KR20030060522A - 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 공정용 가스가 채워진 가스 저장용기와 공정이 진행되는 복수개의 반응챔버들 사이에 설치되어 이들을 서로 연결시키는 가스 공급관에 관한 것으로, 동일한 직경을 갖는 가스 공급관을 가스 저장용기에서부터 반응챔버들까지 설치하여 공급되는 가스의 유량이 변화되는 것을 방지한다.

Description

반도체 제조 설비의 가스 공급 장치{gas supply apparatus for semiconductor processing equipment}

본 발명은 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직경이 모두 동일한 가스 공급관을 이용하여 소정의 공정용 가스가 보관되는 가스봄베 박스로부터 공정이 진행되는 반응챔버들을 연결함으로써, 가스 공급관을 통해 반응 챔버로 유입되는 가스의 유량이 변화되는 것을 방지하기 위한 반도체 제조 설비의 가스 공급장치에 관한 것이다.

일반적인 반도체 제조설비의 가스 공급 장치는 가스의 압력과 유량을 제어하여 공정이 진행되는 각각의 반응 챔버로 공정에 필요한 가스를 공급하는 장치이다.이러한 가스 공급 장치는 공정에 필요한 가스들을 고압으로 충진된 가스 저장용기에 보관하며 가스용기에 충진된 가스를 일정 압력과 일정 유량으로 조정하여 공정이 진행 중인 반응챔버로 공급하는 가스봄베 박스(Gas Bombe box)와, 가스봄베 박스에 보관된 가스 저장용기와 각각의 반응챔버들을 연결시켜 반응챔버의 내부로 공정에 필요한 가스를 공급하는 가스 공급관으로 구성된다.

여기서, 가스 공급관의 소정부분에는 작업자가 가스 공급관을 개방, 폐쇄할 수 있도록 매뉴얼 밸브(manual valve)가 설치되며, 가스 공급관에는 4개의 반응챔버들이 연결되어 있으며, 각 반응챔버들과 연결된 가스 공급관에는 반응챔버에 가스를 유입시키거나 가스 유입을 차단시키기 위한 밸브들이 설치된다.

그리고, 가스 저장용기에서부터 매뉴얼 밸브까지 연결되어 있는 가스 공급관의 직경이 매뉴얼 밸브에서 반응챔버까지 연결되어 있는 가스공급관의 직경보다 두배 정도 더 크다.

이와 같이 가스 저장용기에서부터 반응챔버까지 연결하는 가스 공급관의 직경이 서로 다르면 가스의 압력과 유속이 갑자기 변화되므로 각 반응챔버들에 공급되는 가스의 유량이 흔들린다. 이로 인해 각 반응챔버에 공급되는 가스의 유량이 설정된 가스의 유량보다 약간 적어지거나 많아질 수 있어 제품의 신뢰성이 저하된다.

따라서, 본 발명의 목적은 가스봄베 박스로부터 각 반응챔버에 연결되는 가스 공급관의 직경을 모두 동일하게 형성하여 반응챔버들로 공급되는 가스의 유량이변화되는 것을 방지하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해 질 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 가스 공급 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 블록도.

**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**

100...가스 공급 장치

130...가스 공급관

140...매뉴얼 밸브

이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치는 소정의 공정용 가스가 채워진 가스 저장용기와, 가스 저장용기를 보관하고 가스 저장용기에 채워진 공정용 가스를 일정압력과 일정유량으로 조정하여 공정이 진행 중인 복수개의 반응챔버들로 공급하는 가스봄베 박스와, 서로 동일한 직경을 가지며 가스 저장용기와 반응챔버들을 연결시켜 가스 저장용기에 저장된 공정용 가스를 반응챔버들의 내부로 공급하는 가스 공급관을 포함한다.

