KR20040098146A - Cap used to check leak of semiconductor manufacturing equipment - Google Patents

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KR20040098146A
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Abstract

PURPOSE: A leak checking cap of semiconductor manufacturing equipment is provided to check easily the leak of a flange and a sealing cap by installing the same between the flange and the sealing cap. CONSTITUTION: A bit of semiconductor manufacturing equipment includes a vertical furnace(110), a sealing cap, a flange, a sealing cap transfer apparatus(140), and a leak checking cap. The sealing cap(130) is used for sealing selectively a lower portion of the furnace and loading a wafer boat. The flange(120) for supplying reaction gas into the furnace and exhausting the reaction gas from the furnace is installed between the furnace and the sealing cap. The leak checking cap(180) includes a cap body(181) between the flange and the sealing cap, and a sealing member(184) for sealing a lower portion of the flange.

Description

반도체 제조설비의 리크체크용 캡{Cap used to check leak of semiconductor manufacturing equipment}Cap used to check leak of semiconductor manufacturing equipment

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정 프로세스가 진행되는 종형로나 이 종형로를 선택적으로 밀폐시켜주는 밀봉캡 등에서 리크(Leak)가 발생되는지의 여부를 간편하게 확인할 수 있는 반도체 제조설비의 리크체크용 캡에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility that can easily check whether a leak occurs in a vertical furnace in which a predetermined process is performed or a sealing cap selectively sealing the vertical furnace. It relates to a leak check cap.

일반적으로 반도체 제조용 웨이퍼는 사진공정, 이온확산공정, 식각공정, 박막증착공정 등 다수의 단위공정들을 반복적으로 수행하여 반도체 장치인 칩(Chip)으로 제조된다.In general, a semiconductor manufacturing wafer is manufactured as a chip, a semiconductor device, by repeatedly performing a plurality of unit processes such as a photo process, an ion diffusion process, an etching process, and a thin film deposition process.

이와 같은 다수의 공정 중에서 박막증착공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 소정 두께의 박막을 형성 또는 증착하는 공정으로 박막증착방법에 따라 크게 물리기상증착방법과 화학기상증착방법으로 나누어지는데, 최근에는 기체상태의 화합물을 분해한 다음 소정 화학적 반응에 의해 웨이퍼 상에 소정 두께의 박막을 증착하는 화학기상증착방법이 널리 사용되고 있다.Among these processes, the thin film deposition process is a process of forming or depositing a thin film having a predetermined thickness on a wafer. The thin film deposition process is classified into a physical vapor deposition method and a chemical vapor deposition method according to the thin film deposition method. Chemical vapor deposition is widely used to decompose a compound of and deposit a thin film having a predetermined thickness on a wafer by a predetermined chemical reaction.

특히, 이러한 화학기상증착방법은 다시 박막을 증착시키기 위해서 화학 반응이 발생되는 조건 즉 압력과 온도 및 주입되는 에너지에 따라 크게 세가지로 나누어지는데, 이는 대기압에서 화학기상증착이 이루어지는 AP CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)와, 저압에서 화학기상증착이 이루어지는 LP CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및, 저압상태에서 플라즈마에 의해 화학기상증착이 이루어지는 PE CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등이다.In particular, the chemical vapor deposition method is classified into three types according to the conditions under which chemical reactions occur, that is, pressure, temperature, and injected energy, in order to deposit a thin film again, which is called AP CVD (Atmospheric Pressure Chemical). Vapor Deposition, Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LP CVD) where chemical vapor deposition is performed at low pressure, and Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PE CVD) where chemical vapor deposition is performed by plasma at low pressure.

여기에서, LP CVD 방법 같은 경우 주로 종형로를 포함하는 반도체 제조설비를 이용하여 웨이퍼 상에 소정 박막을 증착하게 되는 바, 이하에서는 종래 종형로를 포함하는 반도체 제조설비의 일예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, in the case of the LP CVD method, a predetermined thin film is deposited on a wafer using a semiconductor manufacturing equipment including a vertical furnace. Hereinafter, an example of a semiconductor manufacturing apparatus including a conventional vertical furnace will be described in detail. Same as

즉, 종래 LP CVD 방법으로 박막을 증착하는 반도체 제조설비는 크게 박막증착이 이루어지며 히터(Heater)가 장착된 종형로와, 종형로의 하측단을 선택적으로 밀폐시켜주며 박막증착될 웨이퍼가 안착되는 밀봉캡과, 종형로와 밀봉캡 사이에 개재되며 종형로 내부로의 반응가스(Gas) 유입 및 종형로 내부의 반응가스를 외부로의 유출 등을 가능하게 해주는 플랜지(Flange)와, 밀봉캡이 종형로를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 밀봉캡을 상하이동시켜주는 밀봉캡 이송장치와, 종형로 내부로 반응가스를 공급해주는 반응가스 공급장치와, 종형로 내부의 반응가스 등을 외부로 배출시켜주어 종형로의 내부압력을 유지시켜주는 종형로 압력유지장치 및, 반도체 제조설비를 전반적으로 제어해주는 중앙제어장치를 포함하여 구성된다.That is, the semiconductor manufacturing equipment for depositing thin films by the conventional LP CVD method is largely thin film deposition, the vertical furnace equipped with a heater (heater), and selectively seals the lower end of the vertical furnace and the wafer to be deposited thin film is deposited A sealing cap, a flange, which is interposed between the vertical furnace and the sealing cap and enables inflow of the reaction gas (Gas) into the longitudinal furnace and outflow of the reactive gas inside the longitudinal furnace to the outside, and a sealing cap Sealing cap conveying device which moves sealing cap to move the cap vertically to selectively seal the bell furnace, reaction gas supply device which supplies the reaction gas into the bell furnace, and discharges the reaction gas inside the bell furnace to the outside The vertical furnace pressure maintaining device for maintaining the internal pressure of the vertical furnace, and the central control unit for the overall control of the semiconductor manufacturing equipment.

