KR200457578Y1 - Heating apparatus for gas heating - Google Patents

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Abstract

본 고안은 가스 가열용 히팅장치에 관한 것으로, 나선형의 가열핀 구조를 구비하여 가스에 대한 가열면적을 극대화한 구조에 의해 간단한 구성만으로도 필요로 하는 가스를 급속으로 가열할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a heating device for gas heating, and has a spiral heating fin structure to maximize the heating area for the gas, so that the gas can be rapidly heated even with a simple configuration.

이러한 본 고안은, 유입되는 가스가 경유하여 유출되는 챔버를 구비한 제1하우징과, 챔버에 설치되고, 몸체 외주면에 나선형의 가열핀이 구비되어 상기 챔버에 유입된 가스가 상기 가열핀을 따라 흐르면서 가열되도록 한 나선형 히터를 포함하여 이루어진다.The present invention, the first housing having a chamber through which the incoming gas flows out, and is provided in the chamber, a spiral heating fin is provided on the outer peripheral surface of the body and the gas introduced into the chamber flows along the heating fin And a spiral heater to be heated.

가스, 히터, 히팅장치 Gas, heater, heating device

Description

가스 가열용 히팅장치{HEATING APPARATUS FOR GAS HEATING}Heating device for gas heating {HEATING APPARATUS FOR GAS HEATING}

본 고안은 가스 히팅장치에 관한 것으로, 간단한 구조만으로 가스에 대한 가열면적을 극대화하여 빠른 속도록 가스를 가열하는데 적당한 가스 가열용 히팅장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas heating apparatus, and to a gas heating heating apparatus suitable for heating the gas at a rapid rate by maximizing the heating area for the gas with only a simple structure.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.In general, a semiconductor manufacturing process is mainly composed of a pre-process (Fabrication process) and a post-process (Assembly process), the pre-process is to deposit a thin film on a wafer (wafer) in various process chambers (Chamber), the deposition It is a process of manufacturing a so-called semiconductor chip by repeatedly performing a process of selectively etching the prepared thin film, and processing a specific pattern, and the post process refers to the chips manufactured in the previous process individually. After separating, refers to the process of assembling the finished product by combining with the lead frame.

이같은 반도체 제조 공정에서는 다양한 용도로 가스를 가열하기 위한 히팅장치들이 사용되고 있다. 예컨대, 프로세스 챔버 내부에서 다량으로 발생하는 반응부산물 가스가 프로세스 챔버의 유출측 진공배관, 진공펌프의 유출측 배기배관, 스크루버의 유출측 배기배관, 메인덕트 등을 순차적으로 따라 흐르는 과정에서 쉽게 고 형화되지 않도록 고온의 질소가스를 분사하게 되는데, 이때 질소가스를 가열하기 위한 히팅장치가 필수적으로 구비된다. In such a semiconductor manufacturing process, heating apparatuses for heating a gas for various uses are used. For example, the reaction by-product gas generated in a large amount inside the process chamber is easily generated in the process of sequentially flowing through the outlet side vacuum pipe of the process chamber, the outlet side exhaust pipe of the vacuum pump, the outlet side exhaust pipe of the screwdriver, and the main duct. The hot nitrogen gas is injected so as not to be shaped, and a heating device for heating the nitrogen gas is essentially provided.

하지만, 이같은 히팅장치는 대부분 부수적인 장치로만 인식되어 왔기 때문에 개선이 거의 이루어지지 않은 것이 실정이다. 이로 인해 히팅장치의 부피에 비해 가스에 대한 가열속도가 늦어질 수밖에 없었고, 가스를 신속하게 가열하기 위해서 일정 성능 이상의 히팅장치를 갖추려면 적지 않은 설치비용을 지불해야 했다.However, since such a heating device has been recognized only as a secondary device in most cases, there is little improvement. As a result, the heating rate for the gas was inevitably slowed compared to the volume of the heating device, and in order to quickly heat the gas, it was necessary to pay a considerable installation cost to equip the heating device with a certain performance.

따라서, 보다 경제적이면서 충분한 효과를 발휘할 수 있는 새로운 형태의 히팅장치의 개발이 시급하다 할 것이다.Therefore, it is urgent to develop a new type of heating apparatus that can exhibit more economical and sufficient effects.

