KR20030091356A - Passive transponder - Google Patents

Passive transponder Download PDF

Info

Publication number
KR20030091356A
KR20030091356A KR1020020029289A KR20020029289A KR20030091356A KR 20030091356 A KR20030091356 A KR 20030091356A KR 1020020029289 A KR1020020029289 A KR 1020020029289A KR 20020029289 A KR20020029289 A KR 20020029289A KR 20030091356 A KR20030091356 A KR 20030091356A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coupled
voltage signal
connection terminal
passive transponder
antenna connection
Prior art date
Application number
KR1020020029289A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100453721B1 (en
Inventor
정세진
최유수
최재욱
전신우
김태진
Original Assignee
주식회사 더즈텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 더즈텍 filed Critical 주식회사 더즈텍
Priority to KR10-2002-0029289A priority Critical patent/KR100453721B1/en
Publication of KR20030091356A publication Critical patent/KR20030091356A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100453721B1 publication Critical patent/KR100453721B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01SRADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S13/00Systems using the reflection or reradiation of radio waves, e.g. radar systems; Analogous systems using reflection or reradiation of waves whose nature or wavelength is irrelevant or unspecified
    • G01S13/74Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems
    • G01S13/75Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors
    • G01S13/751Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors wherein the responder or reflector radiates a coded signal
    • G01S13/758Systems using reradiation of radio waves, e.g. secondary radar systems; Analogous systems using transponders powered from received waves, e.g. using passive transponders, or using passive reflectors wherein the responder or reflector radiates a coded signal using a signal generator powered by the interrogation signal
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/0008General problems related to the reading of electronic memory record carriers, independent of its reading method, e.g. power transfer
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/10Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
    • G06K2007/10495Circuits for pulse forming, amplifying

Abstract

PURPOSE: A manual transponder device is provided to improve the restrictive usage of an RF-ID system by recording and erasing ID data. CONSTITUTION: A manual transponder device includes a detector/rectifier(100), a charger tank(120), a chip power shunt portion(140), a modulation shunt portion(200), a storage portion(160), a detection/input buffer(240), a controller, and a modulator(220). The detector/rectifier(100) is coupled to an antenna through the second and the third antenna connection terminals to convert an RF signal to the first and the second voltage signals. The charger tank(120) is coupled between the first voltage signal output portion of the detector/rectifier(100) and the first antenna connection terminal to transmit the first voltage signal as the driving power. The chip power shunt portion(140) is coupled between the first voltage signal output portion of the detector/rectifier(100) and the first antenna connection terminal to restrain the intensity of the first voltage signal. The modulation shunt portion(200) is coupled between the second voltage signal output portion of the detector/rectifier(100) and the first antenna connection terminal to restrain the intensity of the second voltage signal. The storage portion(160) stores initial data and transmission data. The detection/input buffer(240) is coupled between the second voltage signal output portion of the detector/rectifier(100) and the controller. The controller is used for controlling all operations of the manual transponder device. The modulator(220) is coupled between the second voltage signal output portion of the detector/rectifier(100) and the first antenna connection terminal to modulate the amplitude of the transmission data.

Description

수동 트랜스폰더 장치{PASSIVE TRANSPONDER}Passive Transponder Device {PASSIVE TRANSPONDER}

본 발명은 고주파 식별(RF-ID) 수동 트랜스폰더에 관한 것이다. 좀 더 상세히 설명하면, 데이터의 기록/소거가 가능하며, 900MHz 및 2.4GHz 대역에서 동작하는 RF-ID 수동 트랜스폰더에 관한 것이다.The present invention relates to a radio frequency identification (RF-ID) passive transponder. More specifically, it relates to an RF-ID passive transponder capable of recording / erasing data and operating in the 900 MHz and 2.4 GHz bands.

RF-ID 태그에 의한 고주파 식별(RF Identification, RF-ID)은 정보기술 산업 인식기술 분야의 중요한 기술로 간주되고 있다. 기존의 인식기술은 물류, 유통 바코드, 신분증, 출입통제 분야에 마그네틱 바코드 기술을 이용한 접촉식 단순 인식기술이었으나 최근에는 보다 발전된 비접촉식 고주파 식별 기술이 보편화되고 있다. 이러한 고주파 식별 기술은 현재까지는 출입통제, 교통카드, 차량인식, 고속도로 요금징수시스템(ETC), 물류, 공장자동화 등에 제한적으로 활용되어 왔으나 최근에는 초박형 ID 칩을 사용한 박형 고기능 RF-ID 태그 기술이 개발되어 고속 고감도 무선 스마트카드, 무선 전자화폐, 여권 등의 신분증에 이용되고 향후에는 프린터블(printable) 초박형 RF 태그가 등장하여 점차 기존의 바코드를 대체하는 유통혁명을 창출할 것으로 전망된다. 상술한 RF-ID 분야의 칩 설계에 있어서, RF-ID 태그에서 사용되는 칩 전원은 트랜시버로부터 방사되는 고주파의 전력을 고효율 쇼트키 다이오드을 통하여 정류하여 칩 내부에 캐패시터에 저장하여 내부회로의 동작시 충분한 전류를 제공하게 된다. 이 분야의 연구는 칩 정류 효율 향상이라는 목표로 고효율 다이오드개발 및 임피던스 매칭방법과 고효율의 안테나 개발과 더불어 활발한 연구가 계속되어져 왔다. 이에 의해, 트랜시버가 RF-ID 태그의 존재를 확인하는데 그치지 않고, 트랜시버와 RF-ID 태그간에 서로 정보를 교환하거나 또는 트랜시버로부터 명령(Command)을 수신한 RF-ID 태그가 수신한 명령에 기반한 특정 동작을 수행할 수 있는 고기능 고효율의 RF-ID 시스템이 개발되었다. 그러나, 이러한 RF-ID 시스템은 트랜시버로부터 명령을 수신하기 위해 복잡한 구성을 요하며, 입사되는 고주파 신호의 변조시 발생하는 플로팅 신호로 인해 입력 버퍼가 오동작하는 문제점이 있다. 또한, 각각의 RF-ID 태그를 구별하기 위한 ID(Identification) 데이터는 RF-ID 태그의 제작시 기록되어 소거 및 재기록이 불가능함으로 인해, RF-ID 시스템의 응용에 많은 제약을 주는 문제점이 있다.Radio frequency identification (RF-ID) by RF-ID tag is regarded as an important technology in the information technology industry. Conventional recognition technology has been a simple touch-type recognition technology using magnetic barcode technology in the fields of logistics, distribution barcodes, identification cards, and access control, but recently, more advanced non-contact high-frequency identification technology has become popular. Until now, high frequency identification technology has been limitedly used for access control, traffic card, vehicle recognition, expressway tolling system (ETC), logistics, and factory automation. However, recently, high-performance RF-ID tag technology using ultra-thin ID chip has been developed. It is expected to be used for identification cards such as high-speed, high-sensitivity wireless smart cards, wireless electronic money, and passports, and in the future, printable ultra-thin RF tags will emerge, creating a distribution revolution that will gradually replace existing barcodes. In the chip design of the above-mentioned RF-ID field, the chip power source used in the RF-ID tag rectifies the high frequency power radiated from the transceiver through a high efficiency Schottky diode and stores it in a capacitor inside the chip, which is sufficient for the operation of the internal circuit. To provide current. The research in this field has been actively conducted along with the development of high efficiency diode, impedance matching method and high efficiency antenna with the aim of improving chip rectification efficiency. This allows the transceiver not only to verify the existence of the RF-ID tag, but to exchange information between the transceiver and the RF-ID tag or to receive a command from the transceiver. A highly functional, high-efficiency RF-ID system has been developed to perform the operation. However, such an RF-ID system requires a complicated configuration to receive a command from a transceiver, and there is a problem in that an input buffer malfunctions due to a floating signal generated when modulating an incident high frequency signal. In addition, since identification (ID) data for distinguishing each RF-ID tag is recorded at the time of manufacture of the RF-ID tag and cannot be erased and rewritten, there is a problem that the application of the RF-ID system has many limitations.

