KR20040060508A - Cmos image sensor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 포토다이오드 어레이의 광감도를 개선한 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CMOS image sensor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a CMOS image sensor and a method of manufacturing the same having improved light sensitivity of a photodiode array.
일반적으로, 피사체를 촬상하여 화상처리하기 위한 이미지 픽업 디바이스로는 CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서가 이용되고 있다. 상기 CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 공정에 의해 광을 감지하여 광전변화하기 위한 부분과 신호처리를 위한 논리 회로, 아날로그 회로 및 아날로그 디지털 변환 회로 등과 같은 주변 회로를 하나의 칩에 동시에 형성하는 것이 가능하며, 또한 저전압의 전원을 사용하기 때문에 전력소모가 작고, 이미지 품질면에서도 많은 연구가 이루어져 상기 CCD 이미지 센서에 비해 크게 뒤쳐지지 않는 장점을 갖고 있기 때문에 최근 개인용 컴퓨터, 모바일 폰 및 PDA에 접목되는 소형 카메라의 제조에 선호되고 있다.In general, a CCD (Charge Coupled Device) image sensor or a CMOS image sensor is used as an image pickup device for picking up an image and processing an image. The CMOS image sensor may simultaneously form a portion for sensing photoelectricity and photoelectric change by a CMOS manufacturing process and peripheral circuits such as logic circuits, analog circuits, and analog-to-digital conversion circuits for signal processing. In addition, since it uses a low voltage power source, the power consumption is small, and many studies have been conducted in terms of image quality. Therefore, it has the advantage that it does not lag behind the CCD image sensor. Preferred for manufacture.
도 1은 종래의 기술에 따른 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도이다. 동도면에서 참조부호 1은 피사체의 촬상에 의해 빛을 수광하기 위한 렌즈를 나타낸다.1 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to the prior art. In the figure, reference numeral 1 denotes a lens for receiving light by imaging of a subject.
종래의 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판(10)에 단위 픽셀간 분리를 위한 복수의 필드절연막(12)과, 수광된 빛을 전기신호로 광전변환하기 위해 필드절연막(12)간의 액티브영역에 형성된 포토다이오드 어레이(14)와, 복수의 층간절연막 및 소자보호막으로 이루어져 상기 수광된 빛을 투과하는 광투과층(16)과, 균일한 광투과를 위하여 광투과층(16) 상부에 형성된 평탄화층(18)과, 평탄화층(18) 상부에 컬러 포토레지스터로 형성된 컬러필터부(20)와, 상기 수광된빛을 포토다이오드 어레이(14)로 집광하기 위해 컬러필터(20)의 상부에 형성된 마이크로 렌즈 어레이(22)로 구성된다. 상기 광투과층(16)은 적어도 하나 이상의 층간절연막과, 소자보호막을 포함한다.Conventional CMOS image sensors have a plurality of field insulating films 12 for separating between pixel units on a semiconductor substrate 10, and photodiodes formed in an active region between the field insulating films 12 for photoelectric conversion of received light into electrical signals. An array 14, a plurality of interlayer insulating films and a device protection film, and a light transmitting layer 16 for transmitting the received light, and a planarization layer 18 formed on the light transmitting layer 16 for uniform light transmission. And a color filter unit 20 formed of a color photoresist on the planarization layer 18, and a micro lens array formed on the color filter 20 to condense the received light to the photodiode array 14. 22). The light transmitting layer 16 includes at least one interlayer insulating film and a device protection film.
도 2는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀(Unit Pixel)에서의 빛의 굴절을 나타낸 도면으로서, 소정의 경사각으로 입사하는 빛이 마이크로 렌즈 어레이(16)의 굴절율에 의해 한번 굴절된 후 컬러필터부(22)를 투과하여 포토다이오드 어레이(16)로 집광됨을 나타낸다.FIG. 2 is a view illustrating refraction of light in a unit pixel of a CMOS image sensor according to the related art, in which light incident at a predetermined inclination angle is refracted once by the refractive index of the microlens array 16. The light is transmitted through the filter unit 22 to be condensed by the photodiode array 16.
상기와 같이 구성된 종래의 CMOS 이미지 센서에서는 키징 후 마이크로 렌즈 어레이(16)가 어떤 장애물 없이 외부의 렌즈(10)로부터 빛을 직접 수광하여 집광동작을 하게 되는 데, 이 경우 포토다이오드 어레이(16)의 위치에 따라 빛의 입사각도가 달라진다. 예컨대, 상기 렌즈(1)를 통해 들어온 빛은 포토다이오드 어레이(16)의 중심부에 있어 마이크로 렌즈 어레이(24)에 직선으로 입사하고, 포토다이오드 어레이(16)의 중심부에서 떨어진 외곽부로 갈수록 마이크로 렌즈 어레이(24)에 입사되는 빛의 각도가 더욱 커지게 된다.In the conventional CMOS image sensor configured as described above, the microlens array 16 receives the light directly from the external lens 10 without any obstacle and collects the light, without any obstacle. In this case, the photodiode array 16 The angle of incidence of light varies with location. For example, the light entering through the lens 1 enters the microlens array 24 in a straight line at the center of the photodiode array 16, and goes toward the outer part away from the center of the photodiode array 16. The angle of light incident on (24) becomes larger.
이 경우 포토 다이오드 어레이(16)의 중심부와 외곽부간의 수광률의 차이가 발생하여 포토 다이오드 어레이(16)의 위치에 따른 광감도의 변화를 초래할 수 있다. 이는 이는 이미지 센서에서 빛을 받아 동작한 후 다시 이미지로 재현하는 데 있어 피사체의 정확한 이미지 검출을 어렵게 한다.In this case, a difference in light receiving rate between the center and the outer portion of the photodiode array 16 may occur, resulting in a change in light sensitivity according to the position of the photodiode array 16. This makes it difficult to detect the correct image of the subject when it receives light from the image sensor, and then reproduces the image again.
이러한 문제점을 극복하기 위해 종래의 CMOS 이미지 센서에서는 포토 다이오드 어레이(16)의 중심부의 간격이 외곽부로 갈수록 넓게 하여 다이오드 어레이(16)의 중심부와 외곽부간의 수광률의 차이를 보상하고 있다.In order to overcome such a problem, the conventional CMOS image sensor compensates for the difference in light receiving rate between the center and the outer portion of the diode array 16 by increasing the interval between the centers of the photodiode array 16 toward the outer portion.
따라서, 상기 종래의 CMOS 이미지 센서에서는 포토다이오드 어레이(16)의 위치에 관계없이 광감도를 균일하게 하기 위해 렌즈(1)와 포토다이오드 어레이(16)간의 거리에 대한 정확한 계산과 그에 따른 포토다이오드 어레이(16)간의 간격의 조절에 대한 정밀한 설계가 요구된다.Therefore, in the conventional CMOS image sensor, in order to make the light sensitivity uniform regardless of the position of the photodiode array 16, the accurate calculation of the distance between the lens 1 and the photodiode array 16 and the corresponding photodiode array ( Precise design for the adjustment of the spacing between the parts is required.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위해 빛의 굴절을 이용하여 컬러필터를 통과한 빛을 굴절시켜 포토다이오드 어레이에 집광되는 빛의 양을 늘려줌으로써, 포토다이오드 어레이의 위치에 관계없이 광감도를 균일하게 하는 CMOS 이미지 센서를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to increase the amount of light focused on the photodiode array by refracting the light passing through the color filter by using the refraction of the light to solve the above problems, so that the sensitivity of the photodiode array regardless It is to provide a CMOS image sensor that makes it uniform.
도 1은 종래의 기술에 따른 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a CMOS image sensor according to the prior art.
도 2는 종래의 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에서의 빛의 굴절을 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing the refraction of light in the unit pixel of the CMOS image sensor according to the prior art.
도 3는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도.3 is a cross-sectional view of a CMOS image sensor according to the present invention;
도 4은 본 발명에 적용된 스넬의 법칙을 설명하기 위한 도면.Figure 4 is a view for explaining the law of Snell applied to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀에서의 빛의 굴절을 나타낸 단면도.5 is a cross-sectional view showing the refraction of light in the unit pixel of the CMOS image sensor according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호설명* Code descriptions for the main parts of the drawings
100: 반도체 기판 102: 필드분리막100: semiconductor substrate 102: field separation film
104: 포토다이오드 어레이 106: 광투과층104: photodiode array 106: light transmitting layer
108: 평탄화층 110: 컬러필터부108: planarization layer 110: color filter unit
112: 마이크로 렌즈 어레이112: microlens array
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판에 단위 픽셀간 분리를 위한 복수의 필드절연막; 상기 복수의필드절연막간의 액티브영역에 일정 간격으로 형성되며, 수광된 빛을 전기신호로 광전변환하는 포토다이오드 어레이; 상기 포토다이오드 어레이 상부에 형성되며, 상기 수광된 빛을 상기 포토다이오드 어레이로 투과하는 광투과층; 상기 광투과층 상부에 형성되며, 소정의 굴절률을 갖는 평탄화층; 상기 평탄화층의 상부에 컬러 포토레지스터를 도포하여 형성한 컬러필터부; 및 상기 컬러필터부의 상부에 형성되며, 상기 수광된 빛을 상기포토다이오드 어레이로 집광하기 위해 소정의 굴절율을 갖는 마이크로 렌즈 어레이를 구비하며,A CMOS image sensor of the present invention for achieving the above object is a plurality of field insulating film for separation between unit pixels on a semiconductor substrate; A photodiode array formed in the active region between the plurality of field insulating films at a predetermined interval and photoelectrically converting the received light into an electrical signal; A light transmitting layer formed on the photodiode array and transmitting the received light to the photodiode array; A planarization layer formed on the light transmitting layer and having a predetermined refractive index; A color filter unit formed by coating a color photoresist on the planarization layer; And a micro lens array formed on the color filter unit, the micro lens array having a predetermined refractive index for condensing the received light to the photodiode array.
상기 평탄화층은 상기 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율보다 상대적으로 큰 재료로 형성되는 것을 특징으로 한다.The planarization layer is formed of a material relatively larger than the refractive index of the micro lens array.
(실시예)(Example)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3는 본 발명에 따른 도 2는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서를 나타낸 단면도로서, 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100)에 단위 픽셀간 분리를 위한 복수의 필드절연막(102)과, 복수의 필드절연막(102)간의 액티브영역에 형성되며, 수광된 빛을 전기신호로 광전변환하는 포토다이오드 어레이(104)와, 포토다이오드 어레이(104) 상부에 형성되며, 상기 수광된 빛을 포토다이오드 어레이(104)로 투과하는 광투과층(106)와, 광투과층(106) 상부에 형성되며, 소정의 굴절률을 갖는 평탄화층(108)과, 평탄화층(108)의 상부에 컬러 포토레지스터를 도포하여 형성한 컬러필터부(110)와, 컬러필터부(110)의 상부에 형성되며, 상기 수광된 빛을 포토다이오드 어레이(104)로 집광하기 위해 소정의 굴절율을 갖는 마이크로 렌즈 어레이(112)로 구성되며, 평탄화층(108)은 마이크로 렌즈 어레이(112)의 굴절율보다 상대적으로 큰 재료로 형성된다.FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a CMOS image sensor according to the present invention. As illustrated in FIG. 2, a plurality of field insulating layers 102 and a plurality of field insulating layers 102 are separated on a semiconductor substrate 100. A photodiode array 104 formed in an active region between the field insulating layers 102 and photoelectrically converting the received light into an electrical signal; A color photoresist is applied on the light transmitting layer 106 that transmits through the 104, the planarizing layer 108 having a predetermined refractive index, and the upper part of the planarizing layer 108. It is formed of the formed color filter unit 110 and the upper portion of the color filter unit 110, and composed of a micro lens array 112 having a predetermined refractive index in order to focus the received light to the photodiode array 104 The planarization layer 108 is a micro lens Rays is formed from a relatively large material than the refractive index of 112. The
상기 광투과층(106)은 적어도 하나 이상의 층간절연막과, 소자보호막 및 마이크로 렌즈 어레이(112)에 의해 굴절된 빛을 하부의 포토다이오드 어레이(104)측으로 균일하게 투과시키기 위한 층으로서 평탄화층을 포함하며, 상기 소자보호막은 산화막 및 질화막이 적어도 하나 이상의 층간절연막의 상부에 증착되어 형성될 수 있다.The light transmitting layer 106 includes at least one interlayer insulating film, a planarization layer as a layer for uniformly transmitting the light refracted by the device protective film and the micro lens array 112 toward the lower side of the photodiode array 104. The device protection layer may be formed by depositing an oxide layer and a nitride layer on at least one interlayer insulating layer.
상기 평탄화층(108)은 마이크로 렌즈 어레이(112)에 의해 굴절된 빛을 하부의 포토다이오드 어레이(104)측으로 굴절시키기 위한 층으로서, 광투과층(106) 상부에 마이크로 렌즈 어레이(112)의 굴절율보다 상대적으로 큰 재료를 증착한 후 플래너 공정(Planar)에 의해 평탄화함으로써 형성된다.The planarization layer 108 is a layer for refracting the light refracted by the micro lens array 112 toward the lower photodiode array 104. The refractive index of the micro lens array 112 is disposed on the light transmitting layer 106. It is formed by depositing a relatively larger material and then planarizing by a planar process.
도 4는 본 발명에 적용된 스넬의 법칙을 설명하기 위한 도면으로서, 서로 다른 매질에 빛이 입사할 경우 매질의 굴절률(n1,n2)에 따라 굴절각도(θ1,θ2)가 스넬의 법칙에 따라 달라짐을 나타낸다.4 is a view for explaining the Snell's law applied to the present invention, the angle of refraction (θ1, θ2) according to the refractive index (n1, n2) of the medium when the light is incident on different media according to Snell's law Indicates.
일반적으로, 스넬의 법칙은 아래의 수학식 1과 같이 표현된다.In general, Snell's law is expressed as Equation 1 below.
여기서, n1과 n2는 각 매질의 굴절률이며, 공기의 굴절률은 1로 간주된다. 만일 굴절률이 큰 매질에서 작은 매질로 빛이 입사할 경우 어떤 각도 이상으로 입사한다면 빛은 모두 반사를 일으키게 되는데, 이때의 각을 임계각(Critical angle)이라고 한다.Where n1 and n2 are the refractive indices of each medium, and the refractive index of air is regarded as one. If light is incident from a medium with a large refractive index into a small medium, if the light is incident at a certain angle or more, the light is all reflected. The angle is called a critical angle.
빛이 공기중에서 굴절률 n인 매질로 입사하는 경우 굴절률(n)과 임계각(θc)과의 관계는 아래의 수학식 2와 같이 표현된다.When light enters a medium having a refractive index n in air, the relationship between the refractive index n and the critical angle θc is expressed by Equation 2 below.
상기 수학식 1 및 2에서 알 수 있는 바와 같이, 빛이 굴절하는 각도(θ2)는 빛이 입사하는 매질의 굴절률(n2)에 의해 크게 좌우된다.As can be seen in Equations 1 and 2, the angle θ2 at which light is refracted depends largely on the refractive index n2 of the medium on which light is incident.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 컬러필터부(110)를 형성하기전 광투과층(106)의 상부에 마이크로 렌즈 어레이(112)의 굴절율보다 상대적으로 큰 재료로 평탄화층(108)을 형성함으로써, 마이크로 렌즈 어레이(112)에서 굴절된 빛을 한번 더 굴절시켜줄 수 있고, 이로 인해 포토다이오드 어레이(104)에 집광되는 빛의 양이 증가된다.Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, the planarization layer 108 is formed of a material relatively larger than the refractive index of the micro lens array 112 on the light transmitting layer 106 before the color filter unit 110 is formed. The light refracted by the micro lens array 112 may be refracted once more, thereby increasing the amount of light focused on the photodiode array 104.
이 경우, 도 1에 나타낸 바와 같이, 집광지점을 포토다이오드 어레이와 일치시키 수 있으므로, 포토다이오드 어레이(104)의 중심부와 외곽부간의 광감도 차이가 줄어들게 됨으로써, 광감도의 저하 없이 포토다이오드 어레이(104)의 간격이 일정하게 배열될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 1, since the light collecting point can be matched with the photodiode array, the difference in light sensitivity between the center portion and the outer portion of the photodiode array 104 is reduced, thereby reducing the light sensitivity. The intervals of may be arranged constantly.
도 5는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위 픽셀(Unit Pixel)에서의 빛의 굴절을 나타낸 단면도로서, 외부의 렌즈(1)로부터 소정의 경사각으로 입사하는 빛이 마이크로 렌즈 어레이(112)의 굴절율에 의해 한번 굴절된 후 다시 평탄화층(106)의 굴절율에 의해 포토다이오드 어레이(102)에 집광됨을 나타낸다.5 is a cross-sectional view illustrating the refraction of light in a unit pixel of a CMOS image sensor according to the present invention, in which light incident from an external lens 1 at a predetermined inclination angle is refractive index of the microlens array 112. By the refractive index of the planarization layer 106 and then once again refracted by the photodiode array 102.
상기에서 본 발명의 특정 실시예가 설명 및 도시되었지만, 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같은변형된 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안되며, 본 발명에 첨부된 특허청구범위 안에 속한다 해야 할 것이다.While specific embodiments of the present invention have been described and illustrated above, it will be apparent that the present invention may be modified and practiced by those skilled in the art. Such modified embodiments should not be understood individually from the technical spirit or the prospect of the present invention, but should fall within the claims appended to the present invention.
이상에서와 같이, 본 발명은 마이크로 렌즈 어레이 위에 마이크로 렌즈 어레이의 굴절율과 다른 적어도 하나 이상의 물질층을 형성하여 포토 다이오드 어레이에 집광되는 빛의 양을 늘려줌으로써, 포토다이오드 어레이의 위치에 관계없이 광감도를 균일하게 할 수 있으며, 이로 인해 선명한 이미지를 검출할 수 있는 효과가 있고, 또한 포토 어레이의 간격을 일정하게 배열할 수 있으므로, 포토다이오드 어레이의 설계가 용이해지는 효과가 있다.As described above, the present invention increases the amount of light focused on the photodiode array by forming at least one layer of material different from the refractive index of the microlens array on the microlens array, thereby increasing the light sensitivity regardless of the position of the photodiode array. Since it is possible to make uniform, this makes it possible to detect a clear image and to arrange the intervals of the photo arrays at a constant level, thereby making it easy to design the photodiode array.
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| US9899439B2 (en) | 2014-09-16 | 2018-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor including micro-lenses having high refractive index and image processing system including the same |
| WO2021063162A1 (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | Oppo广东移动通信有限公司 | Image sensor, camera assembly, and mobile terminal |
-
2002
- 2002-12-30 KR KR1020020087308A patent/KR20040060508A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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