KR20030096707A - Rinsing method of contact hole in semiconductor - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for cleaning a contact hole of a semiconductor device is provided to be capable of stably removing hardened polymer and photoresist residues existing at the inner portion of the contact hole, at a time. CONSTITUTION: An ashing process is carried out to remove a photoresist pattern formed at the upper portion of an interlayer dielectric(103). A cleaning process is carried out at the resultant structure by vaporizing a predetermined cleaning solution for removing the photoresist residues(108a) existing at the upper portion of the interlayer dielectric, the polymer(107) generated when carrying out a dry etching process at the interlayer dielectric of the inner wall of a contact hole, and the hardened metal polymer(106) existing at the lower portion of the contact hole. At this time, the predetermined cleaning solution is made of an organic solution containing hydroxy amine and one selected from a group consisting of phosphoric acid, acetic acid, or methanol.

Description

반도체 소자의 콘택홀 세정 방법{Rinsing method of contact hole in semiconductor} The contact holes a cleaning method of semiconductor elements {Rinsing method of contact hole in semiconductor}

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법에 관한 것으로서, 특히 건식 식각에 의한 콘택홀 내부의 경화성 폴리머 및 포토레지스트 잔류물을 동시에 제거할수 있는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to, in particular, contact holes for cleaning semiconductor devices which can remove the dry etching contact holes inside of the curable polymer and the photoresist residues by the method relates to a method at the same time contact holes for cleaning semiconductor devices.

종래의 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 소자가 고집적화된 선 폭 0.25㎛ 이하의 반도체 소자 제조 공정에서는 소스/드레인이 0.08㎛ 이하의 얇은 PN 접합으로 형성된다. In a conventional semiconductor device manufacturing process, the device is the semiconductor device manufacturing steps of a line width 0.25㎛ highly integrated source / drain is formed of a thin PN junction below 0.08㎛. 따라서, 최소 콘택홀의 크기는 0.3㎛ 이하의 크기가 된다. Hence, the minimum contact hole size is the size below 0.3㎛. 또한, 선 폭이 좁아질수록 더 얇고 작은 접합과 콘택홀이 요구되고 있다. Further, the line width more narrower has been required to be further thin and small junction and the contact hole. 이와 같이 얇은 접합과 작은 콘택홀을 사용함에 따라 건식 식각에 의한 경화성 폴리머의 콘택홀 내 형성과 건식 식각에 따른 부산물에 의해 콘택 저항이 크게 증가되는 문제점이 야기된다. Is a problem in that a significant increase in contact resistance by the by-product of the contact holes formed in the dry etching of the curable polymer as measured by the dry-etching is caused in accordance with the thus bonded using a thin and small contact holes.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법을 상세히 설명하기로 한다. With reference to the drawings will be described in detail a contact hole cleaning method of a semiconductor device according to the prior art. 도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 소자의 콘택홀 형성 공정을 나타낸 단면도이다. 1 and 2 are a cross-sectional view of a contact hole forming step of a general semiconductor device.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이 반도체 기판(101)의 하부 도전막 예를 들면, 게이트 혹은 금속 배선(102) 상에 층간 절연막(103)이 형성된 후 상기 층간 절연막(103) 상에 콘택홀 형성 마스크로서 포토레지스트 패턴(108)이 형성된다. First, formed after the interlayer insulating film 103 is formed on, for the lower conductive film for example, a semiconductor substrate 101, a gate or a metal wiring 102, the contact on the interlayer insulating film 103, holes as shown in Figure 1 the photoresist pattern 108 as a mask is formed. 상기 포토레지스트 패턴(108)을 마스크로 사용하여 상기 게이트 혹은 금속 배선(102)의 일부가 노출되도록 상기 층간 절연막(103)이 플라즈마를 이용한 건식 식각에 의해 식각되어 콘택홀(104)이 형성된다. The picture of the interlayer insulating film 103 such that part of the exposure of the resist pattern 108 for use as a mask the gate or the metal wiring 102 is etched by dry etching using plasma is formed in the contact hole 104. The 이 때, 플라즈마를 이용한 건식 식각의 진행에 따라 상기 콘택홀(104)의 하부에 상기 게이트 혹은 금속 배선과 반응하여 생성된 금속성 경화성 폴리머(106)가 건식 식각의 부산물로 형성되고, 상기 콘택홀 내부에 층간 절연막의 건식 식각 부산물인 폴리머(107)가 형성된다. At this time, the lower the gate or metal wiring and the reaction of metallic curable polymer 106 is generated in the contact hole 104 with the progress of dry etching using plasma is formed as a by-product of the dry etching, inside the contact holes is a polymer 107, dry etching by-products of the interlayer insulating film is formed on. 상기 층간 절연막(103)의 건식 식각 부산물인 폴리머(107)는 콘택홀 식각시 식각 장벽의 보호막 역할을 수행한다. Polymers 107, dry etching by-products of the interlayer insulating layer 103 performs a role of a protective barrier during etching the contact hole etching. 이어, 후속 공정으로 상기 포토레지스트 패턴(108)을 제거하는 애쉬(ashing) 공정 진행된다. Following, the flow proceeds to the next step ash (ashing) the step of removing the photoresist pattern 108.

도 2는 포토레지스트 패턴(108)이 건식 공정인 애쉬 공정으로 제거된 모습을 보여준다. Figure 2 shows the appearance photoresist pattern 108 is removed by the ash process, the dry process. 상기와 같이 애쉬 공정이 진행된 뒤에도 상기 콘택홀 주변에는 경화성 폴리머(106), 층간 절연막(103)의 식각 부산물인 폴리머(107) 및 포토레지스트 잔류 패턴(108a) 등이 남아 있어 이를 제거하기 위한 세정 공정이 뒤따른다. After conducted the ash process as described above, the contact hole surrounded by the curable polymer 106, such as the polymer 107 and the photoresist residue pattern (108a), the etching by-products of the interlayer insulating film 103 remain clean for removing this process this follow.

상기 세정 공정은 화학 증기를 이용하는데, 게이트 콘택의 경우에는 황산(H 2 SO 4 )과 과산화수고(H 2 O 2 )의 혼합액인 SPM 용액이 사용되고, 금속 배선의 경우에는 하이드록시 아민(hydroxy amine) 혼합 용액 또는 수산화 암모늄(NH 4 OH), 아세트산(CH 3 COOH) 및 초순수(Deionized water)의 혼합 용액인 SMC 용액이 사용된다. The cleaning step is a step for a gate contact for using the chemical vapor in the case of sulfuric acid (H 2 SO 4) and a mixture of SPM solution is used, the metal wiring of the peroxide labor (H 2 O 2), the hydroxy amine (hydroxy amine ) the SMC solution of a mixture of or a mixture of ammonium hydroxide (NH 4 OH), acetic acid (CH 3 COOH) and ultrapure water (Deionized water) is used.

그러나, 상기와 같은 SPM 용액을 사용하는 세정 공정의 경우 140℃ 이상의 고온 공정이 요구되므로 작업자의 안전이 문제될 수 있으며, 설비의 부식 및 환경 오염 등의 문제를 초래할 수 있다. However, in the case of a cleaning process using a SPM solution as described above, because demand is more than 140 ℃ high temperature process can be a safety issue for workers, can lead to problems such as corrosion of equipment and environmental pollution. 또한, 하이드록시 아민 혼합 용액이나 SMC 용액을 사용하는 세정 공정의 경우에는 금속의 부식을 방지하면서 경화성 폴리머를 제거하는 조건이 요구되고 있으나, 폴리머 제거 능력과 금속 배선 부식 방지의 목적이 서로 상충되어 적절한 조건의 설정이 어려운 문제점이 있다. In addition, the hydroxy amine in the mixed solution or the cleaning process using the SMC solution, while preventing the corrosion of the metal, but is required to have the conditions for removing the curable polymer, the purpose of the polymer removal capability and the metal wire corrosion protection is a conflict between the appropriate it is difficult to set conditions of the problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 건식 식각에 의한 콘택홀 내부의 경화성 폴리머 및 포토레지스트 잔류물을 동시에 안정적으로 제거할 수 있는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to one such, the contact hole cleaning of a semiconductor device which can reliably remove the internal contact holes by dry etching curable polymers and photoresist residues simultaneously methods devised to solve the above problems.

도 1 및 도 2는 일반적인 반도체 소자의 콘택홀 형성 공정을 나타낸 단면도. 1 and 2 are sectional views showing a contact hole formation step of a general semiconductor device.