한편, 종래의 RF-ID 시스템은 RF-ID 태그에서 검파 및 정류를 위해 사용되는 쇼트키 다이오드와 같은 비선형소자는 비선형 임피던스 특성으로 인해, 선택된 고주파 신호 이외의 고조파(Harmonic wave)를 발생시킨다. 이로 인해, 단일 고주파를 교신 신호로 운용하는 RF-ID 시스템에서는 불필요한 고조파의 발생으로 인해 빈번하게 판독 오류가 발생하는 문제점이 있었다.On the other hand, in the conventional RF-ID system, nonlinear devices such as Schottky diodes used for detection and rectification in RF-ID tags generate harmonics other than selected high frequency signals due to their nonlinear impedance characteristics. For this reason, in the RF-ID system operating a single high frequency as a communication signal, there is a problem in that a reading error frequently occurs due to the generation of unnecessary harmonics.

단일 주파수의 고주파를 교신 신호로 사용하여 발생하는 문제점을 해결하기 위해 제안된 미국 특허 등록 번호 제6060815를 참조하면, 서로 다른 주파수를 갖는 복수의 고주파 신호를 교신 신호(Interrogation Signal)로 운용하는 RF-ID 시스템이 개시되어 있다. 상기 특허에서 제시된 복수의 고주파 신호를 이용한 방식은 송신 주파수 드리프트 효과를 감소시키고, RF-ID 태그로 입사되는 고주파 신호의 반사시 대역폭을 증가시키는 효과를 갖는다. 상술한 방식에 의해 RF-ID 태그에 입사된 복수의 고주파 신호는 비선형 임피던스 소자인 쇼트키 다이오드 또는 주파수 혼합 소자에 의해 RF-ID 태그의 구동 주파수 대역의 신호로 변환되고, 변환된 신호는RF-ID 태그의 구동 전원으로 이용된다.Referring to US Patent Registration No. 6060815 proposed to solve a problem caused by using a high frequency of a single frequency as a communication signal, RF- which operates a plurality of high frequency signals having different frequencies as an interrogation signal. An ID system is disclosed. The method using a plurality of high frequency signals proposed in the patent has the effect of reducing the transmission frequency drift effect and increasing the bandwidth in the reflection of the high frequency signal incident on the RF-ID tag. A plurality of high frequency signals incident on the RF-ID tag by the above-described method are converted into signals of the driving frequency band of the RF-ID tag by a Schottky diode or a frequency mixing element which is a nonlinear impedance element, and the converted signals are RF- It is used as a driving power source for ID tags.

따라서, 본 발명의 목적은 ID 데이터의 기록 및 소거가 가능하게 함으로써, RF-ID 시스템의 응용에 제한을 해결한 수동 트랜스폰더 장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a passive transponder device that solves the limitation of the application of the RF-ID system by enabling recording and erasing of ID data.

본 발명의 다른 목적은 트랜시버로부터 수신된 커맨드를 버퍼링하는 입력 버퍼의 오동작을 효과적으로 방지할 수 있는 수동 트랜스폰더 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a passive transponder device capable of effectively preventing a malfunction of an input buffer buffering a command received from a transceiver.

본 발명의 또 다른 목적은 CMOS 타입으로 구현된 수동 트랜스폰더 내부에서 비정기적으로 발생하는 과전류 현상을 제거한 수동 트랜스폰더 장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a passive transponder device which eliminates an overcurrent phenomenon occurring irregularly inside a passive transponder implemented in a CMOS type.

본 발명의 또 다른 목적은 900MHz 대역 및 2.45GHz 대역에서 동작하는 RF-ID 칩의 로직에 결합되어 검파 및 정류 효율을 높이고, 내부 구동 전원을 안정화시키며, 입력 버퍼를 보호하는 수동 트랜스폰더 장치를 제공하는데 있다.Yet another object of the present invention is to provide a passive transponder device coupled to the logic of an RF-ID chip operating in the 900 MHz band and the 2.45 GHz band to increase detection and rectification efficiency, stabilize internal drive power, and protect the input buffer. It is.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수동 트랜스폰더의 내부 구성을 도시한 블록도.1 is a block diagram showing the internal configuration of a passive transponder according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검파/정류 회로를 도시한 회로도.2A-2B are circuit diagrams showing a detection / rectification circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칩 파워 션트 회로를 도시한 회로도.3 is a circuit diagram showing a chip power shunt circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변조 션트 회로를 도시한 회로도.4 is a circuit diagram showing a modulation shunt circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변조 회로를 도시한 회로도.5 is a circuit diagram showing a modulation circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 커맨드 검출/입력 버퍼를 도시한 회로도.6 is a circuit diagram showing a command detection / input buffer according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수동 트랜스폰더 시스템의 구성을 도시한 블록도.Figure 7 is a block diagram showing the configuration of a passive transponder system according to a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 일측면에 의한 바람직한 일실시예에 따르면, 인터로게이터로부터 송출된 서로 다른 주파수를 갖는 복수의 RF 신호를 수신하는 복수의 안테나와 제1 내지 제3 안테나 연결 단자를 통해 결합된 수동 트랜스폰더 장치에 있어서, 상기 제2 안테나 연결 단자 및 상기 제3 안테나 연결 단자를 통해 상기 안테나와 결합하고, 상기 RF 신호를 제1 전압 신호 및 제2 전압 신호로 변환하여 출력하는 검파/정류부와, 상기 검파/정류부의 제1 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제1 전압 신호를 입력받아 상기 수동 트랜스폰더 장치의 구동 전원으로 공급하는 차저 탱크와, 상기 검파/정류부의 제1 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제1 전압 신호의 크기를 제한하는 칩 파워 션트부와, 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제2 전압 신호의 크기를 제한하는 변조 션트부와 상기 수동 트랜스폰더의 작동에 관련된 초기 데이터 및 전송 데이터를 저장하는 저장부와, 상기 검파/변조부의 제2 전압 신호 출력측과 제어부 사이에 결합되며, 상기 제2 전압 신호로부터 커맨드를 검출하는 커맨드 검출/입력 버퍼와, 상기 커맨드 검출/입력 버퍼로부터 입력된 커맨드에 의해 상기 수동 트랜스폰더의 전체적인 동작을 제어하는 제어부 및 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 저장부에 기록된 상기 전송 데이터를 진폭 변조하는 변조 회로를 포함하는 수동 트랜스폰더 장치가 제공된다.According to a preferred embodiment of the present invention, a passive transformer coupled through a plurality of antennas and first to third antenna connection terminals for receiving a plurality of RF signals having different frequencies transmitted from an interrogator A fond device, comprising: a detector / rectifier coupled to the antenna through the second antenna connection terminal and the third antenna connection terminal, converting the RF signal into a first voltage signal and a second voltage signal, and outputting the first and second voltage signals; A charger tank coupled between the first voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal and receiving the first voltage signal and supplying the first voltage signal to a driving power supply of the passive transponder device; A chip power shunt unit coupled between the first voltage signal output side and the first antenna connection terminal and limiting the magnitude of the first voltage signal; Coupled between the second voltage signal output side of the wave / rectifier and the first antenna connection terminal, storing initial data and transmission data related to the operation of the passive transponder and a modulation shunt for limiting the magnitude of the second voltage signal. A command detection / input buffer coupled between a storage unit, a second voltage signal output side of the detection / modulation unit, and a control unit, and detecting a command from the second voltage signal, and a command input from the command detection / input buffer. The transmission data is coupled between the control unit for controlling the overall operation of the passive transponder and the second voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal, and the transmission data recorded in the storage unit under control of the control unit. A passive transponder device is provided that includes a modulation circuit that amplitude modulates a.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 수동 트랜스폰더 시스템에 있어서, 선택 주파수를 갖는 제1 RF 신호 및 상기 선택 주파수와 평균 중심 주파수가 일치하도록 협대역 주파수 변조에 의해 발생된 톤 변조된 적어도 하나의 제2 RF 신호를 송출하는 송신기와, 상기 제1 RF 신호 및 상기 제2 RF 신호의 평균 중심 주파수에 동기되어 상기 복수의 RF 신호를 구동 전원으로 이용하며, 내부에 포함된 고유 ID 데이터를 이용하여 상기 수신된 복수의 RF 신호를 저주파 변조하여 송출하는 수동 트랜스폰더 장치 및 상기 수동 트랜스폰더 장치로부터 수신한 저주파 변조된 RF 신호로부터 상기 ID 데이터를 검출하는 수신기를 포함하는 수동 트랜스폰더 시스템.According to another embodiment of the present invention, in a passive transponder system, a first RF signal having a selected frequency and at least one first modulated tone modulated by narrowband frequency modulation such that the selected frequency and the mean center frequency coincide. A transmitter for transmitting a 2 RF signal, and using the plurality of RF signals as driving power in synchronization with an average center frequency of the first RF signal and the second RF signal, using the unique ID data included therein; And a passive transponder device for low frequency modulating and transmitting the received plurality of RF signals, and a receiver for detecting the ID data from the low frequency modulated RF signal received from the passive transponder device.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해, NMOS 트랜지스터로 구현된 실시예를 설명한다. 그러나, 이는 본 발명의 권리범위를 NMOS 트랜지스터로 구현된 장치에 한정하는 것은 아니며, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, PMOS 트랜지스터를 이용하여 동일한 회로를 구성할 수 있음은 물론이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, for convenience of description, an embodiment implemented with an NMOS transistor will be described. However, this does not limit the scope of the present invention to a device implemented with an NMOS transistor, and those skilled in the art may configure the same circuit using a PMOS transistor. to be.

도 1a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수동 트랜스폰더의 내부 구성을 도시한 블록도이고, 도 1b는 평판형 안테나의 형상을 도시한 도면이다.Figure 1a is a block diagram showing the internal configuration of a passive transponder according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 1b is a view showing the shape of a flat antenna.

도 1a를 참조하면, 수동 트랜스폰더는 검파/정류 회로(100), 차처 탱크(120), 칩 파워 션트(SHUNT) 회로(140), EEP 롬(160), MCU(180), 변조 션트 회로(200), 변조 회로(220) 및 커맨드 검출/입력 버퍼(240)를 포함한다. 본 발명에 따른 수동 트랜스폰더는 상술한 구성 요소를 포함하는 하나의 칩으로 구성되며, 도 1에 도시된 바와 같이, 평판형 안테나(10)의 제1 안테나 연결 단자, 제2 안테나 연결 단자 및 제3 안테나 연결 단자에 각각 연결된다. 다만, 수동 트랜스폰더와 평판형 안테나(10) 사이에 결합되는 임피던스 매칭 회로가 도 1a에는 도시되어 있지 않다.Referring to FIG. 1A, a passive transponder includes a detection / rectification circuit 100, a charge tank 120, a chip power shunt (SHUNT) circuit 140, an EEP ROM 160, an MCU 180, and a modulation shunt circuit ( 200, modulation circuit 220 and command detection / input buffer 240. The passive transponder according to the present invention is composed of one chip including the above-described components, and as shown in FIG. 1, the first antenna connection terminal, the second antenna connection terminal, and the first antenna connection terminal of the flat antenna 10. 3 are connected to each antenna connection terminal. However, an impedance matching circuit coupled between the passive transponder and the planar antenna 10 is not shown in FIG. 1A.

검파/정류 회로(100)는 RF-IF 인터로게이터로부터 송출된 915MHz 대역 또는 2.45GHz 대역의 RF 신호를 직류 전압 신호로 변환하고, 체배하여 수동 트랜스폰더의 구동에 필요한 최소 전압이 되도록 한다. 정류 회로(100)는 2개의 출력 노드인 E 노드와 M 노드를 구비하며, E 노드는 제2 쇼트키 다이오드에 의해 2차 정류 및 전압 체배된 제1 전압 신호의 출력 노드이고, M 노드는 검파/정류 회로의 제1 쇼트키 다이오드에 의해 1차 정류된 제2 전압 신호의 출력 노드이다. 검파/정류 회로(100)의 내부 구성은 도 2a 내지 도 2b를 참조하여 설명한다.The detection / rectification circuit 100 converts the RF signal of the 915 MHz band or the 2.45 GHz band transmitted from the RF-IF interrogator into a DC voltage signal, and multiplies it to be the minimum voltage required for driving the passive transponder. The rectifier circuit 100 has two output nodes, an E node and an M node, the E node being an output node of the first voltage signal secondary rectified and voltage-multiplied by a second Schottky diode, and the M node being detected Output node of the first voltage rectified by the first Schottky diode of the rectifier circuit. The internal configuration of the detection / rectification circuit 100 will be described with reference to Figs. 2A to 2B.

차저 탱크(120)는 E 노드에 결합되며, 수동 트랜스폰더를 구성하는 하나의 반도체 칩에 포함되고, 정류 회로(100)로부터 출력된 제1 전압 신호는 차저 탱크(120)를 통해 수동 트랜스폰더의 구동 전원으로 사용된다. 본 발명에서는, 평판 컨덴서를 차저 탱크로 이용하였으며, 평판 컨덴서의 커패시턴스는 1 nF 이상이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시예에서는 1800pF의 커패시턴스를 갖는 평판 콘덴서를 이용하여 기본적인 형태의 차저 펌프를 구현하였다. 그러나, NMOS 트랜지스터 또는 PMOS 트랜지스터를 이용하여서도 차저 펌프를 구현할 수 있음은 물론이다.The charger tank 120 is coupled to the E node, and is included in one semiconductor chip constituting the passive transponder, and the first voltage signal output from the rectifier circuit 100 is connected to the passive transponder through the charger tank 120. Used as a driving power source. In the present invention, a flat plate capacitor is used as a charger tank, and the capacitance of the flat plate capacitor is preferably 1 nF or more. In a preferred embodiment of the present invention, a basic type charger pump is implemented by using a flat plate capacitor having a capacitance of 1800 pF. However, the charger pump can also be implemented using an NMOS transistor or a PMOS transistor.

칩 파워 션트 회로(140)는 E 노드에 결합되어 있는 각 구성 요소에 인가되는 전압 신호의 크기를 제한하며, 특히, 본 발명과 같이 RF 회로에서는, 정류 회로의 쇼트키 다이오드(Schottky Diod)의 양단에 걸리는 전압의 크기를 제한한다. 칩 파워 션트 회로(140)의 내부 구성은 도 3을 참조하여 설명한다.The chip power shunt circuit 140 limits the magnitude of the voltage signal applied to each component coupled to the E node. In particular, in the RF circuit as in the present invention, both ends of the Schottky Diod of the rectifier circuit are provided. Limit the magnitude of the voltage across the An internal configuration of the chip power shunt circuit 140 will be described with reference to FIG. 3.

EEP 롬(160)은 전기적인 수단을 통해 정보의 기록 및 소거 가능한 기록 소자로서, 수동 트랜스폰더를 구성하는 하나의 반도체 칩에 포함되며, 검파/정류 회로(100)로부터 구동 전원(VDD)을 인가 받고, 수동 트랜스폰더의 작동에 관련된 초기 데이터 및 전송 데이터를 제어 회로(180)로 전송한다. EEP 롬(160)에는 수동 트랜스폰더의 응용 목적에 따라 필요한 작동 모드(OPERATION MODE) 및 내부 동작 제어에 필요한 초기 데이터(INITIALIZE DATA)와, 수동 트랜스폰더의 ID 데이터를 포함하는 전송 데이터가 기록된다. 여기서, 작동 모드는 인터로게이터의 무선 전파 신호가 인가되면, (1) 대기 동작 없이 즉시 데이터 프레임을 송출하는 연속 모드와, (2) 무선 전파 신호에 포함된 커맨드 펄스에 의해 다음 작동 명령을 대기하는 커맨드 모드가 포함된다. 커맨드 모드에서는 송출할 데이터 프레임의 지연 시간이 별도로 설정되어진다. 여기서, 데이터 프레임은 156비트 차등 양위상(Bi-Phase) 엔코딩된 데이터로서, 64Kbps로 송출된다.The EEP ROM 160 is a recording element capable of recording and erasing information through electrical means. The EEP ROM 160 is included in one semiconductor chip constituting a passive transponder and applies a driving power supply VDD from the detection / rectification circuit 100. And transmit initial data and transmission data related to the operation of the passive transponder to the control circuit 180. In the EEP ROM 160, transmission data including an operation mode required for an application purpose of the passive transponder and initial data necessary for internal operation control (INITIALIZE DATA) and ID data of the passive transponder are recorded. Here, when the radio wave signal of the interrogator is applied, the operation mode waits for the next operation command by (1) the continuous mode which immediately transmits a data frame without the standby operation, and (2) the command pulse included in the radio wave signal. Command mode is included. In the command mode, a delay time of a data frame to be sent is set separately. Herein, the data frame is 156-bit Bi-Phase encoded data and is transmitted at 64 Kbps.

제어 회로(180)는 인터로게이터로부터 송출된 적어도 하나의 무선 신호에 의해 수동 트랜스폰더가 작동하기 시작하고, 무선 신호에 포함된 커맨드가 커맨드 검출/입력 버퍼(240)를 통해 입력되면, EEP 롬(160)에 기록된 ID 정보를 변조하여 송출하도록 내부 구성 요소의 동작을 제어한다. 제어 회로(180)는 적어도 하나의 오실레이터, 전원 제어 회로, 제어 로직 및 양위상 변조 회로(Bi-Phase Modulator)를 포함한다.The control circuit 180 starts the passive transponder operation by at least one radio signal transmitted from the interrogator, and when a command included in the radio signal is input through the command detection / input buffer 240, the EEP ROM The operation of the internal component is controlled to modulate and transmit the ID information recorded in the 160. The control circuit 180 includes at least one oscillator, a power supply control circuit, control logic, and a bi-phase modulator.

변조 션트 회로(200)는 M 노드에 결합되어 있는 각 구성 요소에 인가되는 제2 전압 신호의 크기를 제한하며, 특히, 본 발명과 같이 고주파 회로에서는, 정류 회로의 쇼트키 다이오드(Schottky Diod)의 양단에 걸리는 전압의 크기를 제한한다.변조 션트 회로(200)의 내부 구성은 도 4를 참조하여 설명한다.The modulation shunt circuit 200 limits the magnitude of the second voltage signal applied to each component coupled to the M node. In particular, in the high frequency circuit as in the present invention, the Schottky Diod of the rectifying circuit The magnitude of the voltage across both ends is limited. An internal configuration of the modulated shunt circuit 200 will be described with reference to FIG.

변조 회로(220)는 M 노드에 결합되어 있으며, 제어 회로(180)의 제어 신호 PMOD에 의해 EEP 롬(160)에 기록된 전송 데이터를 진폭 변조(Amplitude Modulation)하여 평판형 안테나(10)를 통해 인터로게이터로 송출한다. 변조 회로(220)의 내부 구성은 도 5를 참조하여 설명한다.The modulation circuit 220 is coupled to the M node, and amplitude modulation modulates the transmission data recorded in the EEP ROM 160 by the control signal PMOD of the control circuit 180 through the planar antenna 10. Send to the interrogator. An internal configuration of the modulation circuit 220 will be described with reference to FIG. 5.

커맨드 검출/입력 버퍼(240)는 M 노드에 결합되어 있으며, 데이터 검출 수단으로 실리콘 다이오드 구조로 연결된 NMOS 트랜지스터, 버퍼 보호 수단으로 스위치로 동작하는 NMOS 트랜지스터 및 입력 버퍼로 구성되어 있다. 커맨드 검출/입력 버퍼(240)는 비변조(Non-Modulation Mode)시 검파/정류 회로(160)에 의해 1차 정류된 신호에 포함된 커맨드 펄스를 검출하여 버퍼에 일시 저장한 후 제어 회로(180)에 입력한다. 커맨드 검출/입력 버퍼(240)의 내부 구성은 도 6을 참조하여 설명한다.The command detection / input buffer 240 is coupled to an M node, and is composed of an NMOS transistor connected in a silicon diode structure as data detection means, an NMOS transistor acting as a switch as a buffer protection means, and an input buffer. The command detection / input buffer 240 detects a command pulse included in the signal first rectified by the detection / rectification circuit 160 in the non-modulation mode, temporarily stores the command pulse in the buffer, and then controls the control circuit 180. ). The internal configuration of the command detection / input buffer 240 will be described with reference to FIG. 6.

도 1b에 도시된 평판형 안테나(10)는 인터로게이터로부터 송출된 서로 다른 주파수를 갖는 복수의 RF 신호를 수신하여 제1 내지 제3 안테나 연결 단자를 통해 수동 트랜스폰더에 입력한다.The flat antenna 10 shown in FIG. 1B receives a plurality of RF signals having different frequencies transmitted from the interrogator and inputs them to the passive transponder through the first to third antenna connection terminals.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검파/정류 회로를 도시한 회로도이다.2A to 2B are circuit diagrams showing a detection / rectification circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 정류 회로(100)는 전압 체배 회로(VOLTAGE DOUBLER CIRCUIT)이며, 제1 쇼트키 다이오드(102), 제2 쇼트키 다이오드(104) 및 결합 콘덴서(106)로 구성되어 있다. 제1 쇼트키 다이오드(102)의 N 노드(캐쏘드; cathode)와 제2 쇼트키 다이오드(104)의 P 노드(애노드; anode)가 결합되어 있으며, 제1 쇼트키 다이오드(102)와 제2 쇼트키 다이오드(104)의 결합점에 결합 콘덴서(106)의 일측 단자가 결합되어 있다. 여기서, 결합 콘덴서(106)는 5pF의 커패시턴스를 가지며, 평판 콘덴서로 구성되는 것이 바람직하다. 제1 쇼트키 다이오드(102)의 P 노드는 제3 안테나연결 단자에 결합되며, 제2 쇼트키 다이오드(104)의 N 노드는 E 노드에 결합된다. 또한, 제1 쇼트키 다이오드(102)와 제2 쇼트키 다이오드(104)의 결합점은 M 노드에 결합되며, 결합 콘덴서(106)의 타측 단자는 제2 안테나 연결 단자에 결합된다.The rectifier circuit 100 shown in FIG. 2A is a voltage multiplier circuit (VOLTAGE DOUBLER CIRCUIT) and is composed of a first Schottky diode 102, a second Schottky diode 104, and a coupling capacitor 106. The N node (cathode) of the first Schottky diode 102 and the P node (anode) of the second Schottky diode 104 are coupled, and the first Schottky diode 102 and the second One terminal of the coupling capacitor 106 is coupled to the coupling point of the Schottky diode 104. Here, the coupling capacitor 106 has a capacitance of 5 pF and is preferably composed of a flat capacitor. The P node of the first Schottky diode 102 is coupled to the third antenna connection terminal, and the N node of the second Schottky diode 104 is coupled to the E node. In addition, a coupling point of the first Schottky diode 102 and the second Schottky diode 104 is coupled to the M node, and the other terminal of the coupling capacitor 106 is coupled to the second antenna connection terminal.

도 2a에 도시된 바와 같이, RF 대역(915MHz 대역 또는 2.45GHz 대역)에서 동작하는 2개의 쇼트키 다이오드를 이용하여 정류 회로(100)를 구성함으로써, 검파 효율은 높아지고, 임피던스는 반으로 줄어들며, 이로 인해 평판형 안테나(10)와 정류 회로(100) 사이의 임피던스 매칭이 용이해지는 장점이 있다.As shown in FIG. 2A, by configuring the rectifier circuit 100 using two Schottky diodes operating in the RF band (915 MHz band or 2.45 GHz band), the detection efficiency is increased, the impedance is reduced by half, and thus Due to this, there is an advantage in that impedance matching between the planar antenna 10 and the rectifier circuit 100 is facilitated.

도 2b에 도시된 정류 회로(100)는 하나의 쇼트키 다이오드(108) 및 결합 콘덴서(110)로 구성되어 있다. 쇼트키 다이오드(108)의 P 노드는 결합 콘덴서(110)의 일측 단자, M 노드 및 제3 안테나 연결 단자와 결합되며, 쇼트키 다이오드(108)의 N 노드는 E 노드와 결합된다. 그리고, 결합 콘덴서(110)의 타측 단자는 제2 안테나 연결 단자에 결합된다. 도 2b에 도시된 정류 회로(100)는 일반적인 적은 비용으로 구현할 수 있는 장점이 있으나, 동일한 입력 신호에 대해 도 2a에 도시된 전압 체배 회로 보다 낮은 출력 전압을 얻을 수밖에 없다.The rectifier circuit 100 shown in FIG. 2B is composed of one Schottky diode 108 and a coupling capacitor 110. The P node of the Schottky diode 108 is coupled with one terminal, the M node, and the third antenna connection terminal of the coupling capacitor 110, and the N node of the Schottky diode 108 is coupled with the E node. The other terminal of the coupling capacitor 110 is coupled to the second antenna connection terminal. The rectifier circuit 100 shown in FIG. 2B has an advantage that it can be implemented at a low cost in general, but it is inevitable to obtain an output voltage lower than that of the voltage multiplier circuit shown in FIG. 2A for the same input signal.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 칩 파워 션트 회로를 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating a chip power shunt circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 칩 파워 션트 회로(140)는 직렬로 결합된 복수의 NMOS 트랜지스터(142 내지 148)들로 구성된다. 복수의 NMOS 트랜지스터들(142 내지 148)은 각각 로드 저항으로서 동작하는 로드 트랜지스터이며, 게이트 및 드레인이 연결되는 다이오드 구조를 갖는다. NMOS 트랜지스터(142)의 게이트 및 드레인은 E 노드에 결합되며, 소스는 NMOS 트랜지스터(144)의 게이트 및 드레인에 결합된다. 나머지 NMOS 트랜지스터(144 내지 148)도 동일한 방식으로 결합된다. 복수의 NMOS 트랜지스터들(142 내지 148)의 드레인-소스간에 걸리는 전압은 대략적으로 1V인 것이 바람직하다. 그리고, 도면에는 도시되지 않았으나, 복수의 NMOS 트랜지스터들(142 내지 148)의 베이스는 제1 안테나연결 단자에 결합된다.The chip power shunt circuit 140 shown in FIG. 3 is composed of a plurality of NMOS transistors 142 to 148 coupled in series. The NMOS transistors 142 to 148 are load transistors each operating as a load resistor, and have a diode structure in which a gate and a drain are connected. The gate and drain of the NMOS transistor 142 are coupled to the E node, and the source is coupled to the gate and drain of the NMOS transistor 144. The remaining NMOS transistors 144-148 are also coupled in the same manner. Preferably, the voltage across the drain-source of the plurality of NMOS transistors 142 to 148 is approximately 1V. Although not shown, the base of the plurality of NMOS transistors 142 to 148 is coupled to the first antenna connection terminal.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변조 션트 회로를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating a modulation shunt circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 변조 션트 회로(200)는 직렬로 결합된 복수의 NMOS 트랜지스터(202 내지 208)들로 구성된다. 복수의 NMOS 트랜지스터들(202 내지 208)은 각각 로드 저항으로서 동작하는 로드 트랜지스터이며, 게이트 및 드레인이 연결되는 다이오드 구조를 갖는다. NMOS 트랜지스터(202)의 게이트 및 드레인은 M 노드에 결합되며, 소스는 NMOS 트랜지스터(204)의 게이트 및 드레인에 결합된다. 나머지 NMOS 트랜지스터(204 내지 208)도 동일한 방식으로 결합된다. 복수의 NMOS트랜지스터들(202 내지 208)의 드레인-소스간에 걸리는 전압은 0.6V 내지 1V 이내인 것이 바람직하다. 그리고, 도면에는 도시되지 않았으나, 복수의 NMOS 트랜지스터들(202 내지 208)의 베이스는 제1 안테나연결 단자에 결합된다.The modulation shunt circuit 200 shown in FIG. 4 is composed of a plurality of NMOS transistors 202 to 208 coupled in series. The plurality of NMOS transistors 202 to 208 are load transistors each operating as a load resistor, and have a diode structure to which a gate and a drain are connected. The gate and drain of the NMOS transistor 202 are coupled to the M node, and the source is coupled to the gate and drain of the NMOS transistor 204. The remaining NMOS transistors 204-208 are also coupled in the same manner. The voltage applied between the drain and the source of the plurality of NMOS transistors 202 to 208 is preferably within 0.6V to 1V. Although not shown, the base of the plurality of NMOS transistors 202 to 208 is coupled to the first antenna connection terminal.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 변조 회로를 도시한 회로도이다.5 is a circuit diagram showing a modulation circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 변조 회로(220)는 M 노드에 일측 단자가 결합되고, 타측 단자는 NMOS 트랜지스터(224)의 드레인에 결합된 제1 저항(222)과 스위치로 동작하며, 소스는 제1 안테나 연결 단자에 결합된 NMOS 트랜지스터(224)로 구성된다. 제1 저항(222)의 저항값은 수동 트랜스폰더의 평판형 안테나(10)로부터 송출되는 반사 RF 신호의 주파수의 시상수와 반사율을 결정한다. 따라서, 인터로게이터의 검파 효율에 영향을 미치지 않을 정도이어야 하므로, 제1 저항(222)의 저항값은 수 KOhm인 것이 바람직하며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 2 KOhm의 저항을 이용한다.In the modulation circuit 220 illustrated in FIG. 5, one terminal is coupled to an M node, and the other terminal acts as a switch and a first resistor 222 coupled to the drain of the NMOS transistor 224, and the source is a first antenna. NMOS transistor 224 coupled to the connection terminal. The resistance value of the first resistor 222 determines the time constant and reflectance of the frequency of the reflected RF signal transmitted from the planar antenna 10 of the passive transponder. Therefore, the resistance value of the first resistor 222 is preferably several KOhm since the interrogator should not affect the detection efficiency of the interrogator. In the preferred embodiment of the present invention, the resistance of 2 KOhm is used.

NMOS 트랜지스터(224)는 제어 회로(180)로부터 게이트로 인가되는 PMOD 신호에 의해 온(ON)/오프(OFF) 동작을 반복하여 전송 데이터를 진폭 변조(Amplitude Modulation) 한다. 즉, PMOD 신호가 로우(LOW)인 경우, 트랜지스터(224)는 스위칭 오프 상태이고, 평판형 안테나(10)의 임피던스는 변화가 없다. PMOD 신호가 하이(HIGH)인 경우, NMOS 트랜지스터(224)는 스위칭 온 상태가 되면, M 노드-제1 안테나간 연결된 저항(222)으로 인해 평판형 안테나(10)의 임피던스는 변화하게 되며, 이에 의해 수동 트랜스폰더로부터 반사되는 RF 신호의 진폭이 변조된다. 따라서, 변조 회로(220)에 의해, 인터로게이터에서 송출되어 수동 트랜스폰더로부터 반사되는 RF 신호는 차등 양위상(Bi-Phase) 엔코딩된 데이터 프레임을 포함하게 되며, 변조된 데이터 프레임은 64Kbps로 송출된다.The NMOS transistor 224 repeats the ON / OFF operation by the PMOD signal applied from the control circuit 180 to the gate to amplitude modulate the transmission data. That is, when the PMOD signal is LOW, the transistor 224 is switched off and the impedance of the planar antenna 10 is unchanged. When the PMOD signal is HIGH, when the NMOS transistor 224 is switched on, the impedance of the planar antenna 10 is changed due to the resistance 222 connected between the M node and the first antenna. This modulates the amplitude of the RF signal reflected from the passive transponder. Thus, by the modulation circuit 220, the RF signal sent out of the interrogator and reflected from the passive transponder will comprise differentially-phased (Pi-Phase) encoded data frames, and the modulated data frames are transmitted at 64 Kbps. do.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 커맨드 검출/입력 버퍼를 도시한 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a command detection / input buffer according to a preferred embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 커맨드 검출/입력 버퍼(240)는 M 노드에 게이트와 드레인이 결합되고 소스는 버퍼(248)의 입력단에 결합된 NMOS 트랜지스터(242)와, NMOS 트랜지스터(242)와 버퍼(248)의 결합점에 일측 단자가 결합되고, 타측 단자는 NMOS 트랜지스터(246)의 드레인에 결합된 저항(244)과, 구동 전원이 게이트로 인가되는 NMOS 트랜지스터(246) 및 버퍼(248)로 구성되어 있다.In the command detection / input buffer 240 shown in FIG. 6, an NMOS transistor 242, an NMOS transistor 242, and a buffer 248 having a gate and a drain coupled to an M node and a source coupled to an input terminal of the buffer 248 are illustrated. One terminal is coupled to the coupling point of), and the other terminal is composed of a resistor 244 coupled to the drain of the NMOS transistor 246, an NMOS transistor 246 and a buffer 248 to which a driving power is applied as a gate. have.

NMOS 트랜지스터(242)는 데이터 검출 수단으로서 게이트와 드레인이 결합된 실리콘 다이오드이다. NMOS 트랜지스터(242)는 비변조시 검파/정류 회로(160)에 의해 1차 정류된 제2 전압 신호에 포함된 커맨드 펄스를 검출하여 버퍼에 입력한다. 다른 실시예에서, 데이터 검출 수단은 PIN 다이오드로도 구현될 수 있으므로, 본 명세서에서는 NMOS 트랜지스터(242)를 데이터 검출 수단으로 총칭한다.The NMOS transistor 242 is a silicon diode in which a gate and a drain are combined as data detection means. The NMOS transistor 242 detects a command pulse included in the second voltage signal rectified primarily by the detection / rectification circuit 160 and inputs the buffer to the buffer during unmodulation. In another embodiment, the data detection means may also be implemented with a PIN diode, so that the NMOS transistor 242 is collectively referred to herein as data detection means.

NMOS 트랜지스터(246)는 저항(244)과 함께 버퍼 보호 수단으로서 동작하는 스위치이며, 비변조시와 변조시에 각각 스위칭 온/스위칭 오프 동작을 수행하여 버퍼(248)의 오동작을 방지하는 기능을 수행한다. 이하에서는 저항(244)과 NMOS 트랜지스터(246)로 구성된 버퍼 보호 수단의 동작을 변조 회로(220)를 참조하여 설명한다.The NMOS transistor 246 is a switch operating as a buffer protection means together with the resistor 244, and performs switching on / switching off operations at the time of non-modulation and modulation to prevent malfunction of the buffer 248. do. Hereinafter, the operation of the buffer protection means composed of the resistor 244 and the NMOS transistor 246 will be described with reference to the modulation circuit 220.

수동 트랜스폰더가 변조 회로(220)에 의한 변조 동작시, NMOS 트랜지스터(224)가 스위칭 온 되면서 M 노드는 대략적으로 0 V의 전위값을 갖게 되며, 이로 인해 버퍼(248)의 입력단에는 플로팅 신호가 발생하게 된다. 이때, NMOS 트랜지스터(246)의 게이트로 구동 전원이 인가되면, NMOS 트랜지스터(246)는 스위칭 온 상태가 되며, 버퍼(248)의 입력단은 제1 안테나 연결 단자(제1 접지)와 연결된다. NMOS 트랜지스터(246)와 직렬로 연결된 저항(244)은 저항(222)과 동일하게 변조/비변조시 임피던스 매칭을 위한 저항으로, NMOS 트랜지스터(246)의 임피던스를 증가시키기 위해 이용된다.When the passive transponder is modulated by the modulation circuit 220, the NMOS transistor 224 is switched on so that the M node has a potential value of approximately 0 V, which causes a floating signal to be applied to the input of the buffer 248. Will occur. At this time, when driving power is applied to the gate of the NMOS transistor 246, the NMOS transistor 246 is switched on, and an input terminal of the buffer 248 is connected to a first antenna connection terminal (first ground). The resistor 244 connected in series with the NMOS transistor 246 is a resistor for impedance matching during modulation / unmodulation similarly to the resistor 222 and is used to increase the impedance of the NMOS transistor 246.

한편, 수동 트랜스폰더의 비변조 동작시, 검파/정류 회로(100)에 의해 1차 정류된 신호로부터 NMOS 트랜지스터(242)가 검출한 데이터가 버퍼(248)로 입력되도록 하기 위해, NMOS 트랜지스터(246)는 스위칭 오프된다. 이때, 저항(244) 및 NMOS 트랜지스터(246)의 임피던스는 버퍼(248)의 입력단측 임피던스보다 상대적으로 커야만 데이터의 유실이 발생하지 않는다. 여기서, 버퍼 보호 수단의 임피던스가 작으면, NMOS 트랜지스터(242)에 의해 검출된 데이터의 유실이 발생할 뿐 아니라, 검파/정류 회로(100)의 효율 저하를 초래할 수 있으므로, 저항(244)의 저항값은 수 KOhm 내지 수십 KOhm인 것이 바람직하며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 14KOhm의 저항을 이용한다.On the other hand, during the non-modulation operation of the passive transponder, the NMOS transistor 246 is input so that the data detected by the NMOS transistor 242 from the signal first rectified by the detection / rectification circuit 100 is input to the buffer 248. ) Is switched off. In this case, the impedance of the resistor 244 and the NMOS transistor 246 should be relatively larger than the input end impedance of the buffer 248 so that loss of data does not occur. Here, if the impedance of the buffer protection means is small, not only the loss of data detected by the NMOS transistor 242 may occur, but also the efficiency of the detection / rectification circuit 100 may be reduced, so that the resistance value of the resistor 244 is reduced. It is preferable that the number is several KOhm to several tens of KOhm, and in the preferred embodiment of the present invention, a resistance of 14 KOhm is used.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수동 트랜스폰더 시스템의 구성을 도시한 블록도이다.7 is a block diagram showing the configuration of a passive transponder system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 인터로게이터는 서로 다른 주파수를 갖는 RF 신호를 송출하는 송신기와 수동 트랜스폰더 장치로부터 반사되는 RF 신호를 수신하는 수신기로 구성되어 있으며, 검출된 데이터를 처리하는 제어 장치(예를 들어, 개인용 컴퓨터(PC))가 연결된다. 설명의 편의를 위해, 915MHz 대역에서 동작하는 경우만을 설명한다. 그러나, 본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 본 발명에서 개시된 내용을 적절히 변경하여 2.45 GHz 대역에서 동작하는 수동 트랜스폰더 시스템을 용이하게 구현할 수 있음은 물론이다.Referring to FIG. 7, an interrogator is composed of a transmitter for transmitting RF signals having different frequencies and a receiver for receiving RF signals reflected from a passive transponder device. For example, a personal computer (PC) is connected. For convenience of description, only the case of operating in the 915MHz band will be described. However, those skilled in the art can easily implement a passive transponder system operating in the 2.45 GHz band by appropriately changing the contents disclosed in the present invention.

수정 발진기(305)는 915 MHz의 고정 주파수 신호를 발생하며, 발생된 고정된 주파수에서의 연속 신호인 F2는 주파수 체배기(310)를 통해 주파수 체배된 후 증폭기(315)를 거쳐 제1 안테나(320)로부터 송출된다. 또한, 수정 발진기(305)로부터 발생된 915 MHz의 주파수 신호는 전압 제어 발진기(330)로부터 발생된 1~25KHz범위의 톤 변조된 신호와 믹서(335)에서 혼합되고 주파수 체배기(340)에서 주파수 체배된 후 증폭기(345)를 거쳐 제2 안테나(350)로부터 송출된다. 상술한 제1 안테나(320) 및 제2 안테나(350)로부터 송출된 RF 신호는 선택된 중심 주파수(915MHz)로부터 균일하게 편이된 것이며, 따라서, 두 RF 신호의 평균 중심 주파수는 선택된 중심 주파수와 동일하다. 여기서, 톤 변조된 고주파 신호는 수동 트랜스폰더 감지대상 영역 내에서 비감지 지역을 초래하는 정재파의 발생을 억제한다.The crystal oscillator 305 generates a fixed frequency signal of 915 MHz, F2, which is a continuous signal generated at the fixed frequency, is multiplied by the frequency multiplier 310 and then the first antenna 320 via the amplifier 315. Is sent. In addition, the 915 MHz frequency signal generated from the crystal oscillator 305 is mixed in the mixer 335 with the tone modulated signal in the range of 1-25 KHz generated from the voltage controlled oscillator 330 and multiplied by the frequency in the frequency multiplier 340. After that, it is transmitted from the second antenna 350 via the amplifier 345. The RF signals transmitted from the first antenna 320 and the second antenna 350 described above are uniformly shifted from the selected center frequency (915 MHz), and therefore, the average center frequency of the two RF signals is equal to the selected center frequency. . Here, the tone modulated high frequency signal suppresses generation of standing waves that cause an undetected area in the passive transponder sensing area.

수동 트랜스폰더 장치(400)는 선택된 중심 주파수에 동조하는 복수의 안테나를 구비하고 있으며, 상술한 F1 및 F2 RF 신호로부터 구동 전원을 공급받아 내부에포함된 ID 데이터를 진폭 변조한 후 이를 다시 인터로게이터의 수신부로 전송한다. 수동 트랜스폰더 장치(400)의 내부 구성 및 작동 과정은 상술하였으므로, 상세한 설명은 생략한다.The passive transponder device 400 includes a plurality of antennas tuned to the selected center frequency. The passive transponder device 400 receives driving power from the above-described F1 and F2 RF signals, and amplitude modulates the ID data included therein. Send to the receiver of the gator. Since the internal configuration and operation of the passive transponder device 400 have been described above, a detailed description thereof will be omitted.

인터로게이터의 수신부는 제3 안테나(355)를 통해 수동 트랜스폰더 장치(400)로부터 변조된 RF 신호를 수신하고, 수신된 신호는 증폭기(360) 및 대역 필터(365)를 거친 후 수동 발진기(370)로부터 발생된 고주파 신호와 혼합된다. 이후, 신호 처리부(380)는 수동 트랜스폰더 장치(400)로부터 수신한 프리앰블 또는 ID 데이터를 검출한 후, 이를 결합된 제어 장치(385)로 전송한다. 즉, 수신기는 상기 수동 트랜스폰더 장치에 의해 저주파 변조된 RF 신호의 세기 및 지속 시간이 미리 설정된 값 이상이면, 상기 수동 트랜스폰더의 존재를 감지하고, 상기 저주파 변조된 RF 신호에서 상기 ID 데이터를 검출한다.The receiver of the interrogator receives the modulated RF signal from the passive transponder device 400 through the third antenna 355, and the received signal passes through the amplifier 360 and the band filter 365 and then the passive oscillator ( Mixed with the high frequency signal generated from 370. Thereafter, the signal processor 380 detects the preamble or ID data received from the passive transponder device 400, and transmits the preamble or ID data to the combined control device 385. That is, the receiver detects the presence of the passive transponder when the strength and duration of the low frequency modulated RF signal by the passive transponder device is greater than or equal to a preset value, and detects the ID data in the low frequency modulated RF signal. do.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다. 또한, 본 발명의 권리범위는 아래 기재된 특허청구범위에 의해서만 해석될 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention. In addition, the scope of the present invention can be interpreted only by the claims described below.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의해, ID 데이터의 기록 및 소거가 가능하게 함으로써, RF-ID 시스템의 응용에 제한이 해결되었다.As described above, the present invention solves the limitation of the application of the RF-ID system by enabling the recording and erasing of ID data.

또한, 트랜시버로부터 수신된 커맨드를 버퍼링하는 입력 버퍼의 오동작을 효과적으로 방지할 수 있으며, CMOS 타입으로 구현된 수동 트랜스폰더 내부에서 비정기적으로 발생하는 과전류 현상으로부터 내부 회로를 보호할 수 있게 되었다.In addition, it is possible to effectively prevent malfunction of an input buffer buffering a command received from a transceiver, and to protect an internal circuit from an overcurrent phenomenon that occurs irregularly inside a passive transponder implemented in a CMOS type.

Claims (15)

인터로게이터로부터 송출된 서로 다른 주파수를 갖는 복수의 RF 신호를 수신하는 복수의 안테나와 제1 내지 제3 안테나 연결 단자를 통해 결합된 수동 트랜스폰더 장치에 있어서,In the passive transponder device coupled through a plurality of antennas and first to third antenna connection terminals for receiving a plurality of RF signals having different frequencies transmitted from the interrogator, 상기 제2 안테나 연결 단자 및 상기 제3 안테나 연결 단자를 통해 상기 안테나와 결합하고, 상기 RF 신호를 제1 전압 신호 및 제2 전압 신호로 변환하여 출력하는 검파/정류부;A detector / rectifier coupled to the antenna through the second antenna connection terminal and the third antenna connection terminal, and converting the RF signal into a first voltage signal and a second voltage signal and outputting the first and second voltage signals; 상기 검파/정류부의 제1 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제1 전압 신호를 입력받아 상기 수동 트랜스폰더 장치의 구동 전원으로 공급하는 차저 탱크;A charger tank coupled between the first voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal and receiving the first voltage signal and supplying the first voltage signal to a driving power of the passive transponder device; 상기 검파/정류부의 제1 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제1 전압 신호의 크기를 제한하는 칩 파워 션트부;A chip power shunt unit coupled between the first voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal and limiting the magnitude of the first voltage signal; 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제2 전압 신호의 크기를 제한하는 변조 션트부;A modulation shunt unit coupled between the second voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal and configured to limit the magnitude of the second voltage signal; 상기 수동 트랜스폰더의 작동에 관련된 초기 데이터 및 전송 데이터를 저장하는 저장부;A storage unit for storing initial data and transmission data related to the operation of the passive transponder; 상기 검파/변조부의 제2 전압 신호 출력측과 제어부 사이에 결합되며, 상기 제2 전압 신호로부터 커맨드를 검출하는 커맨드 검출/입력 버퍼;A command detection / input buffer coupled between the second voltage signal output side of the detector / modulator and a control unit and detecting a command from the second voltage signal; 상기 커맨드 검출/입력 버퍼로부터 입력된 커맨드에 의해 상기 수동 트랜스폰더의 전체적인 동작을 제어하는 제어부; 및A control unit controlling the overall operation of the passive transponder by a command input from the command detection / input buffer; And 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 상기 제어부의 제어에 의해 상기 저장부에 기록된 상기 전송 데이터를 진폭 변조하는 변조 회로를 포함하는 수동 트랜스폰더 장치.And a modulation circuit coupled between the second voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal, the modulation circuit configured to amplitude modulate the transmission data recorded in the storage unit under control of the controller. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차저 탱크는 평판형 콘덴서인 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.The charger tank is a passive transponder device, characterized in that the flat capacitor. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 칩 파워 션트부는, 상기 검파/정류부의 제1 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 직렬로 연결된 다이오드 결합 구조를 갖는 복수의 MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.The chip power shunt unit includes a plurality of MOS transistors coupled between the first voltage signal output side of the detector / rectifier unit and the first antenna connection terminal and having a diode coupling structure connected in series. Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 변조 션트부는, 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며, 직렬로 연결된 다이오드 결합 구조를 갖는 복수의 MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.The modulation shunt unit includes a plurality of MOS transistors coupled between the second voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal and having a diode coupling structure connected in series. . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저장부는 EEP 롬이며, 상기 저장부에는 수동 트랜스폰더의 응용 목적에 따라 필요한 작동 모드(OPERATION MODE) 및 내부 동작 제어에 필요한 초기 데이터(INITIALIZE DATA)와, 수동 트랜스폰더의 ID 데이터를 포함하는 전송 데이터가 기록되는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.The storage unit is an EEP ROM, and the storage unit includes an operation mode required for an application purpose of the passive transponder and initial data necessary for internal operation control (INITIALIZE DATA) and an ID data of the passive transponder. Passive transponder device, characterized in that data is recorded. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 변조부는, 상기 검파/정류부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제1 안테나 연결 단자 사이에 결합되며,The modulator is coupled between the second voltage signal output side of the detector / rectifier and the first antenna connection terminal, 상기 제2 전압 신호 출력측과 일측 단자가 결합되며, 상기 안테나의 임피던스를 변경하여 상기 RF 신호를 진폭 변조하기 위한 저항; 및A resistor coupled to the second voltage signal output side and one terminal thereof, for changing the impedance of the antenna to amplitude modulate the RF signal; And 상기 제1 저항의 타측 단자와 드레인이 결합되고, 소스는 상기 제1 안테나 연결 단자에 결합되며, 상기 제어부의 변조 제어 신호 PMOD를 게이트를 통해 입력받아 스위칭되는 MOS 트랜지스터를 포함하되,The other terminal of the first resistor and the drain is coupled, the source is coupled to the first antenna connection terminal, and includes a MOS transistor that is switched by receiving the modulation control signal PMOD of the control unit through a gate, 상기 MOS 트랜지스터는 상기 PMOD 신호에 의해 스위칭 온/스위칭 오프되어 상기 저항과 상기 안테나 사이의 전류 경로를 설정/해제함으로써, 상기 안테나의임피던스를 변경하며, 이로 인해 상기 트랜스폰더로부터 반사되는 RF 신호의 진폭을 변조하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.The MOS transistor is switched on / switched off by the PMOD signal to set / release a current path between the resistor and the antenna, thereby changing the impedance of the antenna, thereby amplitude of the RF signal reflected from the transponder. Passive transponder device, characterized in that for modulating. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커맨드 검출/입력 버퍼는,The command detection / input buffer, 상기 검파/변조부의 제2 전압 신호 출력측과 상기 제어부 사이에 결합되며,Coupled between the second voltage signal output side of the detector / modulator and the controller, 게이트와 드레인이 결합된 다이오드 구조를 가지며, 드레인으로 입력된 상기 제2 전압 신호로부터 커맨드를 검출하는 제1 MOS 트랜지스터;A first MOS transistor having a diode structure in which a gate and a drain are coupled, and detecting a command from the second voltage signal input to the drain; 상기 제1 MOS 트랜지스터의 소스에 결합되고, 상기 제1 MOS 트랜지스터로부터 입력된 커맨드를 상기 제어부로 출력하는 입력 버퍼;An input buffer coupled to a source of the first MOS transistor and outputting a command input from the first MOS transistor to the controller; 상기 제1 MOS 트랜지스터의 소스에 일측 단자가 결합된 저항; 및A resistor having one terminal coupled to a source of the first MOS transistor; And 상기 저항의 타측 단자에 드레인이 결합되며, 상기 제1 안테나 연결 단자에 소스가 결합되고, 구동 전원을 게이트를 통해 입력받아 스위칭되는 제2 MOS 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.And a second MOS transistor having a drain coupled to the other terminal of the resistor, a source coupled to the first antenna connection terminal, and switched to receive driving power through a gate. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수동 트랜스폰더 장치의 변조 동작시 상기 제1 MOS 트랜지스터는 오프되고, 상기 제2 MOS 트랜지스터는 스위칭 온 되어 상기 저항과 상기 안테나 사이에전류 경로를 설정하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.And the first MOS transistor is turned off and the second MOS transistor is switched on to establish a current path between the resistor and the antenna during a modulation operation of the passive transponder device. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 수동 트랜스폰더 장치의 비변조 동작시 상기 제1 MOS 트랜지스터는 다이오드로 동작하여 제2 전압 신호에 포함된 커맨드를 검출하고, 상기 제2 MOS 트랜지스터는 스위칭 오프되어 검출된 커맨드의 유실을 방지하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.In an unmodulated operation of the passive transponder device, the first MOS transistor operates as a diode to detect a command included in a second voltage signal, and the second MOS transistor is switched off to prevent the loss of the detected command. Characterized by a passive transponder device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검파/정류부는,The detection / rectification unit, 상기 제3 안테나 연결 단자에 P 노드가 결합되고, N 노드로 제1 전압 신호를 출력하는 쇼트키 다이오드;A Schottky diode coupled to the third antenna connection terminal and outputting a first voltage signal to an N node; 상기 제3 안테나 연결 단자 및 상기 제2 안테나 연결 단자 사이에 결합되고, 상기 제3 안테나 연결 단자와의 결합점으로 제2 전압 신호를 출력하는 결합 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.And a coupling capacitor coupled between the third antenna connection terminal and the second antenna connection terminal and outputting a second voltage signal to a coupling point with the third antenna connection terminal. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검파/정류부는,The detection / rectification unit, 상기 제3 안테나 연결 단자에 P 노드가 결합되고, N 노드로 제2 전압 신호를 출력하는 제1 쇼트키 다이오드;A first Schottky diode coupled to the third antenna connection terminal and outputting a second voltage signal to an N node; 상기 제1 쇼트키 다이오드의 N 노드에 P 노드가 결합되고, N 노드로 제1 전압 신호를 출력하는 제2 쇼트키 다이오드; 및A second Schottky diode coupled to an N node of the first Schottky diode and outputting a first voltage signal to the N node; And 상기 제1 쇼트키 다이오드 및 상기 제2 쇼트키 다이오드의 결합점과 상기 제2 안테나 연결 단자 사이에 결합된 결합 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.And a coupling capacitor coupled between the coupling point of the first Schottky diode and the second Schottky diode and the second antenna connection terminal. 제10항 또는 제11항에 있어서,The method according to claim 10 or 11, wherein 상기 결합 커패시터는 평판형 커패시터인 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 장치.And the coupling capacitor is a flat capacitor. 일정한 감지 지역내에 위치한 복수의 수동 트랜스폰더를 감지하는 수동 트랜스폰더 시스템에 있어서,In a passive transponder system for detecting a plurality of passive transponders located within a certain detection area, 선택 주파수를 갖는 제1 RF 신호 및 상기 선택 주파수와 평균 중심 주파수가 일치하도록 협대역 주파수 변조에 의해 톤 변조된 적어도 하나의 제2 RF 신호를 송출하는 송신기;A transmitter for transmitting a first RF signal having a selection frequency and at least one second RF signal tone modulated by narrowband frequency modulation such that the selection frequency and the average center frequency coincide; 상기 제1 RF 신호 및 상기 제2 RF 신호의 평균 중심 주파수에 동기되어 상기 복수의 RF 신호를 구동 전원으로 이용하며, 내부에 포함된 고유 ID 데이터를 이용하여 상기 수신된 복수의 RF 신호를 저주파 변조하여 송출하는 수동 트랜스폰더 장치; 및The plurality of RF signals are used as a driving power source in synchronization with the average center frequency of the first RF signal and the second RF signal, and low frequency modulation is performed on the received plurality of RF signals by using unique ID data included therein. Passive transponder device for transmitting by; And 상기 수동 트랜스폰더 장치로부터 수신한 저주파 변조된 RF 신호로부터 상기 ID 데이터를 검출하는 수신기를 포함하는 수동 트랜스폰더 시스템.And a receiver for detecting the ID data from a low frequency modulated RF signal received from the passive transponder device. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 수신기는 상기 수동 트랜스폰더 장치에 의해 저주파 변조된 RF 신호의 세기 및 지속 시간이 미리 설정된 값 이상이면, 상기 수동 트랜스폰더의 존재를 감지하고, 상기 저주파 변조된 RF 신호에서 상기 ID 데이터를 검출하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 시스템.The receiver detects the presence of the passive transponder when the strength and duration of the low frequency modulated RF signal by the passive transponder device is greater than or equal to a preset value, and detects the ID data in the low frequency modulated RF signal. Passive transponder system, characterized in that. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 수신기는 상기 저주파 변조된 RF 신호로부터 상기 복수의 RF 신호와 이의 고조파를 제거하는 대역 통과 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수동 트랜스폰더 시스템.And the receiver further comprises a band pass filter for removing the plurality of RF signals and their harmonics from the low frequency modulated RF signal.
KR10-2002-0029289A 2002-05-27 2002-05-27 Passive transponder KR100453721B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0029289A KR100453721B1 (en) 2002-05-27 2002-05-27 Passive transponder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0029289A KR100453721B1 (en) 2002-05-27 2002-05-27 Passive transponder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030091356A true KR20030091356A (en) 2003-12-03
KR100453721B1 KR100453721B1 (en) 2004-10-20

