KR20040014874A - 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040014874A KR20040014874A KR1020020047625A KR20020047625A KR20040014874A KR 20040014874 A KR20040014874 A KR 20040014874A KR 1020020047625 A KR1020020047625 A KR 1020020047625A KR 20020047625 A KR20020047625 A KR 20020047625A KR 20040014874 A KR20040014874 A KR 20040014874A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- iii
- semiconductor layer
- light emitting
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 125
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
p도전형 반도체층과 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극 사이에, Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층인 InxGa1-xN층을 형성하고 p도핑시켜 밴드갭을 낮추어줌으로써 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극 형성을 용이하게 하고, InxGa1-xN층과 AlyGa1-yN층을 교번으로 형성하여 두 질화물 반도체 사이의 격자 상수 불일치 따라 발생되는 응력을 이용해 밴드 구조를 변화시켜 높은 홀 농도를 얻어 낮은 오믹 접촉 저항을 가진다.
Description
본 발명은 p도전형 반도체층과 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극 사이에 p 도핑된 InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층을 형성하여 낮은 오믹 접촉 저항을 가지도록하는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화물 반도체는 직접 천이형으로 되어 있고 발광 효율이 높아 적색부터 보라색, 자외선 영역까지의 발광 파장을 형성하는데 사용되어 왔는데, 특히 성장 방법과 구조에 대한 이해가 진전됨에 따라 발광 소자의 특성, 즉 휘도, 출력, 구동 전압, 정전 특성들에 대해 상당한 개선이 이루어졌다.
하지만 계속적인 노력에도 불구하고, 여전히 고 출력화 및 저 구동 전압에 대한 요구가 높고, 장파장(노란색광과 적색광) 및 단파장(자외선)을 출력하는 질화물 반도체 발광 소자에 대한 연구가 필요한 실정이다.
도 1은 이러한 질화물 반도체를 이용한 발광 소자의 일반적인 구조를 도시한 도면으로써, 이에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상부에 n-GaN층(11), 활성층(12), p-GaN층(13)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 p-GaN층(13)에서 n-GaN층(11)의 일부까지 수직적으로 메사(mesa)식각하여 노출된 n-GaN층(11) 상부에는 n-전극(14)이, 상기 p-GaN층(13) 상부에는 p-전극(15)이 형성되어 있다.
이렇게 형성되는 일반적인 질화물 반도체 발광 소자는 밴드갭(bandgap)이 넓고, 억셉터(acceptor)인 홀(hole)의 활성화(activation)가 어려워 p-GaN층(13)에서 p도핑된 농도가 낮으며 이로 인해 낮은 접촉 저항을 가지는 오믹 접촉층 즉, p전극(15)을 형성하기가 어렵다.
그 결과, 높은 접촉 저항으로 인해 소자의 전류 구동 전압이 상승되며 전력 소모가 증대되고, 증대된 전력 소모로 인해 발생하는 열때문에 특성 열화가 빠르게 진행되어 소자의 수명이 단축된다.
또한, p도핑된 층으로의 전류가 고르게 공급되지 못하고 국부적으로 인입되는 문제를 발생시켜, LED와 같이 넓은 면적에서 고르게 발광하여 발광 효율을 올리고자 하는 소자에 있어서는 발광 효율을 저하시키는 요인이 되고, 이러한 문제점은 LED보다 작고 인입되는 전류의 량이 많은 LD에서는 더 큰 문제점으로 나타난다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위한 것으로, p도전형 반도체층과 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극 사이에 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층인 InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층을 적층하고 p도핑시켜 낮은 오믹 접촉 저항을 가지도록 하는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법를 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은, p 도전형 반도체층 상부에 p도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층을 형성하고, 형성한 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층의 Ⅲ족원과 다른 Ⅲ족원을 가진 p도핑된 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층을 형성한 다음, 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p 전극을 형성하도록 한다.
그리고, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 p-InxGa1-xN(0<x<0.2) 또는 p-AlyGa1-yN(0<y<0.2)중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 형성한다.
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광 소자를 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자를 도시한 도면이고,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
30 : 기판 31 : n 도전형 반도체층
32 : 활성층 33 : p 도전형 반도체층
34 : 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 35 : 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층
36 : n- 전극 37 : p-전극
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(20) 상부에 n 도전형 반도체층(21), 활성층(22), p 도전형 반도체층(23)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 p 도전형 반도체층(23) 상부에 p도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(24)이 형성되어 있고; 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(24) 상부에는 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(24)의 Ⅲ족원과 다른 Ⅲ족원을 가지며 p도핑된 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(25)이 형성되어 있는데, 특히 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층과 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층이 적어도 두 번이상 교번으로 복수개 형성되어 있도록 하며; 최상위의 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(27) 상부에 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p 전극(28)이 형성되어 있고; 상기 최상위의 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(27)에서부터 상기 n 도전형 반도체층(21)의 일부까지 수직적으로 메사(mesa)식각되어 노출된 n 도전형 반도체층(21)의 상부에는 n-전극(29)이 형성된다.
