KR20040056949A - Method for manufacturing photo mask by using negative resist - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for preparing a photomask for negative resist is provided, to improve the CD uniformity of mask pattern, to increase the etching selection ratio of a resist and an under light screening film and to reduce exposure time. CONSTITUTION: The method comprises the steps of coating a negative resist(104) on a light transmitting substrate(100) having a light screening film(102); exposing the core region(110, 120) of negative resist of the substrate where a pattern is formed, with an electron beam; exposing the outer edge(130) of the substrate with a stepper; and developing the substrate to remove the unexposed resist, thereby forming the resist pattern of photomask. Preferably the light screening film is formed on the outer edge of the substrate, and the negative resist of the outer edge is exposed by using laser instead of the stepper.

Description

네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법{Method for manufacturing photo mask by using negative resist}Method for manufacturing photo mask by using negative resist}

본 발명은 포토 마스크 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask manufacturing method, and more particularly, to a photomask manufacturing method for negative resist.

일반적으로 포토리소그래피(photo-lithography)공정은 포토 마스크로부터 패턴을 웨이퍼 표면으로 옮기는 것을 말한다. 따라서 포토 리소그래피 공정을 수행하기 위해서는 포토마스크 상에 전사할 패턴이 형성되어야 하며, 포토마스크는 설계된 회로가 광투과성 기판위에 옮겨진 것으로서, 기판 위에 형성되는 패턴은 에멀션(Emulsion), 크롬, 및 산화철 박막 등과 같은 차광막으로 만든다.In general, a photo-lithography process involves transferring a pattern from a photo mask to the wafer surface. Therefore, in order to perform the photolithography process, a pattern to be transferred must be formed on the photomask. The photomask is a circuit in which a designed circuit is transferred onto a light-transmissive substrate, and the pattern formed on the substrate is formed of an emulsion, chromium, and an iron oxide thin film. Made of the same shading film.

현재 포토마스크의 제작 공정에서 사용하고 있는 전자빔(E-beam)용 레지스트는 해상한계 문제로 0.15um급 이하의 디자인 룰 적용시 어려움이 있다. 더욱이 포토마스크 제조시 건식 식각을 진행하기 때문에 해상 한계는 더욱더 작아진다. 이에 포토마스크의 레지스트는 건식 식각에 내구성이 강한 포지티브 레지스트(positive resist)를 주로 사용하고 있다.Currently, the resist for electron beam (E-beam) used in the manufacturing process of the photomask has a problem in applying a design rule of 0.15um or less due to the resolution limit. Moreover, the resolution limit becomes even smaller because dry etching is performed during photomask fabrication. Accordingly, the resist of the photomask mainly uses a positive resist that is durable in dry etching.

도 1은 종래 기술에 의한 포지티브 레지스트를 이용한 포토 마스크의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선으로 절단한 포토 마스크의 제조 과정을 설명하기 위한 수직 단면도이다.1 is a plan view of a photo mask using a positive resist according to the prior art, and FIG. 2 is a vertical cross-sectional view for explaining a manufacturing process of a photo mask cut by the line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 포지티브 레지스트를 이용한 포토마스크는 광투과성 기판(10)상에 일정 두께로 광을 투과시키거나 차광시키기 위한 차광막(12a,12b)(12)과 레지스트(14)를 순서적으로 적층하고 노광, 현상으로 레지스트 패턴을 형성한 후에 레지스트 패턴으로 차광막을 식각한 후에 세정 및 검사의 공정을 거쳐 제조된다. 여기서, 포토마스크의 코어 영역에 있는 패턴(20, 30)용 레지스트(14)는 노광 공정시 라이팅 유/무에 따라 노광(30) 되어 오픈(open)거나 비노광(20)되어 클로우즈(close)된다. 그리고 포토마스크의 외곽 에지에 있는 레지스트(14)는 비노광되어 클로우즈된다. 이후 현상 공정시 노광된 오픈 부위의 레지스트는 현상액에 의해 제거되고 비노광된 클로우즈 부위의 레지스트는 제거되지 않고 남아 있게 된다.1 and 2, a photomask using a positive resist may include a light blocking film 12a, 12b, 12, and a resist 14 for transmitting or blocking light to a predetermined thickness on the light transmissive substrate 10. After forming a resist pattern by lamination | sequence, exposure, and image development, it manufactures through a process of washing | cleaning and inspection, after etching a light shielding film with a resist pattern. Here, the resists 14 for the patterns 20 and 30 in the core region of the photomask are exposed (30) and opened or unexposed (20) close depending on whether or not the lighting is performed during the exposure process. do. The resist 14 at the outer edge of the photomask is then unexposed and closed. Thereafter, the resist of the open portion exposed during the development process is removed by the developer and the resist of the unexposed closed portion is left without being removed.

