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(排液口; 51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.The recovery cup 50 is disposed to surround the holding portion 31 and collects the processing liquid scattered from the wafer W by rotation of the holding portion 31 . A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged from the drain port 51 to the processing unit 16. discharged to the outside In addition, an exhaust port 52 is formed at the bottom of the recovery cup 50 to discharge the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 .

다음으로, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 처리액 공급계의 개략 구성에 대해 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 처리액 공급계의 개략 구성을 도시한 도면이다.Next, a schematic configuration of the processing liquid supply system included in the substrate processing system 1 will be described with reference to FIG. 3 . FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a processing liquid supply system included in the substrate processing system 1 .

도 3에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 처리액 공급계는, 복수의 처리 유닛(16)에 처리액을 공급하는 처리 유체 공급원(70)을 갖고 있다.As shown in FIG. 3 , the processing liquid supply system included in the substrate processing system 1 includes a processing fluid supply source 70 that supplies processing liquid to the plurality of processing units 16 .

처리 유체 공급원(70)은, 처리액을 저류하는 탱크(102)와, 탱크(102)로부터 나와 탱크(102)로 복귀하는 순환 라인(104)을 갖고 있다. 순환 라인(104)에는 펌프(106)가 설치되어 있다. 펌프(106)는, 탱크(102)로부터 나와 순환 라인(104)을 통과하여 탱크(102)로 복귀하는 순환류를 형성한다. 펌프(106)의 하류측에 있어서 순환 라인(104)에는, 처리액에 포함되는 파티클 등의 오염 물질을 제거하는 필터(108)가 설치되어 있다. 필요에 따라, 순환 라인(104)에 보조 기계류(예컨대 히터 등)를 더 설치해도 좋다.The processing fluid supply source 70 has a tank 102 storing the processing liquid, and a circulation line 104 coming out of the tank 102 and returning to the tank 102 . A pump 106 is installed in the circulation line 104 . The pump 106 forms a circulating flow that comes out of the tank 102 and returns to the tank 102 through a circulation line 104 . On the downstream side of the pump 106, a filter 108 for removing contaminants such as particles contained in the treatment liquid is installed in the circulation line 104. If necessary, auxiliary machinery (for example, a heater) may be further installed in the circulation line 104 .

순환 라인(104)에 설정된 접속 영역(110)에, 하나 또는 복수의 분기 라인(112)이 접속되어 있다. 각 분기 라인(112)은, 순환 라인(104)을 흐르는 처리액을 대응하는 처리 유닛(16)에 공급한다. 각 분기 라인(112)에는, 필요에 따라, 유량 제어 밸브 등의 유량 조정 기구, 필터 등을 설치할 수 있다.One or a plurality of branch lines 112 are connected to the connection area 110 set in the circulation line 104 . Each branch line 112 supplies the processing liquid flowing through the circulation line 104 to the corresponding processing unit 16 . In each branch line 112, a flow rate adjusting mechanism such as a flow control valve, a filter, and the like can be provided as needed.

기판 처리 시스템(1)은, 탱크(102)에, 처리액 또는 처리액 구성 성분을 보충하는 탱크액 보충부(116)를 갖고 있다. 탱크(102)에는, 탱크(102) 내의 처리액을 폐기하기 위한 드레인부(118)가 설치되어 있다.The substrate processing system 1 has a tank liquid refilling unit 116 for replenishing a processing liquid or a constituent component of the processing liquid in the tank 102 . The tank 102 is provided with a drain unit 118 for disposing of the treatment liquid in the tank 102 .

다음으로, 처리 유닛(16)의 배기 경로에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 처리 유닛(16)의 배기 경로를 도시한 도면이다. 한편, 도 4에서는, 처리 유닛(16)의 배기 경로를 설명하기 위해서 필요한 구성 요소를 주로 나타내고 있고, 일반적인 구성 요소에 대한 기재를 적절히 생략하고 있다.Next, the exhaust path of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. 4 . FIG. 4 is a diagram showing an exhaust path of the processing unit 16 . On the other hand, in FIG. 4, components necessary for explaining the exhaust path of the processing unit 16 are mainly shown, and descriptions of general components are appropriately omitted.

먼저, 본 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성에 대해 설명한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)이 구비하는 처리 유체 공급부(40)는, 노즐(41)과, 이 노즐(41)에 일단이 접속되는 배관(42)을 구비한다. 배관(42)의 타단은 복수로 분기되어 있고, 분기된 각 단부에는, 각각 알칼리계 처리액 공급원(71), 산계 처리액 공급원(72), 유기계 처리액 공급원(73) 및 DIW 공급원(74)이 접속된다. 또한, 각 공급원(71~74)과 노즐(41) 사이에는, 밸브(75~78)가 설치된다.First, the configuration of the processing unit 16 according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 4 , the processing fluid supply unit 40 included in the processing unit 16 includes a nozzle 41 and a pipe 42 having one end connected to the nozzle 41 . The other end of the pipe 42 is branched in plurality, and at each branched end, an alkali-based treatment liquid supply source 71, an acid-based treatment liquid supply source 72, an organic treatment liquid supply source 73, and a DIW supply source 74 is connected In addition, between the respective supply sources 71 to 74 and the nozzle 41, valves 75 to 78 are provided.

이러한 처리 유체 공급부(40)는, 각 공급원(71~74)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(순수)를 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 표면(피처리면)에 대해 공급한다.The processing fluid supply unit 40 supplies the alkali-based treatment liquid, acid-based treatment liquid, organic-based treatment liquid, and DIW (pure water) supplied from the respective supply sources 71 to 74 to the surface (feature) of the wafer W from the nozzle 41. surface) is supplied.

본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액으로서 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액), 산계 처리액으로서 HF(플루오르화수소산), 유기계 처리액으로서 IPA(이소프로필알코올)가 이용되는 것으로 한다. 한편, 산계 처리액, 알칼리계 처리액 및 유기계 처리액은, 이들에 한정되지 않는다.In this embodiment, it is assumed that SC1 (mixture of ammonia, hydrogen peroxide and water) is used as the alkaline treatment liquid, HF (hydrofluoric acid) is used as the acid treatment liquid, and IPA (isopropyl alcohol) is used as the organic treatment liquid. On the other hand, the acid-based treatment liquid, the alkali-based treatment liquid, and the organic-based treatment liquid are not limited to these.

또한, 본 실시형태에서는, 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW가 하나의 노즐(41)로부터 공급되는 것으로 하지만, 처리 유체 공급부(40)는, 각 처리액에 대응하는 복수의 노즐을 구비하고 있어도 좋다.In the present embodiment, the alkaline treatment liquid, the acid treatment liquid, the organic treatment liquid, and the DIW are supplied from one nozzle 41, but the treatment fluid supply unit 40 provides a plurality of treatment liquids corresponding to each treatment liquid. A nozzle may be provided.

여기서, SC1 사용 시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 알칼리계 배기와, HF 사용 시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 산계 배기와, IPA 사용 시에 처리 유닛(16)으로부터 배출되는 유기계 배기는, 예컨대 배기관의 오염 방지 등의 면에서 개별적으로 배출하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 알칼리계 배기, 산계 배기 및 유기계 배기마다 배기 경로가 형성된다.Here, the alkaline exhaust discharged from the processing unit 16 when SC1 is used, the acid exhaust discharged from the processing unit 16 when HF is used, and the organic exhaust exhausted from the processing unit 16 when IPA is used are , it is preferable to discharge them individually from the standpoint of, for example, contamination prevention of the exhaust pipe. For this reason, in the substrate processing system 1 according to the present embodiment, an exhaust path is formed for each of the alkaline exhaust, the acid exhaust, and the organic exhaust.

이러한 배기 경로의 구성에 대해 설명한다. 기판 처리 시스템(1)의 처리 스테이션(3)은, 처리 유닛(16)의 배기 경로로서, 주배기관(120)과, 제1 배기관(200)과, 배기 전환 유닛(300)을 구비한다.The configuration of such an exhaust path will be described. The processing station 3 of the substrate processing system 1 includes a main exhaust pipe 120 , a first exhaust pipe 200 , and an exhaust switching unit 300 as an exhaust path of the processing unit 16 .

주배기관(120)은, 복수의 개별 배기관(121~123)을 구비한다. 개별 배기관(121)은, 알칼리계 배기가 흐르는 배기관이고, 개별 배기관(122)은, 산계 배기가 흐르는 배기관이며, 개별 배기관(123)은, 유기계 배기가 흐르는 배기관이다. 이들 개별 배기관(121~123)에는, 배기 기구(151~153)가 각각 설치된다. 배기 기구(151~153)로서는, 펌프 등의 흡기 장치를 이용할 수 있다.The main exhaust pipe 120 includes a plurality of individual exhaust pipes 121 to 123 . The individual exhaust pipe 121 is an exhaust pipe through which alkaline exhaust gas flows, the individual exhaust pipe 122 is an exhaust pipe through which acid exhaust gas flows, and the individual exhaust pipe 123 is an exhaust pipe through which organic exhaust gas flows. Exhaust mechanisms 151 to 153 are respectively provided in these individual exhaust pipes 121 to 123 . As the exhaust mechanisms 151 to 153, an intake device such as a pump can be used.

본 실시형태에 따른 개별 배기관(121~123)은, 적어도 일부가 처리 유닛(16)보다 상방에 배치된다. 개별 배기관(121~123)의 구체적인 배치에 대해서는 후술한다.At least a part of the individual exhaust pipes 121 to 123 according to the present embodiment is disposed above the processing unit 16 . A specific arrangement of the individual exhaust pipes 121 to 123 will be described later.

제1 배기관(200)은, 처리 유닛(16)으로부터의 배기를 주배기관(120)으로 유도하는 배관이다. 이러한 제1 배기관(200)은, 처리 유닛(16)의 배기구(52)에 일단측이 접속되고, 타단이, 후술하는 배기 전환 유닛(300)을 통해, 주배기관(120)의 처리 유닛(16)보다 상방에 배치되는 부분에 접속된다.The first exhaust pipe 200 is a pipe that guides exhaust from the processing unit 16 to the main exhaust pipe 120 . One end side of this first exhaust pipe 200 is connected to the exhaust port 52 of the processing unit 16, and the other end is connected to the processing unit 16 of the main exhaust pipe 120 via an exhaust switching unit 300 described later. ) is connected to the part arranged above.

제1 배기관(200)은, 처리 유닛(16)의 배기구(52)로부터 수평으로 연장되는 수평부(201)와, 수평부(201)의 하류측에 설치되고, 상방을 향해 연직으로 연장되는 상승부(202)를 구비한다. 또한, 상승부(202)의 맨 아래 위치에는, 제1 배기관(200) 내의 액체를 외부로 배출하는 드레인부(250)가 설치된다.The first exhaust pipe 200 includes a horizontal portion 201 extending horizontally from the exhaust port 52 of the processing unit 16, and a rising portion installed downstream of the horizontal portion 201 and vertically extending upward. A section 202 is provided. In addition, a drain unit 250 for discharging the liquid in the first exhaust pipe 200 to the outside is installed at the bottom of the riser 202 .

