KR200387818Y1 - Resin bonded wheel exhibiting the high performance for wafer grinding - Google Patents
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Abstract
본 고안은, 실리콘 웨이퍼의 가공에 사용되는 레진 본드 숫돌에 관한 것이다.The present invention relates to a resin bond whetstone used for processing a silicon wafer.
웨이퍼의 표면을 연삭하는 가공에서는, 연삭 숫돌의 레진 본드의 탄성이 크기 때문에, 연삭시에 입자가 본드층으로 들어가기 쉬우며, 레진 본드가 웨이퍼와 접촉하여 마찰이 발생한다. 웨이퍼는 극히 취성이 큰 재료이며, 또한 두께가 스브 스트레이트에서 약 700～800μm, 집적회로가 형성된 디바이스 웨이퍼에서는 30～200μm으로 극히 얇기 때문에, 연삭 가공시에 레진 본드와의 사이에 마찰이 생기면, 웨이퍼에서 벽개 크랙이 발생한다든지 파손되는 문제가 발생한다.In the process of grinding the surface of a wafer, since the elasticity of the resin bond of a grinding wheel is large, particle | grains easily enter a bond layer at the time of grinding, and a resin bond contacts a wafer and friction generate | occur | produces. Wafers are extremely brittle and extremely thin (about 700 to 800 μm in sb straight and 30 to 200 μm in device wafers with integrated circuits). Thus, when friction occurs between resin bonds during grinding, The problem arises that the cracks in the cleavage or breakage.
본 고안은 이러한 상기의 문제를 해결하기 위한 것으로, 레진 본드 숫돌의 내마모성을 높이기 위하여 필러를 첨가함에 있어서, 필러의 유지력을 저하시킴이 없이, 필러의 첨가량의 증대를 가능하게 하며, 입자층의 내마모성을 향상시키고, 더욱이 피연삭재의 오염원으로 되는 반응 생성물을 형성시키지 않는 레진 본드 숫돌을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, in the addition of the filler in order to increase the wear resistance of the resin-bonded grindstone, it is possible to increase the amount of filler added without lowering the holding force of the filler, the wear resistance of the particle layer It is an object to provide a resin bond whetstone which improves and furthermore does not form a reaction product which becomes a contaminant of the abrasive material.
본 고안의 레진 본드 숫돌은, 샹크의 외주부의 측면에 입자층이 고착된, 실리콘 웨이퍼의 연마에 사용하는 레진 본드 숫돌에 있어서, 입자층을 구성하는 재료로서 다공질 CeO2를 필러로서 첨가한 레진 본드 숫돌에 있어서, 다공질 CeO2의 압축강도가 40～49MPa 범위이며, 다공질 CeO2의 입경이 5～15μm이고, 다공질 CeO2의 함유량을 입자층 전체의 20～40%(vol)로 하는 것을 특징으로 하고 있다.The resin bond whetstone of the present invention is a resin bond whetstone used for polishing a silicon wafer, in which a particle layer is fixed to the side surface of the shank outer periphery, to a resin bond whetstone in which porous CeO 2 is added as a filler as a material constituting the particle layer. The compressive strength of the porous CeO 2 is in the range of 40 to 49 MPa, the particle size of the porous CeO 2 is 5 to 15 µm, and the content of the porous CeO 2 is 20 to 40% (vol) of the entire particle layer.
레진 본드 숫돌의 입자층에 다공질 CeO2를 필러로서 첨가하는 것에 의하여, 필러의 유지력이 저하되는 일이 없이, 필러의 첨가량의 증가를 가능하게 하며, 입자층의 내마모성을 향상시킬 수 있다. 그 결과 실리콘 웨이퍼의 표면 가공용 레진 본드 숫돌에서는, 본드층의 탄성을 작게할 수가 있으며, 본드층이 웨이퍼와 접촉하여 웨이퍼에 벽개 크랙이나 파손이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, Si 이외의 금속 원소를 포함하지 않으므로, 오염원으로 되는 반응 생성물을 형성하지 않게 된다.By adding porous CeO 2 to the particle layer of the resin-bonded grindstone as a filler, it is possible to increase the amount of the filler added without lowering the holding force of the filler and to improve wear resistance of the particle layer. As a result, in the resin bond grindstone for surface processing of a silicon wafer, the elasticity of a bond layer can be made small, and it can prevent that a bond layer contacts a wafer and a cleavage crack and damage generate | occur | produce in a wafer. Moreover, since it does not contain metal elements other than Si, it does not form the reaction product used as a pollution source.
Description
본 고안은, 실리콘 웨이퍼의 가공에 사용되는 레진 본드 숫돌에 관한 것이다.The present invention relates to a resin bond whetstone used for processing a silicon wafer.
레진 본드 숫돌은, 다이아몬드 입자나 CBN 입자를 레진 본드와 혼합하여 가열, 가압 성형하여 입자층을 형성한다. 레진 본드는 메탈 본드나 비트리파이드 본드에 비하여 연질이며, 연삭 가공시에 절삭날인 입자가 마멸되어 예리성이 저하되기 전에 본드층이 마멸되어 입자가 탈락된다. 이 때문에, 연삭면의 눈메움이나 입자의 마멸에 의한 예리성의 저하가 발생하기 어렵다. 또한, 레진 본드는 메탈 본드에 비하여 탄성이 크기 때문에, 피연삭재의 다듬질면이 양호하다. 그러므로, 레진 본드 숫돌은 실리콘 웨이퍼의 경면 연삭 등, 작은 표면 거칠기가 요구되는 연삭에 이용된다.A resin bond grindstone mixes diamond particle and CBN particle with resin bond, and heats and press-forms to form a particle layer. The resin bond is softer than the metal bond or the non-bonded bond, and the bonding layer is abraded and the particles are dropped before the particles which are the cutting edges are abraded during the grinding process and the sharpness is lowered. For this reason, the fall of the sharpness by abrasion of a grinding surface and abrasion of a particle hardly arises. In addition, since the resin bond is larger in elasticity than the metal bond, the polished surface of the workpiece is good. Therefore, resin bond grindstones are used for grinding requiring small surface roughness, such as mirror grinding of silicon wafers.
실리콘 웨이퍼의 가공 공정은, 실리콘 잉곳을 외주날 브레이드나 컵형 숫돌 등에서 소정 치수의 원주형의 잉곳으로 성형하고, 이 원주형 잉곳을 내주날 브레이드나 와이어 소오로써 소정의 두께로 슬라이스하여 웨이퍼로 만든다. 이 웨이퍼의 외주부를 모따기 연삭하고, 그 후에 웨이퍼의 편면 또는 양면을 연삭, 랩핑, 에칭, 폴리싱한 것이 서브 스트레이트이다. 이 서브 스트레이트에 집적 회로 등의 디바이스를 형성하고, 형성면의 뒷면을 연삭, 폴리싱한 것이 디바이스 웨이퍼이다. 본 고안은, 실리콘 웨이퍼에 의한 서브 스트레이트 및 디바이스 웨이퍼를 제조하는 과정에서 연마를 위해 사용하는 레진 본드 숫돌에 관한 것이다.In the silicon wafer processing step, the silicon ingot is formed into a cylindrical ingot having a predetermined dimension by using a peripheral blade braid, a cup grindstone, or the like, and the cylindrical ingot is sliced to a predetermined thickness by a blade or wire saw on the inner blade to form a wafer. The chamfer grinding of the outer peripheral part of the wafer is followed by grinding, lapping, etching and polishing one or both sides of the wafer. A device wafer is formed by forming a device such as an integrated circuit on the sub-straight and grinding and polishing the back surface of the formation surface. The present invention relates to a resin bond whetstone used for polishing in the process of manufacturing a sub-straight and a device wafer by a silicon wafer.
웨이퍼 표면의 연삭가공 및 집적회로 뒷면의 연삭가공에서는, 도 1에서 보이는 바와 같은 컵형의 연삭 숫돌을 사용하고, 도 2에서 보이는 바와 같이 하여 연삭가공이 행해진다. 도 1은 연삭 숫돌의 외관의 일례를 보이는 사시도이며, 연삭 숫돌(40)에는, 철재료 또는 알루미늄 재료로 된 샹크(41)의 외주부 측면(42)에 다이아몬드 입자 또는 CBN 입자와 레진 본드로 이루어진 세그멘트 형의 입자층(43)이 고착되어 있다. 도 2는 실리콘 웨이퍼의 표면 연삭 가공 방법의 일례를 나타내는 그림이며, 연삭 장치에 배설된 척 테이블(60)의 흡착면(61)에 웨이퍼(50)를 흡인 유지하고, 연삭 숫돌(40)의 하부에 있는 입자층(43)과 웨이퍼(50)의 표면이 평행한 상태를 유지함과 동시에 척 테이블(61)의 회전 중심을 통하도록 연삭 숫돌(40)을 회전시키면서 하강시키고, 입자층(43)을 웨이퍼(50)에 접촉시키는 것에 의하여 연삭을 행한다.In the grinding processing on the wafer surface and the grinding processing on the back of the integrated circuit, grinding processing is performed as shown in FIG. 2 using a cup grinding wheel as shown in FIG. 1. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of the grinding wheel, the grinding wheel 40 is a segment consisting of diamond particles or CBN particles and resin bond on the outer peripheral side surface 42 of the shank 41 made of iron or aluminum material. The mold particle layer 43 is fixed. FIG. 2 is a diagram showing an example of a surface grinding processing method of a silicon wafer, which sucks and holds the wafer 50 on the suction surface 61 of the chuck table 60 disposed in the grinding apparatus, and lowers the grinding wheel 40. While keeping the surface of the particle layer 43 and the surface of the wafer 50 parallel to each other, the grinding grindstone 40 is lowered while rotating through the rotation center of the chuck table 61, and the particle layer 43 is lowered to the wafer ( Grinding is carried out by contacting with 50).
웨이퍼의 표면을 연삭하는 가공에서는, 연삭 숫돌의 레진 본드의 탄성이 크기때문에, 연삭시에 입자가 본드층으로 들어가기 쉬우며, 레진 본드가 웨이퍼와 접촉하여 마찰이 발생한다. 웨이퍼는 취성이 극히 큰 재료이며, 또한 두께가 스브 스트레이트에서 약 700～800μm, 집적회로가 형성된 디바이스 웨이퍼에서는 30～200μm으로 극히 얇기 때문에, 연삭 가공시에 레진 본드와의 사이에 마찰이 생기면, 웨이퍼에서 벽개 크랙이 발생한다든지 파손되는 문제가 발생한다.In the process of grinding the surface of a wafer, since the elasticity of the resin bond of a grinding wheel is large, particle | grains easily enter a bond layer at the time of grinding, and resin bond contacts a wafer and friction generate | occur | produces. Wafers are extremely brittle and extremely thin at about 700 to 800 μm in sb straight and 30 to 200 μm at device wafers with integrated circuits. Thus, when friction occurs between resin bonds during grinding, The problem arises that the cracks in the cleavage or breakage.
레진 본드가 연질이기 때문에, 연삭시의 마멸이 크며, 숫돌 수명이 짧다는 문제에 대하여, 필러(filler)로서 구상의 SiO2를 분산 배치하는 방법과, ZnO 및 고체윤활제를 포함하는 필러를 분산 배치하는 방법이 제안되어 있다. 이와 같이 필러를 첨가하는 것에 의하여 입자층의 내마모성을 향상시키는 방법이 시도되고 있다.Since the resin bond is soft, a method of dispersing spherical SiO 2 as a filler and dispersing a filler containing ZnO and a solid lubricant for the problem of large abrasion during grinding and short grinding wheel life. It is proposed how to. Thus, the method of improving the wear resistance of a particle layer is tried by adding a filler.
그러나, 상기의 실리콘 웨이퍼의 연삭 가공시의 문제를 해결하려면, 필러를 다량 첨가할 필요가 있다. 필러의 첨가량이 많아지면 상대적으로 레진 본드의 양이 감소하고, 필러의 유지력이 저하하여 필러의 탈락이 발생하기 쉽게 된다. 이 때문에, 다량의 필러를 첨가하면, 반대로 마멸의 진행이 빨라지고, 입자층의 형상 붕괴가 심하게 되며, 숫돌의 수명이 짧아지는 문제가 있다.However, in order to solve the problem at the time of grinding the silicon wafer, it is necessary to add a large amount of filler. As the amount of filler added increases, the amount of resin bonds decreases relatively, the holding force of the filler decreases, and the peeling of the filler easily occurs. For this reason, when a large amount of filler is added, the advancing of abrasion on the contrary becomes rapid, the shape collapse of a particle layer becomes severe, and there exists a problem of shortening the life of a grindstone.
이것에 대하여, 다공질 규산 칼슘을 입자층 중에 분산시키는 것에 의하여, 다공질 규산 칼슘의 기공내로 수지가 들어가서 고화되며, 입자의 브릿지 작용에 의하여 입자층의 강도가 향상되어, 입자의 조기 탈락이나 입자층의 형상 붕괴를 방지하도록 하고 있다. 그러나 이 고안에서는, 다공질 규산 칼슘이 연삭시에 파괴되어 칩포켓을 형성하도록 하고 있다. 따라서 다공질 규산 칼슘을 다량으로 첨가하더라도 내마모성을 향상시키는 효과는 없으며, 숫돌의 수명을 향상시킬 수는 없다. 또한, 실리콘 웨이퍼 연삭에서 중요한 과제인 금속 오염을 고려하면, Si 이외의 금속 원소(Al)을 포함하는 다공질 규산 칼슘은, 실리콘 웨이퍼 연삭용 숫돌의 필러로는 적당하지 않다.On the other hand, by dispersing the porous calcium silicate in the particle layer, the resin enters into the pores of the porous calcium silicate and solidifies, and the strength of the particle layer is improved by the bridging of the particles, resulting in premature dropping of the particles and shape collapse of the particle layer. To prevent it. In this design, however, porous calcium silicate is broken during grinding to form chip pockets. Therefore, even if a large amount of porous calcium silicate is added, there is no effect of improving wear resistance, and the life of the grindstone cannot be improved. In addition, in consideration of metal contamination, which is an important problem in silicon wafer grinding, porous calcium silicate containing a metal element (Al) other than Si is not suitable as a filler for grinding wheels for silicon wafer grinding.
본 고안이 해결하려는 과제는, 레진 본드 숫돌의 내마모성을 높이기 위하여 필러를 첨가함에 있어서, 필러의 유지력을 저하시킴이 없이, 필러의 첨가량의 증대를 가능하게 하며, 입자층의 내마모성을 향상시키고, 더욱이 피연삭재의 오염원으로 되는 반응 생성물을 형성시키지 않는 컵형 레진 본드 숫돌(40)을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to add the filler in order to increase the wear resistance of the resin-bonded grindstone, to increase the amount of filler added without lowering the holding force of the filler, to improve the wear resistance of the particle layer, furthermore It is to provide a cup-type resin-bonded grindstone 40 which does not form a reaction product that is a source of grinding material.
본 고안은, 샹크의 외주부의 원주면 또는 측면에 입자층이 고착된, 실리콘 웨이퍼 및 디바이스 웨이퍼의 가공에 사용하는 레진 본드 숫돌에 있어서, 입자층을 구성하는 재료로서 다공질 CeO2를 필러로서 첨가하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a resin bond whetstone for use in processing a silicon wafer and a device wafer, in which a particle layer is fixed to a circumferential surface or side surface of an outer circumferential portion of a shank, wherein porous CeO 2 is added as a filler as a material constituting the particle layer. It is done.
입자층에 첨가하는 필러로서 다공질 이산화 규소를 첨가하는 것에 의하여, 입자와 레진 본드와 필러를 혼합하여 성형하는 때에, 레진 본드가 필러 표면의 미세 구멍으로 들어가고, 레진 본드가 필러를 유지하는 힘이 크게 향상된다.By adding porous silicon dioxide as the filler to be added to the particle layer, the resin bond enters into the fine pores on the filler surface when the particles, resin bond and filler are mixed and molded, and the force of the resin bond holding filler is greatly improved. do.
상기한 다공질 CeO2는, 입경 1～100nm의 미세한 1차 입자를 구성하고, 소결에 의하여 집합시킨 입경 5～15μm의 2차 입자이며, 표면 및 내부에 미세 구멍이 다수형성되어 있다. 미세 구멍의 크기 및 개수는, 1차 입자를 구성하고 소결하는 때의 조건 설정에 의하여 조정할 수가 있다. 또한, 다공질 CeO2는 실리콘 웨이퍼의 연삭시에 웨이퍼의 오염원으로 되는 반응 생성물을 형성하지 않고, 또한 CeO2로는 고순도(98% 이상)의 것을 사용하는 것이 바람직하다.The above-mentioned porous CeO 2 constitutes fine primary particles having a particle size of 1 to 100 nm, is secondary particles having a particle size of 5 to 15 μm which are collected by sintering, and a large number of fine pores are formed on the surface and inside. The size and number of the fine pores can be adjusted by setting the conditions when forming and sintering the primary particles. In addition, it is preferable that porous CeO 2 does not form a reaction product which becomes a contamination source of the wafer at the time of grinding a silicon wafer, and that CeO 2 is one of high purity (98% or more).
다공질 CeO2의 압축강도는 40～49MPa 범위으로 하는 것이 바람직하다. 압축강도가 40MPa 보다 작으면 연삭시에 파괴되는 경우가 있으며, 입자층의 내마모성을 향상시킬 수가 없다.The compressive strength of the porous CeO 2 is preferably in the range of 40 to 49 MPa. If the compressive strength is less than 40 MPa, it may be broken during grinding, and the wear resistance of the particle layer cannot be improved.
또한, 다공질 CeO2의 함유량은, 입자층 전체의 20～40%(vol)으로 하는 것이 바람직하다. 다공질 CeO2의 함유량이 20%(vol) 보다 작으면, 입자층의 마멸을 충분히 억제할 수가 없다. 한편, 다공질 CeO2의 함유량이 40%(vol)를 초과하면, 레진 본드의 양이 적기 때문에 다공질 CeO2의 충분한 유지력이 얻어지지 않으며, 다공질 CeO2가 탈락하기 쉽게되며, 오히려 입자층의 마모 진행이 빨라지게 된다.The content of CeO 2 is porous, it is preferred that the 20 ~ 40% (vol) of the total grain. If the content of porous CeO 2 is less than 20% (vol), the abrasion of the particle layer cannot be sufficiently suppressed. On the other hand, when the content of the porous CeO 2 exceeds 40% (vol), does not have sufficient holding force of the porous CeO 2 obtained because of less amount of resin bonded, porous CeO is a divalent easily eliminated, rather than the wear progress of grain Will be faster.
다공질 CeO2를 첨가한 입자층을 샹크에 고착한 레진 본드 숫돌은 종래의 레진 본드 숫돌과 동일한 제조 방법에 의하여 제조할 수가 있다. 즉, 입자와 수지와 다공질 CeO2를 혼련하고, 150～300℃ 정도의 온도에서 성형하여 입자층을 형성하고, 입자층을 샹크의 외주면 또는 외주부 측면에 고착시키는 것에 의하여, 도 1에 보이는 바와 같은 컵형 레진본드 숫돌(40)로 된다.A resin bonded grinding wheel fixed to the particle layer by adding a porous CeO 2 in the shank can be produced by the same production method as the conventional resin bond grinding stone. That is, by mixing the particles, the resin and the porous CeO 2 , forming at a temperature of about 150 to 300 ° C. to form a particle layer, and fixing the particle layer to the outer circumferential surface or the outer circumferential side of the shank, the cup resin as shown in FIG. 1. It becomes the bond grindstone 40.
[실시예]EXAMPLE
아래에, 본 고안의 실시예를 설명한다. 시험에 사용한 레진 본드 숫돌(40)은, 도 1에서 보이는 바와 같은 컵형 숫돌이며, 샹크(31)는 알루미늄 재료로서 외경 250mm이다. 입자층(33)은 입도 #3000의 다이아몬드 입자와 레진 본드인 페놀 수지와 필러로 이루어진다. 수지의 종류로는 페놀 수지에 한정되는 것은 아니다. 또한, 다이아몬드 입자의 입도에 대하여도 #325～#8000의 입도로부터 요구되는 표면거칠기에 맞는 것을 적절히 선정한다. 여기서, 본 고안의 숫돌은 필러로서 평균 입경 3μm의 다공질 CeO2(순도 99% 이상)을 사용하고, 다공질 CeO2의 배합비를 바꾼 고안품 1～3의 숫돌이며, 비교예의 숫돌은 다공질 CeO2의 압축 강도가 낮은 비교품의 숫돌이며, 종래예의 숫돌은 기공이 없는 무공질 CeO2의 배합비를 바꾼 종래품 1～3의 숫돌이다. 시험 조건은 아래와 같다.Below, an embodiment of the present invention will be described. The resin bond grinding wheel 40 used for the test is a cup grinding wheel as shown in FIG. 1, and the shank 31 is an aluminum material with an outer diameter of 250 mm. The particle layer 33 is composed of diamond particles having a particle size # 3000, a phenol resin and a filler which is a resin bond. The kind of resin is not limited to phenol resin. Moreover, also about the particle size of a diamond particle, what suited the surface roughness calculated | required from the particle size of # 325-# 8000 is selected suitably. Here, the grinding wheel of the subject innovation is an average particle size of 3μm porous CeO 2 use (purity: 99% or more), and the contrivance changing the compounding ratio of the porous CeO 2 1 ~ 3 of the grinding wheel as a filler, the comparative example wheel compresses the porous CeO 2 the strength of the comparative product wheel is low, the conventional example is a wheel of the prior art sharpener 1-3 changing the compounding ratio of the quality is not imperforate CeO 2 pore. The test conditions are as follows.
시험조건Exam conditions
연삭기계 : 종축 평면연삭기Grinding machine: longitudinal axis grinding machine
숫돌 회전속도 : 3800rpmWhetstone rotation speed: 3800rpm
피연삭재 : 8인치 실리콘 웨이퍼Workpiece: 8 inch silicon wafer
연삭량 : 20μmGrinding amount: 20μm
가공개수 : 900매Number of cutting: 900 sheets
표 1에 각 숫돌의 입자층의 배합과 다공질 CeO2의 압축 강도 및 연삭실험에 의한 숫돌 수명을 나타낸다.Table 1 shows the grindstone life by mixing the particle layer of each whetstone, compressive strength of the porous CeO 2 and the grinding test.
표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 고안품 1～3의 숫돌은, 다공질 CeO2의 첨가량에 비례하여 숫돌 수명이 향상되고 있다. 다공질 CeO2의 첨가량이 증가하여 상대적으로 페놀 수지의 양이 감소하더라도, 다공질 CeO2를 유지하는 힘이 저하되는 일이 없이, 입자층의 내마모성이 향상되는 것을 확인하였다.As can be seen from Table 1, the grindstones of the inventions 1 to 3 have an improved grindstone life in proportion to the amount of porous CeO 2 added. Even if the amount of the porous CeO 2 added increased and the amount of the phenol resin was relatively decreased, it was confirmed that the wear resistance of the particle layer was improved without decreasing the force for maintaining the porous CeO 2 .
비교품의 숫돌은, 숫돌 수명이 종래품 1의 숫돌의 1/10 이었다. 시험후의 입자층을 관찰한 결과, 필러인 다공질 CeO2가 파쇄를 일으켰다. 다공질 CeO2의 강도가 낮은 것에 의하여, 연삭시에 다공질 CeO2가 파쇄를 일으키고, 내마모성 향상의 효과가 얻어지지 않는다. 종래품 2, 3의 숫돌은 종래품 1에 비하여 필러량이 증가하였음에도 불구하고, 숫돌 수명이 저하되었다. 다공질 CeO2를 사용하고 있으므로, 필러량의 증가에 동반하여 페놀 수지에 의한 필러의 유지력이 저하되어 탈락하고, 입자층의 내마모성이 저하된다.The whetstone life of the whetstone of the comparative product was 1/10 of the whetstone of the prior art 1. As a result of observing the particle layer after the test, porous CeO 2 as a filler caused crushing. When the strength of the porous CeO 2 is low, the porous CeO 2 is crushed at the time of grinding, and the effect of improving the wear resistance is not obtained. Although the grindstones of the conventional products 2 and 3 have an increased filler amount compared with the conventional product 1, the grindstone life has decreased. Since porous CeO 2 is used, the holding force of the filler by the phenol resin decreases and falls off with the increase of the filler amount, and the wear resistance of the particle layer is reduced.
레진 본드 숫돌의 입자층에 다공질 CeO2를 필러로서 첨가하는 것에 의하여, 필러의 유지력이 저하되는 일이 없이, 필러의 첨가량의 증가를 가능하게 하며, 입자층의 내마모성을 향상시킬 수 있다. 그 결과 실리콘 웨이퍼의 표면 가공용 레진 본드 숫돌에서는, 본드층의 탄성을 작게할 수가 있으며, 본드층이 웨이퍼와 접촉하여 웨이퍼에 벽개 크랙이나 파손이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한 오염원으로 되는 반응 생성물을 형성하지 않게 된다.By adding porous CeO 2 to the particle layer of the resin-bonded grindstone as a filler, it is possible to increase the amount of the filler added without lowering the holding force of the filler and to improve wear resistance of the particle layer. As a result, in the resin bond grindstone for surface processing of a silicon wafer, the elasticity of a bond layer can be made small, and it can prevent that a bond layer contacts a wafer and a cleavage crack and damage generate | occur | produce in a wafer. In addition, it does not form a reaction product that becomes a contaminant.
도 1은 본 고안 레진 본드 숫돌의 외관을 나타내는 사시도1 is a perspective view showing the appearance of the resin bond whetstone of the present invention
도 2는 본 고안 레진 본드 숫돌에 의한 웨이퍼 연마 방식을 나타내는 상태도Figure 2 is a state diagram showing the wafer polishing method by the present invention resin bond whetstone
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
40 : 컵형 레진본드 숫돌 41 : 샹크40: cup-type resin bond grinding wheel 41: shank
42 : 외주부 측면 43 : 입자층42: outer peripheral side 43: particle layer
50 : 웨이퍼 60 : 척 테이블50: wafer 60: chuck table
61 : 흡착면61: adsorption surface
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