KR200380052Y1 - Thermal conductivity tester - Google Patents
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Abstract
본 고안은 냉온반도체를 이용하여 냉열원을 공급하고 면상발열체를 이용하여 온열원을 공급하도록 구성하여 시료의 열전도율을 정밀하게 측정함과 동시에 단순한 구조를 가지는 열전도율 측정장치에 관한 것으로; 냉열판과 온열판 사이에 시료가 설치되고, 상기 시료와 접촉되는 냉열판과 온열판에 각각 온도 및 열류측정수단이 설치되는 열전도율 측정장치에 있어서, 상기 온열판의 외측면에는 면상발열체가 구비되고, 상기 냉열판의 외측면에는 일정간격을 유지하며 다수의 냉온반도체가 설치되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a thermal conductivity measuring device having a simple structure and precisely measuring thermal conductivity of a sample by supplying a cold heat source using a cold and warm semiconductor and supplying a heat source using a planar heating element; In the thermal conductivity measuring device is installed between the cooling plate and the heating plate, and the temperature and heat flow measuring means are respectively installed on the cooling plate and the heating plate in contact with the sample, the outer surface of the heating plate is provided with a planar heating element On the outer surface of the cold plate, a plurality of cold and warm semiconductors may be installed while maintaining a predetermined interval.
본 고안에 따르면 온열판의 외측부에는 면상발열체를 구비하여 가열시켜 줌으로서 열등고선이 고르게 퍼져 나가는 구성으로 통해 정밀도가 높아 신뢰성을 가지는 열전도율을 계측하는 효과가 있다.According to the present invention, the outer surface of the heating plate is provided with a planar heating element to heat the inferior contour lines evenly by heating, thereby measuring the thermal conductivity with high accuracy and reliability.
Description
본 고안은 열전도율 측정장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 설명하면 냉온반도체를 이용하여 냉열원을 공급하고 면상발열체를 이용하여 온열원을 공급하도록 구성하여 시료의 열전도율을 정밀하게 측정함과 동시에 단순한 구조를 가지는 열전도율 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thermal conductivity measuring apparatus, and more specifically, to provide a heat source using a cold and warm semiconductor and a heat source using a planar heating element to precisely measure the thermal conductivity of the sample and at the same time provide a simple structure. The branch relates to a thermal conductivity measuring apparatus.
일반적으로 열전도율은 어떤 시료에서 열이 이동하는 양을 정량적으로 나타내는 것으로, 시료 내부 임의의 점에서 등온면의 단위면적을 지나 이것과 수직으로 단위시간에 통과하는 열량과 이와의 비를 말하며, 열의 전달 정도를 나타내는 물질에 관한 상수인데 온도나 압력에 따라 달라지는 특징을 가지는 것이다.In general, the thermal conductivity is a quantitative measure of the amount of heat transfer in a sample, and refers to the amount of heat passing in the unit time perpendicular to the unit area of the isothermal surface at any point in the sample and the ratio thereof, and the heat transfer. Constant for a substance that represents a degree, which varies with temperature or pressure.
상기 열전도율을 측정하는 시스템의 일예로 등록실용신안 제0334651호의 "냉온반도체를 이용한 열전도율 측정기"에 개시된 바 있으며, 이에 따르면 항온조(2) 내부에서 온열원을 갖는 온열판(3)과 냉열원을 갖는 냉열판(4) 사이에 시료(5)가 설치되고, 상기 시료(5)와 접촉되는 온열판(3)과 냉열판(4)에 각각 온도 및 열류측정기(6)가 설치된 열전도율 측정기에 있어서, 상기 온열판(3)과 냉열판(4)의 배면에 일정간격을 두고 다수의 냉온반도체(7)가 설치되어, 상기 냉온반도체(7)의 고열회로에 의해 온열판(3)이 동작됨과 더불어 냉온반도체(7)의 저열회로에 의해 냉열판(4)이 동작되는 것을 특징으로 한다.As an example of the system for measuring the thermal conductivity has been disclosed in the "thermal conductivity measuring device using a cold and hot semiconductor" of Registered Utility Model No. 0334651, according to which there is a heating plate (3) having a heat source in the thermostat (2) and having a cold heat source In the thermal conductivity measuring device provided with a sample (5) between the cold plate 4, the temperature and heat flow measuring device (6) is provided on the heating plate (3) and the cold plate (4) in contact with the sample (5), respectively. A plurality of cold and warm semiconductors 7 are installed on the rear surfaces of the hot and cold plates 3 and 4, and the hot plates 3 are operated by a high temperature circuit of the cold and hot semiconductors 7. The cold plate 4 is operated by the low heat circuit of the cold / hot semiconductor 7.
