KR20040040740A - Apparatus for supplying a slurry - Google Patents

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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: A slurry supply apparatus is provided to be capable of preventing generation of a pulsation phenomenon in supplying slurry and uniformly supplying the slurry. CONSTITUTION: A slurry supply apparatus(100) is provided with a circulation pipe(110) for circulating slurry, a cylinder(120) connected with the circulation pipe for storing the slurry, and the first piston(124) for dividing the inner portion of the cylinder into the first region connected with the circulation pipe and the second region connected with a supply pipe. At this time, the first piston includes the first through hole for connecting the first region with the second region. The slurry supply apparatus further includes the second piston(126) connected with one side of the first piston for switching the first through hole and a driving part(150) connected with the first and second piston for controlling the first and second piston. Preferably, the first and second piston have the same shape with each other.

Description

슬러리 공급 장치{Apparatus for supplying a slurry}Apparatus for supplying a slurry}

본 발명은 슬러리를 공급하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 공정에 사용되는 슬러리를 일정한 유량으로 공급하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for feeding a slurry. More specifically, the present invention relates to an apparatus for supplying a slurry used in a chemical mechanical polishing process of a semiconductor substrate at a constant flow rate.

최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 막 형성, 포토리소그래피, 식각, 이온주입 및 연마 공정 등과 같은 단위 공정들의 수행에 의해 제조된다. 상기 단위 공정들 중에서 연마 공정은 반도체 장치의 집적도를 향상시키고, 반도체 장치의 구조적, 전기적 신뢰도를 향상시키기 위한 중요한 공정 기술로 대두되고 있다. 최근에는 슬러리(slurry)와 반도체 기판 상에 형성된 막의 화학적 반응 및 연마 패드와 반도체 기판 상에 형성된 막 사이의 기계적인 마찰력에 의해 반도체 기판을 평탄화시키는 화학적 기계적 연마 공정이 주로 사용되고 있다.Recently, the manufacturing technology of semiconductor devices has been developed to improve the degree of integration, reliability, response speed, etc. in order to meet various needs of consumers. In general, semiconductor devices are manufactured by performing unit processes such as film formation, photolithography, etching, ion implantation and polishing processes. Among the unit processes, the polishing process has emerged as an important process technology for improving the integration degree of a semiconductor device and improving the structural and electrical reliability of the semiconductor device. Recently, a chemical mechanical polishing process for flattening a semiconductor substrate by chemical reaction of a slurry and a film formed on the semiconductor substrate and a mechanical friction force between the polishing pad and the film formed on the semiconductor substrate is mainly used.

상기 화학적 기계적 연마 공정을 수행하기 위한 장치는 일반적으로 회전 테이블 상에 부착된 연마 패드, 반도체 기판을 파지하고 회전시키는 연마 헤드, 연마 패드와 반도체 기판 사이에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부, 연마 패드의 표면 상태를 개선시키기 위한 연마 패드 컨디셔너(conditioner) 등을 구비한다. 또한, 화학적 기계적 연마 공정의 연마 종료 시점을 결정하기 위한 연마 종점 검출 장치를 구비한다.The apparatus for performing the chemical mechanical polishing process generally includes a polishing pad attached to a rotating table, a polishing head for holding and rotating a semiconductor substrate, a slurry supply portion for supplying a slurry between the polishing pad and the semiconductor substrate, and a surface of the polishing pad. And a polishing pad conditioner or the like for improving the condition. A polishing end point detection device is also provided for determining the polishing end point of the chemical mechanical polishing process.

상기 슬러리는 피가공물인 반도체 기판의 표면으로부터 또는 표면으로 연마 입자와 화학물질을 전달하는 매개체라고 할 수 있다. 상기 슬러리를 사용하는 화학적 기계적 연마 공정에서는 연마 속도가 중요한 변수이며, 상기 연마 속도는 사용되는 슬러리에 의해 좌우된다. 슬러리 내부에 포함되는 연마 입자의 경도는 반도체 기판과 비슷한 경도를 가지는 것으로 기계적인 연마 작용을 행한다. 상기 슬러리를 공급하기 위한 장치에 대한 일 예는 미합중국 등록특허 제6,319,099호(issued to Tanoue, et al.) 및 제6,402,599호(issued to Crevasse, et al.)에 개시되어 있다.The slurry may be referred to as a medium for transferring abrasive particles and chemicals to or from the surface of the semiconductor substrate as a workpiece. In a chemical mechanical polishing process using the slurry, the polishing rate is an important variable, and the polishing rate depends on the slurry used. The hardness of the abrasive grains contained in the slurry has a hardness similar to that of the semiconductor substrate and performs mechanical polishing. One example of an apparatus for feeding the slurry is disclosed in US Pat. Nos. 6,319,099 (issued to Tanoue, et al.) And 6,402,599 (issued to Crevasse, et al.).

