KR20040076837A - Demultiplexer - Google Patents

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KR20040076837A
KR20040076837A KR1020040056289A KR20040056289A KR20040076837A KR 20040076837 A KR20040076837 A KR 20040076837A KR 1020040056289 A KR1020040056289 A KR 1020040056289A KR 20040056289 A KR20040056289 A KR 20040056289A KR 20040076837 A KR20040076837 A KR 20040076837A
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surface acoustic
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pass filter
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키하라요시카즈
야마키마사히로
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티디케이가부시기가이샤
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Abstract

PURPOSE: A branching filter for reducing size and executing out-of-band-pass attenuation is provided to reduce the size and enhance the space efficiency by using a phase shifter including a lumped element. CONSTITUTION: A branching filter includes a common terminal(C), a plurality of surface acoustic wave filters(BF1,BF2), and a phase shifter(6). Each of the surface acoustic wave filter is formed with a surface acoustic wave element and includes signal terminals(t1,t2,t3,t4) connected to the common terminal. In addition, each of the surface acoustic wave filter has different bandwidths. The phase shifter is formed by a lumped element between the surface acoustic wave filters and the common terminal.

Description

분파기{DEMULTIPLEXER}Splitter {DEMULTIPLEXER}

본 발명은 압전기판에 형성된 다수의 탄성표면파 소자로 이루어지는 탄성표면파 필터를 다수 이용한 분파기에 관한 것이다.The present invention relates to a splitter using a plurality of surface acoustic wave filters composed of a plurality of surface acoustic wave elements formed on a piezoelectric plate.

이동체 통신기기 등에서의 고주파용 대역필터로서 다수의 탄성표면파 소자를 압전기판상에 형성한 탄성표면파 필터가 알려져 있다.Background Art A surface acoustic wave filter is known in which a number of surface acoustic wave elements are formed on a piezoelectric substrate as a band pass filter for a high frequency in a mobile communication device.

이와같은 탄성표면파 필터에는 입력단자와 출력단자 사이를 직렬암으로 하고, 이 직렬암과 기준전위단자 사이에 다수의 병렬암을 형성하며 이들 직렬암과 병렬암으로 적절히 탄성표면파 공진기를 배치한 래더형 회로를 구성한 탄성표면파 필터가 알려져 있다. 그리고 통과대역 주파수가 서로 다른 래더형 탄성표면파 필터를 다수 이용하여 분파기를 구성하는 기술이 알려져 있다.In such a surface acoustic wave filter, a ladder arm is formed between an input terminal and an output terminal, a plurality of parallel arms are formed between the serial arm and the reference potential terminal, and a surface acoustic wave resonator is appropriately disposed between the serial arm and the parallel arm. Surface acoustic wave filters constituting a circuit are known. In addition, a technique for configuring a splitter using a plurality of ladder surface acoustic wave filters having different passband frequencies is known.

종래의 기술로서는 예를들어 일본국 특허제 3246906호 공보에 기재한 것이 알려져 있다.As a conventional technique, what is described, for example in Unexamined-Japanese-Patent No. 3246906 is known.

여기서 도 23은 종래의 분파기를 도시하는 등가회로도, 도 24는 도23의 분파기에서의 통과대역 근방에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프. 도 25는 도 23의 분파기에서의 고주파 영역에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.23 is an equivalent circuit diagram showing a conventional splitter, and FIG. 24 is a graph showing frequency characteristics in the vicinity of a pass band in the splitter of FIG. FIG. 25 is a graph showing frequency characteristics in the high frequency region of the splitter of FIG.

도 23과 같이 일본국 특허제3246906호 공보에는 제 1탄성표면파 필터(BF1)의 공통단자(C)측의 초단을 T형, 제 2탄성표면파 필터(BF2)의 공통단자(C)측의 초단을 π형의 입력으로 하고, 공통단자(C)와 제 2탄성표면파 필터(BF2)사이에 지연선로(9)를 이용하는 기술이 개시되고 있다. 또한 이 공보에는 위상경로(9)를 대신하여 인덕턴스소자를 이용하는 기술도 개시되고 있다.As shown in Fig. 23, Japanese Patent No. 3246906 discloses the first end of the first surface acoustic wave filter BF1 on the common terminal C side, and the first end of the second type surface acoustic wave filter BF2 on the common terminal C side. A technique of using a delay line 9 between a common terminal C and a second surface acoustic wave filter BF2 is described. This publication also discloses a technique using an inductance element in place of the phase path 9.

그리고 이와같은 기술에 의하면 도 24와 같이 필터본래의 특성을 크게 손상시지 않아 간단하게 분파기를 구성할 수 있게 되어있다.According to such a technique, as shown in FIG. 24, the splitter can be configured simply without significantly deteriorating the original characteristics of the filter.

여기서 최근에 있어서는 분파기 자체의 소형·경박화의 요구, 고주파 영역의 특성개선의 요구가 한층 높아지고 있다.In recent years, the demand for miniaturization and thinning of the splitter itself and the improvement of the characteristics of the high frequency range are increasing.

특히 1GHz이하를 사용대역으로 하는 분파기에서는 탄성표면파소자의 치수상 및 그 구성상의 제약에 의해 소형화는 어렵다.Particularly, in the splitter using less than 1 GHz, miniaturization is difficult due to the limitations in the dimensions and the configuration of the surface acoustic wave device.

그리고 지연선로를 이용하면 사용하는 유전기판의 유전율에 의한 파장단축효과가 있지만 예를들어 800MHz대의 시스템의 경우, 예를들어 유전율 4정도의 가라스에폭시기판을 이용한 지연선로 길이는 약 40mm, 유전율 7정도의 세라믹기판을 이용한 경우도 약 35mm필요하게 되어 지연선로간 서로의 크로스토크나 위상단축에 주의하면서 5mm X 5mm보다 작은 용적에 수납하는 것은 매우 곤란하다.In addition, the delay line has a wavelength shortening effect due to the dielectric constant of the dielectric substrate used. For example, in the 800 MHz system, for example, the delay line length using a glass epoxy substrate having a dielectric constant of about 4 is about 40 mm and the dielectric constant is 7 In the case of using a ceramic substrate of about 35mm, it is also necessary to store in a volume smaller than 5mm x 5mm while paying attention to crosstalk and phase shortening between delay lines.

따라서 이와 같은 지연선로를 이용하여 분파기를 구성하면 지연선로의 구성치수에 의해 분파기의 형상이 정해지고 상술한 소형·경박화의 요구를 만족할 수 없다.Therefore, when the splitter is configured using such a delay line, the shape of the splitter is determined by the configuration dimension of the delay line, and the above-mentioned requirements for compactness and thinning cannot be satisfied.

또 최근 이동체 통신단말의 RF회로부의 다이렉트·컨버젼화에 의해 수신필터의 2배, 3배, 4배 고주파의 감쇠량의 요구가 높아지고 있다. 그러나 분포정수선로인 지연선로에 의한 이상기에서는 단순한 분포정수선로이므로 그 자체의 필터로서의 효과는 극히 낮으며 고주파 영역의 감쇠량 개선에는 유효하게 기여하지 않는다.In recent years, the direct conversion of the RF circuit portion of mobile communication terminals has increased the demand for attenuation of twice, three, and four times the high frequency of the reception filter. However, in the ideal phase of the delayed line, which is a distribution integer line, since it is a simple distribution integer line, its effect as a filter is extremely low and does not contribute effectively to the improvement of the attenuation in the high frequency region.