도 3은 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법을 진행한 후의 모습을 보여주는 단면도. 3 is a cross-sectional view showing a state after a contact hole proceeds to the cleaning method of the semiconductor device of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

101 : 반도체 기판 102 : 게이트 또는 금속 배선 101: semiconductor substrate 102: gate metal wiring or

103 : 층간 절연막 104 : 콘택홀 103: interlayer insulating film 104: contact hole

105 : 자연 산화막 106 : 금속의 경화성 폴리머 105: a native oxide film 106: metal-curable polymer of

107 : 폴리머 108a : 포토레지스트 잔류 패턴 107: polymer 108a: photoresist pattern remaining

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법은 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 게이트 스택 또는 금속 배선 상에 적층되어 있는 층간 절연막을 건식 식각하여 형성된 콘택홀의 내부 및 상부를 세정하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법에 있어서, 상기 층간 절연막 상에 형성되어 있는 포토레지스트 패턴을 애싱하여 제거하는 단계와, 상기 층간 절연막 상부에 잔류하는 포토레지스트 잔류 패턴 및 상기 콘택홀 내벽의 상기 층간 절연막 건식 식각시 발생된 폴리머를 제거하기 위한 하이드록시 아민(hydroxy amine)을 포함한 유기성 용액에, 상기 건식 식각시 게이트 또는 금속 배선과 반응하여 상기 콘택홀 하부에 존재하는 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액 및 내부식성을 갖는 인산, 초산 또는 메탄올 중 Contact hole cleaning method of the semiconductor device of the present invention for achieving the above object is a contact hole interior and the upper are formed by dry-etching an interlayer insulating film that is by using the photoresist pattern as a mask deposited on the gate stack or metal wire in the contact hole cleaning method of a semiconductor device for cleaning, photoresist residual patterns, and the interlayer of the contact hole inner wall and the step of removing by ashing the photoresist pattern is formed on the interlayer insulating layer, remaining on the interlayer insulating top the organic solution containing the hydroxy amine (hydroxy amine) for removing the polymer generated during the insulating film dry etching, the dry etching when the gate or metal wiring and the reaction for removing the curable polymers of the metal present in the contact hole bottom in the solution, and phosphoric acid, acetic acid or methanol, having a corrosion-resistant 어느 한 용액을 첨가한 혼합 용액으로 세정하는 단계를 포함하여 이루지는 것을 특징으로 한다. Accomplish that, including the step of washing the solution with any one of the mixed solution added is characterized.

본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법은 포토레지스트 잔류 패턴과 콘택홀 하부에 존재하는 금속의 경화성 폴리머 및 층간 절연막의 건식 식각시 발생되는 폴리머를 동시에 제거하는 용액을 사용함으로서 기존의 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 용액, 콘택홀 내벽에 존재하는 폴리머를 제거하는 용액을 각각 따로사용하여 공정 단계의 증가와 세정 용액의 사용량 증가를 가져왔던 기존의 공정을 개선하고 세정에 이용되는 초순수(Deionized water; DIW)의 사용을 현저하게 줄이면서 콘택홀 하부의 금속의 경화성 폴리머의 존재로 인한 전기 저항의 증가를 감소시켜 반도체 성능을 향상시킬 수 있다. Contact holes formed in a semiconductor device of the present invention by using a solution of removing the polymer generated during the dry etching of the photoresist residual patterns and the curable polymers of the metal present in the contact hole bottom, and the interlayer insulating film at the same time a conventional photoresist pattern each used independently of the solution to the solution, removing the polymer present in the contact hole, the inner wall for removing improve the existing process brought the amount increase of the gain and the cleaning solution of the process steps, and ultra-pure water used in the washing (Deionized water; DIW ) significantly reduced the used while reducing an increase in electric resistance due to the presence of the curable polymers of the contact hole to the lower metal can be improved semiconductor performance.

이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, it will be described in detail a contact hole forming method for a semiconductor device of the present invention with reference to Figures 1 to 3. 도 3은 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법을 진행한 후의 모습을 보여주는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a state after a contact hole proceeds to the cleaning method of the semiconductor device of the present invention.

먼저, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 포토레지스트 패턴(108)을 마스크로 사용하여 게이트 스택 또는 금속 배선(102)의 일부가 노출되도록 층간 절연막(103)이 플라즈마를 이용한 건식 식각되어 콘택홀(104)이 형성된 후, 상기 포토레지스트 패턴(108)이 애싱(ashing) 공정으로 제거된다. First, the interlayer insulating film 103 such that part of the impression of Figure 1 and a gate stack or the metal wiring 102 by using the photoresist pattern 108 as a mask as shown in Figure 2, the dry etching method using a plasma contact hole after 104 has been formed, the photoresist pattern 108 is removed by ashing (ashing) process. 이 때, 상기 층간 절연막(103)의 상부에는 포토레지스트 잔류 패턴(108a)이 남게되고 상기 콘택홀(104)의 하부에는 플라즈마를 이용한 건식 식각시 상기 게이트 스택 또는 금속 배선과 반응하여 생성된 금속의 경화성 폴리머(106)가 존재하며 상기 콘택홀 내벽에는 상기 건식 식각의 잔류물인 폴리머(107)가 발생된다. At this time, the the upper part of the photoresist residue pattern (108a) of said interlayer insulating film 103 left, and the gate stack when the bottom is dry etching using a plasma of the contact hole 104 or the metal wiring and the reaction to produce the metal the curable polymer 106 is present and has the contact hole the inner wall of the residual polymer is water 107, the dry etching is generated. 여기서, 상기 금속의 경화성 폴리머(106)는 하부의 게이트 스택 또는 금속 배선의 물질에 따라 틀려지는데 게이트 스택 또는 금속 배선의 물질이 티타늄(Ti)일 경우에는 Ti/TiN 폴리머가 생성된다. Here, the curable polymer 106 of the metal case of makin twisted in accordance with the gate stack or materials of the metal wiring of a lower portion of the gate stack material or metal wire of titanium (Ti) there is produced a Ti / TiN polymer. 그리고 상기 게이트 스택 또는 금속 배선 상에는 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정 진행에 의해 자연 산화막(native oxide)(105)이 성장된다. And the native oxide film (native oxide) (105) by proceeding dry etching process using said gate stack or a metal wiring formed on the plasma is grown.

본 발명은 상기 애싱 공정으로 제거되지 않는 포토레지스트 잔류 패턴, 콘택홀 내벽의 폴리머, 금속의 경화성 폴리머 그리고 자연 산화막을 동시에 제거하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법을 제시한다. The present invention provides a contact hole cleaning method of a semiconductor device for removing the curable polymer and the natural oxide film of the photoresist pattern remaining metallic polymer, a contact hole, the inner wall that are not removed by the ashing process at the same time.

상기와 같은 폴리머 등은 표면 몰포러지(surface morphology)를 거칠게 만들고 전기적 단락(short) 및 고저항을 유발하므로 필수적으로 제거되어야 한다. Polymers as described above are to be essentially removed, so making the surface rough Dimorpholino sludge (surface morphology) causing an electrical short circuit (short), and a high resistance. 이를 위해, 콘택홀 세정 용액은 포토레지스트 패턴 및 콘택홀 내벽의 폴리머를 제거하기 위한 용액에 자연산화막 및 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액 및 내부식성을 갖는 용액을 첨가한 혼합 용액이 증기화되어 사용된다. To this end, the contact hole, the cleaning solution is a photoresist pattern, and contact holes solution and the mixed solution was added a solution having the corrosion resistance to remove the curable polymers of the natural oxide film and the metal in a solution for removing the polymer of the inner wall is vaporized It is used.

상기 포토레지스트 패턴 및 콘택홀 내벽의 폴리머를 제거하기 위한 용액으로는 하이드록시 아민(hydroxy amine)이 포함되는 유기성 용액이 사용되며, 상기 금속의 경화성 폴리머 및 자연 산화막을 제거하기 위한 식각 용액으로는 황산(H 2 SO 4 ), 과산화수소(H 2 O 2 ) 또는 NH 3 F와 HF의 혼합액 중 어느 하나가 사용된다. With the photoresist with a solution for removing the polymer of the pattern and a contact hole inner wall is hydroxy amines (hydroxy amine) the organic solution is used, which includes, etching for removing the curable polymer and a natural oxide film of the metal solution is a sulfuric acid the one used in (H 2 SO 4), hydrogen peroxide (H 2 O 2) or a mixture of NH 3 F with HF. 즉, 상기 하이드록시 아민을 포함하는 유기성 용액이 초고순도의 초순수(DIW)와 혼합되어 세정 용액의 베이스(base)로 사용되고 상기 황산 등의 식각 용액이 첨가제로 사용된다. That is, the organic solution containing the hydroxy-amine is mixed with the ultra-pure deionized water (DIW) is used as a base (base) of the cleaning solution is an etching solution, such as the sulfuric acid is used as additive.

