KR20040073137A - Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer using the same - Google Patents

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KR20040073137A KR1020030009118A KR20030009118A KR20040073137A KR 20040073137 A KR20040073137 A KR 20040073137A KR 1020030009118 A KR1020030009118 A KR 1020030009118A KR 20030009118 A KR20030009118 A KR 20030009118A KR 20040073137 A KR20040073137 A KR 20040073137A
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Abstract

PURPOSE: A wafer cleaning apparatus and a cleaning method thereof are provided to measure floating contaminants on the cleaning solution in a cleaning process and stick the floating contaminants to an electrode plate by using a zeta potential analyzer. CONSTITUTION: A cleaning bath(90) is used for storing a wafer. A zeta potential analyzer(10) is used for measuring zeta potential of contaminants included in a cleaning solution(70) within the cleaning bath. A DC power generator(20) is used for supplying DC to an electrode plate installed on the cleaning bath dependent on the zeta potential of the measured contaminants. A pump(50), a cooler(30), and a filter(60) are used for circulating the cleaning solution within the cleaning bath.

Description

웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법{Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer using the same}Wafer cleaning apparatus and wafer cleaning method using the same {Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer using the same}

본 발명은 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 특히 제타포텐셜(Zeta Potential)을 이용한 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한웨이퍼 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus using zeta potential and a wafer cleaning method using the same.

반도체 제조 공정뿐만 아니라 액정 표시기(LCD) 제조 공정시 소자의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미치는 것이 제조 공정 중에 발생되는 오염물이다. 각 공정 후 웨이퍼 표면의 오염물은 기하급수적으로 늘어나게 되고, 이 오염물에 의해 소자의 수율은 급격히 감소하게 된다. 웨이퍼 세정 공정은 웨이퍼 표면의 모든 오염물을 완벽히 제거하는 것이 가장 이상적인 목표이기는 하지만 그것은 거의 불가능하다고 할 수 있다. 실제로 웨이퍼 세정 공정은 각 공정 전과 후에 실시하여 기하 급수적으로 증가하는 오염물을 최소한의 비율로 감소시키는 것이 그 주된 목적이다. 따라서 웨이퍼 세정 공정은 모든 공정 전후에 반드시 행해져야 한다. 반도체 소자 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 부착되는 오염물의 종류는 크게 파티클, 유기물, 무기물 및 자연 산화물 등으로 나눌 수 있다.In addition to the semiconductor manufacturing process, it is a contaminant generated during the manufacturing process that directly affects the performance and yield of the device in the liquid crystal display (LCD) manufacturing process. After each process, contaminants on the wafer surface increase exponentially and the yield of the device is drastically reduced. The wafer cleaning process is almost impossible, although the ideal goal is to completely remove all contaminants from the wafer surface. In fact, the main purpose of the wafer cleaning process is before and after each process to reduce the exponentially increasing contaminants to a minimum rate. Therefore, the wafer cleaning process must be performed before and after all processes. In the semiconductor device manufacturing process, the contaminants adhered to the wafer surface may be broadly divided into particles, organic materials, inorganic materials, and natural oxides.

웨이퍼 세정 공정에 보편적으로 사용되고 있는 방법은 과산화수소를 근간으로 하는 RCA 세정 방법이다. 과산화수소는 오염물과 웨이퍼 표면을 산화시키는 산화제로써의 역할을 하고 있다. 그런데 과산화수소는 세정 공정 동안 분해되어 물을 생성하기 때문에 세정액의 농도를 희석시켜 세정액의 수명을 단축시킨다. 결과적으로 세정액의 사용량이 증가함에 따라 화학 폐수량이 증가하고, 폐수 처리 공정 중 탈과산화수소 공정이 반드시 필요하며, 이로 인하여 폐수 처리비용이 증가하고 환경적인 문제점을 야기시킨다.A method commonly used in the wafer cleaning process is an RCA cleaning method based on hydrogen peroxide. Hydrogen peroxide acts as an oxidizer to oxidize contaminants and wafer surfaces. However, since hydrogen peroxide decomposes during the cleaning process to produce water, the concentration of the cleaning liquid is diluted to shorten the life of the cleaning liquid. As a result, as the amount of the washing solution is increased, the amount of chemical wastewater increases, and dehydrogen peroxide process is necessary during the wastewater treatment process, thereby increasing the wastewater treatment cost and causing environmental problems.

