KR20030075781A - Cathode ray tube having shield member which reduces effect of external magnetism - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자총으로부터 형광스크린으로 주사된 전자빔이 지자기의 영향을 받아 미스 랜딩되는 것을 억제할 수 있도록 쉴드부재가 구비되는 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to a cathode ray tube provided with a shield member to prevent the electron beam scanned from the electron gun to the fluorescent screen from being miss landing under the influence of geomagnetism.
화상 표시장치에 있어서 칼라 텔레비젼이나 컴퓨터의 모니터 등으로 널리 사용되는 음극선관은 알려진 바와 같이 전자총에서 생성된 전자빔을 R, G, B 형광체가 도포된 형광 스크린으로 주사시켜 소정의 화상을 구현하게 된다.Cathode ray tubes, which are widely used in color televisions, computer monitors, and the like, in an image display device, realize a predetermined image by scanning an electron beam generated from an electron gun onto a fluorescent screen coated with R, G, and B phosphors.
이 때 상기 전자빔은, 대략 직사각형의 형태를 갖는 형광 스크린의 중앙부는 물론 이의 주변부로도 주사되어 이 부위에 도포된 형광체를 발광시켜야 하고, 상기 주변부로 주사될 때에는 편향 장치로부터 형성된 자계에 의해 편향됨으로써 원하는 형광체 위치에 도달하게 된다.At this time, the electron beam should be scanned not only at the center portion of the fluorescent screen having a substantially rectangular shape but also at its periphery to emit phosphors applied to the portion, and when it is scanned at the periphery, it will be deflected by the magnetic field formed from the deflecting device. The desired phosphor position is reached.
그런데, 상기한 전자빔의 주사과정에서 전자빔이 음극선관의 외부에서 작용하는 자계, 예를 들어 지자기 등의 영향을 받으면 최종적으로 도달되어야 할 형광체에 제대로 도달되지 않고 다른 형광체에 도달하게 되는 이른바 미스랜딩 현상을 일으켜 음극선관의 색순도 특성을 저하시킨다.However, when the electron beam is affected by a magnetic field acting outside the cathode ray tube, for example, geomagnetism, in the scanning process of the electron beam, the so-called mislanding phenomenon that the phosphor does not reach the phosphor to be finally reached but reaches another phosphor. To deteriorate the color purity characteristics of the cathode ray tube.
상기한 전자빔의 미스랜딩 현상을 좀 더 구체적으로 살펴보면, 먼저 전자총으로부터 주사되는 전자빔은 음극선관 내부에서 형광 스크린을 향해 진행하는 동안 로렌츠 힘(Lorentz Force)을 받아 그 경로가 변경된다. 가령, 상기 형광 스크린을 형성하는 형광체가 스트라이프 타입으로 이루어지는 음극선관에서 상기 형광 스크린의 수직방향(Y 방향)에 대해 전자빔이 이동하는 경우 그 전자빔은 동일한 색의 형광체를 발광시키므로 색순도 문제가 발생하지 않지만, 상기 형광 스크린의 수평방향(X 방향)에 대해 전자빔이 이동하는 경우 그 이동된 전자빔은 서로 다른 색의 형광체를 발광시키므로 색순도 문제를 초래한다.Looking at the mis-landing phenomenon of the electron beam in more detail, first, the electron beam scanned from the electron gun receives a Lorentz force while traveling toward the fluorescent screen inside the cathode ray tube, and its path is changed. For example, when an electron beam moves in a vertical direction (Y direction) of the fluorescent screen in a cathode ray tube in which the phosphor forming the fluorescent screen is a stripe type, the electron beam emits phosphors of the same color, so color purity problems do not occur. When the electron beam moves in the horizontal direction (X direction) of the fluorescent screen, the moved electron beam emits phosphors of different colors, causing color purity problems.
상기에서 색순도 문제를 초래하는 로렌츠 힘의 수평방향(X 방향) 성분(Fx)은하기 수학식 1과 같다.The horizontal component (X direction) component F x of the Lorentz force causing the color purity problem is represented by Equation 1 below.
여기서, e는 전하량이고, v는 전자빔의 속도이며, B는 자속밀도이고, 아래첨자 x, y 및 z는 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향 성분을 나타내는 것이다.Where e is the amount of charge, v is the speed of the electron beam, B is the magnetic flux density, and the subscripts x, y and z represent the X, Y and Z directions, respectively.
또한, 음극선관에 영향을 주는 지자기 성분은 지면에 수직한 방향(Y 방향)의 수직분력과 지면에 수평한 방향의 수평분력으로 나눌 수 있다. 이 가운데 지자기의 수평분력을 세분하면 음극선관의 관축과 나란한 방향(Z 방향)으로 작용하는 이른 남북방향(이하, N-S 방향이라 함) 수평분력과 상기 관축에 대해 직각방향(X 방향)으로 작용하는 이른바 동서방향(이하, E-W 방향이라 함) 수평분력으로 구분할 수 있다.In addition, the geomagnetic component affecting the cathode ray tube may be divided into a vertical component in a direction perpendicular to the ground (Y direction) and a horizontal component in a direction horizontal to the ground. The subdivision of the horizontal component of the geomagnetic field acts as an early north-south direction (hereinafter referred to as NS direction) horizontal component acting in parallel with the tube axis of the cathode ray tube (hereinafter referred to as NS direction) and perpendicular to the tube axis (X direction). It can be classified into the so-called east-west direction (hereinafter referred to as EW direction) horizontal component.
종래의 음극선관에서는 상기 지자기에 의해 전자빔이 영향을 받지 않도록 자기 쉴드부재인 인너쉴드를 섀도우 마스크와 마스크 프레임의 조립체에 장착하여 이를 음극선관 내측으로 장착하고 있으며, 특히 지자기의 수평분력에 대한 전자빔의 미스랜딩 현상을 최소화하기 위하여 상기 인너쉴드의 단변부에 V자 형상의 노치를 형성하거나, 도 12 또는 도 13에서 보는 바와 같이 인너쉴드(60, 64)의 장변부(60a,64a)에 전자빔의 주사방향과 나란하게 긴 단수 또는 복수 개의 슬롯(60b,64b)을 형성해 놓고 있다.In the conventional cathode ray tube, an inner shield, which is a magnetic shield member, is mounted on an assembly of a shadow mask and a mask frame so that the electron beam is not affected by the geomagnetism, and is mounted inside the cathode ray tube. In order to minimize the mis-landing phenomenon, a V-shaped notch is formed at the short side of the inner shield, or as shown in FIG. 12 or 13, the electron beams are formed at the long sides 60a and 64a of the inner shield 60 and 64. Long single or plurality of slots 60b and 64b are formed in parallel with the scanning direction.
그러나, 이러한 형상의 슬롯을 가지는 인너쉴드(60,64)는 상기한 지자기의E-W방향 수평분력에 의한 전자빔의 미스랜딩 량을 감소시키는 것을 주목적으로 하고 있는 바, N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 미스랜딩 량은 오히려 증가시키는 문제점이 있었다.However, the inner shields 60 and 64 having slots of such a shape mainly aim to reduce the mislanding amount of the electron beam due to the horizontal component of the EW direction of the geomagnetic field. There was a problem that the amount of landing rather increased.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 지자기 등의 외부 자기장, 특히 관축방향(N-S 방향)의 수평분력에 의한 영향을 최소화하여 전자빔의 미스랜딩 량을 감소시킬 수 있는 쉴드부재를 구비한 음극선관을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of which is to minimize the influence of the horizontal magnetic force in the external magnetic field, such as geomagnetic field, in particular the tube axis direction (NS direction) to reduce the amount of mis-landing of the electron beam It is to provide a cathode ray tube having a shield member.
도 1은 본 발명에 따른 쉴드부재를 구비한 음극선관을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a cathode ray tube having a shield member according to the present invention.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 사시도이다.2 is a perspective view showing a shield member according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 정면도이다.3 is a front view showing a shield member according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 정면도이다.4 is a front view showing a shield member according to a second embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 정면도이다.5 is a front view showing a shield member according to a third embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 정면도이다.6 is a front view showing a shield member according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 쉴드부재의 측방 슬롯에 의해 자기장이 변화되는 과정을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for explaining a process of changing the magnetic field by the side slot of the shield member according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자빔의 경로에 따른 공간 자기장의 분포를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the distribution of the spatial magnetic field along the path of the electron beam in the cathode ray tube according to the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 측방 슬롯의 네크쪽 끝단 위치(h)와 대각점에서의 전자빔 이동량과의 관계를 나타낸 그래프이다.9 is a graph showing the relationship between the neck end position h of the lateral slot and the electron beam movement amount at the diagonal point according to the present invention.
도 10은 본 발명에 따른 서로 대칭되는 측방 슬롯간의 거리(w)와 전자빔 이동량과의 관계를 나타낸 그래프이다.10 is a graph showing the relationship between the distance (w) between the lateral slots symmetrical and the electron beam movement amount according to the present invention.
도 11은 본 발명에 따른 측방 슬롯의 단변길이(L)와 전자빔 이동량과의 관계를 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing the relationship between the short side length L of the lateral slots and the electron beam movement amount according to the present invention.
도 12는 종래의 쉴드부재를 도시한 정면도이다.12 is a front view showing a conventional shield member.
도 13은 종래의 쉴드부재를 도시한 정면도이다.13 is a front view showing a conventional shield member.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
20: 패널20a: 화면부20: Panel 20a: Screen portion
22: 형광 스크린24: 펀넬22: fluorescent screen 24: funnel
26: 네크28: 편향장치26: Neck 28: Deflection Device
30: 전자총31: 전자빔30: electron gun 31: electron beam
32: 색선별 장치33: 자기장32: color screening device 33: magnetic field
34: 마스크36: 프레임34: mask 36: frame
40: 쉴드 부재40a: 장변부40: shield member 40a: long side portion
40b: 단변부40c: 중앙슬롯40b: short side 40c: center slot
40d: 측방슬롯40d: side slot
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 형광 스크린이 형성되는 화면부와, 이 화면부의 둘레에 형성되는 측면을 갖는 패널과; 상기 패널에 연결 설치되고 외주 상에 편향 장치가 설치되는 펀넬과; 상기 펀넬에 연결 설치되고 내부에 상기 형광 스크린으로 주사되는 전자빔을 생성하는 전자총이 장착되는 네크와; 상기 패널 내측으로 장착되어 상기 전자빔을 색 선별하여 상기 형광 스크린의 해당 형광체에 도달되도록 하는 색 선별 장치; 및 상기 색 선별 장치에 연결 설치되면서 상기 네크를 향해 배치되어 전자빔의 주사 궤도에 영향을 미치는 지자기를 차폐시키기 위한 쉴드부재를 포함하고, 상기 쉴드부재는 장변부 중앙에 전자빔의 경로와 평행하게 긴 중앙 슬롯이 형성되고, 상기 중앙 슬롯의 좌우측에 이 중앙 슬롯의 길이보다 짧은 측방 슬롯이 상기 패널쪽으로 치우쳐서 전자빔의 경로와 평행하게 형성되는 음극선관을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a panel having a screen portion on which a fluorescent screen is formed, and a side surface formed around the screen portion; A funnel connected to the panel and provided with a deflection device on an outer circumference thereof; A neck connected to the funnel and equipped with an electron gun for generating an electron beam scanned into the fluorescent screen therein; A color sorting apparatus mounted inside the panel to color-select the electron beam to reach a corresponding phosphor of the fluorescent screen; And a shield member arranged to be connected to the neck while being connected to the color screening device to shield the geomagnetism which affects the scanning trajectory of the electron beam, wherein the shield member is centered in a long side parallel to the path of the electron beam. A slot is formed, and on the left and right sides of the center slot, a side slot shorter than the length of the center slot is biased toward the panel to provide a cathode ray tube formed parallel to the path of the electron beam.
상기 측방 슬롯은 상기 음극선관의 관축방향(Z 방향) 중심축을 기준으로 서로 대칭되게 형성되는 것이 바람직하며, 상기 쉴드부재의 패널쪽 장변길이를 W, 상기 서로 대칭되는 측방 슬롯의 패널쪽 끝단 사이의 거리를 w라고 할 때, 상기 쉴드부재는 다음 식을 만족하여 형성될 수 있다.The side slots are preferably formed to be symmetrical with respect to the center axis of the cathode ray tube (Z direction), the length of the panel side of the shield member W, between the panel end of the side slots symmetrical to each other When the distance is w, the shield member may be formed by satisfying the following equation.
40 ≤(w/W)×100 ≤6040 ≤ (w / W) × 100 ≤60
또한, 상기 음극선관의 관축방향(Z 방향)에 대한 쉴드부재의 폭을 H, 상기 관축방향(Z 방향)에 대한 쉴드부재의 패널쪽 변으로부터 상기 측방 슬롯의 네크쪽 끝단까지의 거리를 h라고 할 때, 상기 쉴드부재는 다음의 식을 만족하여 형성될 수 있으며,In addition, the width of the shield member in the tube axis direction (Z direction) of the cathode ray tube is H, and the distance from the panel side of the shield member in the tube axis direction (Z direction) to the neck end of the side slot is h. When doing so, the shield member may be formed by satisfying the following equation,
15 ≤(h/H)×100 ≤60 ,15 ≤ (h / H) x 100 ≤ 60,
상기 쉴드부재의 패널쪽 장변길이를 W, 상기 측방 슬롯의 단변길이를 L이라고 할 때, 상기 쉴드부재는 다음 식을 만족하여 형성될 수 있다.When the long side length of the panel side of the shield member is W and the short side length of the side slot is L, the shield member may be formed by satisfying the following equation.