배기 전환 유닛(300)은, 제1 배기관(200)의 상승부(202)에 접속되고, 처리 유닛(16)으로부터의 배기의 유출처를 개별 배기관(121~123) 중 어느 하나로 전환한다. 주배기관(120)과 마찬가지로, 이러한 배기 전환 유닛(300)도 처리 유닛(16)보다 상방에 배치된다.The exhaust switching unit 300 is connected to the elevated portion 202 of the first exhaust pipe 200 and switches the outflow destination of the exhaust from the processing unit 16 to one of the individual exhaust pipes 121 to 123 . Like the main exhaust engine 120, this exhaust switching unit 300 is also disposed above the processing unit 16.

처리 유닛(16)의 배기 경로는 상기한 바와 같이 구성되어 있고, 처리 유닛(16)으로부터의 배기는, 제1 배기관(200) 및 배기 전환 유닛(300)을 통해 개별 배기관(121~123) 중 어느 하나로 유출된다.The exhaust path of the processing unit 16 is configured as described above, and the exhaust from the processing unit 16 passes through the first exhaust pipe 200 and the exhaust switching unit 300 to one of the individual exhaust pipes 121 to 123. leaked into one

여기서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 전술한 바와 같이, 주배기관(120)의 적어도 일부와 배기 전환 유닛(300)이 처리 유닛(16)보다 상방에 배치되고, 제1 배기관(200)의 타단측이, 배기 전환 유닛(300)을 통해, 주배기관(120)의 처리 유닛(16)보다 상방에 배치되는 부분에 접속된다. 이에 의해, 처리 유닛(16)으로부터의 배기는, 제1 배기관(200)의 상승부(202)를 상승한 후, 배기 전환 유닛(300)으로부터 주배기관(120)으로 유출되게 된다.Here, in the substrate processing system 1 according to the present embodiment, as described above, at least a part of the main exhaust pipe 120 and the exhaust switching unit 300 are disposed above the processing unit 16, and the first exhaust pipe The other end side of 200 is connected via the exhaust switching unit 300 to a portion disposed above the processing unit 16 of the main exhaust engine 120 . As a result, the exhaust from the processing unit 16 flows out of the exhaust switching unit 300 to the main exhaust pipe 120 after the elevated portion 202 of the first exhaust pipe 200 is raised.

또한, 여기서는 도시하고 있지 않으나, 본 실시형태에서는, 각 공급원(71~74)이나 밸브(75~78) 등, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로를 더 형성하는 것으로 하였다. 이러한 배기 경로는, 후술하는 제2 배기관(500)이나 제3 배기관(600)(뒤에 도시된 도 7g 등 참조)을 이용하여 형성되고, 주배기관(120)을 이용하여 배기되도록 배기 전환 유닛(300)에 접속된다. 이에 의해, 처리 유체의 공급 라인 주위에 있어서의 처리 유체의 누설 등에 대비한 배기를 행할 수 있다.In addition, although not shown here, in this embodiment, an exhaust passage for exhausting the atmosphere around the supply line of the processing fluid, such as each of the supply sources 71 to 74 and the valves 75 to 78, is further provided. This exhaust path is formed using the second exhaust pipe 500 or the third exhaust pipe 600 (see FIG. 7G, etc. shown later), and the exhaust switching unit 300 is exhausted using the main exhaust pipe 120. ) is connected to Accordingly, it is possible to perform exhaustion in preparation for leakage of the processing fluid around the processing fluid supply line.

이하, 전술한 주배기관(120), 제1 배기관(200) 및 배기 전환 유닛(300)의 배치를 포함한 처리 스테이션(3)의 보다 구체적인 구성에 대해, 도 5a 이후를 참조하여 순차 설명한다.Hereinafter, a more specific configuration of the processing station 3 including the arrangement of the above-described main exhaust pipe 120, first exhaust pipe 200, and exhaust switching unit 300 will be sequentially described with reference to FIG. 5A and later.

먼저, 처리 스테이션(3)은, 복수의 기둥부(401)와 복수의 빔부(402)를 갖는 프레임 구조체(400)를 구비하고 있고, 기둥부(401)와 빔부(402)에 의해 형성되는 수용 공간에, 복수의 처리 유닛(16)이 수용된다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)(도 1 참조)의 연장 방향, 즉 X축 방향을 따라 병렬로 배치되고, 또한 다단으로 적층된다.First, the processing station 3 has a frame structure 400 having a plurality of pillar parts 401 and a plurality of beam parts 402, and a housing formed by the pillar parts 401 and the beam parts 402. In the space, a plurality of processing units 16 are accommodated. The plurality of processing units 16 are arranged in parallel along the extension direction of the transport unit 15 (see FIG. 1 ), that is, along the X-axis direction, and are stacked in multiple stages.

여기서, 본 실시형태에 따른 프레임 구조체(400)의 개략 구성에 대해 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 설명해 둔다. 도 5a 내지 도 5d는 프레임 구조체(400)의 개략 구성을 도시한 도면(그 1)~(그 4)이다.Here, a schematic configuration of the frame structure 400 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5A to 5D. 5A to 5D are diagrams (Nos. 1) to (Nos. 4) showing a schematic configuration of the frame structure 400. As shown in FIG.

한편, 도 5a는 프레임 구조체(400)의 모식 사시도이고, 도 5b는 대향하는 1세트의 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)를 YZ 평면으로 절단한 경우의 단면도이며, 도 5c는 대향하는 제1 기둥부(401-1)의 세트 및 제2 기둥부(401-2)의 세트를 XY 평면으로 절단한 경우의 단면도이고, 도 5d는 도 5c에 도시된 M1부의 확대도로 되어 있다.On the other hand, FIG. 5A is a schematic perspective view of the frame structure 400, and FIG. 5B is a cross-sectional view when one set of opposing first beam portions 402-1 and second beam portions 402-2 are cut along the YZ plane. 5C is a cross-sectional view of a set of opposing first pillar parts 401-1 and a set of second pillar parts 401-2 cut along the XY plane, and FIG. 5D is a cross-sectional view of the M1 part shown in FIG. 5C. is enlarged.

도 5a에 도시된 바와 같이, 프레임 구조체(400)의 기둥부(401)는, X축 부방향측의 단부에 수직으로 설치되는 제1 기둥부(401-1)와, X축 정방향측의 단부에 수직으로 설치되는 제2 기둥부(401-2)를 적어도 포함한다.As shown in FIG. 5A, the pillar portion 401 of the frame structure 400 includes a first pillar portion 401-1 installed vertically at the end portion on the negative X-axis direction side, and an end portion on the positive X-axis direction side. It includes at least a second pillar part 401-2 installed vertically on the .

또한, 프레임 구조체(400)의 빔부(402)는, 처리 유닛(16)의 배열 방향, 즉 X축 방향을 따라 수평이며 또한 다단으로 설치되고, 처리 유닛(16)의 Y축 부방향측에 배치되는 제1 빔부(402-1)와, 이러한 제1 빔부(402-1)와 평행하게, 처리 유닛(16)의 Y축 정방향측에 배치되는 제2 빔부(402-2)를 포함한다.In addition, the beam part 402 of the frame structure 400 is installed horizontally and in multiple stages along the arrangement direction of the processing unit 16, that is, along the X-axis direction, and is disposed on the side of the processing unit 16 in the negative Y-axis direction. It includes a first beam part 402-1 that is, and a second beam part 402-2 disposed on the Y-axis positive direction side of the processing unit 16 in parallel with the first beam part 402-1.

한편, 기둥부(401) 또는 빔부(402)에는, 각파이프나 프로파일재와 같은 각재(角材)를 이용하는 것이 바람직하다. 각재를 이용함으로써, 각각의 대향면 사이 등에, 부재(예컨대 배관 등)의 수납 가능 영역을 형성하기 쉽게 할 수 있다.On the other hand, it is preferable to use a square material such as a square pipe or a profile material for the pillar part 401 or the beam part 402. By using the rectangular material, it is possible to easily form an area where members (eg, pipes) can be accommodated between the opposing surfaces or the like.

그리고, 도 5a에 도시된 바와 같이, 프레임 구조체(400)는 기본적으로, 제1 기둥부(401-1), 제2 기둥부(401-2) 및 복수의 제1 빔부(402-1)로 이루어지는 구조체와, 제1 기둥부(401-1), 제2 기둥부(401-2) 및 복수의 제2 빔부(402-2)로 이루어지는 구조체가 조합되어, 수용 공간이 형성된다.And, as shown in FIG. 5A, the frame structure 400 is basically composed of a first pillar part 401-1, a second pillar part 401-2, and a plurality of first beam parts 402-1. An accommodation space is formed by combining a structure composed of a first pillar portion 401-1, a second pillar portion 401-2, and a plurality of second beam portions 402-2.

단, 본 실시형태에서는, 도 5a 중에 이점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 프레임 구조체(400)에 대해, 폭 방향에 걸친 빔을 최대한 설치하지 않는 구조로 하였다. 본 실시형태에서는, 대향하는 1세트의 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)는, 도 5b에 도시된 바와 같이, 각각의 하면이 판재(板材; 403)에 의해 연결된다.However, in the present embodiment, as indicated by the two-dot chain line in Fig. 5A, the frame structure 400 has a structure in which beams extending in the width direction are not provided as much as possible. In this embodiment, as shown in FIG. 5B, the opposing first beam part 402-1 and the second beam part 402-2 of one set are connected by a plate material 403 on each lower surface. do.

이에 의해, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 대향면 사이이며, 또한 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 높이(h)를 갖는 수용 가능 영역(R1)을, 도 5c에 도시된 바와 같이 배열 방향 전체에 걸쳐 형성할 수 있다.Thereby, as shown in FIG. 5B, between the opposing surfaces of the first beam part 402-1 and the second beam part 402-2, and also between the first beam part 402-1 and the second beam part 402-2. 2), the accommodating region R1 having a height h may be formed over the entire arrangement direction as shown in FIG. 5C.

또한, 전술한 바와 같이 판재(403)에 의해 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)가 연결됨으로써, 도 5d에 도시된 바와 같이, 예컨대 제2 기둥부(401-2)의 세트의 대향면 사이이며, 또한 제2 기둥부(401-2)의 폭(w)을 갖는 수용 가능 영역(R2)을, 제2 기둥부(401-2)의 연장 방향을 따라 형성할 수 있다.In addition, as described above, by connecting the first beam part 402-1 and the second beam part 402-2 by the plate material 403, as shown in FIG. 5D, for example, the second pillar part 401-2 ) is between the opposing surfaces of the set and has an accommodating region R2 having a width w of the second pillar part 401-2 along the extending direction of the second pillar part 401-2. can

본 실시형태에서는, 이들 수용 가능 영역(R1, R2)을 활용하면서, 처리 유닛(16)을 비롯한 처리 스테이션(3)의 각종 구성 요소를 프레임 구조체(400)의 수용 공간에 수용함으로써, 장치 전체의 스페이스 절약화를 도모하는 것으로 하였다. 그 구체예에 대해 이하, 순차 설명한다.In this embodiment, by accommodating various components of the processing station 3 including the processing unit 16 in the accommodation space of the frame structure 400 while utilizing these accommodating regions R1 and R2, It was set as aiming at space saving. The specific example will be sequentially described below.