이하, 본 발명에 의한 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

웨이퍼 위에 소정의 박막을 증착시키는 공정이 진행되는 반응챔버(110,112,114,116)에 소정의 공정용 가스, 예를 들어 WF6 가스를 공급하는 가스 공급 장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이 WF6 가스가 채워진 가스 저장용기(125), 가스 저장용기(125)를 보관하고 가스 저장용기(125)에 채워진 WF6 가스를 일정압력과 일정유량으로 조정하여 공정이 진행 중인 반응챔버(110,112,114,116)로 공급하는 가스봄베 박스(120) 및 가스 저장용기(125)와 반응챔버(110,112,114,116)를 연결시켜 가스 저장용기(125)에 저장된 WF6 가스를 반응챔버(110,112,114,116)의 내부로 공급하는 가스 공급관(130)으로 구성된다.

여기서, 가스 공급관(130)에는 4개의 반응 챔버들(110,112,114,116)이 연결되며, 가스 공급관(130)은 메인 공급관(132,132a)과 4개의 분기관들(134)로 구성된다. 메인 공급관(132,132a)은 가스 저장용기(125)와 분기관들(134)을 연결시키고, 분기관들(134)은 메인 공급관(132,132a)과 각 반응챔버들(110,112,114,116)을 연결시킨다.

메인 공급관(132,132a)에는 작업자가 가스 공급관(130)을 개방, 폐쇄할 수 있도록 매뉴얼 밸브(manual valve;140)가 설치되고, 각각의 분기관(134)에는 반응챔버(110,112,114,116)로 WF6 가스를 유입시키거나 WF6 가스의 유입을 차단시키기 위해 각 분기관들(134)을 개폐하는 밸브들(142)이 설치된다.

한편, 매뉴얼 밸브(140)에서부터 각 반응챔버들(110,112,114,116) 사이에 설치되는 메인 공급관(132a) 및 분기관(134)의 직경은 종래에 비해 2배정도 커져 가스봄베 박스(120)에서부터 매뉴얼 밸브(140) 사이에 설치된 메인 공급관(132)과 동일한 직경을 가지게 된다. 즉, 가스봄베 박스(120)에서부터 각 반응챔버들(110,112,114,116) 사이에 설치되는 가스 공급관(130)의 직경은 어디에서나 동일하다.

이와 같이 매뉴얼 밸브(140)와 반응챔버(110,112,114,116) 사이에 설치되어 반응챔버(110,112,114,116)에 WF6 가스를 공급하는 메인 공급관(132a)과 분기관들(134)의 직경이 커져 가스봄베 박스(120)와 매뉴얼 밸브(140) 사이에 설치되는 메인 공급관(132)의 직경과 동일해지면, 가스 공급관(130)을 통해 반응챔버(110,112,114,116)로 유입되는 WF6 가스의 압력 및 유속에 변화가 발생되지 않으므로 안정적인 WF6 가스의 공급이 가능하다.

즉, 가스 공급관(130)을 통해 하나의 가스 저장용기(125)와 연결된 4개의 반응챔버들(110,112,114,116) 중 2개 이상의 반응챔버(예를 들어 110,112)에서 증착공정이 진행되어도 가스 공급관(130)을 흐르는 WF6 가스의 유량에 변화가 발생되지 않고 설정된 만큼의 유량이 각 반응챔버(110,112)로 유입되기 때문에 반응챔버(110,112)에서는 안정적인 증착 공정이 진행될 수 있다.

이와 같이 가스 저장용기와 반응챔버들 사이에 설치되어 이들을 연결시키는 가스 공급관의 직경을 동일하게 형성하면 반응챔버로 공급되는 가스의 유량이 변화되지 않으므로 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (1)

1. 소정의 공정용 가스가 채워진 가스 저장용기와, 상기 가스 저장용기를 보관하고 상기 가스 저장용기에 채워진 공정용 가스를 일정압력과 일정유량으로 조정하여 공정이 진행 중인 복수개의 반응챔버들로 공급하는 가스봄베 박스와, 상기 가스 저장용기와 상기 반응챔버들을 연결시켜 상기 공정용 가스를 상기 반응챔버들의 내부로 공급하는 가스 공급관을 포함하는 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치에 있어서,

   동일한 직경을 갖는 상기 가스 공급관을 사용하여 상기 가스 저장용기에서부터 상기 반응챔버들까지 연결시키는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 가스 공급 장치.