KR20040024789A - Internal voltage generator for generating stable internal voltage - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히, 반도체 장치에서 내부 전압을 발생하는 내부전압 발생기에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to an internal voltage generator for generating an internal voltage in a semiconductor device.
내부 전압 발생기는 외부전압을 수신하여 이보다 낮은 전압을 내부적으로 발생하는 일종의 전압 변환회로이다.An internal voltage generator is a type of voltage conversion circuit that receives an external voltage and internally generates a lower voltage.
내부 전압을 사용하면, 외부 전압의 변동에 대해서 안정적이고 전력 소모도 줄일 수 있어 반도체 장치에서 일반적으로 채용되고 있다.The use of the internal voltage is generally adopted in semiconductor devices because it is stable against fluctuations in the external voltage and can reduce power consumption.
도 1은 종래 기술에 따른 내부 전압 발생기의 일 예를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating an example of an internal voltage generator according to the prior art.
이를 참조하면 종래 기술에 따른 내부 전압 발생기(100)는 비교기(110), 피모스 트랜지스터(PM1), 분배 저항들(R11, R12)을 포함한다.Referring to this, the internal voltage generator 100 according to the related art includes a comparator 110, a PMOS transistor PM1, and distribution resistors R11 and R12.
비교기(110)는 소정의 기준 전압(VREF)과 피드백 전압(VFB)을 비교하여 출력 전압을 발생한다. 출력 전압은 피모스 트랜지스터(PM1)의 게이트에 인가되어 피모스 트랜지스터(PM1)의 온/오프(on/off)를 제어한다.The comparator 110 generates an output voltage by comparing the predetermined reference voltage VREF with the feedback voltage VFB. The output voltage is applied to the gate of the PMOS transistor PM1 to control the on / off of the PMOS transistor PM1.
피모스 트랜지스터(PM1)는 비교기(110)의 출력전압에 의해 온/오프되어 내부 전압(VINT)의 레벨을 조절한다. 내부 전압(VINT)은 도 1에 도시된 바와 달리 전압 분배기(R11, R12)를 거치지 않고 비교기(110)의 정(+)단자로 입력될 수 있다. 즉, 피드백 전압(VFB)과 내부 전압(VINT)이 동일하게 구현될 수도 있다. 이 경우에는 기준 전압(VREF)이 비교적 높게 설정되어야 하므로, 기준 전압(VREF)의 정밀도를 확보하기 어려워, 일반적으로 도 1에서와 같이 내부 전압(VINT)을 분배하여 피드백 전압(VFB)으로 사용한다.The PMOS transistor PM1 is turned on / off by the output voltage of the comparator 110 to adjust the level of the internal voltage VINT. Unlike the example shown in FIG. 1, the internal voltage VINT may be input to the positive terminal of the comparator 110 without passing through the voltage dividers R11 and R12. That is, the feedback voltage VFB and the internal voltage VINT may be equally implemented. In this case, since the reference voltage VREF must be set relatively high, it is difficult to secure the accuracy of the reference voltage VREF. In general, the internal voltage VINT is divided and used as the feedback voltage VFB as shown in FIG. 1. .
내부 전압(VINT)을 분배하기 위하여 내부 전압 노드에서 접지 전압 사이에 두 개의 분배 저항들(R11, R12)이 직렬로 연결된다.In order to distribute the internal voltage VINT, two distribution resistors R11 and R12 are connected in series between the ground voltage at the internal voltage node.
이 경우, 내부 전압 노드와 접지 전압 사이에 전류 경로가 형성되어 DC 전류가 흐른다. DC 전류를 줄이기 위해서는 수백 K ohm이상의 저항값이 아주 큰 분배 저항(R11, R12)을 사용하여야 한다.In this case, a current path is formed between the internal voltage node and the ground voltage so that DC current flows. To reduce the DC current, use distribution resistors (R11, R12) with very large resistances of several hundred K ohms or more.
그런데, 반도체 장치의 경우에 저항 소자로 사용할 수 있는 물질이 한정적이고 단위 면적당 저항이 수십 오옴(ohm) 정도이므로, 수백 K ohm 이상의 저항을 확보하기 위해서는 큰 면적의 저항 소자를 필요로 한다. 또한, 상기와 같이 고저항을사용하는 경우, 저항 소자와 기판 사이에 큰 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)가 발생된다. 큰 기생 커패시턴스는 분배 저항(R11, R12)과 결합하여 RC 지연을 증가시키며, 이로 인해 내부 전압(VINT)에 발진(oscillation) 현상이 생겨 안정된 내부 전압(VINT)을 얻기 어려운 문제점이 있다.However, in the case of a semiconductor device, since a material that can be used as a resistance element is limited and the resistance per unit area is about tens of ohms, a large area resistance element is required to secure a resistance of several hundred K ohm or more. In addition, when high resistance is used as described above, large parasitic capacitance is generated between the resistance element and the substrate. The large parasitic capacitance increases the RC delay in combination with the distribution resistors R11 and R12, which causes oscillation of the internal voltage VINT, which makes it difficult to obtain a stable internal voltage VINT.
한편 적은 저항값을 가지는 분배 저항을 사용하면, DC 전류가 커져 전력 소모가 커지는 문제점이 있다.On the other hand, when using a divider resistor having a small resistance value, there is a problem in that the DC current increases, the power consumption increases.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 DC 전류 소모가 적으며 안정된 내부 전압을 발생하는 내부전압 발생기를 제공하는 것이다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide an internal voltage generator that generates a stable internal voltage with low DC current consumption.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.
도 1은 종래 기술에 따른 내부 전압 발생기의 일 예를 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating an example of an internal voltage generator according to the prior art.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 발생기를 나타내는 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating an internal voltage generator according to an exemplary embodiment of the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 내부 전압 발생기는 기준 전압과 피드백 전압을 비교하여 제어신호를 발생하는 비교기; 상기 제어신호에 의하여 제어되어 상기 내부 전압을 출력하는 드라이버; 및 상기 내부 전압을 분배하여 상기 피드백 전압을 발생하는 전압 분배기를 구비하며, 상기 전압 분배기는 상단부와 하단부로 구성되고, 상기 상단부는 액티브 소자와 수동소자를 포함한다.According to an aspect of the present invention, an internal voltage generator includes a comparator configured to generate a control signal by comparing a reference voltage and a feedback voltage; A driver controlled by the control signal to output the internal voltage; And a voltage divider configured to divide the internal voltage to generate the feedback voltage, wherein the voltage divider includes an upper end and a lower end, and the upper end includes an active element and a passive element.
바람직하기로는, 상기 하단부는 상기 상단부와 실질적으로 동일한 구성을 가진다. 또한 바람직하기로는, 상기 액티브 소자는 트랜지스터로 구현된다.Preferably, the lower end has a configuration substantially the same as the upper end. Also preferably, the active element is implemented with a transistor.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면에 따른 내부 전압 발생기는 소정의 기준 전압과 피드백 전압을 수신하고 상기 기준 전압과 상기 피드백 전압의 차에 상응하는 제어 신호를 발생하는 차동 증폭기; 상기 제어 신호에 응답하여 구동되어 상기 내부 전압을 출력하는 드라이버; 및 상기 내부 전압을 분배하여 상기 피드백 전압을 발생하는 전압 분배기를 구비하며, 상기 전압 분배기는 상기 내부 전압의 출력 단자와 접지 전압 사이에 직렬로 연결되는 수동 소자 및 액티브 소자를 포함한다.According to another aspect of the present invention, an internal voltage generator includes: a differential amplifier configured to receive a predetermined reference voltage and a feedback voltage and generate a control signal corresponding to a difference between the reference voltage and the feedback voltage; A driver driven in response to the control signal to output the internal voltage; And a voltage divider for dividing the internal voltage to generate the feedback voltage, wherein the voltage divider includes a passive element and an active element connected in series between an output terminal of the internal voltage and a ground voltage.
바람직하기로는, 상기 수동 소자는 제1 저항 및 제2 저항을 포함하며, 상기 액티브 소자는 상기 제1 저항 과 제2 저항 사이에 배치되는 제1 액티브 소자 및 제2 액티브 소자를 포함한다.Preferably, the passive element includes a first resistor and a second resistor, and the active element includes a first active element and a second active element disposed between the first resistor and the second resistor.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 발생기를 나타내는 회로도이다. 이를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 발생기(200)는 비교기(210), 드라이버(220) 및 전압 분배기(230)를 구비한다.2 is a circuit diagram illustrating an internal voltage generator according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to this, the internal voltage generator 200 according to an embodiment of the present invention includes a comparator 210, a driver 220, and a voltage divider 230.
비교기(210)는 소정의 기준 전압(VREF)과 피드백 전압(VFB)을 비교하여 제어 신호(CS)를 발생한다. 좀 더 구체적으로 비교기(210)는 정(+)단자로 피드백 전압(VFB)을 수신하고 부(-)단자로 기준 전압(VREF)을 수신하여, 양 전압(VREF,VFB)을 비교하여 비교 결과로서 제어 신호(CS)를 발생한다. 비교기(210)는 기준 전압(VREF)과 피드백 전압(VFB)의 차에 상응하는 제어 신호(CS)를 발생하는 차동 증폭기(differential amplifier)로 구현될 수 있다. 차동 증폭기의 구성은 당업자에게 널리 알려져 있으므로 여기서 상세항 설명은 생략된다.The comparator 210 generates the control signal CS by comparing the predetermined reference voltage VREF and the feedback voltage VFB. More specifically, the comparator 210 receives the feedback voltage VFB at the positive terminal and the reference voltage VREF at the negative terminal, and compares the positive voltages VREF and VFB. Generates a control signal CS. The comparator 210 may be implemented as a differential amplifier generating a control signal CS corresponding to the difference between the reference voltage VREF and the feedback voltage VFB. Since the configuration of the differential amplifier is well known to those skilled in the art, the detailed description thereof is omitted here.
드라이버(220)는 제어 신호(CS)에 응답하여 구동되어 내부 전압(VINT)을 출력한다.The driver 220 is driven in response to the control signal CS to output the internal voltage VINT.
구체적으로 드라이버(220)는 전원 전압(VCC)과 출력 노드(N1) 사이에 형성되며 제어 신호(CS) 의하여 제어되는 드라이버 트랜지스터(PM1)를 포함한다. 드라이버 트랜지스터(PM1)는 그 소오스는 전원 전압(VCC)에, 그 드레인은 출력 노드(N1)에 연결되고 그 게이트로는 제어 신호(CS)를 수신하는 피모스 트랜지스터인 것이 바람직하다.In detail, the driver 220 includes a driver transistor PM1 formed between the power supply voltage VCC and the output node N1 and controlled by the control signal CS. The driver transistor PM1 is preferably a PMOS transistor whose source is connected to the power supply voltage VCC and its drain is connected to the output node N1 and receives the control signal CS as its gate.
피드백 전압(VFB)이 기준 전압(VREF)에 비하여 낮으면 제어 신호(CS)의 전압 레벨이 낮아지므로, 드라이버 트랜지스터(PM1)가 턴온된다. 드라이버 트랜지스터(PM1)가 턴온되면 전원 전압(VCC)으로부터 출력 노드(N1)로 전류가 공급되어 내부 전압(VINT)이 상승한다.When the feedback voltage VFB is lower than the reference voltage VREF, the voltage level of the control signal CS is lowered, so the driver transistor PM1 is turned on. When the driver transistor PM1 is turned on, a current is supplied from the power supply voltage VCC to the output node N1 to increase the internal voltage VINT.
피드백 전압(VFB)이 기준 전압(VREF)에 비하여 높아지면 제어 신호(CS)의 전압 레벨이 높아지므로, 드라이버 트랜지스터(PM1)가 턴오프된다. 드라이버 트랜지스터(PM1)가 턴오프되면 내부 전압(VINT)이 상승하지 않고 유지되거나 낮아진다.When the feedback voltage VFB becomes higher than the reference voltage VREF, the voltage level of the control signal CS becomes high, so the driver transistor PM1 is turned off. When the driver transistor PM1 is turned off, the internal voltage VINT does not rise or remains low.
전압 분배기(230)는 내부 전압(VINT)을 분배하여 비교기(210)의 정(+)단자로 입력되는 피드백 전압(VFB)을 발생한다.The voltage divider 230 distributes the internal voltage VINT to generate a feedback voltage VFB input to the positive terminal of the comparator 210.
전압 분배기(230)는 크게 상단부(231)와 하단부(232)로 구성된다. 상단부(231)는 출력 노드(N1)와 피드백 노드(N2) 사이에 직렬로 연결되는 제1 저항(R21)과 제1 액티브 소자(241)를 포함하다. 하단부(232)는 피드백 노드(N2)와 접지 전압 사이에 직렬로 연결되는 제2 액티브 소자(242) 및 제2 저항(R22)을 포함한다. 상단부(231)와 하단부(232)는 실질적으로 동일한 구성을 가지는 것이 바람직하다. 여기서, 실질적으로 동일한 구성이라 함은 제1 및 제2 저항(R21, R22)의 저항값이 상호 거의 동일하고 제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)가 거의 동일한 특성을 가짐을 의미한다.The voltage divider 230 is mainly composed of an upper end 231 and a lower end 232. The upper portion 231 includes a first resistor R21 and a first active element 241 connected in series between the output node N1 and the feedback node N2. The lower portion 232 includes a second active element 242 and a second resistor R22 connected in series between the feedback node N2 and the ground voltage. The upper end 231 and the lower end 232 preferably have substantially the same configuration. Here, the substantially identical configuration means that the resistance values of the first and second resistors R21 and R22 are substantially the same, and the first and second active elements 241 and 242 have substantially the same characteristics.
상기와 같이 상단부(231)와 하단부(232)를 거의 동일하게 구성함으로써, 전압 분배기(230)에서 발생되는 피드백 전압(VFB)은 내부 전압(VINT)의 약 1/2이 된다.By configuring the upper end portion 231 and the lower end portion 232 in the same manner as described above, the feedback voltage VFB generated by the voltage divider 230 becomes about 1/2 of the internal voltage VINT.
제1 및 제2 저항(R21, R22)은 폴리 실리콘(poly-silicon) 물질로 구현되는 것이 바람직하다.Preferably, the first and second resistors R21 and R22 are made of a poly-silicon material.
제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)는 피모스 트랜지스터로 구현되는데, 피모스 트랜지스터의 드레인과 게이트가 연결됨으로써, 다이오드 역할을 한다. 구체적으로 제1 액티브 소자(241)는 그 소오스는 제1 저항(R21)의 일측 단자에, 그 드레인과 게이트는 피드백 노드(N2)에 공통으로 접속된다. 제2 액티브 소자(242)는 그 소오스는 피드백 노드(N2)에, 그 드레인과 게이트는 제2 저항(R22)의 일측 단자에 공통으로 접속된다. 아울러, 제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)는 각각 소오스와 기판(substrate)이 접속된다.The first and second active elements 241 and 242 are implemented as PMOS transistors, and the drain and the gate of the PMOS transistors are connected to serve as diodes. In detail, the source of the first active element 241 is commonly connected to one terminal of the first resistor R21, and the drain and the gate thereof are commonly connected to the feedback node N2. The source of the second active element 242 is commonly connected to the feedback node N2, and the drain and the gate thereof are connected to one terminal of the second resistor R22. In addition, the source and the substrate are connected to the first and second active elements 241 and 242, respectively.
상기와 같이, 직렬로 연결되는 두 개의 액티브 소자(241, 242)를 제1 및 제2 저항(R21, R22) 사이에 배치함으로써, 두 개의 액티브 소자(241, 242)에 의해 2Vth 만큼의 전압 강하가 발생된다. 여기서, Vth는 하나의 액티브 소자의 문턱 전압(threshold voltage)이다. 따라서, 제1 및 제2 저항(R21, R22)에는 "내부 전압-2Vth" 만큼의 전압이 걸리므로 작은 저항값을 가지는 분배 저항이 사용되더라도 직류 전류가 크지 않으며, 오히려 줄어들 수 있다.As described above, by placing two active elements 241 and 242 connected in series between the first and second resistors R21 and R22, a voltage drop of 2Vth is caused by the two active elements 241 and 242. Is generated. Here, Vth is a threshold voltage of one active element. Therefore, since the first and second resistors R21 and R22 are subjected to a voltage equal to "internal voltage-2Vth", even if a distribution resistor having a small resistance value is used, the DC current is not large, but can be reduced.
그러므로, 저항만으로 구성된 전압 분배기를 사용하는 종래 기술에 비해 적은 저항을 사용할 수 있으며, 이에 따라, 기생 커패시터의 양도 크게 줄어든다. 따라서, 내부 전압(VINT)에 발진 현상이 생기지 않으므로 안정된 내부 전압(VINT)이 발생된다.Therefore, less resistance can be used as compared to the prior art using a voltage divider consisting solely of a resistor, and thus the amount of parasitic capacitors is greatly reduced. Therefore, oscillation does not occur in the internal voltage VINT, and thus a stable internal voltage VINT is generated.
낮은 전원 전압(VCC) 특성을 좋게 하기 위해서, 제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)는 짧은 채널(short channel) 트랜지스터인 것이 바람직하다.In order to improve the low power supply voltage (VCC) characteristics, the first and second active elements 241 and 242 are preferably short channel transistors.
짧은 채널 트랜지스터(short channel transistor)란 채널 길이(channel length: L)가 짧아 문턱 전압이 비교적 낮은 트랜지스터를 말한다. 반면, 채널 길이(channel length: L)가 길어 문턱 전압이 비교적 높은 트랜지스터를 긴 채널 트랜지스터(long channel transistor)라 한다. 채널 길이는 채널 넓이(channel width: W)에 대하여 상대적이므로, 통상 L/W 의 비가 소정값 이하일 때 짧은 채널 트랜지스터로 분류할 수 있다. 또는 문턱 전압이 소정값 이하인 트랜지스터를 짧은 채널 트랜지스터로 분류할 수 있다.A short channel transistor refers to a transistor having a low channel voltage due to a short channel length (L). On the other hand, a transistor having a long channel length (L) and having a relatively high threshold voltage is called a long channel transistor. Since the channel length is relative to the channel width (W), it can usually be classified as a short channel transistor when the ratio of L / W is less than or equal to a predetermined value. Alternatively, a transistor having a threshold voltage less than or equal to a predetermined value may be classified as a short channel transistor.
또한, 전압 분배기(230)에 사용되는 제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)의 각문턱 전압은 전원 전압(VCC)의 약 1/4 이하인 것이 바람직하다. 예를 들어, 전원 전압(VCC)이 2V 이면 제1 및 제2 액티브 소자(241, 242)의 각 문턱 전압은 0.5V 이하인 것이 바람직하다.In addition, the threshold voltages of the first and second active elements 241 and 242 used in the voltage divider 230 may be about 1/4 or less of the power supply voltage VCC. For example, when the power supply voltage VCC is 2V, the threshold voltages of the first and second active elements 241 and 242 are preferably 0.5V or less.
전원 전압(VCC)이 낮아지면, 이에 따라 내부 전압(VINT)도 낮아진다. 따라서, 전압 분배기(230)에 사용되는 액티브 소자의 문턱 전압이 높으면 낮은 전원 전압(VCC)을 사용하기가 힘들다.When the power supply voltage VCC is lowered, the internal voltage VINT is thus lowered. Therefore, when the threshold voltage of the active device used in the voltage divider 230 is high, it is difficult to use a low power supply voltage VCC.
본 발명의 실시예에서는 상술한 바와 같이 짧은 채널 트랜지스터를 전압 분배기(230)에 사용함으로써, 낮은 전원 전압(VCC)에서도 안정된 동작이 이루어질 수 있다.In the embodiment of the present invention, as described above, by using the short channel transistor in the voltage divider 230, stable operation may be performed even at a low power supply voltage VCC.
본 발명에 따른 내부 전압 발생기(200)의 장점을 좀 더 설명하기 위하여 트랜지스터만으로 구성된 전압 분배기를 가지는 내부 전압 발생기를 가정해 볼 수 있다.In order to further explain the advantages of the internal voltage generator 200 according to the present invention, an internal voltage generator having a voltage divider composed of only transistors may be assumed.
전압 분배기가 본 발명의 전압 분배기(230)와 달리 액티브 소자인 트랜지스터만으로 구성되는 경우, 출력 노드와 접지 전압 사이에 흐르는 DC 전류를 줄이기 위하여 긴 채널 트랜지스터가 사용되어야 한다.When the voltage divider is composed of only transistors that are active elements, unlike the voltage divider 230 of the present invention, a long channel transistor should be used to reduce the DC current flowing between the output node and the ground voltage.
그런데, 긴 채널 트랜지스터의 경우, 상술한 바와 같이, 문턱 전압이 높다. 따라서, 낮은 전원 전압(VCC)을 사용하는데 한계가 있다. 즉, 낮은 전원 전압(VCC)에서 안정된 동작을 확보하기 어렵다.By the way, in the case of the long channel transistor, as described above, the threshold voltage is high. Therefore, there is a limit to using a low power supply voltage VCC. That is, it is difficult to ensure stable operation at low power supply voltage VCC.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 수동 소자와 액티브 소자를 사용하여 전압 분배기(230)를 구성함으로써, 낮은 전원 전압(VCC)에서의 동작 특성이 향상되는 동시에 DC 전류의 소모를 줄이면서 안정된 내부 전압(VINT)을 얻을 수 있다.Thus, as in the embodiment of the present invention, by configuring the voltage divider 230 using passive elements and active elements, the operation characteristics at low power supply voltage (VCC) are improved while at the same time reducing the consumption of DC current. The internal voltage VINT can be obtained.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
본 발명에 의하면, DC 전류 소모가 적으며 안정된 내부 전압을 얻을 수 있다. 또한, 낮은 외부 전압 조건에서도 안정된 동작이 이루어지므로 저전압 특성이 향상되는 효과가 있다.According to the present invention, DC current consumption is low and stable internal voltage can be obtained. In addition, since the stable operation is performed even at low external voltage conditions, there is an effect that the low voltage characteristics are improved.
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020056237A KR20040024789A (en) | 2002-09-16 | 2002-09-16 | Internal voltage generator for generating stable internal voltage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR20040024789A true KR20040024789A (en) | 2004-03-22 |
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ID=37327821
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721204B1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | Internal voltage driver circuit |
| US7750611B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Internal voltage controllers including multiple comparators and related smart cards and methods |
| KR101143470B1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-05-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Voltage regulation circuit |
-
2002
- 2002-09-16 KR KR1020020056237A patent/KR20040024789A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8441311B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-05-14 | SK Hynix Inc. | Voltage regulation circuit |
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