KR20040060705A - 광 간섭형 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

광 간섭형 패널 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

광 간섭형 패널의 제조방법이 제공된다. 패터닝된 지지층이 투명 기판 상에 형성된 다음 제1전극층 및 광 필름이 지지층 및 투명 기판 상에 순차적으로 형성된다. 희생 물질층이 광 필름 상에 형성된 다음, 희생 물질층을 패터닝하는 마스크로서 지지층을 사용함으로써 배면 노광 공정이 실행된다. 패터닝된 희생 물질층의 일부를 제거하여 지지층 상부의 광 필름을 노출시켜 희생층을 형성한 다음, 제2전극층이 인접하는 지지층 및 광 필름의 일부 사이의 희생층 상에 형성된다. 후에, 희생층은 제거된다.

Description

광 간섭형 패널 및 그 제조방법{Optical interference type panel and the manufacturing method thereof}
본 발명은 일반적으로 패널 디스플레이 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광 간섭형 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD; Liquid Crystal Panel), 유기 발광 소자(OLED; Oraganic Light Emitting Diode) 및, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP; Plasma Display Panel)과 같은 얇고 경량인 패널 디스플레이가 현재 일상 생활에서 널리 사용되고 있다. 여기서, LCD는 점차 디스플레이의 주류가 되어가고 있다. 하지만, LCD는 시야각이 충분히 넓지 않고, 반응시간이 충분히 빠르지 않으며, 컬러 필터를 사용하여 천연색이 실현되고, 광원의 비효율적인 이용의 문제와 백라이트 모듈의 더 많은 전력 소비의 문제를 초래하는 편광기를 필수로 하는 등의 단점을 여전히 가진다.
광 간섭형 패널은 어레이로 배열되는 복수의 광 간섭 변조기를 주로 구비하게 현재 개발되고 있다. 광 간섭 변조기는 주로 투명 전극, 반사 전극 및, 반사 전극을 지지하는 지지층을 주로 구비한다. 지지층으로부터의 지지로, 특정 에어 갭이 반사 전극과 투명 전극 사이에 존재한다. 광이 투명 기판을 통해 광 간섭 변조기로 입사한 후, 상기 광은 에어 갭을 통과하여 상기 제2전극 상으로 입사한다. 그런 다음, 상기 광은 상기 제2전극으로부터 반사되어 상기 투명 기판을 경유한다. 상기 광은 상이한 에어 갭 내에서 상이한 간섭도를 경험하므로, 상이한 컬러, 예를 들어, 레드 광, 그린 광 및, 블루 광을 가지는 광으로 나타난다. 또한, 상기 광 간섭 변조기 내의 반사 전극은 그 설계를 실행하는 마이크로 전기기계적 시스템(MEMS; Micro Electro Mechanical System)과 결합되어, 상기 광 간섭 변조기는 온/오프 상태 사이에 스위칭할 수 있고 상기 디스플레이의 목적을 달성할 수 있다.
상술한 상기 광 간섭 변조기로 이루어지는 광 간섭형 패널은 컬러 필터 및 편광기를 배열해야 할 필요없이 적절한 컬러 이미지를 표시할 수 있어서, 컬러 필터의 경비를 절약할 수 있다. 또한, 상술한 상기 광 간섭 변조기에 의해 이루어지는 광 간섭 패널은 또한, 저전력 소모, 빠른 반응 시간 및, 이중 안정성으로 특징지워진다. 따라서, 상기 광 간섭형 패널은 휴대폰, 개인 디지털 보조기(PDA; Personal Digital Assistant) 및, 전자북과 같은 저전력 소모 생산품의 개발에 유리하다.
