KR20030084477A - Method for Chemical Mechanical Polishing of semiconductor wafer - Google Patents

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KR20030084477A
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Abstract

PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) method of a semiconductor wafer is provided to improve uniformity of the semiconductor wafer and to minimize micro scratch by using a heating element. CONSTITUTION: The temperature of a polishing plate(13) or a jig(14) is controlled to the activated temperature of CMP polishing solutions by using at least one heating element(12,12') mounted in the polishing plate and the jig. The CMP polishing solution is then injected on the polishing plate(13). A semiconductor wafer(15) on the polishing plate(13) is then polished by the activated polishing solution via the jig(14). The activated temperature of CMP polishing solutions is 200-300°C.

Description

반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법{Method for Chemical Mechanical Polishing of semiconductor wafer}Method for Chemical Mechanical Polishing of semiconductor wafer

본 발명은 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법에 관한 것으로서, 특히 CMP 공정시 연마판 또는 지그 내부에 탑재시킨 온도 조절 장치를 이용해 연마판 상부로 주입된 연마액을 가열하여 식각 용액으로 활성화시켜 CMP 공정을 진행함으로써 보다 양질의 반도체 웨이퍼 표면을 얻을 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mechanical chemical polishing method of a semiconductor wafer. In particular, a CMP process may be performed by heating a polishing liquid injected into an upper portion of a polishing plate using a temperature control device mounted inside a polishing plate or a jig during a CMP process. The present invention relates to a mechanical chemical polishing method of a semiconductor wafer, which allows a higher quality semiconductor wafer surface to be obtained.

반도체 장치의 집적도가 증가하여 다층 배선 공정이 실용화됨에 따라, 사진 공정의 마진을 확보하고 배선 길이를 최소화하기 위하여 칩(chip) 상부의 물질층에 대한 글로벌 평탄화(global planarization) 기술이 요구되고 있다.As the degree of integration of semiconductor devices has increased and the multi-layer wiring process has been put to practical use, a global planarization technique for a material layer on a chip is required in order to secure a margin of a photo process and minimize wiring length.

현재, 하부 구조물을 평탄화 시키기 위한 방법으로는 보론-인-실리케이트 글라스(boron-phospho-silicate glass; BPSG) 리플로우(reflow) 공정, 알루미늄(Al) 플로우 공정, 스핀-온 글라스(spin-on glass; SOG) 에치백(etch-back) 공정 및 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정 등이 사용되고 있다.At present, methods for planarizing the underlying structure include boron-phospho-silicate glass (BPSG) reflow process, aluminum (Al) flow process, and spin-on glass. SOG) etch-back process and chemical mechanical polishing (CMP) process are used.

이 중에서, CMP 공정은 리플로우 공정이나 에치백 공정으로 달성할 수 없는 넓은 공간 영역의 글로벌 및 저온 평탄화를 달성할 수 있다는 장점 때문에 차세대 반도체 장치에서 유력한 평탄화 기술로 대두되고 있다.Among these, the CMP process has emerged as a prominent planarization technology in next-generation semiconductor devices because of the advantages of achieving global and low temperature planarization in a large space area which cannot be achieved by a reflow process or an etch back process.

CMP 공정은 캐리어에 홀딩된 웨이퍼를 연마 패드 상에 가압하면서 이들 계면에 슬러리(Slurry)를 공급하여 기계적 마찰과 화학적 작용에 의해 웨이퍼의 표면을 소정 두께로 제거하는 공정으로써, 이 때 제거율(removal rate)은 압력과 시간에 비례하는데, 제거되는 두께가 수백 내지 수천 ㎛ 단위로 매우 정밀한 가공이 요구되므로 웨이퍼를 연마 패드에 가압하는 기술이 매우 중요하다.The CMP process is a process of removing the surface of the wafer to a predetermined thickness by mechanical friction and chemical action by supplying a slurry to these interfaces while pressing the wafer held in the carrier on the polishing pad. ) Is proportional to pressure and time, and the technique of pressurizing the wafer to the polishing pad is very important because the removal thickness is required to be very precise in the order of hundreds to thousands of micrometers.

이러한 CMP 공정의 디펙트(defect)는 크게 파티클(particle), 마이크로 스크래치, 그리고 디스컬러(discolor)로 구분할 수 있다.Defects of the CMP process can be largely classified into particles, micro scratches, and discolors.

상기 파티클은 슬러리가 모여서 형성되는 것으로, 여러 가지의 CMP 후속 세정 방법이 개발되어 산화막 수준 이하로 제거 가능하고, 상기 디스컬러는 광학적 이미지의 두께 차이에 따라 발생되는 것으로, CMP 후 습식 세정 공정을 거치면서 제거되어 소자에 영향을 미치지 않는다.The particles are formed by the gathering of slurry, and various CMP follow-up cleaning methods have been developed and can be removed below the oxide film level, and the discolor is generated according to the thickness difference of the optical image. Is removed and does not affect the device.

그러나, 상기 마이크로 스크래치는 CMP 과정에서 일단 발생되면 후속 습식 공정에 의해 그 크기가 더욱 증가되어, 후속단계에서 패턴 브리지(pattern bridge), 패턴 변형(pattern deformation), 그리고 스트링어(stringer) 등을 유발하게 된다. 예를 들어 STI(Shallow Trench Isolation) 형성을 위한 CMP 공정에서는 액티브(active) 영역까지 손상을 줄 우려가 있다.However, once the microscratch occurs in the CMP process, its size is further increased by a subsequent wet process, causing pattern bridge, pattern deformation, and stringer in a subsequent step. Done. For example, the CMP process for forming shallow trench isolation (STI) may damage the active region.

이러한 마이크로 스크래치는 일반적으로 CMP 공정에 사용되는 슬러리에 의해 발생되는데, 실리카(silica) 입자들의 콜로이드(colloid) 수용액 또는 콜로이드 서스펜션(suspension)이 슬러리로서 주로 사용된다.Such microscratches are generally generated by a slurry used in a CMP process, in which colloidal aqueous solution or colloidal suspension of silica particles is mainly used as a slurry.

즉, 실리카 입자들은 제조 회사에 따라 50 - 200 nm 범위 내의 평균 지름을 갖으며, 특히 실리카 입자들 중에는 평균 지름을 훨씬 넘는 소위 거대 입자들이 있게 되는데, 이들이 CMP 공정에서 마이크로 스크래치를 발생시키는 주원인이 된다.That is, silica particles have an average diameter in the range of 50-200 nm depending on the manufacturing company, and in particular, silica particles have so-called large particles well beyond the average diameter, which is the main cause of micro scratches in the CMP process. .

한편, GaAs나 InP등의 물질은 기판처리를 위한 래핑이나 폴리싱, CMP기술이 잘 개발되어 있어 광소자 제작을 위한 양질의 기판을 제작할 수 있다.On the other hand, materials such as GaAs and InP have been well developed for lapping, polishing, and CMP technologies for substrate processing, thereby making it possible to manufacture high-quality substrates for manufacturing optical devices.

하지만, 질화갈륨(GaN)에 관해서는 아직 폴리싱이나 CMP기술이 정립되어 있지 않으며, 특히 CMP공정에 사용되는 슬러리(slurry)나 이천트(echant) 등이 아직 개발되어 있지 않은 상태이다.However, regarding gallium nitride (GaN), polishing and CMP techniques have not yet been established, and in particular, slurries and echants used in the CMP process have not been developed yet.

