KR200363020Y1 - The control power saving equipments for surplus electric power which are used no point of contact-semiconductor elements - Google Patents

The control power saving equipments for surplus electric power which are used no point of contact-semiconductor elements Download PDF

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KR200363020Y1
KR200363020Y1 KR20-2004-0017719U KR20040017719U KR200363020Y1 KR 200363020 Y1 KR200363020 Y1 KR 200363020Y1 KR 20040017719 U KR20040017719 U KR 20040017719U KR 200363020 Y1 KR200363020 Y1 KR 200363020Y1
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Abstract

본 고안은 효율이 좋은 링형(트로이덜) 코아에 감긴 1차, 2차 여자권선과 연결된 입력/출력 전압, 전류, 역률을 검출하여 검출된 값을 비교, 분석하는 마이컴(20a,20b,20c)이 구성된 마이크로 프로세스부(20)와 제어신호를 보내는 신호출력부(10)가 구성된 컨트롤PCB(A)에 의해 무접점반도체소자(T1,T2,T3,T4,T1',T2',The present invention detects input / output voltage, current, and power factor connected to primary and secondary excitation windings wound on highly efficient ring-type (troider) cores and compares and analyzes the detected values (20a, 20b, and 20c). The contactless semiconductor elements T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', are formed by the control PCB (A) configured with the configured microprocessor 20 and the signal output unit 10 for sending control signals.

T3',T4')를 제어하여 주권선(100)과 1차여자권선(200)과 2차여자권선(300) 사이의 접점(1,2,3,4,5,6)을 변환하여 입력전압에 따라 알맞은 전압이 되도록 승압 또는 강압시킴으로 잉여 전력이 절감되는 무접점반도체소자를 이용한 잉여 전력 조절 절전장치에 관한 것이다.T3 ', T4') to convert and input the contacts (1, 2, 3, 4, 5, 6) between the main winding 100, the primary winding 200 and the secondary winding 300 The present invention relates to a surplus power control power saving device using a contactless semiconductor device in which surplus power is reduced by boosting or stepping down to a proper voltage according to a voltage.

Description

무접점 반도체 소자를 이용한 잉여 전력 조절 절전 장치{The control power saving equipments for surplus electric power which are used no point of contact-semiconductor elements}The control power saving equipments for surplus electric power which are used no point of contact-semiconductor elements}

본 고안은 입력/출력 전압, 역률을 검출하여 비교, 분석하는 마이컴 마이크로프로세서부가 구성된 과전압, 저전압, 과전류를 방지하는 기능을 가지는 컨트롤PCB에 의해 제어되는 무접점 반도체 소자를 구성한 절전장치 에 관한 것으로서,The present invention relates to a power-saving device comprising a contactless semiconductor device controlled by a control PCB having a function of preventing overvoltage, undervoltage, and overcurrent configured to detect, compare, and analyze input / output voltage and power factor.

종래의 국내 표준공급전압은 전기사업법에 따라 아래의 표 1처럼 유지 및 공급하도록 규정되어 있다.The conventional domestic standard supply voltage is regulated to be maintained and supplied as shown in Table 1 below according to the Electricity Business Law.

[ 표 1 ]TABLE 1

표준전압Standard voltage 유지범위Maintenance range 110V110 V 110V±6V (104~116V)110V ± 6V (104 ~ 116V) 220V220 V 220V±13V (207~233V)220V ± 13V (207 ~ 233V) 380V380 V 380V±38V (342~418V)380V ± 38V (342 ~ 418V)

상기 공급되는 전압은 한국전력의 변압기 설치 위치에 따라 배선의 길이에 따라 다소 차이가 있으며, 전압강하율도 수용가 마다 다를 수 있다. 즉, 한 개의뱅크의 배전용 변압기에서 각 수용가까지 전기를 급전하는데 배전용 변압기탭을 말단의 수용가의 전압이 220V가 유지되도록 설정하여 공급한다. 그러나 배전용 변압기 부근에 있는 수용가에서는 220V보다 높은 공급전압을 받게 되어 전기기기의 과열 및 오동작, 조명기구의 흑화 현상을 등을 초래하므로 전력 소비의 과다와 전기기기의 수명을 단축하게 된다. 이에 220V와 380V를 사용하는 전기기기의 경우 ±10%인 198~242V와, 342~418V의 전압범위 내에서는 사용상의 이상이 없어야 하며, 규정된 성능이 나올 수 있도록 제작되었기 때문에 규정 범위 내에서의 기기의 정상적인 가동에는 별 문제가 없어야 하는 허용전압 특성을 이용하여 공급되는 전압을 부하의 최소 정격전압으로 낮추어서 소비전력을 줄여 공급하므로 절전효과를 가진다.The supplied voltage is slightly different depending on the length of the wiring according to the installation location of the transformer of the KEPCO, the voltage drop rate may also be different for each customer. That is, power is supplied from the distribution transformer of one bank to each consumer, and the distribution transformer tab is supplied so that the voltage at the terminal consumer is maintained at 220V. However, the customer near the distribution transformer receives a supply voltage higher than 220V, resulting in overheating and malfunction of the electric equipment, blackening of the lighting equipment, etc., resulting in excessive power consumption and shortening the life of the electric equipment. In the case of electric equipment using 220V and 380V, there should be no abnormality within 198 ~ 242V and ± 342% and 342 ~ 418V voltage range. By using the allowable voltage characteristic that should be no problem for the normal operation of the equipment, it reduces the power consumption by lowering the supplied voltage to the minimum rated voltage of the load.

상기의 절전 원리를 이용한 종래의 일반적인 단권변압기를 이용한 전압강화 방식의 절전장치를 도1을 참고로 10V 강하하는 방식을 예로 공급전압이 215V이면 절전 장치를 거친 부하측 입력전압은 205V로 전압이 강하되어 상기의 표1의 한전전원 공급 규정에 의한 220V±13V이내인 최저 전압인 207V이하로 되어 공급전압의 유지범위를 벗어나게 됨으로 부하측 전기기기에 이상현상을 초래하게 됩니다.For example, a voltage-enhanced power saving device using a conventional single winding transformer using the above power saving principle is a 10V dropping method with reference to FIG. 1. The minimum voltage of 207V, which is within 220V ± 13V according to the KEPCO power supply regulation in the above Table 1, is out of the maintenance range of the supply voltage, which may cause abnormality in the load-side electric equipment.

상기의 문제점을 보완한 종래의 일반적인 탭절환 방식의 단권변압기를 이용한 전압 강압에 의한 절전 장치는 도2의 회로 구성도에서 보는 바와 같이 기계적인 마그네트 접점 및 릴레이 접점을 이용하여 전압 검출부에서 전압을 검출하여 한전전원이 217V 이상일 때는 1차여자권선을 폐쇄하고 2차여자권선을 개방함으로써 10V 전압을 강하하여 최저 전압인 207V를 공급 전압을 유지하고 217V 미만의 전압에서는 1차여자권선과 2차여자권선을 직렬로 폐쇄함으로서 전압을 5V로 전압강하하여 최저전압인 212V까지 제어하여 유지한다. 그러나 한전공급 전압이 211V 이하인 경우에는 출력전압이 20V 이하가 되어서 한전공급규정 유지범위에 벗어나게 되어 부하측 전기기기에 저전압에 의한 부하 소손을 가져오게 되었다. 또한 강하 전압이 10V에서 5V 또는 5V에서 10V로 탭의 전환을 1차여자권선과 2차여자권선에 연결된 마그네트 및 리레이의 기계적인 접점의 개폐에 의하여 이루어진다.A power saving device using a voltage step down using a conventional general tap-changing single winding transformer that solves the above problems detects a voltage in a voltage detection unit using a mechanical magnet contact and a relay contact as shown in the circuit configuration of FIG. 2. When the KEPCO power is above 217V, close the primary winding and open the secondary winding to drop the 10V voltage to maintain the lowest supply voltage of 207V, and at the voltage below 217V, the primary winding and the secondary winding By closing the voltage in series, the voltage drops to 5V and the voltage is maintained at 212V, the lowest voltage. However, when the KEPCO supply voltage is 211V or less, the output voltage becomes 20V or less, which is outside the KEPCO supply regulation maintenance range, resulting in load burnout due to low voltage in the load-side electric equipment. In addition, the switching of the tap from 10V to 5V or 5V to 10V is performed by opening and closing the mechanical contact of the magnet and relay connected to the primary winding and the secondary winding.

[ 표 2 ]TABLE 2

동작기간(msec)Operation period (msec) 주기Cycle 코일ON-주접점ONCoil ON-Main Contact ON 코일OFF-주접점OFFCoil OFF-Main Contact OFF system 마그네트Magnet 10~7510-75 9~659-65 19~14019-140 1.5~8.41.5-8.4 릴레이relay 20~3020-30 20~2520-25 40~5540-55 2.3~3.22.3-3.2

상기의 표2에서 보는 바와 같이 동작 및 개폐 시간에 의하여 여자코일이 순간적으로 개방되면 주권선의 권선수에 비례하여 공급전압의 4~10배의 과전압이 발생된다. 아래의 그림1에서 1차 및 2차 여자권선에 연결된 접점이 개폐되는 시점이 ①일 때는 아무런 문제점이 발생되지 않으며 ②일 때는 작은 문제점이 발생되며 ③일 때는 여자전류 및 전압이 최대치이므로 기계적인 접점에 스파크를 일으킴으로서, 회로에 서어지 및 고조파를 발생시키며 절전장치의 기계적인 수명이 단축되어 빈번한 여자권선의 개폐시 접점이 파열되어 단권변압기의 여자권선이 개방되면서 주권선이 부하측과 직렬부하로 되어서 주권선에 공급전압이 모두 걸려 주권선의 과대전류에 의한 코일의 과열 발생으로 화재가 발생되어 부하측 및 절전장치에 치명적인 손상을 가하며 이러한 과전압 방지를 위하여 소수가 선택하는 순간적으로 1차여자권선을 폐쇄와 동시에 2차여자권선을 폐쇄하고 1차 여자권선을 개방하는 순간단락방식은 2차여자권선의 단락에 의하여 단락전류가 발생하여 심각한 피해가 발생할 수 있다.As shown in Table 2 above, if the excitation coil is momentarily opened by the operation and opening / closing time, an overvoltage of 4 to 10 times the supply voltage is generated in proportion to the number of turns of the main winding. In Fig. 1 below, when the contact point connected to the primary and secondary excitation windings is opened and closed, ① no problem occurs, and when ②, a small problem occurs. By sparking in the circuit, it generates surge and harmonics in the circuit, and the mechanical life of the power saving device is shortened, and the contact breaks during frequent opening and closing of the winding. Therefore, all the supply voltage is applied to the main winding, which causes a fire due to overheating of the coil due to the overcurrent of the main winding, which causes a serious damage to the load side and the power saving device, and closes the primary excitation winding at the moment selected by a few to prevent such overvoltage. At the same time, the short-circuit method of closing the secondary winding and opening the first winding is the secondary Short circuit current may occur due to the short circuit of the winding and serious damage may occur.

[ 그림 1 ][Figure 1]

이상 살펴본 바와 같이 상기의 방법으로는 여자권선을 기계적인 탭 절환 방식으로는 안정적으로 전기기기를 운영 할 수가 없다. 이에 안전하고 신뢰성 있는 방법으로는 무접점 반도체 소자에 제어되는 개폐 방식의 전력 절전 장치가 절실히 요구되고 있는 실정이다.As described above, the electric winding cannot be operated stably with the mechanical tap-changing method of the excitation winding by the above method. As a safe and reliable method, there is an urgent need for an open / close power saving device controlled by a non-contact semiconductor device.

본 고안은 상기와 같은 탭 절환시에 발생되는 이상현상의 문제점을 보완하기 위해, 효율이 좋은 동일한 링형 코아에 주권선(100)과 병렬로 1차여자권선(200)과 2차여자권선(300)의 각각의 시작과 끝 부분에서 컨트롤PCB 인입부(접점 : 1,2,3,4,5,6)로 인출하는 탭을 가지는 링형 코아 형태와 입력측과 출력측에 정밀도가 높은 전압, 전류를 검출하는 전압검출용 PT(20c)와 미소전류 검출용 CT(20b)를 사용하여 이를 비교, 분석하는 마이컴을 내장한마이크로프로세스부(20)와 전압, 전류의 사인파형에서 제로점에서 무접점 반도체 소자(T1,T2,T3,T4,T1',T2',T3',T4')에 개폐 신호를 보내는 신호출력부를 가진 컨트롤PCB(A)와 더불어 실시간 LCD 표시 기능을 수행 할 수 있도록 하고, 기존의 기계적인 접점을 이용한 절전장치방식에 있어 여자권선의 탭 절환시 기계적인 접점이 개방 및 폐쇄되는 수십~수백msec의 시간에 의한 순간 과전압, 과전류가 발생하여 부하측 전기기기에 충격을 주어 전기기기를 손상하게 하는 문제점을 무접점 반도체 소자를 이용하여 전압과 전류의 주기적으로 진행하는 사인파에서 파형의 제로점에서 Omsec에 탭을 전자식으로 절환 시켜 순간 전압변동, 주파수 변동, 과도 전압 및 전기적인 이상현상을 제거함으로써 양질의 전원을 공급할 수 있는 고신뢰성, 고성능 무소음의 잉여 전력 조절 절전장치를 제공하는 것에 그 기술적 과제로서 고안하였다.The present invention, in order to compensate for the problem of abnormality generated during the tap-changing as described above, the primary winding 200 and the secondary winding (300) in parallel with the main winding 100 in the same ring-type core with good efficiency At the beginning and end of each circuit), it detects high precision voltage and current on the input and output sides with a ring-shaped core with a tap leading out to the control PCB inlet (contacts 1,2,3,4,5,6). A microprocessor unit 20 having a microcomputer built therein that compares and analyzes the voltage detection PT (20c) and the microcurrent detection CT (20b) by using a voltage detection current and a contactless semiconductor device at zero points in a sinusoidal waveform of voltage and current. (T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', T3 ', T4'), with control PCB (A) with signal output to send open / close signal, enables real-time LCD display function. In the power saving device method using mechanical contact, mechanical contact is opened when tap switch of excitation winding Waveforms in sine waves that periodically progress voltage and current using solid-state semiconductor devices to solve the problem of damaging electrical equipment by impacting load-side electrical equipment due to instantaneous overvoltage and overcurrent caused by closing time of several tens to hundreds of msec. Electronically switch taps at Omsec at zero to eliminate transient voltage fluctuations, frequency fluctuations, transient voltages, and electrical anomalies, providing a highly reliable, high-performance, silent power-saving power-saving power-saver that provides high-quality power. It was devised as the technical problem.

도1은 종래의 단권변압기를 이용한 절전장치1 is a power saving device using a conventional single winding transformer

도2는 종래의 기계적인 접점을 이용한 탭절환 방식의 단권변압기 절전장치Figure 2 is a single-switch transformer power saving device of the tap-changing method using a conventional mechanical contact

도3은 본 고안에 의한 전력 조절장치를 나타낸 회로도3 is a circuit diagram showing a power control device according to the present invention

도4는 본 고안의 각 접점부와 무접점 반도체 소자의 연결 회로도4 is a connection circuit diagram of each contact portion and a contactless semiconductor device of the present invention;

도5는 본 고안에 의한 10V를 전압 강하하는 회로도5 is a circuit diagram for voltage drop of 10V according to the present invention.

도6은 본 고안에 의한 5V를 전압 강하하는 회로도6 is a circuit diagram for voltage drop of 5V according to the present invention.

도7은 본 고안에 의한 10V를 전압 상승시키는 회로도7 is a circuit diagram for increasing the voltage of 10V according to the present invention

도8은 본 고안에 의한 5V를 전압 상승시키는 회로도8 is a circuit diagram for increasing the voltage of 5V according to the present invention

도9는 본 고안의 전력절감 방법을 보여주는 구성도9 is a block diagram showing a power saving method of the present invention

■ 도면의 주요 부분에 사용된 부호의 설명 ■■ Explanation of symbols used in main parts of drawing ■

A : 컨트롤PCB 20a : 역률분석 마이컴A: Control PCB 20a: Power Factor Analysis Microcomputer

20b : 입출력전류비교마이컴 20c : 입출력전압비교마이컴20b: I / O current comparison micro 20c: I / O voltage comparison micro

40 : 전압검출용PT 50 : 미소전류검출용CT40: voltage detection PT 50: micro current detection CT

60 : A/D변환부 70 : 콘덴서60: A / D converter 70: capacitor

20 : 마이크로프로세스부 10 : 신호출력부20 microprocessor 10 signal output unit

1,2,3,4,5,6 : 접점1,2,3,4,5,6: contacts

T1,T2,T3,T4,T1',T2',T3',T4' : 무접점릴레이소자T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', T3 ', T4': Solid State Relay

도1은 종래의 단권변압기를 이용한 절전장치이고, 도2는 종래의 기계적인 접점을 이용한 탭절환 방식의 단권변압기 절전장치이며, 도3은 본 고안에 의한 전력 조절장치를 나타낸 회로도이며, 도4는 본 고안의 각 접점부와 무접점 반도체 소자의 연결 회로도이며, 도5는 본 고안에 의한 10V를 전압 강하하는 회로도이며, 도6은 본 고안에 의한 5V를 전압 강하하는 회로도이며, 도7은 본 고안에 의한 10V를 전압 상승시키는 회로도이며, 도8은 본 고안에 의한 5V를 전압 상승시키는 회로도이며 도9는 본 고안의 전력절감 방법을 보여주는 구성도로서 본 고안의 무접점 반도체 소자를 이용한 잉여 전력 조절 절전장치를 상세히 설명하면,1 is a power saving device using a conventional single winding transformer, FIG. 2 is a single winding transformer power saving device of a tap-changing method using a conventional mechanical contact, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a power control device according to the present invention. Is a connection circuit diagram of each contact portion and a contactless semiconductor element of the present invention, Figure 5 is a circuit diagram for voltage drop 10V according to the present invention, Figure 6 is a circuit diagram for voltage drop 5V according to the present invention, Figure 7 FIG. 8 is a circuit diagram for increasing voltage by 10V according to the present invention, and FIG. 8 is a circuit diagram for increasing voltage by 5V according to the present invention, and FIG. 9 is a schematic diagram showing a power saving method of the present invention. The power control power saver will be described in detail.

우선, 도3을 참고로 하여 무접점 반도체 소자를 이용한 잉여 전력 조절 절전장치의 제어방법을 살펴보면,First, referring to FIG. 3, a control method of a surplus power control power saving device using a contactless semiconductor device will be described.

㉠전기가 공급되고 입력측과 출력측에 정밀도가 높은 전압, 전류를 검출하는 전압검출용PT(40)와 미소전류 검출용 CT(50)를 통하여 입력 및 출력값이 검출된다.The input and output values are detected through the voltage detection PT 40 and the microcurrent detection CT 50 which detect the voltage and current having high accuracy on the input side and the output side.

㉡검출된 값을 증폭하는 통상의 증폭기를 통하여 증폭된 적정량의 아날로그 신호를 A/D 변환부(60)를 통하여 디지털 신호 바꾼다. 상기 A/D 변환부(60)의 디지털 신호를 각각의 값을 연산하는 마이컴(20a,20b,20c)을 통하여 서로의 값을 비교 분석한다.The digital signal is converted through the A / D converter 60 into an appropriate amount of analog signal amplified by a conventional amplifier for amplifying the detected value. The values of the digital signals of the A / D converter 60 are compared and analyzed through the microcomputers 20a, 20b, and 20c for calculating respective values.

㉢분석값에 따라 전압, 전류의 사인파형의 제로점에서 무접점반도체소자(T1,T2,T3,T4,T1',T2',T3',T4')를 개방 및 폐쇄하기 위한 신호를 신호출력부에서 인출하여 접점(1,2,3,4,5,6)을 제어하게 되는 것이다.출력 Signal output signal for opening and closing solid state semiconductor devices (T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', T3 ', T4') at zero point of sine wave of voltage and current according to analysis value Withdrawal from the part to control the contacts (1, 2, 3, 4, 5, 6).

상기와 같은 구성으로 작동 상태 실시 예를 들어 설명하면,Referring to the embodiment of the operating state with the above configuration,

1)도5를 참고로 하여 입력측의 공급전압이 217V 이상일 때,1) Referring to Fig. 5, when the supply voltage of the input side is 217V or more,

:마이크로프로세부(20)의 신호출력부(10)로 무접점 반도체 소자 T1, T2, T3을 폐쇄시키고 나머지는 모두 개방시켜서, 단권변압기의 전기회로 구성은 주권선(100)과 1차여자권선(200)이 직렬로 구성되어 출력전압을 10V 전압강하를 시키게 되는 것이다.The signal output unit 10 of the microprocessor unit 20 closes the contactless semiconductor elements T1, T2, and T3, and opens all others. The electric circuit of the single winding transformer is composed of the main winding 100 and the primary excitation winding. The 200 is configured in series to cause the output voltage to drop by 10V.

2)도6을 참고로 하여 입력측의 공급전압이 216~212V일 때2) With reference to Fig. 6, when the input voltage is 216 ~ 212V

:마이크로프로세부(20)의 신호출력부(10)로 무접점 반도체 소자 T1, T2, T4를 폐쇄시키고 나머지는 모두 개방시켜서, 단권변압기의 전기회로 구성은 주권선(100)과 1차여자권선(200)과 2차여자권선(300)이 직렬로 구성되어 출력전압 5V 전압강하를 시키는 것이다.The signal output section 10 of the microprocessor section 20 closes the contactless semiconductor elements T1, T2, and T4, and opens all others. The electric circuit of the single winding transformer is composed of the main winding 100 and the primary excitation winding. The 200 and the secondary excitation winding 300 are configured in series to drop the output voltage 5V.

3)도7을 참고로 하여 입력측의 공급전압이 201V이하 일 때,3) Referring to Fig. 7, when the supply voltage on the input side is 201V or less,

: 마이크로프로세부(20)의 신호출력부(10)로 무접점 반도체 소자 T1', T2', T3'를 폐쇄시키고 나머지는 모두 개방시켜서, 단권변압기의 전기회로 구성은 주권선(100)과 1차여자권선(200)이 직렬로 구성되지만, 상기 1)의 여자전류의 흐름방향과는 반대의 방향으로 여자전류가 흐르게 함으로 출력전압을 10V 전압을 승압시키는 것이다.: Closes the contactless semiconductor elements T1 ', T2', and T3 'with the signal output unit 10 of the microprocessor unit 20, and opens all others. The electric circuit of the single winding transformer is composed of the main winding 100 and one. Although the secondary excitation winding 200 is configured in series, the excitation current flows in a direction opposite to the flow direction of the excitation current of 1), thereby boosting the output voltage to a 10V voltage.

4)도8을 참고로 하여 입력측 의 공급전압이 211~202V 일 때,4) Referring to Fig. 8, when the supply voltage of the input side is 211 ~ 202V,

: 마이크로프로세부(20)에 의해 무접점 반도체 소자 T1', T2', T4'를 폐쇄시키고 나머지는 모두 개방시켜서, 단권변압기의 전기회로 구성은 주권선(100)과 1차여자권선(200)과 2차여자권선(300)이 직렬로 구성되지만, 상기 2)의 여자전류의 흐름방향과는 반대의 방향으로 여자전류가 흐르게 함으로 출력전압을 10V 전압을 승압시키는 것이다.: The microprocessor part 20 closes the contactless semiconductor elements T1 ', T2', and T4 'and opens all others, so that the electric circuit configuration of the single winding transformer is composed of the main winding 100 and the primary excitation winding 200. Although the secondary excitation winding 300 is configured in series, the excitation current flows in a direction opposite to the flow direction of the excitation current of 2), thereby boosting the output voltage to a 10V voltage.

본 고안을 통한 입력전압에 따른 출력전압의 변동은 아래의 표3에 도시된바와 같다.The variation of the output voltage according to the input voltage through the present invention is as shown in Table 3 below.

[ 표 3 ]TABLE 3

공급전압Supply voltage 동작 상태Operating status 출력 전압Output voltage 217V 이상217V or more T1, T2, T3T1, T2, T3 -10V-10V 207V 이상207 V or more 216~212V216 ~ 212V T1, T2, T4T1, T2, T4 -5V-5V 211~207V211-207 V 211~202V211-202 V T1', T2', T4'T1 ', T2', T4 ' +5V+ 5V 216~207V216 ~ 207V 201V이하201V or less T1', T2', T3'T1 ', T2', T3 ' +10V+ 10V 211V 이하211V or less

이상과 같이 본 고안을 통하여 다양한 입력 전압의 변동에 따라 마이크로프로세스부(20)의 마이컴(20a,20b,20c)의 검출값이 달라지고 이에 따라 신호출력부(10)를 통하여 각 권선(100,200,300) 사이의 접점(1,2,3,4,5,6)을 무접점반도체소자(T1,T2,T3,T4,T1',T2',T3',T4')로 제어하여 안정되면서도 절전이 가능한 본 고안이 이루어지는 것이다. 또한 무접점반도체소자를 이용하여 기존의 기계식에서 발생하는 접점의 개방 및 폐쇄 시 초래하는 이상현상을 미연에 방지할 수 있다.As described above, the detection values of the microcomputers 20a, 20b, and 20c of the microprocessor unit 20 vary according to various input voltage variations, and accordingly, the respective windings 100, 200, and 300 are changed through the signal output unit 10. The contact (1, 2, 3, 4, 5, 6) between the contactless semiconductor device (T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', T3 ', T4') to be stable and save power The present invention is made. In addition, by using a contactless semiconductor device, it is possible to prevent abnormal phenomenon caused by opening and closing of a contact occurring in a conventional mechanical type.

본 고안은 입력/출력측 전압, 전류를 검출하는 검출부로 구성하여, 전류 및 전압을 검출하여 마이컴에 의해 연산된 값을 비교 분석하는 마이컴부와 마이컴에 의해 제어신호를 출력하는 신호 출력부, 신호출력부에 의해 제어되는 무접점 반도체 소자를 이용하여 전압, 전류의 주기적인 사인파형의 제로점에서 여자권선의 접점을 개폐함으로 접점에 손상이 가지 않으므로 지속적으로 양질의 전기를 공급할 수 있고, 다양한 전력공급 전압에 대하여 대응하여 전압을 안정되게 유지함으로 전기기기의 수명 및 전력 절감에 큰 효과를 가진다. 따라서 본 도안을 도입하여 각종 전기기기 마다 설치하면 전력절전에 큰 도움이 되어 석유 수입에 따른 외화를 절약하며, 제품의 국내시장 점유율 석권과 세계시장의 절전기의 생산이 가능하여 엄청난 경제적 효과가 기대되는 고안이다.The present invention consists of an input / output side voltage and a detection unit for detecting a current, a signal output unit for outputting a control signal by a microcomputer and a microcomputer to detect and compare current and voltage and the value calculated by the microcomputer, and a signal output. By using the contactless semiconductor device controlled by the negative, the contact of the excitation winding is opened and closed at the zero point of the periodic sinusoidal waveform of voltage and current, so that the contact is not damaged. By keeping the voltage stable in response to the voltage, it has a great effect on the life and power saving of the electric equipment. Therefore, if this pattern is introduced and installed in various electric equipments, it will be very helpful to save power and save foreign currency due to oil imports, and it will be able to dominate the domestic market share of the product and produce power saver in the world market. It is devised.

Claims (2)

링형 철심(CORE)을 이용한 단권코일형 변압기에 있어서,In the single winding coil type transformer using a ring core (CORE), 원형권철심(K)에 부하전류가 통과하는 주권선(100)과, 직렬로 여자전류가 통과하는 2개의 여자권선(200,300)과,A main winding 100 through which load current passes through the circular winding core K, two excitation windings 200 and 300 through which an excitation current passes in series, 전원 입력측에 상기 주권선(100)과 여자권선(200,300) 사이의 조합과 결선을 위한 다수의 무접점반도체소자(T1, T2, T3, T4, T1', T2', T3', T4')와,On the power input side, a plurality of contactless semiconductor devices (T1, T2, T3, T4, T1 ', T2', T3 ', T4') for combination and connection between the main winding 100 and the excitation winding (200, 300) and , 상기 무접점반도체소자를 제어하는 컨트롤PCB(A)와,A control PCB (A) for controlling the contactless semiconductor element, 입력측과 출력측에서 전압, 전류를 검출하는 전압검출용 PT(20c)와 미소전류 검출용 CT(20b)와,A voltage detection PT 20c for detecting voltage and current on the input side and an output side, and a CT 20b for detecting the small current; 출력단에 병렬로 설치되어 출력 전원의 고조파를 제거하고, 역율을 보상하는 콘덴서(70)로 구성되는 것을 포함하는 무접점 반도체 소자를 이용한 잉여 전력 조절 절전장치Surplus power control power saving device using a contactless semiconductor device comprising a capacitor 70 is installed in parallel to the output stage to remove the harmonics of the output power, compensating the power factor 제1항에 있어서,The method of claim 1, 컨트롤PCB(A)는 검출된 아날로그 신호를 디지털신호화 하는 A/D변환부(60), 입력/출력 전압, 전류, 역률을 검출하여 검출된 값을 비교, 분석하는 마이컴(20a,20b,20c)으로 구성된 마이크로프로세스부(20), 무접점반도체소자에 제어신호를 보내는 신호출력부(10)로 구성되는 것을 포함하는 무접점 반도체 소자를이용한 잉여 전력 조절 절전장치The control PCB (A) is an A / D converter 60 that digitalizes the detected analog signal, and the microcomputers 20a, 20b, and 20c which detect input / output voltage, current, and power factor, and compare and analyze the detected values. Surplus power control power saving device using a contactless semiconductor device comprising a microprocessor 20, a signal output section 10 for sending a control signal to a contactless semiconductor device
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