통상적으로, 슬러리에 포함된 연마 입자는 입경이 대략 130 내지 170nm인 일차 입자(primary particles)들로 구성된다. 그러나, 현탁액 상태인 슬러리 내에서는 연마 입자가 단위 입자끼리 서로 응집(agglomeration)하려고 하는 경향이 있어서, 상대적으로 큰 입경을 가지는 이차 입자(secondary particles)의덩어리(clumps)를 형성한다. 이와 같이 슬러리 내에서 연마 입자가 응집하려고 하는 경향은 슬러리가 유동하지 않고 정체되어 있을 때 더욱 두드러지며, 연마 입자가 응집되어 형성된 덩어리들은 연마 입자의 일차 입자 사이즈에 따라서 약 0.1 ∼ 30㎛까지 다양한 크기를 갖는다.Typically, the abrasive particles contained in the slurry consist of primary particles having a particle diameter of approximately 130 to 170 nm. However, in the slurry in suspension, the abrasive particles tend to agglomerate with each other, thereby forming clumps of secondary particles having a relatively large particle size. The tendency of the abrasive particles to agglomerate in the slurry is more pronounced when the slurry is not flowing and stagnant, and the agglomerates formed by agglomeration of the abrasive particles vary in size from about 0.1 to 30 μm depending on the primary particle size of the abrasive particles. Has

따라서, 연마 입자의 응집을 방지하기 위해 슬러리를 저장 용기로부터 순환 배관을 통해 지속적으로 순환시킨다. 이때, 대부분 다이어프램 펌프(diaphragm pump)를 사용하거나 순환 배관과 연결된 용기에 질소(N2) 가스를 가압하는 방식을 사용하며, 최종 공급량을 제어하기 위해 튜브연동식 펌프(peristaltic pump)를 사용한다. 상기와 같은 슬러리 공급 방식의 문제점은 다이어프램 펌프의 스트로크(stroke) 또는 튜브연동식 펌프의 회전 속도에 따라 슬러리의 맥동(fluctuation)이 유발되며, 특히 소량의 슬러리 공급시 설정된 슬리리 공급량의 상한(upper limit) 또는 하한(lower limit)을 초과 또는 미달 현상이 발생되어 슬러리의 정량 공급이 어렵게 된다. 상기와 같은 불균일한 슬러리 공급은 연마 균일도를 저하시키며, 특히 연마 입자의 함량이 작은 슬러리 또는 슬러리의 설정 공급량이 작은 경우 리테이너 링(retainer ring)의 파손, 반도체 기판의 연마 균일도 저하, 웨이퍼 표면 손상과 같은 공정 불량이 발생된다. 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 댐퍼(damper) 또는 펌프리스(pumpless) 방식이 도입되었으나, 완전히 맥동을 제거하지는 못하고 있는 실정이다.Thus, the slurry is continuously circulated from the storage vessel through the circulation piping to prevent agglomeration of the abrasive particles. At this time, most of the diaphragm pump (diaphragm pump) or using a method of pressurizing the nitrogen (N 2 ) gas to the vessel connected to the circulation pipe, and a tube peristaltic pump (peristaltic pump) is used to control the final supply. The problem of the slurry supply method as described above causes a pulsation of the slurry depending on the stroke of the diaphragm pump or the rotational speed of the tube-linked pump, and in particular, the upper limit of the set slurry supply amount when a small amount of slurry is supplied. Above or below the limit or the lower limit (lower limit) occurs, it becomes difficult to supply a fixed amount of slurry. Such a non-uniform slurry supply lowers the polishing uniformity, especially in the case of a slurry or a small supply of slurry having a small content of abrasive particles, the retainer ring is broken, the polishing uniformity of the semiconductor substrate is reduced, and the wafer surface is damaged. The same process failure occurs. In order to solve the above problems, a damper or pumpless method has been introduced, but it does not completely eliminate pulsation.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 기판의 화학적 기계적 연마 공정에서 슬러리 공급의 맥동 현상을 방지하며, 슬러리의 정량 공급이 가능한 슬러리 공급 장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a slurry supply device that prevents the pulsation phenomenon of the slurry supply in the chemical mechanical polishing process of the semiconductor substrate, it is possible to supply the quantitative supply of the slurry.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a slurry supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 슬러리 공급 장치를 포함하는 슬러리 공급부의 전체적인 구성을 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram for explaining an overall configuration of a slurry supply unit including the slurry supply device shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 피스톤 및 구동축을 설명하기 위한 분해 사시 단면도이다.3 is an exploded perspective cross-sectional view for explaining the piston and the drive shaft shown in FIG.

도 4는 도 1에 도시된 구동부의 일 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.4 is a schematic diagram illustrating an example of a driving unit illustrated in FIG. 1.

도 5는 도 1에 도시된 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.5 is a schematic diagram illustrating another example of the driving unit illustrated in FIG. 1.

도 6a 및 도 6b는 실린더에 수용된 슬러리를 연마 패드로 공급하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.6A and 6B are views for explaining a method for supplying a slurry contained in a cylinder to a polishing pad.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 연마 패드20 : 연마 헤드10 polishing pad 20 polishing head