따라서, 종래 반도체 제조설비의 밀봉캡에 다수의 웨이퍼가 정렬되어 안착되면, 밀봉캡 이송장치는 밀봉캡을 상측으로 이동시켜주어 웨이퍼를 종형로 내부로 유입시키게 되고 웨이퍼의 유입완료후에는 종형로를 밀폐시켜주게 된다.Therefore, when a plurality of wafers are aligned and seated on a sealing cap of a conventional semiconductor manufacturing facility, the sealing cap conveying apparatus moves the sealing cap upwards to introduce the wafer into the vertical furnace and after the inflow of the wafer, It will be sealed.

그리고, 종형로가 밀폐완료되면, 반응가스 공급장치는 웨이퍼 상에 나이트라이드(Nitride) 막질과 같은 소정 박막이 증착되도록 NH3와 SiH2Cl2와 같은 반응가스를 공급해주게 되고, 히터는 종형로 내부를 소정온도로 히팅시켜주게 되며, 종형로 압력유지장치는 공급되는 반응가스가 원활한 반응을 일으킬 수 있도록 종형로의 내부압력을 40 파스칼(Pascal,newton/㎡)과 같은 소정압력으로 유지시켜주게 된다.이에, 종형로 내부로 유입된 다수의 웨이퍼 상에는 나이트라이드(Nitride)와 같은 소정 박막이 증착되어지는 것이다.When the vertical furnace is closed, the reaction gas supply device supplies the reaction gas such as NH 3 and SiH 2 Cl 2 so that a predetermined thin film such as nitride film is deposited on the wafer, and the heater is vertical. It heats the inside to a predetermined temperature, and the vertical furnace pressure holding device maintains the internal pressure of the vertical furnace at a predetermined pressure such as 40 Pascal (newton / ㎡) so that the reaction gas supplied can be smoothly reacted. In this way, a predetermined thin film such as nitride is deposited on a plurality of wafers introduced into the vertical furnace.

이때, 이와 같은 종래 반도체 제조설비로 공정을 수행함에 있어서, 종형로 내부에서 원활한 공정이 수행되려면 종형로 내부의 온도와 압력이 반응에 필요한 적정 압력과 적정 온도로 유지되어야 한다.At this time, in performing the process with the conventional semiconductor manufacturing equipment, in order to perform a smooth process inside the vertical furnace, the temperature and pressure inside the vertical furnace must be maintained at the appropriate pressure and the appropriate temperature required for the reaction.

따라서, 온도, 압력, 가스량을 유지시켜 주는 프로그램에 의해서 프로세서가 진행이 되고, 리크 측정하는 내용도 프로세서에 기재가 되어 있다. 이에 리크 측정시 리크가 2 파스칼 이상이면 리크 포인트(Leak point)를 규명하여 이를 개선하게 된다.Therefore, the processor proceeds with a program that maintains the temperature, pressure, and gas amount, and the contents of the leak measurement are described in the processor. In the case of leak measurement, if the leak is more than 2 pascals, the leak point is identified and improved.

즉, 작업자는 이러한 리크 포인트가 종형로 압력유지장치에 있는지 또는 밀봉캡에 있는지 아니면 플랜지에 있는지 등의 여부를 확인하게 된다.In other words, the operator checks whether the leak point is in the vertical pressure holding device, the sealing cap or the flange.

따라서, 작업자는 종형로 압력유지장치나 밀봉캡이나 플랜지 등을 각각 새것으로 교체해봄으로써 리크 포인트가 어느 부분에서 발생되었는지를 확인하게 되며, 이 리크 포인트가 발견될 경우 즉시 이를 개선함으로써 원활한 공정을 수행하게 된다.Therefore, the operator checks where the leak point is generated by replacing the pressure holding device, the sealing cap or the flange with a new one in the vertical furnace, and if the leak point is found, it immediately improves and performs a smooth process. Done.