이렇게 형성되는 본 발명의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한다.
먼저 본 발명의 제조 방법은 도 3a에 도시된 바와 같이, MOVPE(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)성장법 등을 이용해 기판(30) 상부에 n 도전형 반도체층(31)과 활성층(32) 및 p 도전형 반도체층(33)을 순차적으로 에피 성장시키는데, 상기 기판은 사파이어나 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 n 도전형 반도체층(31)은 n 도핑된 질화물 반도체층으로써 예컨대 n-GaN층이며, 그 두께는 약 1 ~ 500㎛로 하는데, n형 도스는 Si, Ge, Se, S,Te 중에서 어느 하나를 선택하여 사용하는데 특히 저렴하고 널리 구할 수 있는 Si를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 , 상기 p 도전형 반도체층(33)은 p 도핑된 질화물 반도체층으로 예컨대, p-GaN층, p-AlGaN, p-InGaN층으로써, 그 두께는 약 0.2 ~ 100㎛로 형성하는 것이 바람직하다.
마지막으로, 상기 활성층(32)은 제 1 우물층(well), 제 1 장벽층(barrier), 제 2 우물층, 제 2 장벽층,...., 제 n 우물층, 제 n 장벽층이 순차적으로 적층되어 이루어지도록 하는 것이 바람직하고, 주로 InxGa1-xN(0<x<1)를 사용한다.
다음, p 도전형 반도체층(33)의 활성화 등을 위해 열처리 공정을 수행하는데, 이 때 열처리는 질화갈륨계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 분해 온도인 약 12000C보다 낮은 온도로 한다.
그런 다음, 상기 p 도전형 반도체층(33) 예컨대, p-GaN층 상부에 도 3b에 도시된 바와 같이, MOVPE(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)성장법 등을 이용해 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)을 적층한다.
이 때, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)은 InxGa1-xN 또는 AlxGa1-xN 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 적층하되, 상기 InxGa1-xN층의 조성비는 0 < x < 0.2의 범위를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
특히, 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)을 InxGa1-xN로 적층할 경우에는, In과 Ga의 전체 조성비 중에서 In이 약 5%정도를 차지하는 것이 바람직하고, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)을 AlxGa1-xN로 적층할 경우에는 Al과 Ga의 전체 조성비 중에서 Al이 약 10%정도를 차지하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)의 두께는 5Å ~ 200Å로 하되, 약 20Å으로 하는 것이 가장 바람직하다.
다음, 상기 p 도전형 반도체층(33) 상부에 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)이 적층되면, 적층된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)에 p도핑을 실시하는데, 이 때, 사용되는 p형 도스는 Be, Sr, Ba, Zn, Mg 중에서 어느 하나를 선택하여 사용하며, 깊이에 따른 도핑 균일도가 우수한 Mg을 주로 사용한다.
그 다음, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)의 p도핑이 종료되면, p도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부(34)에 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)을 적층하는데, 이 때 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)의 Ⅲ족원은 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)의 Ⅲ족원과 다른 것을 사용한다.
예를 들면, 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35) 역시, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)과 마찬가지로 InyGa1-yN(0 < y < 0.2) 또는 AlyGa1-yN(0 < y < 0.2) 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는데, 단 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)이 InxGa1-xN으로 이루어질 경우에 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)은 AlyGa1-yN로 이루어지도록 한다.
그리고, 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)의 두께는 5Å ~ 200Å으로하되, 약 20Å정도로 하는 것이 가장 바람직하다.
다음, 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34) 상부에 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)이 적층되면, 적층된 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층에 p 도핑을 실시하는데, p형 도스로는 Be, Sr, Ba, Zn, Mg 중에서 선택된 어느 하나를 사용한다.
이어, 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)의 p도핑이 종료되면, 도 3b에 도시된 바와 같이, p 도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(34)과 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35)을 적어도 두 번이상 교번으로 복수개 형성하도록 하는 것이 바람직한데, 단 마지막에 형성되는 최상위층인 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35')은 p도핑된 InxGa1-xN층이 되도록 한다.
그리고 나서, 상기 최상위층인 p 도핑된 InxGa1-xN층에서 n 도전형 반도체층의 (31)일부까지 수직적으로 메사(mesa) 식각하여 상기 n 도전형 반도체층(31)의 일부를 노출시킨다(도 3c).
그런 다음, 메사 식각으로 노출된 n 도전형 반도체층(31)과 최상위층의 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층(35')인 p 도핑된 InxGa1-xN층 상부에 Ni, Au, Pt, Ti중에서 선택된 어느 하나 또는 이들이 혼합된 금속을 사용하여 각기 n-전극(36)(도 3c)과 p-전극(37)을 형성하여 본 발명의 제조 공정을 종료한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자 제조 및 그 제조 방법은 p도전형 반도체층과 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극사이에, Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층인 InxGa1-xN층을 형성하고 p도핑시켜 밴드갭을 낮추어줌으로써 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극 형성을 용이하게 할 수 있으며, InxGa1-xN층과 AlyGa1-yN층을 교대로 형성하여 두 질화물 반도체 사이의 격자 상수 불일치에 따라 발생되는 응력을 이용해 밴드 구조를 변화시켜 높은 홀 농도를 얻을 수 있도록 함으로써 오믹 접촉 형성이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (10)
- 기판 상부에 n 도전형 반도체층, 활성층, p 도전형 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 p 도전형 반도체층 상부에 p도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층이 형성되어 있고;상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층의 Ⅲ족원과 다른 Ⅲ족원을 가지며 p도핑된 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층이 형성되어 있고;상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p 전극이 형성되어 있고;상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층에서부터 상기 n 도전형 반도체층의 일부까지 수직적으로 메사(mesa)식각되어 노출된 n 도전형 반도체층의 상부에 n-전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 p 도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층과 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층이 적어도 두 번이상 교번으로 복수개 형성되어 있는 것을 특징으로 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층과 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 p-InxGa1-xN층 또는 p-AlyGa1-yN층 중에서 선택된 어느 하나인 것이되,상기 오믹 접촉층인 p전극 하부에 위치한 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 p-InxGa1-xN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 3 항에 있어서, 상기 p-InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층은;조성비의 범위가 0<x<0.2이고, 0<y<0.2인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 3 항에 있어서, 상기 p-InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층은;두께가 각기 5Å ~ 200Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
- p도전형 반도체층 상부에 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층을 적층하고 p도핑시키는 제 1 단계와;상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층을 적층하고 p도핑시키되, 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층의 Ⅲ족원은 상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층의 Ⅲ족원과 다른 것을 사용하는 제 2 단계와;상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층 상부에 오믹 접촉(ohmic contact)층인 p전극을 형성하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 단계와 제 2 단계를 적어도 두 번이상 교번으로 복수회 실시하여 상기 p 도핑된 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층과 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층을 복수개 형성하는 것을 특징으로 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 제 1 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층과 상기 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 p-InxGa1-xN층 또는 p-AlyGa1-yN층 중에서 선택된 어느 하나이되,상기 p전극 하부에 위치한 제 2 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체층은 p-InxGa1-xN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 p-InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층은;조성비의 범위가 0<x<0.2, 0<y<0.2인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 8항에 있어서, 상기 p-InxGa1-xN층과 p-AlyGa1-yN층은;두께가 각기 5Å ~ 200Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020047625A KR20040014874A (ko) | 2002-08-12 | 2002-08-12 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020047625A KR20040014874A (ko) | 2002-08-12 | 2002-08-12 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040014874A true KR20040014874A (ko) | 2004-02-18 |
Family
ID=37321616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020047625A KR20040014874A (ko) | 2002-08-12 | 2002-08-12 | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040014874A (ko) |
-
2002
- 2002-08-12 KR KR1020020047625A patent/KR20040014874A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7939833B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
| EP0732754B1 (en) | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound | |
| TWI402998B (zh) | 氮化物半導體元件 | |
| KR101611412B1 (ko) | 발광 소자 | |
| US9257596B2 (en) | Light-emitting diode chip | |
| EP3926697A1 (en) | Nanorod light emitting device and method of manufacturing the same | |
| KR20130058406A (ko) | 반도체 발광소자 | |
| EP2666186B1 (en) | Light emitting devices | |
| JP2023536360A (ja) | Ｌｅｄデバイス及びｌｅｄデバイスの製造方法 | |
| KR100593543B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| EP0675552B1 (en) | Light emitting semiconductor device using group III nitrogen compound | |
| EP2009707B1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
| CN116490983A (zh) | 可由电压控制的单片原生rgb阵列 | |
| KR20040014874A (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR20050031602A (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR101196961B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| EP4310926A1 (en) | Light-emitting element | |
| KR100608919B1 (ko) | 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
| US20220367754A1 (en) | Monolithic color-tunable light emitting diodes and methods thereof | |
| KR100246273B1 (ko) | 3족 니트라이드 화합물 반도체 발광 장치 | |
| JP2023076266A (ja) | 発光素子 | |
| JP2023076104A (ja) | 発光素子 | |
| KR20110139592A (ko) | 발광소자 | |
| JP2023177713A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
| KR101045057B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |