KR20040015543A - Structure for balun - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 밸룬(BALUN) 구조에 관한 것으로, 특히 멀티 섹션 커플링 구조를 적용하여 전기적인 특성을 향상시키는데 적당하도록 한 밸룬 구조에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a balun structure, and more particularly to a balun structure adapted to improve electrical characteristics by applying a multi-section coupling structure.
일반적으로, 밸룬(BALUN, Balanced to unbalanced 또는 Unbalanced to balanced)은 대지에 대하여 평형한 회로를 한쪽 끝이 접지돼 있는 증폭 회로와 결합할 때, 평형 회로의 대지 평형이 무너지는 것을 방지하기 위해서, 또는 초단파대 전송 회로에서 접지에 대하여 평형하고 있는 회로와 동축 케이블과 같은 불평형 회로를 접속할 때 사용하는 정합용 트랜스를 칭한다.In general, a balun (BALUN, Balanced to unbalanced or Unbalanced to balanced) is used to prevent the earth balance of the balanced circuit from collapsing when combining a balanced circuit with respect to the earth and an amplifying circuit with one end grounded, or In a microwave transmission circuit, a matching transformer used to connect an unbalanced circuit such as a coaxial cable with a circuit balanced against ground.
상기 밸룬은 이동 및 무선 송수신 시스템의 고주파 송수신단을 구성하는 주요 핵심부품인 더블 밸런스드 믹서(double-balanced mixer), 푸시 풀 증폭기(push pull amplifier) 및 멀티플라이어(multiplier)의 구성요소가 된다.The balun becomes a component of a double-balanced mixer, a push pull amplifier, and a multiplier, which are the main core components of the high-frequency transceiver of a mobile and wireless transmission / reception system.
상기의 실시예에서 하나의 라인이 접지를 기준으로 전압성분을 가지는 불평형 상태에서 180°의 위상차를 가지는 두 신호 라인이 공통 접지를 가지는 평형상태 또는 그 역으로 전환하는 수동회로의 역할을 한다.In the above embodiment, a signal circuit having a phase difference of 180 ° in an unbalanced state in which one line has a voltage component with respect to ground serves as a passive circuit for converting an equilibrium state having a common ground or vice versa.
특히, 높은 송신 출력을 얻기 위하여 바이폴라 트랜지스터나 갈륨비소 전계효과 트랜지스터를 여러개 연결할 경우 어느 한계점에 도달하면 비선형 특성을 가지게 되는데 이러한 비선형 특성은 하모닉스(harmonics)나 인터모듈레이션(intermodulation)의 원인이 된다. 이를 방지하기 위해 상기 밸룬을사용하여 트랜지스터를 병렬로 연결하여 높은 송수신 출력을 얻을 수 있다.In particular, when a plurality of bipolar transistors or gallium arsenide field effect transistors are connected in order to obtain a high transmission output, when a certain limit is reached, they have nonlinear characteristics. These nonlinear characteristics cause harmonics or intermodulation. In order to prevent this, it is possible to obtain a high transmit / receive output by connecting transistors in parallel using the balun.
상기 밸룬은 트랜스포머(transformer), 병렬 라인 밸룬(parallel line balun), marchand blalun, ring hybrid, 능동 소자를 이용한 것이 있다. 상기 트랜스포머를 사용하는 경우는 손실이 큰 문제점을 가지고 있으며, 능동소자를 이용한 것은 단가가 비싸고 잡음이나 왜곡특성이 저하되는 문제가 있다.The balun may be a transformer, a parallel line balun, a marchand blalun, a ring hybrid, or an active element. In the case of using the transformer, there is a problem in that the loss is large, and in the case of using the active device, there is a problem in that the cost is high and noise or distortion characteristics are reduced.
이와 같은 문제점을 감안하여 통신에 사용하는 밸룬은 하이브리드 형태로 구현하며, 그 일예인 marchand balun은 광대역 특성과 고유 증폭 및 위상 균형(inherent amplitude and phase balance) 특성을 나타내어 널리 사용되고 있다.In view of the above problems, the balun used for communication is implemented in a hybrid form. For example, marchand balun is widely used because it exhibits broadband characteristics and inherent amplitude and phase balance characteristics.
이와 같은 종래 marchand balun의 구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The structure of the conventional marchand balun will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1은 종래 marchand balun의 사시도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1) 상에 특정방향으로 긴형태로 위치하며, 일측이 입력단(IN)으로 이용되는 주전송선로(2)와; 상기 주전송선로(2)와는 일정한 이격거리(d) 만큼 이격되는 위치에서 상호 소정거리 이격되도록 그 주전송선로(2)와는 평행하게 위치하며, 일측단이 접지되고, 타측단이 출력단(OUT)으로 이용되는 두 유니폼 전송선로(3,4)로 구성된다.Fig. 1 is a perspective view of a conventional marchand balun, which is located in the elongated shape on a substrate 1 in a specific direction as shown therein, and has a main transmission line 2 having one side used as an input terminal IN; Located parallel to the main transmission line (2) so as to be spaced apart from each other at a predetermined distance (d) from the main transmission line (2), the one end is grounded, the other end is the output end (OUT) It consists of two uniform transmission lines (3, 4) used as.
상기 두 유니폼 전송선로(3, 4)는 λ/4의 길이를 가진다.The two uniform transmission lines 3 and 4 have a length of λ / 4.
상기 두 유니폼 전송전로(3,4)는 주전송선로(2)와 커플링되며, 그 커플링양은 선로의 짝수모드 및 홀수모드 임피던스에 의해 표현될 수 있다.The two uniform transmission paths 3 and 4 are coupled to the main transmission line 2, and the coupling amount can be represented by the even mode and the odd mode impedance of the line.
상기 짝수모드 및 홀수모드의 임피던스는 선로의 폭(w), 기판(1)의 두께(t),접지와의 거리에 의한 특성 임피던스와 상기 주전송선로(2)와 유니폼 전송선로(3,4)의 이격거리(d)에 의해 결정된다.The impedances of the even mode and the odd mode are characteristic impedances based on the width (w) of the line, the thickness (t) of the substrate (1), and the distance to the ground, and the main transmission line (2) and the uniform transmission line (3, 4). It is determined by the separation distance d of).
상기 도1에 도시한 종래의 일예에서, 선로간에는 균일한 짝수모드와 홀스모드 임피던스 만이 결정되어져 최적의 증폭 및 위상 균형 특성을 얻을 수 있도록 선로를 여러개의 짝수모드 및 홀수모드로 나눌수 없다.In the conventional example shown in FIG. 1, only even and odd mode impedances are determined between lines so that a line cannot be divided into even and odd modes so as to obtain optimal amplification and phase balance characteristics.
즉, 상기 커플링된 선로를 여러개의 모드로 나눌수 없어 최적의 특성을 가지도록 선로를 조절하는 것이 불가능한 문제점이 있었다.That is, there is a problem that it is not possible to divide the coupled line into several modes and thus it is impossible to adjust the line to have optimal characteristics.
상기의 문제점을 해결하고자, 종래에는 적층형 구조의 밸룬이 제안되었다.In order to solve the above problem, a balun of a laminated structure is conventionally proposed.
그 적층형 구조의 밸룬의 예로는 칩타입 멀티 섹션 결합 라인(chip-type multi-section coupled line)이 제안되었으며, 이를 분해한 사시도를 도2에 도시하였다.As an example of the balun of the stacked structure, a chip-type multi-section coupled line has been proposed, and an exploded perspective view is illustrated in FIG. 2.
도2는 상기 적층형 구조 밸룬의 분해 사시도로서, 이에 도시한 바와 같이 다수의 접지전극(5)을 두고, 그 접지전극(5)과 유니폼 전송선로(3,4)와의 이격거리를 다르게 설정하도록 구성한다.FIG. 2 is an exploded perspective view of the stacked structure balun, which has a plurality of ground electrodes 5 and configured to set different distances between the ground electrodes 5 and the uniform transmission lines 3 and 4 as shown in FIG. do.
