KR20040060087A - Real-time monitoring system and method for cleaning the surface of materials by laser beam - Google Patents

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KR20040060087A
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Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for monitoring the cleaning degree of a surface in real time using laser beam are provided to be capable of simplifying a monitoring process without using surface analysis equipment by simultaneously measuring the reflected and transmitted light of the laser beam and comparing with each other. CONSTITUTION: An apparatus for monitoring the cleaning degree of a surface in real time using laser beam is provided with a light source part(110) for generating laser beam, a light path control part(112) for irradiating the laser beam to a sample(106), and a first detection part(130a) for detecting the transmitted light of the laser beam through the sample. The apparatus further includes a second detection part(130b) for detecting the reflective light of the laser beam from the sample, and a comparison and display part(140) for comparing the signals supplied from the first/second detection parts with each other and displaying the cleaning state of the sample.

Description

레이저광을 이용한 표면 세정 실시간 모니터링장치 및 방법 { Real-time monitoring system and method for cleaning the surface of materials by laser beam }Real-time monitoring system and method for cleaning the surface of materials by laser beam}

본 발명은 모재의 표면에 부착된 오염물을 제거하는 세정(cleaning) 공정에서 세정 정도를 실시간 모니터링하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a system and method for real-time monitoring of the degree of cleaning in a cleaning process that removes contaminants adhering to the surface of the base material.

일반적으로, 반도체 표면 클리닝 방법으로 화학적 용매(chemical solvents)를 이용한 습식 방법(wet cleaning)이 사용되어 왔으나 환경오염 문제 등으로 건식 클리닝(dry cleaning)에 대한 관심이 증가되어 왔다. 건식 클리닝 방법으로는 레이저 또는 램프를 이용하여 자외선 빔(혹은 레이저 빔)을 표면에 직접 조사시켜 유기오염 물질을 제거하는 레이저 클리닝(자외선 클리닝)과 진공 플라즈마를 발생시켜 라디칼을 이용해 오염물질과 반응시켜 제거하는 플라즈마 클리닝, 그리고 이산화 탄소 스노우를 만들어 강하게 분사시켜 표면을 클리닝하는 이산화 탄소 스노우 클리닝 등이 있다.Generally, wet cleaning using chemical solvents has been used as a method for cleaning semiconductor surfaces, but interest in dry cleaning has increased due to environmental pollution. Dry cleaning method uses a laser or a lamp to directly irradiate the UV beam (or laser beam) to the surface to generate organic cleaning and laser cleaning (ultraviolet cleaning) to generate a vacuum plasma and radicals to react with contaminants Plasma cleaning to remove, and carbon dioxide snow cleaning to make a surface of the carbon dioxide to make a strong injection to clean the surface.

즉, 종래에 모재의 표면에 존재하는 오염물을 측정하는 방법으로는 오염물 형태가 입자 형태로 존재하는 경우와, 필름 형태로 존재하는 경우로 각각 구분되어 있다. 종래에 박막 형태의 오염물일 경우 이 오염물의 세정 정도를 측정하는 방법은 세정 전,후에 모재의 표면 상태를 분석하는 장치를 이용하여 측정한다. 이때 사용되는 분석 장비는 표면 형태를 측정하는 전자현미경(SEM)과, 표면의 형상을 측정하는 원자현미경(AFM), 그리고 성분 및 구조 등을 알 수 있는 X선회절분석장치(XRD) 등이 있다. 또한 표면의 세정 공정중에 박막의 두께나 특성을 측정하는 장치에는 모니터링 광을 표면에 일정한 각도로 조사시켜 반사되는 광의 특성을 통하여 박막의 특성 및 두께를 측정하는 장치가 있다.That is, in the conventional method for measuring the contaminants present on the surface of the base material, the contaminant form is divided into a particle form and a film form. Conventionally, in the case of a contaminant in the form of a thin film, a method of measuring the degree of cleaning of the contaminant is measured by using an apparatus for analyzing the surface state of the base material before and after cleaning. The analysis equipment used here includes an electron microscope (SEM) for measuring the shape of the surface, an atomic force microscope (AFM) for measuring the shape of the surface, and an X-ray diffraction analysis device (XRD) for identifying the components and structures. . In addition, the apparatus for measuring the thickness and characteristics of the thin film during the surface cleaning process includes a device for measuring the characteristics and thickness of the thin film through the characteristics of the light reflected by irradiating the monitoring light to the surface at a constant angle.

그런데 상기에서 기술된 종래의 장치들은 세정 공정이 진행되고 있는 모재의 표면 상태를 측정하는 것이 아니라 세정 공정 전과 후에 각 시료를 채취하여 분석 장비에 놓고, 그 물리적 특성을 측정하는 것이다. 또한 박막의 특성이나 두께를 정밀하게 측정하는 장치는 반사광을 측정하여 그 특성을 통하여 측정하는데, 표면이 거친 시료인 경우에는 측정의 어려움이 있고 정밀도가 떨어지는 문제점이 있다. 또한 오염물의 두께가 시료 표면의 거칠기에 비하여 작을 때에는 오염물의 탈착 정도를 측정하는 것은 거의 불가능한 문제점이 있다.However, the above-described conventional devices do not measure the surface state of the base material in which the cleaning process is being performed, but collect each sample before and after the cleaning process and place the sample in the analysis equipment, and measure the physical characteristics thereof. In addition, the device for accurately measuring the characteristics or thickness of the thin film is measured by measuring the reflected light and its properties, in the case of a rough surface sample is difficult to measure and has a problem of inferior accuracy. In addition, when the thickness of the contaminant is small compared to the roughness of the sample surface, it is almost impossible to measure the degree of desorption of the contaminant.

본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 건식 세정 공정중에서 표면의 세정 정도를 모니터링 광을 표면에 조사시켜 표면에서 반사되는 광과 모재를 통과한 광의 세기의 비를 이용하여 모재의 표면에 붙어 있는 오염물의 탈착 정도를 정량적으로 측정할 수 있는 광을 이용한 표면세정 모니터링장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed in order to solve the above problems, by monitoring the degree of cleaning of the surface during the dry cleaning process by using a ratio of the intensity of the light reflected from the surface and the light passing through the base material to the surface of the base material It is an object of the present invention to provide a surface cleaning monitoring apparatus and method using light that can quantitatively measure the degree of desorption of contaminants adhering to the surface.

이러한 본 발명은 무엇보다도 모재의 표면 거칠기가 오염물의 두께보다 크고 반사광의 세기가 매우 미약하여 공정중의 세정정도를 알 수 없는 시료에서 투과광의 세기 변화를 측정하여 그 정도를 알 수 있는 장점이 있다.The present invention has the advantage that the surface roughness of the base material is larger than the thickness of the contaminant and the reflected light is very weak, and the extent of the transmitted light is measured by measuring the change in the intensity of transmitted light in the sample whose cleaning degree is not known in the process. .

도 1은 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 시스템의 구성을 도시한 블럭도,1 is a block diagram showing the configuration of a surface cleaning monitoring system according to the present invention;

도 2a 및 2b는 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 개념을 설명하기 위해 도시한 도면,2A and 2B are diagrams for explaining a surface cleaning monitoring concept according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 절차를 도시한 순서도.3 is a flow chart illustrating a surface cleaning monitoring procedure in accordance with the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

102: 세정용 레이저 104: 모니터링용 레이저102: laser for cleaning 104: laser for monitoring

106: 시료 108: 시료 받침대106: Sample 108: Sample Support

110: 모니터링용 레이저 발생기 112: 전반사 거울110: laser generator for monitoring 112: total reflection mirror

120a,120b: 간섭 필터 130a,130b: 광검출기120a, 120b: interference filter 130a, 130b: photodetector

140: 컴퓨터140: computer

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 장치는, 모니터링용 레이저 광을 발생하는 광원부; 상기 모니터링용 레이저광을 시료에 조사하기 위한 광경로 제어수단; 상기 시료를 투과한 광의 세기를 검출하기 위한 투과광 검출수단; 상기 시료에서 반사된 광의 세기를 검출하기 위한 반사광 검출수단; 상기 투과광 검출수단과 상기 반사광 검출수단으로부터 입력된 각 신호를 비교하여 세정상태를 표시하는 비교 및 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the device of the present invention, the light source for generating a laser light for monitoring; Optical path control means for irradiating the sample with the monitoring laser light; Transmitted light detecting means for detecting the intensity of light transmitted through the sample; Reflected light detecting means for detecting an intensity of light reflected from the sample; And comparing and displaying means for comparing each signal input from the transmitted light detecting means and the reflected light detecting means to display a cleaning state.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 방법은, 모니터링용 레이저 발생단계; 상기 발생된 모니터링용 레이저를 시료표면에 조사하는 단계; 상기 시료에서 반사된 광과 투과된 광을 각각 검출하는 단계; 및 상기 검출된 반사광과 투과광의 세기를 비교하여 공정상태를 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the method of the present invention includes a laser generating step for monitoring; Irradiating the sample surface with the generated monitoring laser; Detecting light reflected from the sample and transmitted light; And displaying the process state by comparing the detected reflected light with the intensity of the transmitted light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 시스템의 구성을 도시한 블럭도이다.1 is a block diagram showing the configuration of a surface cleaning monitoring system according to the present invention.

본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 시스템은 도 1에 도시된 바와 같이, 모니터링용 레이저 발생기(110), 전반사 거울(112), 간섭필터(120a,120b), 광 검출기(130a,130b), 컴퓨터(140)로 구성되어 시료 부착대(108) 위에 정치된 세정 시료(106)의 오염물(106a)이 세정용 레이저(102)에 의해 세정된 정도를 모니터링할수 있도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, the surface cleaning monitoring system according to the present invention includes a laser generator 110 for monitoring, a total reflection mirror 112, interference filters 120a and 120b, photo detectors 130a and 130b, and a computer 140. It is possible to monitor the degree to which the contaminants 106a of the cleaning sample 106, which are arranged on the sample attachment table 108, and are cleaned by the cleaning laser 102.

도 1을 참조하면, 건식 세정공정에서 시료 부착대(108) 위에 세정을 위한 모재(시료)(106)를 올려 놓고 세정용 레이저 발생원(미도시)으로부터 발생된 레이저 빔(102)에 의해 모재(106)의 표면에 부착된 오염물질(106a)을 제거한다.Referring to FIG. 1, in a dry cleaning process, a base material (sample) 106 for cleaning is placed on a sample mounting table 108, and the base material is formed by a laser beam 102 generated from a cleaning laser source (not shown). Remove contaminants 106a attached to the surface of 106.

이때 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 시스템은 모니터링용 레이저 발생기(110)에서 모니터링용 레이저 빔(104)을 발생한 후, 일차로 전반사 거울(112)에 의해 시료 측으로 전반사시켜 시료를 투과한 광은 간섭필터(120a)를 거쳐 투과광 광검출기(130a)에 의해 전기적인 신호로 변환되고, 시료에서 반사된 광은 전반사 거울(112)에서 반사된 후 간섭필터(120b)를 거쳐 반사광 광검출기(130b)에서 전기적인 신호로 변환된다.In this case, the surface cleaning monitoring system according to the present invention generates the monitoring laser beam 104 from the monitoring laser generator 110, and then firstly totally reflects to the sample side by the total reflection mirror 112 and transmits the sample to the interference filter. The light is converted into an electrical signal by the transmitted light photodetector 130a via 120a, and the light reflected from the sample is reflected by the total reflection mirror 112, and then is reflected by the reflected light photodetector 130b via the interference filter 120b. Is converted into an ordinary signal.

컴퓨터(140)는 소정의 측정 및 모니터링을 위한 응용 프로그램을 탑재하여 실행하면서, 투과광 광검출기(130a)로부터 입력된 데이터와 반사광 광검출기(130b)로부터 입력된 데이터를 비교하여 시료(106)의 세정정도를 실시간으로 표시한다.The computer 140 loads and executes an application program for predetermined measurement and monitoring while comparing the data input from the transmitted light photodetector 130a with the data input from the reflected light photodetector 130b to clean the sample 106. The degree is displayed in real time.

도 2a는 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 개념을 설명하기 위해 도시한 도면이고, 도 2b는 본 발명에 따라 세정공정중에 측정된 투과광과 반사광의 세기를 도시한 그래프이다.FIG. 2A is a diagram illustrating a concept of surface cleaning monitoring according to the present invention, and FIG. 2B is a graph showing the intensity of transmitted and reflected light measured during the cleaning process according to the present invention.

도 2a를 참조하면, 모니터링용 레이저 광(104)은 시료(106)측으로 입사되어 일부는 오염물질(106a)에 의해 반사되고, 일부는 시료를 투과한다. 이때 반사된 광(104b)의 세기와 투과된 광(104a)의 세기를 비교하면 시료(106)에 묻은오염물질(106a)의 제거정도(즉, 세정 상태)를 모니터링할 수 있다. 예컨대, 오염물질이 많이 있을 경우에는 그만큼 투과광(104a)의 세기에 비해 반사광(104b)의 세기가 더 크고, 점차 오염물이 제거됨에 따라 반사광(104b)에 비해 투과광(104a)의 세기가 커지게 된다.Referring to FIG. 2A, the monitoring laser light 104 is incident on the sample 106 side, partly reflected by the pollutant 106a, and partly transmitted through the sample. At this time, by comparing the intensity of the reflected light (104b) and the intensity of the transmitted light (104a) it is possible to monitor the degree of removal (that is, the cleaning state) of the contaminant 106a on the sample 106. For example, when there are many contaminants, the intensity of the reflected light 104b is greater than that of the transmitted light 104a, and as the contaminants are gradually removed, the intensity of the transmitted light 104a becomes larger than the reflected light 104b. .

도 2b를 참조하면, 그래프의 횡축은 시간축을 나타내고 종축은 광의 세기를 나타낸다. 도시된 그래프에 따르면, 오염물질이 많이 있을 경우에 반사광의 세기(104b)가 투과광의 세기(104a)보다 크다가 세정공정에 의해 시간이 경과함에 따라 오염물이 제거되면서 투과광의 세기(104a)는 점차 증가하고 반사광의 세기(104b)는 감소하는 것을 알 수 있다. 이때 투과광의 세기가 임계값(Th)에 도달한 경우 오염물질이 모두 제거된 것으로 보고 세정공정을 종료한다. 도 2b는 본 발명의 특성을 개념화한 그래프에 불과한 것으로, 실제에 있어서는 세정되기 전의 시료의 오염정도가 다르고, 시료 자체의 투과 특성도 다르므로 그 특성이 다른 형태의 그래프로 나타날 수 있다.2B, the horizontal axis of the graph represents the time axis and the vertical axis represents the intensity of light. According to the graph shown, when there are many pollutants, the intensity 104b of the reflected light is greater than the intensity 104a of the transmitted light, and as the contaminants are removed as time passes by the cleaning process, the intensity 104a of the transmitted light gradually increases. It can be seen that the increase and the intensity 104b of the reflected light decrease. At this time, when the intensity of the transmitted light reaches the threshold (Th), the contaminants are all removed and the cleaning process is terminated. 2B is only a graph conceptualizing the characteristics of the present invention. In practice, since the degree of contamination of the sample before washing is different and the permeation characteristics of the sample itself are also different, the characteristics may be represented by different types of graphs.

이와 같이 본 발명에 따르면 세정공정이 진행되는 중에 오염물질의 제거정도를 실시간으로 표시해줌으로써 공정의 상태를 보다 정확하게 모니터링할 수 있다.Thus, according to the present invention it is possible to monitor the state of the process more accurately by displaying the degree of removal of contaminants in real time during the cleaning process.

도 3은 본 발명에 따른 표면 세정 모니터링 절차를 도시한 순서도이다.3 is a flow chart illustrating a surface cleaning monitoring procedure in accordance with the present invention.

종래기술에서 살펴본 바와 같이, 현재 습식 및 건식 세정 장치들의 모재에 대한 세정정도를 측정하는 기술은 세정 전,후에 모재의 표면 상태를 분석하는 기술이 대부분이다. 이에 비하여 본 발명에서는 광 투과성과 반사성의 성질을 갖는 모재인 경우에 도 2a에서와 같이 반사광(104b)과 투과광(104a)을 동시에 측정하여 표면의 오염물의 제거 정도를 보다 정밀하게 측정 할 수 있으며, 특히, 표면의 거칠기가 수십 ㎛인 모재인 경우에는 표면의 반사광에 의한 측정이 불가능하므로 투과광의 세기로 오염물 제거 정도를 모니터링할 수 있다. 즉, 투과광의 세기는 표면의 오염물이 표면에서 수십 ㎛ 제거될 때까지 제거되는 오염물의 두께의 변화에 의해서 변화되므로 시료의 하단에서 광검출기(130a)로 그 세기의 변화를 측정함으로써 오염물의 제거 정도를 계산할 수 있다.As discussed in the prior art, the current technology for measuring the degree of cleaning of the base material of the wet and dry cleaning devices is a technique for analyzing the surface state of the base material before and after cleaning. On the other hand, in the present invention, in the case of the base material having the light transmissive property and the reflective property, the reflection light 104b and the transmitted light 104a can be simultaneously measured as shown in FIG. 2A to more precisely measure the degree of removal of contaminants on the surface. Particularly, in the case of a base material having a roughness of several tens of micrometers, measurement by reflected light on the surface is impossible, and thus the degree of contamination removal may be monitored by the intensity of transmitted light. That is, the intensity of transmitted light is changed by the change in the thickness of the contaminant removed until the contaminant on the surface is removed several tens of micrometers from the surface, so the degree of removal of the contaminant is measured by measuring the change of the intensity with the photodetector 130a at the bottom of the sample. Can be calculated.

본 발명에 따라 표면의 세정 정도를 모니터링하기 위해 조사되는 레이저광(104)은 He-Ne 레이저나 가시광 영역대의 다이오드 레이저를 사용하며, 표면에 입사하는 각도는 시료 뒤편에 위치하는 광 검출기(130a)에 입사될 수 있도록 수직 방향에 가깝게 입사시킨다. 그리고 오염의 정도가 클 때는 투과광의 세기보다는 반사광의 세기가 더욱 강하므로 반사광과 투과광의 세기의 비를 세정 공정중에 지속적으로 측정함으로써 오염물이 완전 제거될 때까지 그 세기의 변화를 모니터링한다. 표면 세정을 위하여 건식 세정에서 주로 이용되는 기술은 레이저광, CO2 가스, 플라즈마 등인데, 본 발명의 실시예에서는 레이저 광을 시료의 표면에 조사하여 세정한다.According to the present invention, the laser light 104 irradiated to monitor the degree of cleaning of the surface uses a He-Ne laser or a diode laser in the visible region, and the incident angle of the surface is located on the photo detector 130a located behind the sample. Incident close to the vertical direction to be incident to. When the degree of contamination is large, the intensity of the reflected light is stronger than that of the transmitted light, so the ratio of the reflected light and the transmitted light is continuously measured during the cleaning process to monitor the change of the intensity until the contaminant is completely removed. Techniques mainly used for dry cleaning for surface cleaning are laser light, CO 2 gas, plasma, and the like. In an embodiment of the present invention, laser light is irradiated onto a surface of a sample and cleaned.

도 3을 참조하면, 공정관리자에 의해 모니터링이 요구되면, 모니터링 레이저 발생원(110)으로부터 레이저(104)를 발생하고, 이를 전반사 거울(112)을 통하여 세정 레이저광이 조사되는 시료의 표면에 거의 수직으로 입사시킨다(301~303).Referring to FIG. 3, when monitoring is required by the process manager, the laser 104 is generated from the monitoring laser source 110, which is almost perpendicular to the surface of the sample to which the cleaning laser light is irradiated through the total reflection mirror 112. Incidentally (301 to 303).

시료 부착대 위에 놓인 시료(106)는 세정용 레이저(102) 광 조사 방향과 직각으로 이동되면서 세정 부위의 위치를 변화시킴과 아울러 세정 부위에서 반사된광과 투과된 광 중에서 반사광은 다시 전반사 거울(120b)을 통하여 간섭필터(120b)에서 필터링된 후 반사광용 광 검출기(130b)로 입력되고, 투과광은 간섭필터(120a)에서 필터링된 후 투과광 광 검출기(130a)로 입사된다. 이와 같이, 간섭필터(120a,120b)에 의한 필터링에 의해 투과광과 반사광 이외 외부 잡음광(레이저 등)의 간섭은 제거되고, 모니터링용 광 파장만을 통과된다(304~307).The sample 106 placed on the sample mounting plate is moved at right angles to the cleaning laser 102 light irradiation direction to change the position of the cleaning site, and the reflected light is again reflected from the reflected light and transmitted from the cleaning site. After filtering by the interference filter 120b through 120b, the light is input to the reflected light detector 130b, and the transmitted light is filtered by the interference filter 120a and then incident to the transmitted light detector 130a. As described above, the filtering by the interference filters 120a and 120b removes interference of external noise light (laser, etc.) other than transmitted light and reflected light, and passes only the wavelength of monitoring light (304 to 307).

투과광 광 검출기(130a)에서 검출된 투과광의 전기 신호와 반사광 광 검출기(130b)에서 검출된 반사광의 전기 신호는 컴퓨터(140)로 입력되고, 컴퓨터(140)는 두 검출신호를 비교한 후 그 결과를 그래픽이나 문자 등으로 표시하여 세정공정의 진행상태를 실시간으로 표시함과 아울러 투과광과 반사광의 비가 기준치에 도달하면 세정이 완료된 것으로 판단한다(308~311).The electric signal of the transmitted light detected by the transmitted light detector 130a and the electric signal of the reflected light detected by the reflected light detector 130b are input to the computer 140. The computer 140 compares the two detection signals and then By displaying a graphic or a letter to display the progress of the cleaning process in real time, and when the ratio of the transmitted light and the reflected light reaches the reference value, it is determined that the cleaning is completed (308 ~ 311).

이와 같이 본 발명에 따르면 세정공정중의 모니터링 데이터들은 데이터 베이스화되어 관리됨으로 세정공정 분석과 개선에 유용하게 사용될 수 있다.As described above, according to the present invention, the monitoring data during the cleaning process may be usefully used for analyzing and improving the cleaning process because the data is managed in a database.

이상의 실시예에서는 건식 세정공정을 예로 들어 설명하였으나 본 발명은 건식 세정과는 다른 표면 코팅 공정 등에서도 동일한 방식으로 적용될 수 있고, 나아가 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시예에도 그대로 적용될 수 있다.In the above embodiment, the dry cleaning process has been described as an example, but the present invention can be applied in the same manner to a surface coating process different from the dry cleaning, and the technical spirit of the present invention can be applied to other embodiments as it is.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 종래 기술에서 표면 오염물의 건식 세정시 세정 정도를 주로 세정 전,후에 표면 분석 장비로 측정하던 것과는 달리 모니터링용 광을 이용하여 반사광과 투과광의 세기를 동시에 측정하여 두 광의 세기 비의 변화로 세정 공정중에 세정 정도를 측정할 수 있다. 특히, 본 발명은 모재 면의 거칠기가 다소 있어 반사광의 세기 측정이 어려운 경우에도 단지 투과광의 세기 변화 측정으로도 세정 정도를 추정할 수 있다는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, unlike the conventional method, the degree of cleaning during dry cleaning of surface contaminants is measured by using the monitoring light before and after the cleaning. The degree of cleaning can be measured during the cleaning process by changing the light intensity ratio. In particular, the present invention has an advantage that the degree of cleaning can be estimated only by measuring the intensity change of the transmitted light even when the intensity of the reflected light is difficult due to the roughness of the base material surface.

Claims (3)

모니터링용 레이저 광을 발생하는 광원부;A light source unit generating a monitoring laser light; 상기 모니터링용 레이저광을 시료에 조사하기 위한 광경로 제어수단;Optical path control means for irradiating the sample with the monitoring laser light; 상기 시료를 투과한 광의 세기를 검출하기 위한 투과광 검출수단;Transmitted light detecting means for detecting the intensity of light transmitted through the sample; 상기 시료에서 반사된 광의 세기를 검출하기 위한 반사광 검출수단; 및Reflected light detecting means for detecting an intensity of light reflected from the sample; And 상기 투과광 검출수단과 상기 반사광 검출수단으로부터 입력된 각 신호를 비교하여 세정상태를 표시하는 비교 및 표시수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저광을 이용한 표면 세정 모니터링장치.And a comparison and display means for comparing the respective signals inputted from said transmitted light detection means and said reflected light detection means to display a cleaning state. 제1항에 있어서, 상기 모니터링 장치는,The method of claim 1, wherein the monitoring device, 투과광에서 모니터링용 광만을 필터링하기 위한 간섭 필터와, 반사광에서 모니터링용 광만을 필터링하기 위한 간섭 필터를 더 구비한 것을 특징으로 하는 레이저광을 이용한 표면 세정 모니터링장치.An interference filter for filtering only the monitoring light from the transmitted light, and an interference filter for filtering only the monitoring light from the reflected light, the surface cleaning monitoring apparatus using the laser light. 모니터링용 레이저 발생단계;Monitoring laser generation step; 상기 발생된 모니터링용 레이저를 시료표면에 조사하는 단계;Irradiating the sample surface with the generated monitoring laser; 상기 시료로부터 반사된 광과 상기 시료를 투과한 광에서 모니터링용 광만을 추출하기 위한 필터링 단계;A filtering step of extracting only monitoring light from light reflected from the sample and light transmitted through the sample; 상기 모니터링용 반사광과 투과광을 전기적인 신호로 검출하는 단계; 및Detecting the monitoring reflected light and transmitted light as an electrical signal; And 상기 검출된 반사광과 투과광의 세기를 비교하여 공정상태를 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저광을 이용한 표면 세정 모니터링 방법.And comparing the detected reflected light with the intensity of the transmitted light to display a process state.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20230087641A (en) * 2021-12-09 2023-06-19 한국자동차연구원 Apparatus and method for evaluating a pollution level of vehicle sensor

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