그런데, 상기한 구성에 의하면, 항온조(2)가 필수적으로 구비되어 있어야 하므로 열전도율 측정기의 구성이 복잡하고 외형이 커지게 되어 운반 및 설치가 용이하지 아니하는 문제점을 가지고 있다.However, according to the above configuration, since the thermostat 2 is essentially provided, the configuration of the thermal conductivity measuring instrument is complicated and the appearance becomes large, and thus there is a problem that transportation and installation are not easy.
또한, 상기 열전도율 측정기는 냉온반도체(7)의 고열회로에 의해 온열판(3)을 가열시켜는 주는 구성을 채택함으로써, 온열판(3)에 다수의 냉온반도체(7)를 일정간격을 유지하며 다수를 배치하는 구조로 이루어져 온열판(3)의 특정한 두 지점의 온도차가 0.1℃이내로 균일하게 온도를 유지시켜주기가 쉽지 않아 시료의 열전도율을 계산시 신뢰성이 낮아지게 되는 문제점을 가지고 있다.In addition, the thermal conductivity measuring device adopts a configuration in which the heating plate 3 is heated by the high temperature circuit of the cold and warm semiconductors 7, thereby maintaining a plurality of cold and warm semiconductors 7 on the heating plate 3 at regular intervals. Since the temperature difference between two specific points of the heating plate 3 is not easily maintained uniformly within 0.1 ° C., the reliability of the sample is lowered when calculating the thermal conductivity of the sample.
따라서, 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 고안의 목적은 항온조가 필요없어 시스템의 구성이 간단하고, 온열판을 통해 시료에 전달되는 온도를 균일하게 유지하여 시료의 열전도율을 계산시 신뢰성을 가지는 열전도율 측정장치를 제공하는데 있다. Therefore, the object of the present invention is to solve these problems, the purpose of the present invention is to simplify the configuration of the system without the need for a thermostat, and to maintain the uniformity of the temperature transmitted to the sample through the heating plate to ensure the reliability of the thermal conductivity of the sample Branch is to provide a thermal conductivity measuring device.
본 고안은 열전도율 측정장치에 관한 것으로; 냉열판(10)과 온열판(20) 사이에 시료(1)가 설치되고, 상기 시료(1)와 접촉되는 냉열판(10)과 온열판(20)에 각각 온도 및 열류측정수단(80,82)이 설치되는 열전도율 측정장치에 있어서, 상기 온열판(20)의 외측면에는 면상발열체(60)가 구비되고, 상기 냉열판(10)의 외측면에는 일정간격을 유지하며 다수의 냉온반도체(50)가 설치되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a thermal conductivity measuring apparatus; The sample 1 is installed between the cold plate 10 and the hot plate 20, and the temperature and heat flow measuring means 80, respectively, on the cold plate 10 and the hot plate 20 in contact with the sample 1. In the thermal conductivity measuring device 82 is installed, the outer surface of the heating plate 20 is provided with a planar heating element 60, the outer surface of the cooling plate 10 maintains a predetermined interval and a plurality of cold and warm semiconductors ( 50) is installed.
