KR20040076734A - Lithography process inspection system using scanning electro microscope and optical microscope - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 리소그래픽 공정 후 웨이퍼의 프로파일을 검사하기 위한 검사 시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 웨이퍼의 전체 영역에 대하여 검사가 용이한 구조를 갖는 리소그래피 공정 검사 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to an inspection system for inspecting a profile of a wafer after a lithographic process, and more particularly, to a lithographic process inspection system having a structure that facilitates inspection of the entire area of a wafer.
반도체 제조 공정 중 하나인 리소그래피 공정은 노광 및 현상 공정 후 웨이퍼의 프로파일(profile)을 검사하기 위한 웨이퍼 검사 공정을 수행한다. 이 검사 공정에서 사용되는 검사 시스템의 구성은 주사형 전자 현미경(scanning electro microscope)과 광학 현미경(optical microscope)을 포함한다.A lithography process, one of the semiconductor manufacturing processes, performs a wafer inspection process for inspecting a profile of a wafer after an exposure and development process. The configuration of the inspection system used in this inspection process includes a scanning electro microscope and an optical microscope.
첨부된 도 1에 종래의 리소그래픽 공정 검사 시스템을 설명하기 위한 도면이 도시되어 있다. 이 시스템을 이용한 웨이퍼 검사에 있어서 먼저 광학 현미경(10)을 이용하여 전체적인 웨이퍼(30) 상태를 확인하고 다시 주사형 전자 현미경을 이용하여 보다 상세하게 검사를 한다.1 is a diagram illustrating a conventional lithographic process inspection system. In the wafer inspection using this system, first, the overall state of the wafer 30 is confirmed by using the optical microscope 10, and further inspection is performed by using a scanning electron microscope.
그런데, 현재의 시스템에서는 웨이퍼(30)를 잡고 있는 척(chuck)의 구동 반경상 웨이퍼(30) 상에서 광학 현미경(10)을 사용할 수 있는 영역은 웨이퍼(30)의 중하부 영역(36)에서 가능하고, 상부 영역(34)에서는 사용이 불가능하다. 그럼으로 현재 웨이퍼(30)의 상부 영역(34)의 프로파일을 보기위해서 웨이퍼(30)의 중하부 영역(36)에서 광학 현미경 모드에서 전자 현미경 모드로 전환한 후 상부 영역(34)의 원하는 영역으로 이동하여 확인한다.By the way, in the current system, the region where the optical microscope 10 can be used on the driving radius wafer 30 of the chuck holding the wafer 30 is possible in the lower and middle region 36 of the wafer 30. In the upper region 34, it cannot be used. Thus, to view the profile of the upper region 34 of the current wafer 30, switch from the optical microscope mode to the electron microscope mode in the lower and lower region 36 of the wafer 30 and then to the desired region of the upper region 34. Go and check.
이와 같이 웨이퍼(30)의 상부 영역에 위치하는 다이(die)를 관찰할 때 이와 같은 방식을 반복하게 되어 웨이퍼 검사 공정이 길어지는 문제점이 있어왔다.As described above, when the die located in the upper region of the wafer 30 is observed, the above-described method is repeated, thereby increasing the wafer inspection process.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 광학 현미경을 이용하여 웨이퍼의 상부 영역을 검사할 수 있는 주사형 전자 현미경 및 광학 현미경을 이용한 리소그래피 공정 검사 시스템을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a lithography process inspection system using a scanning electron microscope and an optical microscope that can inspect an upper region of a wafer using an optical microscope.
도 1은 종래의 리소그래픽 공정 검사 시스템을 설명하기 위한 도면;1 is a diagram for explaining a conventional lithographic process inspection system;
도 2는 웨이퍼의 형상을 보여주는 도면;2 shows the shape of a wafer;
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리소그래픽 공정 검사 시스템을 보여주는 도면이다.3 shows a lithographic process inspection system according to a preferred embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10: 광학 현미경 20: 오브젝트 렌즈10: optical microscope 20: object lens
30: 웨이퍼 40, 42, 44, 46: 반사경30: wafer 40, 42, 44, 46: reflector
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 리소그래픽 공정 후 웨이퍼의 프로파일을 검사하기 위한 리소그래피 공정 검사 시스템은 주사식 전자 현미경과 광학 현미경을 구비하고 광학 현미경이 웨이퍼의 상부 영역의 프로파일을 얻도록 하기 위해 설치되는 다수개의 반사경을 구비한다.To achieve this goal, a lithographic process inspection system for inspecting a wafer's profile after a lithographic process is equipped with a scanning electron microscope and an optical microscope, which is set up so that the optical microscope can obtain a profile of the upper region of the wafer. It has a plurality of reflectors.
본 발명에 있어서, 상기 광학 현미경을 위한 다수개의 반사경은 광학 현미경에 사용되는 빔이 전자 현미경을 위한 전자 빔과 교차되지 않도록 위치한다.In the present invention, the plurality of reflectors for the optical microscope are positioned so that the beam used for the optical microscope does not intersect the electron beam for the electron microscope.
(실시예)(Example)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosed contents thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art.
본 발명의 주사형 전자 현미경 및 광학 현미경을 이용한 리소그래피 공정 검사 시스템은 광학 현미경을 위한 반사경을 다수개 구비하여 웨이퍼의 전영역을 광학 현미경을 사용하여 검사할 수 있다.The lithographic process inspection system using the scanning electron microscope and the optical microscope of the present invention includes a plurality of reflectors for the optical microscope, so that the entire area of the wafer can be inspected using the optical microscope.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 리소그래픽 공정 검사 시스템을 보여주는 도면이다.3 shows a lithographic process inspection system according to a preferred embodiment of the present invention.
도면을 참조하여, 본 발명의 검사 시스템은 광학 현미경(10)을 위한 반사경(40, 42, 44, 46)을 다수개 갖는다. 반사경은 웨이퍼(30)의 상부 영역(36)을 관찰 할 수 있도록 적절히 시스템에 배치된다.Referring to the drawings, the inspection system of the present invention has a plurality of reflectors 40, 42, 44, 46 for the optical microscope 10. The reflector is properly placed in the system so that the upper region 36 of the wafer 30 can be observed.
광학 현미경(10)은 시스템이 광학 현미경 모드에서 상하로 이동하면서 초점을 맞추게 된다. 본 발명에서는 오브젝트 렌즈(20) 내에 4개의 반사경(40, 42, 44, 46)을 설치하여 웨이퍼(30)의 플렛존(32) 부근에 장착되어 있는 광학 현미경(10)을 이용해서 전자 빔의 방해 없이 웨이퍼(30)의 상부 영역(34)을 관찰 할 수 있게 된다.The optical microscope 10 is focused as the system moves up and down in the optical microscope mode. In the present invention, four reflecting mirrors 40, 42, 44, 46 are provided in the object lens 20, and the optical beam 10 mounted near the flat zone 32 of the wafer 30 is used for the electron beam. The upper region 34 of the wafer 30 can be observed without obstruction.
그럼으로 웨이퍼(30) 전 영역에 대하여 하나의 광학 현미경(10)을 이용하여 검사를 할 수 있으며, 종래와 같이 전자 현미경 모드로 전환하는 번거로움과 검사 공정의 시간 손실을 줄일 수 있다. 4개의 반사경(40, 42, 44, 46)은 광학 현미경(10)에 사용되는 빔이 전자 현미경을 위한 전자 빔과 교차되지 않도록 위치한다.As a result, the entire area of the wafer 30 can be inspected using one optical microscope 10, and the trouble of switching to the electron microscope mode and the time loss of the inspection process can be reduced. Four reflectors 40, 42, 44, 46 are positioned so that the beam used for the optical microscope 10 does not intersect the electron beam for the electron microscope.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 본 발명은 웨이퍼의 상부 영역을 검사하기 위한 다수개의 반사경을 구비함으로서 하나의 광학 현미경을 이용하여 웨이퍼의 상부 영역의 프로파일을 얻을 수 있어서 검사 공정 시간을 절약할 수 있는 효과를 얻는다.As described in detail above, the present invention includes a plurality of reflecting mirrors for inspecting the upper region of the wafer, so that a profile of the upper region of the wafer can be obtained by using one optical microscope, thereby saving inspection process time. Get the effect.
Claims (2)
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| KR1020030012075A KR20040076734A (en) | 2003-02-26 | 2003-02-26 | Lithography process inspection system using scanning electro microscope and optical microscope |
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| KR1020030012075A KR20040076734A (en) | 2003-02-26 | 2003-02-26 | Lithography process inspection system using scanning electro microscope and optical microscope |
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| KR20040076734A true KR20040076734A (en) | 2004-09-03 |
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| KR (1) | KR20040076734A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8890067B2 (en) | 2012-05-30 | 2014-11-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Inspection system using scanning electron microscope |
| US8981293B2 (en) | 2013-03-26 | 2015-03-17 | Samsung Display Co., Ltd. | System for inspecting flat panel display using scanning electron microscope |
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2003
- 2003-02-26 KR KR1020030012075A patent/KR20040076734A/en not_active Application Discontinuation
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