그래서 본 발명은 소형화를 달성하고 또한 통과대역 외의 주파수 대역에 있어서 큰 감쇠를 얻을 수 있는 분파기를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to provide a splitter capable of achieving miniaturization and obtaining large attenuation in a frequency band other than the passband.

도 1은 본 발명의 일실시예인 분파기를 도시하는 등가회로도.1 is an equivalent circuit diagram showing a splitter which is an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 분파기에 이용된 필터의 입력임피던스 특성을 도시하는 그래프.FIG. 2 is a graph showing the input impedance characteristics of the filter used in the splitter of FIG. 1. FIG.

도 3은 필터의 광대역에 대한 필터의 입력임피던스특성을 도시하는 그래프.3 is a graph showing the input impedance characteristics of a filter versus the wideband of the filter.

도 4는 종 2중모드형 탄성표면파 필터의 입력임피던스특성을 도시하는 그래프.4 is a graph showing input impedance characteristics of a longitudinal double mode type surface acoustic wave filter.

도 5는 도 1의 분파기의 구체적인 구조를 도시하는 분해도.5 is an exploded view showing a specific structure of the splitter of FIG.

도 6은 분파기의 구체적 구조에서의 인덕턴스소자의 변형예를 도시하는 설명도.6 is an explanatory diagram showing a modification of the inductance element in the concrete structure of the splitter.

도 7은 분파기의 구체적 구조에서의 캐퍼시턴스소자의 변형예를 도시하는 설명도.Fig. 7 is an explanatory diagram showing a modification of the capacitance element in the concrete structure of the splitter.

도 8은 집중정수소자에 의한 이상기의 통과특성을 지연선로와의 비교로 도시하는 그래프.Fig. 8 is a graph showing the passage characteristic of the abnormal phase by the lumped constant element in comparison with the delay line.

도 9는 집중정수소자에 의한 이상기의 위상특성을 지연선로와의 비교로 도시하는 그래프.Fig. 9 is a graph showing the phase characteristics of the phase shifter by the lumped constant element in comparison with the delay line.

도10은 집중정수소자에 의한 이상기의 임피던스특성을 지연선로와의 비교로도시하는 스미스챠트.Fig. 10 is a Smith chart showing the impedance characteristic of the abnormal phase by the lumped constant element in comparison with the delay line.

도11은 도 1의 분파기에서의 통과대역 근방에서의 주파수특성을 도시하는 그래프.FIG. 11 is a graph showing frequency characteristics in the vicinity of a pass band in the divider of FIG. 1; FIG.

도12는 도 1의 분파기에서의 고주파 영역에서의 주파수특성을 도시하는 그래프.Fig. 12 is a graph showing the frequency characteristics in the high frequency region of the splitter of Fig. 1;

도13은 도 1의 분파기에서의 제 2탄성표면파 필터의 임피던스변화를 도시하는 스미스챠트.FIG. 13 is a Smith chart showing an impedance change of a second surface acoustic wave filter in the splitter of FIG. 1; FIG.

도14는 본 발명의 다른 실시예인 분파기를 도시하는 등가회로도.Fig. 14 is an equivalent circuit diagram showing a splitter which is another embodiment of the present invention.

도15는 도 14의 분파기에서의 통과대역 근방에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프.FIG. 15 is a graph showing frequency characteristics in the vicinity of a passband in the denominator of FIG. 14; FIG.

도16은 도14의 분파기에서의 고주파 영역에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프.FIG. 16 is a graph showing the frequency characteristics in the high frequency region of the splitter of FIG.

도17은 본 발명의 또 다른 실시예인 분파기를 도시하는 등가회로도.Fig. 17 is an equivalent circuit diagram showing a splitter which is another embodiment of the present invention.

도18은 본 발명의 또 다른 실시예인 분파기를 도시하는 등가회로도.Fig. 18 is an equivalent circuit diagram showing a splitter which is another embodiment of the present invention.

도19는 도17의 분파기에서 통과대역 근방의 주파수 특성을 도시하는 그래프.FIG. 19 is a graph showing frequency characteristics near a passband in the denominator of FIG. 17; FIG.

도20은 도17의 분파기에서 고조파 영역의 주파수 특성을 도시하는 그래프.20 is a graph showing the frequency characteristics of the harmonic region in the splitter of FIG.

도21은 도18의 분파기에서의 통과대역 근방에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프.21 is a graph showing frequency characteristics in the vicinity of a pass band in the divider of FIG.

도22는 도18의 분파기에서의 고주파 영역에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프.FIG. 22 is a graph showing frequency characteristics in the high frequency region of the splitter of FIG. 18; FIG.

도23은 종래의 분파기를 도시하는 등가회로도.Fig. 23 is an equivalent circuit diagram showing a conventional splitter.

도24는 도23의 분파기에서의 통과대역에서의 주파수 특성을 도시하는 그래프.FIG. 24 is a graph showing frequency characteristics in a passband in the splitter of FIG.

도25는 도23의 분파기에서의 고주파영역에서의 주파수특성을 도시하는 그래프.FIG. 25 is a graph showing frequency characteristics in the high frequency region of the splitter of FIG.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※※ Explanation of symbols about main part of drawing ※

1: 제 1신호단자 2: 제 2신호단자1: first signal terminal 2: second signal terminal

3: 탄성표면파 공진기 3P: 병렬암 공진기3: surface acoustic wave resonator 3P: parallel arm resonator

3S: 직렬암 공진기 4: 직렬암3S: Series Arm Resonator 4: Series Arm

5: 병렬암 6: 이상기5: parallel arm 6: abnormal phase

7: 인덕턴스소자 8: 캐퍼시턴스소자7: inductance element 8: capacitance element

9: 위상기 BF1:송신측 필터(제 1탄성표면파 필터)9: phase shifter BF1: transmitter side filter (first surface acoustic wave filter)

BF2: 수신측 필터(제 2탄성표면파 필터)BF2: Receive-side filter (2nd surface acoustic wave filter)

C: 공통단자 G: 기준전위단자C: common terminal G: reference potential terminal

J: 분기점J: fork

t1,t2,t3,t4: 신호단자t1, t2, t3, t4: signal terminal

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 분파기는 공통단자와, 탄성표면파 소자로 형성됨과 동시에 공통단자에 접속된 신호단자를 구비하고, 서로 다른 통과대역을 갖는 다수의 탄성표면파 필터와, 공통단자측에서 본 소정의 탄성표면파 필터의 통과대역에서의 임피던스와 신호단자측에서 본 임피던스와의 정합에 영향을 주는 입력임피던스를 갖는 탄성표면파 필터와 공통단자와의 사이에 배치된 집중정수소자에 의한 이상기를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the splitter according to the present invention comprises a common terminal, a surface acoustic wave element, and a signal terminal connected to the common terminal, and a plurality of surface acoustic wave filters having different pass bands, and a common terminal. An ideal phase by a lumped constant element disposed between a common surface and a surface acoustic wave filter having an input impedance affecting matching between the impedance in the pass band of the predetermined surface acoustic wave filter seen from the side and the impedance seen from the signal terminal side. Characterized in having a.

이와같은 발명에 의하면 집중정수소자에 의한 이상기 자체의 소형화가 유리한 것 및 지연선로를 이용한 경우에 염려되는 지연선로간의 접근에 의한 크로스토크나 위상단축의 삭감에 의한 소자간 레이아웃성 향상도 소형화에 유리한 것으로부터 지연선로를 이용한 분파기 보다 대폭적으로 소형화가 가능하다.According to the present invention, it is advantageous to miniaturize the abnormal phase itself by the concentrated water purifying element, and to improve the layout between elements by reducing the crosstalk and phase shortening by approaching the delay line, which is concerned when using the delay line. This makes it possible to significantly reduce the size of the splitter using delay lines.