이에 본 고안은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 고안의 목적은 나선형의 가열핀을 구비하여 가스에 대한 가열면적을 극대화한 구조에 의해 간단한 구성만으로도 필요로 하는 가스를 급속으로 가열할 수 있도록 한 가스 가열용 히팅장치를 제공하는 데 있다.Therefore, the present invention is proposed to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a gas that requires only a simple configuration by maximizing a heating area for gas by providing a spiral heating fin. The present invention provides a heating device for gas heating that enables rapid heating.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안의 기술적 사상에 의한 가스 가열용 히팅장치는, 유입되는 가스가 경유하여 유출되는 챔버를 구비한 제1하우징과; 상기 챔버에 설치되고, 몸체 외주면에 나선형의 가열핀이 구비되어 상기 챔버에 유입된 가스가 상기 가열핀을 따라 흐르면서 가열되도록 한 나선형 히터를 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a heating device for gas heating according to the technical idea of the present invention includes: a first housing having a chamber through which an inflowing gas flows out; It is characterized in that the technical configuration comprises a spiral heater is installed in the chamber, the helical heating fin is provided on the outer peripheral surface of the body so that the gas introduced into the chamber is heated while flowing along the heating fin.

여기서, 상기 히터의 몸체 및 제1하우징은 서로 대응되는 원통형으로 형성된 것을 특징으로 할 수 있다. Here, the body and the first housing of the heater may be formed in a cylindrical shape corresponding to each other.

또한, 상기 제1하우징의 외주면을 이격되게 감싸는 제2하우징이 더 구비되고, 상기 제1하우징과 제2하우징의 이격공간에는 보온재가 삽입되는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, a second housing surrounding the outer circumferential surface of the first housing may be further provided, and a heat insulating material may be inserted into the space between the first housing and the second housing.

또한, 상기 제1하우징의 가스 유출측도 제2하우징이 이격되게 감싸며 상기 가스 유출측 이격공간에도 보온재가 삽입되는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the gas outlet side of the first housing may also be characterized in that the second housing is spaced apart and the insulation is inserted into the gas outlet side space.

본 고안에 의한 가스 가열용 히팅장치는, 나선형의 가열핀을 구비하여 가스에 대한 가열면적을 극대화한 구조에 의해 간단한 구성만으로도 필요로 하는 가스를 급속으로 가열할 수 있다. The heating device for gas heating according to the present invention is provided with a spiral heating fin and maximizes the heating area for the gas, thereby rapidly heating the required gas with only a simple configuration.

또한, 본 고안은 2개의 하우징을 구비하고 그 사이에 보온재를 삽입 설치한 내열구조에 의해 불필요하게 외부로 방출되는 열을 차단하여 가열효과를 더욱 높일 수 있다. In addition, the present invention can further enhance the heating effect by blocking the heat emitted to the outside unnecessarily by the heat-resistant structure having two housings and the heat insulating material inserted therebetween.

이하, 상기와 같은 본 고안의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 고안에 의한 히팅장치를 채용한 질소가스 분사장치의 설치상태도이다. 1 is a state diagram of a nitrogen gas injection apparatus employing a heating apparatus according to the present invention.

도시된 바와 같이, 본 고안의 히팅장치는 많은 종류의 장치들, 특히 반도체 장치들에서 가스를 가열하기 위한 목적으로 할용될 수 있으며, 그 중 도 1에는 본 고안의 히팅장치(200)가 가스 공급관(161) 및 전열선(222)에 연결되어 질소가스 분사장치에 설치된 경우가 예시되었다. 도면에 예시된 질소가스 분사장치에는, 본 고안에 의한 히팅장치(200)와 더불어 상기 히팅장치(200)와 연결용 단관(163)에 의해 연결된 질소가스 분사용 분사노즐(110)과, 배관들(P)과의 연결을 위한 플랜지 배관(120)과, 히팅장치(200)를 제어하기 위한 제어박스(140)를 포함하여 구성된 것들 볼 수 있다. As shown, the heating apparatus of the present invention can be used for the purpose of heating gas in many kinds of devices, in particular semiconductor devices, among which the heating device 200 of the present invention is a gas supply pipe The case is connected to the 161 and the heating wire 222 is installed in the nitrogen gas injector. In the nitrogen gas injector illustrated in the drawing, the heating device 200 according to the present invention, the nitrogen gas injection nozzle 110 connected by the heating device 200 and the connecting pipe 163 and pipes, Flange pipe 120 for connection with (P) and a control box 140 for controlling the heating device 200 can be seen that configured.

이처럼 본 고안의 히팅장치는 부피가 크지 않고 다양한 반도체 장치에 간편히 설치되면서도 가열하고자 하는 가스를 급속도로 가열할 수 있는 효율적인 구성을 갖는다. As such, the heating device of the present invention is not bulky and has an efficient configuration capable of rapidly heating a gas to be heated while being easily installed in various semiconductor devices.

이하, 본 고안의 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 고안에 의한 히팅장치의 사시도이고, 도 3은 본 고안에 의한 히팅장치의 구성을 설명하기 위한 분해사시도이다. 또한, 도 4는 본 고안에 의한 히팅장치의 종단면도이다. 2 is a perspective view of a heating apparatus according to the present invention, Figure 3 is an exploded perspective view for explaining the configuration of the heating apparatus according to the present invention. 4 is a longitudinal sectional view of a heating apparatus according to the present invention.

도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 히팅장치는 제1하우징(210), 히터(220), 제2하우징(230) 및 보온재(241,242)를 포함하는 간단한 구성만을 가지며, 상기 히터(220)의 몸체(221) 외주면에 나선형의 가열핀(223)이 구비되어 제1하우징(210)의 챔버(210a)에 유입된 가스가 가열핀(223)을 따라 흐르면서 가열되도록 한 것을 기술적 요부로 한다. As shown, the heating apparatus according to the present invention has only a simple configuration including the first housing 210, the heater 220, the second housing 230 and the heat insulating material (241, 242), the body of the heater 220 A helical heating fin 223 is provided on the outer circumferential surface to allow the gas introduced into the chamber 210a of the first housing 210 to be heated while flowing along the heating fin 223.

이처럼 유입된 가스가 나선형의 가열핀(223)을 타고 흐르도록 한 구조에 의 하면 가스가 챔버(210a)에 유입되어 유출될 때까지 열교환되는 면적(열교환면적 또는 가열면적)을 매우 넓은 정도까지 확보할 수 있는 것이다. 따라서 좁은 챔버(210a) 내 설치공간에서도 매우 신속하게 가스를 가열할 수 있게 된다. 아래에서는 상기 각 구성요소들을 중심으로 본 고안에 대해 더욱 상세히 설명한다.According to the structure in which the introduced gas flows on the helical heating fin 223, the area (heat exchange area or heating area) to be heat exchanged until the gas flows into the chamber 210a and flows out is secured to a very large degree. You can do it. Therefore, the gas can be heated very quickly even in the installation space in the narrow chamber 210a. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with respect to each of the above components.

상기 히터(220)는 원통형의 몸체(221)와 상기 몸체(221)를 감싸면서 나선형으로 형성된 가열핀(223)으로 이루어진다. 주목할 점은 이미 전술된 바와 같이 상기 가열핀(223)이 날개 형태로 넓게 형성된 가운데 나선형으로 몸체(221) 외주면을 따라 형성되었다는 점이다. 이같이 가열핀(223)이 나선형으로 이루어지면 상기 제1하우징(210)의 챔버(210a)로 유입된 가스가 가열핀(223)의 일부에만 접촉하는 것이 아니라 상기 가열핀(223)을 처음부터 끝까지 따라 이동하면서 접촉하여 활발하게 열교환하게 된다. 따라서 본 고안은 챔버(210a)와 같은 좁은 설치공간에서 제한적인 크기로 설치된 히터에 의해서도 매우 넓은 열교환면적을 확보하여 가스를 가열하는데 충분할 성능을 낼 수 있게 된다.The heater 220 is composed of a cylindrical body 221 and a heating fin 223 formed in a spiral while surrounding the body 221. Note that, as described above, the heating fin 223 is formed along the outer circumferential surface of the body 221 in a spiral shape while being widely formed in a wing shape. When the heating fin 223 is formed in a spiral like this, the gas introduced into the chamber 210a of the first housing 210 does not contact only a part of the heating fin 223, but the heating fin 223 from the beginning to the end. It moves along and contacts and actively exchanges heat. Therefore, the present invention secures a very large heat exchange area even by a heater installed in a limited size in a narrow installation space, such as the chamber 210a, so that the performance sufficient to heat the gas can be achieved.