최근, 세정액의 수명을 늘리고 세정 효과를 높이기 위해, 세정액에 첨가제를추가하는 등의 새로운 세정 공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 기능성 화학약품의 첨가와 새로운 약품의 추가는 환경 문제 및 비용 추가 등의 문제를 유발하고 있으며, 세정액의 수명을 늘리는데 한계가 있다.Recently, in order to increase the life of the cleaning liquid and to increase the cleaning effect, researches on new cleaning processes such as adding an additive to the cleaning liquid have been actively conducted. However, the addition of functional chemicals and the addition of new chemicals are causing problems such as environmental problems and additional costs, and there is a limit to extending the life of the cleaning liquid.

따라서, 본 발명은 세정 공정 중에 또는 후에 세정액에 함유되어 있는 오염물을 효과적으로 제거하므로써, 세정액의 수명을 늘릴 수 있을 뿐만 아니라, 세정 효과를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention provides a wafer cleaning apparatus and a wafer cleaning method using the same, which can increase the life of the cleaning liquid and improve the cleaning effect by effectively removing contaminants contained in the cleaning liquid during or after the cleaning process. The purpose is.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성도.1 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 제타포텐셜 분석기 20: 직류 전력 발생기10 Zeta Potential Analyzer 20 DC Power Generator

30: 냉각기 41, 42: 전극판30: cooler 41, 42: electrode plate

50: 펌프 60 : 필터50: pump 60: filter

70 : 세정액 80 : 웨이퍼70: cleaning liquid 80: wafer

90 : 세정조 100 : 오염물90: washing tank 100: contaminants

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼를 수용하는 세정조; 상기 세정조 내의 세정액에 함유된 오염물의 제타포텐셜을 실시간으로 측정하는 제타포텐셜 분석기; 상기 측정된 오염물의 제타포텐셜에 의존하여 세정조에 설치된 전극판에 직류를 공급하는 직류 전력 발생기; 및 상기 세정조 내의 세정액을 순환하기 위한 펌프, 냉각기 및 필터로 구성된다.Wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object comprises a cleaning tank for receiving a wafer; Zeta potential analyzer for measuring the zeta potential of the contaminants contained in the cleaning liquid in the cleaning tank in real time; A direct current power generator for supplying direct current to the electrode plate installed in the cleaning tank depending on the zeta potential of the measured contaminants; And a pump, a cooler, and a filter for circulating the cleaning liquid in the cleaning tank.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 이용한 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼가 세정조에 수용되고, 상기 세정조의 세정액이 펌프, 냉각기 및 필터를 거쳐 상기 세정조로 순환되는 단계; 제타포텐셜 분석기에서 실시간으로 상기 세정액에 부유하고 있는 오염물의 제타포텐셜을 측정하는 단계; 상기 측정된 오염물의 제타포텐셜을 근거로 하여 직류 전력 발생기에서 전극판에 제 1 직류를 공급하고, 이로 인하여 상기 전극판에 발생되는 전기장에 의한 인력으로 상기 오염물이 상기 전극판에 포집되는 단계; 세정 공정이 완료되면, 상기 웨이퍼가 상기 세정조에서 나오고, 상기 포집된 오염물에 척력이 발생되도록 상기 직류 전력 발생기에서 상기 전극판에 제 2 직류를 공급하는 단계; 및 상기 척력에 의해 상기 전극판으로 부터 분리된 상기 오염물이 상기 세정액과 함께 상기 펌프, 상기 냉각기 및 상기 필터를 거쳐 순환되는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the wafer cleaning method using a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object is a step in which a wafer is accommodated in the cleaning tank, the cleaning liquid of the cleaning tank is circulated to the cleaning tank through a pump, a cooler and a filter. ; Measuring the zeta potential of contaminants suspended in the cleaning liquid in a zeta potential analyzer in real time; Supplying a first direct current to an electrode plate from a DC power generator based on the measured zeta potential of the contaminants, thereby collecting the contaminants on the electrode plate by an attractive force due to an electric field generated in the electrode plate; When the cleaning process is completed, supplying a second direct current to the electrode plate from the DC power generator so that the wafer emerges from the cleaning tank and the repulsive force is generated on the collected contaminants; And circulating the contaminants separated from the electrode plate by the repulsive force through the pump, the cooler, and the filter together with the cleaning liquid.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, only this embodiment to make the disclosure of the present invention complete, and to those skilled in the art the scope of the invention It is provided for complete information.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 웨이퍼 세정 장치는 세정조(90) 내의 세정액(70)에 함유된 오염물(100)의 제타포텐셜을 실시간으로 측정하는 제타포텐셜 분석기(10)와, 측정된 오염물(100)의 제타포텐셜에 의존하여 세정조(90)에 설치된 제 1 전극판(41) 및 제 2 전극판(42)에 직류를 공급하는 직류 전력 발생기(20)와, 세정액(70)을 순환하기 위한 펌프(50), 냉각기(30) 및 필터(60)로 구성된다.The wafer cleaning apparatus of the present invention has a zeta potential analyzer 10 for measuring in real time the zeta potential of the contaminant 100 contained in the cleaning liquid 70 in the cleaning tank 90, and the zeta potential of the measured contaminant 100. A DC power generator 20 for supplying direct current to the first electrode plate 41 and the second electrode plate 42 provided in the cleaning tank 90, the pump 50 for circulating the cleaning liquid 70, It consists of the cooler 30 and the filter 60.

상기에서, 직류 전력 발생기(20)는 측정된 오염물(100)의 제타포텐셜에 의존하여 적절한 전기장의 세기가 되도록 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 직류를 공급하는데, 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 공급되는 직류는 전기장의 세기가 0 내지 5 Kv/m의 범위가 되도록 공급된다. 여기서, 전기장의 세기가 0 Kv/m라는 의미는 제타포텐셜 분석기(10)에서 세정액(70)에 오염물(100)이 함유되어 있지 않다고 분석되었을 때이며, 세정액(70)에 오염물(100)이 많아질수록 전기장의 세기는 높아진다. 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)은 세정조(90) 내부 또는 외부에 설치할 수 있다. 냉각기(30)는 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 의해 가열된 세정액(70)을 냉각하는 역할을 한다. 필터(60)는 오염물(100)을 제거하는 역할을 한다.In the above, the DC power generator 20 supplies direct current to the first and second electrode plates 41 and 42 so as to have an appropriate electric field strength depending on the measured zeta potential of the contaminant 100. The direct current supplied to the two electrode plates 41 and 42 is supplied so that the intensity of the electric field is in the range of 0 to 5 Kv / m. Here, the intensity of the electric field is 0 Kv / m when the zeta potential analyzer 10 analyzes that the contaminant 100 is not contained in the cleaning liquid 70, and the contaminant 100 may increase in the cleaning liquid 70. The higher the intensity of the electric field. The first and second electrode plates 41 and 42 may be installed inside or outside the cleaning tank 90. The cooler 30 serves to cool the cleaning liquid 70 heated by the first and second electrode plates 41 and 42. The filter 60 serves to remove the contaminant 100.

상기한 본 발명의 웨이퍼 세정 장치를 이용한 웨이퍼 세정 방법을 설명하면 다음과 같다. 이하에서 설명되는 웨이퍼 세정 방법을 통해 웨이퍼 세정 장치의 각 구성 요소간의 유기적인 관계와 기능이 더욱 구체화된다.The wafer cleaning method using the wafer cleaning apparatus of the present invention described above is as follows. Through the wafer cleaning method described below, organic relations and functions between the components of the wafer cleaning apparatus are further embodied.

세정이 필요한 웨이퍼(80)가 세정조(90)에 제공되고, 세정액(70)이 펌프(50), 냉각기(30) 및 필터(60)를 거쳐 세정조(90)로 순환된다. 웨이퍼 세정 공정이 진행되는 동안 제타포텐셜 분석기(10)에서 실시간으로 세정액(70)에 부유하고 있는 오염물(100)의 제타포텐셜을 측정한다. 측정된 오염물(100)의 제타포텐셜을 근거로하여 직류 전력 발생기(20)에서는 적절한 전기장의 세기가 되도록 세정조(90)에 설치된 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 직류를 공급한다. 양전하 또는 음전하를 띄는 오염물(100)은 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 의해 발생된전기장의 세기에 의한 인력이 발생하는데, 제 1 전극판(41)이 양극일 경우 음전하 오염물(100)은 제 1 전극판(41)으로 이동하여 포집되고, 제 2 전극판(42)이 음극일 경우 양전하 오염물(100)은 제 2 전극판(42)으로 이동하여 포집된다. 세정이 끝난 웨이퍼(80)가 세정조(90)에서 나오면 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)의 극성을 반대로 즉, 제 1 전극판(41)을 음극으로 제 2 전극판(42)을 양극으로 전환시키므로 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 포집되어 있던 오염물(100)은 척력에 의하여 분리되며, 척력에 의하여 분리된 오염물(100)은 세정액(70)과 함께 펌프(50), 냉각기(30) 및 필터(60)를 거쳐 순환된다. 순환되는 세정액(70)은 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 의해 가열된 상태인데, 가열된 세정액(70)은 냉각기(30)에 의해 적절한 온도로 냉각되고, 세정액(70)에 함유된 오염물(100)은 필터(60)에 의하여 제거된다.The wafer 80 to be cleaned is provided to the cleaning tank 90, and the cleaning liquid 70 is circulated to the cleaning tank 90 via the pump 50, the cooler 30, and the filter 60. During the wafer cleaning process, the zeta potential analyzer 10 measures the zeta potential of the contaminant 100 floating in the cleaning liquid 70 in real time. Based on the measured zeta potential of the contaminant 100, the DC power generator 20 supplies direct current to the first and second electrode plates 41 and 42 installed in the cleaning tank 90 so as to have an appropriate electric field strength. . The positive or negative charge contaminants 100 are attracted by the strength of the electric field generated by the first and second electrode plates 41 and 42. When the first electrode plate 41 is the anode, the negative charge contaminants 100 moves to the first electrode plate 41 and is collected. When the second electrode plate 42 is a cathode, the positive charge contaminants 100 move to the second electrode plate 42 and are collected. When the cleaned wafer 80 exits the cleaning bath 90, the polarities of the first and second electrode plates 41 and 42 are reversed, that is, the first electrode plate 41 is used as the cathode, and the second electrode plate 42 is disposed. Since the contaminant 100 collected in the first and second electrode plates 41 and 42 is separated by repulsive force, the contaminant 100 separated by repulsive force is pumped together with the cleaning liquid 70. 50), through the cooler 30 and the filter 60. The circulating cleaning liquid 70 is heated by the first and second electrode plates 41 and 42, and the heated cleaning liquid 70 is cooled to an appropriate temperature by the cooler 30, and the cleaning liquid 70 Contaminants 100 contained are removed by filter 60.

상기에서, 세정액(70)은 황산(H2SO4), 암모니아수(NH4OH), 질산(HNO3), 불산(HF), 디에치에프(DHF), 인산(H3PO4), 비오이(BOE), 염산(HCl), 과산화수소(H2O2) 및 초순수(Deionized Water)는 물론 웨이퍼 표면에 존재하는 파티클, 유기물, 무기물 및 자연 산화물 등을 제거할 수 있는 모든 화학제를 포함한다. 제 1 및 제 2 전극판(41 및 42)에 공급되는 직류는 실시간으로 측정되는 오염물(100)의 제타포텐셜에 근거하여 전기장의 세기가 0 내지 5 Kv/m의 범위가 되도록 한다.In the above, the cleaning liquid 70 is sulfuric acid (H 2 SO 4 ), aqueous ammonia (NH 4 OH), nitric acid (HNO 3 ), hydrofluoric acid (HF), dieth (DHF), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), bio (BOE), hydrochloric acid (HCl), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ultra pure water (Deionized Water) as well as all chemicals capable of removing particles, organics, inorganic and natural oxides, etc. present on the wafer surface. The direct current supplied to the first and second electrode plates 41 and 42 causes the intensity of the electric field to be in the range of 0 to 5 Kv / m based on the zeta potential of the pollutant 100 measured in real time.

상술한 바와 같이, 본 발명은 세정 공정 동안 세정액에 부유하고 있는 오염물을 제타포텐셜 분석기에 의해 실시간으로 측정하여 전극판에 오염물이 부착되게 하므로, 웨이퍼 표면에 오염물이 재부착되는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 세정 공정이 완료되면 전극판으로부터 분리된 오염물을 필터에 의해 제거되게 하고, 전극판에 의해 가열된 세정액을 냉각기에 의해 세정에 적합한 적절한 온도를 유지하게 하므로, 다음 세정 공정에서 세정액을 재사용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 세정액의 수명을 늘릴 수 있어 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라, 세정 효과를 향상시킬 수 있어 반도체의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention measures the contaminants suspended in the cleaning liquid in real time by the zeta potential analyzer to attach the contaminants to the electrode plate during the cleaning process, thereby preventing the contamination of the contaminants on the wafer surface. . In addition, when the cleaning process is completed, contaminants separated from the electrode plate are removed by a filter, and the cleaning liquid heated by the electrode plate is maintained at a suitable temperature suitable for cleaning by a cooler, so that the cleaning liquid can be reused in the next cleaning process. Can be. Therefore, the present invention can increase the life of the cleaning liquid, not only reduce the cost, but also improve the cleaning effect, thereby improving the reliability and yield of the semiconductor.