Family

ID=32384499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0029289A KR100453721B1 (en) 2002-05-27 2002-05-27 Passive transponder

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100453721B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100776881B1 (en) * 2006-01-27 2007-11-19 후지쯔 가부시끼가이샤 Rfid reader/writer
KR100868032B1 (en) * 2007-04-23 2008-11-19 재단법인 한국건자재시험연구원 Apparatus for Measuring Moisture Content in a Sample

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767792A (en) * 1994-10-13 1998-06-16 Bio Medic Data Systems Inc. Method for calibrating a temperature sensing transponder
GB9505350D0 (en) * 1995-03-16 1995-05-03 British Tech Group Electronic identification system
JPH11266176A (en) * 1998-03-16 1999-09-28 Canon Inc Passive type transponder device and operation method for the same
KR100366268B1 (en) * 2000-07-04 2002-12-31 (주)크레디패스 Passive Identification System

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100776881B1 (en) * 2006-01-27 2007-11-19 후지쯔 가부시끼가이샤 Rfid reader/writer
KR100868032B1 (en) * 2007-04-23 2008-11-19 재단법인 한국건자재시험연구원 Apparatus for Measuring Moisture Content in a Sample

Also Published As

Publication number Publication date
KR100453721B1 (en) 2004-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7944279B1 (en) Charge pump stage of radio-frequency identification transponder
US8063769B2 (en) Dual band antenna and methods for use therewith
US6963269B2 (en) Contactless IC card
US7595729B2 (en) RFID tag and RFID system having the same
US8836512B2 (en) Self tuning RFID
US20070164122A1 (en) Contactless card and contactless card system
US20080238621A1 (en) Multi-mode rfid reader architecture
US11960955B1 (en) Fast frequency switching for RFID applications
US7671748B2 (en) Radiofrequency identification device (RFID) affixed to an object to be identified
KR100988813B1 (en) Multi-mode rfid reader architecture
US20160092762A1 (en) Method for Managing the Operation of an Object that is Able to Contactlessly Communicate with a Reader
US20130321130A1 (en) Broadband progressive tag
JP3607585B2 (en) Non-contact response device
US9514336B2 (en) Method and system for adaptive operation of a power amplifier of a radio frequency identification (RFID) reader device
KR200398970Y1 (en) RF card having tag of heterogeneity with different frequency band
KR100453721B1 (en) Passive transponder
US9912386B2 (en) Method for operating object capable via contactless communication
KR20080013215A (en) Rfid tag
KR100701124B1 (en) RFID devices and system for integrated wireless terminal
WO2004001939A1 (en) A rectifier
KR101120469B1 (en) Rfid stacked tag
KR20040060577A (en) voltage limit circuit layout for use in RF-ID card based on CMOS
KR20150127788A (en) Tag module for high-speed non-contact communication
US11551017B2 (en) RFID system with improved signal transmission characteristics
KR20120007945A (en) Microstrip antenna with two-step feed slit and manufacture method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120927

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140829

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee