KR200383500Y1 - Fitting Type Power Semiconductor Package Device - Google Patents
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Abstract
본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는, 반도체 소자 상부의 스페이서를 내부에 끼워넣어 이탈을 막을 수 있고, 또한 동시에, 끼워넣을 때의 충격을 완화할 수 있고, 반도체 소자의 우수한 보호기능을 제공한다. 본 고안의 장치는, 리드 부재, 반도체 소자, 컵 부재를 포함한다. 컵 부재에는 컵 부재의 동체, 컵 부재의 내벽, 홈부 및 전열부를 형성하고, 전열부가 종방향으로 돌출하는 환상 돌기 및 횡방향으로 연장되어 나오는 고정벽을 형성하며, 홈부의 내부에는 컵 부재의 내벽에 접촉되는 완충 부시를 마련하고, 반도체 소자 및 리드 부재 주위에는 절연재를 도포하여, 반도체 소자와 접촉하지 않는 영역을 절연시키며, 컵 부재의 동체 내에 스페이서를 주입한다. 고정벽은 컵 부재의 동체 내에 스페이서를 고정, 지지하는 것을 가능하게 한다.The fit-type power semiconductor package device of the present invention can prevent separation by inserting a spacer on the upper portion of the semiconductor element inside, and at the same time, can reduce the impact of the insertion, and provides excellent protection function of the semiconductor element. . The apparatus of the present invention includes a lead member, a semiconductor element, and a cup member. The cup member forms a body of the cup member, an inner wall of the cup member, a groove portion, and a heat transfer portion, and forms an annular projection that protrudes in the longitudinal direction and a fixed wall extending laterally, and an inner wall of the cup member inside the groove portion. The buffer bush which contacts is provided, and an insulating material is apply | coated around a semiconductor element and a lead member, the area | region which does not contact a semiconductor element is insulated, and a spacer is inject | poured in the fuselage | body of a cup member. The fixed wall makes it possible to fix and support the spacer in the body of the cup member.
Description
본 고안은 끼워맞춤식(嵌合式) 파워 반도체 패키지 장치에 관한 것으로, 특히 끼워맞춤으로써 자동차나 공업상의 다이오드 정류기에 응용되는 것이다.The present invention relates to a tailor-made power semiconductor package device, and in particular, to be applied to a diode rectifier for automobiles or industrial use.
끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는 끼워맞춤식으로 자동차나 공업상의 다이오드 정류기에 응용되는데, 발전기 안에 설치되어 교류전류를 직류로 정류하는 역할을 한다. 고온의 발전기에 위치하므로, 특히 자동차 공업에 응용되는 것은, 그 내부구조가 고도의 안정성을 필요로 한다. 또한, 밀착방식으로 정류기 내에 끼워넣어지므로 끼워넣을 때에 상당한 응력을 받게 되므로 이에 견딜 필요가 있다.The fitting power semiconductor package device is a fitting application to an automotive or industrial diode rectifier, which is installed in a generator to rectify an alternating current into a direct current. Since it is located in a high temperature generator, the application of the automobile industry, in particular, requires a high degree of stability in its internal structure. In addition, since it is embedded in the rectifier in a close manner, it is required to withstand this because it is subjected to considerable stress upon insertion.