그러나, 이와 같은 종래 반도체 제조설비 중에서 플랜지와 밀봉캡 등은 5∼60kg 정도로 다소 무겁기 때문에 작업자가 이를 교체하면서 리크 포인트를 체크하기 위해서는 많은 시간이 소요되어지는 문제점이 발생되며, 이러한 많은 작업시간은 다시 반도체 제조설비를 장시간 동안 다운시켜야 하는 문제점으로 이어지게 된다.However, since the flange and the sealing cap of the conventional semiconductor manufacturing equipment, such as 5 ~ 60kg is somewhat heavy, there is a problem that takes a lot of time to check the leak point while the operator replaces this, many of these work time again This leads to a problem of downtime of semiconductor manufacturing equipment for a long time.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 플랜지와 밀봉캡 등의 리크 여부를 보다 간편하게 확인할 수 있는 반도체 제조설비의 리크체크용 캡을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a leak check cap of a semiconductor manufacturing facility which can more easily check whether or not a leak such as a flange and a sealing cap.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 개략적으로 도시한 구성도.1 is a schematic view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 반도체 제조설비에 리크체크용 캡을 장착한 것을 도시한 구성도.FIG. 2 is a block diagram showing a leak check cap mounted on the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG. 1; FIG.

도 3은 본 발명에 따른 리크체크용 캡을 도시한 사시도.Figure 3 is a perspective view of the leak check cap according to the present invention.

도 4는 도 3에 도시한 리크체크용 캡의 일부절개 사시도.Figure 4 is a partially cutaway perspective view of the leak check cap shown in FIG.

**** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ******** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ****

110 : 반응튜브 120 : 플랜지110: reaction tube 120: flange

130 : 밀봉캡 140 : 밀봉캡 이송장치130: sealing cap 140: sealing cap feeder

163 : 드라이 펌프 167 : 벨로우즈163 dry pump 167 bellows

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조설비의 리크체크용 캡은 밀폐된 공간이 구비되어 소정 프로세스가 진행되는 종형로와, 종형로의 하측단을 선택적으로 밀폐시켜주며 다수의 웨이퍼가 안착된 웨이퍼 보트가 안착되도록 보트 안착대가 장착된 밀봉캡과, 종형로와 상기 밀봉캡 사이에 개재되며 종형로 내부로 반응가스를 공급되게 하고 종형로 내부의 반응가스를 외부로 배출되게 하는 플랜지와, 밀봉캡이 종형로를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 밀봉캡을 상하이동시켜주는 밀봉캡 이송장치를 포함하는 반도체 제조설비에 있어서, 상기 플랜지와 상기 밀봉캡 사이에 개재되며 상기 플랜지의 하측단에 끼워지는 캡 몸체와, 상기 캡 몸체의 가장자리 부분에 장착되며 상기 플랜지의 하측단을 밀폐시켜주는 실링부재로 구성되는 것을 특징으로 한다.Leak check cap of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention for achieving the above object is provided with a closed space is a vertical furnace for a predetermined process, and selectively seals the lower end of the vertical furnace and a plurality of wafers are seated A sealing cap equipped with a boat seat for seating the wafer boat, a flange interposed between the vertical furnace and the sealing cap, and a flange for supplying the reaction gas into the longitudinal furnace and discharging the reaction gas inside the longitudinal furnace to the outside; A semiconductor manufacturing facility comprising a sealing cap transfer device for moving a sealing cap to move the cap to selectively seal the vertical furnace, wherein the cap is interposed between the flange and the sealing cap and fitted to a lower end of the flange. Body and a sealing member mounted to an edge portion of the cap body to seal the lower end of the flange. And a gong.

이때, 상기 캡 몸체의 중앙 부분에는 상기 보트 안착대가 끼워지도록 상측으로 소정높이 돌출되고 하면이 개구된 원통형상의 끼움부가 형성되고, 상기 캡 몸체의 가장자리 부분에는 상기 실링부재가 끼워지도록 끼움홈이 형성됨이 바람직하다.At this time, the central portion of the cap body protrudes a predetermined height to the upper side so that the boat seat is fitted, and a cylindrical fitting portion having an open lower surface is formed, and an insertion groove is formed at the edge portion of the cap body so that the sealing member is fitted. desirable.

또한, 상기 실링부재는 O-링(Ring)임이 바람직하다.In addition, the sealing member is preferably an O-ring (Ring).

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조설비(100)의 일실시예를구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus 100 according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