이때, 상기 냉온반도체(50)의 외측면에는 히트싱크(52)와 방열팬(54)이 구비되고, 상기 냉온반도체(50)가 설치된 냉열판(10)의 외측면 나머지 부분은 단열재(70)가 설치되고, 상기 면상발열체(60)의 외측면에는 열손실을 줄이기 위한 단열재(72)가 설치되는 것을 특징으로 한다.At this time, the heat sink 52 and the heat dissipation fan 54 are provided on the outer surface of the cold / heat-semiconductor 50, and the remaining portion of the outer surface of the cold-heating plate 10 provided with the cold-heat semiconductor 50 is the heat insulating material 70 Is installed, the outer surface of the planar heating element 60 is characterized in that the heat insulating material 72 is installed to reduce the heat loss.
본 고안에 따른 열전도율 측정장치를 첨부한 도면을 참고로 하여 이하에 상세히 기술되는 실시예에 의하여 그 특징들을 이해할 수 있을 것이다. 도 1은 본 고안에 따른 열전도율 측정장치를 도시한 도면이고, 도 2는 본 고안에 따른 열전도율 측정장치에 설치되는 면상발열체를 도시한 도면이고, 도 3a 및 도 3b는 본 고안에 따른 면상발열체 및 냉온반도체의 열등고선을 도시한 도면이다.With reference to the accompanying drawings, the thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention will be understood by the embodiments described in detail below. 1 is a view showing a thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention, Figure 2 is a view showing a planar heating element installed in the thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention, Figure 3a and 3b is a planar heating element according to the present invention and It is a figure which shows the inferior line of a cold / hot semiconductor.
도 1 및 도 2에 의하면, 본 고안에 따른 열전도율 측정장치는 시료(1)의 양면에 접촉되는 냉열판(10) 및 온열판(20)과, 상기 시료(1)의 열전도율을 측정하기 위한 온도 및 열류량 데이터의 처리 및 각종제어를 수행하는 연산제어부(30)와, 상기 시료(1)의 두께(L)를 측정하고 조절하기 위한 스탭핑모터(40)와, 그 스탭핑모터(40)의 회전에 따라 회전력을 직선 왕복운동으로 전환시키기 위한 렉크(42)와 피니언(44)과, 상기 스탭핑모터(40)의 회전에 따른 시료(1)의 두께(L)를 측정한 경우 이를 상기 연산제어부(30)에 계측값을 전송하는 두께계측부(58)로 이루어진다. 1 and 2, the thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention is a cold plate 10 and the heating plate 20 in contact with both sides of the sample (1), and a temperature for measuring the thermal conductivity of the sample (1) And a calculation control unit 30 for processing heat flow data and various controls, a stepping motor 40 for measuring and adjusting the thickness L of the sample 1, and a stepping motor 40 of the stepping motor 40. When the thickness L of the sample 1 according to the rotation of the stepping motor 40 and the rack 42 and the pinion 44 for converting the rotational force into linear reciprocating motions according to the rotation are measured, It consists of the thickness measurement part 58 which transmits a measured value to the control part 30.
좀 더 상세하게 살펴보면, 상기 냉열판(10)의 외측면에는 열전대의 작용과 반대의 작용에 의해 냉각하는 방법으로 서로 다른 두개의 금속을 접합하여 연결한 회로에 전류를 흘리면 접합부에서는 흡열 및 발열 현상이 생기는 펠티어효과를 이용하는 냉온반도체(50)의 흡열부분을 밀착고정하게 되며, 이경우 다수를 일정간격으로 유지, 배치하게 된다. In more detail, the outer surface of the cold plate 10 is cooled by the action of the thermocouple opposite to the action of the other two metals by joining the circuit connected by joining two different metals, the endothermic and heat generation phenomenon in the junction The endothermic portion of the cold and warm semiconductor 50 using the generated Peltier effect is tightly fixed, in which case a large number is maintained and arranged at a predetermined interval.
그리고, 상기 냉온반도체(50)의 외측면은 열이 방출되는 발열부분으로 이 외측면에는 다수의 핀이 일정간격을 유지하며 배치되는 히트싱크(52)가 구비되고, 그 히트싱크(52)의 외측에는 방열팬(54)이 고정되어 냉온반도체(50)에서 발생되는 열을 배출시켜 냉온반도체(50)를 식혀줌으로서 냉각효율을 증대시켜주게 된다.In addition, the outer surface of the cold and warm semiconductor 50 is a heat generating portion for dissipating heat, and the outer surface is provided with a heat sink 52 in which a plurality of fins are arranged to maintain a constant interval, and the heat sink 52 The heat dissipation fan 54 is fixed to the outside to discharge the heat generated from the cold and warm semiconductors 50 to cool the cold and warm semiconductors 50 to increase the cooling efficiency.
한편, 상기 온열판(20)의 외측면에는 탄소가 가지는 자체저항에 의하여 발열하는 면상발열체(60)가 구비되어 상기 온열판(20)에 고르게 열을 가하게 된다.On the other hand, the outer surface of the heating plate 20 is provided with a planar heating element 60 that generates heat by the self-resistance of the carbon is applied evenly to the heating plate 20.
상기 면상발열체(60)는 도 2에 도시한 바와 같이 통상적으로 AC 또는 DC전압을 인가받는 2개의 전극(62a,62b)이 형성되는 판상의 탄소발열체(62)와, 그 탄소발열체(62)의 양면에 각각 부착되어 전자파를 차단하는 전자파차단소재(64a,64b)와 그 외측면에 구비되는 절연코팅층(66a,66b)으로 이루어져 일정한 전원을 인가받고 열을 방출하게 된다.As shown in FIG. 2, the planar heating element 60 is formed of a plate-shaped carbon heating element 62 in which two electrodes 62a and 62b are generally applied with an AC or DC voltage, and the carbon heating element 62. Electromagnetic wave blocking materials 64a and 64b attached to both surfaces to block electromagnetic waves, and insulating coating layers 66a and 66b provided on the outer surface thereof, are applied with a constant power to emit heat.
이와같은 상기 냉열판(10) 외측면의 냉온받도체(50)를 제외한 나머지 공간에는 우레탄재질의 단열재(70)를 구비하고, 상기 온열판(20)의 외측에 구비되는 면상발열체(60)의 외측에도 우레탄재질의 단열재(72)를 구비하여 외부 조건의 영향을 받지않도록 구성하게 된다.The remaining space other than the cold and hot receiving conductor 50 of the outer surface of the cold plate 10 is provided with a urethane insulating material 70, of the planar heating element 60 provided on the outer side of the heating plate 20 The outer side of the urethane material is provided with a heat insulating material 72 is configured so as not to be affected by external conditions.
이때, 상기 시료(1)가 접촉되는 냉열판(10)의 내측면과 온열판(20)의 내측면에는 각각 온도 및 열류측정수단(80,82)이 상기 시료(1)의 접촉면의 온도 및 열류량을 측정할 수 있도록 매입설치되는데, 이는 온도 측정용 센서와 열류 측정용 센서로 이루어지게 된다.At this time, the temperature and heat flow measuring means (80, 82) on the inner surface of the cooling plate 10 and the inner surface of the heating plate 20 that the sample 1 is in contact with each other and the temperature of the contact surface of the sample 1 and It is embedded to measure the amount of heat flow, which consists of a temperature measuring sensor and a heat flow measuring sensor.
따라서, 상기 시료의 양단을 일정하게 냉온시켜준 상태에서 온도 및 열류량을 상기 온도 및 열류측정수단(80,82)을 통해 측정하여 마이컴(미도시됨)이 구비되는 연산제어부(30)에 인가하게 되고, 상기 두께게측부(58)는 자체의 내부 마이컴(미도시됨)에 계측된 시료의 두께(L) 값을 상기 연산제어부(30)에 전송하여 주게 된다.Accordingly, the temperature and heat flow rate are measured through the temperature and heat flow measuring means 80 and 82 in a state where both ends of the sample are constantly cooled and applied to the arithmetic and control unit 30 provided with a microcomputer (not shown). The thickness measuring unit 58 transmits the thickness L value of the sample measured by its internal microcomputer (not shown) to the calculation control unit 30.