본 고안의 출원인은 이미 '끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치'라는 명칭으로 대만 특허 제529768호(공고일: 2003년 4월 21일)를 획득한 바 있다. 도 1을 참조하여 이 관련기술의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치에 대해 설명한다. 이 장치는, 리드 부재(10a), 반도체 소자(20a), 컵 부재(30a), 절연재(50a) 및 스페이서(60a)를 포함한다. 반도체 소자(20a)는 리드 부재(10a)와 연결되고, 상기 컵 부재(30a)의 내부에는 컵 부재의 동체(31a), 컵 부재의 내벽(32a), 홈부(33a) 및 전열부(34a)가 형성되며, 나아가 상기 전열부(34a)의 상부에 환상 돌기(35a)가 형성되고, 또한 상기 전열부(34a)는 반도체 소자(20a)에 연결되며, 상기 절연재(50a)는 반도체 소자(20a) 및 상기 전열부(34a)의 상부에 도포되어, 반도체 소자(20a)와 접촉하지 않는 부분이 절연되고, 상기 스페이서(60a)는 절연재(50a)의 바깥 쪽에 피복된다.The applicant of the present invention has already obtained Taiwan Patent No. 529768 (announcement date: April 21, 2003) under the name of 'fitting power semiconductor package device'. With reference to Fig. 1, a tailor-made power semiconductor package device of the related art will be described. This apparatus includes the lead member 10a, the semiconductor element 20a, the cup member 30a, the insulating material 50a, and the spacer 60a. The semiconductor element 20a is connected to the lead member 10a, and the inside of the cup member 30a has a body 31a of the cup member, an inner wall 32a of the cup member, a groove 33a, and a heat transfer part 34a. Is formed, and further, an annular protrusion 35a is formed on the heat transfer part 34a, and the heat transfer part 34a is connected to the semiconductor element 20a, and the insulating material 50a is a semiconductor element 20a. ) And a portion which is not applied to the semiconductor element 20a are insulated from each other, and the spacer 60a is coated on the outer side of the insulating material 50a.
전술한 관련기술은 끼워넣을 때에 발생하는 힘을 변경하여 컵 부재에 발생되는 변형력을 컵 부재(30a)의 홈부(33a)에 집중시켜, 전열부(34a) 상에 위치하는 반도체 소자(20a)를 보호할 수가 있다. 이렇게 하여, 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치에 끼워넣을 때의 충격의 문제를 해결하고, 조립할 때의 수율을 확보하며, 나아가 상기 절연재(50a) 및 스페이서(60a)에 의해 반도체 소자(20a)의 절연 및 수분 격리 기능을 제공할 수가 있다.The above-described related art changes the force generated at the time of insertion so as to concentrate the deformation force generated in the cup member in the groove portion 33a of the cup member 30a, thereby placing the semiconductor element 20a positioned on the heat transfer portion 34a. I can protect it. In this way, it solves the problem of the impact at the time of being inserted into the fit-type power semiconductor package apparatus, ensures the yield at the time of assembly, and also insulates the semiconductor element 20a by the said insulating material 50a and the spacer 60a, and Moisture isolation can be provided.
그러나, 전술한 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는 컵 부재의 동체(31a)에 경질의 합성수지(molding component)(70a)를 주입하여 반도체 소자(20a)를 보호하고 있다. 경질의 합성수지(70a)는 주입된 후 경화되는 성질이 있다. 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치에 끼워넣을 때, 경질의 합성수지(70a)는 누르는 힘을 받아 컵 부재의 동체(31a)와 쉽게 떨어지게 된다. 또 한편으로, 경질재료이므로 응력을 반도체 소자(20a)에 쉽게 전달하여 그를 손상시키는 경우도 있다.However, the above-described fit-type power semiconductor package device protects the semiconductor element 20a by injecting a hard molding component 70a into the body 31a of the cup member. Hard synthetic resin 70a has the property of being cured after being injected. When inserted into the fitted power semiconductor package device, the hard synthetic resin 70a is easily separated from the body 31a of the cup member by the pressing force. On the other hand, since it is a hard material, a stress may be easily transmitted to the semiconductor element 20a and may damage it.
따라서, 이상과 같이, 상기의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치를 제조, 조립할 때에, 경질의 몰딩재를 주입한 제품에 응용한다는 것은 결코 용이한 것이 아님을 알 수 있다.Therefore, as mentioned above, when manufacturing and assembling said fitting power semiconductor package apparatus, it turns out that it is never easy to apply to the product which injected the hard molding material.
그리하여, 본 고안의 고안자는 이론적 및 실제적 연구를 거듭함으로써 합리적인 설계로 전술한 바와 같은 결점을 효율적으로 보완한 본 고안을 안출하게 되었다.Thus, the inventors of the present invention have repeatedly devised theoretical and practical studies to devise the present invention that efficiently compensates for the above-described drawbacks with reasonable design.