먼저 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예인 반도체 제조설비(100)는 크게 박막증착이 이루어지는 종형로(110)와, 종형로(110)의 하측단을 선택적으로 밀폐시켜주는 밀봉캡(130)과, 종형로(110)와 밀봉캡(130) 사이에 개재되며 종형로(110) 내부로의 반응가스 유입 및 종형로(110) 내부의 반응가스를 외부로의 유출 등을 가능하게 해주는 플랜지(120)와, 밀봉캡(130)이 종형로(110)를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 밀봉캡(130)을 상하이동시켜주는 밀봉캡 이송장치(140)와, 종형로(110) 내부로 반응가스를 공급해주는 반응가스 공급장치(미도시)와, 종형로(110) 내부의 반응가스 등을 외부로 배출시켜주어 종형로(110)의 내부압력을 유지시켜주는 종형로 압력유지장치(160) 및, 반도체 제조설비(100)를 전반적으로 제어해주는 중앙제어장치(미도시)를 포함하여 구성된다.First, referring to FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention has a vertical type furnace 110 in which thin film deposition is large, and a sealing cap 130 for selectively sealing a lower end of the vertical type furnace 110. And a flange interposed between the vertical furnace 110 and the sealing cap 130 to enable inflow of the reaction gas into the longitudinal furnace 110 and the outflow of the reaction gas into the outside of the longitudinal furnace 110. 120, the sealing cap 130 and the sealing cap transfer device 140 for moving the sealing cap 130 to move so as to selectively seal the vertical furnace 110, the reaction inside the vertical furnace 110 Reactive gas supply device (not shown) for supplying gas, and vertical furnace pressure maintaining device 160 for maintaining the internal pressure of the vertical furnace 110 by discharging the reaction gas inside the vertical furnace 110 to the outside And a central control unit (not shown) for overall control of the semiconductor manufacturing facility 100.

보다 구체적으로 설명하면, 종형로(110)는 돔(Dome)형상으로 형성된 이너 튜브(Inner tube,미도시)와, 이러한 이너 튜브의 외측을 감싸주는 아웃터 튜브(Outer tube,114) 및, 아웃터 튜브(114)의 외벽에 장착되며 박막증착이 이루어지도록 튜브 내부를 히팅시켜주는 히터(미도시)로 구성되며, 웨이퍼(미도시) 상에 소정 박막이 증착되도록 밀폐된 공간을 제공해주는 역할 및 원활한 박막증착공정이 수행되도록 밀폐된 공간 내부를 적정온도로 히팅(Heating)시켜주는 역할 등을 수행한다.More specifically, the vertical furnace 110 includes an inner tube (not shown) formed in a dome shape, an outer tube 114 covering the outside of the inner tube, and an outer tube. It is mounted on the outer wall of the 114 and consists of a heater (not shown) that heats the inside of the tube to form a thin film, and serves to provide a closed space to deposit a predetermined thin film on the wafer (not shown) and a smooth thin film It plays a role of heating the inside of the closed space to a proper temperature so that the deposition process is performed.

그리고, 밀봉캡(130)은 앞에서 설명한 바와 같이 종형로(110)의 하측단을 선택적으로 밀폐시켜주는 역할을 수행하는데, 이러한 밀폐역할 외에도 다수의 웨이퍼를 종형로(110) 즉, 이너 튜브의 내부로 유입시켜주는 역할을 수행한다. 이에, 밀봉캡(130)의 상면 중앙부분에는 다수의 웨이퍼가 웨이퍼 보트(Boat,미도시)에 정렬되어 안착될 수 있도록 보트 안착대(136)가 장착되며, 밀봉캡(130)의 상면 가장자리부분에는 종형로(110)를 밀폐시킬수 있도록 O-링(134)이 장착된다.In addition, the sealing cap 130 serves to selectively seal the lower end of the longitudinal furnace 110 as described above, in addition to the sealing role, a plurality of wafers in the longitudinal furnace 110, that is, the inner tube It plays a role of inflow to. Thus, a boat seating stand 136 is mounted at the center of the upper surface of the sealing cap 130 so that a plurality of wafers can be aligned and seated on a wafer boat (not shown), and the upper edge of the sealing cap 130 is mounted. The O-ring 134 is mounted to seal the longitudinal furnace 110.

또한, 플랜지(120)는 종형로(110)와 밀봉캡(130) 사이에 개재되어 종형로(110) 내부로의 반응가스 유입 및 종형로(110) 내부의 반응가스를 외부로의 유출 등을 가능하게 해주는 역할을 수행하는 바, 플랜지(120)의 일측에는 종형로(110) 내부로 반응가스가 유입될 수 있도록 반응가스 공급장치와 연통된 유입구(미도시)가 형성되며, 플랜지(120)의 타측에는 종형로(110) 내부의 반응가스를 외부로 유출시킬 수 있도록 종형로 압력유지장치(160)와 연통된 배출구(125)가 형성된다.In addition, the flange 120 is interposed between the vertical furnace 110 and the sealing cap 130 to prevent the inflow of the reaction gas into the interior of the longitudinal furnace 110 and the outflow of the reaction gas in the longitudinal furnace 110 to the outside. The bar serves to enable the bar, one side of the flange 120 is formed with an inlet (not shown) in communication with the reaction gas supply device so that the reaction gas is introduced into the vertical furnace 110, the flange 120 On the other side of the outlet 110 is formed in communication with the vertical furnace pressure holding device 160 to allow the reaction gas in the vertical furnace 110 to flow to the outside.

한편, 밀봉캡 이송장치(140)는 밀봉캡(130)이 종형로(110)를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 밀봉캡(130)을 상하이동시켜주는 역할을 수행하는 바, 일정방향으로 나선이 형성되며 상하방향으로 배치된 리드 스크류(Lead screw,142)와, 이 리드 스크류(142)에 일측단부가 결합되고 타측단부는 밀봉캡(130)의 일측면에 장착되며 리드 스크류(142)의 회전에 따라 밀봉캡(130)을 상하로 이동되게 하는 유동너트유닛(Nut unit,144) 및, 밀봉캡(130)이 종형로(110)를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 공정진행에 따라 리드 스크류(142)를 일측방향 또는 타측방향으로 회전시켜주는 구동모터(Motor,146)로 구성된다.On the other hand, the sealing cap conveying device 140 serves to cause the sealing cap 130 to move up and down so that the sealing cap 130 can selectively seal the vertical path 110, the spiral is formed in a predetermined direction Lead screws (142) disposed in the vertical direction, one end is coupled to the lead screw 142, the other end is mounted on one side of the sealing cap 130 and the rotation of the lead screw 142 According to the progress of the process so that the sealing nut 130 (Nut unit, 144) to move the sealing cap 130 up and down, and the sealing cap 130 to selectively seal the vertical furnace (110) It consists of a drive motor (Motor, 146) for rotating in one direction or the other direction.

또, 종형로(110)의 내부압력을 유지시켜주는 종형로 압력유지장치(160)는 종형로(110) 내부의 반응가스 등을 외부로 배출시켜주어 종형로(110)의 내부압력을유지시켜주는 역할을 하는 바, 종형로(110)의 플랜지(120)에 연결되어 종형로(110) 내부의 반응가스를 외부로 배출시켜주는 드라이 펌프(Dry pump,163)와, 반응가스가 외부로 배출되도록 플랜지(120)와 드라이 펌프(163)를 연통시켜주는 배기배관(165) 및, 플랜지(120)와 배기배관(165) 사이 그리고 드라이 펌프(163)와 배기배관(165) 사이에 개재되어 배기배관(165)의 일정거리 유동에 따라서도 배기배관(165)이 분리되지 않도록 하는 벨로우즈(Bellows,167)로 구성된다.In addition, the vertical furnace pressure maintaining device 160 to maintain the internal pressure of the vertical furnace 110 discharges the reaction gas, etc. inside the vertical furnace 110 to the outside to maintain the internal pressure of the vertical furnace 110 Bar pump is connected to the flange 120 of the vertical furnace 110, the dry pump (163) for discharging the reaction gas in the vertical furnace 110 to the outside and the reaction gas is discharged to the outside Exhaust pipe 165 which communicates the flange 120 and the dry pump 163 so as to be discharged, and is interposed between the flange 120 and the exhaust pipe 165 and between the dry pump 163 and the exhaust pipe 165. The bellows 167 prevents the exhaust pipe 165 from being separated according to a certain distance flow of the pipe 165.

한편, 이와 같이 구성된 반도체 제조설비(100)의 플랜지(120)와 밀봉캡(130) 등의 리크 여부를 보다 간편하게 확인할 수 있도록 하는 반도체 제조설비(100)의 리크체크용 캡(180)을 도 2 내지 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 본 발명 반도체 제조설비(100)의 리크체크용 캡(180)은 도면에 도시된 바와 같이 플랜지(120)의 하측단에 끼워지는 캡 몸체(181)와, 이러한 캡 몸체(181)의 가장자리 부분에 장착되는 실링부재로 구성된다.Meanwhile, FIG. 2 illustrates a leak check cap 180 of the semiconductor manufacturing facility 100 so that the leakage of the flange 120 and the sealing cap 130 of the semiconductor manufacturing facility 100 configured as described above may be more easily confirmed. 4, the leak check cap 180 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 of the present invention may include a cap body 181 fitted to a lower end of the flange 120 as shown in the drawing. , It is composed of a sealing member mounted to the edge portion of the cap body 181.

구체적으로 설명하면, 캡 몸체(181)는 플랜지(120)의 하측단부에 끼워지도록 원반형상으로 형성되되, 상면 중앙부분에는 플랜지(120)의 내부로 소정높이만큼 끼워지는 끼움부(185)가 형성되고, 상면 가장자리부분에는 플랜지(120)를 포함한 종형로(110)를 밀폐시킬 수 있도록 실링부재가 끼워지는 끼움홈(182)이 형성된다.Specifically, the cap body 181 is formed in a disk shape to be fitted to the lower end of the flange 120, the upper portion is formed in the center portion of the fitting portion 185 is fitted into the inside of the flange 120 by a predetermined height The upper edge portion is provided with a fitting groove 182 into which the sealing member is fitted to seal the longitudinal furnace 110 including the flange 120.

여기에서, 캡 몸체(181)의 상면 중앙부분에 형성된 끼움부(185)는 상측방향으로 소정높이 돌출된 원통형상으로 형성되어지는데, 그 내부는 하측방향으로만 개구된 중공으로 이루어진다. 이때, 이와 같은 캡 몸체(181)에 하측으로만 개구된 원통형상의 끼움부(185)가 형성되는 이유는 이러한 리크체크용 캡(180)을 이용하여플랜지(120)와 밀봉캡(130) 등의 리크 여부를 체크할 경우 작업자는 리크체크용 캡(180)을 플랜지(120)와 밀봉캡(130)의 결합되는 사이에 개재시켜야 하는데, 이때, 밀봉캡(130) 상에는 소정 높이로 돌출된 보트 안착대(136)가 장착되는 바 이러한 보트 안착대(136)가 이 캡 몸체(181)에 형성된 끼움부(185)로 끼워질 수 있도록 하기 위함이다.Here, the fitting portion 185 formed at the center of the upper surface of the cap body 181 is formed in a cylindrical shape protruding a predetermined height in the upward direction, the inside is made of a hollow opened only in the downward direction. At this time, the reason why the cylindrical fitting portion 185 opened only downward in the cap body 181 is formed using the leak check cap 180 such as the flange 120 and the sealing cap 130. When checking whether there is a leak, the operator should interpose the leak check cap 180 between the flange 120 and the sealing cap 130, in which case, the boat seat protrudes to a predetermined height on the sealing cap 130 The base 136 is mounted to allow the boat seat 136 to be fitted into the fitting portion 185 formed in the cap body 181.

한편, 실링부재는 캡 몸체(181)의 가장자리 부분에 형성된 끼움홈(182)에 끼워져서 종형로(110)를 밀폐시키고 종형로(110)의 기밀을 유지하게 되는데, 이는 O-링(184)이나 원형 패킹(Packing) 등으로 구현가능하다. 이때, 본 발명에서는 O-링(184)으로 구현됨이 바람직하다.On the other hand, the sealing member is fitted to the fitting groove 182 formed in the edge portion of the cap body 181 to seal the vertical furnace 110 and to maintain the airtight of the longitudinal furnace 110, which is an O-ring 184 Or circular packing. At this time, in the present invention, it is preferably implemented by the O-ring 184.

이상에서, 미설명 부호 164는 드라이 펌프(163)의 유출구(164)를 도시한 것이다.In the above, reference numeral 164 denotes an outlet 164 of the dry pump 163.

이하, 이상과 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조설비(100)와 이에 사용되는 본 발명 리크체크용 캡(180)의 작용과 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effects of the semiconductor manufacturing equipment 100 according to the present invention configured as described above and the present invention leak check cap 180 used therein will be described in detail.

먼저, 선행공정을 수행한 웨이퍼가 웨이퍼 보트에 다수개 정렬되어 본 발명 밀봉캡(130)의 보트 안착대(136)에 안착되면, 밀봉캡 이송장치(140)는 구동모터(146)를 구동하여 밀봉캡(130)을 상측방향으로 이동시키게 된다.First, when a plurality of wafers subjected to the preceding process are aligned on the boat seat 136 of the sealing cap 130 according to the present invention, the sealing cap transfer device 140 drives the driving motor 146. The sealing cap 130 is moved upward.

이에 웨이퍼 보트에 다수개 정렬된 웨이퍼는 종형로(110) 내부로 모두 유입되어지고, 종형로(110)는 이러한 밀봉캡(130)에 의해 밀폐되어진다.Accordingly, a plurality of wafers arranged in the wafer boat are all introduced into the vertical furnace 110, and the vertical furnace 110 is sealed by the sealing cap 130.

이후, 종형로(110)가 밀폐완료되면, 반응가스 공급장치는 웨이퍼 상에 나이트라이드 막질과 같은 소정 박막이 증착되도록 NH3와 SiH2Cl2와 같은 반응가스를 공급해주게 되고, 히터는 종형로(110) 내부를 소정온도로 히팅시켜주게 되며, 종형로 압력유지장치(160)는 공급되는 반응가스가 원활한 반응을 일으킬 수 있도록 종형로(110)의 내부압력을 40 파스칼과 같은 소정압력으로 유지시켜주게 된다.Then, when the vertical furnace 110 is closed, the reaction gas supply device supplies a reaction gas such as NH 3 and SiH 2 Cl 2 so that a predetermined thin film such as nitride film is deposited on the wafer, and the heater is a vertical furnace. 110 to heat the inside to a predetermined temperature, the vertical furnace pressure holding device 160 maintains the internal pressure of the vertical furnace 110 at a predetermined pressure, such as 40 Pascal so that the reaction gas supplied smoothly I will let you.

이에, 종형로(110) 내부로 유입된 다수의 웨이퍼 상에는 나이트라이드와 같은 소정 박막이 증착되어지는 것이다.Therefore, a predetermined thin film such as nitride is deposited on the plurality of wafers introduced into the vertical furnace 110.

이때, 이와 같은 본 발명 반도체 제조설비(100)로 공정을 수행함에 있어서, 종형로(110) 내부에서 원활한 공정이 수행되려면 종형로(110) 내부의 온도와 압력이 반응에 필요한 적정 압력과 적정 온도로 유지되어야 한다. 왜냐하면, 종형로 내부에 미세한 틈새가 발생될 경우 O2등의 프로세서에 불필요한 가스가 유입이 되고 그에 따라 순수한 나이트라이드 막질이 형성되지 않으며 이는 곧, 제품의 불량을 야기하기 때문이다.At this time, in performing the process with the present invention semiconductor manufacturing equipment 100, in order to perform a smooth process in the vertical furnace 110, the temperature and pressure inside the vertical furnace 110 is the appropriate pressure and proper temperature required for the reaction Should be maintained. Because, when a small gap is generated in the vertical furnace, unnecessary gas is introduced into the processor such as O 2 , and thus pure nitride film is not formed, which causes product defects.

따라서, 종형로에 다량의 나이트라이드 막질을 제거하기 위해 예방보전 작업도 정규적으로 실시하며, 이 예방보전 작업후 체결시 체결불량에 따른 리크를 압력읽어 들이는 기기로 측정을 하고 양호하면 다시 정상 프로세서를 진행하게 된다. 또, 프로세서 프로그램 내에는 리크 측정항목이 들어 있어 한번 진행할때 마다 각 부분의 리크를 측정하게 된다.Therefore, in order to remove a large amount of nitride film in the vertical furnace, preventive maintenance work is also performed regularly, and after the preventive maintenance work, the device is pressure-readed for leaks due to poor fastening, and if it is satisfactory, it is again a normal processor. Will proceed. In addition, there is a leak measurement item in the processor program, and the leakage of each part is measured each time.

즉, 작업자는 이러한 리크 포인트가 종형로 압력유지장치(160)에 있는지 또는 밀봉캡(130)에 있는지 아니면 플랜지(120)에 있는지 등의 여부를 확인하기 위하여 배기배관(165)의 일측부분을 차단막으로 막아본 다음 종형로 압력유지장치(160)에서의 리크 포인트를 체크하게 되거나 밀봉캡(130)이나 플랜지(120) 등을 각각 새것으로 교체해본 다음 리크 포인트가 어느 부분에서 발생되었는지를 확인하게 되며, 이 리크 포인트가 발견될 경우 즉시 이를 개선함으로써 원활한 공정을 수행하게 된다.That is, the operator may block one side of the exhaust pipe 165 to check whether the leak point is in the vertical pressure maintaining device 160, the sealing cap 130, or the flange 120, etc. After checking the leakage point in the vertical pressure vessel holding device 160 or replace the sealing cap 130 or flange 120 each with a new one, and then check where the leak point occurred. As soon as this leak point is found, it can be improved immediately to perform a smooth process.

이때, 반도체 제조설비(100) 중에서 플랜지(120)와 밀봉캡(130) 등은 5∼60kg 정도로 다소 무겁기 때문에 이러한 플랜지(120)와 밀봉캡(130) 등을 직접 교체하면서 리크 포인트를 체크할 경우 종래와 같은 많은 시간이 소요되어지는 바, 본 발명에서는 이러한 시간을 대폭 단축하면서 보다 간편하게 체크할수 있도록 리크체크용 캡을 사용하게 된다.At this time, since the flange 120 and the sealing cap 130, etc. in the semiconductor manufacturing equipment 100 is somewhat heavy, such as 5 to 60kg, when checking the leak point while directly replacing the flange 120 and the sealing cap 130, etc. As much time is required as in the prior art, in the present invention, a leak check cap is used so that the time can be checked more easily.

이하, 본 발명 리크체크용 캡(180)의 사용방법 및 작용효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the method of using the leak check cap 180 and the effects of the present invention will be described in detail.

먼저, 작업자는 종형로(110)에 결합된 플랜지(120)로부터 밀봉캡(130)을 분리한 다음 플랜지(120)와 밀봉캡(130) 사이에 본 발명 리크체크용 캡(180)을 개재시키게 된다.First, the operator separates the sealing cap 130 from the flange 120 coupled to the longitudinal furnace 110, and then to interpose the leak check cap 180 of the present invention between the flange 120 and the sealing cap 130 do.

이후, 작업자는 밀봉캡 이송장치(140) 등을 이용하여 밀봉캡(130)을 종형로(110)에 결합된 플랜지(120)에 밀착시키게 된다. 이에 종형로(110)와, 플랜지(120)와, 리크체크용 캡(180)과, 밀봉캡(130) 등은 모두 밀폐되어 기밀상태를 유지하게 된다.Thereafter, the worker is in close contact with the flange 120 coupled to the longitudinal furnace 110 using the sealing cap transfer device 140 or the like. Accordingly, the vertical furnace 110, the flange 120, the leak check cap 180, the sealing cap 130, and the like are all sealed to maintain an airtight state.

이후, 작업자는 중앙제어장치를 이용하여 압력리크를 체크하게 되는 것이다.After that, the operator will check the pressure leak using the central control unit.

이때, 이와 같이 리크체크용 캡(180)을 플랜지(120)의 하단에 개재시킨 상태로 압력을 체크함에 있어서, 압력리크가 계속 발생된다면 작업자는 이러한 리크의 원인부분 즉, 리크 포인트가 밀봉캡(130)에는 있지 않고 밀봉캡(130)을 제외한 다른 부분 예를 들면 플랜지나 배기배관(165) 등에 있음을 알수 있게 된다.At this time, in checking the pressure with the leak check cap 180 interposed on the lower end of the flange 120, if the pressure leak continues to occur, the operator is responsible for the leak, that is, the leak point is the sealing cap ( 130 is found in other parts except for the sealing cap 130, for example, the flange or the exhaust pipe 165.

그리고, 이와 같이 리크체크용 캡(180)을 플랜지(120)의 하단에 개재시킨 상태로 압력을 체크함에 있어서, 압력리크가 발생되지 않는다면 작업자는 이러한 리크의 원인부분 즉, 리크 포인트가 밀봉캡(130)에 있음을 알게 된다. 따라서, 작업자는 이러한 밀봉캡(130)만을 수리하거나 새것으로 교체함으로써 압력리크를 빠르고 간편하게 복구할 수 있게되는 것이다.Then, in checking the pressure with the leak check cap 180 interposed on the lower end of the flange 120, if a pressure leak does not occur, the operator is responsible for the leak, that is, the leak point is a sealing cap ( 130). Therefore, the operator can repair the pressure leak quickly and simply by repairing or replacing only the sealing cap 130 with a new one.

이상에서, 본 발명은 도시된 특정실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the above, the present invention has been described with reference to the specific embodiments shown, but this is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and embodiments can be made therefrom. . Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 리크체크용 캡을 이용하여 플랜지를 포함한 종형로의 리크를 체크하게 되면, 단순히 본 발명 리크체크용 캡을 플랜지와 밀봉캡 사이에 개재시킨 상태로 리크 포인트를 체크할 수 있기 때문에 종래에 비하여 빠르고 간편하게 압력리크를 체크 및 개선할 수 있게 되는 효과가 있다.As described above, when the leak in the vertical furnace including the flange is checked by using the leak check cap of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the leak check cap of the present invention is simply interposed between the flange and the sealing cap. Since the low leak point can be checked, there is an effect that it is possible to check and improve the pressure leak more quickly and simply than in the related art.

이에, 종래와 같이 플랜지와 밀봉캡을 직접 교체하면서 리크 포인트를 체크함에 따른 시간을 대폭 축소할 수 있고, 장시간 반도체 제조설비를 다운시켜야 했던 종래 문제를 모두 해결하게 된다.Thus, the time required to check the leak point while directly replacing the flange and the sealing cap as in the prior art can be significantly reduced, and solves all the conventional problems that had to be down the semiconductor manufacturing equipment for a long time.

Claims (3)

밀폐된 공간이 구비되어 소정 프로세스가 진행되는 종형로와, 상기 종형로의 하측단을 선택적으로 밀폐시켜주며 다수의 웨이퍼가 안착된 웨이퍼 보트가 안착되도록 보트 안착대가 장착된 밀봉캡과, 상기 종형로와 상기 밀봉캡 사이에 개재되며 상기 종형로 내부로 반응가스를 공급되게 하고 상기 종형로 내부의 반응가스를 외부로 배출되게 하는 플랜지와, 상기 밀봉캡이 상기 종형로를 선택적으로 밀폐시킬 수 있도록 상기 밀봉캡을 상하이동시켜주는 밀봉캡 이송장치를 포함하는 반도체 제조설비에 있어서,A longitudinal cap having a closed space and a predetermined process in which a predetermined process is performed, a sealing cap equipped with a boat seat to selectively seal a lower end of the vertical mold, and to seat a wafer boat on which a plurality of wafers are seated; And a flange interposed between the sealing cap and supplying the reaction gas into the vertical furnace and discharging the reaction gas inside the vertical furnace to the outside, and the sealing cap to selectively seal the vertical furnace. In the semiconductor manufacturing equipment comprising a sealing cap transfer device for moving the sealing cap; 상기 플랜지와 상기 밀봉캡 사이에 개재되며 상기 플랜지의 하측단에 끼워지는 캡 몸체와, 상기 캡 몸체의 가장자리 부분에 장착되며 상기 플랜지의 하측단을 밀폐시켜주는 실링부재로 구성되는 반도체 제조설비의 리크체크용 캡.Leak of semiconductor manufacturing equipment comprising a cap body interposed between the flange and the sealing cap and fitted to the lower end of the flange, and a sealing member mounted to an edge of the cap body to seal the lower end of the flange. Check cap. 제 1항에 있어서, 상기 캡 몸체의 중앙 부분에는 상기 보트 안착대가 끼워지도록 상측으로 소정높이 돌출되고 하면이 개구된 원통형상의 끼움부가 형성되고, 상기 캡 몸체의 가장자리 부분에는 상기 실링부재가 끼워지도록 끼움홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 리크체크용 캡.According to claim 1, wherein the central portion of the cap body protrudes a predetermined height to the upper side so that the boat seat is fitted with a cylindrical fitting portion with a lower surface is formed, the edge portion of the cap body is fitted so that the sealing member is fitted A leak check cap of a semiconductor manufacturing equipment, characterized in that a groove is formed. 제 2항에 있어서, 상기 실링부재는 O-링인 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 리크체크용 캡.3. The leak check cap of a semiconductor manufacturing facility according to claim 2, wherein the sealing member is an O-ring.
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