즉, 상하부에 기판(1)을 두고, 그 기판(1)들과 전송선로(2, 3, 4)의 사이에 단차가 다른 다수의 접지전극(5)을 두어 그 접지전극(5)과의 거리에 따른 임피던스의 변화를 이룰수 있게 된다.That is, the substrate 1 is placed on the upper and lower sides, and a plurality of ground electrodes 5 having different steps are disposed between the substrates 1 and the transmission lines 2, 3, and 4 and the ground electrodes 5 are separated from each other. The impedance can be changed with distance.
다시 말해서, 다수의 짝수모드 및 홀수모드 임피던스가 존재하도록 접지전극(5)의 위치에 따른 임피던스의 변화를 준다.In other words, the impedance is changed according to the position of the ground electrode 5 so that a plurality of even mode and odd mode impedances exist.
이와 같이 짝수모드 및 홀수모드 임피던스의 변화는 더 넓은 대역폭을 달성할 수 있으며, 우수한 증폭과 위상의 균일성을 얻을 수 있게 된다.This change in even-mode and odd-mode impedances can achieve wider bandwidths, resulting in superior amplification and phase uniformity.
그러나, 상기의 칩형 구조는 복잡한 구조를 가지며, 특히 박막화를 실현하기에는 적당하지 않다. 즉, 평면형구조로는 그 구조를 형성할 수 없는 문제점이 있었다.However, the chip-like structure has a complicated structure, and is not particularly suitable for realizing thinning. That is, there is a problem that the structure can not be formed by a planar structure.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 각 모드에서 다른 임피던스를 제공하며, 박막구조로 구현할 수 있는 단순한 구조의 밸룬 구조를 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention provides a different impedance in each mode, and an object thereof is to provide a balun structure of a simple structure that can be implemented in a thin film structure.
또한, 전송선로의 규격을 조절하여 밸룬의 전기적인 특성을 개선할 수 있는 밸룬 구조를 제공함에 그 목적이 있다.In addition, it is an object of the present invention to provide a balun structure that can improve the electrical characteristics of the balun by adjusting the size of the transmission line.
도1은 종래 밸룬 구조의 일실시 사시도.1 is a perspective view of one embodiment of a conventional balun structure.
도2는 종래 밸룬 구조의 다른 실시 분해 사시도.Figure 2 is another embodiment exploded perspective view of a conventional balun structure.
도3a 내지 도3c는 각각 λ/4 전송선로의 일실시예도.3A to 3C are diagrams illustrating one embodiment of a λ / 4 transmission line, respectively.
도4는 본 발명 밸룬 구조의 일실시 사시도.Figure 4 is a perspective view of one embodiment of the present balun structure.
도5는 스텝 임피던스를 적용한 일반적인 밸룬 구조의 전기특성 그래프.5 is a graph of electrical characteristics of a typical balun structure to which step impedance is applied.
도6은 본 발명 밸룬 구조에 스텝 임피던스를 적용한 경우의 전기특성 그래프.Figure 6 is a graph of the electrical characteristics when the step impedance is applied to the balun structure of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1:기판2:주전송선로1: Substrate 2: Main Transmission Line
3,4:제1 및 제2멀티섹션 전송선로3, 4: first and second multisection transmission lines
상기와 같은 목적은 기판의 상부일부에 위치하는 일측방향으로 긴 형태를 가지며, 그 폭이 일정하고, 일측에 입력단이 구성되는 주전송선로와; 각각 상기 주전송선로와는 소정거리 이격되어 평행하게 위치하며, 그 폭과 길이가 일정한 복수의 유니폼 전송선로를 가지는 밸룬(BALUN) 구조에 있어서, 상기 복수의 유니폼 전송선로는 일부분이 상기 주전송선로와의 이격거리가 다른 부분과는 다른 멀티섹션 전송선로로 구성하고, 그 멀티섹션 전송선로의 일부의 폭과 주전송선로의 이격거리를 조절하여, 전기적인 특성을 조절함으로써 달성되는 것으로, 이와 같은 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is a main transmission line having a long shape in one direction located on the upper portion of the substrate, the width is constant, the input end is configured on one side; In a balun structure having a plurality of uniform transmission lines each having a predetermined distance and parallel to the main transmission line, the width and length of the plurality of uniform transmission lines, a part of the plurality of uniform transmission lines are part of the main transmission line This is achieved by adjusting the electrical characteristics by configuring a multisection transmission line different from the other parts of the circuit, adjusting the width of a part of the multisection transmission line and the separation distance of the main transmission line. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도3a 내지 도3c는 각각 λ/4 전송선로의 일실시예도로서, 주전송선로전체에서 균일한 임피던스를 가지는 유니폼 전송선로(도3a)와, 두개의 서로다른 임피던스를 나타내는 스텝 임피던스 전송선로(도3b)와, 3개의 서로다른 임피던스를 나타내는 이중축 스텝 임피던스(DOUBLE-COAXIAL STEP IMPEDANCE) 전송선로(도3c)의 형태를 가진다.3A to 3C show an exemplary embodiment of a λ / 4 transmission line, respectively, a uniform transmission line (Fig. 3A) having a uniform impedance throughout the main transmission line, and a step impedance transmission line showing two different impedances (Fig. 3A). 3b) and a double-axis step impedance (DOUBLE-COAXIAL STEP IMPEDANCE) transmission line showing three different impedances (Fig. 3C).