도 1a 내지 도 1f는 종래의 광 간섭형 패널의 제조방법을 개략적으로 보인다. 먼저, 도 1a를 참조하면, 패터닝된 제1전극층(102), 광 필름(103) 및, 희생층(104)은 투명층(100) 상에 형성된다. 여기서, 희생층(104)은 불투명한 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo) 합금으로 이루어진다. 다음, 도 1b를 참조하면, 지지 물질층(106) 및 음화(negative type) 감광층(108)은 희생층(104) 상에 순차적으로 형성된다. 다음, 도 1c를 참조하면, 배면 노광 공정(110) 및 현상 공정이 감광층(108a)을 패터닝하는 마스크로서 불투명한 희생층을 사용함으로써 실행된다. 다음, 도 1d를 참조하면, 감광층(108a)에 의해 도포되지 않은 지지층(106)의 일부가 에칭 마스크로서 감광층(108a)을 사용함으로써 제거되어, 지지층(106a)을 형성한다. 다음, 도 1e를 참조하면, 감광층(108a)을 제거하고, 제2전극(112)이 지지층(106a)과 인접하는 지지층(106a) 사이의 희생층(104) 상에 형성된다. 다음도 1f를 참조하면, 제거 공정이 실행되는데, XeF2가스가 식각용으로 사용되어, 희생층(104)이 가스로 변환되어 제거되고, 어레이로 배열되는 복수의 광 간섭 변조기로 이루어지는 광 간섭 패널을 형성한다.
하지만, 상술한 광 간섭형 패널의 제조 방법에 있어서, 희생층(104)은 불투명한 물질로 이루어져야 하고, 제거 공정에 의해 제거되어야 한다. 따라서, 적절한 물질은 제한되어 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo) 합금에서 선택해야 한다. 하지만, 상술한 대로 희생층을 형성하기 위해 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo) 합금을 많이 사용하면 제조 경비가 현저히 증가한다.
상술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 광 간섭형 패널의 제조 경비를 감소시키도록 광 간섭형 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 광 간섭형 패널의 제조 공정을 단순화시키도록 광 간섭평 패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
첨부된 도면은 본 발명에 대한 더 많은 이해를 제공하도록 포함되고, 본 명세서에 통합되고 일부를 이룬다. 상기 도면은 본 발명의 실시예를 도시하고, 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명한다.
도 1a 내지 도 1f는 종래 광 간섭형 패널의 제조 공정의 개략적인 단면도;
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 제조 공정의 개략적인 단면도;
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 제조 공정의 개략적인 단면도;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 제조 공정의 개략적인 단면도; 및
도 5는 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 구조의 개략적인 단면도.
광 간섭형 패널의 제조 방법은 본 발명에 의해 제공된다. 패터닝된 지지층은 투명 기판 상에 형성되고, 제1전극층이 상기 지지층 및 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 다음, 상기 광 필름은 상기 제1전극 상에 형성된다. 다음, 희생층은 상기 인접하는 지지층 사이의 상기 광 필름 상에 형성된다. 여기서, 상기 희생층은 상기 지지층의 상부의 상기 광 필름의 하부에 형성된다. 다음, 제2전극은 상기 인접하는 지지층 및 상기 광 필름의 일부 사이의 상기 희생층 상에 형성된다. 후에, 상기 희생층은 제거된다.
또한, 본 발명에 따르면, 희생층은 상기 광 필름 상에 형성될 수 있으며, 상기 희생층의 일부는 상기 지지층의 상부에 광 필름을 노출하도록 제거되어 희생층을 형성한다. 여기서, 상기 희생층은 상기 지지층 상부의 상기 광 필름의 하부에 있다.
더욱이, 본 발명에 따르면, 상기 희생 물질층이 형성된 후, 배면 노광 공정은 상기 지지층의 상부의 상기 광 필름을 노광시키도록 마스크로서 상기 지지층을 사용함으로써 처리될 수 있다.
본 발명에 의해 제공되는 상기 광 간섭형 패널은 주로 투명 기판, 패터닝된 지지층, 제1전극, 광 필름 및, 제2전극을 구비한다. 여기서, 상기 지지층은 상기 투명 기판 상에 위치한다. 상기 제1전극은 상기 투명 기판과 상기 지지층 상에 위치한다. 상기 광 필름은 상기 제1전극 상에 위치하고, 상기 제2전극의 에지는 상기 인접하는 지지층의 상부에 상기 광 필름의 일부에 위치한다.