그래서, 최근까지 질화갈륨 상부에 파인 폴리싱(fine polishing)한 후,RIE(Reactive Ion Etching)나 CAIBE(Chemically Assisted Ion Beam Etching)등의 식각 공정을 통해 표면 손상된 부분을 제거하고 있으나, 이러한 RIE 등에 의한 식각 공정은 질화갈륨 표면의 손상이나 공정 시 발생할 수 있는 공정 부산물 때문에 고품질의 질화갈륨 기판 표면을 얻을 수 없는 문제점이 있어 왔다.Therefore, until recently, fine polishing is performed on the upper part of gallium nitride, and surface damage is removed through an etching process such as reactive ion etching (RIE) or chemically assisted ion beam etching (CAIBE). The etching process has a problem in that a high quality gallium nitride substrate surface cannot be obtained due to damage of the gallium nitride surface or process by-products that may occur during the process.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로, CMP 공정시 발생되는 마이크로 스크래치 발생을 최소화하여 안정된 후속 공정이 진행되도록 하는 것과 아울러 질화갈륨으로 이루어진 반도체 웨이퍼를 CMP 공정에 적용하여 고품질의 질화갈륨 기판 표면을 얻도록 한 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, to minimize the micro scratches generated during the CMP process to ensure a stable subsequent process and to apply a semiconductor wafer made of gallium nitride to the CMP process of high quality gallium nitride substrate It is an object of the present invention to provide a method of mechanical chemical polishing of a semiconductor wafer to obtain a surface.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 먼저 연마판 또는 지그의 온도를 CMP 연마액의 활성화 온도로 조절한 후, 상기 연마판 상부에 CMP 연마액을 투입하여 활성화시키고 이를 이용해 연마판 상부에 홀딩된 반도체 웨이퍼를 연마하도록 한다.In order to achieve the above object, the present invention first adjusts the temperature of the polishing plate or jig to the activation temperature of the CMP polishing liquid, and then activates the CMP polishing liquid by putting the upper portion of the polishing plate on the upper surface of the polishing plate. Polish the wafer.

그리고, 상기 CMP 연마액은 H2SO4, HNO3, KOH, NaOH의 솔루션 용액 중 선택된 어느 하나 이상의 용액과 콜로이들 실리카(colloidal silica), CeO3, Al2O3중 선택된 어느 하나 이상의 파우더를 합성하여 이루어진 화합물을 사용하고, 이에 따라 상기 CMP 연마액의 활성화 온도도 200℃ ~ 300℃ 정도가 되도록 조절한다.In addition, the CMP polishing liquid may be any one or more selected from a solution solution of H 2 SO 4 , HNO 3 , KOH, NaOH and at least one powder selected from colloidal silica, CeO 3 , Al 2 O 3 . Synthesized compound is used, thereby adjusting the activation temperature of the CMP polishing liquid to be about 200 ° C to 300 ° C.

도 1은 본 발명의 기계 화학적 연마 방법이 적용된 장치를 개념적으로 도시한 도면이고,1 is a view conceptually showing an apparatus to which the mechanical chemical polishing method of the present invention is applied,

도 2는 본 발명의 기계 화학적 연마 방법이 적용된 실시예를 도시한 도면이다.2 is a view showing an embodiment to which the mechanical chemical polishing method of the present invention is applied.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

11 : 회전 드럼 12 : 가열 수단(Heating element)11 rotating drum 12 heating element

13 : 연마판 14 : 지그(JIG)13: abrasive plate 14: jig

15 : 반도체 웨이퍼 16 : 홈15 semiconductor wafer 16: groove

17 : 연마액17: polishing liquid

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명의 기계 화학적 연마 방법은, 도 1에 도시된 바와 같이 CMP 장치의 몸체에 노출되어 있는 콘트롤러(controller)(도시하지 않음)를 이용해 연마판(13) 내부에 탑재되어 있는 가열 수단(heating element)(12)을 제어하여 반도체 웨이퍼(15)가 위치될 연마판 상부의 온도를 연마액(slurry)의 활성화 온도로 조절한다.First, in the mechanical chemical polishing method of the present invention, as shown in FIG. 1, a heating means mounted inside the polishing plate 13 by using a controller (not shown) exposed to the body of the CMP apparatus. element 12 is controlled to adjust the temperature of the upper portion of the polishing plate on which the semiconductor wafer 15 is to be located to the activation temperature of the slurry.

이 때, 상기 "가열 수단(12)"은 저항 가열식 장치를 사용하고 상기와 같이 연마판(13) 내부에 탑재하거나 또는 지그(14)의 캐리어(carrier) 내부에 내장하도록 하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the "heating means 12" is used in a resistance heating apparatus and mounted inside the abrasive plate 13 as described above or inside the carrier of the jig 14.

그리고, 상기 "연마액"은 연마될 해당 반도체 웨이퍼(15)를 식각시킬 수 있는 솔루션 용액을 사용하며 그 사용 용액에 따라 연마판(13) 상부의 온도를 적절히 조절하도록 한다.The "polishing liquid" uses a solution solution that can etch the semiconductor wafer 15 to be polished and adjusts the temperature of the upper surface of the polishing plate 13 according to the use solution.

예를 들면, 상기 해당 반도체 웨이퍼(15)가 질화갈륨(GaN)으로 이루어진 경우에 상기 연마액은 H2SO4와 HNO3의 1 : 1 용액과 콜로이들 실리카(Colloidal silica)의 합성물 등을 사용하고 이에 따라 상기 연마판(13) 상부의 온도 역시 사용하는 합성물의 활성화 온도인 200℃ ~ 300℃로 조절한다.For example, when the semiconductor wafer 15 is made of gallium nitride (GaN), the polishing liquid may be a mixture of a 1: 1 solution of H 2 SO 4 and HNO 3 , a compound of colloidal silica, and the like. Accordingly, the temperature of the upper portion of the polishing plate 13 is also adjusted to 200 ° C. to 300 ° C., which is an activation temperature of the composite used.

다음, 상기 연마판(13) 상부의 온도가 해당 연마액의 활성화 온도로 조절이 되면, 연마액 주입기(도시하지 않음)를 통해 연마판(13) 상부로 CMP 연마액(17)을 주입한다.Next, when the temperature of the upper portion of the polishing plate 13 is adjusted to the activation temperature of the polishing liquid, the CMP polishing liquid 17 is injected into the upper portion of the polishing plate 13 through a polishing liquid injector (not shown).

주입된 CMP 연마액(17)이 연마판(13) 상부에 형성되어 있는 다수개의 홈(16)으로 스며들고 미리 조절된 활성화 온도에 따라 가열되어 해당 반도체 웨이퍼(15)를 식각 시킬 수 있는 용액으로 활성화된다.The injected CMP polishing liquid 17 penetrates into the plurality of grooves 16 formed on the polishing plate 13 and is heated according to a preset activation temperature to etch the semiconductor wafer 15 into a solution. Is activated.

그러면, 지그(JIG)(14)를 통해 상기 연마판(13) 상부에 홀딩되어 있는 반도체 웨이퍼(15)가 식각 용액으로 활성화된 CMP 연마액(17)에 의해 식각되고, 이어 상기 연마판(13) 하부에 위치한 회전 드럼(11)을 회전시켜 반도체 웨이퍼(18)를 공전시킴으로써 상기 반도체 웨이퍼(18) 표면을 골고루 연마하게 된다.Then, the semiconductor wafer 15 held on the polishing plate 13 through the jig 14 is etched by the CMP polishing liquid 17 activated by the etching solution, and then the polishing plate 13 The surface of the semiconductor wafer 18 is evenly polished by rotating the rotating drum 11 located below the disk) to revolve the semiconductor wafer 18.

이와 같이, 본 발명은 CMP 공정시 연마판 또는 지그 내부에 탑재시킨 온도 조절 장치를 이용해 연마판 상부를 고온으로 가열하여 연마액을 식각 용액으로 활성화시킨 후 일반적인 CMP 공정을 진행함으로써 보다 양질의 반도체 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다.As such, the present invention uses a temperature control device mounted inside the polishing plate or jig during the CMP process to heat the upper portion of the polishing plate to a high temperature to activate the polishing liquid as an etching solution, and then proceed with a general CMP process to provide a better semiconductor wafer. A surface can be obtained.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

먼저 본 발명이 적용되는 CMP 장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 온도 제어 장치가 내장된 CMP 본체(20)와 ; 상부에 다수개의 홈이 형성되어 있으며 상기 온도 제어 장치에 의해 제어되는 가열 수단(heating element)(21)이 내장된 연마판(22)과 ; 상기 CMP 본체(20)와 연마판(22)을 연결시키는 구동 어셈블리(23)와 ; 상기 CMP 본체(20)의 일측에 설치된 지지대(24)에 의해 지지되어 질화갈륨(GaN) 반도체 웨이퍼를 상기 연마판(22) 상부에 홀딩시키는 지그(JIG)(25)와 ; 상기 CMP 본체(20)의 타측에 설치된 지지대(26)에 연결되어 연마판(23) 상부에 연마액을 주입하는 연마액 주입기(27)로 이루어진다.First, as shown in FIG. 2, the CMP apparatus to which the present invention is applied includes: a CMP main body 20 in which a temperature control device is built; An abrasive plate 22 having a plurality of grooves formed therein and having a heating element 21 therein controlled by the temperature control device; A drive assembly 23 connecting the CMP body 20 and the polishing plate 22; A jig (JIG) 25 supported by a support 24 provided on one side of the CMP main body 20 to hold a gallium nitride (GaN) semiconductor wafer on the polishing plate 22; The polishing liquid injector 27 is connected to the support 26 installed on the other side of the CMP main body 20 to inject the polishing liquid onto the polishing plate 23.

그리고, 상기 지그(25)는 가열 수단(22)이 내장되어 있으며 연마될 질화갈륨반도체 웨이퍼(28)를 그 하면에 홀딩시키는 캐리어(29)와, 홀딩된 질화갈륨 반도체 웨이퍼(28)와 캐리어(29)의 하부 평면 사이에 설치된 탄성 패드(30)로 이루어진다.The jig 25 includes a carrier 29 having a heating means 22 therein and holding the gallium nitride semiconductor wafer 28 to be polished on its lower surface, the held gallium nitride semiconductor wafer 28 and a carrier ( 29 is composed of an elastic pad 30 provided between the lower planes.

이렇게 이루어지는 CMP 장치는, 먼저 CMP 본체(20)에 노출되어 있는 콘트롤러(도시하지 않음)를 이용해 상기 연마판(22)과 지그(25)의 캐리어(29)에 내장되어 있는 가열 수단(21)을 가열시켜 질화갈륨 반도체 웨이퍼(28)가 위치될 연마판(22) 상부의 온도를 연마액의 활성화 온도로 조절한다.The CMP apparatus thus constructed first uses a controller (not shown) exposed to the CMP body 20 to heat the heating means 21 embedded in the polishing plate 22 and the carrier 29 of the jig 25. By heating, the temperature of the upper portion of the polishing plate 22 where the gallium nitride semiconductor wafer 28 is to be placed is adjusted to the activation temperature of the polishing liquid.

이 때, 상기 연마액의 활성화 온도는 200℃ ~ 300℃로 하고, 상기 가열 수단(21)은 "저항 가열식 장치"를 사용하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the activation temperature of the polishing liquid is 200 ° C to 300 ° C, and the heating means 21 uses a "resistance heating apparatus".

이어, 상기 연마판(22)의 온도가 연마액의 활성화 온도로 조절되면, 연마액 주입기(27)를 통해 필요한 양의 연마액을 소나기(shower)방식으로 연마판(22) 상부에 주입한다.Subsequently, when the temperature of the polishing plate 22 is adjusted to the activation temperature of the polishing liquid, the polishing liquid injector is injected into the upper portion of the polishing plate 22 in a shower manner through the polishing liquid injector 27.

이 때, 주입할 연마액은 H2SO4, HNO3, KOH, NaOH의 솔루션 용액들 중에서 선택된 어느 하나 이상의 용액과 콜로이들 실리카(colloidal silica), CeO3, Al2O3들 중에서 선택된 어느 하나 이상의 파우더(powder)를 합성한 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.At this time, the polishing liquid to be injected is any one or more selected from solution solutions of H 2 SO 4 , HNO 3 , KOH, NaOH and any one selected from colloidal silica, CeO 3 , Al 2 O 3 It is preferable to use a compound obtained by synthesizing the above powder.

한편, 상기와 같이 연마판(22) 상부로 연마액이 투입되면, 투입된 연마액은 그 상부에 형성된 다수개의 홈으로 스며드는데, 스며든 연마액은 고온으로 가열되어 질화갈륨을 식각할 수 있는 용액으로 된다.On the other hand, when the polishing liquid is introduced into the upper portion of the polishing plate 22 as described above, the injected polishing liquid is permeated into a plurality of grooves formed in the upper portion, the soaked polishing liquid is heated to a high temperature to etch gallium nitride Becomes

이런 상태에서, 상기 연마판(22)을 구동 어셈블리(23)를 통해 회전시켜 질화갈륨 반도체 웨이퍼(28)를 공전시킨다.In this state, the polishing plate 22 is rotated through the drive assembly 23 to revolve the gallium nitride semiconductor wafer 28.

즉, 연마액 주입기(27)를 통해 연마판(22) 상부로 주입된 연마액이 가열되어 질화갈륨 반도체 웨이퍼를 식각할 수 있는 용액으로 활성화된 상태에서, 다수개의 홈이 형성되어 있는 연마판(22)을 구동 어셈블리(23)의 회전력으로 공전시킨다.That is, the polishing plate in which a plurality of grooves are formed in the state in which the polishing liquid injected into the upper portion of the polishing plate 22 through the polishing liquid injector 27 is activated with a solution capable of etching the gallium nitride semiconductor wafer ( 22) is revolved by the rotational force of the drive assembly (23).

그러면, 상기 질화갈륨 반도체 웨이퍼(28)를 홀딩하고 있는 캐리어(29)가 연마포 상부에서 왕복운동(back and forth motion)이나 궤도 운동(orbital motion) 또는 불규칙 운동(random-direct motion)등을 통해 상기 질화갈륨 반도체 웨이퍼(28) 표면을 골고루 연마시킨다.Then, the carrier 29 holding the gallium nitride semiconductor wafer 28 is subjected to back and forth motion, orbital motion or random-direct motion or the like on the polishing cloth. The surface of the gallium nitride semiconductor wafer 28 is evenly polished.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법은 CMP 공정시 연마판 또는 지그 내부에 탑재시킨 온도 조절 장치를 이용해 연마판 상부로 주입된 연마액을 가열하여 식각 용액으로 활성화시켜 CMP 공정을 진행함으로써 보다 양질의 질화갈륨 반도체 웨이퍼 표면을 얻을 수 있으며, 아울러 CMP 공정시 발생되는 마이크로 스크래치 발생을 최소화하여 안정된 후속 공정이 진행될 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the mechanical chemical polishing method of the semiconductor wafer according to the present invention is heated by using a temperature control device mounted inside the polishing plate or jig during the CMP process to activate the polishing liquid injected into the polishing plate as an etching solution. By performing the CMP process, a higher quality gallium nitride semiconductor wafer surface can be obtained, and a stable subsequent process can be performed by minimizing the occurrence of micro scratches generated during the CMP process.

본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to the specific examples described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (4)

연마판 또는 지그의 온도를 CMP 연마액의 활성화 온도로 조절하는 제 1 단계와 ;A first step of adjusting the temperature of the polishing plate or jig to the activation temperature of the CMP polishing liquid; 상기 연마판 상부에 CMP 연마액을 주입하여 활성화시키는 제 2 단계와 ;A second step of injecting and activating a CMP polishing liquid on the polishing plate; 상기 활성화시킨 CMP 연마액을 이용해 상기 지그를 통해 연마판 상부에 홀딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 연마하는 제 3 단계로 이루어지는 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법.And a third step of polishing the semiconductor wafer held on the polishing plate through the jig using the activated CMP polishing liquid. 제 1 항에 있어서, 상기 CMP 연마액은 ;The method of claim 1, wherein the CMP polishing liquid; H2SO4, HNO3, KOH, NaOH의 솔루션 용액 중 선택된 어느 하나 이상의 용액과 콜로이들 실리카(colloidal silica), CeO3, Al2O3중 선택된 어느 하나 이상의 파우더를 합성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법.H 2 SO 4 , HNO 3 , KOH, NaOH solution solution of any one or more selected from a solution of colloidal silica (colloidal silica), CeO 3 , Al 2 O 3 It is characterized by the synthesis of powder Method of mechanical chemical polishing of semiconductor wafers. 제 1 항에 있어서, 상기 CMP 연마액의 활성화 온도는 ;The method of claim 1, wherein the activation temperature of the CMP polishing liquid is; 200℃ ~ 300℃ 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법.A mechanical chemical polishing method of a semiconductor wafer, which is about 200 ° C to 300 ° C. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 ;The semiconductor wafer of claim 1, wherein the semiconductor wafer comprises: a semiconductor wafer; 질화갈륨(GaN)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 기계 화학적 연마 방법.A method of chemical chemical polishing of a semiconductor wafer, characterized by consisting of gallium nitride (GaN).
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