상기 도3a의 유니폼 전송선로는 도1 또는 도2에 도시한 유니폼 전송선로(3,4)와 같이 전체에서 균일한 임피던스(Z0)를 가진다.The uniform transmission line of FIG. 3A has a uniform impedance Z0 as a whole, like the uniform transmission lines 3 and 4 shown in FIG.
그 구조의 일실시예로서 공기층(air) 내에서 'ㄷ자'형의 구조를 가지는 두 구조물을 금속패턴(metal)을 사용하여 연결한 구조를 가진다. 이와 같은 구조를 주전송선로와 커플링시키면 하나의 균일한 임피던스를 나타낸다.As an embodiment of the structure has a structure in which two structures having a 'c'-type structure in the air layer (air) is connected using a metal pattern (metal). Coupling such a structure with the main transmission line presents a uniform impedance.
도3b의 예는 상기 도3a의 구조에서 'ㄷ자' 구조의 일측 패턴이 절곡부를 가지는 특징이 있다.In the example of FIG. 3B, one side pattern of the 'C' structure in the structure of FIG. 3A has a bent portion.
상기 구조의 특징은 그 선로의 길이를 줄이기 위한 것이며, 상기 구조에서 절곡된 영역을 기준으로 두 영역의 길이를 각각 λ1, λ2라고 하면 그 두 합은 공진기의 길이 λ보다 짧다.The characteristic of the structure is to reduce the length of the track, and if the lengths of the two regions are λ1 and λ2, respectively, based on the bent region in the structure, the sum of the two is shorter than the length λ of the resonator.
이는 선로의 Q값이 줄어드는 결과는 초래한다.This results in a decrease in the Q value of the track.
이러한 원리를 이용하여 전체적인 길이를 줄이면서, Q값을 보상할 수 있는 구조가 도3c에 도시한 이중축 스텝 임피던스 전송선로이다.By using this principle, a structure capable of compensating Q values while reducing the overall length is a dual-axis step impedance transmission line shown in FIG. 3C.
아래의 수학식1은 개방면에서 바라본 전송선로의 어드미턴스(ADMITTANCE)를 표현한 것이며, 이 수학식1을 이용하여 전송선로의 길이를 결정할 수 있게 된다.Equation 1 below represents the admittance of the transmission line viewed from the open side, and the length of the transmission line can be determined using this equation.
상기 수학식1에서 Yi가 0인 조건에서 아래의 수학식2를 얻을 수 있다.Equation 2 below can be obtained under the condition that Yi is 0 in Equation 1 above.
상기 Rz는 Y1/Y2의 임피던스 비이다.Rz is an impedance ratio of Y 1 / Y 2 .
상기 도3c의 구조에서는 각 부분의 임피던스 Z1, Z2, Z3는 서로다른 임피던스의 비를 나타내며, 그 임피던스의 변화율은 선로의 짝수모드와 홀수 모드의 양을 변화시켜 최적 특성을 가지는 변수로써 제시될 수 있다.In the structure of FIG. 3C, the impedances Z 1 , Z 2 , and Z 3 of the respective parts represent ratios of different impedances, and the rate of change of the impedances is a variable having optimal characteristics by changing the amount of even and odd modes of the line. Can be presented.
이와 같은 이중축 스텝 임피던스 전송라인을 이용한 본 발명 밸룬 구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings of the present invention using the dual-axis step impedance transmission line as described in detail with reference to the accompanying drawings as follows.
도4는 본 발명 밸룬의 사시도로서, 이에 도시한 바와 같이 기판(1)의 상부일부에서 일측방향으로 길게 위치하며 그 폭(w)이 일정하고, 일측에 입력단이 마련된 주전송선로(2)와; 각각 상기 주전송선로(2)와는 그 중심이 평행하며, 일측이 접지되고, 그 접지되는 일측보다 넓은 폭을 가지는 출력단(OUT)과, 상기 출력단(OUT)으로 부터 돌출되어 상기 주전송선로(2)와 평행하며, 그 길이가 전체 길이보다 짧은 돌출부를 가지는 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)로 구성된다.Figure 4 is a perspective view of the balun of the present invention, as shown therein is located in the upper portion of the upper portion of the substrate 1 is long in one direction and the width (w) is constant, and the main transmission line (2) having an input end on one side and ; Each of the main transmission line 2 is parallel to the center thereof, one side is grounded, and an output terminal OUT having a wider width than the grounded one side, and protrudes from the output terminal OUT, so that the main transmission line 2 And first and second multisection transmission lines 3 and 4, each of which has a projection which is parallel to and whose length is shorter than the entire length.
상기 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)의 구조는 접지에 연결되며, 상기 주전송선로(2)와는 제1거리(d1)만큼 이격되어 위치하는 제1영역(a1)과, 상기제1영역(a1)이 연장된 형상을 가지며, 그 연장된 형상과 소정거리 이격되어 평행하게 위치하며 상기 주전송선로(2)와의 이격거리가 제1거리(d1)보다 짧은 제2거리(d2) 만큼 이격되는 제2영역(a2), 상기 주전송선로(2)와의 이격거리가 제2거리(d2) 만큼 이격되며, 그 폭이 상기 제2영역(a2)의 전체와 동일한 제3영역(a3)으로 구성된다.A structure of the first and second multi-section transmission lines 3 and 4 is connected to ground, the first region a1 spaced apart from the main transmission line 2 by a first distance d1, and The first area a1 has an elongated shape, is located parallel to the elongated shape and is spaced apart by a predetermined distance, and has a second distance shorter than the first distance d1. a second area a2 spaced apart by d2), and a third area spaced apart from the main transmission line 2 by a second distance d2, the third area having the same width as the whole of the second area a2; It consists of (a3).
상기 제1 내지 제3영역(a1~a3)의 임피던스(Z0~Z2)는 각기 다른 값이다.The impedances Z0 to Z2 of the first to third regions a1 to a3 have different values.
이하, 상기와 같은 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention as described above will be described in more detail.
먼저, 주전송선로(2)는 일측에 입력단(IN)이 구성되며, 그 폭(w)은 일정하다.First, the main transmission line 2 has an input terminal IN at one side thereof, and its width w is constant.
또한, 상기 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)의 a1영역은 그 길이 및 주전송선로(2)와의 이격거리(d1)가 결합후 위상차가 180°가 되도록 설계된다.Further, the a1 regions of the first and second multisection transmission lines 3 and 4 are designed such that the phase difference is 180 ° after combining the length and the separation distance d1 from the main transmission line 2.
그 다음, 상기 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)의 a2영역은 슬롯인 a3영역을 형성하기 위한 것이며, a3영역은 상기 a2영역에 비하여 주전송선로(2)와의 이격거리(d2)가 더 짧게 된다.Next, the a2 region of the first and second multisection transmission lines 3 and 4 is for forming an a3 region which is a slot, and the a3 region is a distance from the main transmission line 2 compared to the a2 region. d2) becomes shorter.
상기 a3영역의 이격거리(d2)와 그 폭은 전압과 위상을 조절하기 위한 것이며, 그 이격거리(d2)와 폭을 조절하여 원하는 전압 및 위상의 조절이 가능해진다.The separation distance d2 and the width of the a3 region are for adjusting the voltage and the phase, and the desired voltage and phase can be adjusted by adjusting the separation distance d2 and the width.
도5의 (a)와 (b)는 각각 슬롯이 없는 경우의 스텝 임피던스를 사용한 전압특성과 위상특성을 나타낸 그래프도로서, 이에 도시한 바와 같이 중심주파수 대역인 4~6GHz를 기준으로 좌우의 밸런스가 이루어지지 않는 특성을 보인다.5 (a) and 5 (b) are graphs showing voltage characteristics and phase characteristics using step impedance when there is no slot, respectively. As shown in FIG. It does not make the characteristic.
즉, 밸룬의 규격화된 길이의 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)를 사용한 경우에는 스텝 임피던스의 특성의 크기가 일치하지 않음을 알 수 있다.That is, when the first and second multisection transmission lines 3 and 4 of the normalized length of the balun are used, it can be seen that the magnitudes of the characteristics of the step impedance do not coincide.
도6의 (a)와 (b)는 각각 상기 도4에서 제1 및 제2멀티섹션 전송선로(3,4)의 경우와 같이 슬롯인 a3영역의 폭과 주전송선로(2)와의 이격거리(d2)를 조절한 경우의 주파수에 대한 전압 및 위상특성을 나타낸 그래프로서, 이에 도시한 바와 같이 중심주파수인 5GHz에 대하여 좌우측의 균형이 맞으며, 이는 스텝임피던스의 크기가 잘 일치하고 있음을 나타낸다.6 (a) and 6 (b) show a width of the a3 region, which is a slot, and a separation distance from the main transmission line 2, as in the case of the first and second multisection transmission lines 3 and 4 of FIG. As a graph showing the voltage and phase characteristics with respect to the frequency in the case of adjusting (d2), the left and right are balanced with respect to the center frequency of 5 GHz, which shows that the magnitude of the step impedance is well matched.
이처럼 본 발명은 종래와 같이 다수의 서로다른 임피던스를 제공하기 위하여 3차원 적인 구조를 형성하지 않고, 평면 구조의 멀티섹션 전송선로에 슬롯을 부가하여 다수의 서로다른 임피던스를 제공할 수 있게 된다.As described above, the present invention does not form a three-dimensional structure in order to provide a plurality of different impedances as in the related art, and provides a plurality of different impedances by adding a slot to a multi-section transmission line having a planar structure.
상기와 같은 구조는 CBCPW(CONDUCTOR-BACKED CPLANAR WAVE GUIDE)의 형태를 가지는 것이며, 이와 동일한 효과를 얻기 위해 CPW(COPLANA WAVE GUIDE)의 형태의 전송선로를 사용할 수도 있다.The above structure has a form of CBCPW (CONDUCTOR-BACKED CPLANAR WAVE GUIDE), and in order to obtain the same effect, a transmission line in the form of CPW (COPLANA WAVE GUIDE) may be used.
상기한 바와 같이 본 발명 밸룬 구조는 다수의 홀수 모드 및 짝수 모드를 제공하기 위해 종래와 같이 다층구조를 가지는 입체 구조의 밸룬을 사용하지 않고, 평면상에서 그 멀티섹션 전송선로의 형상을 변경하여 다수의 홀수 모드 및 짝수 모드를 제공함으로써, 그 밸룬의 제작이 용이하여, 수율의 저하를 방지함과 아울러 제조공정의 단순화를 이룰수 있게 된다.As described above, the balun structure of the present invention does not use a three-dimensional balun having a multi-layered structure in order to provide a plurality of odd modes and even modes, and by changing the shape of the multisection transmission line on a plane, By providing the odd mode and the even mode, the balun can be easily manufactured, and the yield can be prevented and the manufacturing process can be simplified.
또한, 상기 멀티섹션 전송선로의 일부의 폭과 주전송선로와의 거리를 조절함으로써 최적의 전기적인 특성을 얻을 수 있는 효과가 있다.In addition, by adjusting the width of a part of the multi-section transmission line and the distance between the main transmission line and the optimum electrical characteristics can be obtained.
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