이러한 포지티브 레지스트를 패터닝하기 위해 노광되는 부분이 많을 경우 즉, 전자빔으로 라이팅(Writing)하는 시간이 오래 걸리기 때문에 생산성(troughput)이 크게 떨어지므로 제조 수율에 영향을 주게 된다.In the case where many portions are exposed to pattern such a positive resist, that is, a long time of writing with an electron beam takes a long time, productivity is greatly reduced, thereby affecting manufacturing yield.

또한 포지티브 레지스트를 이용하여 포토마스크를 제작할 경우 노광 및 현상에 의해 오픈(open)되는 영역과 클로우즈(close)되는 부분의 CD(Critical Dimension) 균일성의 차이가 발생하게 된다. 즉, 오픈되는 레지스트 부분은 전체적으로 CD 균일성이 양호하나, 클로우즈되는 부분은 상대적으로 떨어진다.오 픈되는 레지스트 부분의 CD 균일성이 중요할 경우에는 상관이 없지만, 클로우즈되는 부분의 균일성이 중요한 경우에는 대책이 없다.In addition, when a photomask is manufactured by using a positive resist, a difference in CD (Critical Dimension) uniformity of an open area and a closed part is generated by exposure and development. In other words, the open portion of the resist has good CD uniformity, but the closed portion is relatively inferior. It does not matter if the CD uniformity of the open portion of the resist is important, but the uniformity of the closed portion is important. There is no measure.

이러한 문제를 해결하기 위하여 포토마스크의 레지스트로서 네가티브 레지스트(negative resist)를 사용하려 하였으나, 네가티브 레지스트의 경우에는 레지스트와 하부 차광막과의 식각 선택비 문제로 인하여 적용하는데 어려움이 있다. 선택비 문제를 해결하기 위해서는 레지스트막의 두께가 상당히 두꺼워야하는데, 포토마스크의 외각을 노광하지 않으면 그 부분이 그대로 현상되어 식각 시간이 상당히 증가하게 된다. 이에 따라 레지스트 손실이 상당이 커져 원하는 레지스트 패턴이 쓰러지거나 원하는 패턴의 레지스트 프로파일을 얻을 수 없었다.In order to solve this problem, a negative resist was used as a resist of a photomask, but in the case of a negative resist, it is difficult to apply due to an etching selectivity problem between the resist and the lower light shielding film. In order to solve the selectivity problem, the thickness of the resist film must be considerably thick. If the outer surface of the photomask is not exposed, the portion is developed as it is, and the etching time is significantly increased. As a result, the resist loss was greatly increased, and the desired resist pattern fell, or a resist profile of the desired pattern could not be obtained.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 네가티브 레지스트를 이용한 포토마스크의 제조 공정시 마스크 외곽 부분을 노광하여 현상되지 않도록 함으로써 레지스트와 하부 차광막과의 식각 선택비를 높여 원하는 레지스트 프로파일을 얻을 수 있으며 마스크 외곽 부분은 스텝퍼 또는 레이저로 별도로 노광하여 전자빔으로 넓은 영역을 노광할 때 걸리는 시간을 단축할 수 있는 네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to increase the etching selectivity of the resist and the lower light shielding film by exposing the outer portion of the mask during the manufacturing process of the photomask using a negative resist so as not to be developed in order to solve the problems of the prior art as described above. To provide a photomask manufacturing method for a negative resist that can be obtained by reducing the time taken to expose a large area with an electron beam by separately exposing the mask outer portion with a stepper or laser.

도 1은 종래 기술에 의한 포지티브 레지스트를 이용한 포토 마스크의 평면도,1 is a plan view of a photo mask using a positive resist according to the prior art,

도 2는 도 1의 A-A'선으로 절단한 포토 마스크의 제조 과정을 설명하기 위한 수직 단면도,FIG. 2 is a vertical cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a photo mask cut by line AA ′ of FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 네가티브 레지스트를 이용한 포토 마스크의 평면도,3 is a plan view of a photo mask using a negative resist according to the present invention,

도 4는 도 3의 B-B'선으로 절단한 포토 마스크의 제조 과정을 설명하기 위한 수직 단면도.4 is a vertical cross-sectional view for illustrating a manufacturing process of the photomask cut by the line BB ′ of FIG. 3.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100 : 광투과성 기판 102 : 차광막100: light transmissive substrate 102: light shielding film

104 : 네가티브 레지스트 110, 125 : 전자빔 노광부104: negative resist 110, 125: electron beam exposure portion

120 : 전자빔 비노광부 130 : 스텝퍼 또는 레이저 노광부120: electron beam non-exposure portion 130: stepper or laser exposure portion