30 : 회전 정반40 : 회전축30: rotation plate 40: rotation axis

100 : 슬러리 공급 장치110 : 순환 배관100: slurry supply device 110: circulation pipe

112 : 저장 용기114 : 펌프112 storage container 114 pump

116 : 필터118 : 순환 밸브116: filter 118: circulation valve

120 : 실린더120a : 제1영역120: cylinder 120a: first region

120b : 제2영역124 : 제1피스톤120b: second region 124: first piston

126 : 제2피스톤128 : 제1구동축126: second piston 128: first drive shaft

130 : 제2구동축140 : 공급 배관130: second drive shaft 140: supply piping

142 : 공급 밸브150 : 구동부142: supply valve 150: drive unit

W : 반도체 기판W: semiconductor substrate

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 슬러리를 순환시키기 위한 순환 배관과, 상기 순환 배관과 연결되며 상기 슬러리를 수용하기 위한 실린더와, 상기 순환 배관과 연결되는 제1영역과, 반도체 기판의 연마를 위한 연마 패드 상으로 상기 슬러리를 공급하기 위한 공급 배관과 연결되는 제2영역으로 상기 실린더의 내부 공간을 구분하고, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 연통시키는 제1관통공이 형성된 제1피스톤과, 상기 제1피스톤의 일 측면에 밀착되며, 상기 제1관통공과 대응하는 제2관통공이 형성되어 있으며, 회전에 의해 상기 제1관통공을 개폐하기 위한 제2피스톤과, 상기 제1피스톤 및 제2피스톤과 연결되고, 상기 제2피스톤을 회전시켜 상기 제1관통공을 개폐하며, 상기 제1관통공이 개방된 동안 상기 제1피스톤과 제2피스톤을 제1영역 방향으로 이동시켜 상기 제1영역에 수용된 슬러리를 상기 제2영역으로 이동시키고, 상기 제1관통공이 폐쇄된 동안 상기 제1피스톤과 제2피스톤을 제2영역 방향으로 이동시켜 상기 슬러리를 상기 연마 패드 상으로 공급하기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object, the circulation pipe for circulating the slurry, the cylinder connected to the circulation pipe and accommodates the slurry, the first region connected to the circulation pipe and the polishing of the semiconductor substrate A first piston having a first through hole for dividing an inner space of the cylinder into a second region connected to a supply pipe for supplying the slurry onto a polishing pad for communicating with the slurry, and for communicating the first region with the second region; And a second through hole that is in close contact with one side of the first piston, and has a second through hole corresponding to the first through hole, the second piston for opening and closing the first through hole by rotation, and the first piston and the first hole. It is connected to the second piston, the second piston is rotated to open and close the first through hole, while the first through hole is opened to move the first piston and the second piston in the direction of the first region. Moving the slurry contained in the first region to the second region, and moving the first piston and the second piston in the direction of the second region while the first through hole is closed, thereby moving the slurry onto the polishing pad. It provides a slurry supply device comprising a drive for supplying.

제2영역에 수용된 슬러리는 제1피스톤 및 제2피스톤의 이동에 따라 일정하게 연마 패드 상으로 공급된다. 따라서, 연마 패드 상으로 공급되는 슬러리의 맥동 현상이 방지되고, 슬러리의 정량 공급이 가능하다.The slurry contained in the second region is constantly supplied onto the polishing pad as the first piston and the second piston move. Therefore, the pulsation phenomenon of the slurry supplied onto the polishing pad is prevented, and the quantitative supply of the slurry is possible.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a slurry supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 공급 장치(100)는 슬러리를 순환시키기 위한 순환 배관(110)과, 순환 배관(110)과 연결되어 슬러리를 임시 저장하기 위한 실린더(120)와, 실린더(120) 내부에 설치되어 반도체 기판(W)의 연마를 위한 연마 패드(10) 상에 슬러리를 공급하기 위한 공급 배관(140)으로 슬러리를 공급하기 위한 피스톤(piston, 122)과, 피스톤(122)에 구동력을 제공하기 위한 구동부(150)를 포함한다.1, the slurry supply apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is connected to the circulation pipe 110 for circulating the slurry, the cylinder 120 for temporarily storing the slurry connected to the circulation pipe 110 And a piston (122) installed inside the cylinder (120) for supplying the slurry to the supply pipe (140) for supplying the slurry on the polishing pad (10) for polishing the semiconductor substrate (W); And, the driving unit 150 for providing a driving force to the piston (122).

순환 배관(110)에는 실린더(120)와, 슬러리를 저장하기 위한 슬러리 저장 용기(112)와, 저장 용기(112)에 저장된 슬러리를 순환 배관(110)을 따라 순환시키기 위한 압력을 가하는 펌프(114)와, 순환 배관(110)을 순환하는 슬러리에 포함된 연마 입자 중에서 설정된 크기 이상의 연마 입자를 걸러내기 위한 필터(116)와, 순환 배관(110)을 개폐하기 위한 순환 밸브(118)를 포함한다. 이때, 펌프(114)로는 다이어프램 펌프 또는 튜브연동식 펌프가 사용될 수 있다.The circulation pipe 110 includes a cylinder 120, a slurry storage container 112 for storing the slurry, and a pump 114 for applying pressure to circulate the slurry stored in the storage container 112 along the circulation pipe 110. ), A filter 116 for filtering abrasive particles having a predetermined size or more among abrasive particles included in the slurry circulating through the circulation pipe 110, and a circulation valve 118 for opening and closing the circulation pipe 110. . At this time, a diaphragm pump or a tube-linked pump may be used as the pump 114.

공급 배관(140)에는 슬러리의 공급 주기 및 시간을 조절하기 위한 공급 밸브(142)가 설치되어 있고, 공급 배관(140)의 단부에는 연마 패드(10) 상으로 슬러리를 공급하기 위한 노즐(144)이 연결되어 있다.The supply pipe 140 is provided with a supply valve 142 for adjusting the supply cycle and time of the slurry, the nozzle 144 for supplying the slurry onto the polishing pad 10 at the end of the supply pipe 140. Is connected.

반도체 기판(W)은 연마 헤드(20)에 파지되어 회전되며, 연마 헤드(20)는 진공압을 이용하여 반도체 기판(W)을 파지하며, 반도체 기판(W)의 주연 부위를 감싸도록 설치되어 반도체 기판(W)의 이탈을 방지하고, 반도체 기판(W)을 연마 패드(10)에 균일하게 밀착시키기 위한 리테이너 링(미도시)을 갖는다. 연마 패드(10)는 회전 정반(30) 상에 부착되어 있으며, 회전 정반(30)은 하부의 회전축(40)을 통해 전달되는 회전력에 의해 회전된다.The semiconductor substrate W is held and rotated by the polishing head 20, and the polishing head 20 holds the semiconductor substrate W by using a vacuum pressure, and is installed to surround a peripheral portion of the semiconductor substrate W. A retainer ring (not shown) is provided to prevent the semiconductor substrate W from being separated and to uniformly adhere the semiconductor substrate W to the polishing pad 10. The polishing pad 10 is attached on the rotary surface plate 30, and the rotary surface plate 30 is rotated by the rotational force transmitted through the lower rotation shaft 40.