Claims (8)

웨이퍼를 수용하는 세정조;A cleaning tank containing a wafer; 상기 세정조 내의 세정액에 함유된 오염물의 제타포텐셜을 실시간으로 측정하는 제타포텐셜 분석기;Zeta potential analyzer for measuring the zeta potential of the contaminants contained in the cleaning liquid in the cleaning tank in real time; 상기 측정된 오염물의 제타포텐셜에 의존하여 세정조에 설치된 전극판에 직류를 공급하는 직류 전력 발생기; 및A direct current power generator for supplying direct current to the electrode plate installed in the cleaning tank depending on the zeta potential of the measured contaminants; And 상기 세정조 내의 세정액을 순환하기 위한 펌프, 냉각기 및 필터로 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And a pump, a cooler, and a filter for circulating the cleaning liquid in the cleaning tank. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 직류 전력 발생기는 상기 측정된 오염물의 제타포텐셜에 의존하여 전기장의 세기가 0 내지 5 Kv/m의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the DC power generator causes the electric field strength to be in a range of 0 to 5 Kv / m depending on the measured zeta potential of the contaminant. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극판은 상기 세정조의 내부 또는 외부에 설치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.The electrode plate is installed in or outside the cleaning bath. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 냉각기는 상기 전극판에 의해 가열된 세정액을 세정에 적합한 온도로 냉각하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the cooler cools the cleaning liquid heated by the electrode plate to a temperature suitable for cleaning. 웨이퍼가 세정조에 수용되고, 상기 세정조의 세정액이 펌프, 냉각기 및 필터를 거쳐 상기 세정조로 순환되는 단계;A wafer is accommodated in a cleaning tank, and the cleaning liquid of the cleaning tank is circulated to the cleaning tank through a pump, a cooler, and a filter; 제타포텐셜 분석기에서 실시간으로 상기 세정액에 부유하고 있는 오염물의 제타포텐셜을 측정하는 단계;Measuring the zeta potential of contaminants suspended in the cleaning liquid in a zeta potential analyzer in real time; 상기 측정된 오염물의 제타포텐셜을 근거로하여 직류 전력 발생기에서 전극판에 제 1 직류를 공급하고, 이로 인하여 상기 전극판에 발생되는 전기장에 의한 인력으로 상기 오염물이 상기 전극판에 포집되는 단계;Supplying a first direct current to an electrode plate from a direct current power generator based on the measured zeta potential of the contaminants, thereby collecting the contaminants on the electrode plate by an attraction force due to an electric field generated in the electrode plate; 세정 공정이 완료되면, 상기 웨이퍼가 상기 세정조에서 나오고, 상기 포집된 오염물에 척력이 발생되도록 상기 직류 전력 발생기에서 상기 전극판에 제 2 직류를 공급하는 단계;When the cleaning process is completed, supplying a second direct current to the electrode plate from the DC power generator so that the wafer emerges from the cleaning tank and the repulsive force is generated on the collected contaminants; 상기 척력에 의해 상기 전극판으로부터 분리된 상기 오염물이 상기 세정액과 함께 상기 펌프, 상기 냉각기 및 상기 필터를 거쳐 순환되는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.And the contaminant separated from the electrode plate by the repulsive force is circulated through the pump, the cooler, and the filter together with the cleaning liquid. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 전극판에 의해 가열된 상기 세정액은 상기 냉각기에 의해 세정에 적합한 온도로 냉각되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.And the cleaning liquid heated by the electrode plate is cooled to a temperature suitable for cleaning by the cooler. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 세정액에 함유된 오염물은 필터에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.The contaminants contained in the cleaning liquid is removed by a filter. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 전극판에 공급되는 제 1 직류는 실시간으로 측정되는 상기 오염물의 제타포텐셜에 근거하여 전기장의 세기가 0 내지 5 Kv/m의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.And the first direct current supplied to the electrode plate is such that the intensity of the electric field is in the range of 0 to 5 Kv / m based on the zeta potential of the contaminant measured in real time.
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