본 고안의 주요한 목적은, 끼워넣어 조립할 때에, 반도체 소자의 상부의 스페이서 내부를 맞물리게 하여, 이탈을 방지하고 반도체 소자의 보호작용 및 제품의 수율을 확보하는 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치를 제공하는 데에 있다.The main object of the present invention is to provide a tailor-made power semiconductor package device which engages the spacer inside the upper portion of the semiconductor element when it is embedded and assembles, thereby preventing separation and securing the protective action of the semiconductor element and the yield of the product. have.
본 고안의 다른 목적은, 끼워넣을 때의 충격을 동시에 완화하는 것이 가능하고, 반도체 소자에 우수한 보호기능을 제공하는 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치를 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a tailor-made power semiconductor package device capable of simultaneously alleviating an impact at the time of insertion and providing an excellent protection function to a semiconductor element.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는, 리드 부재, 반도체 소자, 컵 부재, 완충 부시, 절연재 및 스페이서를 포함한다. 상기 반도체 소자는 리드 부재에 연결되는 것이고, 상기 컵 부재에는 컵 부재의 동체, 컵 부재의 내벽, 홈부 및 전열부를 형성하고, 상기 전열부에는 종방향으로 돌출하는 환상 돌기 및 횡방향으로 연장되어 나오는 고정벽을 형성하며, 나아가 상기 전열부는 반도체 소자에 연결되고, 상기 완충 부시는 홈 내부를 둘러싸며, 또한 컵 부재의 내벽에 접촉하고, 상기 절연재는 반도체 소자 및 전열부의 상부에 도포되어, 반도체 소자와 접촉하지 않는 부분을 절연시키며, 상기 스페이서는 컵 부재의 동체 내에 삽입되며 절연재 위에 피복된다.In order to achieve this object, the fitted power semiconductor package device of the present invention includes a lead member, a semiconductor element, a cup member, a buffer bush, an insulating material, and a spacer. The semiconductor element is connected to a lead member, wherein the cup member has a body of the cup member, an inner wall of the cup member, a groove portion, and a heat transfer portion, and an annular protrusion protruding in the longitudinal direction and extending in the transverse direction to the heat transfer portion. Forming a fixed wall, wherein the heat transfer portion is connected to the semiconductor element, the buffer bush surrounds the inside of the groove, and contacts the inner wall of the cup member, and the insulating material is applied on the semiconductor element and the heat transfer portion, Insulating portions not in contact with the spacers are inserted into the fuselage of the cup member and coated over the insulating material.
본 고안의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 이하에 상세히 설명한다. 그러나, 이러한 설명은 단지 본 고안을 설명하기 위한 것으로서, 본 고안의 권리범위에 어떠한 제한을 가하는 것은 아니다.Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. However, this description is only for illustrating the present invention, and does not impose any limitation on the scope of the present invention.
도 2 및 도 3은, 각각 본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 일부 단면도 및 도 2 중의 A 부분의 확대도이다. 본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는, 플레이트(2)의 내부에 컵 부재의 동체(31)와 컵 부재의 내벽(32), 환상 홈부(33) 및 전열부(34)를 형성하고, 상기 전열부(34)는 컵 부재(30)의 밑 부분 컵 부재(30)의 내부에서 위를 향해 돌출되며, 그리고 평탄한 윗 부분 위에 반도체 소자(20)가 설치된다. 상기 홈부(33)는 환상을 이루고 전열부(34)의 주위에 형성된다. 상기 전열부(34)에는 종방향으로 돌출되는 환상 돌기(35) 및 횡방향으로 연장되어 나오는 고정벽(36)이 형성된다. 컵 부재(30)의 밑 부분에는 요부(凹部)(37)가 있고, 또한 이 컵 부재(30)의 바깥 쪽에는 복수의 홈(38)들이 실장 구멍 내에 밀착되어 형성된다.2 and 3 are each a partial cross-sectional view of the fitted power semiconductor package device of the present invention and an enlarged view of part A in FIG. 2. In the fitted power semiconductor package device of the present invention, the body 31 of the cup member, the inner wall 32 of the cup member, the annular groove portion 33, and the heat transfer portion 34 are formed inside the plate 2, The heat transfer part 34 protrudes upward from the inside of the bottom cup member 30 of the cup member 30, and the semiconductor element 20 is provided on the flat upper portion. The groove portion 33 forms an annular shape and is formed around the heat transfer portion 34. The heat transfer part 34 is provided with an annular projection 35 protruding in the longitudinal direction and a fixing wall 36 extending in the lateral direction. A recess 37 is provided at the bottom of the cup member 30, and a plurality of grooves 38 are formed in close contact with the mounting holes on the outside of the cup member 30.