1 ≤(L/W)×100 ≤71 ≤ (L / W) × 100 ≤7
한편, 상기 음극선관에서의 색선별 장치는 다수의 전자빔 통과공을 가지며 장축과 단축이 설정되는 형상으로 이루어지는 마스크; 및 상호 소정의 간격을 두고 상기 마스크의 장축에 대응하여 배치되고 상기 장,단축 중 어느 일 방향으로 인장된 상기 마스크와 결합되는 한 쌍의 지지부재들과, 상기 마스크의 단축에 대응하여 배치되면서 상기 지지부재들의 양단에 걸쳐 고정되어 상기 마스크에 인가되는 장력을 유지하게 하는 한 쌍의 강성부재들로 이루어지는 프레임을 포함하여 구성되는 것도 가능하다.On the other hand, the color screening apparatus in the cathode ray tube comprises a mask having a plurality of electron beam through holes and the shape of the major axis and the minor axis is set; And a pair of support members disposed to correspond to the major axis of the mask at predetermined intervals and coupled to the mask stretched in one of the major and minor axes, and arranged to correspond to the minor axis of the mask. It may also be configured to include a frame composed of a pair of rigid members fixed across both ends of the support members to maintain the tension applied to the mask.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 쉴드부재를 구비한 음극선관을 도시한 횡단면도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a cathode ray tube having a shield member according to the present invention, Figure 2 is a perspective view showing a shield member according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 음극선관은 화면부(20a)의 내면에 형광 스크린(22)을 형성하고 상기 화면부(20a)의 둘레로 측면(20b)을 형성하는 패널(20), 이 패널(20)에 연결 설치되는 펀넬(24) 및 이 펀넬(24)에 연결 설치되는 네크(26)로 형성된 진공 튜브로 외관을 형성하며, 통상과 같이 상기 펀넬(24)의 외주 상에는 전자빔을 편향시키기 위한 편향장치(28)를 장착하고 상기 네크(26) 내부에는 전자빔을 생성하기 위한 전자총(30)을 장착한다.As shown in FIG. 1, the cathode ray tube according to the present invention includes a panel 20 that forms a fluorescent screen 22 on an inner surface of the screen portion 20a and forms a side surface 20b around the screen portion 20a. And form an external appearance with a vacuum tube formed of a funnel 24 connected to the panel 20 and a neck 26 connected to the funnel 24, and the electron beam is formed on the outer circumference of the funnel 24 as usual. The deflecting device 28 for deflecting the laser beam is mounted and the electron gun 30 for generating the electron beam is mounted inside the neck 26.
또한, 상기 패널(20)의 내측으로는 상기 전자총(30)에서 주사된 다수(R, G, B)의 전자빔을 색 선별하기 위한 색선별 장치(32)를 장착하는 바, 본 실시예에서 상기 색선별 장치(32)에 포함되는 마스크(34)는 텐션 마스크 타입(Tension mask type)으로 이루어진다. 즉, 상기 마스크(34)는 복수의 전자빔 통과공을 가지면서 장축과 단축이 설정되는 대략 직사각형의 형상으로 이루어진다.In addition, a color screening device 32 for color-selecting a plurality of R, G, and B electron beams scanned by the electron gun 30 is mounted inside the panel 20. The mask 34 included in the color screening device 32 is formed of a tension mask type. That is, the mask 34 has a substantially rectangular shape in which a long axis and a short axis are set while having a plurality of electron beam through holes.
이러한 마스크(34)는 상기 장축 또는 단축 방향으로 소정의 텐션을 받아 인장되어 이를 지지하는 프레임(36)에 고정 설치되는데, 이 때 상기 프레임(36)은 상호 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 지지부재들(36a)과, 이 지지부재들(36a)의 양단에 상호 걸쳐 고정 결합되면서 상기 지지부재들(36a)과 함께 일종의 사각틀을 형성하는 강성부재들(36b)을 포함하여 이루어진다.The mask 34 is fixed to the frame 36 that is tensioned and supported by the predetermined tension in the long axis or short axis direction, wherein the frame 36 is a support member disposed to face each other at a predetermined interval from each other And a rigid member 36b fixedly coupled to both ends of the support members 36a to form a rectangular frame together with the support members 36a.
이와 같이 구성되는 상기 색선별 장치(32)는 상기 마스크(34)가 상기 형광 스크린(22)을 향하도록 상기 패널(20) 내측에 배치되어 후크와 스프링으로 이루어진 결합수단에 의해 실질적으로 상기 패널(20) 내측에 장착된다.The color screening device 32 configured as described above is disposed inside the panel 20 so that the mask 34 faces the fluorescent screen 22 and is substantially connected to the panel by a coupling means composed of a hook and a spring. 20) It is mounted inside.
한편, 상기한 색선별 장치(32)에는 상기 네크(26)를 향한 방향으로 상기 프레임(36)의 둘레에 결합되고 상기 패널(20)과 네크(26) 사이의 공간에 배치되어 전자빔의 주사궤도에 영향을 미치는 지자기를 차폐시키기 위한 쉴드부재(40)가 연결 설치된다.On the other hand, the color screening device 32 is coupled to the periphery of the frame 36 in the direction toward the neck 26 and disposed in a space between the panel 20 and the neck 26 to scan the trajectory of the electron beam. Shield member 40 for shielding the geomagnetism affecting is installed.
이러한 쉴드부재(40)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 각각 마주보는 한 쌍의 장변부(40a)와 단변부(40b)의 결합체로 구성되는데, 여기서 상기 장변부(40a) 중앙에는 전자총에서 출사되는 전자빔의 경로와 평행하게 긴 중앙 슬롯(40c)이 형성되고, 상기 중앙 슬롯(40c)의 좌·우측에는 이 중앙 슬롯(40c)의 길이보다 짧은 측방 슬롯(40d)이 상기 전자빔의 경로와 평행하게 형성된다.As shown in FIG. 2, the shield member 40 is composed of a combination of a pair of long side portions 40a and short side portions 40b facing each other, where the long side portion 40a is formed at an electron gun. A long central slot 40c is formed parallel to the path of the emitted electron beam, and side slots 40d shorter than the length of the center slot 40c are formed at left and right sides of the center slot 40c. It is formed in parallel.
이러한 측방 슬롯(40d)은 상기 음극선관의 관축방향 중심축을 기준으로 서로 대칭되게 형성하는 것이 바람직하며, 상기 쉴드부재(40)의 패널쪽 변에 치우치게 형성된다.The side slots 40d are preferably formed to be symmetrical with respect to the tube axis direction central axis of the cathode ray tube, and are formed to be biased toward the panel side of the shield member 40.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 정면도이다.3 is a front view showing a shield member according to an embodiment of the present invention.
도 3에서 보는 바와 같이, 상기 실시예에 따른 측방 슬롯(40d)은 가늘고 긴 직사각형의 개구부로 형성되며, 상기 음극선관의 관축방향(Z 방향)에 대한 쉴드부재(40)의 폭을 H, 상기 관축방향(Z 방향)에 대한 쉴드부재의 패널쪽 변으로부터 상기 측방 슬롯(40d)의 네크쪽 끝단까지의 거리를 h라고 할 때, 상기 쉴드부재(40)는다음 식을 만족하여 형성되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3, the lateral slot 40d according to the embodiment is formed as an elongated rectangular opening, and the width of the shield member 40 in the tube axis direction (Z direction) of the cathode ray tube is H, When the distance from the panel side of the shield member in the tube axis direction (Z direction) to the neck end of the lateral slot 40d is h, the shield member 40 is preferably formed by satisfying the following equation. Do.
15 ≤(h/H)×100 ≤6015 ≤ (h / H) × 100 ≤60
또한, 상기 측방 슬롯(40d)은 전자총으로부터 출사되는 전자빔의 경로와 나란하게 형성되며, 상기 쉴드부재(40)의 패널쪽 장변길이를 W, 상기 서로 대칭되는 측방 슬롯(40d)의 패널쪽 끝단 사이의 거리를 w라고 할 때, 상기 쉴드부재(40)는 다음 식을 만족하여 형성되는 것이 바람직하다.In addition, the side slots 40d are formed parallel to the path of the electron beam emitted from the electron gun, and the long side length of the panel side of the shield member 40 is between W and the panel end portions of the side slots 40d which are symmetrical to each other. When the distance of w is, the shield member 40 is preferably formed by satisfying the following equation.
40 ≤(w/W)×≤6040 ≤ (w / W) × ≤60
나아가, 상기 쉴드부재(40)의 패널쪽 장변길이를 W, 상기 측방 슬롯(40d)의 단변길이를 L이라고 할 때, 상기 쉴드부재(40)는 다음 식을 만족하여 형성되도록 하는 것이 바람직하다.Furthermore, when the long side length of the panel side of the shield member 40 is W and the short side length of the side slot 40d is L, the shield member 40 is preferably formed to satisfy the following equation.