도 6a는 처리 스테이션(3)의 모식 정면도이다. 또한, 도 6b는 그 모식 평면도이다. 한편, 여기서 말하는 정면도란, 처리 스테이션(3)을 메인터넌스 영역측으로부터 Y축 정방향으로 본 경우의 도면이고, 평면도란, 처리 스테이션(3)을 Z축 부방향으로 본 경우의 도면이다. 또한, 메인터넌스 영역측이란, 처리 스테이션(3)의 외측으로부터 처리 유닛(16)의 배열을 향하는 측이다.6A is a schematic front view of the processing station 3 . 6B is a schematic plan view thereof. Meanwhile, the front view here is a view when the processing station 3 is viewed in the positive Y-axis direction from the maintenance area side, and the plan view is a view when the processing station 3 is viewed in the negative Z-axis direction. Note that the maintenance area side is the side facing the arrangement of the processing units 16 from the outside of the processing station 3 .

도 6a에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에서는, 처리 유닛(16)은 예컨대 상하 2단으로 적층된다. 이하에서는, 상하 2단으로 적층되는 처리 유닛(16) 중, 상단에 배치되는 처리 유닛(16)을 「처리 유닛(16U)」이라고 기재하고, 하단에 배치되는 처리 유닛(16)을 「처리 유닛(16L)」이라고 기재하는 경우가 있다.As shown in Fig. 6A, in this embodiment, the processing units 16 are stacked in, for example, two upper and lower layers. Hereinafter, among the processing units 16 stacked in two stages, the processing unit 16 disposed on the upper stage is referred to as a "processing unit 16U", and the processing unit 16 disposed on the lower stage is referred to as a "processing unit". (16L)” in some cases.

한편, 본 실시형태에서는, 처리 유닛(16)이 상하 2단으로 적층되는 경우의 예를 나타내지만, 처리 유닛(16)의 적층수는 2단에 한정되지 않는다. 또한, 본 실시형태에서는, 5대의 처리 유닛(16)이 병렬로 배치되는 경우의 예를 나타내지만, 병렬로 배치되는 처리 유닛(16)의 대수는 5대에 한정되지 않는다. On the other hand, in the present embodiment, an example is shown in which the processing units 16 are stacked in two upper and lower stages, but the number of processing units 16 stacked is not limited to two. In addition, in this embodiment, although the example in the case where five processing units 16 are arrange|positioned in parallel is shown, the number of processing units 16 arrange|positioned in parallel is not limited to five.

주배기관(120)이 갖는 개별 배기관(121~123)은, 도 6b에 도시된 바와 같이, 프레임 구조체(400)의 상부에 배치된다. 또한, 개별 배기관(121~123)의 상부에는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 각 처리 유닛(16)에 대응하는 복수의 배기 전환 유닛(300)이 배치된다. 또한, 이들 주배기관(120) 및 배기 전환 유닛(300)은, 케이스(301)에 수용되어, 프레임 구조체(400)로부터 구획된다. 한편, 케이스(301)는, 외기가 받아들여질 수 있도록, 외부 공간과는 연통(連通)되어 있다. Individual exhaust pipes 121 to 123 of the main exhaust pipe 120 are disposed above the frame structure 400, as shown in FIG. 6B. Further, above the individual exhaust pipes 121 to 123, as shown in FIG. 6A, a plurality of exhaust switching units 300 corresponding to each processing unit 16 are disposed. In addition, these main exhaust engine 120 and exhaust switching unit 300 are housed in case 301 and separated from frame structure 400 . On the other hand, the case 301 communicates with the outside space so that outside air can be taken in.

또한, 도 6a에 도시된 바와 같이, 주배기관(120)은, 최상단에 배치되는 처리 유닛(16U)보다 상방에 배치되고, 또한 상단측의 처리 유닛(16U) 및 하단측의 처리 유닛(16L)의 각각에 대응하는 제1 배기관(200U, 200L)이 배기 전환 유닛(300U, 300L)을 통해 접속된다.In addition, as shown in FIG. 6A, the main exhaust pipe 120 is disposed above the processing unit 16U disposed at the uppermost stage, and the processing unit 16U on the upper stage side and the processing unit 16L on the lower stage side are disposed. The first exhaust pipes 200U and 200L corresponding to each of are connected via exhaust switching units 300U and 300L.

이와 같이, 본 실시형태에서는, 상단측의 처리 유닛(16U)과, 하단측의 처리 유닛(16L)에서, 주배기관(120)을 공용하고 있다. 이 때문에, 상단측의 처리 유닛(16U)과 하단측의 처리 유닛(16L)에서, 각각 주배기관(120)을 설치한 경우와 비교하여, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용을 낮게 억제할 수 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 높이가 커지는 것을 억제하여, 스페이스 절약화를 도모할 수 있다.Thus, in this embodiment, the processing unit 16U on the upper stage side and the processing unit 16L on the lower stage side use the main exhaust pipe 120 in common. For this reason, compared with the case where the main exhaust pipe 120 is respectively provided in the upper processing unit 16U and the lower processing unit 16L, the manufacturing cost of the substrate processing system 1 can be kept low. there is. In addition, space saving can be achieved by suppressing the height of the processing station 3 from increasing.

한편, 도 6b에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반송부(15)보다 Y축 부방향측에 배치되는 처리 유닛(16)에 대응하는 주배기관(120)과, 반송부(15)보다 Y축 정방향측에 배치되는 처리 유닛(16)에 대응하는 주배기관(120)을 구비한다. 각 주배기관(120)은, 대응하는 처리 유닛(16)이 배치되는 영역의 상방에 각각 배치된다.On the other hand, as shown in FIG. 6B , the substrate processing system 1 includes a main exhaust pipe 120 corresponding to the processing unit 16 disposed on the negative Y-axis side of the transport unit 15, and a transport unit ( A main exhaust pipe 120 corresponding to the processing unit 16 arranged on the positive Y-axis side of 15) is provided. Each main exhaust pipe 120 is respectively disposed above the region where the corresponding processing unit 16 is disposed.

여기서, 복수의 제1 배기관(200) 중, 상단의 처리 유닛(16U)에 접속되는 제1 배기관(200U)과, 하단의 처리 유닛(16L)에 접속되는 제1 배기관(200L)은, 처리 유닛(16U, 16L)의 일부의 뒤쪽에 나란히 배치된다.Here, among the plurality of first exhaust pipes 200, the first exhaust pipe 200U connected to the upper processing unit 16U and the first exhaust pipe 200L connected to the lower processing unit 16L are the processing units. Arranged side by side on the back side of part of (16U, 16L).

예컨대 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 배기관(200U, 200L)은, 처리 유닛(16U, 16L)의 일부의 뒤쪽에, 반송부(15)에 가까운 쪽으로부터 순서대로, 제1 배기관(200L), 제1 배기관(200U)이 배치된다. 한편, 여기서 말하는 처리 유닛(16U, 16L)의 일부는, 후술하는 FFU(21)의 취입부(21a)(뒤에 도시된 도 6d 참조)에 상당한다.For example, as shown in FIGS. 6A and 6B , the first exhaust pipes 200U and 200L are disposed behind a part of the processing units 16U and 16L in order from the side closer to the transport section 15. (200L), the first exhaust pipe (200U) is disposed. On the other hand, part of the processing units 16U and 16L referred to here corresponds to the take-in part 21a of the FFU 21 described later (see Fig. 6D shown later).

또한, 복수의 배기 전환 유닛(300) 중, 상단의 처리 유닛(16U)에 대응하는 배기 전환 유닛(300U)과, 하단의 처리 유닛(16L)에 대응하는 배기 전환 유닛(300L)은, 처리 유닛(16)의 배열 방향을 따라 교대로 배치된다.Further, among the plurality of exhaust gas switching units 300, the exhaust switching unit 300U corresponding to the processing unit 16U at the upper stage and the exhaust switching unit 300L corresponding to the processing unit 16L at the lower stage are the processing units. (16) are alternately arranged along the arrangement direction.

그리고, 배기 전환 유닛(300U)과 배기 전환 유닛(300L)은, 동일한 구조를 갖고, 또한 서로 마주 보게 하여 배치된다. 구체적으로는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(3)을 Y축 정방향으로 본 경우에, 상단의 처리 유닛(16U)에 대응하는 배기 전환 유닛(300U)과, 하단의 처리 유닛(16L)에 대응하는 배기 전환 유닛(300L)은, 이들 처리 유닛(16U, 16L)에 접속되는 제1 배기관(200U, 200L)을 중심선(x)으로 하여 선대칭으로 배치된다.And the exhaust gas conversion unit 300U and the exhaust gas conversion unit 300L have the same structure and are disposed facing each other. Specifically, as shown in FIG. 6A , when the processing station 3 is viewed in the positive Y-axis direction, the exhaust switching unit 300U corresponding to the upper processing unit 16U and the lower processing unit 16L The exhaust switching units 300L corresponding to ) are arranged axisymmetrically with the first exhaust pipes 200U and 200L connected to these processing units 16U and 16L as the center line x.

이와 같이, 본 실시형태에서는, 상단의 처리 유닛(16U)에 접속되는 제1 배기관(200U)과, 하단의 처리 유닛(16L)에 접속되는 제1 배기관(200L)이, 처리 유닛(16U, 16L)의 일부의 뒤쪽에 나란히 배치된다. 또한, 상단의 처리 유닛(16U)에 대응하는 배기 전환 유닛(300U)과, 하단의 처리 유닛(16L)에 대응하는 배기 전환 유닛(300L)이, 이들 제1 배기관(200U, 200L)을 중심선(x)으로 하여 선대칭이 되도록 마주 보게 하여 배치된다.Thus, in this embodiment, the 1st exhaust pipe 200U connected to the processing unit 16U of the upper stage, and the 1st exhaust pipe 200L connected to the processing unit 16L of the lower stage are the processing units 16U and 16L ) are arranged side by side behind a part of Further, the exhaust switching unit 300U corresponding to the upper processing unit 16U and the exhaust switching unit 300L corresponding to the processing unit 16L on the lower stage are arranged along the center line ( x) is arranged facing each other so as to be line symmetrical.

이러한 배치로 함으로써, 상단과 하단에서, 제1 배기관(200U, 200L)이나 배기 전환 유닛(300U, 300L)을 공통화시키는 것이 용이해진다. 한편, 배기 전환 유닛(300U)과 배기 전환 유닛(300L)은, 반드시 마주 보게 하여 배치되지 않아도 좋다.By setting it as such an arrangement, it becomes easy to share the 1st exhaust pipe 200U, 200L and exhaust switching unit 300U, 300L at the upper end and lower end. On the other hand, the exhaust switching unit 300U and the exhaust switching unit 300L do not necessarily need to be disposed facing each other.

또한, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 처리 스테이션(3)은, 제2 배기관(500)을 구비한다. 제2 배기관(500)은, 전술한 바와 같이 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로 중, 수직 방향의 경로를 구성한다.Also, as shown in FIGS. 6A and 6B , the processing station 3 includes a second exhaust pipe 500 . As described above, the second exhaust pipe 500 constitutes a vertical path among exhaust paths for exhausting the atmosphere around the processing fluid supply line.

제2 배기관(500)은, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 전술한 수용 가능 영역(R2)(도 5d 참조)에 대응하는, 제1 기둥부(401-1)의 세트의 대향면 사이, 또는 제2 기둥부(401-2)의 세트의 대향면 사이에 배치된다. 이에 의해, 수용 가능 영역(R2)을 활용한 배기 경로의 형성을 행할 수 있고, 장치 전체의 스페이스 절약화에 이바지할 수 있다.As shown in FIGS. 6A and 6B , the second exhaust pipe 500 is the opposite surface of the set of first pillar portions 401-1, corresponding to the above-described accommodating region R2 (see FIG. 5D). or between the opposite surfaces of the set of second pillar portions 401-2. Thereby, it is possible to form an exhaust path utilizing the accommodating region R2, and it is possible to contribute to saving the space of the entire apparatus.

또한, 여기서는 도시하고 있지 않은 제3 배기관(600)은, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로 중, 수평 방향의 경로를 구성한다. 제3 배기관(600)은, 전술한 수용 가능 영역(R1)(도 5b 참조)에 대응하는, 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 대향면 사이에 배치된다. 이에 의해, 수용 가능 영역(R1)을 활용한 배기 경로의 형성을 행할 수 있고, 장치 전체의 스페이스 절약화에 이바지할 수 있다. 제2 배기관(500) 및 제3 배기관(600)의 상세한 내용에 대해서는, 도 7a 이후를 참조한 설명으로 후술한다.Also, the third exhaust pipe 600 (not shown) constitutes a horizontal path among exhaust paths for exhausting the atmosphere around the process fluid supply line. The third exhaust pipe 600 is disposed between the opposing surfaces of the first beam portion 402-1 and the second beam portion 402-2, corresponding to the above-described accommodating region R1 (see FIG. 5B). Thereby, it is possible to form an exhaust path utilizing the accommodating region R1, and it is possible to contribute to saving the space of the entire device. Details of the second exhaust pipe 500 and the third exhaust pipe 600 will be described later with reference to FIG. 7A and later.

한편, 제2 배기관(500) 및 제3 배기관(600)에 의해 형성되는 배기 경로의 배기구(501a)는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 배기 전환 유닛(300)을 수용하는 케이스(301)에 접속된다.On the other hand, the exhaust port 501a of the exhaust path formed by the second exhaust pipe 500 and the third exhaust pipe 600 is, as shown in FIG. 6A, in a case 301 accommodating the exhaust switching unit 300 connected

다음으로, 처리 유닛(16)의 보다 구체적인 구성에 대해, 도 6c 및 도 6d를 참조하여 설명한다. 도 6c는 처리 유닛(16)의 모식 정면도이다. 또한, 도 6d는 처리 유닛(16)의 모식 평면도이다.Next, a more specific configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIGS. 6C and 6D. 6C is a schematic front view of the processing unit 16. 6D is a schematic plan view of the processing unit 16.

도 6c에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, FFU(21)를 구비한다. FFU(21)는 취입부(21a)와, 급기부(21b)를 구비한다. 취입부(21a)는, 외기를 받아들이는 유닛이며, 챔버(20)의 측방에 배치되고, 적층되어 배치된 처리 유닛(16) 사이에서 챔버(20)의 동일 측면에 배치된다. 그리고, 취입부(21a)는, 도 6d에 도시된 바와 같이, 메인터넌스 영역측으로부터 외기를 받아들여 필터 등에 의해 외기를 청정 공기로 청정화하면서, 급기부(21b)에 보내준다. 한편, 도 6d에 도시된 바와 같이, 취입부(21a)는, 급기부(21b)에 대해, 반송부(15)측에 빈 스페이스가 형성되도록 배치된다.As shown in FIG. 6C , the processing unit 16 includes a chamber 20 and an FFU 21 . The FFU 21 includes an intake portion 21a and an air supply portion 21b. The intake unit 21a is a unit that receives outside air, is disposed on the side of the chamber 20, and is disposed on the same side of the chamber 20 between the processing units 16 arranged in a stacked manner. And, as shown in FIG. 6D, the intake part 21a receives outside air from the maintenance area side and supplies it to the air supply part 21b while purifying the outside air into clean air by a filter or the like. On the other hand, as shown in Fig. 6D, the intake section 21a is arranged so that an empty space is formed on the conveyance section 15 side with respect to the air supply section 21b.

급기부(21b)는, 도 6c 및 도 6d에 도시된 바와 같이, 챔버(20)의 상방에 배치되어 챔버(20)측이 개구되고, 측방에 있어서 취입부(21a)에 접속되어 이러한 취입부(21a)와 연통되도록 형성된다. 그리고, 급기부(21b)는, 취입부(21a)로부터 보내진 청정 공기에 의해, 챔버(20) 내에 다운플로우를 형성한다.As shown in Figs. 6C and 6D, the air supply part 21b is disposed above the chamber 20, the chamber 20 side is open, and is connected to the intake part 21a at the side, and is connected to the intake part 21a. It is formed to communicate with (21a). Then, the air supply unit 21b forms a downflow in the chamber 20 by the clean air sent from the intake unit 21a.

이와 같이, 복수의 처리 유닛(16)의 각각에, 개별의 외기의 취입부(21a)를 챔버(20)의 한쪽측의 측방에 형성함으로써, 처리 유닛(16)을 적층한 경우에 높이가 커지는 것을 억제할 수 있다. 즉, 보다 스페이스 절약화를 도모할 수 있다.In this way, each of the plurality of processing units 16 is provided with a separate air intake portion 21a on one side of the chamber 20, thereby increasing the height when the processing units 16 are stacked. can suppress it. That is, more space saving can be achieved.

또한, 이와 같이, 복수의 처리 유닛(16)의 각각에, 외기의 취입부(21a)를 형성함으로써, 처리 유닛(16)마다 다운플로우를 조정할 수 있다. 즉, 복수의 처리 유닛(16) 각각에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리 품질을 균등하게 유지하는 데 이바지할 수 있다.In addition, by providing the outside air intake section 21a in each of the plurality of processing units 16 in this way, the downflow can be adjusted for each processing unit 16 . That is, it can contribute to uniformly maintaining the processing quality of the wafer W in each of the plurality of processing units 16 .

또한, 전술한 제1 배기관(200U, 200L)은, 도 6c 및 도 6d에 도시된 바와 같이, 취입부(21a)의 배후이며, 또한 챔버(20)의 측방인, 전술한 빈 스페이스에 배치된다. 즉, 처리 유닛(16)의 측방이며, 취입부(21a)가 배치된 측면과는 상이한 위치에 설치되어 있는 반송부(15)에 대해, 이러한 반송부(15)에 가까운 측으로부터 순서대로, 제1 배기관(200L), 제1 배기관(200U), 취입부(21a)가 배치된다. 이와 같이, 제1 배기관(200U, 200L)은, 챔버(20)에 대해, 취입부(21a)와 동일 측면에 배치되고, 챔버(20)의 측면을 상하로 연장되어 있다. 이에 의해, 처리 유닛(16)에 개별적으로 취입부(21a)를 형성하면서도, 제1 배기관(200U, 200L)에 의해, 처리 유닛(16)의 점유 스페이스가 커지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 장치 전체의 스페이스 절약화에 이바지할 수 있다.In addition, the above-mentioned first exhaust pipe 200U, 200L is disposed in the above-described empty space behind the intake portion 21a and on the side of the chamber 20, as shown in FIGS. 6C and 6D. . That is, with respect to the transport unit 15 installed at a side of the processing unit 16 and at a position different from the side on which the take-in unit 21a is disposed, sequentially from the side close to the transport unit 15, the second 1 exhaust pipe 200L, 1st exhaust pipe 200U, and intake part 21a are arrange|positioned. In this way, the first exhaust pipes 200U and 200L are disposed on the same side surface of the chamber 20 as the intake portion 21a, and extend vertically along the side surface of the chamber 20. This makes it possible to prevent the space occupied by the processing unit 16 from being increased by the first exhaust pipes 200U and 200L, while individually forming the intake portions 21a in the processing unit 16 . That is, it can contribute to space saving of the entire apparatus.

또한, 도 6c에 도시된 바와 같이, 챔버(20)의 하부에는, 전장품 박스(22)가 배치된다. 전장품 박스(22)는, 전장품이 수용되는 용기이며, 예컨대 구동부(33)(도 2 참조) 등이 수용된다. 취입부(21a)의 하부에는, 가스 박스(23)가 배치된다. 가스 박스(23)는, 후술하는 저노점 가스의 공급 라인을 구성하는 부품이 수용되는 용기이다.Also, as shown in FIG. 6C , an electrical equipment box 22 is disposed below the chamber 20 . The electrical component box 22 is a container in which electrical components are accommodated, and, for example, the drive unit 33 (see Fig. 2) and the like are accommodated. A gas box 23 is disposed below the intake portion 21a. The gas box 23 is a container in which parts constituting a supply line of a low dew point gas described later are accommodated.

또한, 전장품 박스(22) 및 가스 박스(23)의 하부에는, 밸브 박스(24)가 배치된다. 밸브 박스(24)는, 처리 유체의 공급 라인을 구성하는 부품이 수용되는 용기이며, 예컨대 밸브(75~78)(도 4 참조) 등을 포함하는 통류(通流) 제어부, 필터, 유량계 등이 수용된다. 또한, 밸브 박스(24)의 하부에는, 전술한 제3 배기관(600)이 연통되도록 접속된다.In addition, a valve box 24 is disposed under the electrical component box 22 and the gas box 23 . The valve box 24 is a container in which parts constituting the supply line of the processing fluid are accommodated, and, for example, a through-flow control unit including valves 75 to 78 (see FIG. 4 ), a filter, a flow meter, and the like Accepted. In addition, the lower part of the valve box 24 is connected so that the third exhaust pipe 600 described above is in communication therewith.

다음으로, 이러한 제3 배기관(600) 및 전술한 제2 배기관(500)을 포함하는, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로의 구성에 대해, 도 7a 내지 도 7g를 참조하여 설명한다.Next, the configuration of an exhaust path for exhausting the atmosphere around the processing fluid supply line, including the third exhaust pipe 600 and the aforementioned second exhaust pipe 500, will be described with reference to FIGS. 7A to 7G. do.

도 7a는 처리 유체의 공급 라인을 도시한 처리 스테이션(3)의 모식 정면도이다. 도 7b는 도 7a에 도시된 A-A'선 대략 단면도이다. 도 7c는 도 7b에 도시된 M2부의 확대도이다. 도 7d는 제2 배기관(500)과 케이스(301)의 접속부를 도시한 모식 사시도이다.7A is a schematic front view of the processing station 3 showing the supply lines of the processing fluid. FIG. 7B is a cross-sectional view along the line A-A′ shown in FIG. 7A. FIG. 7c is an enlarged view of the M2 portion shown in FIG. 7b. 7D is a schematic perspective view showing a connection between the second exhaust pipe 500 and the case 301.

도 7e는 도 7b에 도시된 B-B'선 대략 단면도이다. 도 7f는 도 7e에 도시된 M3부의 확대도이다. 도 7g는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로를 도시한 처리 스테이션(3)의 모식 정면도이다.FIG. 7E is a schematic cross-sectional view along line BB′ shown in FIG. 7B. 7F is an enlarged view of the M3 unit shown in FIG. 7E. 7G is a schematic front view of the processing station 3 showing an exhaust path for exhausting the atmosphere around the supply line of the processing fluid.

먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 프레임 구조체(400)의 잉여 스페이스(410)에, 처리 유체 공급원(70)이 배치되어 있는 것으로 한다.First, as shown in FIG. 7A , it is assumed that the processing fluid supply source 70 is disposed in the surplus space 410 of the frame structure 400 .

처리 유체의 공급 라인은, 도 7a 중에 굵은 화살표로 나타낸 바와 같이, 예컨대 처리 유체 공급원(70)으로부터 수직으로 제1 기둥부(401-1)의 배후를 지나고, 중도에서 분기되어, 수평으로 처리 유닛(16U, 16L) 각각의 하방의 제1 빔부(402-1)의 배후를 지나도록 형성된다. 그리고, 또한, 제2 기둥부(401-2)의 배후를 수직으로 지나면서 합류하여, 수평으로 최하단의 제1 빔부(402-1)의 배후를 지나 처리 유체 공급원(70)으로 복귀하도록 형성된다.As shown by the thick arrow in FIG. 7A , the processing fluid supply line passes vertically from the processing fluid supply source 70 to the rear of the first pillar portion 401-1, branches midway, and horizontally branches to the processing unit. (16U, 16L) It is formed so as to pass through the back of each downward 1st beam part 402-1. And, also, it is formed to join while passing vertically behind the second pillar portion 401-2, and return to the processing fluid supply source 70 horizontally through the rear of the lowermost first beam portion 402-1. .

한편, 여기서 말하는 「배후」란, 전술한 「대향면 사이」에 대응한다. 또한, 이와 같이 형성되는 공급 라인은, 전술한 순환 라인(104)(도 3 참조)에 상당한다.On the other hand, "rear" as used herein corresponds to "between opposing surfaces" described above. In addition, the supply line formed in this way corresponds to the above-mentioned circulation line 104 (refer to FIG. 3).

먼저, 제1 기둥부(401-1) 또는 제2 기둥부(401-2)의 배후를 수직으로 지나는 순환 라인(104)은, 전술한 수용 가능 영역(R2)에 배치된, 도 7b에 도시된 제2 배기관(500) 안을 지나도록 형성된다. 제2 배기관(500)은, 챔버(20)에 대해, 취입부(21a)가 배치된 측면과 반대측의 측방, 또는 취입부(21a)의 측방을 지나도록 배치된다.First, the circulation line 104 vertically passing through the rear of the first pillar portion 401-1 or the second pillar portion 401-2 is disposed in the above-described accommodating region R2, as shown in FIG. 7B. It is formed to pass through the inside of the second exhaust pipe 500. The second exhaust pipe 500 is arranged so as to pass through the side opposite to the side on which the intake portion 21a is disposed or the side of the intake portion 21a with respect to the chamber 20 .

구체적으로는, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제2 배기관(500)이, 제1 기둥부(401-1)의 세트의 대향면 사이, 또는 제2 기둥부(401-2)의 세트의 대향면 사이에 배치되고, 그 안을 순환 라인(104)을 형성하는 수직 배관(104V)이 지나도록 배치된다. 따라서, 제2 배기관(500)은, 수직 배관(104V)을 수용하는 케이스에 상당한다.Specifically, as shown in FIG. 7C , the second exhaust pipe 500 is disposed between the opposing surfaces of the set of first pillar parts 401-1 or the opposite surface of the set of second pillar parts 401-2. It is arranged between the faces and is arranged so that the vertical pipe 104V forming the circulation line 104 passes therein. Accordingly, the second exhaust pipe 500 corresponds to a case for accommodating the vertical pipe 104V.

수직 배관(104V)은, 제2 배기관(500) 내에 병설된 복수의 수직 방향의 배관군이며, 그 각각은 개별적으로, 각 공급원(71~74)으로부터 공급되는 알칼리계 처리액, 산계 처리액, 유기계 처리액 및 DIW(순수)를 통과시킨다.The vertical piping 104V is a plurality of vertical piping groups juxtaposed in the second exhaust pipe 500, each of which is individually supplied from each supply source 71 to 74, an alkali-based treatment liquid, an acid-based treatment liquid, Organic treatment liquid and DIW (pure water) are passed through.

그리고, 도 7d에 도시된 바와 같이, 제2 배기관(500)은 그 상단부에 있어서, 접속관(501)에 의해, 배기 전환 유닛(300)의 케이스(301)의 하면부(301a)에 배기구(501a)가 개구되어 형성되도록 접속된다.And, as shown in FIG. 7D , the second exhaust pipe 500 has an exhaust port ( 501a) are connected to form an opening.

또한, 제1 빔부(402-1)의 배후를 수평으로 지나는 순환 라인(104)은, 도 7e에 도시된 처리 유닛(16U, 16L) 각각의 하방의, 전술한 수용 가능 영역(R1)을 지나도록 배치된다.In addition, the circulation line 104 horizontally passing through the rear of the first beam unit 402-1 passes through the above-described accommodating region R1 below each of the processing units 16U and 16L shown in FIG. 7E. are placed in

구체적으로는, 도 7f에 도시된 바와 같이, 제3 배기관(600)이, 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 대향면 사이에 배치되고, 그 안을 순환 라인(104)을 형성하는 수평 배관(104H)이 지나도록 배치된다. 따라서, 제3 배기관(600)은, 수평 배관(104H)을 수용하는 케이스에 상당한다.Specifically, as shown in FIG. 7F, the third exhaust pipe 600 is disposed between the opposing surfaces of the first beam part 402-1 and the second beam part 402-2, and the circulation line ( 104) is disposed so as to pass through the horizontal pipe 104H. Accordingly, the third exhaust pipe 600 corresponds to a case for accommodating the horizontal pipe 104H.

수평 배관(104H)은, 제3 배기관(600) 내에 병설된 복수의 수평 방향의 배관군이며, 그 각각은 수직 배관(104V)과 마찬가지로, 개별적으로, 각 공급원(71~74)으로부터 공급되는 각 처리 유체를 통과시킨다.The horizontal piping 104H is a group of plural horizontal pipings juxtaposed in the third exhaust pipe 600, each of which is individually supplied from each supply source 71 to 74, similarly to the vertical piping 104V. Process fluid is passed through.

또한, 제3 배기관(600)은, 전술한 접속 영역(110)(도 3 참조)에 있어서 밸브 박스(24)와 연통되도록 접속되어 있고, 거기로부터 분기 라인(112)이 밸브 박스(24)를 향해 분기되도록 형성되어 있다. 분기 라인(112)에 대해서는, 전술한 바와 같이 통류 제어부, 필터, 유량계 등이 필요에 따라 설치되고, 밸브 박스(24) 내에 수용된다. 또한, 제3 배기관(600)은 그 양단부에 있어서, 제2 배기관(500)과 접속된다.In addition, the third exhaust pipe 600 is connected so as to communicate with the valve box 24 in the above-described connection area 110 (see FIG. 3 ), and a branch line 112 connects the valve box 24 therefrom. It is formed to diverge towards. Regarding the branch line 112, as described above, a through-flow controller, a filter, a flow meter, etc. are provided as necessary and accommodated in the valve box 24. Also, the third exhaust pipe 600 is connected to the second exhaust pipe 500 at both ends thereof.

한편, 도 7f에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에서는, 높이(h)를 갖는 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 대향면 사이에, 복수의 처리 유닛(16)에 걸친 수평 배관(104H)을 배치하는 것으로 했기 때문에, 처리 유닛(16)이 적층됨으로써 장치 전체의 높이가 커지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 장치 전체의 스페이스 절약화에 이바지할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7F, in this embodiment, between the opposing surfaces of the first beam part 402-1 and the second beam part 402-2 having a height h, a plurality of processing units 16 Since the horizontal piping 104H spanning ) is arranged, it is possible to suppress an increase in the height of the entire device by stacking the processing units 16 . Therefore, it can contribute to space saving of the whole apparatus.

이와 같이 구성된 제2 배기관(500) 및 제3 배기관(600)에 의해, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기하는 배기 경로가 형성된다. 구체적으로는, 도 7g에 도시된 바와 같이, 수직 배관(104V)을 수용하는 제2 배기관(500), 수평 배관(104H)을 수용하는 제3 배기관(600), 및 이러한 제3 배기관(600)에 대해 분기 라인(112)을 통해 연통되는 밸브 박스(24)는, 이어져서 말하자면 하나의 케이스를 형성하고 있으며, 이러한 케이스 내에 있어서 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 공유하고 있다고 할 수 있다(도 7g 중의 전부 칠해진 부분 참조).By the second exhaust pipe 500 and the third exhaust pipe 600 configured as described above, an exhaust passage for exhausting the atmosphere around the supply line of the processing fluid is formed. Specifically, as shown in FIG. 7G, a second exhaust pipe 500 accommodating a vertical pipe 104V, a third exhaust pipe 600 accommodating a horizontal pipe 104H, and such a third exhaust pipe 600 The valve boxes 24 communicating with each other through the branch line 112 form one case, so to speak, in succession, and it can be said that the atmosphere around the supply line of the processing fluid is shared in this case (Fig. See the painted part of 7g).

따라서, 배기 전환 유닛(300)의 케이스(301)에 접속된 배기구(501a)를 통해, 배기 전환 유닛(300)이 이러한 분위기를 끌어들임으로써, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기를 배기할 수 있다.Therefore, the exhaust switching unit 300 draws in this atmosphere through the exhaust port 501a connected to the case 301 of the exhaust switching unit 300, thereby exhausting the atmosphere around the supply line of the processing fluid. .

다음으로, 이러한 배기 전환 유닛(300)의 구성에 대해 도 8을 참조하여 설명한다. 도 8은 배기 전환 유닛(300)의 구성을 도시한 도면이다.Next, the configuration of this exhaust switching unit 300 will be described with reference to FIG. 8 . 8 is a diagram showing the configuration of the exhaust switching unit 300. As shown in FIG.

도 8에 도시된 바와 같이, 배기 전환 유닛(300)은, 배기 도입부(310)와, 복수의 전환 기구(320_1~320_3)와, 외기 도입부(330)와, 복수의 유출부(340)를 구비한다. 또한, 배기 전환 유닛(300)은, 외기 취입관(350)과, 차압 포트(360)와, 배기 유량 조정부(370)를 구비한다. 전환 기구(320_1~320_3)는, 본체부(321)를 구비한다. 본체부(321)는, 양단이 폐색된 원통형의 내부 공간을 갖고, 그 내주면에는, 배기 도입부(310)에 연통되는 배기 취입구(322)와, 외기 도입부(330)에 연통되는 외기 취입구(323)와, 유출부(340)에 연통되는 유출구(324)가 형성된다.As shown in FIG. 8 , the exhaust switching unit 300 includes an exhaust gas introduction unit 310, a plurality of switching mechanisms 320_1 to 320_3, an outside air introduction unit 330, and a plurality of outlet units 340. do. In addition, the exhaust switching unit 300 includes an outside air intake pipe 350 , a differential pressure port 360 , and an exhaust flow rate adjusting unit 370 . The switching mechanisms 320_1 to 320_3 include a body portion 321 . The body portion 321 has a cylindrical inner space closed at both ends, and on its inner circumferential surface, an exhaust inlet 322 communicating with the exhaust inlet 310 and an outside air inlet communicating with the outside air inlet 330 ( 323) and an outlet 324 communicating with the outlet 340 are formed.

본체부(321)의 내부 공간에는, 본체부(321)의 내주면을 따라 슬라이딩 가능한 밸브체(325)가 설치되어 있다. 밸브체(325)는, 전환 기구(320_1~320_3)의 외부에 설치된 구동부(도시 생략)에 의해 구동된다. 이러한 구동부는, 제어부(18)에 의해 제어된다.In the inner space of the body portion 321, a valve body 325 that can slide along the inner circumferential surface of the body portion 321 is installed. The valve body 325 is driven by a drive unit (not shown) provided outside the switching mechanisms 320_1 to 320_3. This driving unit is controlled by the control unit 18 .

본체부(321)의 내주면에 형성되는 배기 취입구(322), 외기 취입구(323) 및 유출구(324) 중, 배기 취입구(322) 및 외기 취입구(323) 중 어느 한쪽은, 밸브체(325)에 의해 막혀진 상태로 되어 있다. 바꿔 말하면, 배기 취입구(322) 및 외기 취입구(323) 중 어느 한쪽만이 유출구(324)에 연통된 상태로 되어 있다. 전환 기구(320_1~320_3)는, 밸브체(325)를 본체부(321)의 내주면을 따라 슬라이딩시킴으로써, 유출구(324)와 연통되는 개구를 배기 취입구(322)로부터 외기 취입구(323)로, 또는 외기 취입구(323)로부터 배기 취입구(322)로 전환한다. 즉, 배기 도입부(310)와 유출부(340)가 연통된 상태와, 외기 도입부(330)와 유출부(340)가 연통된 상태를 전환한다.Among the exhaust inlet 322, the outside air inlet 323, and the outlet 324 formed on the inner circumferential surface of the body portion 321, one of the exhaust inlet 322 and the outside air inlet 323 is a valve body. It is blocked by (325). In other words, only one of the exhaust inlet 322 and the outside air inlet 323 is in a state of communicating with the outlet 324 . The switching mechanisms 320_1 to 320_3 slide the valve body 325 along the inner circumferential surface of the main body portion 321, so that the opening communicating with the outlet 324 is transferred from the exhaust intake 322 to the outside air intake 323. , or from the outside air inlet 323 to the exhaust inlet 322. That is, a state in which the exhaust inlet 310 and the outlet 340 communicate with each other and a state in which the outside air inlet 330 and the outlet 340 communicate with each other are switched.

외기 도입부(330)는, 전환 기구(320_1~320_3)에 접속되어 있고, 외기를 내부에 받아들여 전환 기구(320_1~320_3)에 공급한다.The outside air introduction unit 330 is connected to the switching mechanisms 320_1 to 320_3, receives outside air inside, and supplies it to the switching mechanisms 320_1 to 320_3.

다음으로, 처리 유닛(16)으로부터의 배기의 유출처를 개별 배기관(121~123) 사이에서 전환하는 경우의 동작에 대해 설명한다.Next, an operation in the case of switching the outflow destination of the exhaust gas from the processing unit 16 between the individual exhaust pipes 121 to 123 will be described.

예컨대, 도 8에는, 알칼리계 배기를 개별 배기관(121)에 흘리는 경우의 예를 도시하고 있다. 이 경우, 배기 전환 유닛(300)은, 전환 기구(320_1)의 배기 취입구(322)가 배기 도입부(310)와 연통되고, 나머지 전환 기구(320_2, 320_3)의 외기 취입구(323)가 외기 도입부(330)와 연통된 상태로 되어 있다.For example, FIG. 8 shows an example of the case where alkaline exhaust is passed through the individual exhaust pipes 121 . In this case, in the exhaust switching unit 300, the exhaust intake 322 of the switching mechanism 320_1 communicates with the exhaust introduction portion 310, and the outside air intakes 323 of the other switching mechanisms 320_2 and 320_3 communicate with the outside air. It is in a state of communication with the introduction part 330.

이와 같이, 전환 기구(320_1)가 배기 도입부(310)에 연통되어 있는 동안, 나머지 전환 기구(320_2, 320_3)는 외기 도입부(330)에 연통된 상태로 되어 있다. 이에 의해, 개별 배기관(121)에 알칼리계 배기가 유입되고, 나머지 개별 배기관(122, 123)에는 외기가 유입되게 된다. 한편, 이때, 이러한 외기에는, 배기구(501a)를 통해 인입된, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기가 함께 포함되어 있다.In this way, while the switching mechanism 320_1 communicates with the exhaust inlet 310, the other switching mechanisms 320_2 and 320_3 are in a state of communicating with the outside air inlet 330. As a result, alkali-based exhaust flows into the individual exhaust pipes 121 and outside air flows into the remaining individual exhaust pipes 122 and 123 . On the other hand, at this time, the outside air also includes the atmosphere around the supply line of the processing fluid introduced through the exhaust port 501a.

계속해서, 배기의 유출처를 개별 배기관(121)으로부터 개별 배기관(122)으로 전환하는 경우에 대해 생각한다. 이 경우, 제어부(18)는, 전환 기구(320_1, 320_2)의 구동부(326)를 제어함으로써, 전환 기구(320_2)의 배기 취입구(322)를 배기 도입부(310)에 연통시키고, 나머지 전환 기구(320_1, 320_3)의 외기 취입구(323)를 외기 도입부(330)에 연통시킨다. 이에 의해, 개별 배기관(122)에 산계 배기가 유입되고, 나머지 개별 배기관(121, 123)에는 외기가 유입되게 된다. 또한, 이때, 이러한 외기에는, 배기구(501a)를 통해 인입된, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기가 함께 포함되어 있다.Subsequently, a case where the exhaust outlet is switched from the individual exhaust pipe 121 to the individual exhaust pipe 122 will be considered. In this case, the controller 18 causes the exhaust inlet 322 of the switching mechanism 320_2 to communicate with the exhaust introduction section 310 by controlling the drive units 326 of the switching mechanisms 320_1 and 320_2, and the other switching mechanism The outside air inlets 323 of 320_1 and 320_3 communicate with the outside air introduction part 330. As a result, acid system exhaust flows into the individual exhaust pipes 122 and outside air flows into the remaining individual exhaust pipes 121 and 123 . Also, at this time, the outside air includes the atmosphere around the supply line of the processing fluid drawn in through the exhaust port 501a.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 개별 배기관(121~123) 중 어느 하나에 처리 유닛(16)으로부터의 배기가 유입되는 동안, 나머지 개별 배기관(121~123)에는 외기가 유입된다. 따라서, 배기 전환의 전후에 있어서, 각 개별 배기관(121~123)에 유입되는 기체의 유량은 크게 변동하는 일이 없다. 따라서, 유량의 변동에 따르는 처리 유닛(16)의 압력 변동을 억제할 수 있다.As described above, in the substrate processing system 1 according to the present embodiment, while the exhaust from the processing unit 16 flows into any one of the individual exhaust pipes 121 to 123, the outside air flows into the other individual exhaust pipes 121 to 123. is introduced Therefore, the flow rate of the gas flowing into each individual exhaust pipe 121 to 123 before and after the exhaust switching does not fluctuate greatly. Accordingly, it is possible to suppress fluctuations in pressure in the processing unit 16 due to fluctuations in the flow rate.

또한, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에서는, 전환 기구(320_1~320_3)가 구비하는 외기 취입구(323)의 전단에, 각 외기 취입구(323)에 연통되는 외기 도입부(330)를 형성함으로써, 배기 전환 중에 있어서의 처리 유닛(16)의 압력 변동도 억제할 수 있다.Further, in the substrate processing system 1 according to the present embodiment, an outside air introduction unit 330 communicating with each of the outside air intake ports 323 is provided at the front end of the outside air intake ports 323 provided in the switching mechanisms 320_1 to 320_3. By forming , pressure fluctuations in the processing unit 16 during exhaust switching can also be suppressed.

다음으로, 산계 배기가 흐르는 개별 배기관(122)으로부터 유기계 배기가 흐르는 개별 배기관(123)으로 배기의 유출처를 전환하는 경우에 대해 생각한다. 이 경우, 제어부(18)는, 전환 기구(320_2, 320_3)의 구동부(326)를 제어함으로써, 전환 기구(320_3)의 배기 취입구(322)를 배기 도입부(310)에 연통시키고, 나머지 전환 기구(320_1, 320_2)의 외기 취입구(323)를 외기 도입부(330)에 연통시킨다. 이에 의해, 개별 배기관(123)에 유기계 배기가 유입되는 동안, 나머지 개별 배기관(121, 122)에는 외기가 유입되게 된다. 또한, 이때, 이러한 외기에는, 배기구(501a)를 통해 인입된, 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기가 함께 포함되어 있다.Next, consider a case where the exhaust outlet is switched from the individual exhaust pipe 122 through which acid exhaust flows to the individual exhaust pipe 123 through which organic exhaust flows. In this case, the controller 18 causes the exhaust inlet 322 of the switching mechanism 320_3 to communicate with the exhaust introduction section 310 by controlling the drive unit 326 of the switching mechanisms 320_2 and 320_3, and the other switching mechanisms 320_3 communicate with each other. The outside air inlets 323 of 320_1 and 320_2 are communicated with the outside air introduction part 330 . Accordingly, outside air is introduced into the remaining individual exhaust pipes 121 and 122 while organic exhaust flows into the individual exhaust pipes 123 . Also, at this time, the outside air includes the atmosphere around the supply line of the processing fluid drawn in through the exhaust port 501a.

여기서, 예컨대 후술하는 린스 처리로부터 건조 처리로의 이행 시에, 처리 유닛(16)에서 사용되는 처리액의 종류를 유기계 처리액인 IPA로 전환하는 경우, 제어부(18)는, FFU(21)를 제어함으로써, 처리 유닛(16)에 급기하는 기체의 종류를, 예컨대 청정 공기로부터, 청정 공기보다 습도 또는 산소 농도가 낮은 CDA(Clean Dry Air) 등의 저노점 가스로 변경한다.Here, when the type of treatment liquid used in the processing unit 16 is switched to IPA, which is an organic treatment liquid, for example, when transitioning from a rinsing process to a drying process described later, the control unit 18 sets the FFU 21 to By controlling, the type of gas supplied to the processing unit 16 is changed from, for example, clean air to a low dew point gas such as CDA (Clean Dry Air) having a lower humidity or oxygen concentration than clean air.

다음으로, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 기판 처리의 일례에 대해 도 9를 참조하여 설명한다. 도 9는 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 기판 처리의 처리 순서의 일례를 도시한 흐름도이다.Next, an example of substrate processing performed in the substrate processing system 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 9 . 9 is a flowchart showing an example of a processing sequence of substrate processing performed in the substrate processing system 1 .

한편, 도 9에 도시된 일련의 기판 처리는, 제어부(18)가 처리 유닛(16) 및 배기 전환 유닛(300) 등을 제어함으로써 실행된다. 제어부(18)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 기억부(19)에 기억된 도시하지 않은 프로그램에 따라 처리 유닛(16) 및 배기 전환 유닛(300) 등을 제어한다.On the other hand, the series of substrate processing shown in FIG. 9 is executed by the controller 18 controlling the processing unit 16 and the exhaust switching unit 300 and the like. The control unit 18 is, for example, a CPU (Central Processing Unit), and controls the processing unit 16, the exhaust switching unit 300, and the like according to a program stored in the storage unit 19 (not shown).

도 9에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)에서는, 먼저, 제1 약액 처리가 행해진다(단계 S101). 이러한 제1 약액 처리에서는, 먼저, 구동부(33)가 유지부(31)를 회전시킴으로써, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 소정의 회전수로 회전시킨다. 계속해서, 처리 유체 공급부(40)의 노즐(41)이 웨이퍼(W)의 중앙 상방에 위치한다. 그 후, 밸브(75)가 소정 시간 개방됨으로써, 알칼리계 처리액 공급원(71)으로부터 공급되는 SC1이 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 SC1은, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 피처리면의 전면(全面)으로 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 피처리면이 SC1에 의해 처리된다.As shown in Fig. 9, in the processing unit 16, first, a first chemical liquid processing is performed (step S101). In this first chemical treatment, first, the drive unit 33 rotates the holding unit 31 to rotate the wafer W held by the holding unit 31 at a predetermined rotational speed. Subsequently, the nozzle 41 of the processing fluid supply unit 40 is positioned above the center of the wafer W. Thereafter, the valve 75 is opened for a predetermined period of time, so that SC1 supplied from the alkali-based processing liquid supply source 71 is supplied from the nozzle 41 to the processing target surface of the wafer W. SC1 supplied to the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W to be processed by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer W. As a result, the surface to be processed of the wafer W is processed by SC1.

이러한 제1 약액 처리가 행해지는 동안, 처리 유닛(16)으로부터의 배기인 알칼리계 배기는, 제1 배기관(200)으로부터 배기 전환 유닛(300)의 전환 기구(320_1)를 통해 개별 배기관(121)으로 배출된다. 또한, 배기구(501a)로부터 유입되는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기는, 외기로서 받아들여져, 개별 배기관(122, 123)으로 배출된다.While such first chemical liquid treatment is being performed, alkaline exhaust, which is exhaust from the processing unit 16, is discharged from the first exhaust pipe 200 through the switching mechanism 320_1 of the exhaust switching unit 300 to the individual exhaust pipe 121. is emitted as In addition, the atmosphere around the supply line of the processing fluid flowing in from the exhaust port 501a is taken in as outside air and discharged to the individual exhaust pipes 122 and 123 .

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W)의 피처리면을 DIW로 씻는 제1 린스 처리가 행해진다(단계 S102). 이러한 제1 린스 처리에서는, 밸브(78)가 소정 시간 개방됨으로써, DIW 공급원(74)으로부터 공급되는 DIW가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급되어, 웨이퍼(W)에 잔존하는 SC1이 씻겨진다. 이 제1 린스 처리가 행해지는 동안, 처리 유닛(16)으로부터의 배기는, 예컨대 개별 배기관(121)으로 배출된다. 또한, 배기구(501a)로부터 유입되는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기는, 외기로서 받아들여져, 예컨대 개별 배기관(122, 123)으로 배출된다.Subsequently, in the processing unit 16, a first rinsing process is performed in which the surface to be processed of the wafer W is washed with DIW (step S102). In this first rinsing process, when the valve 78 is opened for a predetermined time, DIW supplied from the DIW supply source 74 is supplied from the nozzle 41 to the surface to be processed of the wafer W, and the remainder of the wafer W SC1 is washed out. While this first rinsing process is being performed, exhaust from the processing unit 16 is discharged to, for example, individual exhaust pipes 121 . In addition, the atmosphere around the supply line of the processing fluid flowing in from the exhaust port 501a is taken in as outside air and discharged to the individual exhaust pipes 122 and 123, for example.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 제2 약액 처리가 행해진다(단계 S103). 이러한 제2 약액 처리에서는, 밸브(76)가 소정 시간 개방됨으로써, 산계 처리액 공급원(72)으로부터 공급되는 HF가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 HF는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 피처리면의 전면으로 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 피처리면이 HF에 의해 처리된다.Then, in the processing unit 16, the second chemical liquid processing is performed (step S103). In this second chemical treatment, when the valve 76 is opened for a predetermined period of time, HF supplied from the acid-based treatment solution supply source 72 is supplied from the nozzle 41 to the processing target surface of the wafer W. The HF supplied to the wafer (W) is diffused over the entire surface of the processing target surface of the wafer (W) by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer (W). As a result, the surface to be processed of the wafer W is treated with HF.

제어부(18)는, 이러한 제2 약액 처리가 개시되기 전에, 배기 전환 유닛(300)을 제어함으로써, 배기의 유출처를 개별 배기관(121)으로부터 개별 배기관(122)으로 전환한다. 이에 의해, 제2 약액 처리가 행해지는 동안, 처리 유닛(16)으로부터의 배기인 산계 배기는, 제1 배기관(200)으로부터 배기 전환 유닛(300)의 전환 기구(320_2)를 통해 개별 배기관(122)으로 배출된다. 또한, 배기구(501a)로부터 유입되는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기는, 외기로서 받아들여져, 개별 배기관(121, 123)으로 배출된다.The controller 18 switches the outlet of the exhaust from the individual exhaust pipe 121 to the individual exhaust pipe 122 by controlling the exhaust switching unit 300 before the second liquid chemical process starts. As a result, while the second liquid chemical process is being performed, acid exhaust, which is exhaust from the processing unit 16, is discharged from the first exhaust pipe 200 via the switching mechanism 320_2 of the exhaust switching unit 300 to the individual exhaust pipe 122. ) is released. In addition, the atmosphere around the supply line of the processing fluid flowing in from the exhaust port 501a is taken in as outside air and discharged to the individual exhaust pipes 121 and 123 .

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W)의 피처리면을 DIW로 씻는 제2 린스 처리가 행해진다(단계 S104). 이러한 제2 린스 처리에서는, 밸브(78)가 소정 시간 개방됨으로써, DIW 공급원(74)으로부터 공급되는 DIW가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급되어, 웨이퍼(W)에 잔존하는 HF가 씻겨진다. 이 제2 린스 처리가 행해지는 동안, 처리 유닛(16)으로부터의 배기는, 예컨대 개별 배기관(122)으로 배출된다. 또한, 배기구(501a)로부터 유입되는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기는, 외기로서 받아들여져, 예컨대 개별 배기관(121, 123)으로 배출된다.Subsequently, in the processing unit 16, a second rinsing process is performed in which the surface to be processed of the wafer W is washed with DIW (step S104). In this second rinsing process, when the valve 78 is opened for a predetermined period of time, DIW supplied from the DIW supply source 74 is supplied from the nozzle 41 to the surface to be processed of the wafer W, and the residual HF is washed out. While this second rinsing process is being performed, exhaust from the processing unit 16 is discharged to, for example, individual exhaust pipes 122 . In addition, the atmosphere around the supply line of the processing fluid flowing in from the exhaust port 501a is taken in as outside air and discharged to the individual exhaust pipes 121 and 123, for example.

계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 건조 처리가 행해진다(단계 S105). 이러한 건조 처리에서는, 밸브(77)가 소정 시간 개방됨으로써, 유기계 처리액 공급원(73)으로부터 공급되는 IPA가 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 피처리면에 공급된다. 웨이퍼(W)에 공급된 IPA는, 웨이퍼(W)의 회전에 따르는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 피처리면의 전면으로 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 피처리면에 잔존하는 DIW가, DIW보다 휘발성이 높은 IPA로 치환된다. 그 후, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 증속시킴으로써 웨이퍼(W) 상의 IPA를 떨쳐내어 웨이퍼(W)를 건조시킨다.Then, in the processing unit 16, drying processing is performed (step S105). In this drying process, when the valve 77 is opened for a predetermined period of time, the IPA supplied from the organic process liquid supply source 73 is supplied from the nozzle 41 to the surface to be processed of the wafer W. The IPA supplied to the wafer (W) spreads over the entire surface of the processing target surface of the wafer (W) by the centrifugal force accompanying the rotation of the wafer (W). As a result, the DIW remaining on the surface to be processed of the wafer W is replaced with IPA having higher volatility than DIW. Thereafter, in the processing unit 16, the IPA on the wafer W is removed by increasing the rotational speed of the wafer W, and the wafer W is dried.

제어부(18)는, 건조 처리가 개시되기 전에, 배기 전환 유닛(300)을 제어함으로써, 배기의 유출처를 개별 배기관(122)으로부터 개별 배기관(123)으로 전환한다. 이에 의해, 건조 처리가 행해지는 동안, 처리 유닛(16)으로부터의 배기인 유기 배기는, 제1 배기관(200)으로부터 배기 전환 유닛(300)의 전환 기구(320_3)를 통해 개별 배기관(123)으로 배출된다. 또한, 배기구(501a)로부터 유입되는 처리 유체의 공급 라인 주위의 분위기는, 외기로서 받아들여져, 개별 배기관(121, 122)으로 배출된다.The controller 18 switches the outlet of the exhaust from the individual exhaust pipe 122 to the individual exhaust pipe 123 by controlling the exhaust switching unit 300 before the drying process starts. Thereby, while the drying process is being performed, induced exhaust, which is exhaust from the processing unit 16, is transferred from the first exhaust pipe 200 to the individual exhaust pipe 123 via the switching mechanism 320_3 of the exhaust switching unit 300. It is discharged. In addition, the atmosphere around the supply line of the processing fluid flowing in from the exhaust port 501a is taken in as outside air and discharged to the individual exhaust pipes 121 and 122 .

또한, 제어부(18)는, 건조 처리가 개시되기 전에, FFU(21)로부터 급기되는 기체의 종류를, 청정 공기로부터 저노점 가스로 전환한다. 이때, 제어부(18)는, 취입부(21a)에 받아들여지는 외기를 외부로 배기한다. 이에 의해, 처리 유닛(16)에 급기하는 기체의 종류를 변경한 경우에도, 처리 유닛(16)의 압력 변동을 억제할 수 있다.Also, before the drying process starts, the control unit 18 switches the type of gas supplied from the FFU 21 from clean air to low dew point gas. At this time, the control unit 18 exhausts outside air taken in by the intake unit 21a to the outside. Accordingly, even when the type of gas supplied to the processing unit 16 is changed, pressure fluctuations in the processing unit 16 can be suppressed.

그 후, 처리 유닛(16)에서는, 구동부(33)에 의한 웨이퍼(W)의 회전이 정지된 후, 웨이퍼(W)가 기판 반송 장치(17)(도 1 참조)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 이에 의해, 1장의 웨이퍼(W)에 대한 일련의 기판 처리가 완료된다.Thereafter, in the processing unit 16, after the rotation of the wafer W by the drive unit 33 is stopped, the wafer W is transferred to the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 (see FIG. 1). is exported from As a result, a series of substrate processing for one wafer W is completed.

전술해 온 바와 같이, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)(「기판 처리 장치」의 일례에 상당)은, 복수의 처리 유닛(16)(「처리부」의 일례에 상당)과, 순환 라인(104)(「처리 유체 공급 라인」의 일례에 상당)과, 프레임 구조체(400)를 구비한다.As described above, the substrate processing system 1 (corresponding to an example of a "substrate processing apparatus") according to the present embodiment includes a plurality of processing units 16 (corresponding to an example of a "processing unit"), and a circulation line 104 (corresponding to an example of "processing fluid supply line") and a frame structure 400 are provided.

복수의 처리 유닛(16)은, 수평 방향으로 나란히 배치되며, 처리 유체를 이용하여 웨이퍼(W)(「기판」의 일례에 상당)를 처리한다. 순환 라인(104)은, 복수의 처리 유닛(16)의 하방에 수평으로 배치된 수평 배관(104H), 및 수평 배관(104H)으로부터 분기되어 처리 유닛(16)의 각각에 접속되는 분기 라인(112)(「분기관」의 일례에 상당)을 갖는다.The plurality of processing units 16 are arranged side by side in the horizontal direction, and process the wafer W (corresponding to an example of "substrate") using a processing fluid. The circulation line 104 includes a horizontal pipe 104H disposed horizontally below the plurality of processing units 16, and a branch line 112 branched from the horizontal pipe 104H and connected to each of the processing units 16. ) (equivalent to an example of "branch pipe").

프레임 구조체(400)는, 복수의 기둥부(401) 및 복수의 빔부(402)를 갖고, 기둥부(401) 및 빔부(402)에 의해 형성되는 수용 공간에 복수의 처리 유닛(16) 및 순환 라인(104)을 수용한다.The frame structure 400 has a plurality of pillar parts 401 and a plurality of beam parts 402, and a plurality of processing units 16 and circulation are provided in an accommodation space formed by the pillar parts 401 and the beam parts 402. Accept line 104.

또한, 빔부(402)는, 복수의 처리 유닛(16)의 배열 방향과 평행하게 배치된 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)를 포함한다. 또한, 수평 배관(104H)은, 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2) 사이이며, 제1 빔부(402-1)의 상면과 하면 사이에 배치되고, 또한 복수의 처리 유닛(16)에 걸쳐 배치된다.In addition, the beam unit 402 includes a first beam unit 402-1 and a second beam unit 402-2 disposed parallel to the arrangement direction of the plurality of processing units 16. Moreover, the horizontal piping 104H is between the 1st beam part 402-1 and the 2nd beam part 402-2, arrange|positioned between the upper surface and the lower surface of the 1st beam part 402-1, and also a plurality of processing Arranged over unit 16.

따라서, 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 처리 유닛(16)을 적층하면서도 장치의 높이를 억제할 수 있다.Therefore, according to the substrate processing system 1 according to the present embodiment, the height of the device can be suppressed while stacking the processing units 16 .

한편, 전술한 실시형태에서는, 수평 배관(104H)이, 제1 빔부(402-1) 및 제2 빔부(402-2)의 대향면 사이에 들어가도록 배치된 예를 나타내었으나(예컨대 도 7f 참조), 이러한 대향면 사이에 완전히 들어가지 않아도 좋다. 즉, 수평 배관(104H)의 적어도 일부가, 이러한 대향면 사이에 포함되어 있으면 된다.On the other hand, in the above-described embodiment, an example in which the horizontal pipe 104H is arranged so as to enter between the opposing surfaces of the first beam portion 402-1 and the second beam portion 402-2 has been shown (see, for example, FIG. 7F). ), it is not necessary to completely enter between these opposing surfaces. That is, at least a part of the horizontal pipe 104H should just be contained between these opposing surfaces.

마찬가지로, 전술한 실시형태에서는, 수직 배관(104V)이, 제1 기둥부(401-1)의 세트의 대향면 사이, 또는 제2 기둥부(401-2)의 세트의 대향면 사이에 들어가도록 배치된 예를 나타내었으나(예컨대 도 7c 참조), 이러한 대향면 사이에 완전히 들어가지 않아도 좋다. 즉, 수직 배관(104V)의 적어도 일부가, 이러한 대향면 사이에 포함되어 있으면 된다.Similarly, in the above-described embodiment, the vertical pipe 104V enters between the opposing surfaces of the set of first pillar parts 401-1 or between the opposing surfaces of the set of second pillar parts 401-2. An example arrangement is shown (see, for example, Fig. 7c), but it is not necessary to completely fit between these opposing surfaces. That is, at least a part of the vertical pipe 104V should just be contained between these opposing surfaces.

한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출될 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.Further effects and modified examples can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspect of this invention is not limited to the specific detailed and representative embodiment shown and described as mentioned above. Therefore, various changes are possible without deviating from the mind or scope of the general concept of the invention defined by the appended claims and their equivalents.

1: 기판 처리 시스템 16: 처리 유닛
104: 순환 라인 104H: 수평 배관
112: 분기 라인 400: 프레임 구조체
401: 기둥부 402: 빔부
402-1: 제1 빔부 402-2: 제2 빔부
1: substrate processing system 16: processing unit
104: circulation line 104H: horizontal piping
112: branch line 400: frame structure
401: pillar part 402: beam part
402-1: first beam unit 402-2: second beam unit

Claims (6)

수평 방향으로 나란히 배치되며, 처리 유체를 이용하여 기판을 처리하는 복수의 처리부와,
상기 복수의 처리부의 하방에 수평으로 배치된 수평 배관, 및 상기 수평 배관으로부터 분기되어 상기 처리부의 각각에 접속되는 분기관을 갖는 처리 유체 공급 라인과,
복수의 기둥부 및 복수의 빔(beam)부를 갖고, 상기 기둥부 및 상기 빔부에 의해 형성되는 수용 공간에 상기 복수의 처리부 및 상기 처리 유체 공급 라인을 수용하는 프레임 구조체
를 구비하며,
상기 빔부는, 상기 복수의 처리부의 배열 방향과 평행하게 배치된 제1 빔부 및 제2 빔부를 포함하고,
상기 수평 배관은, 상기 제1 빔부 및 상기 제2 빔부 사이이며, 상기 제1 빔부의 상면과 하면 사이에 배치되고, 상기 복수의 처리부에 걸쳐 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A plurality of processing units disposed side by side in a horizontal direction and processing a substrate using a processing fluid;
a processing fluid supply line having horizontal pipes disposed horizontally below the plurality of processing units and branch pipes branching off from the horizontal pipes and connected to each of the processing units;
A frame structure having a plurality of pillar parts and a plurality of beam parts, and accommodating the plurality of processing parts and the processing fluid supply line in an accommodation space formed by the pillar parts and the beam parts.
Provided with,
The beam unit includes a first beam unit and a second beam unit disposed in parallel with the arrangement direction of the plurality of processing units,
The horizontal pipe is between the first beam part and the second beam part, disposed between an upper surface and a lower surface of the first beam part, and disposed across the plurality of processing units.
제1항에 있어서, 상기 수평 방향으로 나란히 배치된 상기 복수의 처리부는 적어도 상하 2단으로 설치되고,
상기 처리 유체 공급 라인은, 상단측의 상기 복수의 처리부 및 하단측의 상기 복수의 처리부 각각의 상기 수평 배관을 접속하는 수직 배관을 포함하며,
상기 기둥부는, 상기 제1 빔부 및 상기 제2 빔부의 일단측에 수직으로 설치되는 제1 기둥부의 세트와, 상기 제1 빔부 및 상기 제2 빔부의 타단측에 수직으로 설치되는 제2 기둥부의 세트를 포함하고,
상기 수직 배관은, 상기 제1 기둥부의 세트의 대향면 사이, 또는 상기 제2 기둥부의 세트의 대향면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1, wherein the plurality of processing units arranged side by side in the horizontal direction are installed in at least two upper and lower stages,
The processing fluid supply line includes a vertical pipe connecting the horizontal pipes of each of the plurality of processing units on the upper side and the plurality of processing units on the lower side,
The pillar part, a set of first pillar parts vertically installed on one end side of the first beam part and the second beam part, and a set of second pillar parts vertically installed on the other end side of the first beam part and the second beam part including,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the vertical pipe is disposed between opposing surfaces of the set of first pillar parts or between opposing surfaces of the set of second pillar parts.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 빔부 및 상기 제2 빔부 각각의 하면을 연결하는 판재(板材)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a plate material connecting lower surfaces of each of the first beam part and the second beam part. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 빔부는, 각재(角材)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the beam part is a rectangular material. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수평 배관을 수용하는 케이스를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, further comprising a case accommodating the horizontal pipe. 제5항에 있어서, 상기 분기관에 설치되고, 상기 처리 유체의 통류(通流)를 제어하는 통류 제어부를 더 구비하고,
상기 통류 제어부는, 상기 케이스에 수용되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 5, further comprising a flow control unit installed in the branch pipe and controlling the flow of the treatment fluid,
The through-flow controller is housed in the case.
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