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 네가티브 레지스트를 이용한 포토 마스크 제조 방법에 있어서, 차광막이 형성된 광투과성 기판 상부에 네가티브형 레지스트를 도포하는 단계와, 네가티브형 레지스트에서 패턴이 형성될 예정의 기판의 코어 영역에 전자 빔으로 노광시키는 단계와, 네가티브형 레지스트에서 기판의 외곽 에지에 스텝퍼로 노광시키는 단계와, 현상 공정으로 비노광된 레지스트를 제거하여 포토 마스크의 레지스트 패턴을 제조하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a photomask using a negative resist, the method comprising: applying a negative resist on the light-transmitting substrate on which the light shielding film is formed, and the core of the substrate on which the pattern is to be formed in the negative resist Exposing the region with an electron beam, exposing a stepper to the outer edge of the substrate in a negative resist, and removing the unexposed resist in a developing process to produce a resist pattern of the photomask.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 네가티브 레지스트를 이용한 포토 마스크의 평면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'선으로 절단한 포토 마스크의 제조 과정을 설명하기 위한 수직 단면도이다.3 is a plan view of a photo mask using a negative resist according to the present invention, Figure 4 is a vertical cross-sectional view for explaining the manufacturing process of the photo mask cut by the line B-B 'of FIG.

도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 네가티브 레지스트를 이용한 포토 마스크 제조 방법에 대해 설명한다.With reference to FIG. 3 and FIG. 4, the photomask manufacturing method using the negative resist of this invention is demonstrated.

유리(Glass)나 석영(Quartz) 등과 같은 광투과성 기판(100)상부에 일정 두께로 광을 투과시키거나 차광시키기 위한 차광막(102a, 102b)(102)을 형성한다. 이때, 차광막(102)은 가시광선 또는 자외선이 투과하지 못하게 니켈(Ni), 크롬(Cr), 그리고 코발트(Co) 등과 같은 금속막으로 형성된다. 그리고 차광막(102) 상부에 비노광된 부분이 현상액에 의해 제거되는 네가티브 레지스트(104)를 도포한다. 한편 기판의 외곽 에지 영역(130)에는 차광막(102)이 형성된다.Light blocking films 102a and 102b 102 are formed on the light transmissive substrate 100 such as glass, quartz, or the like for transmitting or blocking light with a predetermined thickness. In this case, the light blocking film 102 is formed of a metal film such as nickel (Ni), chromium (Cr), and cobalt (Co) to prevent visible light or ultraviolet rays from transmitting. Then, a negative resist 104 is applied on which the unexposed portion is removed by the developer. Meanwhile, a light blocking film 102 is formed in the outer edge region 130 of the substrate.

그 다음 노광 공정을 진행하는데, 본 발명은 패턴이 형성되는 기판의 코어 영역과 외곽 에지 영역은 분리하여 다음과 같이 레지스트를 노광한다.An exposure process is then performed. The present invention separates the core region and the outer edge region of the substrate on which the pattern is formed and exposes the resist as follows.

즉, 네가티브형 레지스트(104)에서 패턴이 형성될 예정의 기판 코어 영역(110, 120)은 고해상도를 구현하기 위하여 전자 빔으로 노광한다. 여기서, 포토마스크의 코어 영역에 있는 패턴(110, 120)용 레지스트(104)는 노광 공정시 라이팅 유/무에 따라 비노광(120)되어 오픈거나 노광(110)되어 클로우즈된다.That is, the substrate core regions 110 and 120, in which the pattern is to be formed in the negative resist 104, are exposed with an electron beam to realize high resolution. Here, the resists 104 for the patterns 110 and 120 in the core region of the photomask are unexposed 120 to be opened or exposed 110 to be closed depending on whether the light is present or not during the exposure process.

그리고 네가티브형 레지스트(104)에서 고해상도가 필요 없는 기판의 외곽 에지(130)는 스텝퍼 또는 레이저로 노광한다.The outer edge 130 of the substrate, which does not require high resolution, in the negative resist 104 is exposed with a stepper or laser.

본 발명은 노광 공정시 전자빔으로 기판의 코어 영역(110, 120)과 외곽 에지 영역(130)을 모두 노광하게 되면 상당한 라이팅 시간이 걸리므로 전자빔 생산성을 개선하기 위해 라이팅 시간이 빠른 스텝퍼 또는 레이저 장비로 외곽 에지 영역(130)만 별도로 노광을 한다.According to the present invention, when the exposure process exposes both the core region 110 and 120 and the outer edge region 130 of the substrate with the electron beam, a considerable writing time is required. Thus, a stepper or laser device having a fast writing time can be used to improve electron beam productivity. Only the outer edge region 130 is exposed separately.

그리고나서 현상 공정을 진행하여 비노광된 레지스트 부분을 현상액으로 제거하고 노광된 부분은 남아있도록 현상하여 본 발명에 따른 네가티브 레지스트 패턴을 형성한다.The development process is then performed to remove the unexposed resist portion with a developer and to develop the exposed portion to form a negative resist pattern according to the present invention.

이후 레지스트 패턴으로 차광막(102)을 식각하고, 세정과정을 거쳐서 스테인(stain)과 불순물 등을 제거한 후 패턴 및 오염 등에 대한 검사(Inspection) 공정을 거쳐 포토마스크를 완성하게 된다.Thereafter, the light shielding film 102 is etched using a resist pattern, and stains and impurities are removed through a cleaning process, and a photomask is completed through an inspection process for patterns and contamination.

따라서, 본 발명은 스테퍼 또는 레이저 장비를 이용하여 외곽 에지 영역(130)을 노광하기 때문에 해당 부위의 네가티브 레지스트가 노광되어 포지티브 레지스트와 마찬지로 클로우즈 상태로 라이팅되므로 네가티브 레지스트와 하부 차광막과의 식각 선택비로 인한 식각 문제를 해결하게 된다.Therefore, since the present invention exposes the outer edge region 130 by using a stepper or a laser device, since the negative resist of the corresponding region is exposed and written in a closed state like the positive resist, the etching resistivity of the negative resist and the lower light shielding film is reduced. It solves the etching problem.

또한, 본 발명은 노광 공정시 코어 영역(110, 120)과 외곽 에지 영역(130) 사이의 경계 부위(125)를 전자빔으로 노광하는데, 스테퍼 또는 레이저로 노광할 경우 포지션 정확성 문제로 오버랩을 제대로 하기 위함이다. 만약 스텝퍼 또는 레이저 장비의 정확성이 문제가 되지 않는다면 외곽 에지 영역(130)과 그 경계분위(125)를 함께 노광해도 무방하다.In addition, the present invention exposes the boundary portion 125 between the core regions 110 and 120 and the outer edge region 130 with an electron beam during an exposure process, and properly overlaps due to position accuracy when exposed with a stepper or laser. For sake. If the accuracy of the stepper or laser equipment is not a problem, the outer edge region 130 and its boundary region 125 may be exposed together.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

상기한 바와 같이 본 발명은, 네가티브 레지스트를 이용한 포토마스크의 제조 공정시 마스크 외곽 부분을 노광하여 현상되지 않도록 함으로써 네가티브 레지스트의 사용으로 마스크 패턴의 CD 균일성을 확보할 수 있으며 레지스트와 하부 차광막과의 식각 선택비를 높여 원하는 레지스트 패턴 프로파일을 얻을 수 있다.As described above, the present invention can secure the CD uniformity of the mask pattern by using the negative resist by exposing the outer portion of the mask during the manufacturing process of the photomask using the negative resist so as not to be developed. The etching selectivity can be increased to obtain a desired resist pattern profile.

또한 본 발명은 마스크 외곽 부분은 전자빔이 아닌 스텝퍼 또는 레이저로 별도로 노광하여 전자빔으로 넓은 영역을 노광할 때 걸리는 시간을 단축할 수 있어 포토마스크의 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, the present invention can shorten the time required to expose a large area with an electron beam by separately exposing the mask outer portion with a stepper or a laser instead of an electron beam, thereby improving the productivity of the photomask.

Claims (3)

네가티브 레지스트를 이용한 포토 마스크 제조 방법에 있어서,In the photomask manufacturing method using a negative resist, 차광막이 형성된 광투과성 기판 상부에 네가티브형 레지스트를 도포하는 단계;Applying a negative resist on the light transmissive substrate on which the light shielding film is formed; 상기 네가티브형 레지스트에서 패턴이 형성될 예정의 기판의 코어 영역에 전자 빔으로 노광시키는 단계;Exposing to a core region of a substrate on which a pattern is to be formed in the negative resist with an electron beam; 상기 네가티브형 레지스트에서 기판의 외곽 에지에 스텝퍼로 노광시키는 단계; 및Stepper exposing the outer edge of the substrate in the negative resist; And 현상 공정으로 상기 비노광된 레지스트를 제거하여 포토 마스크의 레지스트 패턴을 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법.And removing the non-exposed resist by a developing step to produce a resist pattern of the photo mask. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 외곽 에지에 차광막이 형성된 것을 특징으로 하는 네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법.The method of claim 1, wherein a light shielding film is formed on an outer edge of the substrate. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 외곽 에지의 네가티브 레지스트를 상기 스텝퍼 대신에 레이저로 노광시키는 것을 특징으로 하는 네가티브 레지스트용 포토 마스크 제조 방법.The method of claim 1, wherein the negative resist of the outer edge of the substrate is exposed by laser instead of the stepper.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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