상기 전열부(34), 컵 부재의 동체(31) 및 홈부(33)는 컵 부재(30)의 내부에 대칭적으로 마련된다. 상기 환상 돌기(35)는 상기 반도체 소자(20)를 상기 전열부(34)의 중앙에 설치하기 쉽게 한다.The heat transfer part 34, the body 31 of the cup member and the groove part 33 are provided symmetrically in the cup member 30. The annular protrusion 35 makes it easy to install the semiconductor element 20 in the center of the heat transfer part 34.
본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는, 나아가 완충 부시(40)를 구비하는데, 홈부(33)의 내부에 둘러싸도록 배치되며, 또한 컵 부재의 내벽(32)에 접촉된다. 이 완충 부시(40)의 재료는 탄력성이 있는 재료이고, 이에 의해 끼워넣는 과정에서 외부의 응력을 줄여 약하게 할 수 있다. 몰딩시의 온도는 섭씨 200도 정도까지 상승하므로 이 완충 부시(40)의 재료는 섭씨 200도 이상에 견딜 수 있는 재료인 것이 바람직하다.The fitted power semiconductor package device of the present invention further includes a buffer bush 40, which is arranged to enclose the inside of the groove 33 and is in contact with the inner wall 32 of the cup member. The material of the buffer bush 40 is an elastic material, whereby external stress can be reduced and weakened in the process of embedding. Since the temperature at the time of molding rises to about 200 degree Celsius, it is preferable that the material of this buffer bush 40 is a material which can endure 200 degreeC or more.
상기 반도체 소자(20) 및 리드 부재(10)의 주위 표면에는 절연재(50)를 도포한다. 이에 의해, 상기 전열부(34)의 환상 돌기(35)는 절연재(50)가 컵 부재(30)의 홈부(33) 내부로 유입하는 것을 막을 수 있고, 반도체 소자(20)를 전열부(34)의 위에 밀봉하고, 반도체 소자(20)와 접촉하지 않는 영역을 절연시킨다. 상기 절연재(50)의 재료는 폴리이미드이면 좋은데, 폴리이미드는 고온에 잘 견디고 높은 절연 특성이 있다. 반도체 소자(20)의 작동시에 고온이 되는 경우, 폴리이미드의 내열과 절연 특성은 반도체 소자(20)와 전열부(34)의 비접촉 영역을 절연시키고 또한 반도체 소자(20)와 리드 부재(10)의 비접촉 영역을 절연상태로 하며, 이에 의해 반도체 소자(20)를 고온 및 저온 상태에서 작동시킬 때 전기의 누설량을 저감할 수 있다.An insulating material 50 is applied to the peripheral surfaces of the semiconductor element 20 and the lead member 10. As a result, the annular protrusion 35 of the heat transfer part 34 can prevent the insulating material 50 from flowing into the groove 33 of the cup member 30, and the semiconductor element 20 is transferred to the heat transfer part 34. ), And insulate the region not in contact with the semiconductor element 20. The material of the insulating material 50 may be polyimide, but the polyimide is well resistant to high temperature and has high insulating properties. When the semiconductor device 20 becomes hot during operation, the heat resistance and insulation characteristics of the polyimide insulate the non-contact region of the semiconductor element 20 and the heat transfer part 34 and further, the semiconductor element 20 and the lead member 10. The non-contacting region of) is insulated, whereby the amount of leakage of electricity can be reduced when operating the semiconductor element 20 at high and low temperatures.
컵 부재의 동체(31) 내부에는 스페이서(60)를 주입한다. 이 스페이서(60)는 절연재(50)와 리드 부재(10)의 밑 부분에 피복시키고, 반도체 소자(20)의 작동시 습기의 침투를 방지할 수 있도록 사용된다. 스페이서의 재료는 에폭시가 좋은데, 에폭시 수지는 우수한 방습 효과가 있고, 고온 및 저온 상태에서도 원래의 방습 특성을 발휘할 수 있어, 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 동작을 정상으로 유지할 수 있게 된다. 상기 전열부(34)의 상기 고정벽(36)은 상기 컵 부재의 동체(31)의 스페이서(60)를 고정하여 맞물리게 하고, 밀착시의 압력에 의한 컵 부재(30)의 탈락을 막을 수 있다.The spacer 60 is injected into the body 31 of the cup member. The spacer 60 is used to cover the lower portion of the insulating material 50 and the lead member 10 and to prevent the penetration of moisture during the operation of the semiconductor element 20. The material of the spacer is epoxy, but the epoxy resin has an excellent moisture-proof effect, and can exhibit the original moisture-proof property even at high and low temperatures, so that the operation of the fitted power semiconductor package device can be kept normal. The fixing wall 36 of the heat transfer part 34 may fix and engage the spacer 60 of the body 31 of the cup member, and prevent the cup member 30 from falling off due to the pressure at the time of close contact. .
덧붙여서, 본 고안의 완충 부시(40)의 안쪽에는 스페이서(60)와의 맞물림부(42)를 더 형성하여, 이에 의해 끼워넣을 때에 완충 부시(40)의 탈락을 막을 수 있다. 도 2의 A 부분에 도시한 바와 같이, 상기 완충 부시(40)의 맞물림부(42)는 컵 부재의 동체(31)를 향해 돌출되고, 그리고 맞물림부(42)는 스페이서(60)의 안쪽으로 맞물린다. 상기 완충 부시(40)의 맞물림부는 오목한 형상이 좋은데, 스페이서(60)와 맞물려 컵 부재의 동체(31) 내부에서 상기 완충 부시(40)를 고정, 지지한다.In addition, the engaging portion 42 with the spacer 60 is further formed inside the buffer bush 40 of the present invention, whereby the buffer bush 40 can be prevented from falling off when it is fitted. As shown in part A of FIG. 2, the engagement portion 42 of the buffer bush 40 protrudes toward the body 31 of the cup member, and the engagement portion 42 is inward of the spacer 60. To interlock. The engagement portion of the buffer bush 40 has a concave shape, but is engaged with the spacer 60 to fix and support the buffer bush 40 in the body 31 of the cup member.
본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치가 밀착방식에 의해 플레이트(2)의 실장 구멍에 맞물리는 경우에, 이 플레이트(2)는 컵 부재(30)를 향해 횡방향의 힘을 인가한다. 전열부(34)에서 컵 부재(30)의 밑 부분까지의 강도는 홈부(33)의 밑 부분에서 컵 부재(30)의 밑 부분까지의 강도보다 크기 때문에, 만곡 변이도는 홈부(33) 및 컵 부재(30)의 밑 부분에 집중된다. 이에 의해 전열부(34)의 만곡 변이량을 감소시킬 수 있고, 전열부(34) 상부의 반도체 소자(20)를 손상으로부터 보호하고, 또한 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 원래의 효능을 유지할 수 있다.When the fitted power semiconductor package device of the present invention is engaged with the mounting holes of the plate 2 by a close contact method, the plate 2 applies a lateral force toward the cup member 30. Since the strength from the heat transfer portion 34 to the bottom portion of the cup member 30 is greater than the strength from the bottom portion of the groove portion 33 to the bottom portion of the cup member 30, the degree of curvature is greater than that of the groove portion 33 and the cup. Concentrated at the bottom of the member 30. As a result, the amount of curvature variation of the heat transfer part 34 can be reduced, the semiconductor element 20 on the heat transfer part 34 can be protected from damage, and the original efficacy of the fit-type power semiconductor package device can be maintained.
나아가, 이 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치는, 플레이트(2)에 끼워넣을 때에 위에서 아래로 충격을 받는다. 본 고안에서 상기 완충 부시(40)는 먼저 스페이서(60)에 전달되는 충격을 완화, 저감하고, 또한 상기 스페이서가 눌리는 것을 막을 수 있으며, 그리고 상기 스페이서(60)는 반도체 소자(20)에 인가되는 충격을 더욱 저감하고, 이에 의해 반도체 소자(20)의 효능을 동시에 보호할 수가 있다.Furthermore, this fitted-in power semiconductor package device is impacted from top to bottom when it is fitted to the plate 2. In the present invention, the buffer bush 40 may first reduce and reduce the shock transmitted to the spacer 60, and also prevent the spacer from being pressed, and the spacer 60 may be applied to the semiconductor device 20. The impact can be further reduced, whereby the efficacy of the semiconductor element 20 can be protected at the same time.
본 고안의 이밖의 특징은, 전열부(34)의 횡방향으로 돌출되는 상기 고정벽(36)에 의해 스페이서(60)를 맞물려 고정한다는 점이다. 설령 컵 부재(30)가 변형되어 스페이서(60)를 밀어내더라도, 상기 스페이서(60)는 컵 부재의 동체(31) 내에 고정, 지지되고, 이탈하는 일이 없다. 이에 의해 조립후의 제품의 수율을 확보할 수 있다.Another feature of the present invention is that the spacer 60 is engaged by the fixing wall 36 projecting in the lateral direction of the heat transfer part 34. Even if the cup member 30 deforms and pushes out the spacer 60, the spacer 60 is fixed, supported in the body 31 of the cup member, and does not detach. Thereby, the yield of the product after granulation can be ensured.
이상 서술한 바와 같이, 본 고안은 실용신안으로서의 요건에 충분히 부합한다. 그러나, 상술한 설명은 바람직한 일 실시예에 지나지 않고, 본 고안의 등록청구범위를 한정하는 것이 아니며, 본원 청구범위에 균등한 변경 혹은 수정은 모두 본 고안의 범위에 속한다.As mentioned above, this invention fully meets the requirements as a utility model. However, the above description is only one preferred embodiment and does not limit the scope of the claims of the present invention, and all changes or modifications equivalent to the claims of the present invention fall within the scope of the present invention.
도 1은 종래기술의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a fitted power semiconductor package device of the prior art.
도 2는 본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 부분단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of the fitted power semiconductor package device of the present invention.
도 3은 도 2의 A 부분의 확대도이다.3 is an enlarged view of a portion A of FIG. 2.
도 4는 본 고안의 끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치의 컵 부재의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the cup member of the fitted power semiconductor package device of the present invention.
<주요 참조부호의 설명><Description of Major References>
1...끼워맞춤식 파워 반도체 패키지 장치 10...리드 부재1 ... fitting power semiconductor package device 10 ... lead member
20...반도체 소자 30...컵 부재20 ... semiconductor element 30 ... cup member
31...컵 부재의 동체 32...컵 부재의 내벽31.Full body of the cup member 32 ... Inner wall of the cup member
33...홈부 34...전열부33.Home 34
35...환상 돌기 36...고정벽35 ... fantastic projection 36 ... fixed wall
37...요부(凹部) 38...홈37.Yobu 38 ... Home
40...완충 부시 42...맞물림부40 ... buffer bush 42 ... engagement
50...절연재 60...스페이서50 Insulation material 60 Spacer
2...플레이트2 ... plate
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2005-0004528U KR200383500Y1 (en) | 2005-02-21 | 2005-02-21 | Fitting Type Power Semiconductor Package Device |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100747787B1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-08 | 안영환 | A method for manufacturing a soybean paste including pine mushroom |
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2005
- 2005-02-21 KR KR20-2005-0004528U patent/KR200383500Y1/en not_active IP Right Cessation
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