KR20030092258A - 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법 - Google Patents

반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030092258A
KR20030092258A KR1020020029870A KR20020029870A KR20030092258A KR 20030092258 A KR20030092258 A KR 20030092258A KR 1020020029870 A KR1020020029870 A KR 1020020029870A KR 20020029870 A KR20020029870 A KR 20020029870A KR 20030092258 A KR20030092258 A KR 20030092258A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle arm
center position
home position
state
center
Prior art date
Application number
KR1020020029870A
Other languages
English (en)
Inventor
김정홍
이종화
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020029870A priority Critical patent/KR20030092258A/ko
Publication of KR20030092258A publication Critical patent/KR20030092258A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조설비에서 순수를 이용하여 변성된 감광액을 제거할 시 노즐 암의 이동상태를 검출하여 구동상의 문제로 노즐 암이 이동하지 못하고 웨이퍼의 센터이외의 부분에서 순수를 디스펜스하는 것을 방지할 수 있는 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 제조설비는, 챔버의 내측벽의 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기와, 상기 챔버의 내측벽 다른 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기를 구비하고, 상기 홈 위치 감지기와 상기 센터위치 감지기로부터 상기 노즐 암의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시 경보를 발생하고 설비로 인터록신호를 보내도록 한다.

Description

반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법{DEVICE AND METHOD FOR DETECTING TRANSFER STATE OF NOZZLE ARM IN SEMICONDUCTOR PRODUCT EQUIPMENT THEREFOR}
본 발명은 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조설비에서 순수를 이용하여 감광액을 크리닝할 시 노즐 암의 이동상태를 검출하여 구동상의 문제로 노즐 암이 이동하지 못하고 웨이퍼의 센터이외의 부분에서 순수를 디스펜스하는 것을 방지할 수 있는 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체장치를 제조하기 위한 웨이퍼는 세정, 확산, 포토레지스트 코팅, 노광, 현상, 식각 및 이온주입 등과 같은 공정을 반복하여 거치게 되며, 이들 과정별로 해당 공정을 수행하기 위한 설비가 사용된다.
포토레지스트가 도포된 웨이퍼에 빛을 가하여 반응을 일으키는 노광 공정 후에 행하는 현상 공정은 현상액을 웨이퍼 전면부에 도포하여 상기 노광 공정 중에 변성된 레지스트를 부식 시킨 후 초수수액으로 세정하는 공정으로 이루어진다.
상기와 같은 세정 공정을 수행하는 종래의 디스펜스장치는 노즐 암이 홈 위치에 있다가 웨이퍼(W)의 센터까지 이동하게 되는데, 이때 구동상의 문제나 기구적인문제가 발생되어 웨이퍼(W)의 센터까지 이동하지 못하고 센터이외의 부분에서 순수(D.I)를 디스펜스하는 경우에는 도 1과 같이 변성된 포토 레지스트가 순수(D.I)에 의해 제거되지 않은 부위에 패턴형성이 되지 않는 문제가 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 설비에서 노즐 암이 홈 위치나 센터위치에 있는 지 감지하여 센터이외의 부분에서 순수를 디스펜스하여 발생하는 패턴불량을 방지할 수 있는 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼를 순수로 세정할 때 노즐 암이 센터 이외 부분에 위치할 시 알람을 발생하여 패턴불량이 발생하지 않도록 하는 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
도 1은 변성된 감광액이 순수(D.I)에 의해 세척되지 않고 남아 패턴 이 형성 되지 않은 웨이퍼의 예시도
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암(24)의 홈 위치와 센터위치 이동상태를 검출하기 위한 감지기의 설치 상태도
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암(24)의 위치 이동에 따라 홈 위치와 센터 위치를 검출하기 위한 시스템 구성도
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암(24)이 홈 위치와 센터위치로 이동되지 않을 시 알람을 발생하기 위한 제어 흐름도
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 노즐 암(24)의 홈 위치와 센터위치를 이동상태를 검출하기 위한 감지기의 설치 상태도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
20: 홈 위치 감지기 22: 센터위치 감지기
24: 노즐 암 26: 노즐
28: 보울 컵 30, 32: 돌기
34: 제어기 36: 설비
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치는, 챔버의 내측벽의 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기와, 상기 챔버의 내측벽 다른 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기와, 상기 홈 위치 감지기와 상기 센터위치 감지기로부터 상기 노즐 암의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시경보를 발생하도록 제어하는 제어기로 구성함을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 챔버의 내측벽의 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기와, 상기 챔버의 내측벽 다른 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기를 구비한 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출방법은,
상기 홈 위치 감지기와 상기 센터위치 감지기로부터 상기 노즐 암의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시 경보를 발생함을 특징으로 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암의 홈 위치와 센터위치를 이동상태를 검출하기 위한 감지기의 설치 상태도이다.
웨이퍼 상에 순수(D.I)를 공급하는 복수의 노즐(26)과, 상기 노즐(26)이 수직으로 부착되어 상기 노즐(26)을 웨이퍼(W)의 센터위치로 이동하거나 홈 위치로 이동하고, 상기 노즐(26)이 홈 위치나 센터위치로 이동될 때 위치를 센싱할 수 있도록 양 측면에 돌기(30, 32)가 형성된 노즐 암(24)과, 챔버의 내측벽에 설치되어 상기 노즐 암(24)이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기(20)와, 챔버의 내측벽에 설치되어 노즐 암(24)이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기(22)와, 상기 웨이퍼(W) 상에 순수를 공급할 시 공급되는 순수가 외부로 분사되지 않도록 차단하는 보울 컵(28)으로 구성되어 있다.
도 3는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암(24)의 위치 이동에 따라 홈 위치와 센터위치를 검출하기 위한 시스템 구성도이다.