한편, 상기 히터(220)의 몸체(221)는 전열선(222) 의해 전원과 연결된 전기코일(미도시 됨)이 내부에 설치되어 저항열을 발생한다. 본 고안은 상기 히터(220)의 몸체(221)와 가열핀(223)이 중간매체를 통하지 않고 가스를 직접 접촉하여 가열토록 구성되고 상기와 같이 극대화된 열교환면적(가열면적)을 확보함으로써 고온의 열을 상당히 신속하게 가스에 전달하여 가열할 수 있는 것이다.On the other hand, the body 221 of the heater 220 is an electric coil (not shown) connected to the power source by the heating wire 222 is installed therein generates heat of resistance. The present invention is constructed so that the body 221 and the heating fin 223 of the heater 220 is heated in direct contact with the gas without passing through the intermediate medium, thereby ensuring a heat exchange area (heating area) maximized as described above. It can transfer heat to the gas fairly quickly and heat it up.

상기 제1하우징(210)은 중공의 원통 형태를 가지며, 상기 히터(220)가 설치되고 가열하려는 가스를 임시적으로 수용하는 챔버(210a)를 구비한다. 그리고 가스 를 공급받기 위한 가스 유입구(214a)와 가스를 유출하기 위한 가스 유출구(214b)가 구비된다. 여기서 상기 제1하우징(210)의 몸체(211)는 챔버(210a) 내에 히터(220)를 설치하기 용이하도록 가스 유입측이 개구되어 있고 차후에 상기 개구된 부위를 용접 등 접합에 의해 덮어주도록 커버(212)를 구비한다. 상기 제1하우징(210) 커버(212)는 제1하우징(210)의 가스 유입측 개구부뿐만 아니라 그 외측을 감싸게 될 제2하우징(230)의 유입측 개구부까지 함께 덮을 수 있는 넓이로 형성된다. 상기 가스 유입구(214a)는 상기 제1하우징(210) 커버(212)에 형성되어 있다. 그리고 상기 제1하우징(210) 커버(212)의 중앙에는 상기 히터(220)의 몸체(221) 일단과 전열선(222)이 외부로 나오도록 통공(212a)이 구비된다.The first housing 210 has a hollow cylindrical shape and has a chamber 210a in which the heater 220 is installed and temporarily receives a gas to be heated. A gas inlet 214a for receiving gas and a gas outlet 214b for outflowing the gas are provided. Here, the body 211 of the first housing 210 has a gas inlet side opening to facilitate the installation of the heater 220 in the chamber 210a, and a cover to cover the opened portion by welding or the like afterwards. 212). The first housing 210 and the cover 212 are formed to have a width that can cover not only the gas inlet opening of the first housing 210 but also the inlet opening of the second housing 230 to surround the outside of the first housing 210. The gas inlet 214a is formed in the cover 212 of the first housing 210. In addition, a through hole 212a is provided at the center of the first housing 210 and the cover 212 so that one end of the body 221 and the heating wire 222 of the heater 220 come out.

상기 제2하우징(230)은 상기 제1하우징(210)의 외주면을 이격되게 감싸도록 좀 더 넓은 구경을 갖는 원통 형태의 부재이다. 상기 제2하우징(230)의 경우에도 제1하우징(210)과 마찬가지로 가스의 유입측이 개구된 상태로 형성되며 상기 제1하우징(210) 커버(212)에 의해 덮인다. 그리고 그 반대편 중앙에는 상기 제1하우징(210)의 가스 유출구(214b)가 관통될 수 있도록 통공이 형성된다. 이처럼 상기 제1하우징(210)을 이격되게 감싸는 제2하우징(230)이 구비되면 상기 히터(220)에서 발산되는 열이 외부로 방출되지 않도록 보온하는데 유리하다. 특히 상기 제1하우징(210)과 제2하우징(230) 사이 이격된 공간에 간편하게 보온재(241,242)를 설치하는 것이 가능해진다.The second housing 230 is a cylindrical member having a wider diameter so as to surround the outer circumferential surface of the first housing 210 spaced apart. In the case of the second housing 230, the inflow side of the gas is formed to be opened in the same manner as the first housing 210 and is covered by the cover of the first housing 210. In addition, a hole is formed at the center of the opposite side to allow the gas outlet 214b of the first housing 210 to pass therethrough. As such, when the second housing 230 surrounding the first housing 210 is spaced apart from each other, it is advantageous to keep the heat emitted from the heater 220 not to be discharged to the outside. In particular, it is possible to easily install the insulation 241,242 in the spaced space between the first housing 210 and the second housing 230.