또 집중정수소자에 의한 이상기에 의해 통과대역 이외의 주파수대역에서의 신호성분을 감쇠하도록 하고 있기 때문에 소형화를 달성하고 또한 통과대역외에 있어서 큰 감쇠를 얻는 것이 가능하게 되며, 분파기의 성능을 대폭적으로 향상시킬 수 있게 된다.In addition, since the signal components in the frequency bands other than the pass band are attenuated by the abnormality of the lumped constant element, it is possible to achieve miniaturization and to obtain a large attenuation outside the pass band, thereby greatly improving the performance of the splitter. It can be improved.

이하 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 더욱 구체적으로 설명한다. 여기서 첨부도면에 있어서 동일 부재에는 동일 부호를 붙이고 있으며 또 중복된 설명은 생략되고 있다. 또한 발명의 실시형태는 본 발명이 실시되는 특히 유용한 형태로서의 것으로 본 발명이 그 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. In the accompanying drawings, the same members are denoted by the same reference numerals and redundant descriptions are omitted. In addition, embodiment of this invention is an especially useful form to which this invention is implemented, Comprising: This invention is not limited to the Example.

본 실시예의 분파기는 예를들어 LiTaO3로 이루어지는 압전기판상에 소정의 소자가 형성된 것이다. 즉 도 1에 있어서 신호의 입출력이 되는 공통단자(C)와, 한쪽의 신호단자(t1)가 분기점(J)을 통해 공통단자(C)에 접속됨과 동시에 다른쪽의 신호단자(t2)가 제 1신호단자(1)에 접속된 송신측 필터(제 1탄성표면파 필터)(BF1)와, 한쪽의 신호단자(t3)가 분기점(J)을 통해 공통단자(C)에 접속됨과 동시에 다른쪽의 신호단자(t4)가 제 2신호단자(2)에 접속된 수신측 필터(제 2탄성표면파 필터)(BF2)를 구비하고 있다.The splitter of this embodiment is formed with a predetermined element on a piezoelectric plate made of, for example, LiTaO 3 . That is, in Fig. 1, the common terminal C serving as the input / output of the signal and one signal terminal t1 are connected to the common terminal C through the branch point J, while the other signal terminal t2 is formed. The transmitting filter (first surface acoustic wave filter) BF1 and one signal terminal t3 connected to the one signal terminal 1 are connected to the common terminal C through the branch point J, The signal terminal t4 is provided with a receiving filter (second elastic surface wave filter) BF2 connected to the second signal terminal 2.

그리고 송신측 필터(BF1) 및 수신측 필터(BF2)는 한쪽의 통과대역이 다른쪽의 저지대역이 되는 주파수 특성 즉 서로 다른 통과대역과 다른 주파수 특성을 갖고 있으며, 본 실시예의 경우에서는 수신측 필터(BF2)쪽이 송신측 필터(BF1)보다도 높은 통과대역이 되고 있다.The transmitting filter BF1 and the receiving filter BF2 have frequency characteristics in which one passband becomes the other stopband, that is, different frequency bands and different frequency characteristics. The BF2 side has a higher passband than the transmission side filter BF1.

단 본 실시예에 있어서는 이와같이 수신측 필터(BF2)쪽이 송신측 필터(BF1)보다도 높은 통과대역을 갖고 있지만 역이라도 된다. 또 압전기판은 상술한 것에 한정되는 것은 아니며 예를들어 LiNbO3로 이루어지는 압전기판 등 세라믹 등의 여러가지 압전기판을 이용하는 것이 가능하다.In this embodiment, however, the receiving side filter BF2 has a higher passband than the transmitting side filter BF1, but may be reversed. In addition, the piezoelectric plate is not limited to the above-mentioned one, but various piezoelectric plates such as ceramics such as piezoelectric plates made of LiNbO 3 can be used.

그리고 공통단자(C)와 수신측 필터(BF2)사이에는 수신측 필터(BF2)의 통과대역 이외의 주파수 대역에서의 신호성분을 감쇠하는 집중정수소자에 의한 이상기(6)가 배치되고 있다.Between the common terminal C and the receiving filter BF2, an idealizer 6 by a lumped constant element that attenuates signal components in a frequency band other than the pass band of the receiving filter BF2 is disposed.

공통단자(C)측에서 본 송신측 필터(BF1)의 임피던스특성을 도 2에 도시한다. 수신측 필터(BF2)의 통과대역에서의 송신측 필터(BF1)의 임피던스는 제 2탄성표면파(BF2)의 통과대역에서의 입력임피던스이고 신호입력단자(t1)측에서 본 임피던스인 예를들어 약 50Ω에 비교하여 충분히 높으며 그 대로 양자를 공통단자(C)에 접속해도 제 2탄성표면파 필터(BF2)의 통과대역에 있어서 회로전체의 임피던스에 정합한 제 2탄성표면파 필터(BF2)에 송신측 필터(BF1)가 영향을 미치지 않는다. 즉 분파기능은 실현되고 있다.Fig. 2 shows the impedance characteristics of the transmission filter BF1 seen from the common terminal C side. The impedance of the transmitting filter BF1 in the pass band of the receiving filter BF2 is an input impedance in the pass band of the second elastic surface wave BF2 and is an impedance seen from the signal input terminal t1 side. It is sufficiently high compared to 50Ω, and even if both are connected to the common terminal C, the transmission filter on the second surface acoustic wave filter BF2 matched to the impedance of the entire circuit in the pass band of the second surface acoustic wave filter BF2. (BF1) has no effect. In other words, the branching function is realized.

공통단자(C)측에서 본 수신측 필터(BF2)의 임피던스 특성을 마찬가지로 도 2에 도시한다. 송신측 필터(BF1)의 통과대역에서의 수신측 필터(BF2)의 임피던스는 15Ω정도로 작으며 그대로 양자를 공통단자에 접속하면 수신측 필터(BF2)의 제 1탄성표면파(BF1)의 통과대역에서의 임피던스가 송신측 필터(BF1)의 임피던스특성에 영향을 준다. 즉 분파기능이 손상된다. 그래서 어떠한 임피던스 변환수단이 필요하게 된다.The impedance characteristic of the receiving filter BF2 seen from the common terminal C side is similarly shown in FIG. The impedance of the receiving filter BF2 in the pass band of the transmitting filter BF1 is as small as about 15 Ω. If both are connected to the common terminal, the impedance of the first elastic surface wave BF1 of the receiving filter BF2 is reduced. Impedance affects the impedance characteristic of the transmission filter BF1. That is, the offset function is impaired. Thus, some impedance converting means is required.

이와같이 다수의 필터가 공통단자(C)로 접속된 경우의 분파기능은 공통단자(C)측에서 본 각각의 필터의 입력임피던스에 의해 결정되며 필터의 구성에만 한정되는 것은 아니다. 일예로서 공통단자(C)측에서 본 송신측 필터(BF1) 및 수신측 필터(BF2)의 광대역에 대한 임피던스특성을 도 3에 도시한다. 도시하는 경우에 있어서는 입력임피던스는 저주파수측을 향해 상승하고 있으며 송신측 필터(BF1)의 통과대역의 위치가 저주파수대이면 이상기는 필요하지 않다.Thus, the branching function in the case where a plurality of filters are connected to the common terminal C is determined by the input impedance of each filter seen from the common terminal C side, and is not limited only to the configuration of the filter. As an example, FIG. 3 shows impedance characteristics of a wide band of the transmission filter BF1 and the reception filter BF2 seen from the common terminal C side. In the case of illustration, the input impedance rises toward the low frequency side, and an abnormal state is not necessary if the position of the pass band of the transmission filter BF1 is in the low frequency band.

또 조 2중 모드형 탄성표면파 필터를 이용한 경우도 마찬가지이다. 도 4는공통단자측에서 본 종방향 결합 탄성표면파 필터의 임피던스특성이다. 이 경우도 상기와 마찬가지로 공통단자에 접속되는 다른 필터의 통과대역의 위치에 의해 자체 임피턴스특성이 다른 필터의 통과역의 임피던스에 주어지는 영향이 결정되며 분파기능의 유무, 이상기의 필요성이 결정된다. 마찬가지로 다른 모드결합형 탄성표면파 필터, 트랜스버설형 탄성표면파필터, 노치필터 등도 마찬가지의 원리가 적용되는 것은 명백하다.The same applies to the case of using a rough double mode type surface acoustic wave filter. 4 is an impedance characteristic of the longitudinally coupled surface acoustic wave filter seen from the common terminal side. In this case, similarly to the above, the influence of the self-impedance characteristic on the impedance of the pass band of the other filter is determined by the position of the pass band of the other filter connected to the common terminal, and the presence or absence of the branching function and the necessity of the abnormal phase are determined. Similarly, the same principle applies to other modal surface acoustic wave filters, transversal surface acoustic wave filters, notch filters, and the like.

다음에 이 공통단자(C)에 접속된 송신측 필터와 수신측 필터를, 지연선로를 이용하지 않고 소형으로 또한 고성능으로 분파하는 분파기의 구체적인 구조를 도 5를 이용하여 설명한다.Next, the concrete structure of the splitter which splits the transmission side filter and the reception side filter connected to this common terminal C into small size and high performance without using a delay line is demonstrated using FIG.

도 5에 도시한 것과 같이 본 실시예의 분파기는 예를들어 4층의 층구조를 갖는 기판으로 구성되며 각 기판이 서로 위치맞춤하여 접합되고 있다. 최상층에 위치하는 기판(11)에는 송신측 필터(BF1), 수신측 필터(BF2), 제 1신호단자(1), 제 2신호단자(2), 기준전위단자(G)가 형성되고 있다.As shown in Fig. 5, the splitter of the present embodiment is constituted by, for example, a substrate having a four-layered layer structure, and each substrate is bonded to each other by positioning. The transmission side filter BF1, the reception side filter BF2, the 1st signal terminal 1, the 2nd signal terminal 2, and the reference potential terminal G are formed in the board | substrate 11 located in the uppermost layer.

또한 송신측 필터(BF1) 및 수신측 필터(BF2)는 페이스다운본딩으로 기판(11)에 탑재되는 플립칩타입 또는 본딩와이어로 기판(11)에 탑재되는 와이어실장타입을 채용할 수 있다. 단 고정밀 실장이 가능한 점 및 본딩와이어의 인덕턴스가 없는 것으로부터 주파수 특성이 변동하지 않는 점등에서 플립칩타입을 채용하는 것이 바람직하다.In addition, the transmission filter BF1 and the reception filter BF2 may employ a flip chip type mounted on the substrate 11 by face down bonding or a wire mounting type mounted on the substrate 11 by bonding wires. However, it is preferable to adopt the flip chip type in the lighting that the frequency characteristic does not change due to the point where high precision mounting is possible and there is no inductance of the bonding wire.

또 제 2층째의 기판(12), 제 3층째의 기판(13) 및 최하층인 제 4층째의 기판(14)에는 π형 로패스필터(LPF)로 이루어지는 집중정수소자로 이루어지는 이상기(6)가 구성되고 있다. 즉 기판(12)에는 구불구불한모양의 배선패턴으로 이루어지는 인덕턴스소자(7)가 형성되고 있으며 그 양단이 기판(11)의 공통단자(C) 및 수신측 필터(BF2)와 각각 전기적으로 접속되고 있다. 또 기판(13)에는 인덕턴스소자(7)의 양단에 접속된 2개의 캐퍼시턴스소자(8)의 전극패턴(8a)이, 기판(14)에는 이들의 전극패턴(8a)과 소정의 갭을 통해 대향하는 대향전극패턴(8b)이 각각 형성되고 있다.In the substrate 12 of the second layer, the substrate 13 of the third layer, and the substrate 14 of the fourth layer, which is the lowest layer, an ideal device 6 made of a lumped constant element composed of a π-type low pass filter (LPF) is provided. It is composed. In other words, an inductance element 7 formed of a wiring pattern having a serpentine shape is formed on the substrate 12, and both ends thereof are electrically connected to the common terminal C and the receiving filter BF2 of the substrate 11, respectively. have. In the substrate 13, the electrode patterns 8a of the two capacitance elements 8 connected to both ends of the inductance element 7 are provided with the electrode patterns 8a and a predetermined gap in the substrate 14. Opposite electrode patterns 8b are formed, respectively.

또한 인덕턴스소자(7) 및 캐퍼시턴스소자(8)의 패턴은 도 5에 도시한 것에는 한정되는 것은 아니다. 인덕턴스소자(7)에 대해서는 설령 도 6과 같은 스파이럴모양, 캐퍼시턴스소자(8)에 대해서는 예를들어 도 7에 도시하는 빗살전극모양으로 형성할 수 있다.In addition, the patterns of the inductance element 7 and the capacitance element 8 are not limited to those shown in FIG. The inductance element 7 can be formed in the shape of a spiral as shown in FIG. 6 and the shape of the comb teeth shown in FIG. 7, for the capacitance element 8, for example.

또 도시한 것과 같은 적층구조로 3차원적으로 분파기를 구성하는 것은 아니고 단일한 평면상에 2차원적으로 구성하도록 해도 된다.In addition, the splitter may not be configured three-dimensionally in the stacked structure as shown, but may be configured two-dimensionally on a single plane.

그리고 이하의 설명을 포함하여 본 실시예의 분파기에서는 집중정수소자에 의한 이상기(6)는 송신측 필터(BF1)나 수신측 필터(BF2)등을 포함하여 원패키지화되고 있지만 이들과는 별도로 한 이른바 외장부착타입이라도 된다.In addition to the following description, in the splitter according to the present embodiment, the phase shifter 6 by the lumped constant element is one-packaged including the transmission filter BF1, the reception filter BF2, and the like. It may be an external type.

이 집중정수소자에 의한 이상기(6)는 회로도로 표현하는 경우에는 π형의 등가회로로 나타나는 π형 로패스필터이다. 즉 집중정수소자에 의한 이상기(6)인 로패스필터는 공통단자(C)로부터 뻗는 전송선로에 배치된 인덕턴스소자(7)와, 이 인덕턴스소자(7)의 양측과 기준전위단자(G)사이에 각각 배치된 2개의 캐퍼시턴스소자(8)를 구비하고 있다. 또한 다음의 설명을 포함하여 집중정수소자에 의한 이상기(6)는 3소자로 구성되지만 5소자, 7소자 등 원하는 소자수로 구성할 수 있다.The ideal phase 6 by the lumped constant element is a π-type low pass filter which is represented by a π-type equivalent circuit when represented by a circuit diagram. In other words, the low pass filter, which is the phase shifter 6 by the lumped constant element, includes an inductance element 7 arranged on a transmission line extending from the common terminal C, and between the two sides of the inductance element 7 and the reference potential terminal G. Two capacitance elements 8 are disposed respectively. In addition to the following description, the ideal device 6 by the lumped constant element is composed of three elements, but may be composed of a desired number of elements such as five elements and seven elements.

여기서 집중정수소자는 분포정수에 의한 지연선로와 비교하여 대폭적으로 소형화가 가능하다. 종래 탄성표면파 장치에 의한 분파기는 분포정수소자인 지연선로에 의해 구성되는 경우가 많았다.Here, the lumped constant element can be significantly miniaturized compared to the delay line by the distribution constant. In the prior art, the splitter using a surface acoustic wave device is often constituted by a delay line which is a distribution constant element.

지연선로의 특성임피던스는 접속되는 탄성표면파 장치의 입력임피던스정도 또는 장치의 구동임피던스, 부하임피던스인 50Ω근방에 설계되므로 그 지연선로의 선로폭을 예를들어 40㎛~120㎛정도로 할 필요가 있으며 또한 지연선로끼리의 결합에 의한 특성임피던스의 저하를 피하기 위해 선로간에 간극을 마련하면서 원하는 위상을 달성하도록 실장기판에 레이아웃하므로 필연적으로 넓은 실장면적이 필요하게 된다.The characteristic impedance of the delay line is designed around 50Ω, which is the input impedance of the surface acoustic wave device to be connected or the driving impedance and the load impedance of the device. Therefore, the line width of the delay line needs to be 40㎛ ~ 120㎛, for example. In order to avoid deterioration of the characteristic impedance due to the coupling of delay lines, a large mounting area is inevitably necessary since the layout is laid out on the mounting board to achieve a desired phase while providing a gap between the lines.

종래 지연선로를 이용한 분파기는 800MHz대에서 2GHz대에서 이용되고 그 실장면적도 5mm X 5mm정도 확보되었다. 그러나 또한 소형화를 생각하면 미리 지연선로에서는 충분히 소형화를 만족할 수 는 없었다.The conventional splitter using the delay line is used in the 800MHz band and 2GHz band, and its mounting area is about 5mm x 5mm. However, considering the miniaturization, it was not possible to sufficiently satisfy the miniaturization in the delay line in advance.

이에 대해 일반적으로 이상기는 보다 저주파수의 예를들어 HF나 VHF대에서는 지연선로를 이용하는 것은 극히 적다. 그것은 그 지연선로길이가 1m를 넘어 사실상 회로기판상에 형성이 곤란하기 때문이다. 사용은 치수상의 제약이 허용되는 경우에 한정된다. 그리고 이들의 주파수대에서는 거의 집중정수소자에 의한 이상기가 이용된다.On the other hand, in general, the abnormal phase is very low frequency, for example, in the HF or VHF band using a delay line is very rare. This is because the length of the delay line exceeds 1m and it is difficult to form on the circuit board. Use is limited if dimensional constraints are allowed. In these frequency bands, an ideal phase by a nearly concentrated constant element is used.

따라서 본 발명자는 분파기의 소형화라는 과제의 해결에도 같은 원리를 이용할 수 있다고 생각했다. 마이크로파 영역에서 집중정수소자를 이용한 이상기의 구성은 예가 아니지만 전자파 파장의 10만분의 1이라는 탄성표면파소자에 사용되는 이상기에는 마찬가지로 현저하게 작은 것이 요구된다.Therefore, the present inventors thought that the same principle can be used to solve the problem of miniaturization of the splitter. Although the configuration of the ideal phase using the lumped constant element in the microwave region is not an example, it is similarly required to be significantly smaller for the phase abnormality used for the surface acoustic wave element of one hundred thousandth of the electromagnetic wave wavelength.

그러나 종래의 지연선로를 이용하는 기술에서는 이 이상의 소형화가 곤란하므로 탄성표면파 장치에 의한 분파기의 이상기의 구성에 집중정수소자를 이용하고 이러한 소형화를 도모하도록 했다.However, in the conventional technique using the delay line, it is difficult to miniaturize this further. Therefore, the lumped constant element is used in the construction of the deviator of the splitter by the surface acoustic wave device.

집중정수소자인 인덕터는 선로폭이 가는 만큼 큰 인덕턴스를 얻을 수 있으며 또 선로사이의 간극도 좁은 만큼 그 자체의 유도인덕턴스에 의해 전체의 인덕턴스가 증가하므로 특성임피던스에 의해 폭이 제한되는 지연선로를 이용하는 것보다 소형화에 유리하다. 또 콘덴서는 대항하는 도체간격을 좁게하는 만큼 대용량화를 도모할 수 있어 소형화에 유리하다. 또 다층기판을 이용한 적층구성에 의해 콘덴서는 실현이 용이하다. 따라서 집중정수소자에 의한 이상기는 소자수가 늘어나는 것을 고려해도 소형화에 유리하다고 판단했다.The inductor, which is a lumped constant element, can obtain inductance as large as the line width, and the inductance of the inductance is increased by its own inductance as the gap between lines is narrow. Therefore, the delay line whose width is limited by the characteristic impedance is used. It is advantageous to miniaturization. In addition, the capacitor can be increased in capacity by narrowing the opposing conductor gap, which is advantageous for miniaturization. In addition, the capacitor can be easily realized by the laminated structure using the multilayer board. Therefore, the abnormality caused by the lumped water purification element was considered to be advantageous in miniaturization even when the number of elements is increased.

또한 상술한 일본국 특허제3246906호의 청구항 4에는 집중정수소자인 인덕턴스(L)로 지연선로를 구성하는 기술이 도시되고 있지만 인덕턴스만으로는 불충분하다. 어떠한 인덕터의 범위에서도 접속되는 필터의 임피던스특성은 대역외 뿐만아니라 통과역도 포함하여 전 대역에서 인덕디브로 추이한다. 따라서 정합이 충분히 취해진 필터의 경우, 정합특성 중 어느 한 부분을 반드시 열화시키기 때문이다. 따라서 일본국 특허제 3246906호에 기재한 것과 같이 직렬의 인덕턴스소자에 의해서만 회로로 분기파를 구성하는 것은 바람직하지 않으며 또한 정합용의 리액턴스소자가 있는 쪽이 더욱 좋다.Further, in the above-mentioned claim 4 of Japanese Patent No. 3246906, a technique for constructing a delay line with an inductance L, which is a lumped constant element, is shown, but inductance alone is insufficient. The impedance characteristics of the connected filter in any inductor range are inducted over the entire band including not only out-of-band but also the pass band. This is because, in the case of a filter sufficiently matched, any part of the matching characteristics deteriorates. Therefore, as described in Japanese Patent No. 3246906, it is not preferable to form a branch wave in a circuit by only an inductance element in series, and it is more preferable to have a reactance element for matching.

본 발명은 그 점을 고려하여 원하는 주파수에서의 이상기의 임피던스를 부하/구동임피던스와 충분히 정합을 취해지도록 배치하고(예를들어 직렬인덕턴스와 병렬콘덴서) 또한 원하는 주파수로 필요한 위상회전각을 실현하도록 이상기를 구성했다. 또 통과역 이외의 억압해야 할 주파수대역에서는 동시에 실현되는 π형 또는 T형에 의한 임피던스요소필터의 효과에 의해 원하는 감쇠특성을 얻도록 했다.In view of this, the present invention is arranged so that the impedance of the phase shifter at a desired frequency is sufficiently matched with the load / driving impedance (e.g., series inductance and parallel capacitor) and the phase shifting angle is realized at a desired frequency. Configured. In addition, in the frequency band to be suppressed outside the pass band, desired attenuation characteristics are obtained by the effect of the π or T type impedance element filter simultaneously realized.

삽입하는 이상기(6)의 구성은 이상기의 원하는 주파수에서의 입출력임피던스를 Zlump, 이상회전각 γ, 소자수에 의해 부여된다. 더욱 간단한 3소자에 의한 구성의 경우 원하는 각주파수를 ω로 하면,In the configuration of the abnormal phase 6 to be inserted, the input / output impedance at a desired frequency of the abnormal phase is given by Zlump, the ideal rotation angle γ, and the number of elements. In the case of a simpler three-element configuration, if the desired angular frequency is ω,

Zlump = (L/C)1/2 Zlump = (L / C) 1/2

γ= jω(L X C)1/2 γ = jω (LXC) 1/2

로 부여된다. 이 집중회로소자에 의한 이상기는 도14의 T형 로패스필터, 도 1의 π형 하이패스 필터(HPF), 도 18의 T형 하이패스필터의 4종으로 구성된다. 또한 도14, 도17 및 도18의 내용에 대해서는 후술한다.Is given. The abnormality caused by the lumped circuit element is composed of four types of the T type low pass filter of FIG. 14, the π type high pass filter (HPF) of FIG. 1, and the T type high pass filter of FIG. 14, 17 and 18 will be described later.

또 4종의 소자값은 모두 윗식으로 부여되고 원하는 주파수의 임피던스, 이상회전각은 동일하며 다른 주파수대에서의 전송특성이 다르다. 3소자를 5소자로 할 경우는 γ에 절반의 값을 부여하여 마찬가지로 계산하고 종속접속하여 동일한 소자부분을 모아놓으면 된다.All four device values are given above, and the impedance and abnormal rotation angle of the desired frequency are the same, and the transmission characteristics at different frequency bands are different. In the case of three elements of five elements, half of the value is given to γ, which is calculated in the same manner.

도 8은 2GHz대를 대상으로 하는 장치에서의 종래기술과 본 발명에 의한 4종의 구성에 의한 이상기의 통과특성을 비교한 것이다. 종래기술에서는 10GHz까지 저손실로 추이하는 데 대해 본 발명의 로패스필터, 하이패스필터의 구성에 의한 이상기는 원하는 주파수대 이하 또는 이상에서 신호가 감쇠하는 것을 알 수 있다.Fig. 8 compares the passage characteristics of the ideal phase of the four types of configurations according to the prior art and the present invention in the apparatus for the 2 GHz band. In the prior art, it can be seen that the abnormal phase caused by the configuration of the low pass filter and the high pass filter of the present invention attenuates the signal at or below a desired frequency band while transitioning to a low loss up to 10 GHz.

도 9는 2GHz대를 대상으로 하는 장치에서의 종래기술과 본 발명에 의한 4종의 구성에 의한 이상기의 위상특성을 비교한 것이다. 로패스필터는 원하는 주파수에서 지연선로와 동등한 위상을 부여하며 하이패스필터는 이와는 다른 주파수에서 동등한 위상을 부여하는 것을 알 수 있다. Zlump, γ는 L,C의 설정에 의해 디바이스의 입출력임피던스, 장치의 부하/구동임피던스에 의해 임의로 부여할 수 있게 된다.Fig. 9 compares the phase characteristics of the phase shifter according to the four types of configurations according to the prior art and the present invention in an apparatus for the 2 GHz band. It can be seen that the low pass filter gives an equal phase to the delay line at a desired frequency, and the high pass filter gives an equal phase at a different frequency. Zlump and γ can be arbitrarily given by the input / output impedance of the device and the load / drive impedance of the device by setting L and C.

도10은 본 발명에 의한 4종의 이상기의 임피던스특성의 스미스챠트이다. 종래기술은 광대역에 걸쳐 부하/구동임피던스에 정합된 지연선로의 전송특성을 도시하는 데 대해 본 발명의 이상기는 원하는 주파수 이외에서는 반사계수가 크게 다르다.Fig. 10 is a Smith chart of impedance characteristics of four abnormal phases according to the present invention. The prior art shows the transmission characteristics of a delay line matched to the load / drive impedance over a wide band, whereas the ideal phase of the present invention differs greatly in the reflection coefficient at other than the desired frequency.

이와같이 본 발명에 의한 이상기는 지연선로를 이용한 것과는 달리 원하는 주파수 이외에서는 다른 전송특성, 다른 위상특성, 다른 임피던스특성을 부여하는 것이 특징이다. 따라서 원하는 주파수에서의 이상기의 임피던스특성, 위상특성을 만족한 채로 다른 주파수대역에서의 전송특성을 변화시키는 것이 가능하게 된다.As described above, the phase shifter according to the present invention is characterized by giving different transmission characteristics, different phase characteristics, and different impedance characteristics except the desired frequency, unlike the delay line. Therefore, it is possible to change the transmission characteristics in other frequency bands while satisfying the impedance characteristics and phase characteristics of the ideal phase at the desired frequency.

이상의 구조를 갖는 분파기에 대해 통과대역 근방에서의 주파수 특성을 도11, 고주파영역에서의 주파수 특성을 도 12에, 각각 도시한다. 또 수신측 필터인 수신측 필터(BF2)의 임피던스특성의 스미스챠트를 도13에 도시한다.The frequency characteristics in the vicinity of the pass band for the splitter having the above structure are shown in FIG. 11 and the frequency characteristics in the high frequency region in FIG. Fig. 13 shows a Smith chart of the impedance characteristics of the receiving filter BF2 which is the receiving filter.

도11과 같이 송신측 필터(BF1)와 수신측 필터(BF2)는 서로 다른 통과대역을가지고 있으며 수신측 필터(BF2)쪽이 송신측 필터(BF1)보다도 높은 통과대역이 되고 있다. 또 도12와 같이 수신측 필터(BF2)에 대해서는 상술한 집중정수소자에 의한 이상기(6)가 유효하게 작용하고 있기 때문에 지연선로를 이용한 경우(BF1',BF2')에 비해 고주파영역의 신호성분이 크게 억압되는 것을 알 수 있다. 또한 도13과 같이 수신측 필터의 임피던스는 집중정수소자가 삽입되고 고주파 억압특성을 얻음에도 불구하고 시계방향으로 회전하고 지연선로를 이용한 경우와 동등한 특성을 부여하고 있는 것을 알 수 있다. 또 도11과 같이 BF1의 통과대역의 전송특성도 동등한 전송특성을 부여하는 것을 알 수 있다.As shown in Fig. 11, the transmitting filter BF1 and the receiving filter BF2 have different passbands, and the receiving filter BF2 has a higher passband than the transmitting filter BF1. As shown in Fig. 12, the receiver side filter BF2 effectively operates the phase shifter 6 by the lumped constant element described above, so that the signal component of the high frequency region is higher than in the case of using the delay line (BF1 ', BF2'). It can be seen that this is greatly suppressed. In addition, as shown in FIG. 13, the impedance of the receiving side filter is clockwise in spite of the insertion of the concentrated constant element and the high frequency suppression characteristics are obtained. 11, it can be seen that the transmission characteristics of the pass band of the BF1 also give equivalent transmission characteristics.

이와같은 분파기를 이용하면 수신필터의 고주파 영역에서의 감쇠특성을 개선할 수 있으며 또한 분파기의 이러한 소형화가 가능하다.By using such a splitter, the attenuation characteristic in the high frequency region of the receiving filter can be improved, and this miniaturization of the splitter is possible.

여기서 집중정수소자를 이용한 이상기(6)에는 예를들어 도14와 같은 T형의 등가회로로 나타내는 T형 로패스필터를 이용할 수도 있다. 즉 도14에 도시하는 이상기(6)인 로패스필터는 공통단자(C)에서 뻗는 전송선로에 배치된 2가지의 인덕턴스소자(7)와, 이들의 인덕턴스소자(7)의 중점과 기준전위단자(G)사이에 배치된 캐퍼시턴스소자(8)를 구비한 것이다.Here, the T-type low pass filter shown in the T-type equivalent circuit shown in FIG. 14 may be used for the idealizer 6 using the lumped constant element. That is, the low pass filter, which is the ideal phase 6 shown in Fig. 14, has two inductance elements 7 arranged in a transmission line extending from the common terminal C, the midpoints and the reference potential terminals of these inductance elements 7. It is provided with the capacitance element 8 arrange | positioned between (G).

도14에 도시하는 집중정수소자(6)의 통과대역근방에서의 주파수특성을 도15에, 고주파영역에서의 주파수특성을 도16에, 각각 도시한다. 도15와 같이 수신측 필터(BF2)쪽이 송신측 필터(BF1)보다도 높아지는 통과대역을 각각 가지고 있으며, 또 도16과 같이 수신측 필터(BF2)에 대해서는 지연선로를 이용한 경우(BF1', BF2')에 비해 고주파 영역의 신호성분이 크게 억압되는 것을 알 수 있다.The frequency characteristics in the vicinity of the pass band of the lumped constant element 6 shown in FIG. 14 are shown in FIG. 15, and the frequency characteristics in the high frequency region are shown in FIG. As shown in Fig. 15, the receiving side filter BF2 has a passband higher than the transmitting side filter BF1, and as shown in Fig. 16, a delay line is used for the receiving side filter BF2 (BF1 ', BF2). Compared with '), it can be seen that the signal component of the high frequency region is greatly suppressed.

또 게다가 이상기(6)에는 예를들어 도17에 도시하는 π형의 등가회로로 나타내는 π형 하이패스필터 또는 예를들어 도18과 같은 T형의 등가회로로 나타내는 T형 하이패스필터 등 하이패스필터를 이용할 수도 있다.Furthermore, the ideal phase 6 includes a high pass such as a π-type high pass filter represented by, for example, a π-type equivalent circuit shown in FIG. 17, or a T-type high pass filter represented by a T-type equivalent circuit as shown in FIG. Filters can also be used.

즉 도17에 도시하는 이상기(6)인 π형 하이패스필터는 공통단자(C)에서 뻗는 전송선로에 배치된 캐퍼시턴스소자(8)와, 이 캐퍼시턴스소자(8)의 양측과 기준전위단자(G)와의 사이에 각각 배치된 2개의 인덕턴스소자(7)를 구비하고 있다.That is, the π-type high pass filter, which is the ideal phase 6 shown in Fig. 17, has a capacitance element 8 arranged on a transmission line extending from the common terminal C, and both sides of the capacitance element 8 and a reference. Two inductance elements 7 disposed between the potential terminals G are provided.

또 도18에 도시하는 이상기(6)인 T형 하이패스필터는 공통단자(C)로부터 뻗는 전송선로에 배치된 2개의 캐퍼시턴스소자(8)와, 이들의 캐퍼시턴스소자(8)의 중점과 기준전위단자(G)사이에 배치된 인덕턴스소자(7)를 구비한 것이다.The T-type high pass filter, which is the ideal phase 6 shown in Fig. 18, includes two capacitance elements 8 arranged on a transmission line extending from the common terminal C, and the capacitance elements 8 of these capacitance elements 8; An inductance element 7 disposed between the midpoint and the reference potential terminal G is provided.

도17에 도시하는 이상기(6)의 통과대역근방에서의 주파수특성을 도 19에, 고주파 영역에서의 주파수특성을 도 20에 도시한다. 또 도18에 도시하는 이상기(6)의 통과대역 근방에서의 주파수특성을 도21에, 고주파 영역에서의 주파수 특성을 도 22에 도시한다.FIG. 19 shows the frequency characteristics in the vicinity of the pass band of the phase shifter 6 shown in FIG. 17, and FIG. 20 shows the frequency characteristics in the high frequency region. FIG. 21 shows the frequency characteristics in the vicinity of the pass band of the phase shifter 6 shown in FIG. 18, and FIG. 22 shows the frequency characteristics in the high frequency region.

도19 및 도 21에 도시하는 것과 같이 수신측 필터(BF2)쪽이 송신측 필터(BF1)보다도 높아지는 통과대역을 각각 갖고 있다. 또 도 20 및 도 22와 같이 수신측 필터(BF2)에 대해서는 지연선로를 이용한 경우(BF1', BF2')에 비해 통과대역 이외의 주파수 대역에서의(여기서는 이상기(6)가 하이패스필터이므로 저주파 영역에서의)신호성분이 크게 억압되는 것을 알 수 있다.As shown in Figs. 19 and 21, the receiving filter BF2 has a passband that is higher than the transmitting filter BF1, respectively. As shown in Figs. 20 and 22, the receiving filter BF2 has a low frequency in the frequency band other than the pass band (in this case, since the outlier 6 is a high pass filter) compared with the case where the delay line is used (BF1 ', BF2'). It can be seen that the signal component (in the region) is greatly suppressed.

또 접지된 인덕턴스소자(7)에 의해 서지(surge)전압에 대한 내성을 갖게할 수 있다. 또한 직렬로 삽입된 캐퍼시턴스소자(8)에 의해 DC성분을 차단할 수 있다.In addition, the grounded inductance element 7 can provide resistance to a surge voltage. In addition, the DC component can be cut off by the capacitance element 8 inserted in series.

이상과 같이 본원과 같이 집중정수소자를 이용한 이상기는 원하는 주파수대역에서 임의의 입출력 임피던스 및 임의의 위상량을 실현하는 것이 가능하므로 종래의 분파기에서의 지연선로를 대신하여 이들을 바로 적용할 수 있다.As described above, the ideal device using the lumped constant element as described above can realize any input / output impedance and an arbitrary amount of phase in a desired frequency band, so that they can be directly applied instead of the delay line in the conventional splitter.

또한 본 실시예에서는 2개의 필터의 경우에 대해 설명했지만 2분파기에 한정되지 않고 어떠한 다수의 필터조합에 의한 다분파기에 대해서도 적용가능하다.In addition, in the present embodiment, the case of two filters has been described, but it is not limited to two splitters and can be applied to a multisplit by any number of filter combinations.

다분파기의 경우 다수 조합하는 필터의, 공통단자측에서 본 입력임피던스가 접속되는 다른 필터의 통과대역의 임피던스에 영향을 미치는 경우 공통단자와 이 필터 사이에 본원의 집중정수소자에 의한 이상기(6)를 삽입한다.In the case of a multi-component filter, when the input impedance seen from the common terminal side affects the impedance of the pass band of another filter to which the common terminal side is connected, an ideal phase (6) by the lumped constant element of the present application between the common terminal and this filter Insert

이 이상기(6)에 의해 이 필터의 통과역은 원하는 임피던스특성을 부여할 수 있다. 또 접속되는 다른 필터의 통과대역에서의 이 필터의 임피던스는 이상기에 의해 높아지고 이 필터의 임피던스는 다른 필터의 통과역에서의 임피던스에 대한 영향을 작게할 수 있다.By the phase shifter 6, the pass band of this filter can give a desired impedance characteristic. In addition, the impedance of this filter in the pass band of another filter to be connected is increased by the abnormal phase, and the impedance of this filter can reduce the influence on the impedance in the pass band of the other filter.

이상 설명에서 알 수 있는 것과 같이 본 발명에 의하면 다음의 효과를 나타낼 수 있다.As can be seen from the above description, according to the present invention, the following effects can be obtained.

즉 본원의 분파기에서는 지연선로 등과 비교하면 대폭적으로 공간효율에 뛰어난 집중정수소자에 의한 이상기를 이용하므로 소형화가 가능하게 된다.That is, in the splitter of the present application, it is possible to reduce the size of the splitter because it uses an ideal phase of the lumped constant element, which is significantly superior in space efficiency.

또 필터의 통과대역에 있어서는 분파기로서 원하는 임피던스특성, 위상특성을 실현하면서 통과대역 이외의 주파수 대역에서는 신호성분을 감쇠할 수 있게 되어 분파기의 소형화와 고성능화가 동시에 가능하게 된다.In the passband of the filter, signal components can be attenuated in frequency bands other than the passband while realizing desired impedance characteristics and phase characteristics as the splitter, thereby minimizing the splitter and improving performance.

또한 하이패스필터를 이용한 경우의 서지내성, DC커트기능을 부가하는 것도 가능하게 되어 다기능화를 실현할 수 있다.In addition, surge resistance and DC cut function in the case of using a high pass filter can be added, thereby achieving multi-functionality.

Claims (13)

공통단자와,Common terminal, 탄성표면파 소자로 형성됨과 동시에 공통단자에 접속된 신호단자를 구비하고, 서로 다른 통과대역을 갖는 다수의 탄성표면파 필터와,A plurality of surface acoustic wave filters formed of surface acoustic wave elements and having signal terminals connected to common terminals and having different pass bands; 상기 공통단자측에서 본 소정의 상기 탄성표면파 필터의 통과대역에서의 임피던스와 상기 신호단자측에서 본 임피던스와의 정합에 영향을 주는 입력임피던스를 갖는 탄성표면파 필터와 공통단자와의 사이에 배치된 집중정수소자에 의해 형성된 이상기를,A concentration disposed between the common surface and the surface acoustic wave filter having an input impedance which affects matching between the impedance in the pass band of the predetermined surface acoustic wave filter seen from the common terminal side and the impedance seen from the signal terminal side The ideal group formed by the water purification element, 구비한 것을 특징으로 하는 분파기.Separator characterized in that provided. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 탄성표면파 소자는The surface acoustic wave device 어느 한 탄성표면파소자로 형성됨과 동시에 상기 공통단자에 접속된 신호단자를 구비하고, 소정의 통과대역을 갖는 제 1탄성표면파 필터와,A first elastic surface wave filter formed of one surface acoustic wave element and having a signal terminal connected to the common terminal and having a predetermined pass band; 어느 한 탄성표면파소자로 형성됨과 동시에 상기 공통단자에 접속된 신호단자를 구비하고, 상기 제 1탄성표면파 필터의 통과대역과는 다른 통과대역을 갖는 제 2탄성표면파 필터를A second surface acoustic wave filter formed of one surface acoustic wave element and having a signal terminal connected to the common terminal and having a pass band different from that of the first surface acoustic wave filter. 포함하는 것을 특징으로 하는 분파기.A splitter comprising a. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1탄성표면파 필터는 탄성표면파 공진기로 형성되어 직렬암에 배치된 직렬암 공진기와 탄성표면파 공진기로 형성되어 병렬암에 배치된 병렬암 공진기가 다수단 접속됨과 동시에 상기 공통단자측의 초단이 상기 직렬암 공진기로 구성되고,The first surface acoustic wave filter is formed of a surface acoustic wave resonator and is formed of a series arm resonator disposed on a serial arm and a surface arm resonator arranged on a parallel arm. Composed of a series arm resonator, 상기 제 2탄성표면파 필터는 탄성표면파 공진기로 형성되어 직렬암에 배치된 직렬암 공진기와 탄성표면파 공진기로 형성되어 병렬암에 배치된 병렬암 공진기가 다수단 접속됨과 동시에 상기 공통단자측의 초단이 상기 병렬암 공진기로 구성되는 것을 특징으로 하는 분파기.The second surface acoustic wave filter is formed of a surface acoustic wave resonator and is formed of a series arm resonator disposed on a serial arm and a surface arm resonator arranged on a parallel arm. A splitter comprising a parallel arm resonator. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 이상기는 로패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the ideal phase is a low pass filter. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 로패스필터는 T형의 등가회로로 나타내는 T형 로패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the low pass filter is a T type low pass filter represented by a T type equivalent circuit. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 로패스필터는 상기 공통단자로부터 뻗는 전송선로에 배치된 2개의 인덕턴스소자와, 이들의 인덕턴스소자의 중점과 기준전위단자 사이에 배치된 캐퍼시턴스소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분파기.And the low pass filter comprises two inductance elements arranged on a transmission line extending from the common terminal, and a capacitance element disposed between the midpoint of the inductance elements and the reference potential terminal. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 로패스필터는 π형의 등가회로로 나타내는 π형 로패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the low pass filter is a? Type low pass filter represented by a? Type equivalent circuit. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 로패스필터는 상기 공통단자에서 뻗는 전송선로에 배치된 인덕턴스소자와, 상기 인덕턴스소자의 양측과 기준전위단자 사이에 각각 배치된 2개의 캐퍼시턴스소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분파기.And the low pass filter comprises an inductance element arranged on a transmission line extending from the common terminal, and two capacitance elements respectively disposed between both sides of the inductance element and a reference potential terminal. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 이상기는 하이패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the phase shifter is a high pass filter. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 하이패스필터는 T형의 등가회로로 나타내는 T형 하이패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the high pass filter is a T type high pass filter represented by a T type equivalent circuit. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 하이패스필터는 상기 공통단자로부터 뻗는 전송선로에 배치된 2개의 캐퍼시턴스소자와, 이들의 캐퍼시턴스소자의 중점과 기준전위단자와의 사이에 배치된 인덕턴스소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분파기.The high pass filter includes two capacitance elements arranged on a transmission line extending from the common terminal, and an inductance element disposed between the midpoint of the capacitance elements and the reference potential terminal. Cultivator. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 하이패스필터는 π형의 등가회로로 나타내는 π형 하이패스필터인 것을 특징으로 하는 분파기.And the high pass filter is a? Type high pass filter represented by a? Type equivalent circuit. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 하이패스필터는 상기 공통단자로부터 뻗는 전송선로에 배치된 캐퍼시턴스소자와, 상기 캐퍼시턴스소자의 양측과 기준전위단자 사이에 각각 배치된 2개의 인덕턴스소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 분파기.The high pass filter includes a capacitance element arranged on a transmission line extending from the common terminal, and a splitter comprising two inductance elements disposed between both sides of the capacitance element and a reference potential terminal. .
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