챔버의 내측벽에 설치되어 상기 노즐 암(24)이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기(20)와, 챔버의 내측벽에 설치되어 노즐 암(24)이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기(22)와, 딥스위치를 구비하여 센터위치감지기(22)나 홈 위치 감지기(20)로 노즐 암(24)이 이동되는 최대시간을 설정하고, 상기 홈 위치 감지기(20)와 센터위치 감지기(22)로부터 노즐 암(24)의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암(24)이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시 경보를 발생하도록 제어하는 제어기(34)와, 상기 제어기(34)의 제어를 받아 웨이퍼 처리 공정을 진행하는 설비(36)로 구성되어 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐 암(24)이 홈 위치와 센터위치로 이동되지 않을 시 알람을 발생하기 위한 제어 흐름도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.
먼저 작업자는 노즐 암(22)이 홈 위치에서 센터위치로 이동하는 시간과 센터위치에서 홈 위치로 복귀하는 시간을 체크하여 그 이동시간을 설정하면 제어기(34)는 설정시간을 세팅한다. 노즐 암(24)이 홈 위치에 있게되면 홈 위치 감지기(20)는노즐 암(22)의 형성된 돌기(30)가 홈을 가리고 있어 오프된다. 홈 위치 감지기(20)와 센터위치 감지기(22)는 예를 들어 포토커플러로 구성할 수 있다. 그런 후 노즐 암(24)이 회전하여 홈 위치로 이동하게 되면 홈 위치 감지기(20)는 노즐 암(24)의 위치이동신호를 출력하여 제어기(34)로 인가한다. 이때 제어기(34)는 101단계에서 시스템상태를 체크하여 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터위치로 이동하는 시간이나 센터위치에서 홈 위치로 이동하는 시간을 세팅하고 공정시간을 초기화시킨 후 102단계로 진행한다. 상기 102단계에서 제어기(34)는 홈 위치 감지기(20)가 온되었는지 감지하여 홈 위치 감지기(20)가 온되었으면 노즐 암(24)이 센터위치로 이동한 것으로 인지하고 103단계로 진행한다. 상기 103단계에서 제어기(34)는 공정시간 t=0부터 카운팅을 시작한다. 공정시간 t를 카운팅하고 104단계에서 제어기(34)는 센터위치감지기(22)가 온되는지 감지하여 센터위치 감지기(22)가 온되면 정상적인 노즐 암(34)이 정상동작하는 것으로 인식하고 102단계로 돌아간다. 그러나 상기 104단계에서 센터 위치 감지기(22)가 온되지 않으면 105단계로 진행하여 제어기(34)는 공정시간 t(노즐 암이 홈에서 센터로 이동하거나 센터에서 홈으로 이동하는 현재시간)가 세팅된 시간 Ts(설정된 노즐 암이 이동하는 최대시간)를 경과하였는지 검사하여 공정시간 t가 세팅된 시간 Ts를 경과하였으면 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터위치로 정상적으로 이동되는 시간이 경과한 것으로 판단하고 106단계로 진행한다. 상기 106단계에서 제어기(34)는 에러신호인 하이신호 설비(36)로 출력하여 인터록을 걸게 한다. 그러나 상기 105단계에서 공정시간 t가 세팅된 시간 Ts를 경과하지 않았으면 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터위치로 정상적으로 이동이완료되지 않은 것으로 102단계로 돌아간다. 상기 Ts는 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터위치로 정상적인 상태에서 이동되는 최대시간을 미리 설정한 시간이 된다. 따라서 현재 공정시간 t가 Ts보다 크게 되면 노즐(26) 고정용 스크류가 브로큰되거나 롤러를 고정하는 스프링이 브로큰되어 노즐 암(24)이 회전하지 않고 업/다운만 되고 있는 이상상태가 되는 것이다. 그런 후 107단계에서 제어기(107)는 에러가 발생하여 조치가 완료된 후 리세트가 되는지 검사하여 리세트가 되면 제어기(108)는 에러해제 신호인 로우신호를 설비(36)로 인가하여 설비가 정상적인 동작을 하도록 제어한다.
또한 상기 노즐 암(24)이 센터에 위치하여 순수를 웨이퍼(W) 상에 공급하고 나서 센터 위치 감지기(22)가 오프된 상태에서 노즐 암(24)이 이동하여 홈 위치로 이동하게 되면 센터 위치 감지기(22)가 온 된다. 이 경우에도 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터위치로 이동할 때의 에러를 검출하는 동작과 동일한 동작을 하므로 이하 설명을 생략한다.
본 발명의 일 실시 예에서는 노즐 암(24)의 양측에 돌기(30, 32)를 형성하여 홈 위치감지기(20)와 센터 위치 감지기(22)에 의해 노즐 암(24)이 홈 위치에서 센터 위치로 이동하거나 센터 위치에서 홈 위치로 이동할 시 노즐 암(24)의 이동상태를 검출하도록 하고 있으나, 도 5와 같이 노즐 암(24)에 부착된 노즐(26)이 홈 위치감지기(20)나 센터 위치 감지기(22)의 홈에 삽입되어 노즐 암(24)의 이동상태를 검출하는 것도 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 실시 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 제조설비에서 노즐 암의 홈 위치에 홈 위치감지기를 설치하고 센터위치에 센터위치감지기를 설치하여 노즐 암이 홈 위치에서 이동하여 설정된 시간 내에 센터위치에 도달되지 않으면 에러를 발생하고, 노즐 암이 센터위치에서 이동하여 설정된 시간 내에 홈 위치에 도달되지 않으면 알람을 발생하고 인터록을 걸어 어택이 발생하지 않도록 하므로 공정의 지연 및 설비의 공정사고를 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치에 있어서,
    챔버의 내측벽의 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기와,
    상기 챔버의 내측벽 다른 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기와,
    상기 홈 위치 감지기와 상기 센터위치 감지기로부터 상기 노즐 암의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시 경보를 발생하도록 제어하는 제어기를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는, 딥스위치를 구비하여 상기 센터위치감지기나 상기 홈 위치 감지기로 상기 노즐 암이 이동되는 최대시간을 설정함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홈 위치감지기와 상기 센터위치감지기는 포토커플러임을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 노즐 암은 상기 홈 위치나 센터위치로 이동될 때 위치를 센싱할 수 있도록 양 측면에 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치.
  5. 챔버의 내측벽 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 홈 위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 홈 위치 감지기와, 상기 챔버의 내측벽 다른 일측에 설치되어 상기 노즐 암이 센터위치에 위치하는 상태를 검출하기 위한 센터위치 감지기를 구비한 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출방법에 있어서,
    상기 홈 위치 감지기와 상기 센터위치 감지기로부터 상기 노즐 암의 이동상태를 감지하여 상기 노즐 암이 설정된 시간 내에 홈 위치나 센터위치로 이동되지 않을 시 경보를 발생함을 특징으로 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출방법.
KR1020020029870A 2002-05-29 2002-05-29 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법 KR20030092258A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020029870A KR20030092258A (ko) 2002-05-29 2002-05-29 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020029870A KR20030092258A (ko) 2002-05-29 2002-05-29 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030092258A true KR20030092258A (ko) 2003-12-06

Family

ID=32384857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020029870A KR20030092258A (ko) 2002-05-29 2002-05-29 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030092258A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150006781A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 방법, 및 기억 매체

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150006781A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템의 제어 방법, 및 기억 매체

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100558560B1 (ko) 반도체 소자 제조를 위한 노광 장치
US20050259235A1 (en) Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing factory
EP0483349A4 (en) Method for control of photoresist develop processes
WO2010033720A1 (en) Dual tone development processes
KR20030092258A (ko) 반도체 제조설비의 노즐 암 이동상태 검출장치 및 그 방법
KR100597641B1 (ko) 웨이퍼 불량 로딩 검출부를 갖는 베이크 장비
KR100781457B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지시스템
KR20040024720A (ko) 건식 식각 장치의 플라즈마 감지 시스템
KR20060000190A (ko) 케미컬 암 제어 장치
US5978068A (en) Apparatus for protecting a reference mark used in exposure equipment
KR100607735B1 (ko) 반도체 현상 장치에서의 현상액 누출 감지 및 경보 시스템
JP2000100684A (ja) 基板処理方法およびその装置
KR100280108B1 (ko) 오리엔터 플랫존 유니트의 웨이퍼 파손 방지 시스템
KR20060076820A (ko) 웨이퍼의 모니터링 장치 및 노광 장비
KR100868624B1 (ko) 파티클 검출 장치
KR20070045738A (ko) 반도체 소자 제조장비에서의 디스펜싱 노즐 포지션검출장치
JP2924934B2 (ja) エッチング装置
KR20060117622A (ko) 항온수 순환 모니터링 장치 및 그에 따른 모니터링 방법
KR20070034653A (ko) 반도체 소자 제조장비에서의 보울 정전기 제거방법 및 그에따른 정전기 제거장치
KR20060074590A (ko) 감광액 도포 모니터링 장치
KR20070089445A (ko) 웨이퍼 로딩 장치
KR20060074579A (ko) 감광액 도포 모니터링 장치
KR100727692B1 (ko) 반도체 제조용 트랙장비의 스핀 유닛 및 제어방법
KR100779354B1 (ko) 반도체 현상설비
KR20060074769A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 그 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee