KR20040009854A - 마그네트론 - Google Patents

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KR20040009854A
KR20040009854A KR1020020044213A KR20020044213A KR20040009854A KR 20040009854 A KR20040009854 A KR 20040009854A KR 1020020044213 A KR1020020044213 A KR 1020020044213A KR 20020044213 A KR20020044213 A KR 20020044213A KR 20040009854 A KR20040009854 A KR 20040009854A
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KR
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vane
magnetron
vanes
filament
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KR1020020044213A
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Inventor
손종철
보리스
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삼성전자주식회사
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
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    • H01J23/10Magnet systems for directing or deflecting the discharge along a desired path, e.g. a spiral path
    • HELECTRICITY
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J23/40Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy to or from the interaction circuit
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    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • H01J25/52Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
    • H01J25/58Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
    • H01J25/587Multi-cavity magnetrons

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Abstract

본 발명은 마그네트론의 베인에 관한 것으로, 특히 마그네트론의 안테나와 베인을 동일한 재질로 일체화하여 구성함으로서 안테나와 베인의 접합부분에서 생기는 기생 캐패시턴스가 없어져 각 공동 공진기마다 동일한 주파수를 이루어 마그네트론의 효율이 향상시킬 뿐만 아니라, 기존의 마그네트론의 베인과 안테나를 조립해야 번거로움이 없어 제조성이 우수하고, 전체 제조시간이 단축되는 효과가 있다.