이 때, 상기 세정 용액을 사용하여 콘택홀을 세정하는 공정은 증기화된 세정 용액의 온도를 40∼90℃ 정도로 하고 상기 증기화된 세정 용액에 노출된 기판의 온도는 80℃ 정도로 유지하여 층간 절연막의 식각을 최소화하는 한편, 콘택홀 하부에 존재하는 금속의 경화성 폴리머와 증기화된 세정 용액의 반응을 활성화한다. At this time, the step of using the cleaning solution of cleaning a contact hole is to a temperature of the substrate exposed to the temperature of the vaporized cleaning solution so 40~90 ℃ and washed with the vaporized solution is maintained at about 80 ℃ interlayer insulating of minimizing the etch on the other hand, the active metal of the curable polymer and the vaporized cleaning solution of reaction present in the contact hole bottom.

여기서, 상기 자연 산화막 및 금속의 경화성 폴리머의 식각 용액인 황산(H 2 SO 4 ), 과산화수소(H 2 O 2 ) 또는 NH 3 F와 HF의 혼합액은 0.1∼50wt%의 범위 내에서 사용되고, 이는 전체 세정 용액의 0.01∼1vol%의 범위를 갖는다. Here, the natural oxide film and the etching solution of the curable polymer in sulfuric acid (H 2 SO 4), hydrogen peroxide (H 2 O 2) or a mixed solution of HF and NH 3 F of the metal is used in the range of 0.1~50wt%, which total in the range of 0.01~1vol% of the cleaning solution.

이와 같이 하이드록시 아민기를 포함하는 세정 용액을 사용하는 경우에는 콘택홀 내부의 건식 식각의 부산물인 폴리머와 포토레지스트 잔류 패턴은 용이하게 제거되나 하부의 게이트 스택 또는 금속 배선의 금속의 부식을 유발할 수 있다. Thus, when using a cleaning solution containing a hydroxy amine, the by-product polymers and photoresist remaining pattern of the inner contact hole dry etching it can be easily removed, but result in a lower portion of the gate stack and corrosion of the metal of the metal wire . 이를 방지하기 위해 내부식성을 갖는 용액을 첨가제로 사용한다. It uses a solution having an anti-corrosion additive in order to prevent this.

상기 내부식성을 갖는 용액은 인산, 초산 또는 메탄올을 사용하며 전체 세정 용액의 5∼10vol% 의 범위 내에서 사용하게 된다. Solution with the corrosion resistance is used for phosphoric acid, acetic acid or methanol, and is used in the range of 5~10vol% of the total cleaning solution.

상술한 바와 같은 세정 용액을 사용하여 콘택홀 세정 공정을 수행한 결과 상기 포토레지스트 잔류 패턴, 콘택홀 내부의 폴리머, 콘택홀 하부의 금속의 경화성 폴리머 및 자연 산화막이 모두 제거되어 도 3에서와 같이, 깨끗이 세정된 콘택홀이 완성된다. After using the cleaning solutions as described above, do the contact hole cleaning process such as in the photo-resist remaining pattern, the contact hole of the polymer, the contact also is all removed curable polymer, and a natural oxide film on the metal of the hole bottom 3, the clean cleaning contact hole is completed.

상술한 바와 같은 본 발명의 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법은 다음과 같은 효과가 있다. Contact hole cleaning method of the semiconductor device of the present invention as described above has the following advantages.

포토레지스트 잔류 패턴과 콘택홀 하부에 존재하는 금속의 경화성 폴리머 및 층간 절연막의 건식 식각시 발생되는 폴리머를 동시에 제거하는 용액을 사용함으로서 기존의 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 용액, 콘택홀 내벽에 존재하는 폴리머를 제거하는 용액을 각각 따로 사용하여 공정 단계의 증가와 세정 용액의 사용량 증가를 가져왔던 기존의 공정을 개선하고 세정에 이용되는 초순수(Deionizedwater; DIW)의 사용을 현저하게 줄이면서 콘택홀 하부의 금속의 경화성 폴리머의 존재로 인한 전기 저항의 증가를 감소시켜 반도체 성능을 향상시킬 수 있다. Solution to remove the existing photoresist pattern by using a photoresist residue pattern with a solution for removing the polymer generated during the dry etching process at the same time of the curable polymer and the insulating film between layers of the metal present in the contact hole bottom, present in the contact hole, the inner wall each used independently of the solution to remove the polymer to improve the existing process brought the amount increase of the increase of the process steps and the cleaning solution and pure water used for washing; yet significantly reduces the use of (Deionizedwater DIW) of the contact hole bottom reduces the increase in electrical resistance due to the presence of the curable polymers of the metal can be improved semiconductor performance.

Claims (8)

  1. 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 게이트 스택 또는 금속 배선 상에 적층되어 있는 층간 절연막을 건식 식각하여 형성된 콘택홀의 내부 및 상부를 세정하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법에 있어서, In the interlayer insulating film with using the photoresist pattern as a mask is laminated on the gate stack or a metal wiring in the contact hole cleaning method of a semiconductor device to clean the contact hole and the upper interior formed by dry etching,
    상기 층간 절연막 상에 형성되어 있는 포토레지스트 패턴을 애싱하여 제거하는 단계; Removing by ashing the photoresist pattern is formed on the interlayer insulating film;
    상기 층간 절연막 상부에 잔류하는 포토레지스트 잔류 패턴 및 상기 콘택홀 내벽의 상기 층간 절연막 건식 식각시 발생된 폴리머를 제거하기 위한 하이드록시 아민(hydroxy amine)을 포함한 유기성 용액에, 상기 건식 식각시 게이트 또는 금속 배선과 반응하여 상기 콘택홀 하부에 존재하는 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액 및 내부식성을 갖는 인산, 초산 또는 메탄올 중 어느 한 용액을 첨가한 세정 용액을 증기화시켜 세정하는 단계를 포함하여 이루지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The organic solution containing the hydroxy amine (hydroxy amine) for removing the photoresist residue patterns and the polymer occurs when the insulating film between layers dry etching of the contact hole, the inner wall remaining on the interlayer insulating film above, the dry etching when the gate or metal the wiring and the reaction accomplish including the step of the contact hole bottom present solution for removing the curable polymers of the metal and cleaned by the addition of any of a solution of phosphoric acid, acetic acid or methanol, having a corrosion resistant solution to the cleaning by vaporization contact hole cleaning method of a semiconductor device, characterized in that the.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 잔류 패턴 및 상기 콘택홀 내벽의 상기 층간 절연막 건식 식각시 발생된 폴리머를 제거하기 위한 하이드로시 아민을 포함한 유기성 용액을 초순수에 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The method of claim 1, wherein the photoresist residual patterns and the semiconductor element to the organic solution containing the hydro when the amine for the removal of the polymer occurs when the insulating film between layers dry etching of the contact hole wall is characterized by using a mixture of the ultra-pure water method of cleaning a contact hole.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액은 황산, 과산화수소 또는 NH 3 F와 HF의 혼합액 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The method of claim 1, wherein the solution for removing the curable polymer of said metal contact hole cleaning method of a semiconductor device characterized by using any one of a mixed solution of sulfuric acid, hydrogen peroxide or NH 3 F with HF.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액은 0.1∼50wt%의 범위 내에서 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. 3. A method according to claim 1 or 3, wherein the contact hole cleaning method of a semiconductor device characterized in that the solution for removing the curable polymers of the metal is used in the range of 0.1~50wt%.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항 내지 제 4 항에 있어서, 상기 금속의 경화성 폴리머를 제거하기 위한 용액은 전체 세정 용액의 0.01∼1vol%의 범위 내에서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. According to claim 1 to 4, wherein the contact hole cleaning method of a semiconductor device characterized by using the solution for removing the curable polymers of the metal is in the range of 0.01~1vol% of the total cleaning solution .
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 세정 공정을 진행할 시 기판을 80℃ 정도로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The method of claim 1, wherein the contact hole cleaning method of a semiconductor device, comprising a step of holding a substrate during progress of the cleaning process, so 80 ℃.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 증기화된 세정 용액의 온도를 40∼90℃ 정도로 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The method of claim 1, wherein the contact hole cleaning method of a semiconductor device, comprising a step of holding the vaporization temperature of the cleaning solution so 40~90 ℃.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 인산, 초산 또는 메탄올은 전체 세정 용액의 5∼10vol%의 범위 내에서 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 세정 방법. The method of claim 1, wherein the contact hole cleaning method of a semiconductor device, characterized in that it is used in the range of 5~10vol% of the phosphoric acid, acetic acid or methanol is the total cleaning solution.
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