실린더(120)의 내부는 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)에 의해 순환 배관(110)과 연결되는 제1영역(120a)과 공급 배관(140)과 연결되는 제2영역(120b)으로 구분된다. 제1피스톤(124)은 제2영역(120b)과 인접하며, 제2피스톤(126)은 제1영역(120a)과 인접한다. 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)은 서로 밀착되어 있으며, 제1피스톤(124)은 제1구동축(128)과 연결되고, 제2피스톤(126)은 제2구동축(130)과 연결되어 있다.The inside of the cylinder 120 has a first region 120a connected to the circulation pipe 110 and a second region 120b connected to the supply pipe 140 by the first piston 124 and the second piston 126. ). The first piston 124 is adjacent to the second region 120b and the second piston 126 is adjacent to the first region 120a. The first piston 124 and the second piston 126 are in close contact with each other, the first piston 124 is connected to the first drive shaft 128, the second piston 126 and the second drive shaft 130 It is connected.

제1피스톤(124)은 원반 형상을 갖고, 슬러리를 통과시키기 위한 제1관통공(124a)이 형성되어 있다. 제2피스톤(126)은 제1피스톤(124)과 동일한 형상을 갖고, 제1관통공(124a)과 대응하는 제2관통공(126a)이 형성되어 있다.The first piston 124 has a disk shape, and a first through hole 124a for passing the slurry is formed. The second piston 126 has the same shape as the first piston 124, and a second through hole 126a corresponding to the first through hole 124a is formed.

제1피스톤(124)의 중앙 부위에 연결된 제1구동축(128)은 제2피스톤(126)의 중앙 부위를 관통하고, 실린더(120)의 제1영역(120a)을 통해 실린터(120)의 외부로 연장되어 있다. 제2피스톤(126)의 중앙 부위에 연결된 제2구동축(130)은 중공축이며, 제2구동축(130)의 내부를 통해 제1구동축(128)이 연장된다. 제1구동축(128) 및 제2구동축(130)은 실린더(120)의 외부로 연장되어 구동부(150)와 연결된다.The first drive shaft 128 connected to the central portion of the first piston 124 penetrates the central portion of the second piston 126 and passes through the first region 120a of the cylinder 120. It extends outside. The second driving shaft 130 connected to the central portion of the second piston 126 is a hollow shaft, and the first driving shaft 128 extends through the inside of the second driving shaft 130. The first driving shaft 128 and the second driving shaft 130 extend outside the cylinder 120 and are connected to the driving unit 150.

상세히 도시되지는 않았으나, 구동부(150)는 제2피스톤(126)을 회전시켜 제1관통공(124a)을 개폐시키고, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)을 실린더(120)의 장축 방향으로 왕복 이동시킨다.Although not shown in detail, the driving unit 150 rotates the second piston 126 to open and close the first through hole 124a, and opens the first piston 124 and the second piston 126 of the cylinder 120. Reciprocate in the long axis direction.

제2피스톤(126)을 회전시켜 제1피스톤(124)의 제1관통공(124a)과 제2피스톤(126)의 제2관통공(126a)을 일치시키면, 실린더(120)의 제1영역(120a)과 제2영역(120b)이 연통되고, 순환 배관(110)을 통해 제1영역(120a)에 수용된 슬러리가 제2영역(120b)으로 이동된다. 제1관통공(124a)이 제2관통공(126b)에 의해 개방된 동안 구동부(150)는 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)을 제1영역(120a) 방향으로 이동시켜 제2영역(120b)에 슬러리를 충분히 수용한다.When the second piston 126 is rotated to coincide with the first through hole 124a of the first piston 124 and the second through hole 126a of the second piston 126, the first region of the cylinder 120 120a and the second region 120b communicate with each other, and the slurry contained in the first region 120a is moved to the second region 120b through the circulation pipe 110. While the first through hole 124a is opened by the second through hole 126b, the driving unit 150 moves the first piston 124 and the second piston 126 in the direction of the first region 120a. The slurry is sufficiently accommodated in the two regions 120b.

이와 반대로, 제2피스톤(126)을 회전시켜 제1관통공(124a)이 폐쇄되면, 제1영역(120a)과 제2영역(120b)은 완전히 차단된다. 따라서, 순환 배관(110) 중의 펌프(114) 작동에 의해 발생하는 슬러리의 맥동 현상은 제2영역(120b)에 수용된 슬러리에 영향을 주지 않는다. 구동부(150)는 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)을 제2영역(120b) 방향으로 일정한 속도로 이동시켜 제2영역(120b)에 수용된 슬러리를 공급 배관(140)을 통해 반도체 기판(W)을 연마하기 위한 연마 패드(10) 상으로 공급한다.On the contrary, when the first piston 126a is closed by rotating the second piston 126, the first region 120a and the second region 120b are completely blocked. Therefore, the pulsation phenomenon of the slurry generated by the operation of the pump 114 in the circulation pipe 110 does not affect the slurry contained in the second region 120b. The driving unit 150 moves the first piston 124 and the second piston 126 at a constant speed in the direction of the second region 120b to transfer the slurry contained in the second region 120b through the supply pipe 140. The substrate W is supplied onto a polishing pad 10 for polishing.

이때, 실린더(120)의 내부 용적은 연마하고자 하는 반도체 기판(W)의 수량 및 반도체 기판(W) 상에 형성된 막의 종류에 따라 변경될 수 있다. 또한, 기 설정된 수량만큼 반도체 기판(W)의 화학적 기계적 연마 공정이 종료되면, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)을 제1영역(120a) 방향으로 이동시켜 제2영역(120b)에 다시 슬러리를 수용시킬 수 있다. 이와 대조적으로,제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 거리를 기 설정하고, 이에 따라 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동을 제어할 수도 있다.In this case, the internal volume of the cylinder 120 may be changed depending on the number of semiconductor substrates W to be polished and the type of film formed on the semiconductor substrate W. FIG. In addition, when the chemical mechanical polishing process of the semiconductor substrate W is completed by a predetermined amount, the first piston 124 and the second piston 126 are moved in the direction of the first region 120a to form the second region 120b. The slurry can be accommodated again. In contrast, the movement distance of the first piston 124 and the second piston 126 may be preset, and thus the movement of the first piston 124 and the second piston 126 may be controlled.

도 2는 도 1에 도시된 슬러리 공급 장치를 포함하는 슬러리 공급부의 전체적인 구성을 설명하기 위한 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram for explaining an overall configuration of a slurry supply unit including the slurry supply device shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 도시된 슬러리 공급부(60)는 전체적으로 유체 저장 장치(70), 슬러리 혼합 장치(80), 슬러리 공급 장치(100) 및 슬러리 공급부(60)를 전반적으로 제어하는 중앙 제어 장치(90)로 구성되며, 반도체 기판(W)의 연마를 위한 연마 패드(10, 도 1 참조) 상에 슬러리를 일정한 유량으로 정량 공급하는 역할을 한다.Referring to FIG. 2, the illustrated slurry supply unit 60 is a central control unit for controlling the fluid storage device 70, the slurry mixing device 80, the slurry supply device 100, and the slurry supply unit 60 as a whole. 90, and serves to quantitatively supply slurry at a constant flow rate on the polishing pad 10 (see FIG. 1) for polishing the semiconductor substrate W. FIG.

유체 저장 장치(60)는 크게 슬러리 원액을 저장하는 슬러리 원액 저장 탱크(72), 순수를 저장하는 순수 저장 탱크(74), pH 조절액을 저장하는 pH 조절액 저장 탱크(76) 및 표면 활성제를 저장하는 표면 활성제 저장 탱크(78)로 구성되며, 슬러리를 조성하는 여러 가지 물질들을 저장하고 공급하는 역할을 한다.The fluid storage device 60 includes a slurry stock solution storage tank 72 for storing slurry stock solution, a pure water storage tank 74 for storing pure water, a pH control liquid storage tank 76 for storing a pH adjusting liquid, and a surface active agent. It consists of a surface active agent storage tank (78) for storing, and serves to store and supply various materials that make up the slurry.

슬러리 혼합 장치(80)는 유체 저장 장치(70)에 저장된 여러 가지 슬러리 조성 물질을 공급받아 연마하고자 하는 각각의 반도체 기판(W)에 적절하게 슬러리를 혼합하여 슬러리 공급 장치(100)에 공급해주는 역할을 한다.The slurry mixing device 80 receives various slurry composition materials stored in the fluid storage device 70 and mixes the slurry appropriately with each semiconductor substrate W to be polished, and supplies the slurry to the slurry supply device 100. Do it.

슬러리 공급 장치(100)는 슬러리의 응집을 방지하기 위한 슬러리를 지속적으로 순환시키며, 실린더(120, 도 1 참조)와 구동부(150)를 이용하여 슬러리를 연마 패드(10) 상으로 일정하게 공급한다.The slurry supply device 100 continuously circulates the slurry to prevent agglomeration of the slurry, and uniformly supplies the slurry onto the polishing pad 10 by using the cylinder 120 (see FIG. 1) and the driving unit 150. .

도 3은 도 1에 도시된 피스톤 및 구동축을 설명하기 위한 분해 사시 단면도이다.3 is an exploded perspective cross-sectional view for explaining the piston and the drive shaft shown in FIG.

도 3을 참조하면, 제1피스톤(124)의 일측 중앙 부위에는 구동부(150, 도 1 참조)와 연결되는 제1구동축(128)이 연결되어 있다. 제2피스톤(126)의 일측 중앙 부위에는 구동부(150)와 연결되는 제2구동축(130)이 연결되어 있다. 제2구동축(130)은 중공축이며, 제1구동축(128)은 제2피스톤(126)의 중앙 부위와 제2구동축(130)을 통과하여 구동부(150)와 연결된다.Referring to FIG. 3, a first driving shaft 128 connected to the driving unit 150 (see FIG. 1) is connected to one central portion of the first piston 124. The second driving shaft 130 connected to the driving unit 150 is connected to one central portion of the second piston 126. The second driving shaft 130 is a hollow shaft, and the first driving shaft 128 is connected to the driving unit 150 by passing through the central portion of the second piston 126 and the second driving shaft 130.

제1피스톤(124)은 원반 형상을 가지며, 제2피스톤(126)은 제1피스톤(124)과 동일한 형상을 갖는다. 제1피스톤(124)에는 제1관통공(124a)이 형성되어 있고, 제2피스톤(126)에는 제2관통공(126a)이 형성되어 있다. 제1관통공(124a) 및 제2관통공(126a)의 형상 및 크기는 동일한 것이 바람직하다. 도시된 바에 의하면, 제1관통공(124a) 및 제2관통공(126a)은 타원 형상으로 형성되어 있으나, 제1관통공(124a) 및 제2관통공(126a)의 형상에는 어떠한 제한도 없으며, 다양하게 형성될 수 있다.The first piston 124 has a disk shape, and the second piston 126 has the same shape as the first piston 124. A first through hole 124a is formed in the first piston 124, and a second through hole 126a is formed in the second piston 126. It is preferable that the shape and size of the first through hole 124a and the second through hole 126a are the same. As shown, although the first through hole 124a and the second through hole 126a are formed in an elliptic shape, there is no limitation on the shape of the first through hole 124a and the second through hole 126a. It can be formed in various ways.

제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 주연 부위에는 실린더(120, 도 1 참조) 내벽과 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126) 사이로 슬러리가 누설되는 것을 방지하기 위한 밀봉 부재(미도시)를 장착하기 위한 제1환형 그루브(124b) 및 제2환형 그루브(126b)가 각각 형성되어 있다.A seal for preventing the slurry from leaking between the inner wall of the cylinder 120 (see FIG. 1) and the first piston 124 and the second piston 126 at the peripheral portion of the first piston 124 and the second piston 126. First annular grooves 124b and second annular grooves 126b for mounting members (not shown) are formed, respectively.

제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)은 실린더(120) 내부에서 서로 밀착되며, 밀착된 부위의 누설을 방지하기 위해서는 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)의 표면 정도가 매우 높아야 한다. 따라서, 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)의 표면은 매우 정밀하게 가공되어야 한다.The first piston 124 and the second piston 126 are in close contact with each other inside the cylinder 120, in order to prevent the leakage of the close contact with the surface of the first piston 124 and the second piston 126 It must be very high. Therefore, the surfaces of the first piston 124 and the second piston 126 must be processed very precisely.

도 4는 도 1에 도시된 구동부의 일 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.4 is a schematic diagram illustrating an example of a driving unit illustrated in FIG. 1.

도 4를 참조하면, 구동부(150a)는 제1피스톤(124, 도 1 참조)과 제2피스톤(126, 도 1 참조)을 직선 왕복 운동시키기 위한 제1구동력과 제2피스톤(126)을 회전시키기 위한 제2구동력을 모두 제공해야 한다. 도시된 바에 의하면, 구동부(150a)는 제1구동력을 제공하는 유압 실린더(152)와, 제2구동력을 제공하기 위한 모터(154)를 포함한다. 여기서, 제1구동력을 제공하는 유압 실린더(152)는 공압 실린더로 대체될 수도 있다.Referring to FIG. 4, the driving unit 150a rotates the first driving force and the second piston 126 to linearly reciprocate the first piston 124 (see FIG. 1) and the second piston 126 (see FIG. 1). It must provide all the second driving force to make it work. As shown, the driving unit 150a includes a hydraulic cylinder 152 for providing a first driving force and a motor 154 for providing a second driving force. Here, the hydraulic cylinder 152 providing the first driving force may be replaced with a pneumatic cylinder.

유압 실린더(152)의 피스톤 로드(156)의 단부에는 모터(154)를 지지하기 위한 브라켓(bracket, 158)이 연결되어 있고, 제1구동축(128)은 모터(154)의 회전축을 관통하여 브라켓(158)에 연결되며, 제2구동축(130)은 커플링(160)에 의해 모터(154)의 회전축에 연결된다. 이때, 모터(154)의 회전축은 중공축이다.A bracket 158 for supporting the motor 154 is connected to an end of the piston rod 156 of the hydraulic cylinder 152, and the first drive shaft 128 penetrates through the rotation shaft of the motor 154. 158, and the second drive shaft 130 is connected to the rotation shaft of the motor 154 by the coupling 160. At this time, the rotation axis of the motor 154 is a hollow shaft.

도시된 바에 의하면, 유압 실린더(152)와 모터(154)를 사용하여 구동부(150a)를 개략적으로 구성하였으나, 모터(154)의 회전 속도를 감속시키기 위한 감속기, 유압 실린더(152)에 의해 왕복 운동하는 브라켓(158)을 안내하기 위한 가이드 등을 추가로 더 설치할 수 있다.As shown, although the driving unit 150a is schematically configured using the hydraulic cylinder 152 and the motor 154, the reciprocating motion is performed by the hydraulic cylinder 152 and the reducer for reducing the rotational speed of the motor 154. A guide for guiding the bracket 158 may be further installed.

이때, 슬러리의 공급 유량은 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 속도에 의해 결정되므로 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 속도에 대한 정밀한 제어가 수행되어야 한다. 상기와 같은 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동속도는 중앙 제어 장치(90, 도 2 참조)에 의해 수행된다.At this time, since the supply flow rate of the slurry is determined by the moving speed of the first piston 124 and the second piston 126, precise control of the moving speed of the first piston 124 and the second piston 126 should be performed. do. The moving speed of the first piston 124 and the second piston 126 as described above is performed by the central control unit 90 (see FIG. 2).

도 5는 도 1에 도시된 구동부의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.5 is a schematic diagram illustrating another example of the driving unit illustrated in FIG. 1.

도 5를 참조하면, 구동부(150b)는 제1피스톤(124, 도 1 참조)과 제2피스톤(126, 도 2 참조)을 직선 왕복 운동시키기 위한 제1구동력을 제공하는 제1모터(170)와 제2피스톤(126)을 회전시키기 위한 제2구동력을 제공하는 제2모터(172)를 포함한다. 제1모터(172)의 회전축은 볼 스크루(미도시)와 연결되며, 볼 스크루는 볼 가이드(174)에 내장되어 있다. 볼 가이드(174)에는 볼 블록(176)이 결합되며, 볼 블록(176)에는 제2모터(172)를 설치하기 위한 브라켓(178)이 설치된다. 상기 볼 스크루, 볼 가이드(174) 및 볼 블록(176)은 다양하게 공지되어 있으므로 상세한 설명을 생략하기로 한다.Referring to FIG. 5, the driving unit 150b may include a first motor 170 that provides a first driving force for linearly reciprocating a first piston 124 (see FIG. 1) and a second piston 126 (see FIG. 2). And a second motor 172 that provides a second driving force for rotating the second piston 126. The rotating shaft of the first motor 172 is connected to a ball screw (not shown), and the ball screw is embedded in the ball guide 174. The ball block 176 is coupled to the ball guide 174, and a bracket 178 for installing the second motor 172 is installed in the ball block 176. Since the ball screw, the ball guide 174 and the ball block 176 are variously known, a detailed description thereof will be omitted.

도 4 및 도 5에는 제1구동력 및 제2구동력을 제공하기 위한 두 가지 예가 도시되어 있으나, 본 발명은 상기와 같은 구동부(150a, 150b)의 구성에 한정되지 않는다. 즉, 제1구동력 및 제2구동력을 제공할 수 있는 구동부(150)의 구성은 다양하게 공지되어 있으므로, 다양한 변경이 가능하다.4 and 5 illustrate two examples for providing the first driving force and the second driving force, but the present invention is not limited to the configuration of the driving units 150a and 150b as described above. That is, since the configuration of the driving unit 150 that can provide the first driving force and the second driving force is variously known, various modifications are possible.

도 6a 및 도 6b는 실린더에 수용된 슬러리를 연마 패드로 공급하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.6A and 6B are views for explaining a method for supplying a slurry contained in a cylinder to a polishing pad.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 초기에, 순환 배관(110)을 흐르는 슬러리는 실린더(120)의 제1영역(120a)에 임시 수용된다. 제1영역(120a)에 수용된 슬러리는 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 제1영역(120a) 방향 이동에 의해제1관통공(124a) 및 제2관통공(126a)을 통해 제2영역(120b)에 수용된다. 이때, 구동부(150, 도 1 참조)의 구동에 의해 제1관통공(124a) 및 제2관통공(126a)은 일치된 상태이며, 슬러리 공급 배관(140)의 공급 밸브(142)는 폐쇄된 상태이다.6A and 6B, initially, the slurry flowing through the circulation pipe 110 is temporarily accommodated in the first region 120a of the cylinder 120. The slurry accommodated in the first region 120a forms the first through hole 124a and the second through hole 126a by moving in the direction of the first region 120a of the first piston 124 and the second piston 126. It is accommodated in the second area 120b. At this time, the first through-hole 124a and the second through-hole 126a are in a matched state by the driving unit 150 (see FIG. 1), and the supply valve 142 of the slurry supply pipe 140 is closed. It is a state.

이어서, 제2피스톤(126)이 회전하여 제1관통공(124a)이 폐쇄되면, 슬러리 공급 배관(140)의 공급 밸브(142)가 개방되고, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 제2영역(120b) 방향 이동에 의해 슬러리가 반도체 기판(W)의 연마를 위한 연마 패드(10)로 공급된다. 이때, 슬러리 순환 배관(110)의 펌핑 작동에 의한 슬러리의 맥동 현상은 슬러리 공급 배관(140)을 통과하는 슬러리로 전달되지 않는다. 이는 실린더(120)의 제1영역(120a)과 제2영역(120b)이 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)에 의해 완전히 차단되어 있기 때문이다.Subsequently, when the second piston 126 rotates to close the first through hole 124a, the supply valve 142 of the slurry supply pipe 140 is opened to open the first piston 124 and the second piston 126. The slurry is supplied to the polishing pad 10 for polishing the semiconductor substrate W by moving in the direction of the second region 120b. At this time, the pulsation phenomenon of the slurry by the pumping operation of the slurry circulation pipe 110 is not transmitted to the slurry passing through the slurry supply pipe 140. This is because the first region 120a and the second region 120b of the cylinder 120 are completely blocked by the first piston 124 and the second piston 126.

기 설정된 수량의 반도체 기판(W)에 대한 화학적 기계적 연마 공정이 종료되면, 공급 밸브(142)가 차단되고, 구동부(150)는 제2피스톤(126)을 회전시켜 제1피스톤(124)의 제1관통공(124a)을 개방시킨다. 이어서, 제1피스톤(124)과 제2피스톤(126)을 제1영역(120a) 방향으로 이동시켜 제2영역(120b)에 슬러리를 수용시킨다.When the chemical mechanical polishing process for the predetermined quantity of semiconductor substrates W is finished, the supply valve 142 is blocked, and the driving unit 150 rotates the second piston 126 to make the first piston 124 of the first piston 124. 1 Open the through hole 124a. Subsequently, the first piston 124 and the second piston 126 are moved in the direction of the first region 120a to accommodate the slurry in the second region 120b.

이때, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 주기는 반도체 기판(W)의 처리 수량에 따라 결정될 수도 있고, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 거리에 따라 결정될 수도 있다. 즉, 반도체 기판(W)의 처리 수량 및 슬러리의 공급량은 상호 유기적인 관계가 있으므로 화학적 기계적 연마 공정의 효율을 고려하여 실린더(120)의 용적, 제1피스톤(124) 및 제2피스톤(126)의 이동 주기 및 이동 속도를결정할 수 있다.In this case, the movement period of the first piston 124 and the second piston 126 may be determined according to the processing quantity of the semiconductor substrate W, and may be determined by the movement distance of the first piston 124 and the second piston 126. It may be determined accordingly. That is, since the amount of processing of the semiconductor substrate W and the supply amount of the slurry have an organic relationship with each other, the volume of the cylinder 120, the first piston 124, and the second piston 126 are considered in consideration of the efficiency of the chemical mechanical polishing process. It is possible to determine the moving period and the moving speed of.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 화학적 기계적 연마를 위한 슬러리는 슬러리 순환 배관과 연결된 실린더의 제1영역으로부터 피스톤에 의해 완전히 차단된 실린더의 제2영역으로부터 연마 패드 상으로 공급된다.According to the present invention as described above, the slurry for chemical mechanical polishing is supplied onto the polishing pad from the second region of the cylinder completely blocked by the piston from the first region of the cylinder connected with the slurry circulation pipe.

따라서, 슬러리의 순환을 위한 펌프 작동에 따른 슬러리의 맥동 현상이 연마 패드 상으로 공급되는 슬러리에 전달되지 않는다. 이에 따라, 반도체 기판의 연마 균일도가 향상되며, 반도체 기판의 표면 스크레치와 같은 결함 발생이 감소된다. 또한, 연마 헤드의 리테이너 링의 수명이 증가된다.Therefore, the pulsation phenomenon of the slurry due to the pump operation for circulation of the slurry is not transmitted to the slurry supplied onto the polishing pad. This improves the polishing uniformity of the semiconductor substrate and reduces the occurrence of defects such as surface scratches of the semiconductor substrate. In addition, the life of the retainer ring of the polishing head is increased.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (4)

슬러리를 순환시키기 위한 순환 배관;Circulation piping for circulating the slurry; 상기 순환 배관과 연결되며 상기 슬러리를 수용하기 위한 실린더;A cylinder connected to the circulation pipe to receive the slurry; 상기 순환 배관과 연결되는 제1영역과, 반도체 기판의 연마를 위한 연마 패드 상으로 상기 슬러리를 공급하기 위한 공급 배관과 연결되는 제2영역으로 상기 실린더의 내부 공간을 구분하고, 상기 제1영역과 상기 제2영역을 연통시키는 제1관통공이 형성된 제1피스톤;The internal space of the cylinder is divided into a first region connected to the circulation pipe and a second region connected to a supply pipe for supplying the slurry onto a polishing pad for polishing a semiconductor substrate. A first piston having a first through hole communicating with the second region; 상기 제1피스톤의 일 측면에 밀착되며, 상기 제1관통공과 대응하는 제2관통공이 형성되어 있으며, 회전에 의해 상기 제1관통공을 개폐하기 위한 제2피스톤; 및A second piston in close contact with one side of the first piston and having a second through hole corresponding to the first through hole, the second piston for opening and closing the first through hole by rotation; And 상기 제1피스톤 및 제2피스톤과 연결되고, 상기 제2피스톤을 회전시켜 상기 제1관통공을 개폐하며, 상기 제1관통공이 개방된 동안 상기 제1피스톤과 제2피스톤을 제1영역 방향으로 이동시켜 상기 제1영역에 수용된 슬러리를 상기 제2영역으로 이동시키고, 상기 제1관통공이 폐쇄된 동안 상기 제1피스톤과 제2피스톤을 제2영역 방향으로 이동시켜 상기 슬러리를 상기 반도체 기판 상으로 공급하기 위한 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.It is connected to the first piston and the second piston, the second piston is rotated to open and close the first through hole, while the first through hole is opened, the first piston and the second piston in the direction of the first region Moving the slurry contained in the first region to the second region, and moving the first piston and the second piston in the direction of the second region while the first through hole is closed, thereby moving the slurry onto the semiconductor substrate. Slurry supply apparatus comprising a drive for supplying. 제1항에 있어서, 상기 제1피스톤 및 상기 제2피스톤은 동일한 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.The slurry supply apparatus of claim 1, wherein the first piston and the second piston have the same shape. 제1항에 있어서, 상기 슬러리 순환 배관과 연결되며, 상기 슬러리를 저장하기 위한 저장 용기;According to claim 1, Storage container connected to the slurry circulation pipe, for storing the slurry; 상기 순환 배관에 설치되어 상기 슬러리를 순환시키기 위한 압력을 가하기 위한 펌프;A pump installed in the circulation pipe to apply pressure to circulate the slurry; 상기 순환 배관에 설치되어 상기 슬러리에 포함된 연마 입자 중 설정된 크기 이상의 연마 입자를 걸러내기 위한 필터; 및A filter installed in the circulation pipe to filter abrasive particles having a predetermined size or more among abrasive particles contained in the slurry; And 상기 순환 배관을 개폐하기 위한 순환 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.Slurry supply apparatus further comprises a circulation valve for opening and closing the circulation pipe. 제1항에 있어서, 상기 공급 배관에 설치되며, 상기 공급 배관을 개폐하기 위한 공급 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬러리 공급 장치.The slurry supply apparatus of claim 1, further comprising a supply valve installed in the supply pipe and configured to open and close the supply pipe.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101014324B1 (en) * 2010-08-13 2011-02-14 (주)브이티에스 Paste supplier
KR20200043396A (en) * 2017-08-21 2020-04-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate polishing apparatus and method for discharging polishing liquid from substrate polishing apparatus
KR20210041962A (en) * 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 Rework device for semiconductor wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101014324B1 (en) * 2010-08-13 2011-02-14 (주)브이티에스 Paste supplier
KR20200043396A (en) * 2017-08-21 2020-04-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate polishing apparatus and method for discharging polishing liquid from substrate polishing apparatus
US11648638B2 (en) 2017-08-21 2023-05-16 Ebara Corporation Substrate polishing apparatus and polishing liquid discharge method in substrate polishing apparatus
KR20210041962A (en) * 2019-10-08 2021-04-16 주식회사 신화콘텍 Rework device for semiconductor wafer

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