KR20040095106A - Reflection and penetration type array substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A transflective array substrate is provided to split a unit pixel into left and right parts to maximize optical characteristics of a reflection mode and a transmission mode. CONSTITUTION: A transflective array substrate includes a gate line(110) transmitting a scan signal, a data line(130) transmitting a data signal, the first gate electrode(112T) extended from the gate line, and the first switching element(TFT1) having the first data electrode(132T) extended from the data line. The transflective array substrate further includes the second gate electrode(112R) extended from the gate line, the second switching element(TFT2) having the second data electrode(132R) extended from the data line, the first pixel electrode(160T) connected to the first drain electrode(134T) to transmit artificial light that transmits a liquid crystal layer, the second pixel electrode(160R) connected to the second drain electrode(134R), and a reflecting plate(170) formed on the second pixel electrode to reflect natural light that transmits the liquid crystal layer.

Description

반사-투과형 어레이 기판{REFLECTION AND PENETRATION TYPE ARRAY SUBSTRATE}Reflective-transparent array substrates {REFLECTION AND PENETRATION TYPE ARRAY SUBSTRATE}

본 발명은 반사-투과형 어레이 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 좌우 분할된 화소를 갖는 반사-투과형 어레이 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective-transmissive array substrate, and more particularly to a reflective-transmissive array substrate having left and right divided pixels.

일반적으로 반사-투과형 액정 표시 장치에 채용되는 어레이 기판은 도 1에 도시한 바와 같이, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(12)에 의해 정의되는 영역에 형성되는 하나의 픽셀 내에 자연광을 반사시키는 반사판(14)과 상기 백라이트(또는 인공광)를 투과시키는 투과창(16)을 구비하여 주변 광원이 어두울 때 백라이트를 점등시켜 투과 모드로 동작시키고, 주변 광원이 밝을 때 백라이트를 소등시켜 반사 모드로 동작시킨다.In general, an array substrate employed in a reflection-transmissive liquid crystal display device has a reflector that reflects natural light in one pixel formed in a region defined by the gate line 10 and the data line 12, as shown in FIG. 14 and a transmission window 16 for transmitting the backlight (or artificial light) to turn on the backlight when the ambient light is dark to operate in the transmission mode, and to turn off the backlight when the ambient light is bright to operate in the reflection mode. .

여기서, 상기 반사 모드에 의해 반사 효율과 투과 모드에 의한 투과 효율은 서로 상보(trade-off) 관계에 있으므로 하나의 화소 내에서 반사 모드와 투과 모드의 광학 특성을 모두 최대로 만족시킬 수는 없다. 하지만, 그 효율을 높이기 위해 다중 셀갭 방식이나 다중 구동 방식 등이 제안되고 있다.Here, since the reflection efficiency and the transmission efficiency by the transmission mode are complementary to each other by the reflection mode, the optical characteristics of the reflection mode and the transmission mode cannot be fully satisfied in one pixel. However, in order to increase the efficiency, a multi-cell gap method or a multiple driving method has been proposed.

상기 다중 셀갭 방식은 반사 영역과 투과 영역 각각의 셀갭을 서로 상이하게 하므로써, 반사 영역으로 입사된 광이 반사될 때의 광경로값과 투과 영역을 통해 투과되는 광경로값을 동일하게 맞추는 방식이다.In the multi-cell gap method, the cell gaps of the reflection areas and the transmission areas are different from each other, so that the light path values when the light incident on the reflection areas is reflected and the light path values transmitted through the transmission areas are equally matched.

또한, 상기 다중 구동 방식은 다중 셀갭 또는 단일 셀갭의 반사-투과 모드에서 반사 영역과 투과 영역을 서로 다른 전압으로 구동시킴으로써 광효율을 최대로 하는 방식이다.In addition, the multiple driving scheme maximizes the light efficiency by driving the reflection region and the transmission region at different voltages in the reflection-transmission mode of the multiple cell gap or the single cell gap.

하지만, 두 방식 모두 하나의 서브 화소 내에 반사 영역과 투과 영역의 경계가 존재하므로 상기한 경계부에서 프레임 내내 발생되는 빛샘 현상에 의해 화면상에 잔상이 발생하는 문제점이 있다.However, in both schemes, since a boundary between a reflection area and a transmission area exists in one sub-pixel, there is a problem in that an afterimage occurs on the screen due to a light leakage phenomenon occurring throughout the frame at the boundary.

또한, 반사 영역과 투과 영역 경계부에서는 액정 배향의 왜곡으로 인해 프레임 초기에 발생되는 회위(Disclination, 이하 디스클리네이션) 현상의 방지를 위해 설계 여유분을 확보해야하는 문제점이 있다.In addition, in the boundary between the reflection area and the transmission area, there is a problem in that a design margin must be secured in order to prevent a disclination phenomenon occurring at the beginning of the frame due to distortion of the liquid crystal alignment.

이에 본 발명의 기술과 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 단위 화소를 좌우로 분할시켜 반사 모드와 투과 모드의 광학 특성을 최대화하기 위한 반사-투과형 어레이 기판을 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made in an effort to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a reflection-transmissive array substrate for maximizing optical characteristics of a reflection mode and a transmission mode by dividing a unit pixel from side to side. will be.

도 1은 일반적인 반사-투과형 어레이 기판을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general reflection-transmissive array substrate.

도 2는 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

도 3a는 상기한 도 2의 A-A'으로 절단한 단면도를, 도 3b는 상기한 도 2의 B-B'으로 절단한 단면도를 각각 도시한다.3A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 2.

도 4는 상기한 도 2의 반사-투과형 어레이 기판을 채용하는 반사-투과형 액정 표시 장치의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a diagram for describing an equivalent circuit of the reflection-transmissive liquid crystal display device employing the reflection-transmission array substrate of FIG. 2.

도 5는 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판의 화소 배치의 일례를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining an example of pixel arrangement of a reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판의 화소 배치의 다른 일례를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining another example of the pixel arrangement of the reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 게이트 라인 120 : 제1 게이트 절연막110: gate line 120: first gate insulating film

130 : 데이터 라인 TFT1, TFT2 : 스위칭 소자130: data line TFT1, TFT2: switching element

140 : 패시베이션막 150 : 유기막140: passivation film 150: organic film

160T : 제1 화소 전극 160R : 제2 화소 전극160T: first pixel electrode 160R: second pixel electrode

170 : 반사판 GL : 게이트 라인170: reflector GL: gate line

DL : 데이터 라인DL: data line

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 반사-투과형 어레이 기판은, 액정층을 투과하는 인공광과 자연광을 이용하여 화상을 표시하는 액정 표시 장치에 채용되는 반사-투과형 어레이 기판에서, 스캔 신호를 전달하는 게이트 라인; 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인; 상기 게이트 라인으로부터 연장된 제1 게이트 전극과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 제1 데이터 전극을 갖는 제1 스위칭 소자; 상기 게이트 라인으로부터 연장된 제2 게이트 전극과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 제2 데이터 전극을 갖는 제2 스위칭 소자; 상기 제1 스위칭 소자의 제1 드레인 전극과 연결되어, 상기 인공광을 투과하는 제1 화소 전극; 상기 제2 스위칭 소자의 제2 드레인 전극과 연결된 제2 화소 전극; 및 상기 제2 화소 전극 위에 형성되어, 상기 자연광을 반사하는 반사판을 포함하여 이루어진다.The reflection-transmissive array substrate according to one feature for realizing the object of the present invention described above is a reflection-transmission array substrate that is employed in a liquid crystal display device for displaying an image using artificial light and natural light passing through the liquid crystal layer, A gate line transferring a scan signal; A data line carrying a data signal; A first switching element having a first gate electrode extending from the gate line and a first data electrode extending from the data line; A second switching element having a second gate electrode extending from the gate line and a second data electrode extending from the data line; A first pixel electrode connected to the first drain electrode of the first switching element and transmitting the artificial light; A second pixel electrode connected to a second drain electrode of the second switching element; And a reflector formed on the second pixel electrode to reflect the natural light.

이러한 반사-투과형 어레이 기판에 의하면, 데이터 라인을 기준으로 단위 화소를 좌우로 2개의 서브 화소로 분할하고, 분할된 서브 화소 각각에 스위칭 소자를 구비하므로써 반사 모드와 투과 모드의 광학 특성을 최대화할 수 있다.According to such a reflection-transmissive array substrate, the unit pixel is divided into two sub-pixels from side to side based on the data line, and each of the divided sub-pixels has a switching element to maximize the optical characteristics of the reflection mode and the transmission mode. have.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판은 게이트 라인(110), 데이터 라인(130), 상기 게이트 라인(110)을 기준으로 일방향으로 형성된 제1 스위칭 소자(TFT1), 상기 게이트 라인(110)을 기준으로 타방향으로 형성된 제2 스위칭 소자(TFT2), 제1 스위칭 소자(TFT1)와 전기적으로 연결된 제1 화소 전극(160T), 제2 스위칭 소자(TFT2)와 전기적으로 연결된 제2 화소 전극(160R) 및 제2 화소 전극(160R) 위에 형성된 반사판(170)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the reflective-transmissive array substrate according to the present invention may include a first switching element TFT1 formed in one direction based on the gate line 110, the data line 130, and the gate line 110, and the gate. A second switching element TFT2 formed in the other direction based on the line 110, a first pixel electrode 160T electrically connected to the first switching element TFT1, and a second switching element TFT2 electrically connected to the second switching element TFT2. The reflective plate 170 is formed on the second pixel electrode 160R and the second pixel electrode 160R.

게이트 라인(110)은 기판(미도시)상에 가로 방향으로 신장되어, 스캔 신호를 제1 스위칭 소자(TFT1) 및 제2 스위칭 소자(TFT2)에 각각 전달한다.The gate line 110 extends in a horizontal direction on a substrate (not shown), and transmits a scan signal to the first switching element TFT1 and the second switching element TFT2, respectively.

데이터 라인(130)은 상기 기판상에 세로 방향으로 신장되어, 데이터 신호를 제1 스위칭 소자(TFT1) 및 제2 스위칭 소자(TFT2)에 각각 전달한다.The data line 130 extends in the vertical direction on the substrate, and transmits a data signal to the first switching element TFT1 and the second switching element TFT2, respectively.

제1 스위칭 소자(TFT1)는 상기 게이트 라인(110)으로부터 연장된 제1 게이트전극(112T)과, 상기 데이터 라인(130)으로부터 연장된 제1 데이터 전극(132T)과, 상기 제1 데이터 전극(132T)으로부터 일정 간격 이격된 제1 드레인 전극(134T)을 구비하여, 제1 화소 전극(160T)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 액티브층이나 상기 액티브층 위에 형성된 반도체층은 그 도시를 생략한다.The first switching element TFT1 includes a first gate electrode 112T extending from the gate line 110, a first data electrode 132T extending from the data line 130, and the first data electrode ( A first drain electrode 134T spaced apart from the 132T by a predetermined interval is electrically connected to the first pixel electrode 160T. Here, the illustration of the active layer or the semiconductor layer formed on the active layer is omitted.

제2 스위칭 소자(TFT2)는 상기 게이트 라인(110)으로부터 연장된 제2 게이트 전극(112R)과, 상기 데이터 라인(130)으로부터 연장된 제2 데이터 전극(132R)과, 상기 제2 데이터 전극(132R)으로부터 일정 간격 이격된 제2 드레인 전극(134R)을 구비하여, 제2 화소 전극(160R)과 전기적으로 연결된다. 액티브층이나 상기 액티브층 위에 형성된 반도체층은 그 도시를 생략한다.The second switching element TFT2 may include a second gate electrode 112R extending from the gate line 110, a second data electrode 132R extending from the data line 130, and the second data electrode ( The second drain electrode 134R is spaced apart from the 132R by a predetermined distance, and is electrically connected to the second pixel electrode 160R. The illustration of the active layer or the semiconductor layer formed on the active layer is omitted.

제1 화소 전극(160T)은 상기 제1 스위칭 소자(TFT1)의 제1 드레인 전극(134T)과 연결되어, 하부로부터 제공되는 인공광을 투과하고, 제1 스위칭 소자(TFT1)를 경유하는 데이터 신호를 제공받는다. 상기한 데이터 신호에 의해 향후 형성하게되는 컬러 필터 기판과의 전위차를 유발하고, 상기 유발된 전위차는 액정층 양단에 인가되어 상기한 인공광을 투과시킨다.The first pixel electrode 160T is connected to the first drain electrode 134T of the first switching element TFT1 to transmit artificial light provided from the bottom, and transmits a data signal through the first switching element TFT1. Are provided. The above-mentioned data signal causes a potential difference with the color filter substrate to be formed in the future, and the induced potential difference is applied across the liquid crystal layer to transmit the artificial light.

제2 화소 전극(160R)은 상기 제2 스위칭 소자(TFT2)의 제2 드레인 전극(134R)과 연결되어, 제2 스위칭 소자(TFT2)를 경유하는 데이터 신호를 제공받고, 반사판(170)은 제2 화소 전극(160R) 위에 형성되어, 상부로부터 제공되는 자연광을 반사한다. 상기한 데이터 신호에 의해 향후 형성하게 되는 컬러 필터 기판과의 전위차를 유발하고, 상기 유발된 전위차는 액정층 양단에 인가되어 상기한 자연광을 투과시킨다.The second pixel electrode 160R is connected to the second drain electrode 134R of the second switching element TFT2 to receive a data signal via the second switching element TFT2, and the reflector 170 is formed of a second pixel electrode 160R. It is formed on the two pixel electrode 160R and reflects the natural light provided from the top. The data signal causes a potential difference with the color filter substrate to be formed in the future, and the induced potential difference is applied across the liquid crystal layer to transmit the above natural light.

이상에서 설명한 바와 같이, 통상적인 단위 화소 구조처럼 화소의 좌측 끝에 데이터 라인을 배치하는 하지 않고, 단위 화소 내부에 데이터 라인이 지나도록 하여 단위 화소를 2개의 서브 화소로 분할하고, 분할된 서브 화소 각각을 구동하는 스위칭 소자를 형성한다.As described above, instead of disposing a data line at the left end of a pixel as in a conventional unit pixel structure, the unit pixel is divided into two subpixels by passing a data line inside the unit pixel, and each of the divided subpixels. To form a switching element for driving.

이중 하나의 스위칭 소자는 투과 전용 서브 화소에 연결되는 스위칭 소자이고, 다른 하나의 스위칭 소자는 반사 전용 서브 화소에 연결되는 스위칭 소자이다. 물론, 구동 관점에서 보면 각각의 스위칭 소자의 소오스 전극은 하나의 데이터 라인에 연결되고, 게이트 전극 역시 하나의 게이트 라인에 연결되므로 상기한 투과 전용 서브 화소와 반사 전용 서브 화소는 단위 화소이다.One of the switching elements is a switching element connected to the transmission-only sub-pixel, and the other switching element is a switching element connected to the reflection-only sub-pixel. Of course, from the driving point of view, the source electrode of each switching element is connected to one data line, and the gate electrode is also connected to one gate line, so the above-mentioned transmission subpixel and reflection subpixel are unit pixels.

또한, 투과 영역과 반사 영역의 면적비는 데이터 라인의 위치로 조절이 가능하다. 예를들어, 투과 영역의 면적을 넓히려면 데이터 라인의 위치를 우측으로 이동시키고, 반사 영역의 면적을 넓히려면 데이터 라인의 위치를 좌측으로 이동시킨다.In addition, the area ratio of the transmission region and the reflection region can be adjusted to the position of the data line. For example, to increase the area of the transmissive region, the position of the data line is shifted to the right, and to increase the area of the reflective region, the position of the data line is shifted to the left.

또한, 데이터 라인을 기준으로 좌우 분할되는 분할 화소 구조를 적용하므로써 단위 화소에 구비되는 스위칭 소자의 크기를 분할전 스위칭 소자의 크기에 비해 1/2로 줄일 수 있다.In addition, the size of the switching element included in the unit pixel may be reduced to 1/2 of the size of the switching element before the division by applying the divided pixel structure that is divided left and right based on the data line.

도 3a는 상기한 도 2의 A-A'으로 절단한 단면도를, 도 3b는 상기한 도 2의 B-B'으로 절단한 단면도를 각각 도시한다.3A is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 2.

먼저, 도 3a를 참조하면, 기판(105)상의 일부 영역에는 제1 게이트 전극(112T), 상기 제1 게이트 전극(112T)상에 형성된 제1 게이트 절연막(120), 제1액티브층(122T), 제1 반도체층(124T), 제1 소오스 전극(132T) 및 제1 드레인 전극(134T)을 포함하는 제1 스위칭 소자(TFT1)가 형성되고, 기판(105)상의 다른 영역에는 제2 게이트 전극(112R), 상기 제2 게이트 전극(112R)상에 형성된 제2 게이트 절연막(120), 제2 액티브층(122R), 제2 반도체층(124R), 제2 소오스 전극(132R) 및 제2 드레인 전극(134R)을 포함하는 제2 스위칭 소자(TFT2)가 형성된다.First, referring to FIG. 3A, in some regions of the substrate 105, a first gate electrode 112T, a first gate insulating layer 120 formed on the first gate electrode 112T, and a first active layer 122T are formed. And a first switching element TFT1 including a first semiconductor layer 124T, a first source electrode 132T, and a first drain electrode 134T, and a second gate electrode in another region on the substrate 105. 112R, a second gate insulating layer 120 formed on the second gate electrode 112R, a second active layer 122R, a second semiconductor layer 124R, a second source electrode 132R, and a second drain The second switching element TFT2 including the electrode 134R is formed.

상기 제1 스위칭 소자(TFT1)와 제2 스위칭 소자(TFT2)를 덮으면서 제1 드레인 전극(134T) 일부와, 제2 드레인 전극(134R) 일부가 각각 제1 콘택홀(152)과 제2 콘택홀(154)을 통해 노출되도록 형성된 패시베이션막(140)과, 상기 패시베이션막(140)을 덮으면서 상기 제1 드레인 전극(134T)의 일부 및 상기 제2 드레인 전극(134R)의 일부를 노출시키는 유기막(150)이 형성된다.A portion of the first drain electrode 134T and a portion of the second drain electrode 134R cover the first switching element TFT1 and the second switching element TFT2, respectively, and the first contact hole 152 and the second contact, respectively. The passivation layer 140 formed to be exposed through the hole 154, and the organic layer exposing a portion of the first drain electrode 134T and a portion of the second drain electrode 134R while covering the passivation layer 140. The film 150 is formed.

유기막(150) 위의 반사 영역에 대응해서는 제1 화소 전극(160T)이 형성되어 제1 스위칭 소자(TFT1)의 제1 드레인 전극(134T)과 연결되고, 투과 영역에 대응해서는 제2 화소 전극(160R)이 형성되어 제2 스위칭 소자(TFT2)의 제2 드레인 전극(134R)과 연결되며, 제2 화소 전극(160R) 위에는 반사판(170)이 형성된다. 여기서, 제1 및 제2 화소 전극(106T, 160R)은 광을 투과시키는 일종의 투과 전극으로서, ITO 또는 IZO 물질이 사용되고, 상기 반사판(170)은 광을 반사시키는 일종의 반사 전극으로 알루미늄이나 알루미늄-네오디뮴 합금 등을 이용하는 것이 바람직하다.The first pixel electrode 160T is formed to correspond to the reflective region on the organic layer 150, and is connected to the first drain electrode 134T of the first switching element TFT1, and the second pixel electrode corresponds to the transmissive region. A 160R is formed to be connected to the second drain electrode 134R of the second switching element TFT2, and a reflecting plate 170 is formed on the second pixel electrode 160R. Here, the first and second pixel electrodes 106T and 160R are a kind of transmissive electrode that transmits light, and an ITO or IZO material is used, and the reflector plate 170 is a kind of reflecting electrode that reflects light. It is preferable to use an alloy or the like.

도면상에서는 상기 유기막(150)의 표면을 요철 처리하므로써, 투과 영역에 대응하는 요철은 일종의 마이크로 투과 렌즈 역할을 하여 인공광을 산란시키고, 반사 영역에 대응하는 요철은 반사판(170)을 마이크로 반사 렌즈로 동작되도록 형성하므로써 자연광을 산란시키는 것을 도시하였다. 하지만, 당업자라면 상기한 보호막의 표면을 평탄화할 수도 있다.In the drawing, the surface of the organic film 150 is unevenly processed, so that the unevenness corresponding to the transmissive region acts as a kind of micro-transmissive lens to scatter artificial light, and the unevenness corresponding to the reflective region causes the reflecting plate 170 to be a micro reflective lens. It has been shown to scatter natural light by forming it to operate. However, those skilled in the art may planarize the surface of the protective film described above.

한편, 본 발명에 따른 분할 화소 구조를 갖는 반사-투과형 어레이 기판에서는 투과부 효율을 최대화하기 위해 도 3b에 도시한 바와 같이, 전단 게이트(previous gate) 방식을 채용하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the reflection-transmissive array substrate having the divided pixel structure according to the present invention, it is preferable to adopt a front gate method, as shown in Figure 3b to maximize the transmission efficiency.

도 3b에 도시한 바와 같이, 기판(105)위에서 데이터 라인에 의해 분할되는 투과 영역측 전단 게이트 라인(114T)과 반사 영역측 전단 게이트 라인(114R)위에는 패시베이션막(140)이 형성되고, 형성된 패시베이션막(140)위의 투과 영역측에는 별도의 제1 메탈층(147T)과 반사 영역측에는 별도의 제2 메탈층(147R)이 형성된다.As shown in FIG. 3B, a passivation film 140 is formed on the transmissive region side front gate line 114T and the reflective region side front gate line 114R that are divided by data lines on the substrate 105, and the passivation layer formed thereon. A separate first metal layer 147T and a second second metal layer 147R are formed on the transmissive region side of the film 140.

상기 투과 영역측 전단 게이트 라인(114T)과 제1 메탈층(147T)에 의해 투과 영역측 스토리지 캐패시터가 정의되고, 반사 영역측 전단 게이트 라인(114R)과 제2 메탈층(147R)에 의해 반사 영역측 스토리지 캐패시터가 정의된다. 즉, 어레이 기판의 평면에서 관찰할 때 전단 게이트 라인과 메탈층이 중첩하는 영역과 전단 게이트 라인과 메탈층간의 거리에 의해 상기 스토리지 캐패시터의 캐패시턴스를 정의할 수 있다.The transmissive region side storage capacitor is defined by the transmissive region side front gate line 114T and the first metal layer 147T, and the reflective region is defined by the reflective region side front gate line 114R and the second metal layer 147R. Side storage capacitors are defined. That is, when viewed from the plane of the array substrate, the capacitance of the storage capacitor may be defined by a region where the front gate line and the metal layer overlap and the distance between the front gate line and the metal layer.

패시베이션막(140)과 제1 및 제2 메탈층(147T, 147R) 위에는 표면이 요철 처리된 유기막(150)이 형성되고, 투과 영역에 대응하는 제1 화소 전극(160T)은 제3 콘택홀(116T)을 경유하여 제1 메탈층(147T)에 연결되고, 반사 영역에 대응하는 제2 화소 전극(160R)은 제4 콘택홀(116R)을 경유하여 제2 메탈층(147R)에 연결된다.On the passivation layer 140 and the first and second metal layers 147T and 147R, an organic film 150 having a concave-convex surface is formed, and the first pixel electrode 160T corresponding to the transmissive region has a third contact hole. The first pixel layer 147T is connected to the first metal layer 147T via 116T, and the second pixel electrode 160R corresponding to the reflective region is connected to the second metal layer 147R via the fourth contact hole 116R. .

이처럼, 본 발명에 따른 분할된 화소 구조를 갖는 반사-투과형 어레이 기판에서는 하기하는 도 4에 도시한 바와 같이, 전단 게이트 라인을 스토리지 캐패시터용 전극으로 이용하므로써, 투과 효율을 최대로 할 수 있다.As described above, in the reflection-transmissive array substrate having the divided pixel structure according to the present invention, as shown in FIG. 4 below, by using the front gate line as the electrode for the storage capacitor, the transmission efficiency can be maximized.

또한, 본 발명에 따라 분할 화소 구조를 적용하면 스위칭 소자의 크기는 분할 전 스위칭 소자의 크기에 비해 1/2로 줄어들어 분할된 서브 화소 면적에 따라 서로 다른 부가용량을 갖도록 설계할 필요가 있다. 물론, 투과 영역에 대응하는 전단 게이트 라인과 메탈층이 중첩되는 영역과, 반사 영역에 대응하는 전단 게이트 라인과 메탈층이 중첩되는 영역을 조절하므로써, 투과 전용 서브 화소에 대응하는 스토리지 캐패시턴스와 반사 전용 서브 화소에 대응하는 스토리지 캐패시턴스를 서로 다르게 조절할 수 있다.In addition, when the divided pixel structure is applied according to the present invention, it is necessary to design the switching element to have a different additional capacitance according to the divided sub pixel area since the size of the switching element is reduced to 1/2 compared to the size of the switching element before the division. Of course, by adjusting the overlapping region of the front gate line and the metal layer corresponding to the transmissive region, and the overlapping region of the front gate line and the metal layer corresponding to the reflective region, the storage capacitance and reflection only corresponding to the transmissive sub-pixel are adjusted. The storage capacitance corresponding to the sub pixel can be adjusted differently.

도 4는 상기한 도 2의 반사-투과형 어레이 기판을 채용하는 반사-투과형 액정 표시 장치의 등가 회로를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a diagram for describing an equivalent circuit of the reflection-transmissive liquid crystal display device employing the reflection-transmission array substrate of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 반사-투과형 액정 표시 장치는 가로 방향으로 신장되고, 세로 방향으로 배열되며, 연결된 스위칭 소자(TFT1, TFT2)의 온/오프를 제어하기 위한 스캔 신호를 전달하는 다수의 게이트 라인(Gg-1, Gq)과, 세로 방향으로 신장되고, 가로 방향으로 배열되며, 연결된 스위칭 소자(TFT1, TFT2)를 경유하여 화소 전극에 화상 신호를 전달하는 다수의 데이터 라인(Dp-1, Dp, Dp+1)을 갖는다.Referring to FIG. 4, the reflection-transmissive liquid crystal display according to the present invention extends in a horizontal direction, is arranged in a vertical direction, and transmits a scan signal for controlling on / off of connected switching elements TFT1 and TFT2. A plurality of data lines Dp that transfer image signals to the pixel electrodes via the plurality of gate lines Gg-1 and Gq, and extend in the vertical direction, arranged in the horizontal direction, and connected to the switching elements TFT1 and TFT2. -1, Dp, Dp + 1).

임의의 게이트 라인(Gq)과 임의의 데이터 라인(Dp)에는 제1 스위칭 소자(TFT1)가 연결되고, 제1 스위칭 소자(TFT1)의 드레인 전극에는 액정캐패시터(Clc)와 스토리지 캐패시터(Cst)가 연결되어 일종의 투과 전극으로 동작하는 제1 화소 전극(또는 투과 전용 서브 화소)(160T)을 정의한다. 여기서, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단은 상기 제1 스위칭 소자(TFT1)의 드레인 전극에 연결되고, 타단은 이전 게이트 라인(Gq-1)에 연결되는 전단 게이트 방식을 갖는다.A first switching element TFT1 is connected to an arbitrary gate line Gq and an arbitrary data line Dp, and a liquid crystal capacitor Clc and a storage capacitor Cst are connected to a drain electrode of the first switching element TFT1. A first pixel electrode (or transmissive sub-pixel) 160T connected to operate as a kind of transmissive electrode is defined. Here, one end of the storage capacitor Cst is connected to the drain electrode of the first switching element TFT1 and the other end has a front gate method connected to the previous gate line Gq-1.

임의의 게이트 라인(Gq)과 임의의 데이터 라인(Dp)에는 제2 스위칭 소자(TFT2)가 연결되고, 제2 스위칭 소자(TFT2)의 드레인 전극에는 액정 캐패시터(Clc)와 스토리지 캐패시터(Cst)가 연결되어 일종의 반사 전극으로 동작하는 제2 화소 전극(또는 반사 전용 서브 화소)(160R)을 정의한다. 여기서, 상기 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단은 상기 제2 스위칭 소자(TFT2)의 드레인 전극에 연결되고, 타단은 이전 게이트 라인(Gq-1)에 연결되는 전단 게이트 방식을 갖는다.A second switching element TFT2 is connected to an arbitrary gate line Gq and an arbitrary data line Dp, and a liquid crystal capacitor Clc and a storage capacitor Cst are connected to a drain electrode of the second switching element TFT2. A second pixel electrode (or reflection dedicated sub-pixel) 160R connected to operate as a kind of reflective electrode is defined. Here, one end of the storage capacitor Cst is connected to the drain electrode of the second switching element TFT2 and the other end has a front gate method connected to the previous gate line Gq-1.

이처럼, 단일 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치나, 다중 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치에 대해 투과 영역과 반사 영역을 서로 다른 스위칭 소자를 이용하여 구동시킬 수 있으므로 다중 전압 방식의 구동도 가능하다.As described above, the transmission region and the reflection region can be driven using different switching elements for the liquid crystal display device employing the single cell gap structure or the liquid crystal display device employing the multiple cell gap structure.

즉, 투과 영역에 대응하는 전압 대비 투과율 특성과 반사 영역에 대응하는 전압 대비 투과율 특성은 통상적으로 상이하므로, 투과 또는 반사 모드에 최적하는 전압으로 구동시킬 수 있다.That is, since the transmittance characteristic relative to the voltage corresponding to the transmissive region and the transmittance characteristic relative to the voltage corresponding to the reflective region are usually different, it can be driven at a voltage that is optimal for the transmissive or reflective mode.

도 5는 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판의 화소 배치의 일례를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining an example of pixel arrangement of a reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

도 5를 참조하면, 관찰자 관점에서 매 데이터 라인(DLp-1, DLp, DLp+1, DLp+2)의 좌측 영역에는 반사 전용 서브 화소(빗금 표시)(R(p-1,q), R(p-1,q+1),R(p,q), R(p,q+1)...)를 형성하고, 우측 영역에는 투과 전용 서브 화소(T(p-1,q), T(p-1,q+1), T(p,q), T(p,q+1)...)를 형성한다. 물론 그 역도 가능하다.Referring to FIG. 5, from an observer's point of view, a reflection-only sub-pixel (hatched) R (p-1, q), R is located in the left region of every data line DLp-1, DLp, DLp + 1, DLp + 2. (p-1, q + 1), R (p, q), R (p, q + 1) ...), and in the right region, the transmissive sub-pixels T (p-1, q), T (p-1, q + 1), T (p, q), T (p, q + 1) ...) are formed. Of course, the reverse is also possible.

상기 반사 전용 서브 화소와 투과 전용 서브 화소 간에는 별도의 플로팅 메탈 라인(FL)을 더 형성하여, 투과 영역과 반사 영역의 경계면을 통해 디스클리네이션이 발생되는 것을 차단한다. 상기 플로팅 메탈 라인(FL)은 데이터 라인 형성시 형성할 수도 있고, 투과 영역과 반사 영역간에 일정 간격으로 이격되는 화소 전극간에 별도의 메탈층을 형성하여 정의할 수도 있다.A separate floating metal line FL is further formed between the reflective sub-pixel and the transmissive sub-pixel to block the occurrence of declining through the interface between the transmissive region and the reflective region. The floating metal line FL may be formed when the data line is formed, or may be defined by forming a separate metal layer between pixel electrodes spaced apart at regular intervals between the transmission area and the reflection area.

특히, 반사 영역에 대응하는 셀갭과 투과 영역에 대응하는 셀갭을 서로 상이하게 구현하는 다중 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치에 적용하더라도 발생되는 디스클리네이션을 상기한 플로팅 메탈 라인을 이용하여 차단할 수 있다.In particular, even when applied to a liquid crystal display device having a multi-cell gap structure that implements a cell gap corresponding to a reflective region and a cell gap corresponding to a transmissive region differently, the generated declining can be blocked using the floating metal line. .

또한, 상기한 다중 셀갭 구조뿐만 아니라, 단일 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치에 적용하더라도 발생되는 잔상을 상기한 플로팅 메탈 라인을 이용하여 차단할 수 있다.In addition, even after the multi-cell gap structure is applied to the liquid crystal display device employing the single cell gap structure, the generated afterimage may be blocked by using the floating metal line.

이상에서는 임의의 데이터 라인을 기준으로 좌측 또는 우측 영역에는 반사 전용 서브 화소를 형성하고, 우측 또는 좌측 영역에는 투과 전용 서브 화소를 형성하는 것을 도시하였다. 하지만, 당업자라면 다양한 조합의 반사 전용 서브 화소와 투과 전용 서브 화소의 배치가 가능하다.In the above, it is illustrated that the reflection-only subpixel is formed in the left or right region and the transmission-only subpixel is formed in the right or left region based on an arbitrary data line. However, those skilled in the art can arrange various combinations of reflection-only subpixels and transmission-only subpixels.

도 6은 본 발명에 따른 반사-투과형 어레이 기판의 화소 배치의 다른 일례를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining another example of the pixel arrangement of the reflection-transmissive array substrate according to the present invention.

도 6을 참조하면, 관찰자 관점에서 홀수측 데이터 라인(DLp-1, DLp+1)의 좌측 영역에 투과 전용 서브 화소를 형성하고, 상기 홀수측 데이터 라인(DLp-1, DLp+1)의 우측 영역에 반사 전용 서브 화소를 형성하며, 짝수측 데이터 라인(DLp, DLp+2)의 좌측 영역에 반사 전용 서브 화소를 형성하고, 상기 짝수측 데이터 라인(DLp, DLp+2)의 우측 영역에 투과 전용 서브 화소를 형성한다.Referring to FIG. 6, a transmissive sub-pixel is formed in the left region of the odd-side data lines DLp-1 and DLp + 1 from an observer's point of view, and the right-side of the odd-side data lines DLp-1 and DLp + 1. A reflection dedicated sub pixel is formed in an area, a reflection dedicated sub pixel is formed in a left area of the even-side data lines DLp and DLp + 2, and a light is transmitted through the right area of the even-side data lines DLp and DLp + 2. A dedicated sub pixel is formed.

상기 투과 전용 서브 화소와 반사 전용 서브 화소 간에는 별도의 플로팅 메탈 라인(FL)을 더 형성하여, 투과 영역과 반사 영역의 경계면을 통해 디스클리네이션이 발생되는 것을 차단한다. 상기 플로팅 메탈 라인(FL)은 데이터 라인 형성시 형성할 수도 있고, 투과 영역과 반사 영역간에 일정 간격으로 이격되는 화소 전극간에 별도의 메탈층을 형성하여 정의할 수도 있다.A separate floating metal line FL may be further formed between the transmission-only sub-pixel and the reflection-only sub-pixel to block the occurrence of declining through the interface between the transmission area and the reflection area. The floating metal line FL may be formed when the data line is formed, or may be defined by forming a separate metal layer between pixel electrodes spaced apart at regular intervals between the transmission area and the reflection area.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 데이터 라인을 기준으로 단위 화소를 좌우로 2개의 서브 화소로 분할하고, 분할된 서브 화소 각각에 스위칭 소자를 구비하므로써, 서로 다른 스위칭 소자를 이용하여 투과 영역과 반사 영역의 구동이 가능하고, 상대적으로 스위칭 소자의 크기를 줄일 수 있으며, 이에 따라 투과 영역의 면적을 크게할 수 있어 반사 모드와 투과 모드의 광학 특성을 최대화할 수 있다.As described above, according to the present invention, by dividing a unit pixel into two sub-pixels from side to side on the basis of a data line, and by providing a switching element in each of the divided sub-pixels, a transmissive region and a different switching element are used. The reflection area can be driven, and the size of the switching element can be relatively reduced, thereby increasing the area of the transmission area to maximize the optical characteristics of the reflection mode and the transmission mode.

또한, 다중 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치에서는 투과 영역의 셀갭이 커짐에 따라 액정 캐패시턴스가 줄고, 부가용량의 크기도 줄어들므로 스위칭 소자의 크기를 더욱 줄일 수 있다.In addition, in the liquid crystal display device employing the multi-cell gap structure, as the cell gap of the transmissive region increases, the liquid crystal capacitance decreases and the size of the additional capacitance decreases, thereby further reducing the size of the switching element.

또한, 투과 영역과 반사 영역 각각이 전압 대비 투과율 특성이 상이한 점을 감안하면, 단일 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치뿐만 아니라, 다중 셀갭 구조를 채용하는 액정 표시 장치 모두 투과 영역과 반사 영역을 서로 다른 스위칭 소자를 이용하여 구동시킬 수 있으므로 다중 전압 방식의 구동도 가능하다.In addition, considering that the transmissive region and the reflective region have different transmittance characteristics relative to voltage, not only the liquid crystal display device employing a single cell gap structure but also the liquid crystal display device employing a multi-cell gap structure have different transmission and reflection areas. Since it can be driven using a switching element, it is possible to drive a multi-voltage method.

Claims (5)

액정층을 투과하는 인공광과 자연광을 이용하여 화상을 표시하는 액정 표시 장치에 채용되는 반사-투과형 어레이 기판에서,In a reflection-transmissive array substrate employed in a liquid crystal display device displaying an image using artificial light and natural light passing through the liquid crystal layer, 스캔 신호를 전달하는 게이트 라인;A gate line transferring a scan signal; 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인;A data line carrying a data signal; 상기 게이트 라인으로부터 연장된 제1 게이트 전극과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 제1 데이터 전극을 갖는 제1 스위칭 소자;A first switching element having a first gate electrode extending from the gate line and a first data electrode extending from the data line; 상기 게이트 라인으로부터 연장된 제2 게이트 전극과, 상기 데이터 라인으로부터 연장된 제2 데이터 전극을 갖는 제2 스위칭 소자;A second switching element having a second gate electrode extending from the gate line and a second data electrode extending from the data line; 상기 제1 스위칭 소자의 제1 드레인 전극과 연결되어, 상기 인공광을 투과하는 제1 화소 전극;A first pixel electrode connected to the first drain electrode of the first switching element and transmitting the artificial light; 상기 제2 스위칭 소자의 제2 드레인 전극과 연결된 제2 화소 전극; 및A second pixel electrode connected to a second drain electrode of the second switching element; And 상기 제2 화소 전극 위에 형성되어, 상기 자연광을 반사하는 반사판을 포함하는 반사-투과형 어레이 기판.And a reflection plate formed on the second pixel electrode and reflecting the natural light. 제1항에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 투과 영역으로 정의되고, 상기 제2 화소 전극은 반사 영역으로 정의되며,The display device of claim 1, wherein the first pixel electrode is defined as a transmissive region, and the second pixel electrode is defined as a reflective region. 상기 투과 영역과 반사 영역의 비율은 상기 데이터 라인의 위치에 따라 정의되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 어레이 기판.And the ratio of the transmission area to the reflection area is defined according to the position of the data line. 제1항에 있어서, 상기 제1 화소 전극은 제1 액정 캐패시터와 제1 스토리지 캐패시터로 정의되고, 상기 제1 스토리지 캐패시터는 전단 게이트 라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 어레이 기판.The reflective-transmissive array substrate of claim 1, wherein the first pixel electrode is defined as a first liquid crystal capacitor and a first storage capacitor, and the first storage capacitor is connected to a front gate line. 제1항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 제2 액정 캐패시터와 제2 스토리지 캐패시터로 정의되고, 상기 제2 스토리지 캐패시터는 전단 게이트라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 어레이 기판.The reflective-transmissive array substrate of claim 1, wherein the second pixel electrode is defined as a second liquid crystal capacitor and a second storage capacitor, and the second storage capacitor is connected to a front gate line. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 화소 전극에는 투과 영역에 대응하는 전압 대비 투과율 특성과 반사 영역에 대응하는 전압 대비 투과율 특성을 고려하여 서로 다른 데이터 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 어레이 기판.The method of claim 1, wherein different data signals are applied to the first and second pixel electrodes in consideration of a voltage-transmittance characteristic corresponding to a transmission region and a voltage-transmission characteristic corresponding to a reflection region. Transmissive Array Substrate.
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