1 ≤(L/W)×100 ≤71 ≤ (L / W) × 100 ≤7
한편, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 평면도이고, 도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 평면도이며, 도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 쉴드부재를 도시한 평면도이다.4 is a plan view showing a shield member according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5 is a plan view showing a shield member according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a fourth view of the present invention. A plan view of a shield member according to an embodiment.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 쉴드부재(50)의 장변부(50a)에 형성되는 측방 슬롯(50d)은 삼각형의 개구부로 형성되고, 이 삼각형은 빗변이 전자빔의 경로와 나란하고 중앙 슬롯(50c)을 기준으로 서로 마주보는 변은 상기 중앙 슬롯(50c)과 나란하며, 나머지 한 변은 상기 쉴드부재(50)의 패널쪽 변과 평행하도록 형성하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 4, the side slot 50d formed in the long side portion 50a of the shield member 50 according to the second embodiment of the present invention is formed as a triangular opening, and the triangle is a hypotenuse electron beam. Sides parallel to the path and facing each other based on the center slot 50c are parallel to the center slot 50c, and the other side is preferably formed to be parallel to the panel side of the shield member 50. .
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 쉴드부재(54)의 장변부(54a)에 형성되는 측방 슬롯(54d)은 타원형의 개구부로 형성되고, 이 타원형은 그 장축이 전자빔의 경로와 대체로 나란하게 배치되도록 한다.As shown in Fig. 5, the side slot 54d formed in the long side portion 54a of the shield member 54 according to the third embodiment of the present invention is formed as an oval opening, and the long axis is It is generally arranged parallel to the path of the electron beam.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 쉴드부재(58)의 장변부(58a)에 형성되는 측방 슬롯(58d)은 평행사변형의 개구부로 형성되고, 이 평행사변형은 그 장축이 전자빔의 경로와 대체로 나란하게 배치되도록 한다.As shown in Fig. 6, the lateral slots 58d formed in the long side portion 58a of the shield member 58 according to the fourth embodiment of the present invention are formed as an opening of a parallelogram, and the parallelogram The long axis is arranged approximately parallel with the path of the electron beam.
도 7은 본 발명에 따른 쉴드부재의 측방 슬롯에 의해 자기장이 변화되는 과정을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view for explaining a process of changing the magnetic field by the side slot of the shield member according to the present invention.
앞서 언급한 바와 같이, 전자총(30)으로부터 출사된 전자빔(31)은 상기 형광 스크린을 향해 음극선관 내부에서 진행하는 동안 로렌츠 힘을 받아 이동 경로가 변경되며, 특히 상기 로렌츠 힘 중 상기 화면부(20a)의 폭방향(X 방향) 성분인의 힘을 받아 상기 X 방향으로 이동 경로가 변경, 즉 미스랜딩 된다.As mentioned above, the electron beam 31 emitted from the electron gun 30 is changed by the Lorentz force while traveling inside the cathode ray tube toward the fluorescent screen, and in particular, the screen portion 20a of the Lorentz force. In the width direction (X direction) Under the force of, the movement path in the X direction is changed, that is, mislanded.
통상적으로 장변부에 슬롯이 형성되지 않은 쉴드부재를 채용하였을 경우 전자빔이 지나는 경로 주위에 형성되는 자기장은, 네크쪽에서는 양의 By값을 가지고 상기 쉴드부재의 중간부분을 지나 패널쪽으로 가면서 음의 By값을 가진다.In general, when a shield member having no slot is formed in the long side portion, a magnetic field formed around a path through which an electron beam passes, has a positive B y value on the neck side and passes through the middle of the shield member toward the panel. Has the value of B y .
그런데, 본 발명에 따른 측방 슬롯(40d)이 형성되어 있는 쉴드부재(40)를 채용하였을 경우, 상기 쉴드부재(40)의 중간부분을 지나 패널쪽으로 가는 과정에 상방으로 개구되어 있는 측방 슬롯(40d)으로 인하여, 도 7에서 보는 바와 같이 종래의 음의 By(35)보다 본 발명에 따른 음의 By(33)가 그 절대값이 작아지게 되고, 이는 상기 X 방향의 로렌츠 힘(Fx)의 크기를 감소시키는 결과를 낳는다.However, when the shield member 40 having the side slot 40d according to the present invention is adopted, the side slot 40d opened upward in the process of passing through the middle portion of the shield member 40 toward the panel. 7, the absolute value of the negative B y 33 according to the present invention becomes smaller than that of the conventional negative B y 35 as shown in FIG. 7, which is the Lorentz force F x in the X direction. Results in a decrease in size.
도 8은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자빔의 경로에 따른 공간 자기장의 분포를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the distribution of the spatial magnetic field along the path of the electron beam in the cathode ray tube according to the present invention.
즉, 음극선관의 내부에서 전자총으로부터 화면부까지의 관축방향 거리에 따른 지자기의 수평분력에 대한 자속밀도(B)를 나타낸 것으로, 편의상 X축 상의 좌측을 음극선관의 네크쪽 방향으로, X축 상의 우측을 음극선관의 형광 스크린쪽 방향으로 보고, 상기 네크쪽 방향을 시작점으로 하여 상기 X축 상에 관축상의 거리(㎜)를 나타내었다. 이러한 그래프 상에 본 발명에 따른 쉴드부재(40)의 위치 지점을 나타내면, 대략 90㎜ 지점으로부터 230㎜ 지점 사이에 위치하며, 이 중 상기 측방 슬롯(40d)의 영역은 대략 160㎜ 내지 190㎜ 사이에 위치하게 된다.That is, it shows the magnetic flux density (B) with respect to the horizontal component of the geomagnetism according to the tube axis distance from the electron gun to the screen portion inside the cathode ray tube. For convenience, the left side on the X axis is in the necked direction of the cathode ray tube, The right side was viewed toward the fluorescent screen of the cathode ray tube and the distance on the axis of the tube on the X axis was shown as the starting point from the neck side. When showing the position of the shield member 40 according to the present invention on such a graph, it is located between approximately 90 mm to 230 mm, of which the area of the lateral slot 40d is between approximately 160 mm and 190 mm. It is located at.
상기 그래프를 통해 알 수 있듯이 본 발명의 쉴드부재(40) 상에서는, 상기 측방 슬롯(40d) 영역이 위치하는 곳에 분포하는 음의 By의 절대값이 종래(쉴드부재에 본 발명에 따른 측방 슬롯이 제공되지 않는 경우)의 음의 By의 절대값보다 작아지므로, 결과적으로 상기한 로렌츠 힘의 X성분, 즉 Fx의 크기를 감소시켜 이에 따른 전자빔의 미스랜딩 현상을 줄일 수 있다.As can be seen from the graph, on the shield member 40 of the present invention, the absolute value of the negative B y distributed in the position where the side slot 40d is located is conventional (the side slot according to the present invention is a shield member). Since it is smaller than the absolute value of the negative B y of the case), as a result, the X component of the Lorentz force, that is, the size of F x can be reduced, thereby reducing the mislanding phenomenon of the electron beam.
[실시예 1]Example 1
수평 지자기(Bh) 300mG, 수직 지자기(Bv) 380mG의 조건 하에서 텐션 마스크 타입의 22" 음극선관을 대상으로 종래의 쉴드부재를 채용하였을 때와 본 발명에 따른 쉴드부재를 채용하였을 때의 전자빔 이동량을 측정하였다.Electron beam when a conventional shield member is employed for a 22 "cathode ray tube of a tension mask type under the conditions of horizontal geomagnetic (B h ) 300 mG and vertical geomagnetic (B v ) 380 mG and when the shield member according to the present invention is employed. The amount of movement was measured.
즉, 화면의 수직 중심으로부터 가장자리로 멀어짐에 따라 그 거리를 상대적으로 나타내어 화면의 수직 중심점(유효화면의 수직끝단으로부터 화면 중심방향으로 15㎜ 떨어진 지점)을 0으로, 화면의 대각점(유효화면의 꼭지점으로부터 가로, 세로 15㎜ 떨어진 지점)을 100%로 하였으며, 하기 표 1에는 화면의 수직 중심점과 그로부터 63%, 84% 및 100%(대각점) 떨어진 지점에서의 N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량과 E-W방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량을 측정하여 나타내었다.In other words, as the distance from the vertical center of the screen to the edge is relatively shown, the vertical center point of the screen (15 mm away from the vertical end of the effective screen in the direction of the screen center) is 0, and the diagonal point of the screen ( 100 mm horizontally and vertically from the vertex) to 100%, and Table 1 shows the vertical beams of the screen and the NS beam horizontal component at 63%, 84% and 100% (diagonal) points. The amount of movement of the electron beam by the amount of movement and the horizontal component in the EW direction is measured and shown.
상기 표 1에서 보는 바와 같이, E-W방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량은 84% 지점을 제외하고 대체로 종래보다 낮은 이동량을 나타내었고, N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량은 전영역에서 종래보다 낮은 이동량을 나타내었으며, 특히 화면의 대각점(100%)에서 이동량의 큰 감소를 보였다.As shown in Table 1, the amount of movement of the electron beam by the horizontal component in the EW direction is generally lower than that of the conventional one except for 84%, and the amount of movement of the electron beam by the horizontal component in the NS direction is lower than in the previous region. Especially, the movement amount was greatly decreased at the diagonal point of the screen (100%).
[실시예 2]Example 2
도 9에서는 상기한 (w/W)×100을 50으로 고정하고, (h/H)×100을 10부터 90까지 변화시켜 가면서 대각점에서 지자기의 N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량을 측정하여 나타내었다.In FIG. 9, the (w / W) × 100 is fixed to 50, and the (h / H) × 100 is changed from 10 to 90, and the amount of movement of the electron beam due to the NS-based horizontal component of the geomagnetic field is measured at a diagonal point. Indicated.
상기에서 전자빔의 이동량은 동일한 지점에서 종래의 이동량을 100%로 하였을 때, 본 발명에 따른 쉴드부재를 채용하여 측정한 전자빔 이동량을 상대적으로 나타낸 것이다. 즉, 100%보다 작은 값을 나타낼 때 전자빔의 미스랜딩 현상이 개선된 것이다.The movement amount of the electron beam is a relatively represents the movement amount of the electron beam measured by employing the shield member according to the present invention when the conventional movement amount is 100% at the same point. That is, when the value is less than 100%, the mislanding phenomenon of the electron beam is improved.
도 9로부터 (h/H)×100의 값이 20 내지 60의 범위에 속할 때 대각점에서의 미스랜딩 량이 크게 감소하는 것을 알 수 있다.It can be seen from FIG. 9 that the amount of mislanding at the diagonal point greatly decreases when the value of (h / H) × 100 falls in the range of 20 to 60. FIG.
[실시예 3]Example 3
도 10은 (h/H)×100을 50으로 고정하고 (w/W)×100을 10부터 90까지 변화시켜 가면서 대각점과 1/2대각점(화면의 기준점과 대각점의 중간지점)에서 지자기의 N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량을 측정하여 나타내었다.Fig. 10 shows that at the diagonal point and the half diagonal point (the middle point of the reference point and the diagonal point of the screen) while fixing (h / H) × 100 to 50 and changing (w / W) × 100 from 10 to 90. The displacement of the electron beam due to the horizontal component of NS in the geomagnetic field is measured and shown.
상기에서 전자빔의 이동량은 동일한 지점에서 종래의 이동량을 100%로 하였을 때, 본 발명에 따른 쉴드부재를 채용하여 측정한 전자빔 이동량을 상대적으로 나타낸 것이다.The movement amount of the electron beam is a relatively represents the movement amount of the electron beam measured by employing the shield member according to the present invention when the conventional movement amount is 100% at the same point.
도 10으로부터 (w/W)×100의 값이 40 이상 60 이하일 때 대각점 및 1/2대각점에서의 이동량 감소효과를 얻을 수 있었다.When the value of (w / W) x 100 is 40 or more and 60 or less from FIG. 10, the movement amount reduction effect in the diagonal and 1/2 diagonal point was obtained.
[실시예 4]Example 4
도 11은 (w/W)×100을 53으로 고정하고 측방 슬롯의 단변길이(L)를 달리하여 (L/W)×100을 1부터 8까지 변화시켜 가면서 대각점에서 지자기의 N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 이동량을 측정하여 나타내었다.11 is a horizontal component in the NS direction of the geomagnetism at a diagonal point while fixing (w / W) × 100 to 53 and changing (L / W) × 100 from 1 to 8 by changing the short side length L of the side slot. The movement amount of the electron beam is measured and shown.
도 11로부터 (L/W)×100의 값이 4정도일 때 최소의 이동량을 나타내었으며,E-W방향 수평분력에 의한 이동량을 고려할 때 대략 7 이하의 값을 가질 때 이동량 감소의 효과를 얻을 수 있음을 알 수 있다.11 shows the minimum amount of movement when the value of (L / W) × 100 is about 4, and it is possible to obtain the effect of reducing the amount of movement when the value is about 7 or less in consideration of the amount of movement by the horizontal component in the EW direction. Able to know.
상기에서는 텐션 마스크 타입의 음극선관을 중심으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 쉴드부재는 성형 마스크 타입(Formed Mask Type)의 음극선관에도 적용할 수 있다.In the above description, the tension mask type cathode ray tube has been described, but the shield member according to the present invention may be applied to a cathode ray tube of a formed mask type.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the scope of the invention.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 쉴드부재를 구비한 음극선관에 의하면, 상기 쉴드부재의 장변부에 전자빔의 경로와 나란한 측방 슬롯을 패널쪽으로 치우쳐서 형성함으로써 지자기의 N-S방향 수평분력에 의한 전자빔의 미스랜딩 량을 감소시켜 색순도 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the cathode ray tube provided with the shield member according to the present invention, a side slot parallel to the path of the electron beam is formed on the long side of the shield member so as to face the panel, so that the misbeaming of the electron beam by the NS component horizontal force of the geomagnetic field occurs. By reducing the amount has the effect of improving the color purity characteristics.
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