KR20030072677A - 패턴 붕괴 방지 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 포토 마스크 공정에 있어서 패턴이 쓰러지는 것을 방지할 수 있는 패턴 붕괴 방지 방법에 관해 개시한다.

개시된 본 발명의 패턴 붕괴 방지 방법은 다수의 라인과 스페이스를 가지는 패턴을 구비한 마스크를 제공하는 단계와, 라인의 일단에 패턴을 지지해주기 위한 더미패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

패턴 붕괴 방지 방법{method for preventing pattern collapse}

본 발명은 반도체장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토 마스크(photo mask) 공정에 있어서 배선 등을 포함한 패턴(pattern)이 쓰러지는 것을 방지할 수 있는 패턴 붕괴 방지 방법에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 포토 마스크 공정에 있어서, 포토레지스트(photoresist)와 하부 물질막 간의 접착력이 좋지 않은 경우, 하부 물질막이 유기물질과 결합력이 좋지 않은 경우 또는 패턴 폭에 비해 상대적으로 높이가 높을 경우에 패턴이 붕괴되는 현상이 발생된다.

도 1은 패턴 블럭이나 노광 필드 주변부에서의 붕괴된 패턴을 도시한 도면이다.

종래의 기술에서는, 노광 필드 내에서 패턴 블럭이나 필드 주변부에서는 레티클의 크롬(Cr)이 개구되는 영역의 비율이 변하게 된다. 이로 인해 빛이 들어오는 양이 변화하게 되고, 빛의 양이 변화되면서 근접한 패턴에 빛이 들어가게 되는 현상이 발생된다.

이러한 경우 크롬이 개구되는 영역이 증가할 때 근처까지 과도 노광되어 노광 필드 내의 패턴 블럭 및 필드의 주변부에서 패턴 폭이 좁아지게 된다.

따라서, 폭이 좁아진 패턴은 노광 후 현상 과정에서 스핀 건조과정에서 원심력을 이기지 못하고, 도 1에 도시된 바와 같이, 붕괴되는 문제점이 있었다.

이에 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 패턴 블럭 및 필드 가장자리 부분에서 발생하는 패턴 붕괴 현상을 방지할 수 있는 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

도 1는 종래 기술에 따른 문제점을 도시한 것으로, 패턴 블럭이나 노광 필드 주변부에서의 붕괴된 패턴을 도시한 도면.

도 2은 오리지날 패턴의 레이아웃도.

도 3는 라인 및 스페이서를 가지는 패턴을 구비한 마스크의 레이아웃도.

도 4 내지 도 9는 본 발명에 따른 실시예들을 도시한 레이아웃도.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

a. 라인 b. 스페이서

c. 더미 패턴

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 패턴 붕괴 방지 방법은 다수의 라인과 스페이스를 가지는 패턴을 구비한 마스크를 제공하는 단계와, 라인의 일단에 패턴을 지지해주기 위한 더미패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 더미패턴은 삼각형상, 사각형상 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함한다.

바람직하게는, 상기 마스크는 BIM, PSM 및 HT-PSM 중 어느 하나를 사용한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 오리지날 패턴의 레이아웃도로, 다수의 라인과 스페이스를 가지는 패턴을 구비한 마스크를 도시한 도면이다. 또한, 도 3는 본 발명에 따른 라인 및 스페이서를 가지는 패턴을 구비한 마스크의 레이아웃도이다.

본 발명의 패턴 붕괴 방지 방법은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 라인(a)과 스페이스(b)를 가지는 패턴을 구비한 마스크에서 상기 라인(a)들의 일단에 패턴을 지지해주기 위한 더미 패턴(c)을 형성한다.

이때, 상기 마스크로는 BIM(Binary Intensity Mask), PSM(Phase Shift Mask) 및 HT-PSM(Half Tone-Phase Shift Mask) 중 어느 하나를 사용한다.

본 발명의 더미패턴(c)은 삼각형상, 사각형상 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함한다.

도 4 내지 도 9는 본 발명에 따른 실시예들을 도시한 레이아웃도이다.

본 발명의 더미 패턴은, 도 4, 도 6, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 다결정 실리콘 또는 금속 등의 도전 물질을 이용하여 라인(a)의 일단에 사각 형상으로 패터닝된다. 이때, 상기 사각 형상의 더미 패턴(c1)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 라인(a)의 일단에서 좌우 폭이 동일하게 정중앙에 위치되도록 패터닝되거나,도 6에 도시된 바와 같이, 라인(a)의 일변과 수평하게 패터닝되거나, 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이, 사각형상의 더미 패턴을 적어도 2개 이상 조합하여 패터닝될 수 있다.

또한, 본 발명의 더미 패턴(c2)은, 도 5 및 도 8에 도시된 바와 같이, 삼각형상과 사각형상의 조합으로 형성할 수도 있다.

따라서, 본 발명에서는 다수의 라인 및 스페이서를 가진 패턴을 구비한 마스크에 있어서, 상기 라인의 일단과 연결되는 더미 패턴을 삽입하여 패턴이 붕괴되는 것을 방지할 수 있다.

이상에서와 같이, 본 발명의 방법에서는 다수의 라인 및 스페이서를 가진 패턴을 구비한 마스크에서 상기 라인의 일단에 더미 패턴을 삽입함으로써, 패턴 블럭 및 노광 필드의 주변부에서 발생하는 패턴 붕괴를 방지할 수 있다. 또한, 패턴 붕괴로 인해 발생 가능한 손상을 미연에 방지 가능하다.

한편, 본 발명에서는 반도체 제조 공정 중 포토 마스크 공정에서의 패턴 붕괴로 인한 재작업 등의 번거로움을 줄일 수 있으며, 이로 인한 생산 단가 절감 및 공정 안정화를 이루어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (3)

1. 다수의 라인과 스페이스를 가지는 패턴을 구비한 마스크를 제공하는 단계와,

   상기 라인의 일단에 상기 패턴을 지지해주기 위한 더미패턴을 형성하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 패턴 붕괴 방지 방법.
2. 제 1항에 있어서, 상기 더미패턴은 삼각형상, 사각형상 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 붕괴 방지 방법.
3. 제 1항에 있어서, 상기 마스크는 BIM, PSM 및 HT-PSM 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 붕괴 방지 방법.