상기 보온재(241,242)는 제1하우징(210)과 제2하우징(230)의 외주면 이격공간과 상기 제1하우징(210)과 제2하우징(230)의 가스 유출측의 이격공간에 각각 설 치된다. 상기 제1하우징(210)과 제2하우징(230)의 외주면 이격공간에는 넓은 판재 형태의 보온재(241)가 말린 형태로 삽입된다. 또한 상기 제1하우징(210)과 제2하우징(230)의 가스 유출측 이격공간에는 원판형의 보온재(242)가 삽입된다. 상기 원판형의 보온재(242) 중앙에는 상기 가스 유출구(214b)가 관통할 수 있도록 통공(242a)이 형성된다. 단, 상기 보온재(241,242)는 800℃ 내지 1000℃의 고온까지 견딜 수 있는 것이라면 시중에 판매되고 있는 것 중 어느 것이든 채택할 수 있다.The thermal insulation materials 241 and 242 are installed in the spaced apart spaces of the outer circumferential surface of the first housing 210 and the second housing 230 and the spaced spaces at the gas outlet side of the first housing 210 and the second housing 230, respectively. . Insulating space 241 of the wide plate shape is inserted in the dried space in the outer peripheral surface space space of the first housing 210 and the second housing 230. In addition, a disk-shaped insulating material 242 is inserted into the gas outlet side separation space of the first housing 210 and the second housing 230. A through hole 242a is formed at the center of the disk-shaped insulating material 242 so that the gas outlet 214b can pass therethrough. However, the insulating materials 241 and 242 may be any of those that are commercially available as long as they can withstand high temperatures of 800 ° C to 1000 ° C.

도 5를 참조하여 본 고안에 의한 가스 가열용 히팅장치의 동작을 간단히 설명하면 아래와 같다. 도 5는 본 고안에 의한 히팅장치 내부에서 가스의 흐름을 설명하기 위한 참조단면도이다.Referring to Figure 5 briefly describe the operation of the heating device for gas heating according to the present invention. 5 is a cross-sectional view for explaining the flow of gas in the heating apparatus according to the present invention.

먼저, 전열선(222)을 통해 전원이 인가되면 상기 히터(220)의 몸체(221)에 내장된 니크롬선(미도시됨)이 저항열을 발생하여 히터(220) 몸체(221) 및 가열핀(223)이 고온의 상태로 된다. First, when power is applied through the heating wire 222, the nichrome wire (not shown) built in the body 221 of the heater 220 generates resistance heat, thereby heating the heater 220 body 221 and the heating fin ( 223 becomes a high temperature state.

이후, 상기 제1하우징(210)의 가스 유입측에 구비된 가스 유입구(214a)를 통해 가열하고자 하는 가스가 챔버(210a) 내로 유입된다.Thereafter, the gas to be heated is introduced into the chamber 210a through the gas inlet 214a provided at the gas inlet side of the first housing 210.

이후, 챔버(210a)에 최초 유입된 가스는 도면의 화살표에 표기된 것처럼 나선형 가열핀(223)을 따라 나선을 그리면서 이동하여 계속해서 가열핀(223) 표면 및 히터(220) 몸체(221) 표면과 접촉하게 된다. 이 과정에서 가스와 히터(220)와의 열교환이 활발하게 일어나서 가스가 유출측으로 갈수록 점진적으로 가열되어진다. 이후, 히터(220)와의 접촉을 통해 최종적으로 가열된 가스는 가스 유출구(214b)를 통해 필요로 하는 고온의 상태로 유출된다. Thereafter, the gas first introduced into the chamber 210a moves helically along the helical heating fin 223 as indicated by the arrow in the drawing, and continues to heat the heating fin 223 surface and the heater 220 body 221 surface. Contact with In this process, heat exchange between the gas and the heater 220 occurs actively, so that the gas is gradually heated toward the outlet side. Thereafter, the gas finally heated through the contact with the heater 220 flows out through the gas outlet 214b in a state of high temperature required.

이때 상기 챔버(210a) 내에서 발생된 열은 제1하우징(210) 내벽을 타고 외부로 방출되려는 경향이 있지만 상기 제1하우징(210)과 제2하우징(230) 사이에 삽입된 보온재(241,242)에 의해 차단되면서 쉽사리 방출되지 않으려는 보온 성향을 갖는다. 따라서 챔버(210a) 내부는 상당한 수준의 고온 상태를 용이하게 유지하면서 그 내부를 경유하는 가스를 효과적으로 가열할 수 있는 것이다 At this time, the heat generated in the chamber 210a tends to be discharged to the outside on the inner wall of the first housing 210, but the heat insulating material 241 and 242 inserted between the first housing 210 and the second housing 230. It is blocked by and has a heat retention tendency not to be easily released. Therefore, the inside of the chamber 210a can effectively heat the gas passing through the inside while easily maintaining a high level of high temperature.

이처럼 본 고안은 나선형의 가열핀(223)을 구비한 히터(220)에 의해 챔버(210a) 내부로 유입된 가스를 보다 넓은 가열면적으로 접촉하면서 효과적으로 가열할 수 있으며, 이로 인해 가스를 급속하게 가열하기 위해 복잡한 구성이 필요 없는 것이다.As such, the present invention can effectively heat the gas introduced into the chamber 210a by the heater 220 having the spiral heating fin 223 while contacting it with a larger heating area, thereby rapidly heating the gas. No complicated configuration is necessary to do this.

이상에서 본 고안의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 고안은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 고안은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 실용신안등록청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 고안의 범위를 한정하는 것이 아니다. While the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention may use various changes, modifications, and equivalents. It is clear that the present invention can be applied in the same manner by appropriately modifying the above embodiments. Therefore, the above description does not limit the scope of the present invention defined by the limits of the following utility model registration claims.

도 1은 본 고안에 의한 히팅장치를 채용한 질소가스 분사장치의 설치상태도.1 is an installation state of a nitrogen gas injection apparatus employing a heating apparatus according to the present invention.

도 2는 본 고안에 의한 히팅장치의 사시도.2 is a perspective view of a heating apparatus according to the present invention.

도 3은 본 고안에 의한 히팅장치의 구성을 설명하기 위한 분해사시도. Figure 3 is an exploded perspective view for explaining the configuration of the heating apparatus according to the present invention.

도 4는 본 고안에 의한 히팅장치의 종단면도.Figure 4 is a longitudinal sectional view of the heating apparatus according to the present invention.

도 5는 본 고안에 의한 히팅장치 내부에서 가스의 흐름을 설명하기 위한 참조단면도.Figure 5 is a cross-sectional view for explaining the flow of gas in the heating apparatus according to the present invention.

Claims (4)

유입되는 가스가 경유하여 유출되는 챔버를 구비하기 위해 중공의 원통 형태로 형성된 제1하우징과;A first housing formed in the shape of a hollow cylinder to provide a chamber through which incoming gas flows out; 상기 챔버에 설치되고, 상기 제1하우징에 대응하여 원통형으로 형성된 몸체 외주면에 나선형의 가열핀이 구비되어 상기 챔버에 유입된 가스가 상기 가열핀을 따라 흐르면서 가열되도록 한 나선형 히터를 포함하여 구성되는 가스 가열용 히팅장치.A gas provided in the chamber and having a spiral heating fin provided on an outer circumferential surface of the body corresponding to the first housing so that the gas introduced into the chamber is heated while flowing along the heating fin; Heating device for heating. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1하우징의 외주면을 이격되게 감싸는 제2하우징이 더 구비되고, A second housing is further provided surrounding the outer circumferential surface of the first housing, 상기 제1하우징과 제2하우징의 이격공간에는 보온재가 삽입되는 것을 특징으로 하는 가스 가열용 히팅장치.Gas heating device, characterized in that the insulation is inserted into the space between the first housing and the second housing. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 제1하우징의 가스 유출측도 제2하우징이 이격되게 감싸며 상기 가스 유출측 이격공간에도 보온재가 삽입되는 것을 특징으로 하는 가스 가열용 히팅장치.The gas outlet side of the first housing also surrounds the second housing spaced apart, the heating device for gas heating, characterized in that the insulation is inserted into the gas outlet side space.
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