한편, 상기 연산제어부(30)는 내부 연산을 통해 열류량을 계산하게 되고, 이와같은 측정 및 연산 데이터는 RS232 또는 RS485 등의 통신프로토콜을 통해 데이터통신이 가능하도록 인터페이스(미도시됨)로 연결되는 컴퓨터(90)로 전송되어 일정한 용량을 갖는 메모리(미도시됨)에 저장 및 관리되며, 필요에 따라 데이터의 관리를 통한 통계자료 등을 컴퓨터(90)에 연결된 상태의 프린터(92) 등으로 출력하여 사용자가 확인이 가능하게 된다.On the other hand, the operation control unit 30 calculates the amount of heat flow through the internal calculation, the measurement and operation data is a computer connected to the interface (not shown) to enable data communication through a communication protocol such as RS232 or RS485 90 is stored and managed in a memory having a predetermined capacity (not shown), and outputs statistical data through the management of data to the printer 92, etc. connected to the computer 90, if necessary The user can check.
그리고, 상기 냉열판(10) 및 온열판(20)은 통상적으로 스텐레스 재질을 사용하게 되나, 시료(1)의 열전도율을 연산시 정밀도를 향상시키고 측정시간을 단축시키기 위해 열전도율이 뛰어난 알루미늄 또는 구리재질로 형성함이 바람직하다.In addition, the cold plate 10 and the hot plate 20 are generally made of a stainless material, aluminum or copper material having excellent thermal conductivity in order to improve the accuracy and shorten the measurement time when calculating the thermal conductivity of the sample (1) It is preferable to form with.
또한, 상기 냉열판(10) 및 온열판(20)은 내부에 공기층을 형성하도록 중공(中空)형상으로 제조하여 열전도가 고르게 이루어질 수 있도록 구성함이 바람직하다.In addition, the cold plate 10 and the hot plate 20 is preferably manufactured in a hollow shape so as to form an air layer therein so that the heat conduction can be configured evenly.
이하, 본 고안에 따른 열전도율 측정장치의 작동 예를 도 1 및 도 2를 침고로 설명한다.Hereinafter, an operation example of the thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
먼저, 열전도율 측정기의 냉열판(10)과 온열판(20)의 사이에 시료(1)를 위치시키고 스탭핑모터(40)를 작동시키게 된다. 그에 따라 스탭핑모터(40)의 구동축이 회전하게 되고 피니언(44)도 함께 회전되어 톱니결합되는 렉크(42)를 직선왕복 시켜 두께(L)를 조정하게 된다. 이때, 상기 시료(1)의 두께(L) 측정값은 두께계측부(58)에서 인터페이스(미도시됨)를 통해 연결된 연산제어부(30)로 전송된다.First, the sample 1 is positioned between the cold plate 10 and the hot plate 20 of the thermal conductivity meter to operate the stepping motor 40. Accordingly, the driving shaft of the stepping motor 40 is rotated and the pinion 44 is also rotated together to linearly reciprocate the rack 42 that is toothed to adjust the thickness L. In this case, the thickness L measurement value of the sample 1 is transmitted from the thickness measurement unit 58 to the operation control unit 30 connected through an interface (not shown).
이와같은 상태에서 상기 냉열판(10)의 외측부에 구비되는 냉온반도체(50)에 전원을 인가시켜 냉열판(10)을 냉각시키고, 상기 온열판(20)의 외측에 구비되는 면상발열체(60)에 전원을 인가하여 1 내지 5분 정도의 시간을 통해 가열시켜주게 된다. 이때, 상기 연산제어부(30)는 상기 냉열판(10)과 온열판(20)의 냉각 및 가열을 빠른 응답특성을 갖으면서 정확하고 안정된 제어를 수행하기 위해 PID제어를 하게 된다.In such a state, power is applied to the cold / heat-semiconductor 50 provided on the outer side of the cold plate 10 to cool the cold plate 10, and the planar heating element 60 provided on the outside of the heat plate 20. The power is applied to the heating through a time of about 1 to 5 minutes. In this case, the operation control unit 30 performs PID control to perform accurate and stable control while having fast response characteristics for cooling and heating the cooling plate 10 and the heating plate 20.
그와같은 냉각 및 가열 상태에서 냉열판(10)과 온열판(20)에 접촉되는 시료(1)의 양단의 온도차 및 열류량을 온도 및 열류측정수단(80,82)으로 측정하게 되는데, 상기 시료(1)의 고온쪽과 저온쪽의 온도차(△T)가 20℃ 이상이 되도록 한다. 이때, 상기 냉열판(10)을 냉각시켜줌과 동시에 방출되는 열은 히트싱크(52)를 통해 전도되고 이는 방열팬(54)을 구동하여 방출시킴으로서 냉온반도체(50)의 냉각효율을 증대시켜 주게 된다.In such a cooling and heating state, the temperature difference and the heat flow amount at both ends of the sample 1 in contact with the cold plate 10 and the hot plate 20 are measured by the temperature and heat flow measuring means 80 and 82. The temperature difference (ΔT) between the high temperature side and the low temperature side in (1) is 20 ° C or more. At this time, the cooling plate 10 is cooled and the heat released at the same time is conducted through the heat sink 52 which increases the cooling efficiency of the cold and hot semiconductor 50 by driving the heat radiating fan 54 to release. .
한편, 상기한 계측값들은 다음과 같은 식(1)에 대입되어 시료의 열전도율을 측정하게 된다.On the other hand, the measured values are substituted into the following equation (1) to measure the thermal conductivity of the sample.
--------식(1) -------- Equation (1)
이때, 상기 식(1)의 "λ"는 열전도율(W/m·k)이고, "Qh"는 고온쪽의 열류량이고, "Qc"는 저온쪽의 열류량이고, "L"은 시료두께이고, "△T"는 고온쪽 시료의 표면온도(Th)와 저온쪽 시료의 표면온도(Tc)와의 차이이다.At this time, "λ" in the formula (1) is the thermal conductivity (W / m · k), "Q h " is the heat flow on the high temperature side, "Q c " is the heat flow on the low temperature side, "L" is the sample thickness Is the difference between the surface temperature Th of the hot sample and the surface temperature Tc of the cold sample.
이때, 상기 열전도율(λ)은 연산제어부(30)에서 연산되며, 별도로 인터페이스로 연결되는 컴퓨터(90) 및 프린터(92)를 통해 데이터를 관리 및 출력하여 그 데이터를 분석자료로 활용하게 된다.In this case, the thermal conductivity λ is calculated by the operation control unit 30, and manages and outputs data through a computer 90 and a printer 92 connected to an interface separately, and uses the data as analysis data.