상술한 본 발명의 바람직한 실시예로부터, 본 발명의 광 간섭형 패널은 먼저 불투명한 지지층을 형성한 다음, 제1전극층, 광 필름 및, 감광 물질로 이루어지는 투명한 희생층을 순차적으로 형성한다. 또한, 상기 희생층은 저가이고 제거 공정에 적합한 물질로 제조될 수 있다. 따라서, 상기 희생층을 형성하는 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo) 합금의 사용이 필수적이지 않으므로, 광 간섭형 패널의 제조 경비는 감소된다.
또한, 본 발명의 광 간섭형 패널은 감광 물질을 직접적으로 사용하여 상기희생층을 형성한다. 따라서, 본 발명은 종래 기술에 요구되던 상기 지지층 상에 감광층을 도포하는 단계를 회피할 수 있으므로, 광 간섭형 패널의 제조공정이 단순화된다.
더욱이, 본 발명에 따르면, 상기 희생 물질층이 상기 광 필름 상에 형성된 후, 배면 노광 공정이 회피될 수 있고, 에칭 방법이 상기 희생 형태를 형성하도록 직접적으로 적용될 수 있다. 따라서, 상기 광 간섭형 패널의 제조 공정은 더욱 간단해진다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 지지층의 상부의 상기 광 필름의 하부의 상기 희생층은 상기 인접하는 지지층 사이의 상기 광 필름 상에 직접적으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 광 간섭형 패널의 제조공정은 더욱 간단해진다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 광 간섭형 패널의 제조 방법의 개략적인 단면을 개략적으로 도시한다.
먼저, 도 2a를 참조하면, 패터닝된 지지층(202)은 투명 기판(200)상에 형성된다. 여기서, 투명 기판(200)은 글라스 또는 투명 물질로 제조된다. 지지층(202)은 절연 물질 또는 고 분자 수지와 같은 불투명 물질로 제조된다. 또한, 마이크로 에칭 방법은 패터닝된 지지층(202)을 형성하는데 사용된다.
다음, 도 2b를 참조하면, 제1전극층(204) 및 광 필름(205)은 투명 기판(200)및 지지층(202) 상에 순차적으로 형성된다. 여기서, 제1전극층(204)은 인듐틴옥사이드와 같은 투명 도전 물질로 이루어진다. 또한, 광 필름(205)은 고 유전율 물질층 및 저 유전율 물질층을 구비하는 개재층의 다중층으로 이루어진 것이다.
다음, 도 2c를 참조하면, 희생 물질층(206)은 광 필름(205) 상에 형성된다. 여기서, 희생 물질층(206)은 음화 감광제와 같은 투명 물질로 제조되고, 희생 물질층(206)을 형성하도록 스핀 코팅 방법이 사용된다.
다음, 도 2d를 참조하면, 배면 노광 공정(208)은 지지층(206)을 마스크로 사용함으로써 실행되어, 광화학 효과가 지지층(202)에 의해 차폐되지 않는 희생 물질층(206)의 일부 상에 일어난다. 후에, 현상 및 고화 공정이 내부에 개구를 가지는 희생 물질층(206)을 형성하도록 더 실행되고, 희생 물질층(206a)의 개구는 지지층(202) 상부의 광 필름(205)을 노출시킨다.
다음, 도 2e를 참조하면, 희생 물질층(206a)의 일부는 제거되어 희생층(206b)을 형성한다. 여기서, 희생 물질층(206a)을 형성하도록 에칭 방법이 사용된다. 바람직하게, 비등방성 에칭 방법이 사용되고, 형성된 희생층(206b)은 지지층(202)의 상부의 광 필름(205)의 하부에 있어서, 희생층(206b)이 인접하는 지지층(202) 사이의 광 필름(205) 상에 형성된다. 제2전극층(210)은 인접하는 지지층(202)과 지지층(202)의 상부의 광 필름(205)의 일부 사이의 희생층(206b) 상에 연속적으로 형성된다. 바람직하게, 제2전극층(210)은 금속과 같은 불투명하고 양호한 퍼짐성과 기계적 특성을 가지는 물질로 제조된다. 제2전극층(210)은 광 필름(205) 상에 형성되므로, 광 필름(205)이 절연체인 것을 유의해야 한다. 따라서, 제2전극(210)은 제1전극(204)과 절연되어 소자의 정상 작동을 유지한다.
다음, 도 2f를 참조하면, 광 간섭형 패널은 모든 희생층(206b)을 제거하여 형성되는 광 간섭 변조기로 이루어진다. 예를 들어 제거 공정은 희생층(206b)을제거하도록 사용된다.
상술한 제조 방법에 부가하여, 다른 제조 방법도 본 발명에 의해 사용될 수 있다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 제조 방법의 단면을 개략적으로 도시한다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 패터닝된 지지층(302)은 투명 기판(300) 상에 형성된다. 여기서, 투명 기판(300)은 글라스 또는 투명한 수지로 제조된다. 지지층(302)은 절연 물질 또는 고분자 수지와 같은 불투명한 물질로 이루어진다. 또한, 패터닝된 지지층(302)을 형성하기 위해 마이크로 에칭 방법이 사용된다.
다음, 도 3b를 참조하면, 제1전극층(304) 및 광 필름(305)은 투명 기판(300) 및 지지층(302) 상에 순차적으로 형성된다. 여기서, 제1전극층(304)은 인듐틴옥사이드와 같은 투명한 도전성 물질로 제조된다. 또한, 광 필름(305)은 고 유전율 물질층과 저 유전율 물질층을 구비하는 개재층의 다중층과 같은 것이다.
다음, 도 3c를 참조하면, 희생 물질층(306)이 광 필름(305) 상에 형성되고 희생 물질층(306)은 고화 공정을 통해 고화된다. 여기서, 희생 물질층(306)은 감광제와 같은 투명 물질로 이루어지고 스핀 코팅 방법은 희생 물질층(306)을 형성하는데 사용된다.
다음, 도 3d를 참조하면, 희생 물질층(306)의 일부가 제거되어 희생층(306a)을 형성한다. 희생층(306a)은 지지층(302) 상부의 광 필름(305)을 노출시킨다. 또한, 희생층(306a)은 지지층(302) 상부의 광 필름(305)의 하부에 있어서, 희생층(306a)은 인접하는 지지층(302) 사이에 광 필름(305) 상에 형성된다. 여기서, 백에칭 방법은 희생 물질층(306a)의 일부를 제거하는데 사용된다. 제2전극층(308)은 인접하는 지지층(302)과 지지층(302)의 상부의 광 필름(305)의 일부 사이의 희생층(306a) 상에 연속해서 형성된다. 바람직하게, 제2전극층(308)은 금속과 같이 불투명하고 양호한 퍼짐성과 기계적 특성을 가지는 물질로 제조된다. 유사하게, 제2전극층(308)은 제1전극층(304)의 광 필름(305) 상에 형성된다. 따라서, 제2전극(308)은 제1전극층(304)과 절연되어 소자의 정상 동작을 유지한다.
다음, 도 3f를 참조하면, 광 간섭형 패널은 모든 희생층(306a)을 제거함으로써 형성되는 광 간섭 변조기를 구비한다. 예를 들어, 제거 공정은 희생층(306a)을 제거하는데 사용된다.
상술한 제조 방법뿐만 아니라, 다른 제조방법도 본 발명에 의해 사용될 수 있다. 도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 다른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 제조 방법의 단면을 개략적으로 도시한다.
먼저, 도 4a를 참조하면, 패터닝된 지지층(402)은 투명 기판(400) 상에 형성된다. 여기서, 투명 기판(400)은 글라스 또는 투명 수지로 제조된다. 지지층(402)은 절연 물질 또는 고분자 수지와 같은 불투명 물질로 제조된다. 또한, 마이크로 에칭 방법이 패터닝된 지지층(402)을 형성하는데 사용된다.
다음, 도 4b를 참조하면, 제1전극층(404) 및 광 필름(405)은 투명 기판(400)및 지지층(402) 상에 순차적으로 형성된다. 여기서, 제1전극(404)은 인듐틴옥사이드와 같은 투명한 도전성 물질로 제조된다. 또한, 광 필름(405)은 고 유전율 물질층 및 저 유전율 물질층을 구비하는 개재층의 다중층과 같은 것이다.
다음, 도 4c를 참조하면, 희생층(406)은 광 필름(405) 상에 형성되고, 희생층(406)은 고화 공정을 통해 고화된다. 여기서, 희생층(406)은 지지층(402) 상부의 광 필름(405)을 노출시킨다. 또한, 희생층(406a)은 지지층(402) 상부의 광 필름(405)의 하부에 있으므로, 희생층(406)은 인접하는 지지층(402) 사이의 광 필름(405) 상에 형성된다. 또한, 희생층(406)은 감광제와 같은 투명한 물질로 제조된다. 스핀 코팅 방법과 평탄화 기술은 희생층(406)을 형성하는데 사용되고, 희생층(406)의 두께는 지지층(402)의 상부의 광 필름(405) 상에 형성된다. 다음, 표면 처리를 위한 미소 O2플라즈마 에칭이 실행되어 지지층(402) 상부의 광 필름(405) 상에 잔류하는 작은 희생 물질층을 제거하여 도 4c에 도시된 구조를 얻는다.
다음, 도 4d를 참조하면, 제2전극층(408)은 인접하는 지지층(402)과 지지층(402) 상부의 광 필름(405)의 일부 사이의 희생층(406) 상에 연속하여 형성된다. 바람직하게, 제2전극층(408)은 금속과 같은 불투명하고 양호한 퍼짐성과 기계적인 특성을 가지는 물질로 제조된다. 유사하게, 제2전극층(408)은 제1전극층(404)의 광 필름(405) 상에 형성된다. 따라서, 제2전극층(408)은 제1전극층(404)과 절연되어 소자의 정상 동작을 유지한다.
다음, 도 4e를 참조하면, 광 간섭형 패널은 모든 희생층(406)을 제거함으로써 형성되는 광 간섭 변조기로 이루어진다. 예를 들어, 제거 공정은 희생층(406)을 제거하는데 사용된다.
제거 공정을 적용하기 위해, 감광 물질을 사용하는 것이 아주 적합하다. 또한, 일반적인 유전 물질과 같은 다양한 적합한 물질이 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 희생층을 형성하도록 저가의 물질을 선택할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 광 간섭형 패널의 구조적인 단면을 개략적으로 보인다. 일반적으로, 광 간섭형 패널은 어레이 형태의 투명 기판 상에 복수개의 광 간섭 변조기를 배치시킴으로써 형성된다. 하지만, 간단하게, 단지 한 개의 광 간섭 변조기만이 도 5에 도시된다. 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 광 간섭형 패널의 내부의 광 간섭 변조기는 투명 기판(500), 지지층(502), 제1전극(504), 광 필름(505) 및, 제2전극(506)을 주로 구비한다.
지지층(502)은 투명 기판(500) 상에 위치한다. 여기서, 지지층(502)은 절연 물질 또는 고분자 수지과 같은 불투명한 물질로 이루어진다.
제1전극층(504)은 투명 기판(500)과 지지층(502) 상에 위치한다. 여기서, 제1전극층(504)은 인듐틴옥사이드와 같은 투명한 도전성 물질로 이루어지고 투명 기판(500)과 지지층(502) 상에 형성된다.
광 필름(505)은 제1전극(504) 상에 위치하고, 광 필름(505)은 고 유전율 물질층과 저 유전율 물질층을 구비하는 개재층의 다중층과 같은 것이다.
제2전극(506)의 에지는 지지층(502) 상부의 광 필름(505) 상에 각각 위치하고, 에어 갭(508)은 제2전극(506)과 광 필름(505) 사이에 형성된다. 바람직하게, 제2전극(506)은 불투명하고 양호한 퍼짐성과 기계적 특성을 가지는 물질로 이루어진다.
상술한 광 간섭 패널을 구동하는 방법은 종래 기술에 사용되는 방법과 동일하다. 즉, 동일한 줄의 픽셀(광 간섭 변조기)은 동일한 줄의 제1전극에 의해 구동되고 동일한 열의 픽셀은 동일한 열의 제2전극에 의해 구동된다. 즉, 픽셀 어레이내의 특정한 픽셀이 구동될 때, 해당하는 줄의 픽셀의 제1전극과 해당하는 열의 제2전극이 구동된다.
요약하면, 본 발명은 적어도 다음의 장점을 가진다.
1. 본 발명의 광 간섭형 패널은 먼저 불투명한 지지층을 형성한 다음, 제1전극층, 광 필름 및, 감광 물질로 이루어진 투명한 희생층을 형성한다. 또한, 희생층은 저가이고 제거 공정에 적합한 물질로 제조될 수 있다. 따라서, 희생층을 형성하기 위해 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo) 합금의 사용이 요구되지 않아, 광 간섭형 패널의 제조 경비가 감소된다.
2. 또한 본 발명의 광 간섭형 패널은 희생층을 형성하도록 감광 물질을 직접적으로 사용한다. 따라서, 본 발명은 종래 기술에 요구되는 지지층 상에 감광층을 도포하는 단계를 회피할 수 있으므로, 광 간섭형 패널의 제조 공정이 간단해진다.
3. 더욱이, 본 발명에 따르면, 희생 물질층이 광 필름 상에 형성된 후 배면 노광 공정이 회피될 수 있고, 희생 형태를 형성하도록 에칭 방법이 직접적으로 적용될 수 있다. 따라서, 광 간섭형 패널의 제조 방법은 더 간단해진다.
4. 또한, 본 발명에 따르면, 상기 지지층 상부의 상기 광 필름의 하부의 상기 희생층이 인접하는 지지층 사이의 광 필름상에 직접적으로 형성될 수 있다. 따라서, 광 간섭형 패널의 제조 공정은 더 간단해진다.
다양한 수정과 변형이 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않고 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 상술한 관점에서, 본 발명의 수정과 변형이 다음의 청구범위와 그 등가물의 영역 내에 포함된다면 본 발명은 그것들을 포괄한다는 것이 의도된다.

Claims (5)

  1. 투명 기판 상에 패터닝된 지지층을 형성하는 단계;
    상기 투명 기판 및 상기 지지층 상에 제1전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극층 상에 광 필름을 형성하는 단계;
    상기 인접하는 지지층 사이의 상기 광 필름 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 인접하는 지지층과 상기 광 필름의 일부 사이의 상기 희생층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 및
    상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 간섭형 패널의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 희생층은 상기 지지층 상부의 상기 광 필름의 하부에 형성된 것을 특징으로 하는 광 간섭형 패널의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    희생층이 상기 인접하는 지지층 사이의 상기 광 필름 상에 형성된 다음, 상기 지지층 상부의 상기 광 필름 상의 상기 희생층을 제거하도록, 표면 처리를 위한 미소 O2플라즈마 에칭이 상기 희생층과 상기 광 필름 상에 더 실행되는 것을 특징으로 하는 광 간섭형 패널의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광 필름은 복수의 고유전율 물질층과 저유전율 물질층을 개재시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 광 간섭형 패널용 제조방법.
  5. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 위치하는 지지층;
    상기 투명 기판과 상기 지지층 상에 위치하는 제1전극;
    상기 제1전극 상에 위치하는 광 필름; 및
    제2전극;을 구비하며,
    상기 제2전극의 에지는 상기 인접하는 지지층 상부의 상기 광 필름의 일부 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 광 간섭형 패널.
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