Description

마그네트론{Magnetron}
본 발명은 마그네트론에 관한 것으로, 특히 마그네트론의 안테나와 베인의 접합부위에 의해 생기는 베인간의 비대칭 구조를 개선하기 위한 마그네트론에 관한 것이다.
도 1은 종래의 마그네트론의 안테나와 베인의 결합구조를 보인 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 마그네트론의 안테나(1)는 가늘고 긴 봉상의 몸체로 이루어져 있으며, 그 일단은 상부로 뻗어 배기관(4)내에 조립되어 있고, 그 타단은 양극본체(2)의 내주면에 방사상으로 배치된 베인(3)에 연결되어 있다.
이러한 베인(3)에는 안테나를 결합시키기 위해 안테나에 대응되는 내측으로 결합홈이 베인(3)의 단부로부터 형성되어 있어 안테나(1)가 베인(3)의 결합홈에 결합된다.
이에 따라, 필라멘트(5)로부터 베인(3)의 선단을 향하여 방출되는 전자는 직교되는 전계와 자계에 의해 로렌츠 힘을 받아 작용공간(6)을 주회함으로서 베인(3)의 선단에 고주파 전계가 미치게 되어 베인(3)과 그 인접 베인(3)으로 이루어지는 공동 공진기에서 고주파 진동을 생성시킨다. 이와 같은 고주파 진동에 의한 고주파 전압은 안테나(1)를 통해 고주파 전계에 의해 생성된 마이크로파를 외부로 방사하게 된다.
이러한 고주파 진동은 각 공동 공진기가 대칭구조를 이루어 각 공동 공진기에서의 공진 주파수가 서로 동일하도록 요구된다.
그러나, 공동 공진기를 구성하는 마그네트론의 베인들 중 적어도 하나에는 안테나(1)가 접합되기 때문에 이 접합부위에 의해 베인들간에 대칭구조가 이루어지지 않게 된다.
즉, 이 접합부위에서 기생하는 기생 캐패시턴스에 의해 전체 공동 공진기간에 동일한 주파수 특성을 가지지 못하여 마그네트론의 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 각 공진기간의 비대칭 구조를 개선하여 각 공진기간에 서로 동일한 주파수 특성을 가지도록 하는 데 있다.
도 1은 종래의 마그네트론 안테나와 베인의 결합구조를 보인 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 마그네트론의 내부 구조를 보인 단면도이다.
도 3은 도 2에서 안테나가 마련되는 마그네트론의 베인의 확대도이다.
*도면의 주요 기능에 대한 부호의 설명*
10 : 필라멘트22 : 베인
38 : 안테나
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 열전자를 방출하는 필라멘트, 상기 필라멘트를 중심축으로 하여 방사형으로 배치된 복수개의 양극베인, 상기 베인들 중 적어도 하나의 베인에 마련되는 안테나를 구비한 마그네트론에 있어서, 상기 베인과 안테나가 일체로 형성된 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 본 도면을 참조하여 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명에 따른 마그네트론의 내부 구조를 보인 단면도이다.
도 2를 살펴보면, 마그네트론의 음극부는 중심선상에 위치한 필라멘트(10)로 구성된다. 필라멘트(10)는 필라멘트(10)의 일단에 상단 실드(12)를 통하여 접속된 센터 리드(14)와 타단에 하단 실드(16)를 통하여 접속된 사이드 리드(18)에 의해 지지된다.
양극부는 양극 원통(20)과 양극 원통(20)의 내벽으로부터 돌출되어 상기 필라멘트(10)와 소정 간격을 유지하는 복수의 베인(22)들로 구성된다.
양극 원통(20) 상하에는 환형 영구자석(28,30)들이 설치된다.
자속은 상부 영구자석(28)으로부터 필라멘트(10)와 베인(22)의 단부사이에 확보된 작용공간(32)을 통하여 하부 영구자석(30)으로 전개되어 원통 축방향으로 정자계를 형성한다. 상부 영구자석(28), 상부요크(34), 하부요크(36), 하부 영구자석(30) 등의 자기부재에 의해 자기 회로가 구성된다.
접지 전위의 양극 베인(22)에 대해 부전위인 필라멘트(10)로부터 양극 베인(22)의 선단을 향하여 방출되는 전자는 직교되는 전계와 자계에 의해 로렌츠 힘을 받아 작용공간(32)을 주회하게 되고, 이에 양극베인(22)의 선단에 고주파 전계가 미치게 하여 양극 내주의 공동 공진기에서 고주파 진동을 생성시킨다.
이와 같이 생성된 고주파 전압은 안테나(38)를 통하여 고주파 전계에 의해 생성된 마이크로파를 외부로 방사하게 된다.
도 3은 도 2에서 안테나가 마련되는 마그네트론의 베인의 확대도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 안테나가 마련되는 베인(22)에는 안테나(38)의 형성을 위해 베인(22) 단부 외측으로 연장되어 안테나(38)가 형성된다.
이러한 안테나는 원형의 봉 형태 또는 각진 형태로 형성된다.
또한, 안테나(38)는 안테나(38)와 베인(22)사이의 접합부위를 없애도록 베인(22)의 단부 외측으로 연장되어 동일한 재질로 형성된다. 이에 따라, 안테나(38)와 베인(22)간의 접합부위에서 없음에 따라 기존에 안테나(38)가 마련되는 베인(22)과 인접 베인(22)간의 대칭구조를 해쳐 주파수 특성을 다르게 하는 원인인 이 접합부위에서 기생하는 기생 캐패시턴스값이 존재하지 않아 안테나(38)가 마련된 베인(22)과 그 인접 베인(22)간의 주파수 특성이 서로 동일하게 이루어진다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 마그네트론의 베인과 안테나를 일체로 구성함으로서 안테나와 베인의 접합부분에서 생기는 기생 캐패시턴스가없어져 각 공동 공진기마다 동일한 주파수를 이루어 마그네트론의 효율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 기존의 마그네트론의 베인과 안테나를 조립해야 번거로움이 없어 제조성이 우수하고, 전체 제조시간이 단축되는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 열전자를 방출하는 필라멘트, 상기 필라멘트를 중심축으로 하여 방사형으로 배치된 복수개의 양극베인, 상기 베인들 중 적어도 하나의 베인에 마련된 안테나를 구비한 마그네트론에 있어서,
    상기 베인과 안테나가 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 베인의 단부 외측으로 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 베인과 동일한 재질로 이루어 진 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 안테나는 원형의 봉 형태 또는 각진 형태 인 것을 특징으로 하는 마그네트론.
KR1020020044213A 2002-07-26 2002-07-26 마그네트론 KR20040009854A (ko)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5533793B2 (ko) * 1975-07-04 1980-09-02
JPS60101842A (ja) * 1983-11-09 1985-06-05 Hitachi Ltd マグネトロン
JPH0574338A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hitachi Ltd マグネトロンの製造方法

Patent Citations (3)

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