한편, 도 3a는 일반적으로 온열판(20)의 외측부에 냉온반도체(100)를 이용하여 구성하였을 경우의 열등고선(熱等高線)(200) 흐름을 도시한 것으로, 냉온반도체(100)를 중심으로 열등고선(200)이 방사되어 임의의 두 지점(P1,P2)의 온도차가 생기게 되는데 이때, 두 지점(P1,P2)의 온도차가 0.1℃이내여야 함에도 불구하고 그 이상의 온도차가 발생할 수 있어 열전도율의 측정시 신뢰성이 낮아지는 문제점을 가짐을 알 수 있다. 그에 반해 도 3b는 본 고안에 따라 온열판(20)의 외측부에 면상발열체(60)를 구비한 경우의 열등고선(200) 흐름을 도시한 것으로, 열등고선(200)이 고르게 퍼져 나감을 알 수 있으며, 이와같은 경우에는 임의의 지점(P3,P4)의 온도차가 거의 발생하지 않아 열전도율의 측정시 정밀도가 높아 신뢰성을 가지는 데이터를 계측이 가능함을 알 수 있다.On the other hand, Figure 3a generally shows the flow of the inferior solid line (200) in the case of using the cold and warm semiconductor 100 on the outer side of the heating plate 20, with the center of the cold and hot semiconductor 100 The inferior contour line 200 is radiated to generate a temperature difference between any two points P1 and P2. At this time, even though the temperature difference between the two points P1 and P2 is within 0.1 ° C., the temperature difference may be higher than that of the thermal conductivity. It can be seen that there is a problem that the reliability is lowered during the measurement. On the contrary, FIG. 3B illustrates the flow of the inferior contour line 200 when the planar heating element 60 is provided on the outer side of the heating plate 20 according to the present invention, and the inferior contour line 200 is evenly spread out. In this case, it can be seen that since the temperature difference between the arbitrary points P3 and P4 hardly occurs, the data having high accuracy when measuring the thermal conductivity can be measured.
이상과 같이 본 고안의 실시예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 고안의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 본 고안의 실시예와 실질적으로 균등의 범위에 있는 것까지 본 고안의 권리범위가 미친다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, the scope of the present invention is not limited thereto, and the scope of the present invention extends to the range substantially equivalent to the embodiments of the present invention.
이상의 설명에서 알 수 있는 바와 같이, 본 고안에 따르면 온열판(20)의 외측부에는 면상발열체(60)를 구비하여 가열시켜 줌으로서 열등고선(200)이 고르게 퍼져 나가는 구성으로 통해 정밀도가 높아 신뢰성을 가지는 열전도율을 계측하는 효과가 있다.As can be seen from the above description, according to the present invention, the outer surface of the heating plate 20 is provided with a planar heating element 60 to heat it, so that the inferior contour line 200 is spread evenly, so that the accuracy is high and reliability is improved. The branch has the effect of measuring the thermal conductivity.
또한, 냉온반도체(50)의 외측에 히트싱크(52)를 구비하고 그 히트싱크(52)의 외측에 방열팬(54)을 구비하여 항온조가 필요없어 그 구조가 단순하여 제조비용을 절감하는 효과가 있다.In addition, since the heat sink 52 is provided on the outside of the cold and warm semiconductor 50, and the heat dissipation fan 54 is provided on the outside of the heat sink 52, a thermostat is not required, and the structure is simple, thereby reducing manufacturing costs. There is.
도 1은 본 고안에 따른 열전도율 측정장치를 도시한 도면.1 is a view showing a thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention.
도 2는 본 고안에 따른 열전도율 측정장치에 설치되는 면상발열체를 도시한 도면.Figure 2 is a view showing a planar heating element installed in the thermal conductivity measuring apparatus according to the present invention.
도 3a 및 도 3b는 본 고안에 따른 면상발열체 및 냉온반도체의 열등고선을 도시한 도면. 3a and 3b is a view showing the inferior contour of the planar heating element and the cold and warm semiconductor according to the present invention.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***
1: 시료 10: 냉열판1: sample 10: cold plate
20: 온열판 30: 연산제어부20: heating plate 30: operation control unit
40: 스탭핑모터(stepping motor) 42: 렉크40: stepping motor 42: rack
44: 피니언 50: 냉온반도체44: pinion 50: cold and warm semiconductor
52: 히트싱크(heatsink) 54: 방열팬52: heatsink 54: heat dissipation fan
58: 두께계측부 60: 면상발열체58: thickness measurement part 60: planar heating element
70: 단열재 80,82: 온도 및 열류측정수단70: insulation 80,82: temperature and heat flow measuring means
90: 컴퓨터 92: 프린터90: computer 92: printer
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